KR20230138899A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230138899A
KR20230138899A KR1020230033222A KR20230033222A KR20230138899A KR 20230138899 A KR20230138899 A KR 20230138899A KR 1020230033222 A KR1020230033222 A KR 1020230033222A KR 20230033222 A KR20230033222 A KR 20230033222A KR 20230138899 A KR20230138899 A KR 20230138899A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
chamber
processing chamber
transfer
Prior art date
Application number
KR1020230033222A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈히로 다케베
도모히사 미우라
요오헤이 야마다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20230138899A publication Critical patent/KR20230138899A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

처리 챔버에서 처리된 기판으로부터 방출되는 처리 가스에 의한 반송 챔버의 영향을 억제하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.
제1 처리 챔버에 있어서 기판에 제1 처리를 실시하는 공정과, 제2 처리 챔버에 있어서 다른 기판에 제2 처리를 실시하는 공정과, 제1 처리를 실시하는 공정 후, 제1 처리 챔버에 있어서 기판을 대기시키는 공정과, 다른 기판에 대한 제2 처리가 종료된 시점으로부터 제1 시간의 경과 후, 반송 장치에 의해, 제1 처리 챔버로부터 반송 챔버로의 기판의 반출을 개시하는 공정과, 반송 챔버로의 기판의 반출을 개시하는 공정 후, 반송 장치에 의해 기판을 제2 처리 챔버로 반송하고, 제2 처리 챔버에 있어서 기판과 다른 기판을 교체하는 공정을 갖는, 기판 처리 방법.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 에칭용 챔버와, 애싱용 챔버와, 웨이퍼를 수수하는 반송 암을 갖는 반송실을 구비하고, 반송 암을 통해, 에칭용 챔버로부터 애싱용 챔버로 기판을 반송하는 반도체 장치의 제조 장치가 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2006-108470호 공보
하나의 측면에서는, 본 개시는, 처리 챔버에서 처리된 기판으로부터 방출되는 처리 가스에 의한 반송 챔버의 영향을 억제하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 하나의 양태에 의하면, 기판에 처리를 실시하는 복수의 처리 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법이며, 상기 복수의 처리 챔버는, 적어도, 상기 기판에 제1 처리를 실시하는 제1 처리 챔버와, 상기 기판에 제2 처리를 실시하는 제2 처리 챔버를 갖고, 상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버에 인접하고, 상기 기판을 반송 가능한 반송 장치를 갖는 반송 챔버를 구비하고, 상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판에 상기 제1 처리를 실시하는 공정과, 상기 제2 처리 챔버에 있어서 다른 기판에 상기 제2 처리를 실시하는 공정과, 상기 제1 처리를 실시하는 공정 후, 상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판을 대기시키는 공정과, 상기 다른 기판에 대한 상기 제2 처리가 종료된 시점으로부터 제1 시간의 경과 후, 상기 반송 장치에 의해, 상기 제1 처리 챔버로부터 상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정과, 상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정 후, 상기 반송 장치에 의해 상기 기판을 상기 제2 처리 챔버로 반송하고, 상기 제2 처리 챔버에 있어서 상기 기판과 상기 다른 기판을 교체하는 공정을 갖는, 기판 처리 방법이 제공된다.
하나의 측면에 의하면, 처리 챔버에서 처리된 기판으로부터 방출되는 처리 가스에 의한 반송 챔버의 영향을 억제하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 개략도의 일례.
도 2는 본 개시에 관한 기판 처리 방법을 설명하는 흐름도의 일례.
도 3은 본 개시에 관한 기판 처리 방법의 흐름을 설명하는 도면의 일례.
도 4는 참고예에 관한 기판 처리 방법의 흐름을 설명하는 도면의 일례.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략하는 경우가 있다.
일 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에 대해서, 도 1을 사용하여 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 개략도의 일례이다. 기판 처리 장치는, 예를 들어 FPD(Flat Panel Display)의 제조에 사용되는 직사각형의 유리 기판에 처리를 실시하는 처리 장치이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치는, 진공 반송 챔버(110)와, 처리 챔버(121 내지 125)와, 로드 로크 챔버(130)와, 반송 장치(140)와, 제어부(160)를 구비하고, 별도 준비되는 대기 반송 챔버(150)에 접속된다. 또한, 로드 로크 챔버(130)는, 1단으로 마련해도 되고, 또한, 상하 2단으로 마련해도 된다. 또한, 대기 반송 챔버(150)는, 반드시 밀폐 용기로 구성될 필요는 없고, 상방이 개방된 통 형상의 측벽, 혹은 부분적으로 벽 부재로 칸막이된 구성으로 해도 된다.
진공 반송 챔버(110)는, 처리 챔버(121 내지 125) 및 로드 로크 챔버(130)와 인접한다. 진공 반송 챔버(110) 내는, 소정의 진공 분위기로 감압되어 있다. 진공 반송 챔버(110)에는, 감압 상태에서 기판 G를 반송 가능한 반송 장치(140)가 마련되어 있다. 반송 장치(140)는, 처리 챔버(121 내지 125), 로드 로크 챔버(130)에 대하여 기판 G를 반송한다. 반송 장치(140)는, 예를 들어 상하 2단으로 마련된 2개의 반송 암(141, 142)을 갖는다. 도 1에서는, 반송 암(141)이 상단의 암, 반송 암(142)이 하단의 암으로서 도시되어 있다. 또한, 반송 장치(140)는, 처리 챔버(121 내지 125) 및 로드 로크 챔버(130)에 대하여 대향 가능하도록 회전 가능하게 마련되어 있다. 반송 암(141, 142)은, 각각, 독립적으로 전후로 슬라이드 가능하고, 기판 G를 보유 지지하여 반송 가능하게 구성되어 있다. 또한, 진공 반송 챔버(110)는, 후술하는 도 3, 4에 있어서, VTM(Vacuum Transfer Module)이라고도 칭한다.
처리 챔버(121 내지 125)는, 각각 게이트 밸브 GV1 내지 GV5를 통해 진공 반송 챔버(110)와 접속되어 있다. 처리 챔버(121 내지 125) 내는 소정의 진공 분위기로 감압되고, 그 내부에서 유리 기판 등의 기판 G에 원하는 처리를 실시한다. 또한, 처리 챔버(121 내지 125)는, 후술하는 도 3, 4에 있어서, PM(Process Module)1 내지 PM5라고도 칭한다. 또한, 처리 챔버(121 내지 124)는, 기판 G에 에칭 처리를 실시하는 에칭 처리 챔버이다. 또한, 처리 챔버(125)는, 기판 G에 애싱 처리를 실시하는 애싱 처리 챔버이다.
로드 로크 챔버(130)는, 게이트 밸브 GV6을 통해 진공 반송 챔버(110)와 접속되고, 게이트 밸브 GV7을 통해 대기 반송 챔버(150)와 접속되어 있다. 로드 로크 챔버(130) 내는, 대기 분위기와 진공 분위기를 전환할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 로드 로크 챔버(130)는, 후술하는 도 3, 4에 있어서, LLM(Load Lock Module)이라고도 칭한다.
대기 반송 챔버(150)는, 로드 로크 챔버(130)와 인접한다. 대기 반송 챔버(150) 내는, 대기 분위기로 되어 있다. 또한, 대기 반송 챔버(150)에는, 기판 G를 반송 가능한 대기 반송 장치(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
제어부(160)는, 기판 처리 장치의 각 부를 제어한다. 예를 들어, 제어부(160)는, 처리 챔버(121 내지 125)의 동작, 로드 로크 챔버(130)의 동작, 반송 장치(140)의 동작, 게이트 밸브 G1 내지 G7의 개폐 등을 실행한다. 제어부(160)는, 예를 들어 컴퓨터여도 된다.
기판 처리 장치에서는, 처리 챔버(121 내지 124) 중 어느 것의 처리 챔버(제1 처리 챔버)에서 에칭 처리(제1 처리)를 실시하고, 처리 챔버(125)(제2 처리 챔버)에서 애싱 처리를 실시한다. 또한, 애싱 처리는, 후술하는 도 3에 도시하는 본 처리(301)(제2 처리)와 후처리(302)(제3 처리)를 갖는다.
이어서, 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 대해서, 도 2 및 도 3을 사용하여 설명한다. 도 2는, 본 개시에 관한 기판 처리 방법을 설명하는 흐름도의 일례이다.
또한, 도 3은, 본 개시에 관한 기판 처리 방법의 흐름을 설명하는 도면의 일례이다. 또한, 도 3에 있어서, 각 열은, 로드 로크 챔버(130)(LLM), 진공 반송 챔버(110)(VTM), 처리 챔버(121)(PM1), 처리 챔버(122)(PM2), 처리 챔버(123)(PM3), 처리 챔버(124)(PM4), 처리 챔버(125)(PM5)를 나타낸다. 또한, 하측 방향에 시간의 흐름을 나타낸다. 또한, 처리 챔버(121 내지 124)(PM1 내지 PM4)에 있어서, 에칭 처리가 실시되어 있는 시간에 대해서, 좌측으로 내려가는 해칭을 부여하여 도시한다. 처리 챔버(125)(PM5)에 있어서, 애싱 처리(본 처리(301)와 후처리(302))가 실시되어 있는 시간에 대해서, 우측으로 내려가는 해칭을 부여하여 도시한다. 또한, 게이트 밸브 GV1 내지 GV6 중 어느 것이 개방되고, 진공 반송 챔버(110)와 다른 인접하는 챔버(처리 챔버(121 내지 125), 로드 로크 챔버(130))가 연통하고 있는 시간에 대해서, 배껍질 무늬의 해칭을 부여하여 도시한다. 또한, 기판 G의 반송 경로를 화살표로 도시한다.
여기에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 처리 챔버(121 내지 125)(PM1 내지 PM5)에 있어서, 각각 기판 처리가 행해지고 있는 것으로 한다. 또한, 반송 장치(140)의 한쪽의 반송 암(142)은 애싱 처리가 완료된 기판 G를 보유 지지하고 있고, 다른 쪽의 반송 암(141)은 기판을 보유 지지하고 있지 않은 것으로 한다. 또한, 로드 로크 챔버(130)(LLM)에는, 미처리의 기판 G가 적재되고, 그 내부가 진공 분위기인 것으로 한다.
스텝 S101에 있어서, 제어부(160)는, 로드 로크 챔버(130)(LLM)로부터 진공 반송 챔버(110)(VTM)에 미처리의 기판 G를 반송한다. 바꾸어 말하면, 로드 로크 챔버(130)(LLM)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV6을 개방하여, 로드 로크 챔버(130)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)으로 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 로드 로크 챔버(130)로부터 진공 반송 챔버(110)에 미처리의 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)에 보유 지지된 애싱 처리가 완료된 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 로드 로크 챔버(130)에 반송하고, 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV6을 폐쇄한다.
스텝 S102에 있어서, 제어부(160)는, 진공 반송 챔버(110)(VTM)에서 미처리의 기판 G를 대기시킨다. 구체적으로는, 진공 반송 챔버(110) 내에서 반송 암(141)이 미처리의 기판 G를 보유 지지한 상태에서 대기시킨다. 또한, 반송 암(142)은 기판을 보유 지지하고 있지 않다.
스텝 S103에 있어서, 제어부(160)는, 진공 반송 챔버(110)(VTM)로부터 처리 챔버(121 내지 124)(PM1 내지 PM4) 중 어느 것에 미처리의 기판 G를 반송한다. 여기에서는, 처리 챔버(121)(PM1)에 기판 G를 반송하는 경우를 예로 들어 설명한다. 바꾸어 말하면, 처리 챔버(121)(PM1)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV1을 개방하여, 처리 챔버(121)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)으로 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 처리 챔버(121)로부터 진공 반송 챔버(110)에 에칭 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 또한 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)에 보유 지지된 미처리의 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 처리 챔버(121)에 반송하고, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV1을 폐쇄한다.
스텝 S104에 있어서, 제어부(160)는, 처리 챔버(121)(PM) 내의 기판 G에 에칭 처리(제1 처리)를 실시한다. 여기서, 처리 챔버(121)(122 내지 124)에서는, 프로세스 가스로서 염소(Cl) 등의 할로겐 함유 가스(부식성 가스, 염소 함유 가스)를 처리 챔버(121)(122 내지 124) 내에 공급하여, 도시하지 않은 플라스마 생성 수단에 의해 프로세스 가스를 플라스마화하고, 플라스마에 의해 기판 G에 에칭 처리를 실시한다. 이 때문에, 에칭 처리 후의 기판 G에는, 에칭 처리의 프로세스 가스가 잔류하고 있다.
스텝 S105에 있어서, 제어부(160)는, 처리 챔버(121)(PM)에서 에칭 처리가 완료된 기판 G를 대기시킨다. 구체적으로는, 처리 챔버(121)의 적재부에 에칭 처리가 완료된 기판 G가 적재된 상태에서 대기시킨다.
스텝 S106에 있어서, 제어부(160)는, 다른 기판 G에 있어서의 애싱 처리의 종료 타이밍(304)(도 3 참조)을 추정하여, 교체 개시 타이밍(305)(도 3 참조)을 산출한다. 여기서, 애싱 처리의 종료 타이밍(304)이란, 처리 챔버(125)에 있어서 다른 기판 G에 대하여 실시되어 있는 처리(후술하는 본 처리(301) 및 후처리(302))가 종료되는 타이밍(304)이다. 또한, 교체 개시 타이밍(305)은, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 에칭 처리가 완료된 기판 G와 진공 반송 챔버(110)의 반송 장치(140)가 보유 지지하는 미처리의 기판 G를 교체하는 처리(후술하는 스텝 S108의 처리 참조)를 개시하는 타이밍이다.
여기서, 교체 개시 타이밍(305)은, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 에칭 처리가 완료된 기판 G와 진공 반송 챔버(110)의 반송 장치(140)가 보유 지지하는 미처리의 기판 G를 교체하는 처리(후술하는 스텝 S108의 처리 참조)의 종료 후, 즉시, 처리 챔버(125)의 적재부에 적재된 애싱 처리가 완료된 기판 G와 진공 반송 챔버(110)의 반송 장치(140)가 보유 지지하는 에칭 처리가 완료된 기판 G를 교체하는 처리(후술하는 스텝 S109의 처리 참조)를 개시할 수 있도록 설정된다. 바꾸어 말하면, 교체 개시 타이밍(305)은, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 에칭 처리가 완료된 기판 G와 진공 반송 챔버(110)의 반송 장치(140)가 보유 지지하는 미처리의 기판 G를 교체하는 처리(후술하는 스텝 S108의 처리 참조)와, 처리 챔버(125)의 애싱 처리(후술하는 본 처리(301) 및 후처리(302))가 동일한 타이밍에 종료하도록 설정된다.
제어부(160)는, 처리 챔버(125)에 있어서의 애싱 처리의 종료 타이밍(304)을 추정하고, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 에칭 처리가 완료된 기판 G와 진공 반송 챔버(110)의 반송 장치(140)가 보유 지지하는 미처리의 기판 G를 교체하는 처리(후술하는 스텝 S108의 처리 참조)에 요하는 교체 시간(후술하는 스텝 S108의 처리에 요하는 시간, 제3 시간)에 기초하여, 교체 개시 타이밍(305)을 산출한다. 즉, 교체 개시 타이밍(305)은, 애싱 처리의 종료 타이밍(304)으로부터 교체 시간(제3 시간)의 분만큼 거슬러 올라간 타이밍이 된다.
여기서, 애싱 처리에는, 기판 G에 프로세스 가스를 공급하여 도시하지 않은 플라스마 생성 수단에 의해 프로세스 가스를 플라스마화하여 애싱 처리를 실시하는 본 처리(301)와, 본 처리(301) 후에 행해지는 후처리(302)를 갖는다. 후처리(302)에는, 예를 들어 처리 챔버(125)의 적재부에 정전 흡착된 기판 G를 제전하여 흡착을 해제하는 제전 처리를 포함한다. 또한, 본 처리(301)에 있어서, 제어부(160)는, 처리 챔버(125)의 내부에 있어서 애싱 처리에 사용되는 플라스마의 발광 상태를 검출함으로써 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)을 검출한다.
이 경우, 제어부(160)는, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)과, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)에 기초하여, 애싱 처리의 종료 타이밍(304)을 추정할 수 있다. 또한, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)이 교체 시간(제3 시간)보다도 긴 경우, 제어부(160)는, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)과, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)과, 교체 시간(제3 시간)에 기초하여, 교체 개시 타이밍(305)을 산출할 수 있다. 바꾸어 말하면, 제어부(160)는, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)과, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)과, 교체 시간(제3 시간)에 기초하여, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)으로부터 교체 개시 타이밍(305)까지의 대기 시간(제1 시간)을 산출할 수 있다. 즉, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)으로부터 교체 개시 타이밍(305)까지의 대기 시간(제1 시간)은 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)과 교체 시간(제3 시간)의 차로부터 산출된다. 또한, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간) 및 교체 시간(제3 시간)은, 기판 처리 장치의 구성에 의해 규정되는 기지의 값이다. 도 3의 예에서는, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)으로 교체 개시 타이밍(305)을 산출할 수 있다(S106).
또한, 제어부(160)는, 과거의 실적에 기초하여, 본 처리(301)에 요하는 시간을 추정하고, 다른 기판 G에 있어서의 애싱 처리의 개시 타이밍, 추정한 본 처리(301)에 요하는 시간, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)으로부터 애싱 처리의 종료 타이밍(304)을 추정해도 된다. 그리고, 제어부(160)는, 애싱 처리의 종료 타이밍(304)과, 교체 시간(제3 시간)에 기초하여, 교체 개시 타이밍(305)을 산출할 수 있다. 이 구성에서는, 후처리(302)에 요하는 시간(제2 시간)이 교체 시간(제3 시간)보다도 짧은 경우에도, 교체 개시 타이밍(305)을 산출할 수 있다.
스텝 S107에 있어서, 제어부(160)는, 교체 개시 타이밍인지 여부를 판정한다. 교체 개시 타이밍이 아닌 경우(S107·"아니오"), 제어부(160)의 처리는 스텝 S107을 반복한다. 즉, 처리 챔버(121)(PM1)에서 에칭 처리가 완료된 기판 G를 대기시킨다. 교체 개시 타이밍인 경우(S107·"예"), 제어부(160)의 처리는 스텝 S108로 진행한다. 바꾸어 말하면, 본 처리(301)의 종료 타이밍(303)으로부터 대기 시간(제1 시간)이 경과했는지 여부를 판정한다. 대기 시간(제1 시간)이 경과하지 않은 경우(S107·"아니오"), 제어부(160)의 처리는 스텝 S107을 반복한다. 대기 시간(제1 시간)이 경과한 경우(S107·"예"), 제어부(160)의 처리는 스텝 S108로 진행한다.
스텝 S108에 있어서, 제어부(160)는, 처리 챔버(121)(PM1)로부터 진공 반송 챔버(110)(VTM)에 에칭 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 바꾸어 말하면, 처리 챔버(121)(PM1)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV1을 개방하여, 처리 챔버(121)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)으로 처리 챔버(121)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 처리 챔버(121)로부터 진공 반송 챔버(110)에 에칭 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)에 보유 지지된 미처리의 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 처리 챔버(121)에 반송하고, 처리 챔버(121)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV1을 폐쇄한다. 또한, 반송 장치(140)가, 처리 챔버(121 내지 125) 및 로드 로크 챔버(130) 중 어느 것에 대하여 기판 G의 반송을 행할 때마다, 기판 G를 보유 지지하고 있는 반송 암은 반송 암(141)과 반송 암(142)으로 교체된다. 그 때문에, 상기에 한정되지 않고, 기판 G의 보유 지지의 상태에 따라서는, 반송 암(141)이 에칭 처리 완료된 기판 G를 처리 챔버(121)(PM1)로부터 반출하고, 반송 암(142)이 미처리된 기판 G를 처리 챔버(121)(PM1)로 반입해도 된다.
스텝 S109에 있어서, 제어부(160)는, 진공 반송 챔버(110)(VTM)로부터 처리 챔버(125)(PM5)에 에칭 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 바꾸어 말하면, 처리 챔버(125)(PM5)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV5를 개방하여, 처리 챔버(125)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)으로 처리 챔버(125)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 처리 챔버(125)로부터 진공 반송 챔버(110)에 애싱 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)에 보유 지지된 에칭 처리가 완료된 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 처리 챔버(125)에 반송하고, 처리 챔버(125)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV5를 폐쇄한다.
스텝 S110에 있어서, 제어부(160)는, 기판 G에 애싱 처리(제2 처리)를 실시한다. 처리 챔버(125)의 애싱 처리에 있어서, 에칭 처리가 완료된 기판 G에 잔류하는 에칭 처리의 프로세스 가스(할로겐 함유 가스, 부식성 가스, 염소 함유 가스)도 제거된다.
스텝 S111에 있어서, 제어부(160)는, 처리 챔버(125)(PM5)로부터 진공 반송 챔버(110)(VTM)에 에칭 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 바꾸어 말하면, 처리 챔버(125)(PM5)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV5를 개방하여, 처리 챔버(125)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)으로 처리 챔버(125)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 처리 챔버(125)로부터 진공 반송 챔버(110)에 애싱 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)에 보유 지지된 에칭 처리가 완료된 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 처리 챔버(125)에 반송하고, 처리 챔버(125)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV5를 폐쇄한다.
스텝 S112에 있어서, 제어부(160)는, 진공 반송 챔버(110)(VTM)로부터 로드 로크 챔버(130)(LLM)에 애싱 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 바꾸어 말하면, 로드 로크 챔버(130)(LLM)의 기판 G와 진공 반송 챔버(110)(VTM)의 기판 G를 교체한다. 구체적으로는, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV6을 개방하여, 로드 로크 챔버(130)와 진공 반송 챔버(110)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(141)으로 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 로드 로크 챔버(130)로부터 진공 반송 챔버(110)에 미처리의 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 반송 장치(140)를 제어하여, 반송 암(142)에 보유 지지된 애싱 처리가 완료된 기판 G를 진공 반송 챔버(110)로부터 로드 로크 챔버(130)에 반송하고, 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV6을 폐쇄한다.
그 후, 제어부(160)는, 로드 로크 챔버(130)를 진공 분위기로부터 대기 분위기로 전환한다. 로드 로크 챔버(130)가 대기 분위기가 되면, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV7을 개방하여, 로드 로크 챔버(130)와 대기 반송 챔버(150)를 연통시킨다. 제어부(160)는, 대기 반송 챔버(150)의 대기 반송 장치(도시하지 않음)를 제어하여, 반송 암으로 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재된 기판 G를 보유 지지하여, 로드 로크 챔버(130)로부터 대기 반송 챔버(150)에 애싱 처리가 완료된 기판 G를 반송한다. 또한, 제어부(160)는, 대기 반송 장치(도시하지 않음)를 제어하여, 대기 반송 챔버(150)로부터 로드 로크 챔버(130)에 미처리의 기판 G를 반송하고, 로드 로크 챔버(130)의 적재부에 적재한다. 그리고, 제어부(160)는, 게이트 밸브 GV7을 폐쇄한다. 그리고, 제어부(160)는, 로드 로크 챔버(130)를 대기 분위기로부터 진공 분위기로 전환한다. 또한, 제어부(160)가 대기 반송 장치를 직접 제어하지 않고, 대기 반송 장치를 제어하는 대기 반송 제어 장치를 별도로 마련해도 된다. 이 경우, 제어부(160)는, 대기 반송 제어 장치에 대기 반송 장치의 제어의 요구를 송신하고, 대기 반송 장치에 의한 기판 G의 교체의 종료를 기다려, 반송 장치(140)에 의한 기판 G의 교체 동작을 제어한다.
여기서, 참고예에 관한 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 대해서, 도 4를 사용하여 설명한다. 도 4는, 참고예에 관한 기판 처리 방법의 흐름을 설명하는 도면의 일례이다.
도 4에 도시하는 참고예에 관한 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 있어서는, 처리 챔버(121 내지 124)(PM1 내지 PM4)의 가동을 우선한다. 즉, 미처리의 기판 G를 진공 반송 챔버(110)에 반송한 후, 처리 챔버(121 내지 124)(PM1 내지 PM4) 중 어느 처리 챔버에 빈 공간이 있는 경우, 에칭 처리가 완료된 기판 G와 미처리의 기판 G를 교체하여, 처리 챔버에 의한 에칭 처리를 개시한다.
한편, 에칭 처리가 완료된 기판 G는, 처리 챔버(125)(PM5)의 애싱 처리가 완료될 때까지, 진공 반송 챔버(110) 내에서 대기한다. 도 4에 있어서, 화살표(401)는, 처리 챔버(121)(PM1)에서 에칭 처리된 에칭 처리가 완료된 기판 G가 진공 반송 챔버(110) 내에서 대기하는 것을 나타내고 있다.
여기서, 처리 챔버(121 내지 124)(PM1 내지 PM4)의 에칭 처리의 에칭 가스로서, 예를 들어 염소(Cl) 함유 가스가 사용된다. 이 때문에, 진공 반송 챔버(110) 내에서 에칭 처리가 완료된 기판 G를 대기시킴으로써, 에칭 처리가 완료된 기판 G로부터 방출되는 염소 함유 가스에 의해 진공 반송 챔버(110) 내가 염소 폭로된다. 이에 의해, 진공 챔버(110) 내의 구성 부재가 부식된다. 예를 들어, 반송 암(141, 142)은, 반송 암(141, 142)이 기판 G를 보유 지지할 때에 기판 G와 맞닿는 패드 부재(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 진공 반송 챔버(110) 내가 염소 폭로됨으로써 패드 부재가 부식된다. 이 때문에, 기판 처리 장치의 메인터넌스 주기가 짧아져, 기판 처리 장치의 생산성이 저하될 우려가 있다.
이에 비해, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에서는, 진공 반송 챔버(110) 내에서 미처리의 기판 G를 대기시킨다(S102). 또한, 에칭 처리가 완료된 기판 G는, 처리 챔버(121)(PM1)로부터 진공 반송 챔버(110)(VTM)로 반송(S108)된 후, 빠르게, 진공 반송 챔버(110)(VTM)로부터 처리 챔버(125)(PM5)로 반송(S109)된다. 이에 의해, 진공 반송 챔버(110)의 염소 폭로를 억제할 수 있다. 이 때문에, 기판 처리 장치의 메인터넌스 주기를 연장하여, 기판 처리 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상, 기판 처리 장치에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 기재된 본 개시의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형, 개량이 가능하다. 예를 들어, 기판 G가 유리 기판인 경우에 대하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 웨이퍼 등, 다른 종류의 기판이어도 된다. 또한, 기판 G의 처리에 대해서는 프로세스 가스를 플라스마화하여 처리를 실시하는 경우에 대하여 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 에칭 처리 및 애싱 처리 중 어느 것, 혹은 양쪽에 있어서 플라스마를 사용하지 않는 처리여도 된다.

Claims (8)

  1. 기판에 처리를 실시하는 복수의 처리 챔버를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법이며,
    상기 복수의 처리 챔버는, 적어도, 상기 기판에 제1 처리를 실시하는 제1 처리 챔버와, 상기 기판에 제2 처리를 실시하는 제2 처리 챔버를 갖고,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버에 인접하고, 상기 기판을 반송 가능한 반송 장치를 갖는 반송 챔버를 구비하고,
    상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판에 상기 제1 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제2 처리 챔버에 있어서 다른 기판에 상기 제2 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제1 처리를 실시하는 공정 후, 상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판을 대기시키는 공정과,
    상기 다른 기판에 대한 상기 제2 처리가 종료된 시점으로부터 제1 시간의 경과 후, 상기 반송 장치에 의해, 상기 제1 처리 챔버로부터 상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정과,
    상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정 후, 상기 반송 장치에 의해 상기 기판을 상기 제2 처리 챔버로 반송하고, 상기 제2 처리 챔버에 있어서 상기 기판과 상기 다른 기판을 교체하는 공정
    을 갖는, 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 시간은,
    상기 제2 처리 챔버에 있어서의 상기 제2 처리의 후에 실시하는 제3 처리에 요하는 제2 시간과, 상기 제2 시간보다도 짧고, 상기 제1 처리 챔버에 있어서의 상기 기판의 반출에 요하는 제3 시간의 차인,
    기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제3 처리는,
    상기 제2 처리 챔버에 있어서의 상기 기판의 제전 처리인,
    기판 처리 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제3 시간은,
    상기 반송 장치에 미리 보유 지지된 상기 제1 처리가 실시되어 있지 않은 미처리 기판과, 상기 제1 처리 챔버의 적재부에 적재되어 상기 제1 처리가 실시된 상기 기판을 교체하는 시간을 포함하는,
    기판 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 처리는, 에칭 처리이고,
    상기 제2 처리는, 애싱 처리인,
    기판 처리 방법.
  6. 복수의 처리 챔버를 구비하고, 기판에 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 처리 방법이며,
    상기 복수의 처리 챔버는, 적어도, 상기 기판에 제1 처리를 실시하는 제1 처리 챔버와, 상기 기판에 제2 처리 및 제3 처리를 실시하는 제2 처리 챔버를 갖고,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버에 인접하고, 상기 기판을 반송 가능한 반송 장치를 갖는 반송 챔버를 구비하고,
    상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판에 상기 제1 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제2 처리 챔버에 있어서 다른 기판에 상기 제2 처리 및 상기 제3 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제1 처리를 실시하는 공정 후, 상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판을 대기시키는 공정과,
    과거의 실적에 기초하여 상기 제2 처리에 요하는 시간을 추정하고, 상기 다른 기판에 있어서의 상기 제2 처리의 개시 타이밍, 추정한 상기 제2 처리에 요하는 시간, 상기 제3 처리에 요하는 제2 시간, 상기 제1 처리 챔버에 있어서의 상기 기판의 반출에 요하는 제3 시간에 기초하여, 교체 개시 타이밍을 산출하고, 해당 교체 개시 타이밍의 경과 후, 상기 반송 장치에 의해, 상기 제1 처리 챔버로부터 상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정과,
    상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정 후, 상기 반송 장치에 의해 상기 기판을 상기 제2 처리 챔버로 반송하고, 상기 제2 처리 챔버에 있어서 상기 기판과 상기 다른 기판을 교체하는 공정
    을 갖는, 기판 처리 방법.
  7. 기판에 처리를 실시하는 복수의 처리 챔버를 구비하는 기판 처리 장치이며,
    상기 복수의 처리 챔버는,
    적어도, 상기 기판에 제1 처리를 실시하는 제1 처리 챔버와, 상기 기판에 제2 처리를 실시하는 제2 처리 챔버를 갖고,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 제1 처리 챔버 및 상기 제2 처리 챔버에 인접하고, 상기 기판을 반송 가능한 반송 장치를 갖는 반송 챔버와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판에 상기 제1 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제2 처리 챔버에 있어서 다른 기판에 상기 제2 처리를 실시하는 공정과,
    상기 제1 처리를 실시하는 공정 후, 상기 제1 처리 챔버에 있어서 상기 기판을 대기시키는 공정과,
    상기 다른 기판에 대한 상기 제2 처리가 종료된 시점으로부터 제1 시간의 경과 후, 상기 반송 장치에 의해, 상기 제1 처리 챔버로부터 상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정과,
    상기 반송 챔버로의 상기 기판의 반출을 개시하는 공정 후, 상기 반송 장치에 의해 상기 기판을 상기 제2 처리 챔버로 반송하고, 상기 제2 처리 챔버에 있어서 상기 기판과 상기 다른 기판을 교체하는 공정을 제어 가능하게 구성되는,
    기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 처리 챔버는, 상기 제1 처리가 에칭 처리인 에칭 챔버이고,
    상기 제2 처리 챔버는, 상기 제2 처리가 애싱 처리인 애싱 챔버인,
    기판 처리 장치.
KR1020230033222A 2022-03-24 2023-03-14 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 KR20230138899A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2022-048255 2022-03-24
JP2022048255A JP2023141771A (ja) 2022-03-24 2022-03-24 基板処理方法及び基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230138899A true KR20230138899A (ko) 2023-10-05

Family

ID=88078802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230033222A KR20230138899A (ko) 2022-03-24 2023-03-14 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023141771A (ko)
KR (1) KR20230138899A (ko)
CN (1) CN116805592A (ko)
TW (1) TW202338980A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108470A (ja) 2004-10-07 2006-04-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006108470A (ja) 2004-10-07 2006-04-20 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023141771A (ja) 2023-10-05
TW202338980A (zh) 2023-10-01
CN116805592A (zh) 2023-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100847888B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치
JP6002532B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP2009076503A (ja) 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
WO2006006364A1 (ja) 基板の回収方法及び基板処理装置
US10133264B2 (en) Method of performing aging for a process chamber
US11538706B2 (en) System and method for aligning a mask with a substrate
KR20220111197A (ko) 수납 용기 및 처리 시스템
US8731698B2 (en) Substrate receiving method and controller
JP2006245312A (ja) 半導体装置の製造方法
US9818629B2 (en) Substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
KR20230138899A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2001118904A (ja) ロードロック室を備えた基板処理装置および被処理基板の搬送方法
CN109659254B (zh) 对被处理体进行处理的方法
JP2011054679A (ja) 基板処理装置
WO2020242610A1 (en) Alignment module with a cleaning chamber
KR20080072238A (ko) 반도체 소자 제조 시스템
US10553468B2 (en) Substrate storing method and substrate processing apparatus
JP2005129868A (ja) 搬送制御方法
KR102207311B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2014120618A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
WO2021049368A1 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置制御方法
JP4657528B2 (ja) 処理システムおよび処理方法
KR20240076717A (ko) 플라즈마 처리 시스템 및 이의 반송 방법
KR20220085452A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230067075A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 설비