KR20230067075A - 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비 - Google Patents

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KR20230067075A
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buffer chamber
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semiconductor manufacturing
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엄영제
박완재
김동훈
이성길
오동섭
노명섭
한민성
이재후
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Abstract

PM별로 개별 LL을 구성하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비를 제공한다. 상기 반도체 제조 설비는, 제1 반송 로봇을 포함하며, 제1 반송 로봇을 이용하여 컨테이너에 탑재된 기판을 인출하여 전달하는 인덱스 모듈; 제2 반송 로봇을 포함하며, 제2 반송 로봇을 이용하여 인덱스 모듈에 의해 전달되는 기판을 중계하는 트랜스퍼 모듈; 트랜스퍼 모듈에 의해 중계되는 기판을 히팅시키는 버퍼 챔버; 및 버퍼 챔버에 의해 히팅된 기판을 처리하는 공정 챔버를 포함하며, 버퍼 챔버는 기판이 공정 챔버로 반입되기 전에 대기하는 동안 기판을 히팅시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비 {Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 세정 처리하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 사진 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
웨이퍼 상에서 오염 물질(예를 들어, 파티클(Particle))을 제거하는 세정 공정의 경우, 드라이 클린(Dry Clean) 설비에서 라디칼(Radical)을 이용하여 웨이퍼를 건식 세정할 수 있다.
이때, 타겟 웨이퍼(Target Wafer)를 드라이 클린 설비에 투입하기 전에 타겟 웨이퍼의 온도를 적정 온도로 맞추어 주어야 하며, 이를 위해서는 소정 시간동안 타겟 웨이퍼를 히팅(Heating)시켜야 한다.
그런데, 종래의 설비는 소수의 LL(Load Lock)로 다수의 PM(Process Module)에 대응해야 하기 때문에, 타겟 웨이퍼를 드라이 클린 설비에 투입하기까지 많은 시간이 소요되고 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, PM별로 개별 LL을 구성하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 설비의 일 면(Aspect)은, 제1 반송 로봇을 포함하며, 상기 제1 반송 로봇을 이용하여 컨테이너에 탑재된 기판을 인출하여 전달하는 인덱스 모듈; 제2 반송 로봇을 포함하며, 상기 제2 반송 로봇을 이용하여 상기 인덱스 모듈에 의해 전달되는 상기 기판을 중계하는 트랜스퍼 모듈; 상기 트랜스퍼 모듈에 의해 중계되는 상기 기판을 히팅시키는 버퍼 챔버; 및 상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 처리하는 공정 챔버를 포함하며, 상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시킨다.
상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버에 의해 처리된 상기 기판이 반출되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시킬 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 공정 챔버에 개별로 마련될 수 있다. 상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 대기압 환경일 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 반입되는 상기 공정 챔버의 전면에 결합될 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 히팅되는 동안 상기 기판에 퍼지 가스를 제공할 수 있다.
상기 퍼지 가스는 상온보다 높은 고온의 가스일 수 있다.
상기 제2 반송 로봇은 상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 상기 공정 챔버로 반송하며, 상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 진공 환경일 수 있다.
상기 제2 반송 로봇의 엔드 이펙터에는 열선이 설치될 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 트랜스퍼 모듈의 내부에 설치될 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 인덱스 모듈과의 접면 내에 설치되거나, 상기 접면과 마주하는 면 내에 더 설치되거나, 또는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우 서로 다른 두 공정 챔버의 사이 구간에 설치될 수 있다. 상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 진공 환경일 수 있다.
상기 버퍼 챔버는 상기 기판을 기준 온도 이상으로 히팅시키며, 상기 기준 온도는 상기 공정 챔버에서의 상기 기판의 즉시 처리가 가능한 온도일 수 있다.
상기 공정 챔버는 라디칼을 이용하여 상기 기판을 세정하는 챔버일 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조 설비의 다른 면은, 제1 반송 로봇을 포함하며, 상기 제1 반송 로봇을 이용하여 컨테이너에 탑재된 기판을 인출하여 전달하는 인덱스 모듈; 제2 반송 로봇을 포함하며, 상기 제2 반송 로봇을 이용하여 상기 인덱스 모듈에 의해 전달되는 상기 기판을 중계하는 트랜스퍼 모듈; 상기 트랜스퍼 모듈에 의해 중계되는 상기 기판을 히팅시키는 버퍼 챔버; 및 상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 처리하는 공정 챔버를 포함하되, 상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키고, 상기 공정 챔버에 의해 처리된 상기 기판이 반출되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키며, 상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 공정 챔버에 개별로 마련되고, 상기 기판이 반입되는 상기 공정 챔버의 전면에 결합되며, 상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 히팅되는 동안 상기 기판에 퍼지 가스를 제공하고, 상기 퍼지 가스는 상온보다 높은 고온의 가스이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면은, 기판을 처리하는 공정 챔버; 및 상기 기판이 대기하는 공간을 제공하는 버퍼 챔버를 포함하며, 상기 기판은 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 상기 버퍼 챔버에서 대기하고, 상기 공정 챔버에 의해 처리된 후 반출되기 전에 상기 버퍼 챔버에서 대기하며, 상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시킨다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제1 예시도이다.
도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버와 공정 챔버 간 기판 이동 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버와 공정 챔버 간 기판 이동 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 PM(Process Module)별로 개별 LL(Load Lock)을 구성하는 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1에 따르면, 반도체 제조 설비(100)는 로드 포트 모듈(Load Port Module; 110), 인덱스 모듈(Index Module; 120), 트랜스퍼 모듈(Transfer Module; 130), 공정 챔버(Process Chamber; 140) 및 버퍼 챔버(Buffer Chamber; 150)를 포함하여 구성될 수 있다.
반도체 제조 설비(100)는 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 시스템으로서, 열처리 공정(Bake Process), 식각 공정(Etching Process), 세정 공정(Cleaning Process) 등 다양한 공정을 거쳐 복수 개의 기판을 처리할 수 있다. 반도체 제조 설비(100)는 기판의 이송을 처리하는 반송 로봇(210, 220)과 그 주위에 마련되는 기판 처리 모듈인 복수 개의 공정 챔버(140)를 포함하여 멀티 챔버형 반도체 제조 설비로 마련될 수 있다.
반도체 제조 설비(100)는 상호 밀접하게 배치되는 인덱스 모듈(120) 및 트랜스퍼 모듈(130)을 공유하도록 구성될 수 있다. 즉, 인덱스 모듈(120) 및 트랜스퍼 모듈(130)을 사이에 두고, 복수 개의 로드 포트 모듈(110)은 인덱스 모듈(120)의 일측에 배치되고, 복수 개의 공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)의 양측에 배치될 수 있다. 반도체 제조 설비(100)가 이와 같이 구성되면, 각각 하나의 기판 핸들링 장치(210, 220)로도 복수 개의 로드 포트 모듈(110) 및 복수 개의 공정 챔버(140)를 운용하는 것이 가능해지며, 이에 따라 메인트 공간 확보 및 공간 효율성 향상의 효과를 얻을 수 있다.
로드 포트 모듈(LPM; 110)은 복수 개의 기판을 탑재하는 컨테이너(230)(예를 들어, FOUP(Front Opening Unified Pod))에 안착면을 제공하는 것이다. 이러한 로드 포트 모듈(110)은 제1 반송 로봇(210)이 컨테이너(230)에 탑재된 기판을 반송할 수 있도록 컨테이너(230)의 도어(Door)를 개폐(Open and Close)시키는 역할을 할 수 있다.
로드 포트 모듈(110)은 인덱스 모듈(120)의 외측에 인접하여 복수 개 설치될 수 있다. 이 경우, 각각의 로드 포트 모듈(110) 상에 안착되는 컨테이너(230)는 동일한 물건을 탑재할 수 있으나, 서로 다른 물건을 탑재하는 것도 가능하다. 예를 들어, 복수 개의 컨테이너(230) 중 몇몇의 컨테이너(230)는 기판을 탑재하고, 다른 몇몇의 컨테이너(230)는 소모성 부품(예를 들어, Focus Ring)을 탑재할 수 있다.
인덱스 모듈(120)은 로드 포트 모듈(110) 상의 컨테이너(230)와 트랜스퍼 모듈(130)의 제2 반송 로봇(220) 사이에서 기판의 반송이 이루어지도록 제공되는 인터페이스 모듈이다. 이러한 인덱스 모듈(120)은 EFEM(Equipment Front End Module), SFEM 등 전방 단부 모듈(FEM; Front End Module)의 형태로 마련될 수 있다.
인덱스 모듈(120)은 인터페이스 모듈로서의 역할을 하기 위해 그 내부에 제1 반송 로봇(210)을 포함하여 구성될 수 있다. 제1 반송 로봇(210)은 컨테이너(230)에 탑재된 미처리 기판을 반출하여 트랜스퍼 모듈(130)의 제2 반송 로봇(220)을 통해 공정 챔버(140)로 제공하거나, 공정 챔버(140)로부터 처리 기판이 제공되면 처리 기판을 컨테이너(230)에 반입하는 역할을 할 수 있다. 제1 반송 로봇(210)은 대기압 환경에서 동작할 수 있으며, 예를 들어 ATM(Atmosphere Transfer Module) Robot으로 마련될 수 있다.
제1 반송 로봇(210)은 로드 포트 모듈(110) 상에 안착되는 컨테이너(230)를 모두 관리하기 위해 인덱스 모듈(120) 내에 설치되는 제1 레일(240)을 따라 이동할 수 있다. 제1 레일(240)은 복수 개의 로드 포트 모듈(110)의 배열 방향에 평행한 방향(즉, 제1 방향(10))으로 설치될 수 있다.
제1 반송 로봇(210)은 하나의 제1 레일(240) 상에 복수 개 설치될 수 있다. 또는, 제1 레일(240)이 복수 개 설치되고, 각각의 제1 레일(240) 상에 하나의 제1 반송 로봇(210)이 설치될 수도 있다. 또는, 제1 레일(240)이 복수 개 설치되고, 적어도 하나의 제1 레일(240) 상에 복수 개의 제1 반송 로봇(210)이 설치될 수도 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 반송 로봇(210)과 제1 레일(240)은 각각 한 개씩 인덱스 모듈(120) 내에 구비되는 것도 가능하다.
제1 반송 로봇(210)이 복수 개 설치되는 경우, 몇몇의 제1 반송 로봇(210)이 정상적으로 작동하지 않을 수도 있다. 본 실시예에서는 이러한 경우, 정상적으로 작동하는 다른 몇몇의 제1 반송 로봇(210)이 그 역할을 대신 담당하도록 제어하는 것도 가능하다. 즉, 본 발명에서는 제1 반송 로봇(210)을 복수 개 설치함으로써, 적어도 하나의 제1 반송 로봇(210)이 정상적으로 작동하지 않는 경우에도 대비하는 효과를 얻을 수 있다.
한편, 도 1에는 도시되어 있지 않지만, 인덱스 모듈(120)은 버퍼 유닛(Buffer Unit) 및 정렬 유닛(Aligner)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 버퍼 유닛은 컨테이너(230)로부터 반출된 미처리 기판이나 컨테이너(230)로 반입될 처리 기판을 임시 저장하는 역할을 한다. 버퍼 유닛은 기판을 임시 저장하는 동안, 기판을 가열하여 파티클(Particle)이나 퓸(Fume) 등을 제거하는 역할을 할 수도 있다.
한편, 정렬 유닛은 제1 반송 로봇(210)이 기판을 반송하는 경우, 제1 반송 로봇(210)의 엔드 이펙터(End Effector) 상에 안착된 기판을 정렬시키는 역할을 한다.
트랜스퍼 모듈(130)은 인덱스 모듈(120)과 연동하여 로드 포트 모듈(110)과 공정 챔버(140) 사이에서 기판을 이송하는 것이다. 트랜스퍼 모듈(130)는 이를 위해 제2 반송 로봇(220) 및 제2 레일(250)을 포함할 수 있다.
제2 반송 로봇(220)은 미처리 기판을 공정 챔버(140)로 이송하거나, 기처리 기판을 제1 반송 로봇(210)을 통해 로드 포트 모듈(110)로 이송할 수 있다. 트랜스퍼 모듈(130)의 각 변은 이를 위해 인덱스 모듈(120) 및 복수 개의 공정 챔버(140)와 연결될 수 있다.
한편, 제2 반송 로봇(220)은 진공 환경에서 동작하며, 회동이 자유롭게 마련될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 반송 로봇(220)은 제1 반송 로봇(210)과 마찬가지로 대기압 환경에서 동작하는 것도 가능하다.
제2 반송 로봇(220)은 하나의 제2 레일(250) 상에 복수 개 설치될 수 있다. 또는, 제2 레일(250)이 복수 개 설치되고, 각각의 제2 레일(250) 상에 하나의 제2 반송 로봇(220)이 설치될 수도 있다. 또는, 제2 레일(250)이 복수 개 설치되고, 적어도 하나의 제2 레일(250) 상에 복수 개의 제2 반송 로봇(220)이 설치될 수도 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제2 반송 로봇(220)과 제2 레일(250)은 각각 한 개씩 인덱스 모듈(120) 내에 구비되는 것도 가능하다.
공정 챔버(140)는 기판을 처리하는 것이다. 이러한 공정 챔버(140)는 세정 공정을 이용하여 기판을 처리하는 클리닝 챔버(Cleaning Chamber)로 마련될 수 있다. 공정 챔버(140)는 예를 들어, 라디칼(Radical)을 이용하여 기판을 건식 세정하는 드라이 클린 설비(Dry Clean Equipment)로 마련될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 공정 챔버(140)는 식각 공정을 이용하여 기판을 처리하는 에칭 챔버(Etching Chamber), 열처리 공정을 이용하여 기판을 처리하는 베이크 챔버(Bake Chamber) 등으로 마련되는 것도 가능하다.
공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)의 둘레에 복수 개 배치될 수 있다. 이 경우, 각각의 공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)로부터 기판을 공급받아 기판을 공정 처리하며, 공정 처리된 기판을 트랜스퍼 모듈(130)로 제공할 수 있다.
공정 챔버(140)는 원통 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 공정 챔버(140)는 표면이 양극 산화막이 형성된 알루마이트(Alumite)로 이루어질 수 있으며, 그 내부는 기밀하게 구성될 수 있다. 한편, 공정 챔버(140)는 원통 형상 외의 다각형 형상 등으로 형성되는 것도 가능하다.
버퍼 챔버(150)는 공정 챔버(140)로 반입되는 미처리 기판, 공정 챔버(140)에서 반출되는 기처리 기판 등을 임시 대기시키는 것이다. 버퍼 챔버(150)는 예를 들어, 로드락 챔버(Load Lock Chamber)로 마련될 수 있다.
버퍼 챔버(150)는 공정 챔버(140)의 전면에 설치될 수 있다. 이 경우, 버퍼 챔버(150)는 공정 챔버(140)와 동일 개수 구비될 수 있다. 즉, 버퍼 챔버(150)는 전용 챔버로 마련될 수 있다. 본 발명에서는 이와 같이 공정 챔버(140)별로 개별 버퍼 챔버(150)를 구성함으로써, 기판을 해당 공정 챔버(140)로 반입하기까지 소요되는 시간을 단축시키는 효과를 얻을 수 있다. 이하 설명에서는 공정 챔버(140)의 전면에 배치되는 버퍼 챔버(150)와 공정 챔버(140)를 묶어서 기판 처리 장치로 정의하기로 한다.
버퍼 챔버(150)는 기판이 공정 챔버(140)로 반입되기 전에 상기 기판을 가열시키는 역할을 할 수 있다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제1 예시도이다.
도 2에 따르면, 버퍼 챔버(150)는 하우징(310), 개폐 도어(320), 전원 공급부(330), 가열 플레이트(Heating Plate; 340) 및 퍼지 가스 공급부(350)를 포함하여 구성될 수 있다.
개폐 도어(320)는 하우징(310)의 측벽에 설치될 수 있으며, 그 개폐에 따라 하우징(310)의 내부를 외부에 노출시킬 수 있다. 개폐 도어(320)의 작동에 따라 하우징(310)의 내부가 외부로 노출되면, 제2 반송 로봇(220)은 미처리 기판을 버퍼 챔버(150)로 반입시키거나, 기처리 기판을 버퍼 챔버(150)로부터 반출시킬 수 있다.
전원 공급부(330)는 가열 플레이트(340)에 전력을 공급하는 것이다. 가열 플레이트(340)는 전원 공급부(330)에 의해 전력이 공급되면, 상기 전력을 이용하여 기판(W)을 가열시킬 수 있다.
가열 플레이트(340)는 기판(W)을 가열하는 것이다. 가열 플레이트(340)는 그 내부에 발열체를 포함하며, 전원 공급부(330)에 의해 공급된 전력으로 상기 발열체를 작동시켜 기판(W)을 가열할 수 있다.
가열 플레이트(340)는 기판(W)을 가열하기 위해 기판(W)의 양측에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 즉, 가열 플레이트(340)는 기판(W)의 에지 영역을 가열할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 가열 플레이트(340)는 기판(W)의 전체 영역을 가열하는 것도 가능하다. 가열 플레이트(340)는 이와 같은 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 기판(W)에 안착면을 제공하는 평판형 플레이트로 마련될 수 있다.
가열 플레이트(340)가 도 3의 평판형 플레이트로 마련되는 경우, 기판(W)의 전면을 효과적으로 가열하기 위해 가열 플레이트(340)의 면적은 기판(W)의 면적보다 크거나 기판(W)의 면적과 동일할 수 있다. 한편, 가열 플레이트(340)의 면적은 기판(W)의 면적보다 작을 수도 있으며, 이 경우 가열 플레이트(340)는 기판(W)의 센터 영역(즉, 기판(W)의 일부 영역)을 가열할 수 있다. 도 3은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버의 내부 구조를 개략적으로 도시한 제2 예시도이다.
다시 도 2를 참조하여 설명한다.
퍼지 가스 공급부(350)는 하우징(310)의 내부로 퍼지 가스(Purge Gas)를 공급하는 것이다. 이러한 퍼지 가스 공급부(350)는 하우징(310)의 상부에 설치될 수 있으나, 하우징(310)의 측벽에 설치되는 것도 가능하다.
퍼지 가스 공급부(350)는 하우징(310)의 내부로 퍼지 가스를 공급하여 기판(W)에 잔여하는 파티클(Particle)을 제거할 수 있다. 퍼지 가스는 예를 들어, N2 가스이거나 Ar 가스일 수 있다. 이 경우, 퍼지 가스 공급부(350)는 고온의 퍼지 가스(Hot Purge Gas)를 공급하여 하우징(310)의 내부 온도를 상승시킴과 더불어, 파티클 제거 효율을 더욱 향상시킬 수도 있다.
퍼지 가스 공급부(350)가 고온의 퍼지 가스를 공급하는 경우, 퍼지 가스는 상온(예를 들어, 15℃) 이상의 가스일 수 있다. 바람직하게는, 퍼지 가스는 50℃ 이상의 가스일 수 있다. 또는, 퍼지 가스는 150℃ 이상의 가스일 수 있다.
버퍼 챔버(150)가 공정 챔버(140)의 전면에 배치되는 경우, 기판(W)은 버퍼 챔버(150) 내에서 히팅된 후, 공정 챔버(140)로 이동할 수 있다. 이 경우, 기판(W)은 버퍼 챔버(150)와 공정 챔버(140) 사이에 마련된 도어(360)를 통해 버퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(140)로 이동할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버와 공정 챔버 간 기판 이동 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
버퍼 챔버(150) 내에서 기판(W)이 소정 온도까지 히팅되면, 도어(410)는 기판(W)이 버퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(140)로 이동할 수 있도록 개방될 수 있다. 그러면, 기판(W)은 버퍼 챔버(150)와 공정 챔버(140) 사이에 개방된 구간(420)을 통해 버퍼 챔버(150) 내에서 공정 챔버(140) 내로 이동할 수 있다.
상기의 경우, 기판(W)은 버퍼 챔버(150) 내에 마련되는 반송 장치에 의해 버퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(140)로 이동할 수 있다. 이 경우, 버퍼 챔버(150)의 내부와 공정 챔버(140)의 내부가 각각 진공 환경을 유지하는 효과를 얻을 수 있다. 상기에서, 반송 장치는 로봇 암(Robot Arm)일 수 있으나, 본 실시예에서는 기판(W)을 반송시킬 수 있다면 그 어떠한 장치도 가능하다.
기판(W)은 트랜스퍼 모듈(130)의 제2 반송 로봇(220)에 의해 버퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(140)로 이동할 수도 있다. 이 경우, 버퍼 챔버(150)의 내부와 공정 챔버(140)의 내부가 각각 진공 환경을 유지하기 위해, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부는 진공 환경으로 조성됨은 물론이다.
한편, 기판(W)을 버퍼 챔버(150)에서 공정 챔버(140)로 이동시키는 장치가 로봇 암인 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 로봇 암의 엔드 이펙터(430)의 표면에는 열선(440)이 형성될 수 있다. 그러면, 로봇 암이 기판(W)을 반송하는 도중에도 기판(W)이 일정 온도 이상을 유지하는 것이 가능해진다. 도 5는 본 발명의 다양한 실시예에 따른 반도체 제조 설비를 구성하는 버퍼 챔버와 공정 챔버 간 기판 이동 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
앞서 설명하였지만, 제2 반송 로봇(220)은 진공 환경에서 동작할 수 있으며, 대기압 환경에서 동작할 수도 있다. 제2 반송 로봇(220)이 진공 환경에서 동작하는 경우, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부는 진공 환경을 조성하게 되며, 제2 반송 로봇(220)이 대기압 환경에서 동작하는 경우, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부는 대기압 환경을 조성하게 된다.
공정 챔버(140)는 기판(W)의 처리를 위해 그 내부가 진공 환경으로 조성되며, 버퍼 챔버(150)는 기판(W)의 처리 전(前) 대기 또는 처리 후(後) 대기를 위해 그 내부가 진공 환경으로 조성된다. 따라서 트랜스퍼 모듈(130)의 내부가 대기압 환경을 조성하는 경우에는, 각각의 공정 챔버(140)의 전면에 버퍼 챔버(150)가 설치될 수 있다. 이 경우, 버퍼 챔버(150)는 공정 챔버(140)와 동일 개수 구비됨은 물론이다.
반면, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부가 진공 환경을 조성하는 경우에는, 각각의 공정 챔버(140)의 전면에 버퍼 챔버(150)가 설치되지 않을 수도 있다. 즉, 버퍼 챔버(150)는 공용 챔버로 마련될 수 있으며, 공정 챔버(140)보다 적은 개수 구비될 수 있다.
상기의 경우, 버퍼 챔버(150)는 인덱스 모듈(120)에 인접하는 트랜스퍼 모듈(130)의 내벽에 설치될 수 있다. 도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
그런데, 버퍼 챔버(150)가 도 6에 도시된 바와 같이 설치되면, 기판(W)이 소정 온도까지 버퍼 챔버(150) 내에서 히팅된 후, 제1 공정 챔버(140a) 및 제2 공정 챔버(140b)까지 이동하는 거리가 짧기 때문에, 제1 공정 챔버(140a) 및 제2 공정 챔버(140b) 내에서 기판(W)을 다시 히팅시키지 않고 바로 처리할 수 있다.
반면, 제5 공정 챔버(140e) 및 제6 공정 챔버(140f)의 경우, 기판(W)이 버퍼 챔버(150) 내에서 히팅된 후, 이동하는 거리가 길기 때문에, 제5 공정 챔버(140e) 및 제6 공정 챔버(140f) 내에서 다시 히팅시켜야 할 수도 있다. 따라서 본 실시예에서는 이러한 경우를 참작하여 버퍼 챔버(150)를 도 7에 도시된 바와 같이 인덱스 모듈(120) 및 공정 챔버(140)에 인접하지 않는 트랜스퍼 모듈(130)의 내벽에 추가로 설치하는 것도 가능하다. 도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
또는, 도 8에 도시된 바와 같이 버퍼 챔버(150)를 트랜스퍼 모듈(130)의 내벽 중 서로 다른 두 공정 챔버(140)의 사이 영역에 마련하는 것도 가능하다. 도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
한편, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부가 진공 환경을 조성하는 경우에도, 각각의 공정 챔버(140)의 전면에 버퍼 챔버(150)가 설치될 수 있다. 즉, 버퍼 챔버(150)는 트랜스퍼 모듈(130)의 내부가 진공 환경으로 조성되는 경우에도 공정 챔버(140)와 동일 개수 구비될 수 있다.
한편, 버퍼 챔버(150)를 도 6에 도시된 구조로 설치하는 경우, 버퍼 챔버(150)에서 제5 공정 챔버(140e) 및 제6 공정 챔버(140f)까지 이동하는 데에 걸리는 시간 및 그 시간동안 기판(W)의 온도가 얼마나 냉각되는지를 고려하여, 버퍼 챔버(150)에서 기판(W)을 기준 온도보다 소정 온도 높은 온도까지 가열하는 것도 가능하다. 상기에서, 기준 온도는 공정 챔버(140)에서 기판(W)을 처리할 때에 다시 히팅시키지 않아도 되는 온도의 하한선을 말하며, 소정 온도는 이동 시간동안 냉각되는 온도를 말한다.
한편, 도 9에 도시된 바와 같이 인덱스 모듈(120)과 트랜스퍼 모듈(130) 사이에 별도의 로드락 챔버(Load Lock Chamber; 160)가 마련되는 것도 가능하다. 앞서 설명하였지만, 인덱스 모듈(120)의 내부는 대기압 환경으로 조성될 수 있고, 트랜스퍼 모듈(130)의 내부는 진공 환경으로 조성될 수 있다. 이 경우, 인덱스 모듈(120)의 내부 및 트랜스퍼 모듈(130)의 내부에서 각각의 환경이 유지될 수 있도록 인덱스 모듈(120)과 트랜스퍼 모듈(130) 사이에서 기판(W)을 중계하는 로드락 챔버(160)가 마련될 수 있다.
또한, 인덱스 모듈(120)의 제1 반송 로봇(210) 및 트랜스퍼 모듈(130)의 제2 반송 로봇(220) 간 기판(W)의 전달이 지연되는 경우, 로드락 챔버(160)는 기판(W)을 임시 대기시키는 버퍼 역할을 할 수 있다. 로드락 챔버(160)는 이를 위해 그 내부에 버퍼 스테이지를 구비할 수 있다. 도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
로드락 챔버(160)는 인덱스 모듈(120)과 트랜스퍼 모듈(130) 사이에 복수 개 마련될 수 있다. 인덱스 모듈(120)과 트랜스퍼 모듈(130) 사이에 복수 개의 로드락 챔버(160)가 마련되는 경우, 예를 들어 두 개의 로드락 챔버(160)가 마련되는 경우, 두 개의 로드락 챔버(160) 중 어느 하나의 로드락 챔버(160)는 인덱스 모듈(120)로부터 트랜스퍼 모듈(130)로 기판을 이송하고, 다른 하나의 로드락 챔버(160)는 트랜스퍼 모듈(130)로부터 인덱스 모듈(120)로 기판을 이송할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 두 개의 로드락 챔버(160)가 인덱스 모듈(120)로부터 트랜스퍼 모듈(130)로 기판을 이송하는 역할과 트랜스퍼 모듈(130)로부터 인덱스 모듈(120)로 기판을 이송하는 역할을 모두 수행하는 것도 가능하다.
트랜스퍼 모듈(130)의 내부가 진공 환경으로 조성되는 경우, 로드락 챔버(160)는 게이트 밸브 등을 이용하여 그 내부를 진공 환경과 대기압 환경으로 변화시키면서 압력을 유지할 수 있다. 로드락 챔버(160)는 이를 통해 트랜스퍼 모듈(130)의 내부 기압 상태가 변화되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 로드락 챔버(160)는 제2 반송 로봇(220)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩되는 경우, 그 내부를 트랜스퍼 모듈(130)의 경우와 동일한(또는 근접한) 진공 환경으로 형성할 수 있다. 또한, 로드락 챔버(160)는 제1 반송 로봇(210)에 의해 기판이 로딩되거나 언로딩되는 경우, 그 내부를 대기압 환경으로 형성할 수 있다.
한편, 도 1에는 도시되어 있지 않지만, 반도체 제조 설비(100)는 제어 모듈을 더 포함할 수 있다. 제어 모듈은 반도체 제조 설비(100)를 구성하는 각각의 요소(예를 들어, 인덱스 모듈(120)의 제1 반송 로봇(210), 트랜스퍼 모듈(130)의 제2 반송 로봇(220) 등)의 작동을 제어하는 역할을 할 수 있다.
제어 모듈은 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 반도체 제조 설비(100)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 반도체 제조 설비(100)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 반도체 제조 설비(100)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장되는 것이다.
이상 도 1 내지 도 9를 참조하여 공정 챔버(140)와 버퍼 챔버(150)를 통합한 개념인 기판 처리 장치와 반도체 제조 설비(100)에 대하여 설명하였다. 반도체 제조 설비(100)는 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 인라인 플랫폼(In-Line Platform)을 갖는 구조로 형성될 수 있다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)를 기준으로 인라인 방식으로 배치될 수 있으며, 각각의 트랜스퍼 모듈(130)의 양측에 한 쌍의 공정 챔버(140)가 직렬로 배치될 수 있다.
반도체 제조 설비(100)는 도 10에 도시된 바와 같이 쿼드 플랫폼(Quad Platform)을 갖는 구조로 형성될 수도 있다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)를 기준으로 쿼드 방식으로 배치될 수 있다. 도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
또는, 반도체 제조 설비(100)는 도 11에 도시된 바와 같이 클러스터 플랫폼(Cluster Platform)을 갖는 구조로 형성되는 것도 가능하다. 이 경우, 복수 개의 공정 챔버(140)는 트랜스퍼 모듈(130)를 기준으로 클러스터 방식으로 배치될 수 있다. 도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 내부 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명은 트랙 타입(Track Type) 트랜스퍼 모듈에서 고온/진공 공정向 UPEH(Unit Per Equipment Hour, 단위 시간당 생산량) 향상 및 P/C(Particle) 개선 방법에 관한 것이다.
고온/진공 공정에서는 UPEH 향상이 필요하며, Radical Clean/Etch 공정에서는 P/C 개선이 필요하다. 본 발명에서는 트랙 타입의 트랜스퍼 모듈(TM; Transfer Module)에서 각각의 공정 챔버(PM; Process Module)별로 개별 Load-Lock을 구성하고, Wafer 경로 상에 있는 Load-Lock, Robot Arm 등을 고온 상태로 유지하여 UPEH 향상 및 P/C 개선을 할 수 있다.
설비 구성적 측면에서, 본 발명의 주요 특징을 살펴보면 다음과 같다.
첫째, Track형 TM을 구성한다.
둘째, 각 PM별로 개별 LL을 구성한다.
셋째, LL을 고온으로 유지한다.
특징 1: 공정 전, Wafer는 상온 or 고온 TM Arm을 지난 후 고온 LL로 투입된다. 이후, 고온 LL에서 Pre-heating되며, 상기 Pre-heating에 의해 Target 공정 온도를 맞추는 시간을 감축시킬 수 있다.
특징 2: 공정 후, 공정이 끝난 Wafer가 FOUP으로 돌아가기 위해 고온 LL에서 대기하기 때문에 RDC(Radical Dry Clean) 공정 P/C에 유리하다. 구체적으로 설명하면, PM 공정(ex. Etching) 이후 Wafer에 Particle이 흡착되어 있을 수 있는데, Wafer가 고온 LL에서 대기하면 고온 상태라는 조건 때문에 비산하여 Wafer에서 제거되는 효과를 얻을 수 있다.
특징 3: 2개의 LL로 사용시에는 대기하는 Wafer가 PM 또는 TM Robot Arm에서 대기하는데, 개별 LL 사용으로 Wafer는 항상 고온 상태에서 대기가 가능하며 P/C에 유리하다.
이상 설명한 본 발명의 효과는 다음과 같다.
첫째, WF(Wafer) Heating 시간 단축으로 UPEH를 향상시킬 수 있다.
둘째, WF 경로를 고온으로 유지함에 따라 RDC 공정 P/C에 유리한 환경을 구성할 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 반도체 제조 설비 110: 로드 포트 모듈
120: 인덱스 모듈 130: 트랜스퍼 모듈
140: 공정 챔버 150: 버퍼 챔버
210: 제1 반송 로봇 220: 제2 반송 로봇
230: 컨테이너 240: 제1 레일
250: 제2 레일 310: 하우징
320: 개폐 도어 330: 전원 공급부
340: 가열 플레이트 350: 퍼지 가스 공급부
430: 로봇 암 440: 열선

Claims (20)

  1. 제1 반송 로봇을 포함하며, 상기 제1 반송 로봇을 이용하여 컨테이너에 탑재된 기판을 인출하여 전달하는 인덱스 모듈;
    제2 반송 로봇을 포함하며, 상기 제2 반송 로봇을 이용하여 상기 인덱스 모듈에 의해 전달되는 상기 기판을 중계하는 트랜스퍼 모듈;
    상기 트랜스퍼 모듈에 의해 중계되는 상기 기판을 히팅시키는 버퍼 챔버; 및
    상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 처리하는 공정 챔버를 포함하며,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키는 반도체 제조 설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버에 의해 처리된 상기 기판이 반출되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키는 반도체 제조 설비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 공정 챔버에 개별로 마련되는 반도체 제조 설비.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 반입되는 상기 공정 챔버의 전면에 결합되는 반도체 제조 설비.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 히팅되는 동안 상기 기판에 퍼지 가스를 제공하는 반도체 제조 설비.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 퍼지 가스는 상온보다 높은 고온의 가스인 반도체 제조 설비.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 반송 로봇은 상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 상기 공정 챔버로 반송하며,
    상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 진공 환경인 반도체 제조 설비.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제2 반송 로봇의 엔드 이펙터에는 열선이 설치되는 반도체 제조 설비.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 대기압 환경인 반도체 제조 설비.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 트랜스퍼 모듈의 내부에 설치되는 반도체 제조 설비.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 인덱스 모듈과의 접면 내에 설치되거나, 상기 접면과 마주하는 면 내에 더 설치되거나, 또는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우 서로 다른 두 공정 챔버의 사이 구간에 설치되는 반도체 제조 설비.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 트랜스퍼 모듈의 내부는 진공 환경인 반도체 제조 설비.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판을 기준 온도 이상으로 히팅시키며,
    상기 기준 온도는 상기 공정 챔버에서의 상기 기판의 즉시 처리가 가능한 온도인 반도체 제조 설비.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는 라디칼을 이용하여 상기 기판을 세정하는 챔버인 반도체 제조 설비.
  15. 제1 반송 로봇을 포함하며, 상기 제1 반송 로봇을 이용하여 컨테이너에 탑재된 기판을 인출하여 전달하는 인덱스 모듈;
    제2 반송 로봇을 포함하며, 상기 제2 반송 로봇을 이용하여 상기 인덱스 모듈에 의해 전달되는 상기 기판을 중계하는 트랜스퍼 모듈;
    상기 트랜스퍼 모듈에 의해 중계되는 상기 기판을 히팅시키는 버퍼 챔버; 및
    상기 버퍼 챔버에 의해 히팅된 상기 기판을 처리하는 공정 챔버를 포함하되,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키고, 상기 공정 챔버에 의해 처리된 상기 기판이 반출되기 전에 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키며,
    상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 공정 챔버에 개별로 마련되고, 상기 기판이 반입되는 상기 공정 챔버의 전면에 결합되며,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 히팅되는 동안 상기 기판에 퍼지 가스를 제공하고, 상기 퍼지 가스는 상온보다 높은 고온의 가스인 반도체 제조 설비.
  16. 기판을 처리하는 공정 챔버; 및
    상기 기판이 대기하는 공간을 제공하는 버퍼 챔버를 포함하며,
    상기 기판은 상기 공정 챔버로 반입되기 전에 상기 버퍼 챔버에서 대기하고, 상기 공정 챔버에 의해 처리된 후 반출되기 전에 상기 버퍼 챔버에서 대기하며,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 대기하는 동안 상기 기판을 히팅시키는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 공정 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 공정 챔버에 개별로 마련되는 기판 처리 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 반입되는 상기 공정 챔버의 전면에 결합되는 기판 처리 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 버퍼 챔버는 상기 기판이 히팅되는 동안 상기 기판에 퍼지 가스를 제공하며,
    상기 퍼지 가스는 상온보다 높은 고온의 가스인 기판 처리 장치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는 라디칼을 이용하여 상기 기판을 세정하는 챔버인 기판 처리 장치.
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