JP2023141771A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理チャンバで処理された基板から放出される処理ガスによる搬送チャンバの影響を抑制する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理方法は、第１の処理チャンバにおいて基板に第１の処理を施す工程と、第２の処理チャンバにおいて他の基板に第２の処理を施す工程と、第１の処理を施す工程の後、第１の処理チャンバにおいて基板を待機する工程と、他の基板への第２の処理が終了した時点から第１の時間の経過後、搬送装置により、第１の処理チャンバから搬送チャンバへの基板の搬出を開始する工程と、搬送チャンバへの基板の搬出を開始する工程の後、搬送装置により基板を第２の処理チャンバに搬送し、第２の処理チャンバにおいて基板と他の基板とを入れ替える工程と、を有する。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
特許文献１には、エッチング用チャンバと、アッシング用チャンバと、ウエハを受け渡しする搬送アーム有する搬送室と、を備え、搬送アームを介して、エッチング用チャンバからアッシング用チャンバに基板を搬送する半導体装置の製造装置が記載されている。
特開２００６－１０８４７０号公報
一の側面では、本開示は、処理チャンバで処理された基板から放出される処理ガスによる搬送チャンバの影響を抑制する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板に処理を施す複数の処理チャンバを備える基板処理装置における基板処理方法であって、前記複数の処理チャンバは、少なくとも、前記基板に第１の処理を施す第１の処理チャンバと、前記基板に第２の処理を施す第２の処理チャンバと、を有し、前記基板処理装置は、前記第１の処理チャンバ及び前記第２の処理チャンバに隣接し、前記基板を搬送可能な搬送装置を有する搬送チャンバを備え、前記第１の処理チャンバにおいて前記基板に前記第１の処理を施す工程と、前記第２の処理チャンバにおいて他の基板に前記第２の処理を施す工程と、前記第１の処理を施す工程の後、前記第１の処理チャンバにおいて前記基板を待機する工程と、前記他の基板への前記第２の処理が終了した時点から第１の時間の経過後、前記搬送装置により、前記第１の処理チャンバから前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程と、前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程の後、前記搬送装置により前記基板を前記第２の処理チャンバに搬送し、前記第２の処理チャンバにおいて前記基板と前記他の基板とを入れ替える工程と、を有する、基板処理方法が提供される。
一の側面によれば、処理チャンバで処理された基板から放出される処理ガスによる搬送チャンバの影響を抑制する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
基板処理装置の構成を示す概略図の一例。 本開示に係る基板処理方法を説明するフローチャートの一例。 本開示に係る基板処理方法の流れを説明する図の一例。 参考例に係る基板処理方法の流れを説明する図の一例。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
一実施形態に係る基板処理装置について、図１を用いて説明する。図１は、基板処理装置の構成を示す概略図の一例である。基板処理装置は、例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造に用いられる矩形のガラス基板に処理を施す処理装置である。
図１に示されるように、基板処理装置は、真空搬送チャンバ１１０と、処理チャンバ１２１～１２５と、ロードロックチャンバ１３０と、搬送装置１４０と、制御部１６０と、を備え、別途用意される大気搬送チャンバ１５０に接続される。なお、ロードロックチャンバ１３０は、１段で設けてもよく、また、上下２段で設けてもよい。また、大気搬送チャンバ１５０は、必ずしも密閉容器で構成される必要は無く、上方が開放された筒状の側壁、若しくは部分的に壁部材で仕切られた構成としてもよい。
真空搬送チャンバ１１０は、処理チャンバ１２１～１２５及びロードロックチャンバ１３０と隣接する。真空搬送チャンバ１１０内は、所定の真空雰囲気に減圧されている。真空搬送チャンバ１１０には、減圧状態で基板Ｇを搬送可能な搬送装置１４０が設けられている。搬送装置１４０は、処理チャンバ１２１～１２５、ロードロックチャンバ１３０に対して、基板Ｇを搬送する。搬送装置１４０は、例えば上下２段に設けられた２つの搬送アーム１４１，１４２を有する。図１では、搬送アーム１４１が上段のアーム、搬送アーム１４２が下段のアームとして図示されている。また、搬送装置１４０は、処理チャンバ１２１～１２５及びロードロックチャンバ１３０に対し対向可能なように回転可能に設けられている。搬送アーム１４１，１４２は、それぞれ、独立して前後にスライド可能であり、基板Ｇを保持して搬送可能に構成されている。なお、真空搬送チャンバ１１０は、後述する図３，４において、ＶＴＭ（Vacuum Transfer Module）とも称する。
処理チャンバ１２１～１２５は、それぞれゲートバルブＧＶ１～ＧＶ５を介して真空搬送チャンバ１１０と接続されている。処理チャンバ１２１～１２５内は所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にてガラス基板等の基板Ｇに所望の処理を施す。なお、処理チャンバ１２１～１２５は、後述する図３，４において、ＰＭ（Process Module）１～ＰＭ５とも称する。また、処理チャンバ１２１～１２４は、基板Ｇにエッチング処理を施すエッチング処理チャンバである。また、処理チャンバ１２５は、基板Ｇにアッシング処理を施すアッシング処理チャンバである。
ロードロックチャンバ１３０は、ゲートバルブＧＶ６を介して真空搬送チャンバ１１０と接続され、ゲートバルブＧＶ７を介して大気搬送チャンバ１５０と接続されている。ロードロックチャンバ１３０内は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるように構成されている。なお、ロードロックチャンバ１３０は、後述する図３，４において、ＬＬＭ（Load Lock Module）とも称する。
大気搬送チャンバ１５０は、ロードロックチャンバ１３０と隣接する。大気搬送チャンバ１５０内は、大気雰囲気となっている。また、大気搬送チャンバ１５０には、基板Ｇを搬送可能な大気搬送装置（図示せず）が設けられている。
制御部１６０は、基板処理装置の各部を制御する。例えば、制御部１６０は、処理チャンバ１２１～１２５の動作、ロードロックチャンバ１３０の動作、搬送装置１４０の動作、ゲートバルブＧ１～Ｇ７の開閉等を実行する。制御部１６０は、例えばコンピュータであってよい。
基板処理装置では、処理チャンバ１２１～１２４のうちいずれかの処理チャンバ（第１の処理チャンバ）でエッチング処理（第１の処理）を施し、処理チャンバ１２５（第２の処理チャンバ）でアッシング処理を施す。また、アッシング処理は、後述する図３に示す本処理３０１（第２の処理）と後処理３０２（第３の処理）とを有する。
次に、基板処理装置の基板処理方法について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、本開示に係る基板処理方法を説明するフローチャートの一例である。
また、図３は、本開示に係る基板処理方法の流れを説明する図の一例である。また、図３において、各列は、ロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）、処理チャンバ１２２（ＰＭ２）、処理チャンバ１２３（ＰＭ３）、処理チャンバ１２４（ＰＭ４）、処理チャンバ１２５（ＰＭ５）を示す。また、下方向に時間の流れを示す。また、処理チャンバ１２１～１２４（ＰＭ１～ＰＭ４）において、エッチング処理が施されている時間について、左下がりのハッチングをつけて図示する。処理チャンバ１２５（ＰＭ５）において、アッシング処理（本処理３０１と後処理３０２）が施されている時間について、右下がりのハッチングをつけて図示する。また、ゲートバルブＧＶ１～ＧＶ６のいずれかが開放され、真空搬送チャンバ１１０と他の隣接するチャンバ（処理チャンバ１２１～１２５、ロードロックチャンバ１３０）が連通している時間について、梨地のハッチングをつけて図示する。また、基板Ｇの搬送経路を矢印で図示する。
ここでは、図３に示すように、処理チャンバ１２１～１２５（ＰＭ１～ＰＭ５）において、それぞれ基板処理が行われているものとする。また、搬送装置１４０の一方の搬送アーム１４２はアッシング処理済の基板Ｇを保持しており、他方の搬送アーム１４１は基板を保持していないものとする。また、ロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）には、未処理の基板Ｇが載置され、その内部が真空雰囲気であるものとする。
ステップＳ１０１において、制御部１６０は、ロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）から真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）に未処理の基板Ｇを搬送する。換言すれば、ロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ６を開き、ロードロックチャンバ１３０と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１でロードロックチャンバ１３０の載置部に載置された基板Ｇを保持して、ロードロックチャンバ１３０から真空搬送チャンバ１１０に未処理の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２に保持されたアッシング処理済の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０からロードロックチャンバ１３０に搬送し、ロードロックチャンバ１３０の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ６を閉じる。
ステップＳ１０２において、制御部１６０は、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）で未処理の基板Ｇを待機させる。具体的には、真空搬送チャンバ１１０内で搬送アーム１４１が未処理の基板Ｇを保持した状態で待機する。なお、搬送アーム１４２は基板を保持していない。
ステップＳ１０３において、制御部１６０は、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）から処理チャンバ１２１～１２４（ＰＭ１～ＰＭ４）のいずれかに未処理の基板Ｇを搬送する。ここでは、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）に基板Ｇを搬送する場合を例に説明する。換言すれば、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ１を開き、処理チャンバ１２１と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２で処理チャンバ１２１の載置部に載置された基板Ｇを保持して、処理チャンバ１２１から真空搬送チャンバ１１０にエッチング処理済の基板Ｇを搬送する。また制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１に保持された未処理の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０から処理チャンバ１２１に搬送し、処理チャンバ１２１の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ１を閉じる。
ステップＳ１０４において、制御部１６０は、処理チャンバ１２１（ＰＭ）内の基板Ｇにエッチング処理（第１の処理）を施す。ここで、処理チャンバ１２１（１２２～１２４）では、プロセスガスとして塩素（Ｃｌ）等のハロゲン含有ガス（腐食性ガス、塩素含有ガス）を処理チャンバ１２１（１２２～１２４）内に供給して、不図示のプラズマ生成手段によりプロセスガスをプラズマ化し、プラズマにより基板Ｇにエッチング処理を施す。このため、エッチング処理後の基板Ｇには、エッチング処理のプロセスガスが残留している。
ステップＳ１０５において、制御部１６０は、処理チャンバ１２１（ＰＭ）でエッチング処理済の基板Ｇを待機させる。具体的には、処理チャンバ１２１の載置部にエッチング処理済の基板Ｇが載置された状態で待機させる。
ステップＳ１０６において、制御部１６０は、他の基板Ｇにおけるアッシング処理の終了タイミング３０４（図３参照）を推定して、入れ替え開始タイミング３０５（図３参照）を算出する。ここで、アッシング処理の終了タイミング３０４とは、処理チャンバ１２５において他の基板Ｇに対して施されている処理（後述する本処理３０１及び後処理３０２）が終了するタイミング３０４である。また、入れ替え開始タイミング３０５は、処理チャンバ１２１の載置部に載置されたエッチング処理済の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０の搬送装置１４０が保持する未処理の基板Ｇとを入れ替える処理（後述するステップＳ１０８の処理参照）を開始するタイミングである。
ここで、入れ替え開始タイミング３０５は、処理チャンバ１２１の載置部に載置されたエッチング処理済の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０の搬送装置１４０が保持する未処理の基板Ｇとを入れ替える処理（後述するステップＳ１０８の処理参照）の終了後、直ちに、処理チャンバ１２５の載置部に載置されたアッシング処理済の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０の搬送装置１４０が保持するエッチング処理済の基板Ｇとを入れ替える処理（後述するステップＳ１０９の処理参照）が開始できるように設定される。換言すれば、入れ替え開始タイミング３０５は、処理チャンバ１２１の載置部に載置されたエッチング処理済の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０の搬送装置１４０が保持する未処理の基板Ｇとを入れ替える処理（後述するステップＳ１０８の処理参照）と、処理チャンバ１２５のアッシング処理（後述する本処理３０１及び後処理３０２）とが、同じタイミングで終了するように設定される。
制御部１６０は、処理チャンバ１２５におけるアッシング処理の終了タイミング３０４を推定し、処理チャンバ１２１の載置部に載置されたエッチング処理済の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０の搬送装置１４０が保持する未処理の基板Ｇとを入れ替える処理（後述するステップＳ１０８の処理参照）に要する入れ替え時間（後述するステップＳ１０８の処理に要する時間、第３の時間）に基づいて、入れ替え開始タイミング３０５を算出する。即ち、入れ替え開始タイミング３０５は、アッシング処理の終了タイミング３０４から入れ替え時間（第３の時間）の分だけ遡ったタイミングとなる。
ここで、アッシング処理には、基板Ｇにプロセスガスを供給して不図示のプラズマ生成手段によりプロセスガスをプラズマ化しアッシング処理を施す本処理３０１と、本処理３０１後に行われる後処理３０２と、を有する。後処理３０２には、例えば、処理チャンバ１２５の載置部に静電吸着された基板Ｇを除電して吸着を解除する除電処理を含む。また、本処理３０１において、制御部１６０は、処理チャンバ１２５の内部においてアッシング処理に用いられるプラズマの発光状態を検出することで本処理３０１の終了タイミング３０３を検出する。
この場合、制御部１６０は、本処理３０１の終了タイミング３０３と、後処理３０２に要する時間（第２の時間）と、に基づいて、アッシング処理の終了タイミング３０４を推定することができる。また、後処理３０２に要する時間（第２の時間）が、入れ替え時間（第３の時間）よりも長い場合、制御部１６０は、本処理３０１の終了タイミング３０３と、後処理３０２に要する時間（第２の時間）と、入れ替え時間（第３の時間）と、に基づいて、入れ替え開始タイミング３０５を算出することができる。換言すれば、制御部１６０は、本処理３０１の終了タイミング３０３と、後処理３０２に要する時間（第２の時間）と、入れ替え時間（第３の時間）と、に基づいて、本処理３０１の終了タイミング３０３から入れ替え開始タイミング３０５までの待機時間（第１の時間）を算出することができる。即ち、本処理３０１の終了タイミング３０３から入れ替え開始タイミング３０５までの待機時間（第１の時間）は、後処理３０２に要する時間（第２の時間）と入れ替え時間（第３の時間）との差から算出される。なお、後処理３０２に要する時間（第２の時間）及び入れ替え時間（第３の時間）は、基板処理装置の構成によって規定される既知の値である。図３の例では、本処理３０１の終了タイミング３０３で入れ替え開始タイミング３０５を算出することができる（Ｓ１０６）。
また、制御部１６０は、過去の実績に基づいて、本処理３０１に要する時間を推定し、他の基板Ｇにおけるアッシング処理の開始タイミング、推定した本処理３０１に要する時間、後処理３０２に要する時間（第２の時間）からアッシング処理の終了タイミング３０４を推定してもよい。そして、制御部１６０は、アッシング処理の終了タイミング３０４と、入れ替え時間（第３の時間）と、に基づいて、入れ替え開始タイミング３０５を算出することができる。この構成では、後処理３０２に要する時間（第２の時間）が、入れ替え時間（第３の時間）よりも短い場合でも、入れ替え開始タイミング３０５を算出することができる。
ステップＳ１０７において、制御部１６０は、入れ替え開始タイミングか否かを判定する。入れ替え開始タイミングでない場合（Ｓ１０７・ＮＯ）、制御部１６０の処理はステップＳ１０７を繰り返す。即ち、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）でエッチング処理済の基板Ｇを待機させる。入れ替え開始タイミングである場合（Ｓ１０７・ＹＥＳ）、制御部１６０の処理はステップＳ１０８に進む。換言すれば、本処理３０１の終了タイミング３０３から待機時間（第１の時間）が経過したか否かを判定する。待機時間（第１の時間）が経過していない場合（Ｓ１０７・ＮＯ）、制御部１６０の処理はステップＳ１０７を繰り返す。待機時間（第１の時間）が経過した場合（Ｓ１０７・ＹＥＳ）、制御部１６０の処理はステップＳ１０８に進む。
ステップＳ１０８において、制御部１６０は、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）から真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）にエッチング処理済の基板Ｇを搬送する。換言すれば、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ１を開き、処理チャンバ１２１と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２で処理チャンバ１２１の載置部に載置された基板Ｇを保持して、処理チャンバ１２１から真空搬送チャンバ１１０にエッチング処理済の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１に保持された未処理の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０から処理チャンバ１２１に搬送し、処理チャンバ１２１の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ１を閉じる。なお、搬送装置１４０が、処理チャンバ１２１～１２５及びロードロックチャンバ１３０のいずれかに対して基板Ｇの搬送を行うたびに、基板Ｇを保持している搬送アームは搬送アーム１４１と搬送アーム１４２で入れ替わる。そのため、上記に限らず、基板Ｇの保持の状態によっては、搬送アーム１４１がエッチング処理済みの基板Ｇを処理チャンバ１２１（ＰＭ１）から搬出し、搬送アーム１４２が未処理の基板Ｇを処理チャンバ１２１（ＰＭ１）へ搬入してもよい。
ステップＳ１０９において、制御部１６０は、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）から処理チャンバ１２５（ＰＭ５）にエッチング処理済の基板Ｇを搬送する。換言すれば、処理チャンバ１２５（ＰＭ５）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ５を開き、処理チャンバ１２５と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１で処理チャンバ１２５の載置部に載置された基板Ｇを保持して、処理チャンバ１２５から真空搬送チャンバ１１０にアッシング処理済の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２に保持されたエッチング処理済の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０から処理チャンバ１２５に搬送し、処理チャンバ１２５の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ５を閉じる。
ステップＳ１１０において、制御部１６０は、基板Ｇにアッシング処理（第２の処理）を施す。処理チャンバ１２５のアッシング処理において、エッチング処理済の基板Ｇに残留するエッチング処理のプロセスガス（ハロゲン含有ガス、腐食性ガス、塩素含有ガス）も除去される。
ステップＳ１１１において、制御部１６０は、処理チャンバ１２５（ＰＭ５）から真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）にエッチング処理済の基板Ｇを搬送する。換言すれば、処理チャンバ１２５（ＰＭ５）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ５を開き、処理チャンバ１２５と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２で処理チャンバ１２５の載置部に載置された基板Ｇを保持して、処理チャンバ１２５から真空搬送チャンバ１１０にアッシング処理済の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１に保持されたエッチング処理済の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０から処理チャンバ１２５に搬送し、処理チャンバ１２５の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ５を閉じる。
ステップＳ１１２において、制御部１６０は、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）からロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）にアッシング処理済の基板Ｇを搬送する。換言すれば、ロードロックチャンバ１３０（ＬＬＭ）の基板Ｇと真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）の基板Ｇとを入れ替える。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ６を開き、ロードロックチャンバ１３０と真空搬送チャンバ１１０とを連通させる。制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４１でロードロックチャンバ１３０の載置部に載置された基板Ｇを保持して、ロードロックチャンバ１３０から真空搬送チャンバ１１０に未処理の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、搬送装置１４０を制御して、搬送アーム１４２に保持されたアッシング処理済の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０からロードロックチャンバ１３０に搬送し、ロードロックチャンバ１３０の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ６を閉じる。
その後、制御部１６０は、ロードロックチャンバ１３０を真空雰囲気から大気雰囲気に切り替える。ロードロックチャンバ１３０が大気雰囲気となると、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ７を開き、ロードロックチャンバ１３０と大気搬送チャンバ１５０とを連通させる。制御部１６０は、大気搬送チャンバ１５０の大気搬送装置（図示せず）を制御して、搬送アームでロードロックチャンバ１３０の載置部に載置された基板Ｇを保持して、ロードロックチャンバ１３０から大気搬送チャンバ１５０にアッシング処理済の基板Ｇを搬送する。また、制御部１６０は、大気搬送装置（図示せず）を制御して、大気搬送チャンバ１５０からロードロックチャンバ１３０に未処理の基板Ｇを搬送し、ロードロックチャンバ１３０の載置部に載置する。そして、制御部１６０は、ゲートバルブＧＶ７を閉じる。そして、制御部１６０は、ロードロックチャンバ１３０を大気雰囲気から真空雰囲気に切り替える。なお、制御部１６０が大気搬送装置を直接制御せず、大気搬送装置を制御する大気搬送制御装置を別に設けてもよい。この場合、制御部１６０は、大気搬送制御装置に大気搬送装置の制御の要求を送信し、大気搬送装置による基板Ｇの入れ替えの終了を待って、搬送装置１４０による基板Ｇの入れ替え動作を制御する。
ここで、参考例に係る基板処理装置の基板処理方法について、図４を用いて説明する。図４は、参考例に係る基板処理方法の流れを説明する図の一例である。
図４に示す参考例に係る基板処理装置の基板処理方法においては、処理チャンバ１２１～１２４（ＰＭ１～ＰＭ４）の稼働を優先する。即ち、未処理の基板Ｇを真空搬送チャンバ１１０に搬送した後、処理チャンバ１２１～１２４（ＰＭ１～ＰＭ４）のいずれの処理チャンバに空きがある場合、エッチング処理済の基板Ｇと未処理の基板Ｇを入れ替えて、処理チャンバによるエッチング処理を開始する。
一方、エッチング処理済の基板Ｇは、処理チャンバ１２５（ＰＭ５）のアッシング処理が完了するまで、真空搬送チャンバ１１０内で待機する。図４において、矢印４０１は、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）でエッチング処理されたエッチング処理済の基板Ｇが真空搬送チャンバ１１０内で待機することを示している。
ここで、処理チャンバ１２１～１２４（ＰＭ１～ＰＭ４）のエッチング処理のエッチングガスとして、例えば、塩素（Ｃｌ）含有ガスが用いられる。このため、真空搬送チャンバ１１０内でエッチング処理済の基板Ｇを待機させることにより、エッチング処理済の基板Ｇから放出される塩素含有ガスによって真空搬送チャンバ１１０内が塩素曝露される。これにより、真空チャンバ１１０内の構成部材が腐食する。例えば、搬送アーム１４１，１４２は、搬送アーム１４１，１４２が基板Ｇを保持する際に基板Ｇと当接するパット部材（図示せず）を備えている。真空搬送チャンバ１１０内が塩素曝露されることでパット部材が腐食する。このため、基板処理装置のメンテナンス周期が短くなり、基板処理装置の生産性が低下するおそれがある。
これに対し、本実施形態に係る基板処理装置では、真空搬送チャンバ１１０内で未処理の基板Ｇを待機させる（Ｓ１０２）。また、エッチング処理済の基板Ｇは、処理チャンバ１２１（ＰＭ１）から真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）に搬送（Ｓ１０８）された後、速やかに、真空搬送チャンバ１１０（ＶＴＭ）から処理チャンバ１２５（ＰＭ５）に搬送（Ｓ１０９）される。これにより、真空搬送チャンバ１１０の塩素曝露を抑制することができる。このため、基板処理装置のメンテナンス周期を延長し、基板処理装置の生産性を向上させることができる。
以上、基板処理装置について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。例えば、基板Ｇがガラス基板の場合について説明したが、これに限らず、ウエハ等、他の種類の基板であってもよい。また、基板Ｇの処理についてはプロセスガスをプラズマ化して処理を施す場合について説明したが、これに限らず、エッチング処理及びアッシング処理のいずれか、若しくは両方においてプラズマを用いない処理であってもよい。
１１０ 真空搬送チャンバ（搬送チャンバ）
１２１～１２４ 処理チャンバ（第１の処理チャンバ）
１２５ 処理チャンバ（第２の処理チャンバ）
１３０ ロードロックチャンバ
１４０ 搬送装置
１４１，１４２ 搬送アーム
１５０ 大気搬送チャンバ
１６０ 制御部
ＧＶ１～ＧＶ７ ゲートバルブ
３０１ 本処理
３０２ 後処理
３０３ 本処理の終了タイミング
３０４ アッシング処理の終了タイミング
３０５ 入れ替え開始タイミング
Ｇ 基板

Claims (8)

  1. 基板に処理を施す複数の処理チャンバを備える基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記複数の処理チャンバは、少なくとも、前記基板に第１の処理を施す第１の処理チャンバと、前記基板に第２の処理を施す第２の処理チャンバと、を有し、
    前記基板処理装置は、前記第１の処理チャンバ及び前記第２の処理チャンバに隣接し、前記基板を搬送可能な搬送装置を有する搬送チャンバを備え、
    前記第１の処理チャンバにおいて前記基板に前記第１の処理を施す工程と、
    前記第２の処理チャンバにおいて他の基板に前記第２の処理を施す工程と、
    前記第１の処理を施す工程の後、前記第１の処理チャンバにおいて前記基板を待機する工程と、
    前記他の基板への前記第２の処理が終了した時点から第１の時間の経過後、前記搬送装置により、前記第１の処理チャンバから前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程と、
    前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程の後、前記搬送装置により前記基板を前記第２の処理チャンバに搬送し、前記第２の処理チャンバにおいて前記基板と前記他の基板とを入れ替える工程と、
    を有する、基板処理方法。
  2. 前記第１の時間は、
    前記第２の処理チャンバにおける前記第２の処理の後に実施する第３の処理に要する第２の時間と、前記第２の時間よりも短く、前記第１の処理チャンバにおける前記基板の搬出に要する第３の時間と、の差である、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 前記第３の処理は、
    前記第２の処理チャンバにおける前記基板の除電処理である、
    請求項２に記載の基板処理方法。
  4. 前記第３の時間は、
    前記搬送装置に予め保持された前記第１の処理が施されていない未処理基板と、前記第１の処理チャンバの載置部に載置され前記第１の処理が施された前記基板と、を入れ替える時間を含む、
    請求項２又は請求項３に記載の基板処理方法。
  5. 前記第１の処理は、エッチング処理であり、
    前記第２の処理は、アッシング処理である、
    請求項１に記載の基板処理方法。
  6. 複数の処理チャンバを備え、基板に処理を施す基板処理装置における基板処理方法であって、
    前記複数の処理チャンバは、少なくとも、前記基板に第１の処理を施す第１の処理チャンバと、前記基板に第２の処理及び第３の処理を施す第２の処理チャンバと、を有し、
    前記基板処理装置は、前記第１の処理チャンバ及び前記第２の処理チャンバに隣接し、前記基板を搬送可能な搬送装置を有する搬送チャンバを備え、
    前記第１の処理チャンバにおいて前記基板に前記第１の処理を施す工程と、
    前記第２の処理チャンバにおいて他の基板に前記第２の処理及び前記第３の処理を施す工程と、
    前記第１の処理を施す工程の後、前記第１の処理チャンバにおいて前記基板を待機する工程と、
    過去の実績に基づいて前記第２の処理に要する時間を推定し、前記他の基板における前記第２の処理の開始タイミング、推定した前記第２の処理に要する時間、前記第３の処理に要する第２の時間、前記第１の処理チャンバにおける前記基板の搬出に要する第３の時間と、に基づいて、入れ替え開始タイミングを算出し、該入れ替え開始タイミングの経過後、前記搬送装置により、前記第１の処理チャンバから前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程と、
    前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程の後、前記搬送装置により前記基板を前記第２の処理チャンバに搬送し、前記第２の処理チャンバにおいて前記基板と前記他の基板とを入れ替える工程と、
    を有する、基板処理方法。
  7. 基板に処理を施す複数の処理チャンバを備える基板処理装置であって、
    前記複数の処理チャンバは、
    少なくとも、前記基板に第１の処理を施す第１の処理チャンバと、前記基板に第２の処理を施す第２の処理チャンバと、を有し、
    前記基板処理装置は、
    前記第１の処理チャンバ及び前記第２の処理チャンバに隣接し、前記基板を搬送可能な搬送装置を有する搬送チャンバと、
    制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記第１の処理チャンバにおいて前記基板に前記第１の処理を施す工程と、
    前記第２の処理チャンバにおいて他の基板に前記第２の処理を施す工程と、
    前記第１の処理を施す工程の後、前記第１の処理チャンバにおいて前記基板を待機する工程と、
    前記他の基板への前記第２の処理が終了した時点から第１の時間の経過後、前記搬送装置により、前記第１の処理チャンバから前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程と、
    前記搬送チャンバへの前記基板の搬出を開始する工程の後、前記搬送装置により前記基板を前記第２の処理チャンバに搬送し、前記第２の処理チャンバにおいて前記基板と前記他の基板とを入れ替える工程と、を制御可能に構成される、
    基板処理装置。
  8. 前記第１の処理チャンバは、前記第１の処理がエッチング処理であるエッチングチャンバであり、
    前記第２の処理チャンバは、前記第２の処理がアッシング処理であるアッシングチャンバである、
    請求項７に記載の基板処理装置。
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