JP2012054536A - 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 負圧下で基板が搬送される搬送室と、搬送室に接続され基板に加熱処理を施す処理室と、搬送室内に設けられ処理室内外へ基板を搬送する搬送ロボットと、搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概要構成を、図1、図2および図8を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す横断面図である。図2は、本実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す縦断面図である。図8は、本実施形態に係る真空搬送室が備える冷媒流路の構成例を示す図であって、(a)は真空搬送室の横断面図であり、(b)は真空搬送室の縦断面図である。
図1および図2に示されているように、基板処理装置は、負圧下で基板200が搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室(トランスファモジュール)103を備えている。真空搬送室103を構成する筐体101は平面視が六角形に形成され、六角形の各辺には、後述の予備室122,123及び各処理室201a〜201dが、ゲートバルブ160,165,161a〜161dを介してそれぞれ連結されている。真空搬送室103の略中央部には、負圧下で基板200を移載(搬送)する搬送ロボットとしての真空搬送ロボット112がフランジ115を基部として設置されている。
っているので、冷却効率も高い。これにより、真空搬送室103の内壁が高温状態となり、基板200や真空搬送ロボット112へと逆に熱が放射されてしまうことを抑制することができる。また、真空搬送室103の内壁の温度上昇が過度に進むと、アルマイトと母材のアルミニウムとの熱膨張の違いからアルマイトが剥離してしまうおそれがある。真空搬送室103の内壁の冷却により、このようなアルマイトの剥離を抑制することができる。
筐体101の六枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室(ロードロックモジュール)122と、搬出用の予備室(ロードロックモジュール)123とがそれぞれゲートバルブ160,165を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造に構成されている。
予備室122および予備室123の前側には、大気搬送室(フロントエンドモジュール)121がゲートバルブ128,129を介して連結されている。大気搬送室121は略大気圧下で用いられる。
100に対する基板200の出し入れを可能とする。ポッド100は図示しない工程内搬送装置(RGV)によって、IOステージ105に対して、供給および排出される。
図1に示されているように、筐体101の六枚の側壁のうち後側(背面側)に位置する二枚の側壁には、基板200に所望の処理を行う第二処理室(プロセスモジュール)201bと第三処理室(プロセスモジュール)201cとが、ゲートバルブ161b,161cを介してそれぞれ隣接して連結されている。第二処理室201bおよび第三処理室201cはいずれもコールドウォール式の処理容器203b,203cによって構成されている。
図1,2に示すように、制御部としてのコントローラ281は、例えば、信号線Aを通じて真空搬送ロボット112と、信号線Bを通じて大気搬送ロボット124と、信号線Cを通じてゲートバルブ160,161a,161b,161c,161d,165,128,129と、信号線Dを通じてポッドオープナ108と、信号線Eを通じてプリアライナ106と、信号線Fを通じてクリーンユニット118と、それぞれ電気的に接続され、更にこれら基板処理装置を構成する各部の動作を制御する。
次に、本発明の一実施形態に係る処理室201aの構成及び動作について図3を用いて説明する。
第一処理室201aを構成する処理容器203aは、第一の容器であるドーム型の上側容器210と、第二の容器である碗型の下部容器211と、を備えている。そして、上側容器210が下側容器211の上に被せられることにより第一処理室201aが形成される。上側容器210は例えば酸化アルミニウム(Al2O3)又は石英(SiO2)等の非金属材料で形成されており、下側容器211は例えばアルミニウム(Al)で形成され
ている。
第一処理室201a内の底側中央には、基板200を支持する基板載置台としてのサセプタ217が配置されている。サセプタ217は、基板200上に形成された膜等への金属汚染を低減することが出来るように、例えば、窒化アルミニウム(AlN)、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。
処理容器203aの上面には光透過性窓部278が配設されている。この光透過性窓部278に対応する処理容器203a外側に、例えば赤外光を発する光源となる基板加熱体としてのランプ加熱装置(ランプヒータ)280が設けられている。ランプ加熱装置280は、700℃を超える温度に基板200を加熱可能なように構成されている。上限温度を例えば700℃程度とする上述の抵抗加熱ヒータ217bに対し、ランプ加熱装置280は、700℃を超える加熱処理を基板200に対して行う場合などの補助ヒータとして用いられる。
第一処理室201aの上部には、第一処理室201a内へ反応ガス等の処理ガスを供給するシャワーヘッド236が設けられている。シャワーヘッド236は、キャップ状の蓋体233と、ガス導入口234と、バッファ室237と、開口238と、遮蔽プレート(シャワープレート)240と、ガス吹出口239とを備えている。
下側容器211の側壁下方には、第一処理室201a内から反応ガス等を排気するガス排気口235が設けられている。ガス排気口235には、ガスを排気するガス排気管231の上流端が接続されている。ガス排気管231には、上流側から順に圧力調整器であるAPC242、開閉弁であるバルブ243b、排気装置である真空ポンプ246が設けられている。真空ポンプ246を作動させ、バルブ243bを開けることにより、第一処理室201a内を排気することが可能なように構成されている。また、APC242の開度を調整することにより、第一処理室201a内の圧力値を調整できるように構成されている。
処理容器203a(上側容器210)の外周には、第一処理室201a内のプラズマ生成領域224を囲うように、第一の電極215が設けられている。第一の電極215は、筒状、例えば円筒状に形成されている。第一の電極215は、インピーダンスの整合を行う整合器272を介して、高周波電力を発生する高周波電源273に接続されている。第一の電極215は、第一処理室201a内に供給されるガスを励起させてプラズマを発生させる放電機構として機能する。
また、制御部としてのコントローラ281は、信号線Gを通じてAPC242、バルブ243b、及び真空ポンプ246と、信号線Hを通じてサセプタ昇降機構268と、信号線Iを通じてゲートバルブ161aと、信号線Jを通じて整合器272、及び高周波電源273と、信号線Kを通じてマスフローコントローラ251a〜251c、バルブ252a〜252cと、さらに図示しない信号線を通じてサセプタ217に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ217bやインピーダンス可変機構274等と電気的に接続され、それぞれ制御するように構成されている。
次に、本発明の一実施形態に係る真空搬送ロボット112の構成及び動作を、図1、図2、図4を参照しながら説明する。図4は、本実施形態に係る真空搬送ロボット112の構成例を示す図である。
タ固定アーム303aと、アーム関節303bと、エンドエフェクタ側アーム303cと、フランジ側アーム303dとで構成されている。アーム304は、エンドエフェクタ固定アーム304aと、アーム関節304bと、エンドエフェクタ側アーム304cと、フランジ側アーム304dとで構成されている。
q=σ/{1/ε2+A2/A1・(1/ε1−1)}・A2(T2 4−T1 4)
q:放熱量、σ:シュテファン・ボルツマン定数
A1:アームの表面積、T1:アームの温度、ε1:アームの熱放射率
A2:基板の表面積、T2:基板の温度、ε2:基板の熱放射率
されている。フランジ115は、例えばアルミニウムで形成されている。フランジ表面115aには例えば電界研磨が施され、フランジ表面115aの熱吸収率が0.01以上、0.1以下となっている。フランジ表面115aの熱吸収率を0.01以上、0.1以下にすることによって、フランジ表面115aは、熱(電磁波)を吸収し難く反射し易い熱反射面となっている。これにより、フランジ115の温度が上がり難くなる。フランジ115の温度上昇が抑えられることによって、フランジ115周辺に設けられたモータ、磁気シール、グリス、タイミングベルト等を保護することができ、真空搬送ロボット112の寿命及び信頼性の低下を抑制することができる。
以下、前記構成をもつ基板処理装置を使用して、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として基板200を処理する処理工程、具体的にはプラズマを用いた加熱処理工程について、図1〜図3を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ281により制御される。
例えば25枚の未処理の基板200がポッド100に収納された状態で、加熱処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図1及び図2に示されているように、搬送されて来たポッド100はIOステージ105の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド100のキャップ100aがポッドオープナ108によって取り外され、ポッド100の基板出し入れ口が開放される。
0を搬入する。具体的には、真空搬送ロボット112の備えるアーム303,304のうち、例えば未処理の基板200を搬送するアーム303により、上述の水平移動、回転移動、昇降移動の機能を用い、予備室122内の基板載置台150から基板200をピックアップして、真空搬送室103内に搬入する。真空搬送室103内へと基板200が搬入され、ゲートバルブ160が閉じられた後に、例えばゲートバルブ161aが開かれて、真空搬送室103と第一処理室201aとが連通される。
まず、真空搬送ロボット112は、基板200を真空搬送室103内から第一処理室201a内へ搬入して、第一処理室201a内のサセプタ217上に移載する。具体的には、最初、サセプタ217は下降しており、基板突き上げピン266の先端がサセプタ217の貫通孔217aを通してサセプタ217の表面より所定の高さ分だけ突き出た状態にある。この状態で、上記のように、下側容器211に設けられたゲートバルブ161aを開く。次に、真空搬送ロボット112のアーム303によって、アーム303が支持している基板200を基板突き上げピン266の先端に載置する。その後、アーム303を処理室201a外へ退避させる。次に、ゲートバルブ161aを閉め、サセプタ217をサセプタ昇降機構268により上昇させる。その結果、基板200がサセプタ217表面に載置される。サセプタ217上に載置された基板200を、さらに基板200を処理する位置まで上昇させる。
サセプタ217に埋め込まれた抵抗加熱ヒータ217bは予め加熱されている。基板200は、抵抗加熱ヒータ217bによって、例えば室温から700℃の範囲内で基板処理温度に加熱される。真空ポンプ246及びAPCバルブ242を用いて処理室201a内の圧力を例えば0.1Pa〜300Paの範囲内に維持する。
基板200を基板処理温度に昇温した後、基板200を所定温度に保ちつつ加熱処理を伴う以下の基板処理を行う。すなわち、ガス導入口234からシャワープレート240の開口238を介して、酸化、窒化、成膜、エッチング等の所望の処理に応じた処理ガスを、処理室201a内に配置されている基板200の表面(処理面)に向けてシャワー状に供給する。同時に第一の電極215に高周波電源273から整合器272を介して高周波
電力を供給する。供給する電力は、例えば100W〜1000Wの範囲内とし、例えば800Wである。なお、インピーダンス可変機構274は予め所望のインピーダンス値に設定されている。
第一処理室201a内での処理が終わった基板200は、搬送手段によって、基板200の冷却が終わらないうちに、つまり、基板200が基板処理温度に比較的近い温度を保ったままの状態のうちに、基板200の搬入と逆の動作で第一処理室201a外へ搬送される。すなわち、基板200に対する基板処理が完了すると、ゲートバルブ161aが開かれる。また、基板200を搬送する位置までサセプタ217が下降され、基板突き上げピン266の先端がサセプタ217の貫通孔217aから突き出ることにより、基板200が持ち上げられる。処理済みの基板200は、例えば真空搬送ロボット112が備える処理済の基板200を搬送するアーム304によって真空搬送室103内に搬出される。搬出後、ゲートバルブ161aは閉じられる。
ス、タイミングベルト等を保護することができ、真空搬送ロボット112の寿命及び信頼性の低下を抑制することができる。
予備室122内に搬入された全ての基板200に対する基板処理が終了し、全ての処理済の基板200が予備室123内に収納され、予備室123がゲートバルブ165によって閉じられると、予備室123内が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室123内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ129が開かれ、IOステージ105に載置された空のポッド100のキャップ100aがポッドオープナ108によって開かれる。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果を奏する。
搬送室103に接続され基板200に加熱処理を施す第一処理室201aと、真空搬送室103内に設けられ第一処理室201a内外へ基板200を搬送する真空搬送ロボット112と、真空搬送室103の壁内に設けられ、真空搬送室103の内壁を冷却する冷媒流路101fと、を備える。これにより、加熱処理後の基板200から真空搬送室103の内壁が受け取った放射熱を逃がすことができ、内壁の温度上昇を抑えて内壁から真空搬送ロボット112への熱の放射を抑制することができる。よって、真空搬送ロボット112各部の熱吸収量を低減でき、単位時間当たりの基板処理枚数を増やして基板処理装置の製造スループットを向上させることができる。
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
可能である。そのほか、冷却部は、真空搬送室の外壁に外部からドライエア等の気体を送風する送風機等であってもよい。
303,304の上面と真空搬送室103の天井との間の距離よりも短くすることによって、真空搬送室103に僅かながら存在するガス分子のアーム303,304の下面への衝突率を向上させることができ、アーム303,304の下面からの熱放射効率を向上させることができる。また、真空搬送室103の底面への熱伝達効率を向上させることができ、アーム303,304の温度上昇を抑制することができる。
上述の基板処理工程と同様の手順及び手法により、第一処理室201a〜201dと同様の構成を備える処理室で処理され、700℃に加熱された基板を、真空搬送室内の圧力が100Paの環境下で、真空搬送ロボットの一方のアーム(処理済の基板を搬送するアーム)を用いて搬出用の予備室へ移載する動作を、一時間で25回実施した。
上記実施例1と同様の手順及び手法により、実施例1と同様の構成の実施例2と、上記比較例と同様の構成の比較例について、一時間あたりの動作回数を25回及び37回としたときの真空搬送ロボット各部の温度測定をそれぞれ行った。上記実施例と同様、搬送する基板は700℃に加熱され、真空搬送室内の圧力を100Paとした。これにより、図6に示すように、真空搬送ロボット各部の平均温度の一時間当たりの搬送枚数(基板処理
枚数)依存性を得た。
上記実施例2と同様の手順及び手法により、一時間あたりの動作回数を最大75回まで変化させたときの真空搬送ロボット各部の温度測定を行った。搬送する基板は700℃に加熱され、真空搬送室内の圧力を100Paとした。このとき、実施例3においては、アームの表面に電解研磨を施し、さらに構成1として真空搬送室の内壁の表面をアルミ無垢の露出面とする構成、構成2として真空搬送室の内壁の表面にアルマイト処理を施した構成をそれぞれ用いた。比較例については、上記比較例と同様の構成とした。
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
本発明の一態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える
基板処理装置である。
好ましくは、
前記冷却部は、
前記搬送室の壁内に設けられた冷媒流路を有する
付記1に記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記冷却部は、
前記搬送室の外壁に設けられた熱交換機又は前記搬送室の外壁に外部から気体を送風する送風機の少なくともいずれかを有する
付記1又は2に記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記搬送室の内壁の表面はアルミニウムの陽極酸化皮膜が形成された熱吸収面であり、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は電解研磨が施された熱反射面である
付記1〜3のいずれかに記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記冷却部は、
前記搬送室の少なくとも前記アームの下面と対向する底面を冷却するように構成される付記4に記載の基板処理装置である。
本発明の他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、を備え、
前記搬送室の内壁の表面は熱吸収面となっている
基板処理装置である。
好ましくは、
前記搬送室の前記熱吸収面は、
アルミニウムの陽極酸化皮膜、黒色石英膜、又は黒色セラミックス膜の少なくともいずれかが形成された面である
付記6に記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
黒体の熱吸収率を1.0としたとき、
前記搬送室の前記熱吸収面の熱吸収率が0.7以上0.99以下である
付記6又は7に記載の基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、を備え、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は熱反射面となっている
基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記アームの前記熱反射面は、
電解研磨若しくは機械研磨が施された面、主に金属からなる前記アームの金属露出面、又は前記アームに設けられた反射板の表面、の少なくともいずれかである
付記9に記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
黒体の熱吸収率を1.0としたとき、
前記アームの前記熱反射面の熱吸収率が0.01以上0.1以下である
付記9又は10に記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記アームの前記基板を支持する上面又は前記処理室内から熱放射を受ける面の少なくともいずれかが、前記熱反射面となっている
付記9〜11のいずれかに記載の基板処理装置である。
また、好ましくは、
前記アームの上面は前記熱反射面となっており、
前記アームの下面は熱放射面となっている
付記9〜12のいずれかに記載の基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、を備え、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は、前記搬送室の内壁の表面より低い熱吸収率を有する
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備え、
前記搬送室の内壁の表面は熱吸収面となっている
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室を冷却する冷却部と、を備え、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は熱反射面となっている
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室を冷却する冷却部と、を備え、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は、前記搬送室の内壁の表面より低い熱吸収率を有する
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられた搬送ロボットにより前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
冷却部により前記搬送室の内壁を冷却しつつ前記基板を搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられた搬送ロボットにより前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
内壁の表面が熱吸収面となっている前記搬送室内にて前記基板を搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられ、前記基板を支持する1つ以上のアームを備える搬送ロボットにより、前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
少なくとも一部の表面が熱反射面となっている前記アームにより、前記基板を支持して搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられ、前記基板を支持する1つ以上のアームを備える搬送ロボットにより、前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
少なくとも一部の表面が前記搬送室の内壁の表面より低い熱吸収率を有する前記アームにより、前記基板を支持して搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられた搬送ロボットにより前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
冷却部により前記搬送室の内壁を冷却しつつ、内壁の表面が熱吸収面となっている前記搬送室内にて前記基板を搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられ、前記基板を支持する1つ以上のアームを備える搬送ロボットにより、前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
冷却部により前記搬送室の内壁を冷却しつつ、少なくとも一部の表面が熱反射面となっ
ている前記アームにより、前記基板を支持して搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられ、前記基板を支持する1つ以上のアームを備える搬送ロボットにより、前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
冷却部により前記搬送室の内壁を冷却しつつ、少なくとも一部の表面が前記搬送室の内壁の表面より低い熱吸収率を有する前記アームにより、前記基板を支持して搬送する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
基板の搬送空間となる搬送室と、
前記搬送室内に少なくとも1つ以上設けられ、前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室に複数接続され、前記基板に基板処理を施す処理室と、を有する基板処理装置において、
前記搬送室の内壁の表面の熱放射率が、前記搬送ロボットのアームの表面の熱放射率以上となるように前記搬送室の内壁と前記搬送ロボットのアームの表面に表面処理が施されている
基板処理装置である。
本発明のさらに他の態様は、
基板の搬送空間となる搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室に少なくとも1つ以上接続され、前記基板に基板処理を施す処理室と、を有する基板処理装置において、
前記搬送室の内壁の表面の熱放射率が0.7以上0.99以下、前記搬送ロボットの表面の熱放射率が0.01以上0.1以下、となる表面処理が施されている
基板処理装置である。
好ましくは、
前記搬送室の内壁の表面に施される表面処理は酸化処理である。
また、好ましくは、
前記搬送室の表面に施される表面処理は、アルミニウムの陽極酸化処理である。
また、好ましくは、
前記搬送ロボットの前記アームには、酸化物薄膜が積層されている。
また、好ましくは、
前記搬送ロボットの表面に施される表面処理は、電解研磨である。
また、好ましくは、
前記搬送ロボットの前記アームはSUSで形成されている。
また、好ましくは、
前記SUSで形成された前記搬送ロボットの前記アームの表面には電界研磨が施されている。
また、好ましくは、
前記搬送ロボットの前記アームの表面には、Au,Ag,Pt,Ti,Cu,Al,Rhのいずれかの膜、若しくは少なくとも2つ以上の元素からなる化合物膜からなる熱反射コートが施されている。
また、好ましくは、
前記搬送ロボットの前記アームの表面には、Au,Ag,Pt,Ti,Cu,Al,Rhのいずれかの薄膜、若しくは少なくとも2つ以上の元素からなる化合物薄膜と、SiO2薄膜と、を積層した熱反射コートが施されている。
本発明のさらに他の態様は、
搬送室の内壁の表面の熱放射率が、搬送ロボットのアームの表面の熱放射率以上となるように前記搬送室の内壁と前記搬送ロボットのアームの表面に表面処理が施されていることを特徴とする基板処理装置において、
当該搬送ロボットが、前記搬送室に少なくとも1つ以上接続された処理室内に設けられた加熱可能な基板支持部へ基板の搬送を行う工程と、
前記処理室内で、前記基板に加熱処理を施す工程と、
制御部が前記搬送ロボットと、前記基板支持部とを制御する工程と、を有する
半導体装置の製造方法である。
本発明のさらに他の態様は、
基板の搬送空間となる搬送室の内壁の熱放射率が0.7以上0.99以下となる表面処理が施された搬送室内で、当該搬送室内に設けられ、熱放射率が0.01以上0.1以下となる表面処理がアームに施された搬送ロボットで、前記基板を加熱可能な基板支持部へ搬送を行う工程と、
前記搬送室に少なくとも1つ以上接続された処理室内で、前記基板に基板処理を施す工程と、
制御部が前記搬送ロボットと、前記基板支持部とを制御する工程と、を有する
半導体装置の製造方法である。
100a キャップ
101 筐体
103 真空搬送室
105 IOステージ(ロードポート)
106 プリアライナ
108 ポッドオープナ
109 駆動機構
112 真空搬送ロボット
115 フランジ
115a フランジ表面
116 エレベータ
118 クリーンユニット
121 大気搬送室
122,123 予備室
124 大気搬送ロボット
125 筐体
126 エレベータ
128,129 ゲートバルブ
132 リニアアクチュエータ
134 基板搬入搬出口
142 クロージャ
150,151 基板載置台
160,161a〜161d,165 ゲートバルブ
200 基板
201a 第一処理室
201b 第二処理室
201c 第三処理室
201d 第四処理室
217 サセプタ
217a 貫通孔
217b 抵抗加熱ヒータ
281 コントローラ
301,302 エンドエフェクタ
303,304 アーム
303a,304a エンドエフェクタ固定アーム
303b,304b アーム関節
303c,304c エンドエフェクタ側アーム
303d,304d フランジ側アーム
Claims (5)
- 負圧下で基板が搬送される搬送室と、
前記搬送室に接続され前記基板に加熱処理を施す処理室と、
前記搬送室内に設けられ前記処理室内外へ前記基板を搬送する搬送ロボットと、
前記搬送室の内壁を冷却する冷却部と、を備える
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記搬送室の内壁の表面は熱吸収面となっている
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は熱反射面となっている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の基板処理装置。 - 前記搬送室の内壁の表面はアルミニウムの陽極酸化皮膜が形成された熱吸収面であり、
前記搬送ロボットは前記基板を支持するアームを備え、
前記アームの少なくとも一部の表面は電解研磨が施された熱反射面である
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 負圧下で基板が搬送される搬送室内から前記搬送室に接続された処理室内に、前記搬送室内に設けられた搬送ロボットにより前記基板を搬入する搬入工程と、
前記処理室内で前記基板に加熱処理を施す加熱処理工程と、
前記搬送ロボットにより前記処理室内から前記搬送室内に前記基板を搬出する搬出工程と、を有し、
少なくとも前記搬出工程では、
冷却部により前記搬送室の内壁を冷却しつつ前記基板を搬送する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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