JPH1050657A - 平板状物の乾燥方法および乾燥装置 - Google Patents
平板状物の乾燥方法および乾燥装置Info
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- JPH1050657A JPH1050657A JP8223136A JP22313696A JPH1050657A JP H1050657 A JPH1050657 A JP H1050657A JP 8223136 A JP8223136 A JP 8223136A JP 22313696 A JP22313696 A JP 22313696A JP H1050657 A JPH1050657 A JP H1050657A
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- F26B5/12—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by suction
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 従来の平板状物の乾燥方法の問題が起こらな
い、新しい平板状物の乾燥方法を提供する。 【解決手段】 表面全体に水分の付着した平板状物を、
１つまたはそれ以上の溝部を有し、該溝部に１つまたは
それ以上の開口部を有する空洞部が形成されている載置
台の溝部に略垂直に載置し、該載置台の空洞部を減圧し
て平板状物の表面全体に付着した水分を開口部から吸引
することにより、該平板状物を乾燥させることを特徴と
する、平板状物の乾燥方法、および、平板状物を略垂直
に載置可能な溝部を１つまたはそれ以上有し、該溝部に
１つまたはそれ以上の開口部を有する空洞部が形成され
ている載置台と、載置台の空洞部を減圧する手段とを設
けたことを特徴とする、平板状物の乾燥装置。
い、新しい平板状物の乾燥方法を提供する。 【解決手段】 表面全体に水分の付着した平板状物を、
１つまたはそれ以上の溝部を有し、該溝部に１つまたは
それ以上の開口部を有する空洞部が形成されている載置
台の溝部に略垂直に載置し、該載置台の空洞部を減圧し
て平板状物の表面全体に付着した水分を開口部から吸引
することにより、該平板状物を乾燥させることを特徴と
する、平板状物の乾燥方法、および、平板状物を略垂直
に載置可能な溝部を１つまたはそれ以上有し、該溝部に
１つまたはそれ以上の開口部を有する空洞部が形成され
ている載置台と、載置台の空洞部を減圧する手段とを設
けたことを特徴とする、平板状物の乾燥装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平板状物、特にシ
リコンをはじめとした半導体ウエーハの乾燥方法および
乾燥装置に関する。
リコンをはじめとした半導体ウエーハの乾燥方法および
乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】平板状物であるレンズ、光ディスク、液
晶パネル、太陽電池、シリコンウエーハ、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ等の化合物半導体ウエーハなどは、通常、
洗浄工程で洗浄された後、乾燥される。乾燥させる方法
としては、従来、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤を用いた沸騰洗浄液の蒸気中に平板状物をさ
らして、その表面の水分を有機溶剤に置換して乾燥させ
る方法（ＩＰＡ乾燥等）、あるいは、平板状物をキャリ
アに収めた状態で遠心力を利用して水を振り切って乾燥
させる方法（スピンドライ乾燥）、あるいは、平板状物
にハロゲンランプ等の熱源を用いて純水を蒸発させて乾
燥させる方法（ＩＲ乾燥）、あるいは、温純水に平板状
物を浸漬してゆっくり引上げ温純水の表面張力を利用し
て乾燥させる方法（温水引上乾燥、特公平９−９３４４
９号公報参照）、あるいは、平板状物を密閉乾燥容器内
に入れ、容器内雰囲気を減圧排気し、蒸発する水分を排
除して乾燥させる方法（減圧乾燥）などがある。
晶パネル、太陽電池、シリコンウエーハ、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ等の化合物半導体ウエーハなどは、通常、
洗浄工程で洗浄された後、乾燥される。乾燥させる方法
としては、従来、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤を用いた沸騰洗浄液の蒸気中に平板状物をさ
らして、その表面の水分を有機溶剤に置換して乾燥させ
る方法（ＩＰＡ乾燥等）、あるいは、平板状物をキャリ
アに収めた状態で遠心力を利用して水を振り切って乾燥
させる方法（スピンドライ乾燥）、あるいは、平板状物
にハロゲンランプ等の熱源を用いて純水を蒸発させて乾
燥させる方法（ＩＲ乾燥）、あるいは、温純水に平板状
物を浸漬してゆっくり引上げ温純水の表面張力を利用し
て乾燥させる方法（温水引上乾燥、特公平９−９３４４
９号公報参照）、あるいは、平板状物を密閉乾燥容器内
に入れ、容器内雰囲気を減圧排気し、蒸発する水分を排
除して乾燥させる方法（減圧乾燥）などがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、有機溶剤を用
いたＩＰＡ乾燥等は、有機溶剤が揮発性であるため、爆
発、火災などの安全面から問題である。遠心力を利用し
たスピンドライ乾燥は、回転時の平板状物とキャリアの
接触による発塵や回転駆動部からの発塵で平板状物の清
浄度の面から問題である。ハロゲンランプ等を用いたＩ
Ｒ乾燥は、主に平板状物を一枚ずつしか乾燥できないの
で生産性の面から問題である。表面張力を用いた温水引
上乾燥は、極めて低速で平板状物を温水から引き上げる
必要があるため、生産性が著しく悪化するという問題が
ある。容器内雰囲気を減圧排気して乾燥する減圧乾燥
は、気化熱が奪われ、水分が結露してしまうので問題で
ある。
いたＩＰＡ乾燥等は、有機溶剤が揮発性であるため、爆
発、火災などの安全面から問題である。遠心力を利用し
たスピンドライ乾燥は、回転時の平板状物とキャリアの
接触による発塵や回転駆動部からの発塵で平板状物の清
浄度の面から問題である。ハロゲンランプ等を用いたＩ
Ｒ乾燥は、主に平板状物を一枚ずつしか乾燥できないの
で生産性の面から問題である。表面張力を用いた温水引
上乾燥は、極めて低速で平板状物を温水から引き上げる
必要があるため、生産性が著しく悪化するという問題が
ある。容器内雰囲気を減圧排気して乾燥する減圧乾燥
は、気化熱が奪われ、水分が結露してしまうので問題で
ある。
【０００４】本発明は、上述したような従来の平板状物
の乾燥方法の問題が起こらない、新しい平板状物の乾燥
方法を提供することを目的とする。
の乾燥方法の問題が起こらない、新しい平板状物の乾燥
方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】表面全体に水分が付着し
た平板状物を、溝部を有し、該溝部に開口部を有する空
洞部が形成されている載置台の溝部に略垂直に載置し、
該載置部の空洞部を減圧して平板状物の表面全体に付着
した水分を開口部から強制的に取ることにより、平板状
物を乾燥させると、上述したような問題が起こらない、
すなわち、有機溶剤などの溶剤を全く使わず、発塵は起
こらず、複数の平板状物をバッチ処理でき、また、平板
状物を洗浄するための純水槽から通常の速度で引き上げ
て載置台に載置するだけなので、生産性の悪化もなけれ
ば、平板状物を密閉乾燥容器に入れて減圧排気する必要
もなく、清浄度、ランニングコスト、生産性、安全性、
自動化の全ての面において、欠点がなく優れていること
を見いだした。
た平板状物を、溝部を有し、該溝部に開口部を有する空
洞部が形成されている載置台の溝部に略垂直に載置し、
該載置部の空洞部を減圧して平板状物の表面全体に付着
した水分を開口部から強制的に取ることにより、平板状
物を乾燥させると、上述したような問題が起こらない、
すなわち、有機溶剤などの溶剤を全く使わず、発塵は起
こらず、複数の平板状物をバッチ処理でき、また、平板
状物を洗浄するための純水槽から通常の速度で引き上げ
て載置台に載置するだけなので、生産性の悪化もなけれ
ば、平板状物を密閉乾燥容器に入れて減圧排気する必要
もなく、清浄度、ランニングコスト、生産性、安全性、
自動化の全ての面において、欠点がなく優れていること
を見いだした。
【０００６】すなわち、本発明の請求項１に記載した発
明は、表面全体に水分の付着した平板状物を、１つまた
はそれ以上の溝部を有し、該溝部に１つまたはそれ以上
の開口部を有する空洞部が形成されている載置台の溝部
に略垂直に載置し、該載置台の空洞部を減圧して平板状
物の表面全体に付着した水分を開口部から吸引すること
により、該平板状物を乾燥させることを特徴とする、平
板状物の乾燥方法である。
明は、表面全体に水分の付着した平板状物を、１つまた
はそれ以上の溝部を有し、該溝部に１つまたはそれ以上
の開口部を有する空洞部が形成されている載置台の溝部
に略垂直に載置し、該載置台の空洞部を減圧して平板状
物の表面全体に付着した水分を開口部から吸引すること
により、該平板状物を乾燥させることを特徴とする、平
板状物の乾燥方法である。
【０００７】本発明の乾燥方法は、平板状物を純水槽か
ら取り出した後、該平板状物に乾燥部分ができないよう
に直ちに載置台に載置することにより行われる（請求項
２）。この際、水がオーバーフローしている状態で、平
板状物を純水槽から取り出してもよい（請求項３）し、
または、水を排出した後、平板状物を純水槽から取り出
してもよい（請求項４）が、いずれにしても、平板状物
を載置台に載置した時に、平板状物の表面全体が水でし
っとりと濡れている、すなわち、表面全体に水分が付着
していることが必要である。また、純水槽中の純水は常
温であることが好ましい（請求項５）。
ら取り出した後、該平板状物に乾燥部分ができないよう
に直ちに載置台に載置することにより行われる（請求項
２）。この際、水がオーバーフローしている状態で、平
板状物を純水槽から取り出してもよい（請求項３）し、
または、水を排出した後、平板状物を純水槽から取り出
してもよい（請求項４）が、いずれにしても、平板状物
を載置台に載置した時に、平板状物の表面全体が水でし
っとりと濡れている、すなわち、表面全体に水分が付着
していることが必要である。また、純水槽中の純水は常
温であることが好ましい（請求項５）。
【０００８】さらに、本発明の請求項７に記載した発明
は、平板状物を略垂直に載置可能な溝部を１つまたはそ
れ以上有し、該溝部に１つまたはそれ以上の開口部を有
する空洞部が形成されている載置台と、載置台の空洞部
を減圧する手段とを設けたことを特徴とする、平板状物
の乾燥装置である。そして、本発明の方法および装置
は、特にシリコン、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰの半導体
ウエーハを乾燥するのに有益である（請求項６および
８）。
は、平板状物を略垂直に載置可能な溝部を１つまたはそ
れ以上有し、該溝部に１つまたはそれ以上の開口部を有
する空洞部が形成されている載置台と、載置台の空洞部
を減圧する手段とを設けたことを特徴とする、平板状物
の乾燥装置である。そして、本発明の方法および装置
は、特にシリコン、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰの半導体
ウエーハを乾燥するのに有益である（請求項６および
８）。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。ここで、図１は、本発明の平板状物の乾燥
装置の一例を示す概略図であり、図２は、本発明の平板
状物の乾燥装置に使用される載置台の一例を示す部分平
面図（ａ）および部分端面図（ｂ）である。まず、図１
に示す本発明の乾燥装置においては、載置台９の空洞部
を減圧するための真空ポンプ１と、この場合の真空ポン
プ１は水封式の真空ポンプであるため、チラー水を封水
するための配管２が設けられており、電磁弁３が「開」
になった時にチラー水が真空ポンプ１に供給される。真
空ポンプ１に供給されるチラー水の液量の調整は、真空
ポンプ１に定流量弁が内蔵されていない時は、フロート
４で行う。定流量弁が内蔵されている真空ポンプ１を使
用する時は、フロート４を使用しなくてもよい。また、
フロートスイッチ５によって、チラー水が配管２に封水
されているか確認された後に、真空ポンプ１が動作する
ので、真空ポンプ１が空運転されることはない。なお、
図１に示す乾燥装置においては、一度に多数のウエーハ
を乾燥できるように載置台９を３台設け、それに伴い排
気能力を確保するために真空ポンプ１を２台設置してい
る。
て説明する。ここで、図１は、本発明の平板状物の乾燥
装置の一例を示す概略図であり、図２は、本発明の平板
状物の乾燥装置に使用される載置台の一例を示す部分平
面図（ａ）および部分端面図（ｂ）である。まず、図１
に示す本発明の乾燥装置においては、載置台９の空洞部
を減圧するための真空ポンプ１と、この場合の真空ポン
プ１は水封式の真空ポンプであるため、チラー水を封水
するための配管２が設けられており、電磁弁３が「開」
になった時にチラー水が真空ポンプ１に供給される。真
空ポンプ１に供給されるチラー水の液量の調整は、真空
ポンプ１に定流量弁が内蔵されていない時は、フロート
４で行う。定流量弁が内蔵されている真空ポンプ１を使
用する時は、フロート４を使用しなくてもよい。また、
フロートスイッチ５によって、チラー水が配管２に封水
されているか確認された後に、真空ポンプ１が動作する
ので、真空ポンプ１が空運転されることはない。なお、
図１に示す乾燥装置においては、一度に多数のウエーハ
を乾燥できるように載置台９を３台設け、それに伴い排
気能力を確保するために真空ポンプ１を２台設置してい
る。
【００１０】真空ポンプ１が動作すると同時に各エアー
弁６が「開」となる。配管は、メイン配管７から１つま
たはそれ以上の載置台９の空洞部に至る配管８までつな
がっているので、空洞部に形成された１つまたはそれ以
上の開口部より減圧される。減圧の調整は、メイン配管
７と、メイン配管７から分岐される各載置台の配管１１
と、さらにそこから分岐される配管８のすべての配管に
設けられている調整バルブにより行われる。調整バルブ
によって減圧の度合いを見るために、真空ゲージ１２が
調整バルブの後に付いている。
弁６が「開」となる。配管は、メイン配管７から１つま
たはそれ以上の載置台９の空洞部に至る配管８までつな
がっているので、空洞部に形成された１つまたはそれ以
上の開口部より減圧される。減圧の調整は、メイン配管
７と、メイン配管７から分岐される各載置台の配管１１
と、さらにそこから分岐される配管８のすべての配管に
設けられている調整バルブにより行われる。調整バルブ
によって減圧の度合いを見るために、真空ゲージ１２が
調整バルブの後に付いている。
【００１１】載置台９には、平板状物を略垂直に載置可
能な複数の溝部（図１中不示）と、該溝部に１つまたは
それ以上の開口部を有する空洞部（図１中不示）が形成
されている。図２に、載置台９の一例を示す。図２に示
す載置台９は、溝部１３の断面形状が略Ｖ字形で、空洞
部１４を有し、溝部の底部に開口部１０が形成されてい
るものである。なお、載置台９はクリーンルームに設置
する必要があるが、真空ポンプ１はクリーンルーム外
（ａ）に設置する方がよい。
能な複数の溝部（図１中不示）と、該溝部に１つまたは
それ以上の開口部を有する空洞部（図１中不示）が形成
されている。図２に、載置台９の一例を示す。図２に示
す載置台９は、溝部１３の断面形状が略Ｖ字形で、空洞
部１４を有し、溝部の底部に開口部１０が形成されてい
るものである。なお、載置台９はクリーンルームに設置
する必要があるが、真空ポンプ１はクリーンルーム外
（ａ）に設置する方がよい。
【００１２】このような機能をもった装置で、真空ポン
プ１を動作させると、開口部１０より減圧されるので、
平板状物の表面に付着した水分が吸引される。従って、
表面に水分の付着した平板状物１５を載置台９に載置す
るだけで平板状物の乾燥ができる。
プ１を動作させると、開口部１０より減圧されるので、
平板状物の表面に付着した水分が吸引される。従って、
表面に水分の付着した平板状物１５を載置台９に載置す
るだけで平板状物の乾燥ができる。
【００１３】純水洗浄の終了後、平板状物を該載置台に
載置する方法には、純水槽に入っている該平板状物を、
純水槽から純水がオーバーフローしている状態で該平板
状物をアームでつかみ、すばやく引き上げて純水槽から
取り出した後に載置台に載置する方法、または、純水槽
に溜まった純水をエアーバルブを「開」として一気に排
水し終わってから、該平板状物をアームでつかみ、引き
上げて純水槽から取り出した後に載置台に載置する方法
がある。いずれにしても、平板状物を純水槽から取り出
した後、該平板状物に乾燥部分ができないように直ちに
載置台に載置する。また後者の場合、排水速度を調整す
るために、通常マニュアルバルブが設けられている。排
水速度はなるべく速い方がよい。エアーバルブを「開」
とした時は、純水槽に純水を供給する純水供給エアーバ
ルブが自動的に「閉」となる。さらに、純水を排水する
方法として、ポンプを使用してもよい。また、アームの
先端部分に純水が付いている場合、アームで平板状物を
つかむ前にその純水をあらかじめエアーブロー等により
飛ばしておくのがよい。
載置する方法には、純水槽に入っている該平板状物を、
純水槽から純水がオーバーフローしている状態で該平板
状物をアームでつかみ、すばやく引き上げて純水槽から
取り出した後に載置台に載置する方法、または、純水槽
に溜まった純水をエアーバルブを「開」として一気に排
水し終わってから、該平板状物をアームでつかみ、引き
上げて純水槽から取り出した後に載置台に載置する方法
がある。いずれにしても、平板状物を純水槽から取り出
した後、該平板状物に乾燥部分ができないように直ちに
載置台に載置する。また後者の場合、排水速度を調整す
るために、通常マニュアルバルブが設けられている。排
水速度はなるべく速い方がよい。エアーバルブを「開」
とした時は、純水槽に純水を供給する純水供給エアーバ
ルブが自動的に「閉」となる。さらに、純水を排水する
方法として、ポンプを使用してもよい。また、アームの
先端部分に純水が付いている場合、アームで平板状物を
つかむ前にその純水をあらかじめエアーブロー等により
飛ばしておくのがよい。
【００１４】なお、上述したような平板状物は、洗浄工
程で洗浄された後、本発明の乾燥方法および乾燥装置を
用いて乾燥されるのであるが、その工程の例を、半導体
ウエーハの場合について具体的に説明する。
程で洗浄された後、本発明の乾燥方法および乾燥装置を
用いて乾燥されるのであるが、その工程の例を、半導体
ウエーハの場合について具体的に説明する。
【００１５】１．本発明の乾燥方法のうち、水がオーバ
ーフローしている状態で、平板状物を純水槽から取り出
す方法を用いた場合 この方法を用いた半導体ウエーハの洗浄および乾燥工程
を図３に示す。図３に示すように、まず、ローダー部の
載置台に、ウエーハが収納されたカセット１８を載せる
（ローダー部）。次に、カセット１８内のウエーハを、
ウエーハ押し出し手段２０を用いてカセット１８外に押
し出した後、カセットレスアーム１６でつかみ、引き上
げて、洗浄液槽まで搬送し、その中の載置台に乗せた後
放す。ウエーハはこの槽の中で洗浄される（洗浄液槽
部）。次いで、再度、洗浄液槽中のウエーハをカセット
レスアーム１６でつかみ、引き上げて、次の純水槽まで
搬送し、その中の載置台に乗せた後放す。純水槽には常
時純水が供給され、純水がオーバーフローしており、こ
の槽の中でウエーハの表面についた洗浄液が洗い落とさ
れる（リンス槽部）。なお、洗浄液槽およびリンス槽に
は、必要に応じて、超音波発生装置２２より超音波が印
加される。次いで、ウエーハをカセットレスアーム１６
でつかみ、すばやく引き上げて、本発明の乾燥装置まで
搬送し、その中の載置台９に乗せた後放す。ここでウエ
ーハは本発明の乾燥方法により吸引乾燥される、すなわ
ち、ウエーハの表面全体に付着している純水が強制的に
引っ張られて除去される（吸引乾燥部）。次いで、再
度、乾燥装置中のウエーハをカセットレスアーム１６で
つかみ、引き上げて、アンローダー部まで搬送して、そ
こでウエーハを再度カセットに収納する（アンローダー
部）。
ーフローしている状態で、平板状物を純水槽から取り出
す方法を用いた場合 この方法を用いた半導体ウエーハの洗浄および乾燥工程
を図３に示す。図３に示すように、まず、ローダー部の
載置台に、ウエーハが収納されたカセット１８を載せる
（ローダー部）。次に、カセット１８内のウエーハを、
ウエーハ押し出し手段２０を用いてカセット１８外に押
し出した後、カセットレスアーム１６でつかみ、引き上
げて、洗浄液槽まで搬送し、その中の載置台に乗せた後
放す。ウエーハはこの槽の中で洗浄される（洗浄液槽
部）。次いで、再度、洗浄液槽中のウエーハをカセット
レスアーム１６でつかみ、引き上げて、次の純水槽まで
搬送し、その中の載置台に乗せた後放す。純水槽には常
時純水が供給され、純水がオーバーフローしており、こ
の槽の中でウエーハの表面についた洗浄液が洗い落とさ
れる（リンス槽部）。なお、洗浄液槽およびリンス槽に
は、必要に応じて、超音波発生装置２２より超音波が印
加される。次いで、ウエーハをカセットレスアーム１６
でつかみ、すばやく引き上げて、本発明の乾燥装置まで
搬送し、その中の載置台９に乗せた後放す。ここでウエ
ーハは本発明の乾燥方法により吸引乾燥される、すなわ
ち、ウエーハの表面全体に付着している純水が強制的に
引っ張られて除去される（吸引乾燥部）。次いで、再
度、乾燥装置中のウエーハをカセットレスアーム１６で
つかみ、引き上げて、アンローダー部まで搬送して、そ
こでウエーハを再度カセットに収納する（アンローダー
部）。
【００１６】２．本発明の乾燥方法のうち、水を排出し
た後、平板状物を純水槽から取り出す方法を用いた場合 カセットレスアームで純水槽中の載置台にウエーハを乗
せて放すまでは上記１の場合と同様である。純水槽から
純水をオーバーフローさせてウエーハの表面についた洗
浄液を洗い落した後、一旦純水の供給を停止し、純水槽
に溜まった純水を全て排水し、純水槽が空になったら、
ウエーハをカセットレスアームでつかみ、引き上げて、
乾燥装置まで搬送し、その中の載置台に乗せた後放す。
その後は、上記１の場合と同様である。
た後、平板状物を純水槽から取り出す方法を用いた場合 カセットレスアームで純水槽中の載置台にウエーハを乗
せて放すまでは上記１の場合と同様である。純水槽から
純水をオーバーフローさせてウエーハの表面についた洗
浄液を洗い落した後、一旦純水の供給を停止し、純水槽
に溜まった純水を全て排水し、純水槽が空になったら、
ウエーハをカセットレスアームでつかみ、引き上げて、
乾燥装置まで搬送し、その中の載置台に乗せた後放す。
その後は、上記１の場合と同様である。
【００１７】
【実施例】本発明を例に基づいて更に詳述する。実施例および比較例 本発明による乾燥（実施例）と、ＩＰＡ乾燥（比較例）
とを行い、乾燥後の８インチφのシリコンウエーハパテ
ィクルレベルについて比較した。８インチφウエーハの
ＩＰＡ乾燥は、ＳＣ１洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ
2 Ｏ＝１：１：５のアンモニア過酸化水素水溶液洗浄）
し、常温（室温）の純水でリンスした後行った。８イン
チφウエーハの本発明による乾燥は、ＳＣ１洗浄し、常
温の純水でリンスし、純水槽に溜まった純水を排水し終
わってから、図１に示す装置を用いて行った。その際、
溝部に直径３ｍｍの開口部を形成した載置台を用い、真
空ポンプで吸引を行った。また、排水は、純水槽に溜ま
った純水の高さが毎秒４ｍｍずつ低下するような排水速
度で、１分間で終わらせた。
とを行い、乾燥後の８インチφのシリコンウエーハパテ
ィクルレベルについて比較した。８インチφウエーハの
ＩＰＡ乾燥は、ＳＣ１洗浄（ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ
2 Ｏ＝１：１：５のアンモニア過酸化水素水溶液洗浄）
し、常温（室温）の純水でリンスした後行った。８イン
チφウエーハの本発明による乾燥は、ＳＣ１洗浄し、常
温の純水でリンスし、純水槽に溜まった純水を排水し終
わってから、図１に示す装置を用いて行った。その際、
溝部に直径３ｍｍの開口部を形成した載置台を用い、真
空ポンプで吸引を行った。また、排水は、純水槽に溜ま
った純水の高さが毎秒４ｍｍずつ低下するような排水速
度で、１分間で終わらせた。
【００１８】ＩＰＡ乾燥は、ウエーハ７枚ずつについ
て、１７回行い、本発明による乾燥は、ウエーハ７枚ず
つについて、１５回行った。それぞれのウエーハについ
てパーティクル数を調べた。その結果を図４（ａ）〜
（ｄ）に示す。図４（ａ）および（ｂ）は、ＩＰＡ乾燥
の場合の、ウエーハ乾燥後の粒径０．１６μｍ以上およ
び０．２０μｍ以上のパーティクル数ごとのウエーハの
枚数を表し、図４（ｃ）および（ｄ）は、本発明による
乾燥の場合の、ウエーハ乾燥後の粒径０．１６μｍ以上
および０．２０μｍ以上のパーティクル数ごとのウエー
ハの枚数を表す。図４に示されるように、本発明による
乾燥によれば、ＩＰＡ乾燥と比較して、乾燥後のパーテ
ィクル数が少ないウエーハが多いことがわかる。
て、１７回行い、本発明による乾燥は、ウエーハ７枚ず
つについて、１５回行った。それぞれのウエーハについ
てパーティクル数を調べた。その結果を図４（ａ）〜
（ｄ）に示す。図４（ａ）および（ｂ）は、ＩＰＡ乾燥
の場合の、ウエーハ乾燥後の粒径０．１６μｍ以上およ
び０．２０μｍ以上のパーティクル数ごとのウエーハの
枚数を表し、図４（ｃ）および（ｄ）は、本発明による
乾燥の場合の、ウエーハ乾燥後の粒径０．１６μｍ以上
および０．２０μｍ以上のパーティクル数ごとのウエー
ハの枚数を表す。図４に示されるように、本発明による
乾燥によれば、ＩＰＡ乾燥と比較して、乾燥後のパーテ
ィクル数が少ないウエーハが多いことがわかる。
【００１９】なお、本発明は、上記実施の形態および実
施例に限定されるものではない。上記実施の形態および
実施例は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明
の技術的範囲に包含される。
施例に限定されるものではない。上記実施の形態および
実施例は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載さ
れた技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作
用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明
の技術的範囲に包含される。
【００２０】例えば、上記実施の形態では、３つの載置
台および２つのポンプを用いた乾燥装置について説明し
たが、本発明はこれに限定されず、さらに多数の、ある
いはより少数の載置台および載置台の空洞部を減圧する
手段を用いて行ってもよく、各々１つずつでもよい。ま
た、上記実施例では８インチφのシリコンウエーハを乾
燥したが、本発明では、平板状物の直径は限定されず、
直径１０インチ以上または６インチ以下の平板状物に適
用してもよい。さらに、上記実施例では一度に７枚のウ
エーハを乾燥したが、本発明では勿論、載置台に載置で
きれば一度により多数枚の平板状物を乾燥できるし、よ
り少ない枚数、例えば１枚の平板状物を乾燥してもよ
い。
台および２つのポンプを用いた乾燥装置について説明し
たが、本発明はこれに限定されず、さらに多数の、ある
いはより少数の載置台および載置台の空洞部を減圧する
手段を用いて行ってもよく、各々１つずつでもよい。ま
た、上記実施例では８インチφのシリコンウエーハを乾
燥したが、本発明では、平板状物の直径は限定されず、
直径１０インチ以上または６インチ以下の平板状物に適
用してもよい。さらに、上記実施例では一度に７枚のウ
エーハを乾燥したが、本発明では勿論、載置台に載置で
きれば一度により多数枚の平板状物を乾燥できるし、よ
り少ない枚数、例えば１枚の平板状物を乾燥してもよ
い。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、イソプロピルアルコー
ルなどの有機溶剤を全く使わず、発塵は起こらず、複数
の平板状物をバッチ処理でき、また、平板状物を洗浄す
るための純水槽から通常の速度で引き上げて載置台に載
置するだけなので、生産性もよく、平板状物を密閉乾燥
容器に入れて減圧排気する必要もない。本発明による乾
燥方法は、清浄度、ランニングコスト、生産性、安全
性、自動化の全ての面において優れている平板状物の乾
燥方法である。
ルなどの有機溶剤を全く使わず、発塵は起こらず、複数
の平板状物をバッチ処理でき、また、平板状物を洗浄す
るための純水槽から通常の速度で引き上げて載置台に載
置するだけなので、生産性もよく、平板状物を密閉乾燥
容器に入れて減圧排気する必要もない。本発明による乾
燥方法は、清浄度、ランニングコスト、生産性、安全
性、自動化の全ての面において優れている平板状物の乾
燥方法である。
【図１】 本発明の平板状物の乾燥装置の一例を示す概
略図である。
略図である。
【図２】 （ａ）および（ｂ）は本発明の平板状物の乾
燥装置に使用される載置台の一例を示す部分平面図およ
び部分端面図である。
燥装置に使用される載置台の一例を示す部分平面図およ
び部分端面図である。
【図３】 水がオーバーフローしている状態で、平板状
物を純水槽から取り出す方法を用いた半導体ウエーハの
洗浄および乾燥工程を示す説明図である。
物を純水槽から取り出す方法を用いた半導体ウエーハの
洗浄および乾燥工程を示す説明図である。
【図４】 本発明による乾燥後とＩＰＡ乾燥後の８イン
チのシリコンウエーハパティクルレベルの結果を示すグ
ラフである。
チのシリコンウエーハパティクルレベルの結果を示すグ
ラフである。
１…真空ポンプ、 ２…配管 ３…電磁弁、 ４…フロート、５…フロー
トスイッチ、 ６…エアー弁、７…メイン配管、
８…配管、９…載置台、 １０…開
口部、１１…配管、 １２…真空ゲージ １３…溝部 １４…空洞部、１５…平板
状物、 １６…カセットレスアーム、１８…カ
セット、 ２０…ウエーハ押し出し手段、２２
…超音波発生装置。
トスイッチ、 ６…エアー弁、７…メイン配管、
８…配管、９…載置台、 １０…開
口部、１１…配管、 １２…真空ゲージ １３…溝部 １４…空洞部、１５…平板
状物、 １６…カセットレスアーム、１８…カ
セット、 ２０…ウエーハ押し出し手段、２２
…超音波発生装置。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】平板状物であるレンズ、光ディスク、液
晶パネル、太陽電池、シリコンウエーハ、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ等の化合物半導体ウエーハなどは、通常、
洗浄工程で洗浄された後、乾燥される。乾燥させる方法
としては、従来、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤を用いた沸騰洗浄液の蒸気中に平板状物をさ
らして、その表面の水分を有機溶剤に置換して乾燥させ
る方法（ＩＰＡ乾燥等）、あるいは、平板状物をキャリ
アに収めた状態で遠心力を利用して水を振り切って乾燥
させる方法（スピンドライ乾燥）、あるいは、平板状物
にハロゲンランプ等の熱源を用いて純水を蒸発させて乾
燥させる方法（ＩＲ乾燥）、あるいは、温純水に平板状
物を浸漬してゆっくり引上げ温純水の表面張力を利用し
て乾燥させる方法（温水引上乾燥、特公平６−９３４４
９号公報参照）、あるいは、平板状物を密閉乾燥容器内
に入れ、容器内雰囲気を減圧排気し、蒸発する水分を排
除して乾燥させる方法（減圧乾燥）などがある。
晶パネル、太陽電池、シリコンウエーハ、ＧａＡｓ、Ｇ
ａＰ、ＩｎＰ等の化合物半導体ウエーハなどは、通常、
洗浄工程で洗浄された後、乾燥される。乾燥させる方法
としては、従来、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤を用いた沸騰洗浄液の蒸気中に平板状物をさ
らして、その表面の水分を有機溶剤に置換して乾燥させ
る方法（ＩＰＡ乾燥等）、あるいは、平板状物をキャリ
アに収めた状態で遠心力を利用して水を振り切って乾燥
させる方法（スピンドライ乾燥）、あるいは、平板状物
にハロゲンランプ等の熱源を用いて純水を蒸発させて乾
燥させる方法（ＩＲ乾燥）、あるいは、温純水に平板状
物を浸漬してゆっくり引上げ温純水の表面張力を利用し
て乾燥させる方法（温水引上乾燥、特公平６−９３４４
９号公報参照）、あるいは、平板状物を密閉乾燥容器内
に入れ、容器内雰囲気を減圧排気し、蒸発する水分を排
除して乾燥させる方法（減圧乾燥）などがある。
Claims (8)
- 【請求項１】 表面全体に水分の付着した平板状物を、
１つまたはそれ以上の溝部を有し、該溝部に１つまたは
それ以上の開口部を有する空洞部が形成されている載置
台の溝部に略垂直に載置し、該載置台の空洞部を減圧し
て平板状物の表面全体に付着した水分を開口部から吸引
することにより、該平板状物を乾燥させることを特徴と
する、平板状物の乾燥方法。 - 【請求項２】 平板状物を純水槽から取り出した後、該
平板状物上に乾燥部分ができないように直ちに載置台に
載置する、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 水がオーバーフローしている状態で、平
板状物を純水槽から取り出す、請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 水を排出した後、平板状物を純水槽から
取り出す、請求項２記載の方法。 - 【請求項５】 純水槽中の純水が常温である、請求項２
〜４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項６】 平板状物がシリコン、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＩｎＰの半導体ウエーハである、請求項１〜５のい
ずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 平板状物を略垂直に載置可能な溝部を１
つまたはそれ以上有し、該溝部に１つまたはそれ以上の
開口部を有する空洞部が形成されている載置台と、載置
台の空洞部を減圧する手段とを設けたことを特徴とす
る、平板状物の乾燥装置。 - 【請求項８】 平板状物がシリコン、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｐ、ＩｎＰの半導体ウエーハである、請求項７記載の装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22313696A JP3244220B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 平板状物の乾燥方法および乾燥装置 |
| US08/901,166 US6125554A (en) | 1996-08-06 | 1997-07-28 | Method and apparatus for drying flat objects |
| TW086110895A TW384510B (en) | 1996-08-06 | 1997-07-30 | Method and apparatus for drying flat objects |
| DE69705679T DE69705679T2 (de) | 1996-08-06 | 1997-08-01 | Verfahren und Vorrichtung zur Trocknung von flachen Gegenständen |
| EP97305839A EP0823607B1 (en) | 1996-08-06 | 1997-08-01 | Method and apparatus for drying flat objects |
| MYPI97003555A MY120941A (en) | 1996-08-06 | 1997-08-05 | Method and apparatus for drying flat objects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22313696A JP3244220B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 平板状物の乾燥方法および乾燥装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050657A true JPH1050657A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3244220B2 JP3244220B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=16793365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22313696A Expired - Lifetime JP3244220B2 (ja) | 1996-08-06 | 1996-08-06 | 平板状物の乾燥方法および乾燥装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6125554A (ja) |
| EP (1) | EP0823607B1 (ja) |
| JP (1) | JP3244220B2 (ja) |
| DE (1) | DE69705679T2 (ja) |
| MY (1) | MY120941A (ja) |
| TW (1) | TW384510B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7415985B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-08-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning and drying apparatus |
| JP4628580B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2011-02-09 | 信越半導体株式会社 | 貼り合せ基板の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
| US20020129838A1 (en) * | 2001-03-15 | 2002-09-19 | Larry Myland | Substrate aspiration assembly |
| US6907890B2 (en) | 2002-02-06 | 2005-06-21 | Akrion Llc | Capillary drying of substrates |
| US7396259B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-07-08 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connector housing alignment feature |
| US20070094885A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-03 | Alan Walter | Apparatus and method for removing trace amounts of liquid from substrates during single-substrate processing |
| WO2007084952A2 (en) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Akrion Technologies, Inc. | Systems and methods for drying a rotating substrate |
| JP2009044211A (ja) | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Sony Corp | 波形等化器およびその制御方法、並びに受信装置およびその制御方法 |
| DE102014213172A1 (de) * | 2014-07-07 | 2016-01-07 | Dürr Ecoclean GmbH | Anlage für das Trocknen von Werkstücken |
| WO2017098354A1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Novartis Ag | Method and system for removing a liquid from a container for accommodating an ophthalmic lens |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5231794B2 (ja) * | 1973-03-07 | 1977-08-17 | ||
| JPS60223130A (ja) * | 1984-04-19 | 1985-11-07 | Sharp Corp | 基板の洗滌乾燥方法及びその装置 |
| US5054988A (en) * | 1988-07-13 | 1991-10-08 | Tel Sagami Limited | Apparatus for transferring semiconductor wafers |
| JPH05259264A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 半導体ウェーハ整列装置 |
| JPH05259136A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄処理装置 |
| JPH0693449A (ja) | 1992-09-14 | 1994-04-05 | Tokai Carbon Co Ltd | 金属基材へのカーボン被覆法 |
| JP3347814B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
| US5475892A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-19 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer particle extractor |
| US5704493A (en) * | 1995-12-27 | 1998-01-06 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate holder |
-
1996
- 1996-08-06 JP JP22313696A patent/JP3244220B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-07-28 US US08/901,166 patent/US6125554A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-07-30 TW TW086110895A patent/TW384510B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-01 EP EP97305839A patent/EP0823607B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-01 DE DE69705679T patent/DE69705679T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-05 MY MYPI97003555A patent/MY120941A/en unknown
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| JP4628580B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2011-02-09 | 信越半導体株式会社 | 貼り合せ基板の製造方法 |
| US7415985B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-08-26 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate cleaning and drying apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MY120941A (en) | 2005-12-30 |
| EP0823607A2 (en) | 1998-02-11 |
| EP0823607A3 (en) | 1998-04-08 |
| EP0823607B1 (en) | 2001-07-18 |
| TW384510B (en) | 2000-03-11 |
| JP3244220B2 (ja) | 2002-01-07 |
| DE69705679T2 (de) | 2002-05-08 |
| US6125554A (en) | 2000-10-03 |
| DE69705679D1 (de) | 2001-08-23 |
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