TWI579955B - 基板處理設備及基板處理方法 - Google Patents

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Description

基板處理設備及基板處理方法
本發明係關於一種基板處理設備及方法，更特定而言，係關於一種執行多個處理製程之基板處理設備及利用其處理基板之基板處理方法。
半導體元件係經由包括沈積、光照、蝕刻、灰化以及清潔製程的多種製程於晶圓等基板上形成電路圖案而製造。此種製程係於研發來執行該等製程之各種腔室中執行。因此，半導體元件之製造反復進行以下過程：將基板搬入腔室以執行製程，而為其他製程將基板搬入其他腔室。
最近，隨著半導體元件之微細化，半導體元件之製造需要更多製程，因此，半導體元件之總製造時間中，在腔室間搬送基板所需之時間逐漸增加。
本發明之一個課題係提供一種藉由高效基板移送而使基板處理時間達成最小化之基板處理設備及基板處理方法。
本發明之一個課題係提供一種基板處理設備及基板處理方法，其提供一或多個製程腔室以便於一個基板處理設備中執行多種製程。
本發明欲解決之課題並非限定於所述課題，本發明所屬技術領域之技藝者能夠自本說明書及附圖中明確理解未提及之課題。
本發明提供基板處理設備。
根據一個實施例，該基板處理設備包括：處理模組，其具有針對基板執行主處理之主製程腔室；索引模組，其包括供容納基板之容器進行置放的加載埠、針對基板執行輔助處理之輔助製程腔室，以及移送基板之索引機器人；以及，加載互鎖腔室，其配置於該處理模組與該索引模組之間；且該處理模組、該加載互鎖腔室以及該輔助製程腔室沿著第1方向依次配置，該索引機器人提供成能分別向該加載埠、該輔助製程腔室、該加載互鎖腔室搬送基板。
該索引模組可包括其長度方向沿該第1方向來提供的引導設備，該索引機器人可以能夠沿著該引導設備移動地提供。
該主製程腔室可以能夠執行乾式清潔製程之結構來提供。
該主製程腔室可以能夠執行乾式蝕刻製程之結構來提供。
該加載互鎖腔室可包括：緩衝單元，其在該輔助製程腔室與該處理模組間移送基板時，供該基板逗留；冷卻單元，其使基板冷卻。
該緩衝單元與該冷卻單元可上下相互層疊地提供。
根據一個實例，該輔助製程腔室可包括針對基板執行熱處理之熱處理腔室。
根據一個實例，該輔助製程腔室可包括針對基板執行濕式清潔之濕式清潔腔室。
根據一個實例，該輔助製程腔室可包括針對基板執行灰化製程之熱處理腔室。
根據一個實例，該輔助製程腔室可包括：熱處理腔室，其針對基板執行熱處理；濕式清潔腔室，其針對基板執行濕式清潔。
根據一個實例，該輔助製程腔室可包括：熱處理腔室，其針對基板執行灰化；濕式清潔腔室，其針對基板執行濕式清潔。
根據一個實例，該加載互鎖腔室與該輔助製程腔室可分別提供為多個；該加載互鎖腔室可以該索引機器人為基準，分別在該第1方向之一側及另一側提供，該輔助製程腔室可以該索引機器人為基準，分別在該第1方向之一側及另一側提供。
根據一個實例，該加載互鎖腔室可沿著與該第1方向垂直之第2方向配置；該輔助製程腔室可沿著該 第2方向配置。
根據一個實例，該處理模組亦可包括提供有搬送基板之移送機器人之移送腔室；在該移送腔室四周配置有該主製程腔室及該加載互鎖腔室。
該熱處理腔室可包括：外殼；基板支撐單元，其配置於該外殼內並支撐基板；氣體供應單元，其向該外殼內供應氣體；電漿源，其使得自該氣體產生電漿；加熱單元，其在該基板支撐單元中提供並對基板加熱。
根據另一實施例，該基板處理設備可包括：處理模組，其包括針對基板執行主處理之主製程腔室、搬送基板之移送腔室；索引模組，其包括供容納基板之容器進行置放的加載埠、針對基板執行輔助處理之輔助製程腔室，以及移送基板之索引機器人；加載互鎖腔室，其配置於該處理模組與該索引模組之間；且在該索引機器人之兩側，加載互鎖腔室於各側面各配置一個；該加載互鎖腔室以第1加載互鎖腔室及第2加載互鎖腔室來提供；該輔助製程腔室以第1輔助製程腔室及第2輔助製程腔室來提供；在該索引機器人之一側提供第1加載互鎖腔室；在該索引機器人之另一側提供第2加載互鎖腔室；該第1輔助製程腔室沿著在該索引機器人之一側配置的第1加載互鎖腔室與該第1方向提供；該第2輔助製程腔室沿著在該索引機器人之另一側配置的第2加載互鎖腔室與該第1方向提供；該第1加載互鎖腔室與該第1輔助製程腔室及該加載埠依次沿著該第1方向配置；該第2加載互鎖腔室與該 第2輔助製程腔室及該加載埠依次沿著該第1方向配置；該索引機器人提供成能夠向該第1加載互鎖腔室、該第2加載互鎖腔室、該第1輔助製程腔室、該第2輔助製程腔室、置放於該加載埠之容器搬送基板。
根據一個實例，在該基板處理設備中，該索引模組包括其長度方向沿著該第1方向提供的引導設備；該索引機器人能夠沿著該引導設備移動地提供。
另外，本發明提供一種基板處理方法。
根據該基板處理方法之一個實例，按照根據基板而在多個模式中選擇之模式來處理基板；該多個模式針對該基板執行處理之製程相互相異地提供。
根據一個實例，該多個模式包括第1處理模式；該第1處理模式可包括：主處理步驟，其在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
在該第1處理模式中，該膜移除步驟可包括在該濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
在該第1處理模式中，該膜移除步驟可包括在該熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟。
在該第1處理模式中，該膜移除步驟可包括 在該熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟；以及在該濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
根據一個實例，該多個模式包括第2處理模式；該第2處理模式可包括：表面處理步驟，其在該輔助製程腔室中針對該基板來使基板之表面變化為親水性或疏水性；主處理步驟，其在該主製程腔室中針對該基板來執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
在該第2處理模式中，該膜移除步驟可包括在該濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
在該第2處理模式中，該膜移除步驟可包括在該熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟。
基板處理方法可為：在該第2處理模式中，該熱處理腔室以供應將基板之表面變化為親水性或疏水性之氣體的結構來提供；該表面處理步驟在該熱處理腔室中執行。
基板處理方法可為：在該第2處理模式中，該濕式清潔腔室以供應使基板之表面變化為親水性或疏水性之化學液的結構來提供；該表面處理步驟在該濕式清潔腔室中執行。
根據一個實例，該輔助製程腔室以能夠執行灰化製程之結構來提供；該多個模式包括第3處理模式；該第3處理模式可包括：在該輔助製程腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔或乾式蝕刻製程的主處理步驟。
在該第3處理模式中，可包括膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在基板上殘留的反應副產物的副產物移除製程。
根據一個實例，該輔助製程腔室以能夠執行灰化製程之結構來提供；該多個模式包括第4處理模式；該第4處理模式可包括：在該熱處理腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該濕式清潔腔室中執行濕式清潔製程的濕式清潔步驟。
根據一個實例，在該第1處理模式、該第2處理模式以及該第3處理模式中，該加載互鎖腔室可包括在該基板移送時供該基板逗留之緩衝單元，及使基板冷卻之冷卻單元；在該主處理步驟之後，亦可包括在該冷卻單元中對該基板進行冷卻的步驟。
另外，按照根據基板而在多個模式中選擇之模式來處理基板；及該輔助製程腔室以能夠執行灰化製程的結構來提供。
該多個模式可包括選自以下模式中至少兩種以上的模式：第1處理模式，其包括：主處理步驟，其在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻 製程；以及膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
第2處理模式，其包括：表面處理步驟，其在該輔助製程腔室中針對該基板來使基板之表面變化為親水性或疏水性；主處理步驟，其在該主製程腔室中針對該基板來執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
第3處理模式，其包括在該輔助製程腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔或乾式蝕刻製程的主處理步驟。
第4處理模式，其包括在該熱處理腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該濕式清潔腔室中執行濕式清潔製程的濕式清潔步驟。
根據本發明之一個實施例，在基板處理設備中之索引模組包括索引機器人、輔助製程腔室、加載埠，索引機器人能接近於加載互鎖腔室、輔助製程腔室、加載埠而提供，因而能夠高效地進行基板處理。
另外，根據本發明之一個實施例，基板處理方法能夠按照根據基板而在多個模式中選擇之模式來進行處理，因而提供高效的基板處理方法。
本發明之效果並非限定於上述效果，本發明 所屬技術領域之技藝者可自本說明書及附圖明確理解未言及之效果。
S111~S115‧‧‧步驟
S121~S125‧‧‧步驟
S131~S136‧‧‧步驟
S211~S216‧‧‧步驟
S221~S226‧‧‧步驟
S311~S315‧‧‧步驟
S321~S326‧‧‧步驟
S331~S336‧‧‧步驟
S411~S413‧‧‧步驟
10‧‧‧基板處理設備
12‧‧‧第1方向
14‧‧‧第2方向
16‧‧‧第3方向
20‧‧‧基板處理設備
30‧‧‧基板處理設備
40‧‧‧基板處理設備
100‧‧‧熱處理腔室
110‧‧‧外殼
130‧‧‧加熱單元
150‧‧‧基板支撐構件
200‧‧‧濕式清潔腔室
210‧‧‧外殼
230‧‧‧清潔單元
250‧‧‧容器
270‧‧‧支撐單元
290‧‧‧旋轉單元
310‧‧‧外殼
330‧‧‧基板支撐單元
350‧‧‧氣體供應單元
370‧‧‧電漿源
390‧‧‧加熱單元
1100‧‧‧處理模組
1110‧‧‧移送腔室
1111‧‧‧外殼
1113‧‧‧移送機器人
1130‧‧‧主製程腔室
1200‧‧‧索引模組
1210‧‧‧輔助製程腔室
1211‧‧‧第1輔助製程腔室
1212‧‧‧第2輔助製程腔室
1230‧‧‧移送框架
1231‧‧‧索引機器人
1233‧‧‧外殼
1250‧‧‧加載埠
1300‧‧‧加載互鎖腔室
1301‧‧‧第1加載互鎖腔室
1302‧‧‧第2加載互鎖腔室
1310‧‧‧冷卻單元
1311‧‧‧外殼
1313‧‧‧支撐板
1315‧‧‧氣體供應單元
1330‧‧‧緩衝單元
1331‧‧‧外殼
1333‧‧‧支撐板
1401‧‧‧加載互鎖腔室
1411‧‧‧外殼
1413‧‧‧支撐板
1415‧‧‧冷卻構件
2100‧‧‧處理模組
2200‧‧‧索引模組
2210‧‧‧輔助製程腔室
2211‧‧‧第1輔助製程腔室
2212‧‧‧第2輔助製程腔室
2230‧‧‧移送框架
2250‧‧‧加載埠
2300‧‧‧加載互鎖腔室
3100‧‧‧處理模組
3200‧‧‧索引模組
3210‧‧‧輔助製程腔室
3211‧‧‧第1輔助製程腔室
3212‧‧‧第2輔助製程腔室
3230‧‧‧移送框架
3250‧‧‧加載埠
3300‧‧‧加載互鎖腔室
4100‧‧‧處理模組
4200‧‧‧索引模組
4210‧‧‧輔助製程腔室
4211‧‧‧第1輔助製程腔室
4212‧‧‧第2輔助製程腔室
4213‧‧‧第3輔助製程腔室
4214‧‧‧第4輔助製程腔室
4230‧‧‧移送框架
4250‧‧‧加載埠
4300‧‧‧加載互鎖腔室
圖1為展示本發明之基板處理設備之一個實施例的俯視圖。
圖2為沿著圖1之加載互鎖腔室之A-A線截取的剖面圖。
圖3為展示圖1之加載互鎖腔室之另一實施例的剖面圖。
圖4為以輔助製程腔室提供的熱處理腔室之一個實施例的剖面圖。
圖5為以輔助製程腔室提供的濕式清潔腔室之一個實施例的剖面圖。
圖6為展示圖1之基板處理設備之又一實施例的俯視圖。
圖7為展示圖1之基板處理設備之又一實施例的俯視圖。
圖8為展示圖1之基板處理設備的又一實施例的俯視圖。
圖9為以輔助製程腔室提供的熱處理腔室之另一實施例的剖面圖。
圖10為展示基板處理設備中第1處理模式之一個實施例的基板搬送路徑的圖。
圖11為展示基板處理設備中第1處理模式之另一實施例的基板搬送路徑的圖。
圖12為展示基板處理設備中第1處理模式之又一實施例的基板搬送路徑的圖。
圖13為展示基板處理設備中第2處理模式之一個實施例的基板搬送路徑的圖。
圖14為展示基板處理設備中第2處理模式之另一實施例的基板搬送路徑的圖。
圖15為展示基板處理設備中第3處理模式之一個實施例的基板搬送路徑的圖。
圖16為展示基板處理設備中第3處理模式之另一實施例的基板搬送路徑的圖。
圖17為展示基板處理設備中第3處理模式之又一實施例的基板搬送路徑的圖。
圖18為展示基板處理設備中第4處理模式之基板搬送路徑的圖。
以下參照附圖，更詳細地說明本發明之實施例。本發明之實施例可變形為多種形態，不得解釋為本發明之範圍限定於以下實施例。本發明實施例提供來用於向熟習此項技術者更完全地說明本發明。因此，為更明確地強調說明，對附圖中元件之形狀進行誇示。
基板處理設備可針對基板執行多個處理製程。基板可為用於製造半導體元件、平板顯示器(FPD：flat panel disply)及此外在薄膜中形成有電路之物件的基板。製程可為用於製造半導體元件、平板展示器及此外在薄膜中形成有電路之物件所需的多種製程。另外，例如，晶圓、有機基板或玻璃基板等可作為基板。
圖1為本發明之一個實施例的基板處理設備的俯視圖。
如圖1所示，基板處理設備(10)具有處理模組(Process module)(1100)、加載互鎖腔室(Loadlock chamber)(1300)以及索引模組(Index module)(1200)。處理模組(1100)與加載互鎖腔室(1300)、索引模組(1200)依次配置成一列。此時，將處理模組(1100)與加載互鎖腔室(1300)、索引模組(1200)配置之方向稱為第1方向(12)。而且，將從上部觀察時與第1方向(12)垂直之方向稱為第2方向(14)。而且，將分別垂直於第1方向(12)及第2方向(14)之方向稱為第3方向(16)。
處理模組(1100)包括主製程腔室(Main Process chamber)(1130)及移送腔室(Transfer chamber)(1110)。處理模組(1100)針對基板執行主製程。
移送腔室(1110)鄰接加載互鎖腔室(1300)進行配置。移送腔室(1110)包括外殼(1111)與移送機器人(1113)。外殼(1111)在從上部觀察時可具有多邊形之形狀。作為一個實施例，外殼(1111)可以六邊形形狀提供。不同於此，移送腔室(1110)可以多樣的形狀提供。
在外殼(1111)之外側，加載互鎖腔室(1300) 與多個主製程腔室(1130)鄰接外殼(1111)進行配置。在外殼(1111)之各側壁上，形成有供基板出入於移送腔室(1110)與加載互鎖腔室(1300)間或移送腔室(1110)與主製程腔室(1130)間的通道。在各通道中提供對通道進行開閉的門。
在移送腔室(1110)內部提供有移送機器人(1113)。移送機器人(1113)將在加載互鎖腔室(1300)中備用的未處理基板移送至主製程腔室(1130)，或將完成製程處理的基板移送至加載互鎖腔室(1300)。
主製程腔室(1130)鄰接移送腔室(1110)進行配置。根據一個實施例，主製程腔室(1130)可在移送腔室(1110)之外殼(1111)之側部提供為多個。根據一個實例，主製程腔室(1130)可提供為4個。當主製程腔室(1130)提供為4個時，在移送腔室(1110)的鄰接側面連續配置。主製程腔室(1130)可以能夠針對基板進行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等、利用電漿的基板處理製程之結構來提供。
加載互鎖腔室(1300)位於處理模組(1100)與索引模組(1200)之間。根據一個實例，加載互鎖腔室(1300)提供為兩個。以下將2個加載互鎖腔室(1300)稱為第1加載互鎖腔室(1301)及第2加載互鎖腔室(1302)。第1加載互鎖腔室(1301)與第2加載互鎖腔室(1302)鄰接移送腔室(1110)進行配置。加載互鎖腔室(1300)可使其長度方向相對於第1方向(12)傾斜地配置。另外，索引機器人(1231)配置於第1加載互鎖腔室(1301)與第2加載互鎖腔室(1302)之間。
移送腔室(1110)及主製程腔室(1130)內部保持真空，加載互鎖腔室(1300)內部可在真空及大氣壓間轉換。
根據一個實例，第1加載互鎖腔室(1301)以與第2加載互鎖腔室(1302)相同之結構來提供。
加載互鎖腔室(1300)可包括緩衝單元(1330)及冷卻單元(1310)。
圖2為沿著圖1之第2加載互鎖腔室(1302)之A-A線截取的剖面圖。緩衝單元(1330)與冷卻單元(1310)相互層疊提供。根據一個實例，緩衝單元(1330)可位於冷卻單元(1310)上。作為另一實例，冷卻單元(1310)可位於緩衝單元(1330)上。
緩衝單元(1330)提供供自索引模組(1200)向處理模組(1100)搬送之基板臨時逗留的空間。緩衝單元(1330)提供成能夠在真空壓與常壓間轉換。
緩衝單元(1330)包括外殼(1331)與支撐板(1333)。支撐板(1333)在外殼(1331)內提供。支撐板(1333)提供為多個。支撐板(1333)相互層疊地提供。支撐板(1333)可提供成支撐基板之兩側邊緣。
冷卻單元(1310)對從處理模組(1100)向索引模組(1200)搬送之基板進行冷卻。冷卻單元(1310)提供成能夠在真空壓與常壓間轉換。
冷卻單元(1310)包括外殼(1311)、支撐板(1313)以及氣體供應單元(1315)。支撐板(1313)在外殼(1311) 內提供為多個。支撐板(1313)相互層疊地提供。支撐板(1313)可提供成支撐基板之兩側邊緣。氣體供應單元(1315)在外殼(1311)內部之上部提供。氣體供應單元(1315)供應對基板進行冷卻之冷卻氣體。
圖3為展示圖1之加載互鎖腔室(1401)之另一實施例的剖面圖。
加載互鎖腔室(1401)包括外殼(1411)、支撐板(1413)以及冷卻構件(1415)。在外殼(1411)內部提供有支撐板(1413)。支撐板(1413)以板狀提供。冷卻構件(1415)位於支撐板(1413)內。冷卻構件(1415)可以供冷卻流體流動之冷卻管線來提供。
不同於該實例，第1加載互鎖腔室(1301)與第2加載互鎖腔室(1302)可由各個相同結構之單元相互層疊地提供。作為一個實例，第1加載互鎖腔室(1301)可由多個緩衝單元(1330)層疊地提供。第2加載互鎖腔室(1302)可由多個冷卻單元(1310)層疊地提供。
索引模組(1200)包括輔助製程腔室(1210)、移送框架(1230)以及加載埠(1250)。作為一個實施例，輔助製程腔室(1210)提供為兩個。以下將2個輔助製程腔室(1210)分別稱為第1輔助製程腔室(1211)及第2輔助製程腔室(1212)。輔助製程腔室(1210)在加載互鎖腔室(1300)與加載埠(1250)之間提供。第1加載互鎖腔室(1301)、第1輔助製程腔室(1211)、加載埠(1250)沿著第1方向(12)依次提供。第2加載互鎖腔室(1302)與第2輔助製程腔室(1212)、加載 埠(1250)沿著第1方向(12)依次提供。
輔助製程腔室(1210)包括熱處理腔室(heat treatment chamber)及濕式清潔腔室(wet clean chamber)。作為一個實施例，第1輔助製程腔室(1211)可以熱處理腔室提供，第2輔助製程腔室(1212)可以濕式清潔腔室提供。
圖4為以輔助製程腔室提供的熱處理腔室(100)之一個實施例的剖面圖。
熱處理腔室(100)包括外殼(110)、加熱單元(130)以及基板支撐構件(150)。基板支撐構件(150)在外殼(110)內部提供。加熱單元(130)在基板支撐構件(150)內部提供。熱處理腔室(100)針對基板執行熱處理製程。
作為另一實施例，熱處理腔室可以能夠執行表面處理製程之結構來提供。例如，熱處理腔室可包括供應將基板之表面變換為親水性及疏水性之氣體的氣體供應單元。例如，可提供能使基板之表面變換成親水性之氧氣(O2)等。
圖5為以輔助製程腔室提供的濕式清潔腔室(200)之一個實施例的剖面圖。
濕式清潔腔室(200)提供外殼(210)、清潔單元(230)、容器(250)、支撐單元(270)及旋轉單元(290)。在外殼(210)內部提供有清潔單元(230)。容器(250)配置於外殼(210)內，其係以上部開放之形態來提供。清潔單元(230)之一部分與容器(250)之上部開放的一部分鄰接配置。支撐單元(270)位於容器(250)內部。支撐單元(270)支撐基板， 以使得基板處於水平狀態。在支撐單元(270)下部提供有旋轉單元(290)，其在進行基板清潔製程時旋轉。清潔單元(230)向基板供應清潔液。
在濕式清潔腔室(200)中，向基板供應清潔液並處理基板。在清潔基板時提供的清潔液包括氟化氫(HF)、去離子水(DI-WATER)、氨水及包括過氧化氫、水、鹽酸、氟化氫等化學物質之清潔液等一系列清潔相關化學物質。
作為另一實施例，濕式清潔腔室可以能夠執行表面處理製程之結構來提供。例如，濕式清潔腔室可包括供應將基板之表面變換成親水性或疏水性之表面處理液的表面處理單元。
移送框架(1230)包括索引機器人(1231)與外殼(1233)。
索引機器人(1231)能向加載埠(1250)、第1輔助製程腔室(1211)、第2輔助製程腔室(1212)、第1加載互鎖腔室(1301)以及第2加載互鎖腔室(1302)分別以搬送基板方式來提供。
索引機器人(1231)能上下移動地提供。索引機器人(1231)之手臂提供成能夠在水平面上前進、後退及旋轉等。手臂可提供為一或多個。
作為一個實施例，外殼(1233)包括第1區域及第2區域。第1區域之長度方向沿著第1方向(12)提供，第2區域之長度方向沿著第2方向(14)提供。第1區域自 第1加載互鎖腔室(1301)與第2加載互鎖腔室(1302)之間延伸至第1輔助製程腔室(1211)與第2輔助製程腔室(1212)之間。第2區域以第1輔助製程腔室(1211)為基準，位於加載互鎖腔室(1300)之對面。第1區域提供為自第2區域之中央區域延伸。
在加載埠(1250)搭載有容器。加載埠(1250)鄰接第2區域配置。
容器可自外部搬送以加載於加載埠(1250)，或自加載埠(1250)卸載以搬送至外部。例如，容器也可以藉助於諸如懸掛式轉換設備的搬送手段，搬送到加載埠(1250)。選擇性地，容器可藉助於自動引導車(automatic guided vehicle)、軌道引導車(rail guided vehicle)或作業者而放於鄰接加載埠(1250)之處。
在容器中，具有收納基板之收納空間。容器在收納空間中以密閉之結構來提供。作為容器，可使用前部開放一體式盒(FOUP：front opening unified pod)。前部開放一體式盒可提供成在其內部容納約25個基板。
以下說明利用圖1之基板處理設備(10)處理基板的方法之一個實施例。根據本發明之一個實施例，按照根據基板而在多個模式中選擇之模式來處理基板。多個模式針對基板執行相互相異之處理製程。多個模式包括第1處理模式(S100)與第2處理模式(S200)。
第1處理模式(S100)包括主處理步驟及膜移除步驟。主處理步驟及膜移除步驟依次進行。主處理步驟 在主製程腔室(1130)中執行。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。膜移除步驟在輔助製程腔室(1210)中執行。在輔助製程腔室(1210)中，可執行在主處理步驟以後移除基板上殘留之反應副產物的膜移除製程。
作為一個實施例，第1處理模式(S100)之膜移除步驟可在濕式清潔腔室中提供。在濕式清潔腔室中，可藉助於濕式清潔製程而執行膜移除製程。
圖10為展示圖1之基板處理設備中第1處理模式(S100)之一個實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖10來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S111)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S112)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S113)。基板藉助於索引機器人(1231)，從緩衝單元(1330)移送至濕式清潔腔室(1212)(S114)。在濕式清潔腔室(1212)中，可藉由濕式清潔製程執行膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S115)。
作為另一實施例，第1處理模式(S100)之膜移除步驟可在熱處理腔室(1211)中藉助於熱處理製程而執 行膜移除製程。
圖11為展示圖1之基板處理設備中第1處理模式(S100)之另一實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖11來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S121)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S122)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S123)。基板藉助於索引機器人(1231)自緩衝單元(1330)移送至熱處理腔室(1211)(S124)。在熱處理腔室(1211)中，可藉由熱處理製程而執行膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S125)。
作為另一實施例，第1處理模式(S100)之膜移除步驟可執行包括在熱處理腔室(1211)中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟，及在濕式清潔腔室(1212)中經由濕式清潔製程之濕式清潔步驟的膜移除製程。
圖12為展示圖1之基板處理設備中第1處理模式(S100)之另一實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖12來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S131)。基板藉 助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S132)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S133)。基板藉助於索引機器人(1231)而自緩衝單元(1330)移送至熱處理腔室(1211)(S134)。在熱處理腔室(1211)中，可執行熱處理製程。基板藉助於索引機器人(1231)而自熱處理腔室(1211)移送至濕式清潔腔室(1212)(S135)。在濕式清潔腔室(1212)中，可藉由濕式清潔製程而執行膜移除製程。在膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S136)。
第2處理模式(S200)包括表面處理步驟、主處理步驟以及膜移除步驟。表面處理步驟、主處理步驟以及膜移除步驟依次進行。在輔助製程腔室(1210)中，針對基板進行使基板之表面變化成親水性或疏水性的表面處理步驟。主處理步驟在主製程腔室(1130)中執行。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程。膜移除步驟在輔助製程腔室(1210)中執行。在輔助製程腔室(1210)中，執行主處理步驟以後移除在基板上殘留之反應副產物的膜移除製程。
作為一個實施例，在第2處理模式(S200)中，表面處理步驟在以能夠執行表面處理製程之結構來提供的熱處理腔室(1211)中提供。
圖13為展示圖1之基板處理設備中第2處理 模式(S200)之一個實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖13來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S211)。在熱處理腔室(1211)中，可以針對基板執行表面處理製程。基板自熱處理腔室(1211)藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S212)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S213)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S214)。基板藉助於索引機器人(1231)而自緩衝單元(1330)移送至輔助製程腔室(1210)(S215)。在輔助製程腔室(1210)中，執行移除基板上殘留之反應副產物的膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S216)。
作為另一實施例，在第2處理模式(S200)中，表面處理步驟在以能夠執行表面處理製程之結構來提供的濕式清潔腔室(1212)中提供。
圖14為展示圖1之基板處理設備中第2處理模式(S200)之另一實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖14來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S221)。在濕式清潔腔室(1212)中，可針對基板執行表面處理製程。基 板自濕式清潔腔室(1212)藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S222)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S223)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S224)。基板藉助於索引機器人(1231)而自緩衝單元(1330)移送至輔助製程腔室(1210)(S225)。在輔助製程腔室(1210)中，執行移除基板上殘留之反應副產物的膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S226)。
圖6為展示圖1之基板處理設備(20)之又一實施例的俯視圖。
基板處理設備(20)具有處理模組(2100)、加載互鎖腔室(2300)以及索引模組(2200)。處理模組(2100)與加載互鎖腔室(2300)、索引模組(2200)依次配置成一列。處理模組(2100)與加載互鎖腔室(2300)與圖1之處理模組(1100)、加載互鎖腔室(1300)相同地提供。索引模組(2200)包括輔助製程腔室(2210)、移送框架(2230)、加載埠(2250)。移送框架(2230)及加載埠(2250)與圖1之移送框架(1230)、加載埠(1250)相同地提供。輔助製程腔室(2210)提供第1輔助製程腔室(2211)及第2輔助製程腔室(2212)。第1輔助製程腔室(2211)與第2輔助製程腔室(2212)均可以熱處理腔室來提供。
圖7為展示圖1之基板處理設備(30)之又一實施例的俯視圖。
基板處理設備具有處理模組(3100)、加載互鎖腔室(3300)以及索引模組(3200)。處理模組(3100)與加載互鎖腔室(3300)、索引模組(3200)依次配置成一列。處理模組(3100)與加載互鎖腔室(3300)與圖1的處理模組(1100)、加載互鎖腔室(1300)相同地提供。索引模組(3200)包括輔助製程腔室(3210)、移送框架(3230)、加載埠(3250)。移送框架(3230)及加載埠(3250)與圖1的移送框架(1230)、加載埠(1250)相同地提供。輔助製程腔室(3210)提供第1輔助製程腔室(3211)及第2輔助製程腔室(3212)。第1輔助製程腔室(3211)及第2輔助製程腔室(3212)均可以濕式清潔腔室來提供。
圖8為展示圖1之基板處理設備(40)之又一實施例的俯視圖。
基板處理設備(40)具有處理模組(4100)、加載互鎖腔室(4300)以及索引模組(4200)。處理模組(4100)與加載互鎖腔室(4300)、索引模組(4200)依次配置成一列。處理模組(4100)及加載互鎖腔室(4300)與圖1的處理模組(1100)、加載互鎖腔室(1300)相同地提供。索引模組(4200)包括輔助製程腔室(4210)、移送框架(4230)、加載埠(4250)。輔助製程腔室(4210)提供為4個，即分別提供第1輔助製程腔室(4211)、第2輔助製程腔室(4212)、第3輔助製程腔室(4213)、第4輔助製程腔室(4214)。
第1輔助製程腔室(4211)與第2輔助製程腔室(4212)依次沿著第1方向(12)提供。第3輔助製程腔室(4213)與第4輔助製程腔室依次沿著第1方向(12)提供。以移送框架為基準，在兩側面上，分別在一側提供第1輔助製程腔室(4211)及第2輔助製程腔室(4212)，在另一側提供第3輔助製程腔室(4213)及第4輔助製程腔室(4214)。第1輔助製程腔室(4211)及第2輔助製程腔室(4212)可以熱處理腔室提供。第3輔助製程腔室(4213)及第4輔助製程腔室(4214)可以濕式清潔腔室提供。作為另一實施例，第1輔助製程腔室(4211)、第2輔助製程腔室(4212)、第3輔助製程腔室(4213)、第4輔助製程腔室(4214)可選擇性地以熱處理腔室或濕式清潔腔室來提供。
圖9為以輔助製程腔室提供的熱處理腔室(300)之另一實施例的剖面圖。
熱處理腔室(300)提供有外殼(310)。在外殼(310)內部提供有支撐基板之基板支撐單元(330)。在外殼(310)內部，包括供應氣體之氣體供應單元(350)，及使得自所供應氣體產生電漿之電漿源(370)，且在該基板支撐單元(330)中提供對基板加熱之加熱單元(390)。熱處理腔室(300)可執行灰化製程。
以下說明利用在圖1之基板處理設備中以圖9之熱處理腔室(300)提供的基板處理設備來處理基板的方法之一個實施例。根據本發明之一個實施例，按照根據基板而在多個模式中選擇之模式來處理基板。多個模式針對 基板執行相互相異的處理製程。多個模式包括第1處理模式(S100)、第2處理模式(S200)、第3處理模式(S300)以及第4處理模式(S400)。
第1處理模式(S100)及第2處理模式(S200)與在圖1之基板處理設備中執行的第1處理模式(S100)及第2處理模式(S200)相同。
第3處理模式(S300)包括灰化步驟及主處理步驟。灰化步驟及主處理步驟依次進行。灰化步驟在輔助製程腔室(1210)中執行。在輔助製程腔室(1210)中，針對基板執行灰化製程。主處理步驟在主製程腔室(1130)中執行。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程。
圖15為展示在圖1之基板處理設備中第3處理模式(S300)之一個實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖15來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S311)。在熱處理腔室(1211)中，可針對基板執行灰化製程。基板自熱處理腔室(1211)藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S312)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S313)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S314)。基板藉助於索引機器人(1231)而自緩衝單 元(1330)移送至置放於加載埠(1250)之容器(S315)。
作為另一實施例，第3處理模式(S300)可在主處理步驟之後，包括膜移除步驟來執行。
作為一個實施例，在第3處理模式(S300)中，膜移除步驟可在濕式清潔腔室(1212)中提供。在濕式清潔腔室(1212)中，可藉助於濕式清潔製程而執行膜移除製程。
圖16為展示圖1之基板處理設備中第3處理模式(S300)之另一實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖16來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S321)。在熱處理腔室(1211)中，可針對基板執行灰化製程。基板自熱處理腔室(1211)藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S322)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S323)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S324)。基板藉助於索引機器人(1231)而至緩衝單元(1330)移送至濕式清潔腔室(1212)(S325)。在濕式清潔腔室(1212)中，可藉由濕式清潔製程執行膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S326)。
作為另一實施例，在第3處理模式(S300)中，膜移除步驟可在熱處理腔室(1211)中提供。在熱處理腔室 (1211)中，可藉助於熱處理製程而執行膜移除製程。
圖17為展示在圖1之基板處理設備中第3處理模式(S300)之另一實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖17來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S331)。在熱處理腔室(1211)中，可針對基板執行灰化製程。基板自熱處理腔室(1211)藉助於索引機器人(1231)而移送至緩衝單元(1330)(S332)。基板藉助於移送機器人(1113)而自緩衝單元(1330)移送至主製程腔室(1130)(S333)。在主製程腔室(1130)中，針對基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程等。主處理步驟後，基板藉助於移送機器人(1113)而移送至緩衝單元(1330)(S334)。基板藉助於索引機器人(1231)而自緩衝單元(1330)移送至熱處理腔室(1211)(S335)。在熱處理腔室(1211)中，可藉由熱處理製程而執行膜移除製程。膜移除步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S336)。
作為另一實施例，在基板處理方法中，多個模式中之第1處理模式(S100)、第2處理模式(S200)以及第3處理模式(S300)可在主處理步驟之後亦包括冷卻步驟。冷卻步驟可在加載互鎖腔室(1300)內之冷卻單元(1310)中執行。
第4處理模式(S400)包括灰化步驟及濕式清潔步驟。灰化步驟及濕式清潔步驟依次進行。灰化步驟在 熱處理腔室(1211)中執行。在熱處理腔室(1211)中，可針對基板執行灰化製程。濕式清潔步驟在濕式清潔腔室(1212)中執行。在濕式清潔腔室(1212)中，針對基板執行濕式清潔製程。
圖18為展示圖1之基板處理設備中第4處理模式(S400)之一個實施例的基板搬送路徑的圖。以下參照圖18來說明基板之搬送路徑。
基板自置放於加載埠(1250)之容器、藉助於索引機器人(1231)而移送至熱處理腔室(1211)(S411)。在熱處理腔室(1211)中，可針對基板執行灰化製程。基板自熱處理腔室(1211)藉助於索引機器人(1231)而移送至濕式清潔腔室(1212)(S412)。在濕式清潔腔室(1212)中執行濕式清潔製程。濕式清潔步驟後，基板藉助於索引機器人(1231)而移送至置放於加載埠(1250)之容器(S413)。
以上詳細說明為對本發明之例示。另外，前述內容展示且說明本發明之較佳實施形態，本發明可在多樣的其他組合、變更及環境下使用。亦即，在本說明書中揭示的發明之概念的範圍、與所記載揭示內容等效之範圍及/或所屬領域之技術或知識的範圍內，可加以變更或修訂。所記載實施例說明用於體現本發明技術思想之最佳狀態，可進行本發明之具體應用領域及用途所要求的多種變更。因此，以上發明之詳細說明並非意欲將本發明限定於所揭示實施形態。另外，隨附申請專利範圍應解釋為亦包括其他實施狀態。
10‧‧‧基板處理設備
12‧‧‧第1方向
14‧‧‧第2方向
16‧‧‧第3方向
1100‧‧‧處理模組
1110‧‧‧移送腔室
1111‧‧‧外殼
1113‧‧‧移送機器人
1130‧‧‧主製程腔室
1200‧‧‧索引模組
1210‧‧‧輔助製程腔室
1211‧‧‧第1輔助製程腔室
1212‧‧‧第2輔助製程腔室
1230‧‧‧移送框架
1231‧‧‧索引機器人
1233‧‧‧外殼
1250‧‧‧加載埠
1300‧‧‧加載互鎖腔室
1301‧‧‧第1加載互鎖腔室
1302‧‧‧第2加載互鎖腔室

Claims (27)

  1. 一種基板處理設備，其包括：處理模組，係具有針對該基板執行主處理之主製程腔室；索引模組，係包括供容納該基板之容器進行置放的加載埠、針對該基板執行輔助處理之輔助製程腔室，以及移送該基板之索引機器人；以及加載互鎖腔室，係配置於該處理模組與該索引模組之間；其中，該處理模組、該加載互鎖腔室以及該輔助製程腔室沿著第1方向依次配置；該索引機器人提供成能分別向該加載埠、該輔助製程腔室及該加載互鎖腔室搬送基板；以及該輔助製程腔室包括：熱處理腔室，係針對該基板執行熱處理；以及濕式清潔腔室，係針對該基板執行濕式清潔。
  2. 如請求項1之基板處理設備，其中，該索引模組包括其長度方向沿該第1方向提供之引導設備，該索引機器人能夠沿著該引導設備移動地提供。
  3. 如請求項1之基板處理設備，其中，該主製程腔室以能夠執行乾式清潔製程之結構來提供。
  4. 如請求項1之基板處理設備，其中，該主製程腔室以能夠執行乾式蝕刻製程之結構來提供。
  5. 如請求項1之基板處理設備，其中，該加載互鎖腔室 包括：緩衝單元，係在該輔助製程腔室與該處理模組間移送該基板時，供該基板逗留；以及冷卻單元，其使該基板冷卻。
  6. 如請求項5之基板處理設備，其中，該緩衝單元與該冷卻單元上下相互層疊地提供。
  7. 如請求項1至6中任一項之基板處理設備，其中，該加載互鎖腔室與該輔助製程腔室分別提供為多個；及該加載互鎖腔室以該索引機器人為基準，分別在該第1方向之一側及另一側提供，該輔助製程腔室以該索引機器人為基準，分別在該第1方向之一側及另一側提供。
  8. 如請求項7之基板處理設備，其中，該加載互鎖腔室沿著與該第1方向垂直之第2方向配置；及該輔助製程腔室沿著該第2方向配置。
  9. 如請求項1之基板處理設備，其中，該處理模組亦包括提供有移送該基板之移送機器人之移送腔室；且在該移送腔室四周配置有該主製程腔室及該加載互鎖腔室。
  10. 如請求項1之基板處理設備，其中，該熱處理腔室包括：外殼；基板支撐單元，係配置於該外殼內並支撐該基板；氣體供應單元，係向該外殼內供應氣體； 電漿源，其使得自該氣體產生電漿；以及加熱單元，係在該基板支撐單元中提供並對該基板加熱。
  11. 一種基板處理設備，其包括：處理模組，係包括針對該基板執行主處理之主製程腔室、及使該基板搬送之移送腔室；索引模組，係包括供容納該基板之容器進行置放的加載埠、針對該基板執行輔助處理之輔助製程腔室、以及移送該基板之索引機器人；以及加載互鎖腔室，係配置於該處理模組與該索引模組之間；其中在該索引機器人之兩側，該加載互鎖腔室在各側面各配置一個；該加載互鎖腔室以第1加載互鎖腔室及第2加載互鎖腔室來提供；該輔助製程腔室以第1輔助製程腔室及第2輔助製程腔室來提供；在該索引機器人之一側提供第1加載互鎖腔室；在該索引機器人之另一側提供第2加載互鎖腔室；該第1輔助製程腔室沿著在該索引機器人之一側配置的該第1加載互鎖腔室與該第1方向提供；該第2輔助製程腔室沿著在該索引機器人之另一側配置的該第2加載互鎖腔室與該第1方向提供；該第1加載互鎖腔室與該第1輔助製程腔室及該加載 埠依次沿著該第1方向配置；該第2加載互鎖腔室與該第2輔助製程腔室及該加載埠依次沿著該第1方向配置；該索引機器人提供成能夠向該第1加載互鎖腔室、該第2加載互鎖腔室、該第1輔助製程腔室、該第2輔助製程腔室、及置放於該加載埠之容器搬送該基板；該第1輔助製程腔室以針對該基板執行熱處理製程之熱處理腔室來提供；及該第2輔助製程腔室以針對該基板執行濕式清潔製程之濕式清潔腔室來提供。
  12. 如請求項11之基板處理設備，其中，該索引模組包括其長度方向沿著該第1方向提供的引導設備；且該索引機器人能夠沿著該引導設備移動地提供。
  13. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：利用如請求項11之基板處理設備來處理基板，以及按照根據該基板而在多個模式中選擇之模式來處理該基板；其中，該多個模式針對該基板執行處理之製程相互相異。
  14. 如請求項13之基板處理方法，其中，該多個模式包括第1處理模式；該第1處理模式包括：主處理步驟，係在主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及 膜移除步驟，係包括在該主處理步驟以後，在輔助製程腔室中移除在該基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
  15. 如請求項14之基板處理方法，其中，該膜移除步驟包括在濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
  16. 如請求項14之基板處理方法，其中，該膜移除步驟包括在熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟。
  17. 如請求項14之基板處理方法，其中，該膜移除步驟包括：在熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟；以及在濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
  18. 如請求項13之基板處理方法，其中，該多個模式包括第2處理模式；該第2處理模式包括：表面處理步驟，係在輔助製程腔室中針對該基板來使基板之表面變化為親水性或疏水性；主處理步驟，係在主製程腔室中針對該基板來執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，係包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在該基板上殘留之反應副產物的副 產物移除製程。
  19. 如請求項18之基板處理方法，其中，該膜移除步驟包括在濕式清潔腔室中藉助於濕式清潔而達成的濕式清潔步驟。
  20. 如請求項18之基板處理方法，其中，該膜移除步驟包括在熱處理腔室中藉助於熱處理製程而達成的熱處理步驟。
  21. 如請求項18之基板處理方法，其中，熱處理腔室以供應將該基板之表面變化為親水性或疏水性之氣體的結構來提供；及該表面處理步驟在該熱處理腔室中執行。
  22. 如請求項18之基板處理方法，其中，濕式清潔腔室以供應使該基板之表面變化為親水性或疏水性之化學液的結構來提供；且該表面處理步驟在該濕式清潔腔室中執行。
  23. 如請求項13之基板處理方法，其中，輔助製程腔室以能夠執行灰化製程之結構來提供；該多個模式包括第3處理模式；該第3處理模式包括：在該輔助製程腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔或乾式蝕刻製程的主處理步驟。
  24. 如請求項23之基板處理方法，其中，包括膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該 輔助製程腔室中移除在該基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程。
  25. 如請求項23之基板處理方法，其中，該輔助製程腔室以能夠執行灰化製程之結構來提供；該多個模式包括第4處理模式；該第4處理模式包括：在該熱處理腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該濕式清潔腔室中執行濕式清潔製程的濕式清潔步驟。
  26. 如請求項14至24中任一項之基板處理方法，其中，該加載互鎖腔室包括在該基板移送時供該基板逗留之緩衝單元及使該基板冷卻之冷卻單元；且在該主處理步驟之後，亦包括在該冷卻單元中對該基板進行冷卻的步驟。
  27. 一種基板處理方法，其包括以下步驟：利用如請求項13之基板處理設備來處理基板；以及按照根據該基板而在多個模式中選擇之模式來處理該基板；其中，輔助製程腔室以能夠執行灰化製程的結構來提供；該多個模式包括選自以下模式中之至少兩種以上的模式：第1處理模式，係包括：主處理步驟，其在主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，係包括在該主處理步驟以後， 在輔助製程腔室中移除在該基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程；第2處理模式，係包括：表面處理步驟，其在該輔助製程腔室中針對該基板來使基板之表面變化為親水性或疏水性；主處理步驟，其在該主製程腔室中針對該基板來執行乾式清潔製程或乾式蝕刻製程；以及膜移除步驟，其包括在該主處理步驟以後，在該輔助製程腔室中移除在該基板上殘留之反應副產物的副產物移除製程；第3處理模式，係包括在該輔助製程腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該主製程腔室中針對該基板執行乾式清潔或乾式蝕刻製程的主處理步驟；以及第4處理模式，係包括在該熱處理腔室中執行灰化製程的灰化步驟；以及在該濕式清潔腔室中執行濕式清潔製程的濕式清潔步驟。
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