JP3361187B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP3361187B2
JP3361187B2 JP15154194A JP15154194A JP3361187B2 JP 3361187 B2 JP3361187 B2 JP 3361187B2 JP 15154194 A JP15154194 A JP 15154194A JP 15154194 A JP15154194 A JP 15154194A JP 3361187 B2 JP3361187 B2 JP 3361187B2
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substrate processing
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和憲 藤川
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハや液晶用ガラス
板等の基板を処理液に浸漬して洗浄処理等を行なう基板
処理装置に関し、詳しくは処理液から基板を引き上げる
機構を備えた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、この種の基板処理装置とし
て、基板を微低速で処理液から引き上げて、これを減圧
下等の乾燥雰囲気にて基板に付着した水分等を除去する
技術が知られている。
【0003】すなわち、図9及び図10は基板処理装置
100を示す概略図である。同図において、基板処理装
置100は、基板Wを浸漬する処理液を満たす洗浄槽1
02と、洗浄槽102の処理液に基板Wを浸漬しその後
に引き上げる基板搬送装置110とを備えている。基板
搬送装置110は、上下移動ロボット112と、上下移
動ロボット112により昇降されるロボットアーム11
4と、ロボットアーム114の先端に取り付けられた平
行型開閉チャックシリンダ116と、平行型開閉チャッ
クシリンダ116により開閉動作される上アーム118
及び下アーム122とを備えている。
【0004】上記基板搬送装置110の構成において、
上下移動ロボット112を駆動するとロボットアーム1
14を介して平行型開閉チャックシリンダ116、上ア
ーム118及び下アーム122が洗浄槽102に対して
昇降し、そして、平行型開閉チャックシリンダ116の
駆動により上アーム118及び下アーム122が基板W
を掴みまたは放す動作を行なう。
【0005】次に、洗浄槽102から基板Wを引き上げ
る動作について説明する。図は洗浄槽102内の処理
液にて基板Wが洗浄されて、下アーム122が基板Wを
掴んだ状態を示す。この状態から、上下移動ロボット1
12の上昇駆動により下アーム122で掴まれた基板W
が徐々に上昇する。そして、図10に示すように、基板
Wの上部が処理液から出て乾燥したときに、上アーム1
18が基板Wの乾燥した上部を掴むと共に下アーム12
2が基板Wを放す。これにより、下アーム122から上
アーム118への基板Wの受け渡しが行なわれる。そし
て、基板Wは、上アーム118で掴まれた状態にて、上
下移動ロボット112の上昇駆動により外部へ搬送され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記基板搬送装置11
0では、下アーム122から上アーム118への基板W
の掴み替えは、基板Wの下部が洗浄槽102の処理液に
まだ浸漬した状態で行われている。こうした動作を確実
に行なわせるには、下アーム122の上昇動作を停止す
るか、下アーム122の上昇速度を遅くして、下アーム
122から上アーム118へ受け渡す必要がある。この
ように、下アーム122から上アーム118への基板W
の受け渡しの際に、基板Wの引き上げ速度が異なると、
基板Wの乾燥状態が変化し、基板Wの表面にウォータマ
ークが形成されたり、パーティクル等が付着するという
問題があった。
【0007】また、基板Wの受け渡し動作が処理液に浸
漬した状態で行われるため、処理液の液面の乱れや基板
Wの微小な揺れにより、基板Wにウォータマークが形成
されたり、パーティクル等が付着しやすいという問題も
あった。
【0008】本発明は、上記従来の技術の問題点を解決
することを課題とし、基板の処理液からの引き上げ時に
形成され易い基板上のウォータマークやパーティクルを
なくした基板処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた請求項1の発明は、基板を処理液で処理した
後に乾燥する基板処理装置において、上記基板の表面に
付着した処理液を乾燥させる乾燥雰囲気に設定する乾燥
室と、該乾燥室内に配置され、基板を処理する処理液を
貯留する洗浄槽と、上記基板を支持して洗浄槽内の処理
液に、該基板を浸漬するように昇降させる第1搬送部
と、第1搬送部との間で基板を受け渡す第2搬送部とを
有する搬送手段と、上記第1搬送部で基板を支持して、
処理液から基板の全体を取り出す位置まで引き上げ、該
基板を引き上げた後に、第2搬送部で基板を支持すると
共に、第1搬送部による基板の支持を解除するように搬
送手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とす
る。
【0010】請求項2は、請求項1において、乾燥室内
を真空排気する減圧系をさらに有する構成である。 請求
項3は、請求項2において、制御手段が減圧下で第1搬
送部による基板の支持を解除するように搬送手段を制御
する構成を備える。 請求項4は、請求項1ないし請求項
3のいずれかにおいて、乾燥室に、基板を乾燥させるた
めのアルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接
続した構成を備える。 請求項5は、請求項4において、
アルコール供給手段が処理液から引き上げられている途
中の基板の周囲へアルコール蒸気を供給する構成を備え
る。 請求項6は、請求項5において、アルコール供給手
段が処理液からの基板の引き上げが終了するまで基板の
周囲へアルコール蒸気を供給する構成を備える。 請求項
7は、請求項2または請求項3において、減圧系が乾燥
室内を減圧するときに、洗浄槽から処理液を排出する構
成を備える。 請求項8は、請求項1ないし請求項7にお
いて、洗浄槽の底部へ処理液を供給する処理供給系を有
し、第1搬送部は、上記洗浄槽の上部から処理液が溢れ
出ている状態で基板の全体を処理液から取り出す構成を
備える。
【0011】
【作用】本発明基板処理装置では、搬送手段の第1搬
送部により基板を支持した状態で洗浄槽の処理液に浸漬
し、または引き上げるように基板を搬送する。搬送手段
は、制御手段の制御により、基板を洗浄槽から引き上げ
る際に、基板を第1搬送部から第2搬送部へ受け渡す動
作を行なう。すなわち、基板を洗浄槽の処理液で処理し
た後に、第1搬送部が基板を支持して処理液から一定速
度で引き上げ、基板の全体が処理液から引き上げられた
後に、第2搬送部が基板を支持して、その後、第1搬送
部が基板の支持を解放する。
【0012】 このとき、基板の全体が処理液から引き
上げられると、基板の表面に付着している処理液は、乾
燥室の乾燥雰囲気により乾燥除去される。第2搬送部
は、基板が乾燥してから基板を支持し、基板の濡れた部
分を掴まないので、第2搬送部で支持した基板の部分に
パーティクル等が付着したり、ウォータマークが形成さ
れない。
【0013】また、乾燥室に、基板を乾燥させるための
アルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続す
ることにより、基板に付着した水分を速やかに除去する
ことができる。
【0014】
【実施例】以上説明した本発明の構成・作用を一層明ら
かにするために、以下本発明の好適な実施例について説
明する。
【0015】図1は基板処理装置10を示す概略構成図
である。基板処理装置10は、洗浄・乾燥処理部20
と、純水を供給する純水供給系50と、洗浄・乾燥処理
部20内を減圧する減圧系60と、窒素ガス及びアルコ
ール蒸気を供給するガス供給系80とを備えている。
【0016】まず、洗浄・乾燥処理部20について図2
ないし図6を用いて説明する。図2及び図3に示すよう
に、洗浄・乾燥処理部20は、洗浄槽22と、洗浄槽2
2の外周に設けたオーバーフロー槽23と、密閉チャン
バ24と、密閉チャンバ24内で洗浄槽22に基板Wを
浸漬または引き上げるためのリフタ機構30と、リフタ
機構30との間で基板Wの受け渡しを行なうチャック機
構40とを備えている。
【0017】上記洗浄槽22は、その内部に収容された
純水中に複数枚の基板Wを浸漬できる容量を有してお
り、その上部に越流部22a、その底部に純水供給口2
2bを備えている。一方、オーバーフロー槽23は、上
記洗浄槽22の越流部22aを越えて溢れ出た純水が流
れ込むように洗浄槽22に対して二重構造に配置されて
いる。
【0018】洗浄槽22及びオーバーフロー槽23の上
方空間は、密閉チャンバ24によって閉鎖的に包囲され
ている。図2に示す密閉チャンバ24の前面側には、複
数枚の基板Wを出し入れするためのチャンバ開口25が
形成されており、そのチャンバ開口25を開閉自在に気
密に閉塞することができる密閉蓋26が形成されてい
る。また、密閉チャンバ24の外壁面には、それを被覆
するようにラバーヒータ27(図1参照)が配設されて
いる。また、密閉蓋26には、密閉チャンバ24の内壁
面の温度を検出するための温度計28が該壁面を貫通し
て取り付けられている。
【0019】上記リフタ機構30は、複数の基板Wを並
列かつ所定間隙で載置保持するための基板支持部31
と、基板支持部31を固定した駆動ロッド32と、駆動
ロッド32を摺動自在に支持する軸受機構33と、駆動
プーリ34及び従動プーリ35と、駆動プーリ34及び
従動プーリ35の間に掛け渡されかつ駆動ロッド32の
下端部が固定されたベルト36と、駆動プーリ34を回
転駆動する駆動用モータ37とを備えている。
【0020】また、上記チャック機構40は、図6に示
すように、基板Wの両側端から挟持するためのチャック
41a,41bと、チャック41a,41bをチャック
回転軸42を介して回動駆動するチャック駆動部43と
を備えている。チャック41a,41bには、複数枚の
基板Wを保持するためのチャック保持溝(図示省略)が
形成されている。この構成により、チャック駆動部43
が回転駆動すると、チャック回転軸42を介してチャッ
ク41a,41bが回動して複数の基板Wを同時に保持
または放す動作を行なう。前述したリフタ機構30及び
チャック機構40は、図7に示すように、CPU等より
成る制御手段99により制御される。
【0021】次に、洗浄槽22に純水を供給する純水供
給系50について説明する。図1に示すように、洗浄槽
22の純水供給口22bには、純水供給源に連通接続さ
れた給水用配管51a、給水用配管51b及び給水用配
管51cを介して連通接続されており、給水用配管51
aには、上流側から順に、ボール弁51v1、フィルタ
装置52、開閉弁51v2が介設されている。また、給
水用配管51aの途中にリターン配管53が分岐接続さ
れており、リターン配管53には、開閉弁53vが介設
されている。また、洗浄槽22の純水供給口22bは、
給水用配管51cから分岐した排水用配管54aに連通
接続されており、排水用配管54aは、排水用配管54
bを介してドレンに接続している。
【0022】一方、オーバーフロー槽23には、排水口
23aが形成され、その排水口23aに排水用配管55
aを介して排水用配管55bが連通接続しており、排水
用配管55bは、排水用配管54aと合流して排水用配
管54bを介してドレンに接続している。排水用配管5
4aには、開閉弁54vが、排水用配管55bには、開
閉弁55vがそれぞれ介設されている。
【0023】次に、減圧系60について説明する。洗浄
槽22の純水供給口22bは、給水用配管51bから分
岐した排気用配管61に連通接続されており、一方、オ
ーバーフロー槽23の排水口23aは、排水用配管55
aから分岐した排気用配管62に連通接続されている。
排気用配管61には開閉弁61vが、排気用配管62に
は開閉弁62vがそれぞれ介設されており、排気用配管
61及び排気用配管62は合流し、排気用配管63を介
して真空ポンプ64に連通接続している。
【0024】次に、ガス供給系80について説明する。
密閉チャンバ24の蒸気供給口24aには、不活性ガ
ス、例えば窒素ガスの供給源に接続されたガス供給用配
管81が連通接続されており、ガス供給用配管81に
は、上流側から順に、ヒータ82、開閉弁81v、アル
コール蒸気発生ユニット83及びガスフィルタ84が介
設されている。アルコール蒸気発生ユニット83では、
メチルアルコール、エチルアルコール、IPA等のアル
コール類の蒸気が生成される。アルコール蒸気発生ユニ
ット83におけるアルコール蒸気の発生方法としては、
アルコール中に不活性ガスを吹き込む方法、バブリング
する方法、超音波を利用する方法等、適宜の方法を使用
することができる。また、アルコール蒸気発生ユニット
83には、温度調節機能が備わっており、所定温度に調
節されたアルコール蒸気が生成されるようになってい
る。
【0025】さらに、ガス供給用配管81の途中には、
開閉弁81vとヒータ82との間の区間で分岐し、アル
コール蒸気発生ユニット83とガスフィルタ84との間
での区間で合流する分岐配管91が設けられており、そ
の分岐配管91にイオナイザー92及び開閉弁91vが
介設されている。
【0026】上記ガス供給系80の構成により、開閉弁
81vが開いた状態で、窒素ガス供給源から送られる窒
素ガスがヒータ82によって加熱され、その加熱された
窒素ガスによりアルコール蒸気発生ユニット83で発生
したアルコール蒸気がガス供給用配管81を通して送ら
れ、アルコール蒸気が窒素ガスと共にガスフィルタ84
によって清浄化された後、蒸気供給口24aを通して密
閉チャンバ24内へ供給される。
【0027】また、開閉弁91vを開くことにより、窒
素ガス供給源から送られヒータ82によって加熱された
窒素ガスは、イオナイザー92によってイオン化され、
さらにガスフィルタ84によって清浄化されて蒸気供給
口24aを通して密閉チャンバ24内へ供給される。
【0028】次に、上記基板処理装置10を使用して、
基板Wを洗浄及び乾燥処理する工程について説明する。
まず、開閉弁51v2、開閉弁55vを開き、それ以外
のエアー開閉弁を閉じた状態で、純水供給源から給水用
配管51a、給水用配管51b、給水用配管51cを通
じて、洗浄槽22の底部の純水供給口22bから純水を
洗浄槽22内に連続的に供給することにより洗浄槽22
内に純水の上昇水流を形成する。
【0029】このとき、洗浄槽22内を満たした純水
は、該洗浄槽22の上部の越流部22aから溢れ出てオ
ーバーフロー槽23内へ流入し、オーバーフロー槽23
の排水口23aから排水用配管55a、排水用配管55
b及び排水用配管54bを通って、ドレンに排出され
る。
【0030】また、純水の供給と同時に、密閉チャンバ
24の壁面は、ラバーヒータ27により所定温度に維持
するよう加熱される。このラバーヒータ27の加熱制御
は、温度計28の検出信号に基づき、温度制御器95に
よって、密閉チャンバ24の内壁面の温度が所定温度
(例えば60℃)以上になるように行なわれる。
【0031】このように、密閉チャンバ24の内壁面を
加熱しておくことにより、後述する基板Wの洗浄中や純
水中からの基板Wの引き上げ過程において、密閉チャン
バ24の内壁面などへの水蒸気の結露が生じない。水蒸
気の結露がないから、その液化に伴って、基板Wの周囲
へ供給されたアルコール蒸気の熱エネルギーを奪うこと
もなく、基板Wの乾燥効率を向上させる。
【0032】次に、基板Wを洗浄槽22の純水で洗浄処
理する手順について説明する。いま、密閉チャンバ24
の密閉蓋26が開いた状態にあり、リフタ機構30の基
板支持部31が上昇位置にある。この状態から、図示し
ない他の基板処理装置で基板処理された基板Wがリフタ
機構30の基板支持部31に載置される(図3の状
態)。そして、密閉蓋26が閉じられて密閉チャンバ2
4内が密閉状態になる。続いて、リフタ機構30の基板
支持部31は、洗浄槽22内まで下降して、基板Wを洗
浄槽22の純水に浸漬する。そして、基板Wは、上述し
た純水供給系50により洗浄槽22に供給される純水で
洗浄される(図4の状態)。
【0033】基板Wの洗浄処理が終了した後に、リフタ
機構30の基板支持部31が徐々に上昇して基板Wを純
水中から一定速度で引き上げる。純水中から基板Wを引
き上げはじめるのと同時に、開閉弁81vを開いて、窒
素供給源からガス供給用配管81を通して窒素ガスを送
り、密閉チャンバ24内へ蒸気供給口24aからアルコ
ール蒸気を送り込んで、純水中から引き上げられている
途中の基板Wの周囲へアルコール蒸気を供給する。この
アルコール蒸気の供給は、純水中からの基板Wの引き上
げが完全に終了するまで行なう。
【0034】純水中からの基板Wの引き上げが終了する
と(図3参照)、開閉弁51v2を閉じると共に開閉弁
53vを開いて、洗浄槽22への純水の供給を停止さ
せ、同時に開閉弁54vを開いて、洗浄槽22の純水を
排水用配管54a及び排水用配管54bを介してドレン
へ排出する。洗浄槽22からの純水の排出が終わると、
開閉弁54v及び開閉弁55vを閉じる。
【0035】また、洗浄槽22から純水を排出し始める
と同時に、開閉弁61v及び開閉弁62vを開いて、真
空ポンプ64を作動させ、排気用配管61、排気用配管
62及び排気用配管63を通して密閉チャンバ24内を
真空排気し、密閉チャンバ24内を減圧状態にすること
により、基板Wの表面に凝縮して純水と置換したアルコ
ール蒸気を蒸発させて基板Wを乾燥させる。
【0036】そして、リフタ機構30の基板支持部31
がチャック機構40のチャック41a,41bの位置ま
で移動すると、基板Wは、純水から完全に引き上げられ
た状態になる。続いて、チャック機構40のチャック駆
動部43によりチャック41a,41bを回動させて基
板Wを保持する(図5の状態)。このとき、チャック4
1a,41bは、基板Wの水分が除去された部位を把持
する。
【0037】次に、リフタ機構30の基板支持部31が
下降して基板Wの保持状態から離れる。これにより、基
板Wは、基板支持部31からチャック41a,41bへ
受け渡される。基板Wは、減圧下にあるから、基板支持
部31で保持された部分の水分は、乾燥除去される。
【0038】基板Wの乾燥が終了すると、真空ポンプ6
4を停止させて、密閉チャンバ24内が減圧下から大気
圧下へ戻される。最後に、開閉弁81vを閉じて、密閉
チャンバ24への窒素ガスの供給を停止した後、密閉蓋
26を開放する。続いて、基板Wは、チャック機構40
から図示しない他の搬送機構に受け渡されて密閉チャン
バ24外へ搬送される。なお、上記一連の基板Wの洗浄
・乾燥工程におけるタイムチャートを図8に示す。な
お、図中、実線は好適な対応を示し、1点鎖線は変形例
を示す。
【0039】上記実施例に係る基板処理装置10では、
リフタ機構30の基板支持部31で基板Wを載置して純
水で洗浄した後に、一定速度で引き上げ、基板Wの全体
が純水から完全に引き上げられると、チャック機構40
のチャック41a,41bが基板Wを把持して、その
後、リフタ機構30の基板支持部31が基板Wの支持状
態を開放する。
【0040】したがって、基板Wの全体が純水から引き
上げられると、基板Wの表面に付着している純水は、密
閉チャンバ24内のアルコール蒸気及び減圧下により乾
燥除去されるから、チャック機構40のチャック41
a,41bは、基板Wの濡れた部分を掴まないので、こ
の部分にパーティクル等が付着したり、ウォータマーク
が形成されない。また、基板Wがリフタ機構30で一定
速度で純水から引き上げられるから、基板Wの表面に
は、引き上げ速度の変化に伴うウォータマークが形成さ
れない。
【0041】なお、この発明は上記実施例に限られるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の
態様において実施することが可能であり、例えば次のよ
うな変形も可能である。
【0042】上記実施例では、基板の搬送手段として、
リフタ機構及びチャック機構40を用いているが、基板
を受け渡せる手段であれば、その手段は特に限定され
ず、たとえば、両方ともチャック機構であってもよい。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、本発明係る基板
処理装置によれば、第1搬送部で基板を支持した状態
で、基板を洗浄槽の処理液から一定速度で引き上げると
共に、基板の全体が処理液から引き上げて基板を乾燥さ
せた後に、第2搬送部で基板を支持するので、第2搬送
部が支持する部分にウォータマーク等が形成されること
がない。また、基板は第1搬送部で処理液から一定速度
で引き上げているから、引き上げ速度の変化に起因する
基板の表面にウォータマークが生じることもない。
【0044】また、乾燥室に基板を乾燥させるためのア
ルコール蒸気を供給するアルコール供給手段を接続する
ことにより、基板に付着した水分を速やかに除去するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る基板処理装置を示す概
略構成図。
【図2】同実施例に係る洗浄・乾燥処理部を示す断面
図。
【図3】同実施例に係る洗浄・乾燥処理部を示す断面
図。
【図4】図3に続く工程を説明する説明図。
【図5】図4に続く工程を説明する説明図。
【図6】同実施例のチャック機構を説明する斜視図。
【図7】同実施例の制御系を示すブロック図。
【図8】基板の洗浄乾燥工程を示すタイミングチャー
ト。
【図9】従来の基板処理装置を示す断面図。
【図10】図9に続く工程を説明する説明図。
【符号の説明】
10…基板処理装置 20…乾燥処理部 22…洗浄槽 22a…越流部 22b…純水供給口 23…オーバーフロー槽 23a…排水口 24…密閉チャンバ 24a…蒸気供給口 25…チャンバ開口 26…密閉蓋 27…ラバーヒータ 28…温度計 30…リフタ機構 31…基板支持部 32…駆動ロッド 33…軸受機構 34…駆動プーリ 35…従動プーリ 36…ベルト 37…駆動用モータ 40…チャック機構 41a,41b…チャック 42…チャック回転軸 43…チャック駆動部 50…純水供給系 51a…給水用配管 51b…給水用配管 51c…給水用配管 51v1…ボール弁 51v2…開閉弁 52…フィルタ装置 53…リターン配管 53v…開閉弁 54a…排水用配管 54b…排水用配管 54v…開閉弁 55a…排水用配管 55b…排水用配管 55v…開閉弁 60…減圧系 61…排気用配管 61v…開閉弁 62…排気用配管 62v…開閉弁 63…排気用配管 64…真空ポンプ 80…ガス供給系 81…ガス供給用配管 81v…開閉弁 82…ヒータ 83…アルコール蒸気発生ユニット 84…ガスフィルタ 91…分岐配管 91v…開閉弁 92…イオナイザー 95…温度制御器 99…制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−156531(JP,A) 特開 昭63−184350(JP,A) 特開 平5−36668(JP,A) 特開 平2−46727(JP,A) 実開 昭63−16446(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 F26B 21/00

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を処理液で処理した後に乾燥する基
    板処理装置において、 上記基板の表面に付着した処理液を乾燥させる乾燥雰囲
    気に設定する乾燥室と、 該乾燥室内に配置され、基板を処理する処理液を貯留す
    る洗浄槽と、 上記基板を支持して洗浄槽内の処理液に、該基板を浸漬
    するように昇降させる第1搬送部と、第1搬送部との間
    で基板を受け渡す第2搬送部とを有する搬送手段と、 上記第1搬送部で基板を支持して、処理液から基板の全
    体を取り出す位置まで一定速度で引き上げ、該基板を引
    き上げた後に、第2搬送部で基板を支持すると共に、第
    1搬送部による基板の支持を解除するように搬送手段を
    制御する制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 上記乾燥室内を真空排気する減圧系をさらに有すること
    を特徴とする基板処理装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の基板処理装置におい
    て、 上記制御手段は、減圧下で上記第1搬送部による基板の
    支持を解除するように搬送手段を制御することを特徴と
    する基板処理装置。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれかに記
    載の基板処理装置において、 上記乾燥室に、基板を乾燥させるためのアルコール蒸気
    を供給するアルコール供給手段を接続したことを特徴と
    する 基板処理装置。
  5. 【請求項5】 請求項4に記載の基板処理装置におい
    て、 上記アルコール供給手段は、処理液から引き上げられて
    いる途中の基板の周囲へアルコール蒸気を供給すること
    を特徴とする基板処理装置。
  6. 【請求項6】 請求項5に記載の基板処理装置におい
    て、 上記アルコール供給手段は、処理液からの基板の引き上
    げが終了するまで基板 の周囲へアルコール蒸気を供給す
    ることを特徴とする基板処理装置。
  7. 【請求項7】 請求項2または請求項3に記載の基板処
    理装置において、 上記減圧系が乾燥室内を減圧するときに、上記洗浄槽か
    ら処理液を排出することを特徴とする基板処理装置。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし請求項7に記載の基板処
    理装置において、 上記洗浄槽の底部へ処理液を供給する処理供給系を有
    し、 上記第1搬送部は、上記洗浄槽の上部から処理液が溢れ
    出ている状態で基板の全体を処理液から取り出すことを
    特徴とする基板処理装置。
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