CN116805592A - 基片处理方法和基片处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。基片处理方法包括：在第一处理腔室中对基片实施第一处理的步骤；在第二处理腔室中对其他基片实施第二处理的步骤；在实施第一处理的步骤之后，在第一处理腔室中使基片待机的步骤；从对其他基片的第二处理结束的时间点起经过第一时间后，利用输送装置从第一处理腔室向输送腔室送出基片的步骤；和在开始向输送腔室送出基片的步骤之后，利用输送装置将基片输送到第二处理腔室，在第二处理腔室中将基片与其他基片进行对换的步骤。

Description

基片处理方法和基片处理装置
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
在专利文献1中记载了一种半导体装置的制造装置，其包括蚀刻用腔室、灰化用腔室和具有交接晶片的输送臂的输送室，经由输送臂将基片从蚀刻用腔室输送到灰化用腔室。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-108470号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在一个方面，本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题，依照本发明的一个方面，提供一种基片处理方法，其是包括对基片实施处理的多个处理腔室的基片处理装置中的基片处理方法，上述多个处理腔室至少具有对上述基片实施第一处理的第一处理腔室和对上述基片实施第二处理的第二处理腔室，上述基片处理装置包括输送腔室，上述输送腔室与上述第一处理腔室及上述第二处理腔室相邻，并具有能够输送上述基片的输送装置，上述基片处理方法包括：在上述第一处理腔室中对上述基片实施上述第一处理的步骤；在上述第二处理腔室中对其他基片实施上述第二处理的步骤；在实施上述第一处理的步骤之后，在上述第一处理腔室中使上述基片待机的步骤；在从对上述其他基片的上述第二处理结束的时间点起经过第一时间后，利用上述输送装置开始从上述第一处理腔室向上述输送腔室送出上述基片的步骤；和在开始向上述输送腔室送出上述基片的步骤之后，利用上述输送装置将上述基片输送到上述第二处理腔室，在上述第二处理腔室中将上述基片与上述其他基片进行对换的步骤。
发明效果
依照一个方面，能够提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。
附图说明
图1是表示基片处理装置的结构的概略图的一例。
图2是说明本发明的基片处理方法的流程图的一例。
图3是说明本发明的基片处理方法的流程的图的一例。
图4是说明参考例的基片处理方法的流程的图的一例。
附图标记说明
110 真空输送腔室(输送腔室)
121～124 处理腔室(第一处理腔室)
125 处理腔室(第二处理腔室)
130 装载锁定腔室
140 输送装置
141、142 输送臂
150 大气输送腔室
160 控制部
GV1～GV7 闸门
301 主处理
302 后处理
303 主处理的结束时刻
304 灰化处理的结束时刻
305 对换开始时刻
G 基片。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在各附图中，有时对相同或相应的结构标注相同的附图标记并省略说明。
使用图1，对一个实施方式的基片处理装置进行说明。图1是表示基片处理装置的结构的概略图的一例。基片处理装置例如是对FPD(Flat Panel Display：平板显示器)的制造中使用的矩形的玻璃基片实施处理的处理装置。
如图1所示，基片处理装置包括真空输送腔室110、处理腔室121～125、装载锁定腔室130、输送装置140和控制部160，与此外准备的大气输送腔室150连接。此外，装载锁定腔室130可以设置为一层，也可以设置为上下两层。此外，大气输送腔室150未必由密闭容器构成，也可以采用由上方开放的筒状的侧壁或部分由壁部件隔开的结构。
真空输送腔室110与处理腔室121～125及装载锁定腔室130相邻。真空输送腔室110内被减压成规定的真空气氛。在真空输送腔室110中设置有能够在减压状态下输送基片G输送装置140。输送装置140对处理腔室121～125、装载锁定腔室130输送基片G。输送装置140具有例如上下两层地设置的两个输送臂141、142。在图1中，输送臂141作为上层臂、输送臂142作为下层臂进行图示。此外，输送装置140以能够与处理腔室121～125及装载锁定腔室130相对的方式可旋转地设置。输送臂141、142分别能够独立地前后滑动，能够保持并输送基片G。此外，真空输送腔室110在后述的图3、4中，也称为VTM(Vacuum Transfer Module，真空送运模块)。
处理腔室121～125分别经由闸门GV1～GV5与真空输送腔室110连接。处理腔室121～125内被减压成规定的真空气氛，在其内部对玻璃基片等基片G实施所希望的处理。此外，在后述的图3、4中，处理腔室121～125也被称为PM(Process Module，处理模块)1～PM5。此外，处理腔室121～124是对基片G实施蚀刻处理的蚀刻处理腔室。此外，处理腔室125是对基片G实施灰化处理的灰化处理腔室。
装载锁定腔室130经由闸门GV6与真空输送腔室110连接，经由闸门GV7与大气输送腔室150连接。装载锁定腔室130内构成为能够切换大气气氛和真空气氛。此外，在后述的图3、4中，装载锁定腔室130也被称为LLM(Load Lock Module，装载锁定模块)。
大气输送腔室150与装载锁定腔室130相邻。大气输送腔室150内为大气气氛。此外，在大气输送腔室150中设置有能够输送基片G的大气输送装置(未图示)。
控制部160控制基片处理装置的各部。例如，控制部160实施处理腔室121～125的工作、装载锁定腔室130的工作、输送装置140的工作、闸门G1～G7的开闭等。控制部160例如也可以是计算机。
在基片处理装置中，在处理腔室121～124中的任一个处理腔室(第一处理腔室)中实施蚀刻处理(第一处理)，在处理腔室125(第二处理腔室)中实施灰化处理。此外，灰化处理具有后述图3所示的主处理301(第二处理)和后处理302(第三处理)。
接着，使用图2和图3，对基片处理装置的基片处理方法进行说明。图2是说明本发明的基片处理方法的流程图的一例。
另外，图3是说明本发明的基片处理方法的流程的图的一例。此外，在图3中，各列表示装载锁定腔室130(LLM)、真空输送腔室110(VTM)、处理腔室121(PM1)、处理腔室122(PM2)、处理腔室123(PM3)、处理腔室124(PM4)、处理腔室125(PM5)。此外，向下方表示时间的流逝。此外，在处理腔室121～124(PM1～PM4)中，关于实施蚀刻处理的时间，标注左斜向下的阴影进行图示。在处理腔室125(PM5)中，关于实施灰化处理(主处理301和后处理302)的时间，标注右斜向下的阴影进行图示。此外，关于将闸门GV1～GV6中的任一者打开而真空输送腔室110与其他相邻的腔室(处理腔室121～125、装载锁定腔室130)连通的时间，标注网点状阴影进行图示。此外，用箭头表示基片G的输送路径。
此处，如图3所示，在处理腔室121～125(PM1～PM5)中，分别进行基片处理。此外，输送装置140的一个输送臂142保持灰化处理完毕的基片G，另一个输送臂141没有保持基片G。此外，在装载锁定腔室130(LLM)中载置未处理的基片G，其内部为真空气氛。
在步骤S101中，控制部160将未处理的基片G从装载锁定腔室130(LLM)输送到真空输送腔室110(VTM)。换言之，将装载锁定腔室130(LLM)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV6，使装载锁定腔室130雨真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，用输送臂141保持载置于装载锁定腔室130的载置部的基片G，将未处理的基片G从装载锁定腔室130输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将被输送臂142保持的灰化处理完毕的基片G从真空输送腔室110输送到装载锁定腔室130，并载置在装载锁定腔室130的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV6。
在步骤S102中，控制部160使未处理的基片G在真空输送腔室110(VTM)中待机。具体而言，在真空输送腔室110内输送臂141保持着未处理的基片G的状态下待机。此外，输送臂142没有保持基片。
在步骤S103中，控制部160将未处理的基片G从真空输送腔室110(VTM)输送到处理腔室121～124(PM1～PM4)中的任一者。此处，以对处理腔室121(PM1)输送基片G的情况为例进行说明。换言之，将处理腔室121(PM1)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV1，使处理腔室121与真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，利用输送臂142保持载置于处理腔室121的载置部的基片G，将蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室121输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将被输送臂141保持的未处理的基片G从真空输送腔室110输送到处理腔室121，并载置在处理腔室121的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV1。
在步骤S104中，控制部160对处理腔室121(PM)内的基片G实施蚀刻处理(第一处理)。此处，在处理腔室121(122～124)中，作为处理气体，将含氯(Cl)等卤素的气体(腐蚀性气体、含氯气体)供给到处理腔室121(122～124)内，利用未图示的等离子体生成装置使处理气体等离子体化，利用等离子体对基片G实施蚀刻处理。因此，在蚀刻处理后的基片G，残留有蚀刻处理的处理气体。
在步骤S105中，控制部160使蚀刻处理完毕的基片G在处理腔室121(PM)中待机。具体而言，在蚀刻处理完毕的基片G载置于处理腔室121的载置部的状态下待机。
在步骤S106中，控制部160推断其他基片G的灰化处理的结束时刻304(参照图3)，并计算对换开始时刻305(参照图3)。此处，灰化处理的结束时刻304是指，在处理腔室125中对其他基片G实施的处理(后述的主处理301和后处理302)结束的时刻304。此外，对换开始时刻305是指，开始将载置于处理腔室121的载置部的蚀刻处理完毕的基片G与真空输送腔室110的输送装置140所保持的未处理的基片G进行对换的处理(参照后述的步骤S108的处理)的时刻。
此处，对换开始时刻305按照以下方式来设定：在将载置于处理腔室121的载置部的蚀刻处理完毕的基片G与真空输送腔室110的输送装置140所保持的未处理的基片G进行对换的处理(参照后述的步骤S108的处理)结束后，能够立即开始将载置于处理腔室125的载置部的灰化处理完毕的基片G与真空输送腔室110的输送装置140所保持的蚀刻处理完毕的基片G进行对换的处理(参照后述的步骤S109的处理)。换言之，对换开始时刻305按照以下方式来设定：将载置于处理腔室121的载置部的蚀刻处理完毕的基片G与真空输送腔室110的输送装置140所保持的未处理的基片G进行对换的处理(参照后述的步骤S108的处理)、和处理腔室125的灰化处理(后述的主处理301和后处理302)在相同的时刻结束。
控制部160推断处理腔室125中的灰化处理的结束时刻304，基于将载置于处理腔室121的载置部的蚀刻处理完毕的基片G与真空输送腔室110的输送装置140所保持的未处理的基片G的处理(参照后述的步骤S108的处理)进行对换所需的对换时间(后述的步骤S108的处理所需的时间、第三时间)，来计算对换开始时刻305。即，对换开始时刻305是从灰化处理的结束时刻304追溯如对换时间(第三时间)那样长短的时间而得到的时刻。
此处，灰化处理具有：主处理301，其对基片G供给处理气体，利用未图示的等离子体生成装置将处理气体等离子体化并实施灰化处理；和在主处理301后进行的后处理302。后处理302例如包括对静电吸附于处理腔室125的载置部的基片G进行除电来解除吸附的除电处理。此外，在主处理301中，控制部160通过在处理腔室125的内部检测用于灰化处理的等离子体的发光状态来检测主处理301的结束时刻303。
在这种情况下，控制部160能够基于主处理301的结束时刻303和后处理302所需的时间(第二时间)，来推断灰化处理的结束时刻304。此外，在后处理302所需的时间(第二时间)比对换时间(第三时间)长的情况下，控制部160能够基于主处理301的结束时刻303、后处理302所需的时间(第二时间)和对换时间(第三时间)，来计算对换开始时间305。换言之，控制部160能够基于主处理301的结束时刻303、后处理302所需的时间(第二时间)和对换时间(第三时间)，来计算从主处理301的结束时刻303至对换开始时刻305的待机时间(第一时间)。即，根据后处理302所需的时间(第二时间)与对换时间(第三时间)之差，来计算从主处理301的结束时刻303至对换开始时刻305的待机时间(第一时间)。此外，后处理302所需的时间(第二时间)和对换时间(第三时间)是由基片处理装置的结构规定的已知的值。在图3的例子中，能够在主处理301的结束时刻303计算对换开始时刻305(S106)。
另外，控制部160也可以基于过去的实绩来推断主处理301所需的时间，根据其他基片G的灰化处理的开始时刻、推断出的主处理301所需的时间和后处理302所需的时间(第二时间)，来推断灰化处理的结束时刻304。然后，控制部160能够基于灰化处理的结束时刻304和对换时间(第三时间)，来计算对换开始时刻305。在该构成中，即使在后处理302所需的时间(第二时间)比对换时间(第三时间)短的情况下，也能够计算对换开始时刻305。
在步骤S107中，控制部160判断是否是对换开始时刻。在不是对换开始时刻的情况下(S107，否)，控制部160的处理反复步骤S107。即，使蚀刻处理完毕的基片G在处理腔室121(PM1)中待机。在是对换开始时刻的情况下(S107，是)，控制部160的处理进行到步骤S108。换言之，判断是否从主处理301的结束时刻303起经过了待机时间(第一时间)。在没有经过待机时间(第一时间)的情况下(S107，否)，控制部160的处理反复步骤S107。在经过了待机时间(第一时间)的情况下(S107，是)，控制部160的处理进行到步骤S108。
在步骤S108中，控制部160将蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室121(PM1)输送到真空输送腔室110(VTM)。换言之，将处理腔室121(PM1)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV1，使处理腔室121与真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，用输送臂142保持载置于处理腔室121的载置部的基片G，将蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室121输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将被输送臂141保持的未处理的基片G从真空输送腔室110输送到处理腔室121并载置在处理腔室121的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV1。此外，输送装置140每次对处理腔室121～125和装载锁定腔室130中的任一者进行基片G的输送时，保持基片G的输送臂在输送臂141与输送臂142之间对换。因此，并不限于上述，也可以根据基片G的保持状态，输送臂141将蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室121(PM1)送出，输送臂142将未处理的基片G送入处理腔室121(PM1)。
在步骤S109中，控制部160将蚀刻处理完毕的基片G从真空输送腔室110(VTM)输送到处理腔室125(PM5)。换言之，将处理腔室125(PM5)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV5，使处理腔室125与真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，用输送臂141保持载置于处理腔室125的载置部的基片G，将灰化处理完毕的基片G从处理腔室125输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将保持于输送臂142的蚀刻处理完毕的基片G从真空输送腔室110输送到处理腔室125，并载置在处理腔室125的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV5。
在步骤S110中，控制部160对基片G实施灰化处理(第二处理)。在处理腔室125的灰化处理中，残留在蚀刻处理完毕的基片G的蚀刻处理的处理气体(含卤素气体、腐蚀性气体、含氯气体)也被除去。
在步骤S111中，控制部160将蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室125(PM5)输送到真空输送腔室110(VTM)。换言之，将处理腔室125(PM5)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV5，使处理腔室125与真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，用输送臂142保持载置于处理腔室125的载置部的基片G，将灰化处理完毕的基片G从处理腔室125输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将保持于输送臂141的蚀刻处理完毕的基片G从真空输送腔室110输送到处理腔室125，并载置在处理腔室125的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV5。
在步骤S112中，控制部160将灰化处理完毕的基片G从真空输送腔室110(VTM)输送到装载锁定腔室130(LLM)。换言之，将装载锁定腔室130(LLM)的基片G与真空输送腔室110(VTM)的基片G进行对换。具体而言，控制部160打开闸门GV6，使装载锁定腔室130与真空输送腔室110连通。控制部160控制输送装置140，用输送臂141保持载置于装载锁定腔室130的载置部的基片G，将未处理的基片G从装载锁定腔室130输送到真空输送腔室110。此外，控制部160控制输送装置140，将保持于输送臂142的灰化处理完毕的基片G从真空输送腔室110输送到装载锁定腔室130，并载置在装载锁定腔室130的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV6。
然后，控制部160将装载锁定腔室130从真空气氛切换为大气气氛。当装载锁定腔室130变成大气气氛时，控制部160打开闸门GV7，使装载锁定腔室130与大气输送腔室150连通。控制部160控制大气输送腔室150的大气输送装置(未图示)，用输送臂保持载置于装载锁定腔室130的载置部的基片G，将灰化处理完毕的基片G从装载锁定腔室130输送到大气输送腔室150。此外，控制部160控制大气输送装置(未图示)，将未处理的基片G从大气输送腔室150输送到装载锁定腔室130，并载置在装载锁定腔室130的载置部。然后，控制部160关闭闸门GV7。然后，控制部160将装载锁定腔室130从大气气氛切换为真空气氛。此外，也可以不是控制部160直接控制大气输送装置，而是另外设置控制大气输送装置的大气输送控制装置。在这种情况下，控制部160向大气输送控制装置发送大气输送装置的控制请求，等待由大气输送装置进行的基片G的对换结束，控制由输送装置140进行的基片G的对换动作。
此处，使用图4对参考例的基片处理装置的基片处理方法进行说明。图4是说明参考例的基片处理方法的流程的图的一例。
在图4所示的参考例的基片处理装置的基片处理方法中，优先处理腔室121～124(PM1～PM4)的工作。即，在将未处理的基片G输送到真空输送腔室110之后，在处理腔室121～124(PM1～PM4)中的任一个处理腔室有空闲的情况下，将蚀刻处理完毕的基片G与未处理的基片G进行对换，开始利用处理腔室进行的蚀刻处理。
另一方面，蚀刻处理完毕的基片G在真空输送腔室110内待机，直到处理腔室125(PM5)的灰化处理结束。在图4中，箭头401表示在处理腔室121(PM1)中进行了蚀刻处理的蚀刻处理完毕的基片G在真空输送腔室110内待机。
此处，作为处理腔室121～124(PM1～PM4)的蚀刻处理的蚀刻气体，例如使用含氯(Cl)气体。因此，通过使蚀刻处理完毕的基片G在真空输送腔室110内待机，由于从蚀刻处理完毕的基片G释放的含氯气体，真空输送腔室110内暴露于氯。由此，真空输送腔室110内的构成部件被腐蚀。例如，输送臂141、142包括在输送臂141、142保持基片G时与基片G抵接的衬垫部件(未图示)。由于真空输送腔室110暴露于氯，衬垫部件被腐蚀。因此，基片处理装置的维护周期缩短，基片处理装置的生产率有可能降低。
与此相对，在本实施方式的基片处理装置中，使未处理的基片G在真空输送腔室110内待机(S102)。此外，在蚀刻处理完毕的基片G从处理腔室121(PM1)被输送到真空输送腔室110(VTM)(S108)之后，迅速地将其从真空输送腔室110(VTM)输送到处理腔室125(PM5)(S109)。由此，能够抑制真空输送腔室110的氯暴露。因此，能够延长基片处理装置的维护周期，提高基片处理装置的生产率。
以上，对基片处理装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式等，在权利要求书记载的本发明的范围内，能够进行各种变形、改良。例如，对基片G为玻璃基片的情况进行了说明，但不限于此，也可以是晶片等其他种类的基片。此外，关于基片G的处理，对将处理气体等离子体化来实施处理的情况进行了说明，但不限于此，也可以是在蚀刻处理和灰化处理中的任一者或两者中不使用等离子体的处理。

Claims (8)

1.一种基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理方法是包括对基片实施处理的多个处理腔室的基片处理装置中的基片处理方法，
所述多个处理腔室至少具有对所述基片实施第一处理的第一处理腔室和对所述基片实施第二处理的第二处理腔室，
所述基片处理装置包括输送腔室，所述输送腔室与所述第一处理腔室和所述第二处理腔室相邻，并具有能够输送所述基片的输送装置，
所述基片处理方法包括：
在所述第一处理腔室中对所述基片实施所述第一处理的步骤；
在所述第二处理腔室中对其他基片实施所述第二处理的步骤；
在实施所述第一处理的步骤之后，在所述第一处理腔室中使所述基片待机的步骤；
在从对所述其他基片的所述第二处理结束的时间点起经过了第一时间后，利用所述输送装置开始从所述第一处理腔室向所述输送腔室送出所述基片的步骤；和
在开始向所述输送腔室送出所述基片的步骤之后，利用所述输送装置将所述基片输送到所述第二处理腔室，在所述第二处理腔室中将所述基片和所述其他基片进行对换的步骤。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一时间是第二时间与第三时间之差，其中，所述第二时间是在所述第二处理腔室中的所述第二处理之后实施的第三处理所需的时间，所述第三时间比所述第二时间短，是将所述第一处理腔室中的所述基片送出所需的时间。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第三处理是所述第二处理腔室中的所述基片的除电处理。
4.如权利要求2或3所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第三时间包括将预先保持在所述输送装置中的未实施所述第一处理的未处理基片与载置于所述第一处理腔室的载置部并实施了所述第一处理的所述基片进行对换的时间。
5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一处理是蚀刻处理，
所述第二处理是灰化处理。
6.一种基片处理方法，其特征在于：
所述基片处理方法是包括多个处理腔室的对基片实施处理的基片处理装置中的基片处理方法，
所述多个处理腔室至少具有对所述基片实施第一处理的第一处理腔室和对所述基片实施第二处理及第三处理的第二处理腔室，
所述基片处理装置包括输送腔室，所述输送腔室与所述第一处理腔室及所述第二处理腔室相邻，并具有能够输送所述基片的输送装置，
所述基片处理方法包括：
在所述第一处理腔室中对所述基片实施所述第一处理的步骤；
在所述第二处理腔室中对其他基片实施所述第二处理及所述第三处理的步骤；
在实施所述第一处理的步骤之后，在所述第一处理腔室中使所述基片待机的步骤；
基于过去的实绩来推断所述第二处理所需的时间，基于所述其他基片的所述第二处理的开始时刻、推断出的所述第二处理所需的时间、所述第三处理所需的第二时间和将所述第一处理腔室中的所述基片送出所需的第三时间来计算对换开始时刻，在经过该对换开始时刻后，利用所述输送装置开始从所述第一处理腔室向所述输送腔室送出所述基片的步骤；以及
在开始向所述输送腔室送出所述基片的步骤之后，利用所述输送装置将所述基片输送到所述第二处理腔室，在所述第二处理腔室中将所述基片与所述其他基片进行对换的步骤。
7.一种基片处理装置，其特征在于：
所述基片处理装置包括对基片实施处理的多个处理腔室，
所述多个处理腔室至少具有对所述基片实施第一处理的第一处理腔室和对所述基片实施第二处理的第二处理腔室，
所述基片处理装置包括：
输送腔室，其与所述第一处理腔室及所述第二处理腔室相邻，并具有能够输送所述基片的输送装置；和
控制部，
所述控制部构成为能够控制：
在所述第一处理腔室中对所述基片实施所述第一处理的步骤；
在所述第二处理腔室中对其他基片实施所述第二处理的步骤；
在实施所述第一处理的步骤之后，在所述第一处理腔室中使所述基片待机的步骤；
在从对所述其他基片的所述第二处理结束的时间点起经过第一时间后，利用所述输送装置开始从所述第一处理腔室向所述输送腔室送出所述基片的步骤；和
在开始向所述输送腔室送出所述基片的步骤之后，利用所述输送装置将所述基片输送到所述第二处理腔室，在所述第二处理腔室中将所述基片与所述其他基片进行对换的步骤。
8.如权利要求7所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一处理腔室是所述第一处理为蚀刻处理的蚀刻腔室，
所述第二处理腔室是所述第二处理为灰化处理的灰化腔室。
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