KR100852290B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치이며, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다.
처리액을 저류하는 처리조, 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버, 기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내이며 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐 승강가능한 지지기구, 상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급부, 상기 처리조로부터 배출되는 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크, 상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압펌프, 상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압펌프, 상기 공급부에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 하여, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압펌프에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 처리조 내의 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압펌프를 조작하고, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어부.
Figure R1020070062403
챔버, 버퍼탱크

Description

기판처리장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
도 1은 실시예 1에 관한 기판처리장치의 개략구성도이다.
도 2는 처리마다 각 부의 동작상황을 나타내는 도면이다.
도 3은 실시예 2에 관한 기판처리장치의 개략구성도이다.
도 4는 처리마다 각부의 동작상황을 나타내는 도면이다.
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 액정 표시장치용의 유리기판 (이하, 간단하게 기판이라고 칭한다)등의 기판에 대한 건조처리를 하는 기판처리장치에 관한 것이며, 특히, 용제(溶劑)분위기의 챔버 내를 감압한 상태에서, 처리액 중으로부터 기판을 용제분위기 중으로 기판을 이동시켜서 건조를 하는 기술에 관한 것이다.
종래에, 이러한 종류의 장치로서, 순수(純水)를 저류하는 처리조(處理槽)와, 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버와, 처리조 내의 처리위치와 처리조 상부의 건조위치에 걸쳐 기판을 승강시키는 지지기구와, 챔버 내에 이소프로필알콜(IPA)의 증기를 공급하는 노즐과, 챔버 내를 감압하는 진공펌프와, 처리조로부터 챔버의 외부로 순수를 배출하는 배출관을 갖춘 것이 있다(예컨대, 일본국 특개평 11-87302호 공보 참조).
이러한 구성의 장치에서는, 우선, 승강 암을 처리위치로 이동시킨 상태에서 기판을 순수세정한다. 그리고, 노즐로부터 이소프로필알콜의 증기를 공급해서 챔버 내를 용제분위기로 한 후, 지지기구를 건조위치로 이동시킨다. 이어서, 진공펌프에 의해 챔버 내를 감압하여, 기판에 부착되어 있는 이소프로필알콜을 건조시켜 기판을 건조시킨다.
그렇지만, 이러한 구성을 갖는 종래 예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 종래의 장치는, 감압되어 있는 챔버 내의 처리조에 순수가 저류된 상태이면, 기판의 건조처리에 악영향이 생길 우려가 있어서, 챔버 내를 감압하기 전에, 대기압의 상태에서 처리조 내의 순수를 배출할 필요가 있다. 즉, 챔버의 감압중에 배수를 할 수 없으므로, 처리액에서의 처리로부터 건조처리로의 기판처리의 처리효율이 나빠진다는 문제가 있다.
또한, 상기의 문제를 피하기 위해서, 용제분위기를 형성하여 챔버 내를 감압한 후에, 예컨대 질소 등의 불활성가스로 챔버 내를 가압하면서, 처리조 내의 순수를 배출하는 것도 생각할 수 있다. 그렇지만, 이렇게 가압을 하면, 챔버 내의 이소프로필알콜의 증기가 응축하여, 기판에 액적(液滴)으로서 부착되어서 찌꺼기(殘渣)가 생긴다. 따라서, 기판을 청정하게 건조시킬 수 없다는 별개의 문제가 생긴다.
본 발명은, 이러한 사정에 비추어 이루어진 것이며, 챔버 내외의 압력을 조 정하는 것에 의해, 감압 하에서도 배수를 가능하게 하여 기판처리의 처리효율을 향상시키면서도, 기판을 청정하게 처리할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치이며, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다 :처리액을 저류하는 처리조; 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버; 기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내이며 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐 승강가능한 지지기구; 상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단; 상기 처리조로부터 배출되는 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크; 상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단; 상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단; 상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 하여, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시켜, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압시키는 동시에, 상기 처리조 내의 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단.
본 발명에 의하면, 제어수단은, 공급수단에 의해 챔버 내를 용제분위기로 하여, 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시켜서, 제 1의 감압수단에 의해 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 처리조 내의 처리액을 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 제 2의 감압수단을 조작하여, 버퍼탱크 내의 압력을 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정한다. 이것에 의해, 챔버 내의 압력과 버퍼탱크 내의 압력은, 서로 동일하거나, 버퍼탱크 내의 압력쪽이 낮은 상태가 된다. 따라서, 감압한 용제분위기하이어도, 처리조로부터 버퍼탱크에 처리액을 배출할 수가 있으므로, 기판처리의 처리효율을 향상시킬 수 있다. 더구나, 챔버 내의 가압이 불필요하므로, 가압에 의한 악영향을 받는 일이 없이, 기판을 청정하게 건조시킬 수 있다.
본 발명은, 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치이며, 상기 장치는 이하의 요소를 포함한다 : 처리액을 저류하는 처리조; 상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버; 기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내이며 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐 승강가능한 지지기구; 상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단; 상기 처리조로부터 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크; 상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단; 상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단; 상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 하여, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단.
본 발명에 의하면, 제어수단은, 공급수단에 의해 챔버 내를 용제분위기로 하 여, 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 제 1의 감압수단에 의해 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 챔버 내로 배출된 처리액을 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 제 2의 감압수단을 조작하여, 버퍼탱크 내의 압력을 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정한다. 이것에 의해, 챔버 내의 압력과 버퍼탱크 내의 압력은, 서로 동일하거나, 버퍼탱크 내의 압력쪽이 낮은 상태가 된다. 따라서, 챔버 내가 감압한 용제분위기하이어도, 챔버로부터 버퍼탱크에 처리액을 배출할 수가 있으므로, 기판처리의 처리효율을 향상시킬 수 있다. 더구나, 챔버 내의 가압이 불필요하므로, 가압에 의한 악영향을 받는 일이 없이, 기판을 청정하게 건조시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 제어수단은, 상기 챔버 내를 제 1의 압력으로 감압할 때까지, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 미리 제 2의 압력으로 조정해 두는 것이 바람직하다.
챔버 내의 압력과 버퍼탱크 내의 압력을 다른 타이밍으로 조정하므로, 제 1의 감압수단과 제 2의 감압수단을 겸용할 수가 있다. 따라서, 구성을 간략화할 수가 있고, 장치 코스트를 저감할 수가 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것이 바람직하다.
주입관으로부터도 감압을 하는 것에 의해, 효율적으로 챔버 내를 감압할 수가 있다.
본 명세서에 첨부된 도면으로서, 발명을 설명하기 위해서 현재의 최적이라고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아니라고 이해되어야 한다.
(실시예 1)
이하, 도면을 참조해서 본 발명의 실시예 1을 설명한다. 도 1은 실시예 1에 관한 기판처리장치의 개략구성도면이다.
본 실시예에 관한 기판처리장치는, 처리액을 저류하는 처리조(1)를 구비하고 있다. 이 처리조(1)는, 처리액을 저류하여, 기판(W)을 수용가능한 내조(內槽)(3)와, 내조(3)로부터 넘친 처리액을 회수하는 외조(外槽)(5)를 갖추고 있다. 내조(3)의 저부에는, 처리액을 내조(3)에 공급하는 2개의 주입관(7)이 설치되어 있다. 주입관(7)에는, 배관(9)이 연통접속되어 있다. 이 배관(9)은, 공급관(11)과 흡입관(13)으로 분기되어 있다. 공급관(11)은, 처리액공급원(15)에 접속되어 있으며, 그 유량이 제어밸브로 이루어지는 처리액밸브(17)로 제어된다. 흡입관(13)은, 제 1진공펌프(19)에 접속되고, 개폐밸브(21)에 의해 개폐된다. 처리액공급원(15)은, 불화수소산(HF)이나, 황산(H2SO4)·과산화수소수(H202)의 혼합액 등의 약액이나, 순수 등을 처리액으로서 공급한다.
처리조(1)는, 그 주위가 챔버(23)로 둘러싸여 있다. 챔버(23)는, 상부에 개폐가 자유로운 상부커버(25)를 구비하고 있다. 기립자세로 기판(W)을 유지하는 리 프터(27)는, 챔버(23)의 상부에 해당하는 「대기위치」와, 내조(3)의 내부에 해당하는 「처리위치」와, 내조(3)의 상부이며 챔버(23)의 내부에 해당하는 「건조위치」에 걸쳐 이동가능하다. 상부커버(25)의 아래쪽으로는, 한 쌍의 용제노즐(29)과, 한 쌍의 불활성가스 노즐(31)이 설치되어 있다.
용제노즐(31)에는, 공급관(33)의 일단측이 연통접속되어, 그 타단측이 증기발생장치(35)에 연통접속되어 있다. 이 공급관(33)에는, 유량조정을 위한 제어밸브로 이루어진 증기밸브(37)가 설치되어 있다. 증기발생장치(35)에는, 캐리어가스 공급원(39)으로부터 질소 등의 불활성가스가 캐리어가스로서 공급되는 동시에, 용제공급원(41)으로부터 이소프로필알콜 등의 용제가 공급된다. 증기발생장치(35)는, 용제공급원(41)으로부터의 용제를 증기로 하는 동시에, 캐리어가스와 혼합해서 소정의 온도로 공급관(33)에 공급한다.
불활성가스 노즐(29)에는, 공급관(43)의 일단측이 연통접속되어, 그 타단측이, 질소가스 등의 불활성가스를 공급하는 불활성가스 공급원(45)에 연통접속되어 있다. 불활성가스의 공급량은, 불활성가스밸브(47)에 의해 조정된다.
챔버(23)에는, 내부의 기체를 배출해서 감압하는 제 2 진공펌프(48)가 설치되어 있다. 또한, 챔버(23) 내의 감압을 해소하기 위한 개폐밸브로 이루어진 호흡(呼吸)밸브(49)가 설치되어 있다.
또, 상술한 제 1진공펌프(19)과 제 2 진공펌프(48)가 제 1의 감압수단에 해당한다. 또한, 리프터(27)가 본 발명에 있어서의 지지기구에 해당한다.
내조(3)의 저부에는, 배출구(50)가 형성되어 있다. 이 배출구(50)에는, 배출 관(51)의 일단측이 연통접속되어 있다. 그 타단측은, 챔버(23)의 외부에 설치되어 있는 버퍼탱크(53)에 연통접속되어 있다. 배출관(51)에는, 두 개의 제어밸브가 직렬적으로 설치되어 있다. 상류측이 QDR밸브(55)이며, 하류측이 배액밸브(57)이다. 이것들의 사이에는, 외조(5)에 일단측을 연통접속된 배출관(59)의 타단측이 연통접속되어 있다.
버퍼탱크(53)에는, 버퍼탱크 흡입관(61)과 버퍼탱크 배액관(63)이 연통접속되어 있다. 버퍼탱크 흡입관(61)에는, 제 3 진공펌프(65)가 설치되어 있다. 또한, 버퍼탱크 배액관(63)에는, 제어밸브로 이루어진 버퍼탱크 배액밸브(67)가 설치되어 있다.
상술한 제 1진공펌프(19), 개폐밸브(21), 상부커버(25), 리프터(27), 불활성가스밸브(47), 제 2 진공펌프(48), 호흡밸브(49), QDR밸브(55), 배액밸브(57), 제 3 진공펌프(65), 버퍼탱크 배액밸브(67) 등의 동작은, 본 발명에 있어서의 제어수단에 상당하는 제어부(71)에 의해 통괄적으로 제어된다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 상술한 구성을 구비한 장치의 동작에 대해서 설명한다. 도 2는 처리마다 각 부분의 동작상황을 나타내는 도면이다. 이러한 도 2 중에 있어서, 밸브의 동작이 개방인 부분에는 「개방」이라고 적혀 있지만, 공백인 부분은 「닫힘」을 의미한다. 동일하게, 펌프가 동작되는 부분에는 「ON」이라고 적혀있지만, 공백인 부분은 「정지」를 의미한다.
제어부(71)는, 상부커버(25)를 개방하고, 미처리의 기판(W)을 복수 장 지지하고 있는 리프터(27)를 「대기위치」로부터 「건조위치」로 반입시킨다(스텝 S1). 이때, 배액밸브(57)는 개방된 채이다. 다음으로, 제어부(71)는, 챔버(23) 내의 산소농도저감처리를 한다(스텝 S2). 구체적으로는, 불활성가스밸브(47) 및 호흡밸브(49)를 개방하고, 불활성가스 공급원(45)으로부터 챔버(23)내에 불활성가스를 공급시킨다. 이것에 의해, 챔버(23) 내의 공기가 불활성가스에 의해 퍼지되어, 그 결과, 산소농도가 저감된다.
챔버(23) 내의 산소농도가 저감되면, 제어부(71)는, 처리액밸브(17)를 개방하는 동시에 배액밸브(57)를 개방한다. 이것에 의해, 처리액공급원(15)으로부터 약액이 처리액으로서 내조(3)에 공급되어, 넘친 처리액이 외조(5)에 회수된다. 회수된 처리액은, 배출관(59)을 통하여 버퍼탱크(53)에 회수되는 동시에, 버퍼탱크 배액관(63)을 통하여 배출된다. 이렇게 하여 처리액이 공급된 후, 제어부(71)는, 리프터(27)를 건조위치로부터 처리위치까지 하강시켜서, 이것을 소정시간동안 유지하여 기판(W)에 대하여 처리액에 의한 처리를 한다(스텝 S3).
약액처리를 시작하여 소정시간이 경과하면, 제어부(71)는, 리프터(27)를 처리위치에 유지시킨 채, 처리액공급원(15)으로부터의 약액을 대신하여 순수를 처리액으로서 공급시킨다. 그리고, 그 상태를 소정시간동안 유지하여, 기판(W)을 순수로 세정처리한다(스텝 S4).
순수세정을 완료하면, 제어부(71)는, 처리액밸브(17)를 닫아 순수의 공급을 정지시킨다. 또한, 증기밸브(37)를 개방하여, 증기발생장치(35)로부터 이소프로필알콜(IPA)의 증기를 소정의 온도로 과열한 상태로 공급시킨다. 이것에 의해, 내조(3)에 저류하고 있는 순수의 액면이 이소프로필알콜의 증기에 의해 치환된다(스 텝 S5).
상술한 이소프로필알콜에 의한 액면(液面)치환을 소정시간동안 유지한 후, 제어부(71)는, 호흡밸브(49)와 버퍼탱크 배액밸브(67)를 닫는다. 이 상태를 소정시간동안 유지하면, 챔버(23)내에 이소프로필알콜의 증기가 충만하게 되고, 챔버(23)내가 용제분위기로 된다(스텝 S6).
이어서, 제어부(71)는, 리프터(27)를 처리위치로부터 건조위치로 이동시킨다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면에 부착되어 있는 순수가 이소프로필알콜의 증기에 의해 치환되기 시작한다(스텝 S7).
증기에 의한 치환을 시작한 후, 제어부(71)는, 불활성가스밸브(47)를 닫는 동시에, 제 2 진공펌프(65) 및 제 3 진공펌프(53)를 작동시킨다. 이것에 의해, 챔버(23)내가 감압되기 시작하고, 챔버(23)에 있어서 건조위치에 있는 기판(W)에 대한 감압건조가 시작된다(스텝 S8). 이때의 감압은, 제 1의 압력 PS1까지 행하여진다. 또한, 제 3진공펌프에 의해, 버퍼탱크(53) 내가 감압된다. 이때의 감압은, 제 2의 압력 PS2까지 행하여진다. 이 제 2의 압력 PS2은, 제 2의 압력 PS1이하이다.
감압건조가 시작되는 동시에, 제어부(71)는, 내조(3)에 남아있는 순수를 급속배수시킨다(스텝 S9). 이것은, 챔버(23)내에 대량의 순수가 존재하는 것에 의해, 건조처리에 악영향이 미치지 못하도록 하기 위해서이다. 제어부(71)는, QDR밸브(55)를 개방한다. 그렇게 하면, 내조(3)내에 저류하고 있는 순수가 배출관(51)을 통해서 버퍼탱크(53)내로 배출된다.
급속배수가 완료되면, 배액밸브(57) 및 QDR밸브(55)를 닫는다. 또한, 제 1진 공펌프(19)를 작동시켜서, 주입관(7)을 통해서의 감압도 행한다(스텝 S10). 주입관(7)으로부터도 감압을 하는 것에 의해, 효율적으로 챔버(23) 내를 감압할 수가 있다. 단, 이 감압에 의해, 제 2의 압력 PS2보다 챔버(23) 내의 압력이 저하하지 않도록 제어한다.
감압건조를 소정시간동안 한 후, 기압 리커버리를 한다(스텝 S11). 구체적으로는, 제 1∼제 3진공펌프(19,48,65)를 정지시킨다. 또한, QDR밸브(55), 배액밸브(57), 불활성가스밸브(47), 호흡밸브(49)를 개방한다. 이것에 의해 제 1의 압력 PS1까지 감압되었던 챔버(23) 내의 압력이 대기압에까지 회복된다.
기압 리커버리 후, 제어부(71)는, QDR밸브(55), 배액밸브(57), 불활성가스밸브(47), 호흡밸브(49)를 닫는 동시에, 건조위치에 있는 리프터(27)를 챔버(23)밖의 대기위치에까지 상승시켜서 기판(W)을 반출시킨다(스텝 S12). 그 후에, 제어부(71)는, 챔버(23)의 상부커버(25)를 닫음과 동시에 처리액밸브(17)를 개방하고, 내조(3)에 처리액을 채워두는 동시에, 불활성가스밸브(47)를 개방하여 챔버(23) 내를 불활성가스로 충만시켜 둔다(스텝 S13).
상술한 것과 같이 제어부(71)는, 챔버(23) 내를 용제분위기로 하여, 리프터(27)에 의해 기판(W)을 처리위치로부터 건조위치로 이동시켜서, 제 2 진공펌프(48)에 의해 챔버(23) 내를 제 1의 압력 PS1까지 감압하는 동시에, 내조(3) 내의 처리액을 버퍼탱크(53)로 배출시킬 때까지, 제 3 진공펌프(65)를 조작하여, 버퍼탱크(53) 내의 압력을 제 1의 압력 PS1이하의 제 2의 압력 PS2으로 조정한다. 이것에 의해, 챔버(23) 내의 압력과 버퍼탱크(53) 내의 압력은, 서로 동일하거나, 버퍼탱 크(53) 내의 압력쪽이 낮은 상태로 된다. 따라서, 감압한 용제분위기하이어도, 내조(3)로부터 버퍼탱크(53)에 처리액을 배출할 수가 있으므로, 기판(W)처리의 처리효율을 향상시킬 수 있다. 더구나, 챔버(23) 내의 가압이 불필요하므로, 가압에 의한 악영향을 받는 일이 없이, 기판(W)을 청정하게 건조시킬 수 있다.
(실시예 2)
다음으로, 도면을 참조해서 본 발명의 실시예 2를 설명한다. 도 3은, 실시예 2에 관한 기판처리장치의 개략구성도이다. 또, 상술한 실시예 1과 같은 구성에 대해서, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 상세한 설명에 관해서는 생략한다.
본 실시예 2에 있어서의 기판처리장치는, 상술한 실시예 1에 있어서의 구성과 이하의 점에 있어서 다르다.
즉, 처리조(1)는, 내조(3)만으로서, 외조(5)를 구비하지 않고 있다. 또한, 내조(3)의 배출구(50)에는, QDR밸브(55A)가 설치되어, QDR밸브(55A)로부터 배액하면, 내조(3) 내의 처리액이 챔버(23)내로 일단 배출된다. 챔버(23)의 저부에는, 버퍼탱크(53)에 연통접속된 배출관(51A)이 설치되며, 여기에 배액밸브(57A)가 설치되어 있다. 이 배액밸브(57A)를 개방하는 것에 의해, 챔버(23)저부에 저류된 처리액이, 버퍼탱크(53)로 배출된다.
다음으로, 상술한 것과 같이 구성된 기판처리장치의 동작에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. 또한, 도 4는, 처리마다 각 부분의 동작상황을 나타내는 도면이다.
기판표면의 이소프로필알콜에 의한 치환처리(스텝 S7)까지는, 상술한 실시예 1과 같으므로 상세한 설명에 관해서는 생략한다. 단, 처리조(1)는, 외조(5)를 구비하지 않고 있으므로, 약액세정이나 순수세정시에 공급된 처리액은, 내조(3)로부터 넘쳐서 챔버(23)의 저부로 회수되어, 배출관(51A)을 통해서 버퍼탱크(53)로 회수되고 버퍼탱크 배액관(63)을 통하여 배출된다.
제어부(71)는, 기판(W)표면의 이소프로필알콜에 의한 치환처리가 종료하면, 불활성가스밸브(47) 및 증기밸브(37)를 닫는 동시에 QDR밸브(55A)를 개방하여, 내조(3) 내의 처리액을 챔버(23)로 배출시키는 동시에, 제 3 진공펌프(65)를 작동시킨다(스텝 S21). 이것에 의해, 내조(3) 내의 처리액이 급속배수되는 동시에, 버퍼탱크(53) 내가 감압된다. 이때의 버퍼탱크(53)의 압력은, 제 2의 압력 PS2이다.
다음으로, 제어부(71)는 , 배액밸브(57A)를 개방하고, 제 1진공펌프(19) 및 제 2 진공펌프(48)를 작동시켜, 챔버(23) 내를 감압한다(스텝 S22). 이때의 챔버(23)의 압력은, 제 1의 압력 PS1이다. 이것에 의해, 기판(W)의 건조가 촉진되는 동시에, 챔버(23)의 저부에 저류하고 있는 처리액이, 내압이 챔버(23)의 압력이하로 된 버퍼탱크(53)로 배출된다.
상술한 것과 같이 제어부(71)는, 챔버(23) 내를 용제분위기로 하여, 리프터(27)에 의해 기판(W)을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 제 2 진공펌프(48)에 의해 챔버(23) 내를 제 1의 압력 PS1까지 감압하는 동시에, 내조(3)로부터 챔버(23)내로 배출된 처리액을 버퍼탱크(53)로 배출시킬 때까지, 제 3 진공펌프(65)를 조작하여, 버퍼탱크(53) 내의 압력을 제 1의 압력 PS1이하의 제 2의 압력 PS2으로 조정한다. 이것에 의해, 챔버(23) 내의 압력과 버퍼탱크(53) 내의 압력은, 서로 동일하거나, 버퍼탱크(53) 내의 압력쪽이 낮은 상태로 된다. 따라서, 감압한 용제분위기하이어도, 챔버(23)로부터 버퍼탱크(53)에 처리액을 배출할 수가 있으므로, 처리효율을 향상시킬 수 있다. 더구나, 챔버(23) 내의 가압이 불필요하므로, 가압에 의한 악영향을 받는 일이 없이, 기판(W)을 청정하게 건조시킬 수 있다.
본 발명은, 상기실시 형태에 한정되는 경우는 없고, 하기와 같이 변형실시할 수가 있다.
(1) 반드시 제 1진공펌프(19)에 의한 주입관(7)으로부터의 감압을 더불어서 할 필요는 없고, 제 2 진공펌프(48)로부터의 감압만을 하도록 해도 좋다. 이것에 의해, 진공펌프 및 감압에 관한 배관을 적게 할 수가 있다.
(2) 버퍼탱크(53)의 감압은, 급속배수까지 하면 좋고, 예컨대, 기판표면의 이소프로필알콜에 의한 치환의 시점(스텝 S7)까지 버퍼탱크(53) 내의 감압을 완료해 두어도 좋다. 구체적으로는, 제 2 진공펌프(48)와 제 3 진공펌프(65)를 하나의 진공펌프로 구성하고, 전환밸브에서 챔버(23)나 버퍼탱크(53) 중의 하나로 바꾼다. 이것에 의해, 장치의 구성을 간단화할 수가 있다.
(3) 상기의 각 실시예 1, 2에서는, 처리조(1)에 공급한 처리액을 배출하는 구성을 채용하고 있지만, 처리액을 순환시키는 타입의 장치라도 좋다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 부가된 청구항을 참조해야 한다.
본 발명은, 챔버 내외의 압력을 조정하는 것에 의해, 감압 하에서도 배수를 가능하게 해서 기판처리의 처리효율을 향상시키면서도, 기판을 청정하게 처리하는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치로서,
    처리액을 저류하는 처리조;
    상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;
    기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내이며 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐서 승강가능한 지지기구;
    상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단;
    상기 처리조로부터 배출되는 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크;
    상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단;
    상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단;
    상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 만들어, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 처리조 내의 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치로서,
    처리액을 저류하는 처리조;
    상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;
    기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내로서 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐 승강가능한 지지기구;
    상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단;
    상기 처리조로부터 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크;
    상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단;
    상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단;
    상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 하여, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 챔버 내를 제 1의 압력으로 감압시킬 때까지, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 미리 제 2의 압력으로 조정해 두는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제어수단은, 상기 챔버 내를 제 1의 압력으로 감압할 때까지, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 미리 제 2의 압력으로 조정해 두는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는기판처리장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제 3항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제4항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제5항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 제8항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 제 2항에 있어서,
    상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  19. 제 3항에 있어서,
    상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  20. 제4항에 있어서,
    상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080155852A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-03 Olgado Donald J K Multiple substrate vapor drying systems and methods
JP4982320B2 (ja) * 2007-09-27 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20120102778A1 (en) * 2010-04-22 2012-05-03 Ismail Kashkoush Method of priming and drying substrates
JP6228800B2 (ja) * 2013-09-30 2017-11-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
DE102015215728A1 (de) * 2015-08-18 2017-02-23 Dürr Ecoclean GmbH Anlage für das Behandeln eines Werkstücks mit einem Prozessfluid
JP7169777B2 (ja) * 2017-09-11 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP7040849B2 (ja) * 2017-09-15 2022-03-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法
KR102346529B1 (ko) 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN113496927B (zh) * 2021-05-30 2022-06-24 山东华楷微电子装备有限公司 一种半导体硅片表面液体清理设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980081324A (ko) * 1997-04-14 1998-11-25 이시다아키라 기판 건조장치 및 기판 처리장치
KR20030003235A (ko) * 2001-03-14 2003-01-09 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 기판처리장치
KR20060049744A (ko) * 2004-07-01 2006-05-19 가부시키가이샤 퓨쳐비전 기판처리장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163508A (ja) * 1992-11-27 1994-06-10 Fuji Electric Co Ltd 基板の乾燥方法および装置
JP3361187B2 (ja) * 1994-06-08 2003-01-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3552190B2 (ja) 1997-09-10 2004-08-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基板乾燥方法
JP3837016B2 (ja) * 2000-09-28 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP3681329B2 (ja) 2000-10-20 2005-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板表面処理方法及び基板表面処理装置
JP2002350049A (ja) * 2001-05-21 2002-12-04 Rohm Co Ltd 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法
JP4018917B2 (ja) * 2002-03-15 2007-12-05 株式会社ケミカルアートテクノロジー 処理方法及び処理システム
JP2006156648A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980081324A (ko) * 1997-04-14 1998-11-25 이시다아키라 기판 건조장치 및 기판 처리장치
KR20030003235A (ko) * 2001-03-14 2003-01-09 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 기판처리장치
KR20060049744A (ko) * 2004-07-01 2006-05-19 가부시키가이샤 퓨쳐비전 기판처리장치

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