CN101615574B

CN101615574B - 处理装置

Info

Publication number: CN101615574B
Application number: CN2009101494883A
Authority: CN
Inventors: 南雅人; 佐佐木芳彦
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-06-25
Filing date: 2009-06-25
Publication date: 2011-07-13
Anticipated expiration: 2029-06-25
Also published as: JP5067279B2; TW201001607A; CN101615574A; KR101092071B1; JP2010010304A; KR20100002173A

Abstract

本发明提供一种处理装置。在内部具备以包围基板的方式配置的用于抑制方形基板的周边区域的负载效应的整流部件的载置台中，当对该基板进行蚀刻处理时，抑制由该蚀刻处理生成的生成物所造成的基板污染。在以包围基板的方式设置的整流部件的至少与该基板相对的面上配置多孔体。并且，通过使由基板蚀刻处理生成的生成物吸附在该多孔体的表面，提高生成物和整流部件的紧贴强度，抑制该生成物的脱落。

Description

处理装置

技术领域

本发明涉及在处理容器内以包围例如FPD(平板显示器：Flat PanelDisplay)用的玻璃基板等被处理体的方式设置整流部件，并向该处理体供给处理气体进行处理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)的制造工序中，存在对在玻璃基板上形成的铝(Al)膜实施例如蚀刻处理的工序。进行该工序的蚀刻处理装置，例如图17所示，包括：真空腔室1；用于载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下简称为基板S)的载置台11；用于向该载置台11上的基板S供给蚀刻气体例如氯气(Cl₂)类气体的处理气体供给部12。而且，从处理气体供给部12向载置台11上的基板S供给蚀刻气体，并且从排气路13对真空腔室1内进行真空排气，从高频电源14向载置台11施加高频电力使蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体对基板S的表面的铝膜进行蚀刻处理。

但是，在这种铝膜的蚀刻中，蚀刻速度(反应速度)，蚀刻气体供给量成为律速，即与蚀刻气体供给量成比例地变快。因此，如图18所示，例如在基板S的周边区域15，被蚀刻膜即铝膜所占的比例比中央区域16少，因此，作为众所周知的负载效应(loading effect)，供给到该周边区域15的铝膜的蚀刻气体比供给到中央区域16的铝膜的蚀刻气体多，因而与中央区域16相比较快地进行蚀刻。

为了抑制这样的负载效应，如图17和图19(a)所示，通过设置包围基板S周围的整流部件17，在基板S的周边区域15形成气体滞留，抑制向上述周边区域15的蚀刻气体供给量，提高基板S的面内的蚀刻速度的均一性。该整流部件17以沿基板S各边配置由横长矩形状的板状体构成的4个整流壁171，整体形状为正方形的方式组合构成。另外，例如在这4个之中的相对的2个整流壁171的侧面以向载置台11的外部延伸的方式设置有突出部172，通过用升降机构18使与该突出部172的下面连接的支承轴181升降，如图19(b)所示，能够在对基板S进行搬入、搬出时升降整个整流部件17。此外，在基板S是大型基板例如基板S的一边是2m左右的情况下，该整流壁171构成为将长度尺寸L是例如1m左右的2个板状体在长度方向上连接。

在这里，由于这样的整流壁171接触蚀刻气体的等离子体，所以相对于等离子体必须具有高耐性，另外，为了避免对向载置台11施加的高频电力造成恶劣影响，必须具有高电绝缘性。因此，该整流壁171由陶瓷例如氧化铝(Al₂O₃)等构成。这样的陶瓷通常由作为致密烧结体的标准陶瓷构成，因此，表面如图20所示极为平滑，表面粗糙度Ra例如是1.0μm左右。但是，如图21(a)所示，例如氯气和铝反应会生成生成物(反应生成物)。该生成物与未反应的蚀刻气体等一起流向基板S的外周侧，如果到达整流部件17的内壁，则会越过该整流部件17被排放到上述排气路13。在这里，在该生成物接触整流壁171的内壁的情况下，如图21(b)所示，有时会作为堆积物附着在该内壁上。由于整流壁171的表面平滑，所以该堆积物与作为基材的氧化铝烧结体之间的紧贴力薄弱因而容易剥落，变成颗粒而成为基板S表面的图案不良等的原因。

因此，也可以尝试预先通过例如喷砂处理破坏整流壁171的表面(粗糙面化)来增加整流壁171的表面积，通过固着(榫接)效应(anchoreffect)增强整流壁171和堆积物之间的紧贴力，抑制堆积物脱落。但是，由于氧化铝烧结体非常坚硬，表面粗糙度Ra只能粗糙化到5～6μm左右。以这种程度的粗糙面不能充分防止堆积物的脱落，此外，利用喷砂处理有可能导致整流壁171弯曲、变形或破裂。

另一方面，作为同样使整流壁171粗糙化的手法，已知有例如喷镀陶瓷的方法，但是，通过该方法也不能得到充分抑制堆积物脱落的程度的粗糙面，而且由于增设了喷镀工序，也会导致成本上升。

在专利文献1及专利文献2中记载了以下技术：在利用等离子体的装置中，使用多孔体作为覆盖晶片周边的物质或密封板。专利文献3记载了在蚀刻装置中，在密封环、聚焦环上形成粗糙面的技术。但是均未探讨关于上述整流壁171的课题。

专利文献1：日本特开昭61-276322(第二页右栏第6行～第9行)

专利文献2：日本特开2002-217172(0017段)

专利文献3：日本特开2004-289003(0021段)

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种在被处理体的周围设置用于抑制负载效应的整流部件并利用处理气体进行处理的处理装置中，能够抑制附着在整流部件上的堆积物脱离并降低被处理体的颗粒污染的处理装置。

本发明的处理装置，其特征在于，包括：

设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；

用于从上述载置台上方侧供给处理被处理体的处理气体的处理气体供给单元；

用于排出上述处理容器内的气氛的气体排出部；和

以包围所述载置台上的被处理体的方式设置的整流部件，

上述整流部件的至少处理气氛侧的表面部由多孔体构成。

上述整流部件也可以由比上述多孔体强度大的支承部件支承。另外，上述整流部件也可包括由多孔体构成的整流壁。

上述支承部件优选为，与上述整流壁卡合以承受上述整流壁的自重。

上述整流壁可以在长度方向上被分割，在这种情况下，相互邻接的分割部分之间由比多孔体强度大的连结部件连结，

优选该连结部件与该整流壁卡合以承受上述整流壁的自重。

上述连结部件也可以跨越相邻的分割部分，嵌入上述分割部分的内部。

上述整流部件也可以由比多孔体强度大的主体部分，和层积在该主体部分的处理气氛侧的多孔体构成。在这种情况下，优选多孔体构成为从上述主体部分装卸自如。

优选上述多孔体由多孔陶瓷构成。

优选上述支承部件、上述连结部件或上述主体部分由陶瓷构成。

另外，上述处理装置也可以包括使上述支承部件通过升降轴升降的升降机构。

根据本发明，在被处理体周围设置用于抑制负载效应的整流部件并通过处理气体进行处理的处理装置中，该整流部件中的至少处理气氛侧的表面部由多孔体构成。因此，即使由被处理体的处理生成的生成物附着、堆积在整流部件上，由于整流部件表面成为极为粗糙的面的状态，所以堆积物和整流部件的紧贴力大，因而能够抑制该堆积物的脱离，并能够降低被处理体的颗粒污染。

附图说明

图1是表示本发明的蚀刻处理装置的一个例子的纵向截面图。

图2是表示上述蚀刻处理装置的水平截面图。

图3是表示上述蚀刻处理装置中的整流部件的一个例子的立体图。

图4是放大表示构成上述整流部件的整流壁表面的模式图。

图5是表示支承上述整流部件的支承部件的一个例子的说明图。

图6是表示连接上述整流壁之间的连接部的一个例子的说明图。

图7是表示上述蚀刻处理装置的作用的纵向截面图。

图8是表示在上述蚀刻处理装置中进行蚀刻处理时的状态的模式图。

图9是表示上述整流壁的其它例子的纵向截面图。

图10是表示上述整流壁的其它例子的纵向截面图。

图11是表示上述整流壁的其它例子的纵向截面图。

图12是表示上述整流壁的其它例子的说明图。

图13是表示上述连接部的其它例子的纵向截面图。

图14是表示上述连接部的其它例子的纵向截面图。

图15是表示上述连接部的其它例子的说明图。

图16是表示上述连接部的其它例子的水平截面图。

图17是表示现有的蚀刻处理装置的纵向截面图。

图18是用于说明现有的负载效应的基板的平面图。

图19是表示现有的蚀刻处理装置的作用的立体图。

图20是表示上述现有的蚀刻处理装置中的整流部件的表面的纵向截面图。

图21是表示上述现有的蚀刻处理的作用的模式图。

符号说明

S FPD基板(基板)

2 蚀刻处理装置

3 载置台

5 整流部件

20 处理容器

24 排气路

40 气体喷淋头

51 整流壁

52 固定部件

53 支承部件

56 突出部

57 连结部件

59 突出部

具体实施方式

以下参照图1～图6说明本发明实施方式的处理装置的一个例子。图1的纵向截面所示的蚀刻处理装置2是对被处理体例如作为FPD(Flat Panel Display)基板的方形基板S的表面形成的铝(Al)膜进行蚀刻处理的装置，包括作为真空腔室的方形处理容器20。该处理容器20例如由铝等的热传导性和导电性良好的材质构成。在该处理容器20的侧壁部21的一面侧，形成有用于将基板S搬入处理容器20内的搬入搬出口22，该搬入搬出口22构成为通过闸阀23开闭自如。此外，处理容器20接地。

在处理容器20内部配置有作为下部电极的载置台3，在上述载置台3的上表面载置例如长度为2.5m左右的方形基板S。该载置台3与等离子体发生用的第一高频电源部311以及引入等离子体中的离子用的第二高频电源部312电连接，使处理容器20内发生等离子体，将该等离子体中的离子引入至基板S表面。该载置台3通过绝缘部件32配设在处理容器20的底面上，由此处于从处理容器20电浮起的状态。

另外，载置台3上表面的周边部及侧面和绝缘部件32的侧面，例如被由陶瓷材料等构成的聚焦环33覆盖。该聚焦环33例如用于将载置台3上方的等离子体聚集在基板S上，提高基板S面内的蚀刻速度。

进而，在载置台3上形成有升降销34突出没入的贯通孔34a，贯通孔34a用于在与蚀刻处理装置2外部设置的未图示的基板搬送装置之间进行基板S的交接。在处理容器20的下方位置设置有与该升降销34连接的升降机构35，该升降销34构成为在通过升降机构35在与上述搬送单元之间进行基板S的交接的上位置和在载置台3上载置基板S的下位置之间升降。

在处理容器20内的载置台3的上方，以与该载置台3对置的方式设置有例如由铝构成的角板状的气体喷淋头40作为处理气体供给单元。该气体喷淋头40由固定在处理容器20的顶壁上、下侧开口为矩形的上部电极基座41，和以阻塞该上部电极基座41的开口部的方式设置在该上部电极基座41的下表面的平板状上部电极4构成，处于与处理容器20电导通的状态。由这些上部电极基座41及上部电极4所围成的空间，构成蚀刻气体的气体扩散空间42。在该上部电极4上形成有多个气体供给孔45，另外在上部电极基座41上表面的中央位置上，以与气体扩散空间42连通的方式，通过处理容器20的顶壁与处理气体供给路43的一端侧连接。在该处理气体供给路43的另一端侧，连接有滞留处理气体例如氯气(Cl₂)类气体等的蚀刻气体的处理气体供给部44。

在处理容器20的底面上，以包围载置台3周围的方式，在多处连接有作为气体排气部的排气路24的一端侧，在该排气路24的另一端侧连接有未图示的真空泵。

此外，本发明的蚀刻处理装置2具备用于抑制上述负载效应的整流部件5。以下对该整理部件5进行详细叙述。

整流部件5，如图2和图3所示，构成为由例如高度尺寸H、宽度尺寸W和长度尺寸L分别为5cm、1cm、250cm的板状体构成的带状的4个整流壁51分别沿着基板S的4边配置，通过该整流部件5在基板S的上方区域形成处理气氛。关于上述4个整流壁51，例如按顺时针排列看，通过依次采取在从一个整流壁51的前端起稍微靠近中央的侧面抵接下一个(邻接)端面这样的连接方式，整体形状构成四边形的框状，各整流壁51的一端侧的前端部分呈突出状态。而且，在由一个整流壁51中的突出的部分和下一个整流壁51的端部所形成的L字形部分中，使跨越两整流壁51的侧面的L字形的固定部件52从上述整流部件5的外侧适当配合，将该固定部件52的L字形的一方的部分和一方的整流壁51的侧面从固定部件52侧通过螺栓52a进行固定，并且将上述固定部件52的L字形的另一方的部分和下一个整流壁51的端部的侧面从固定部件52侧通过螺栓52a固定，这样就将相互邻接的整流壁51彼此连接起来。

该整流壁51，是由作为例如气孔率为10％～50％的绝缘体的陶瓷构成的多孔体例如多孔氧化铝(Al₂O₃)等构成，因此表面的凹凸，如图4所示，为50μm～60μm左右。另一方面，固定部件52是由作为比整流壁51密度高(强度大)的陶瓷例如所谓的标准陶瓷的通常的致密烧结体例如氧化铝等构成。

从搬入搬出口22看载置台3侧，在左右的整流壁51的外表面(与处理容器20的侧壁部21相对的面)上，沿着该整流壁51的长度方向分离设置有用于支承整流壁51的两个支承部件53。该支承部件53，从整流壁51的外侧分别通过例如螺栓54等固定在该整流壁51上。该支承部件53的平面形状大致呈T字形，以凸部53a从整流壁51向侧壁部21在水平方向上延伸的方式，在该凸部53a的两侧位置上固定在整流壁51上。另外，该支承部件53和上述固定部件52同样，由比整流壁51强度强的陶瓷例如通常的致密烧结体例如氧化铝等构成。

在由上述支承部件53支承的位置上的整流壁51的下端部，从外表面侧被切割成矩形，如图5所示，从支承部件53的下端部水平突出的突出部56进入该切口部51a而成为两者相互卡合的状态。并且，该支承部件53构成为在该突出部56上处于承接整流壁51的自重的状态下，通过上述螺栓54与整流壁51固定。因此，整流壁51避免该整流壁51的自重集中施加于由螺栓54的固定部位上，因此防止以固定部位作为基点而破裂。此外，在上述图1中，为方便起见，将该支承部件53的位置表示为离开载置台3外侧。

在该支承部件53的凸部53a的下表面侧，分别兼用作升降整流壁51的升降轴的支承轴55的一端侧通过该凸部53a由螺栓55a固定。如上述图1所示，该支承轴55贯通处理容器20的底面，该支承轴55的另一端侧通过升降板62与设置在处理容器20外部的升降机构61连接。并且，通过升降机构61使支承轴55升降，能够在载置台3上整流部件5下端所接触的下位置以及通过该整流部件5的下端侧和载置台3之间的间隙进行基板S的搬入搬出的上位置之间使整流部件5整体升降。此外，为了保持处理容器20内的气密性，在处理容器20的下端面和升降板62之间设置有波纹管63以覆盖支承轴55。

另外，在该例子中，如上所述，由于整流壁51的长度尺寸L长，所以该整流壁51，例如在长度方向上被分割成2个(整流壁511、512)，在该连结部分中的整流壁511、512的大致中央部，如图6所示，从外表面侧被切割成矩形，形成切口部51b。该整流壁51通过被配置成跨越连结部分中的整流壁511、512的例如由致密陶瓷如氧化铝等构成的板状连结部件57连结。并且，从连结部件57的中央部水平突出的突出部59进入上述切口部51b而成为相互卡合的状态。因此，该连结部件57，与上述支承部件53同样，在该突出部59中承受整流壁51的自重的状态下，从连结部件57侧通过螺栓58a与该整流壁51固定而构成。

此外，关于上述固定部件52，也与上述支承部件53、连结部件57同样，形成有未图示的突出部，在该突出部中承受整流壁51的重量的状态下通过螺栓52a固定。

另外，如上述图1所示，在蚀刻处理装置2上连接有控制部7。控制部7例如由具备未图示的CPU、存储器以及程序等的计算机等构成，在该程序中编入该蚀刻处理装置2的作用，即与将基板S搬入处理容器20内、在载置台3上对基板S进行蚀刻处理，之后从处理容器20内搬出基板S的动作相关的控制等的步骤(命令)群。该程序被存储于例如硬盘、光盘、MO光盘、存储卡等存储介质，并从该存储介质安装到计算机中。

其次，以下对本发明的蚀刻处理装置2的作用进行说明。首先，如图7(a)所示，使整流部件5上升至上位置，开放闸阀23。然后，通过整流部件5和载置台3之间的间隙，借助未图示的搬送单元将表面形成有铝膜的基板S搬入处理容器20内，并将该基板S搬送至载置台3上方侧的交接位置。接着，用升降销34接住基板S，通过使搬送单元从处理容器20中退出并降下升降销34从而将基板S载置到载置台3上。然后，关闭搬入搬出口22，并使整流部件5下降至下位置(图7(b))。

并且，通过未图示的真空泵将处理容器20内调整至规定的真空度，并且从处理气体供给部44通过气体扩散空间42及气体供给孔45向载置台3上的基板S喷出蚀刻气体例如氯气。另外，从高频电源部311、312向载置台3供给高频电力，在基板S上方的空间形成蚀刻气体的等离子体，并将该等离子体引向基板S侧。该蚀刻气体的等离子体到达基板S后，主要基于以下(1)式与基板S表面的铝膜反应。

3Cl^*+Al→AlCl₃……(1)

作为通过该反应生成的生成物的氯化铝(AlCl₃)，和未反应的蚀刻气体等一起传向基板S的表面，同时向周缘区域侧流去。并且，由于这些生成物和未反应的蚀刻气体在到达包围基板S周围的整流壁51时被上述整流壁遮断流动，所以在该整流壁51的内侧区域，即基板S的周缘区域形成了气体滞留。因此，由于在基板S的周缘区域蚀刻气体的流速变慢，所以与中央区域相比在基板S的周缘区域蚀刻气体的供给量受到更大抑制，这样，负载效应受到抑制。因此，在基板S表面内，蚀刻处理以均一的蚀刻速度进行下去。

并且，在整流壁51的内侧形成的气体滞留，如图8(a)所示，其后越过整流壁51通过聚焦环33(载置台3)和处理容器20的侧壁部21之间的空间向排气路24排气。此时，如果包含在气体滞留中的上述生成物接触到整流壁51，则作为堆积物100有时会堆积在该整流壁51的表面，如图8(b)所示，该整流壁51由多孔体构成，因此在表面形成有很大的凹凸。因而，该堆积物100通过气体的流动被压入整流壁51的表面的凹部内，通过固着(榫接)效应与该整流壁51的表面牢固地贴紧。并且，以填满整流壁51表面凹部的方式，生成物作为堆积物100依次与上述整流壁51贴紧。结果，蚀刻处理在该堆积物100的脱落受到抑制的状态下进行下去。

其后，进行蚀刻处理，直到经过所定时间，然后停止供给蚀刻气体和高频电力，并对处理容器20内进行真空排气，以与搬入时相反的顺序从处理容器20内搬出基板S。

根据上述实施方式，在处理容器20内的基板S周围设置有用于抑制负载效应的整流部件5的蚀刻装置2中，由多孔体构成形成整流部件5的整流壁51。因此，即使通过蚀刻处理生成的生成物作为堆积物堆积在该整流壁51上，由于该整流壁51的表面成为极为粗糙的面的状态，所以该堆积物100紧紧吸附在整流壁51上，从而能够抑制该堆积物100的脱离。因此，能够抑制颗粒等对基板S的污染。

另外，如上所述，对整流壁51的表面粗糙化时，没有进行上述喷砂处理，因此，不会产生起因于该处理的整流壁51的弯曲、变形、破裂等。此外，由于没有进行陶瓷的喷镀等，因此不用增加多余的工程就能够得到表面状态粗糙的整流壁51。

此外，作为整流壁51，在使用多孔体这种强度较弱的材料时，如上所述，在支承部件53、连结部件57及固定部件52上设置突出部，在该突出部上以承受整流壁51的自重的状态通过螺栓固定整流壁51。因此，该整流壁51的重量没有集中施加在通过螺栓的固定部位上，整流壁51能够抑制以该固定部位为基点的破裂等的发生。

因此，在上述例子中，整个整流壁51都是通过多孔氧化铝构成的，但是其表面部由多孔体构成，内部也可由普通的陶瓷构成。图9表示了上述例子，绝缘体例如氧化铝等致密的烧结体即由陶瓷构成的板状主体部分102的露出面中，除下表面之外的其它表面上层积有与上述整流壁51相同材质的多孔体，接合例如由多孔体构成的薄板101，构成整流壁51。在该情况下，薄板101和主体部分102，通过例如粘合剂和未图示的螺栓等加以固定。这样，通过在整流壁51的表面部相对于主体部分102装卸自如地设置由多孔体构成的薄板101，例如进行用于除去在整流壁51的表面上堆积的堆积物100的维护时，只需更换薄板101即可，因此，具有简化整流壁51的处理作业，提高维护性能等优点。

另外，上述堆积物100有特别容易堆积在处理气氛侧(整流壁51围成的空间侧)的倾向，因此如图10所示，即使在与基板S相对的表面的相反侧的表面(与处理容器20的侧壁部21相对的面)上不设置薄板101也可以，或者如图11所示，在整流壁51的上面不设置薄板101也可以。这样，在本发明中，通过由多孔体构成整流壁51的至少处理气氛侧的表面，能够得到上述效果。此外，即使整流壁51的处理气氛侧的整个表面不由多孔体构成，例如图12所示，也可从上述相对的面上的外缘使内侧区域矩形凹陷而形成凹部，在该凹部嵌入板状薄板101。

另外，在支承部件53的下端侧形成突出部56，但是，如图13所示，也可在中央附近形成。另外，也可在支承部件53的上端侧形成突出部56，或者如图14所示，例如整流壁51的强度强时，也可不形成突出部56。

此外，在长度方向上分割整流壁51时，关于分割部分的连结方法，如图15、图16所示，跨越被分割的整流壁511、512嵌入例如由致密的烧结体构成的氧化铝等的陶瓷构成的芯材103，也可用该芯材103承受整流壁51(511、512)的自重。在该例子中，在被分割的整流壁511、512的接合端面上，芯材103紧密嵌入矩形的凹部104沿着上述整流壁511、512的长度方向形成，在整流壁511、512的外侧面上形成有比使用的螺栓58a大一周的贯通孔105。并且，通过该贯通孔105从连结部件57侧利用螺栓58a固定该连结部件57和芯材103。在利用上述芯材103承受整流壁51(511、512)的自重的状态下，该整流壁51被固定。此外，关于该图15、图16，螺栓58a的数量只是为了方便理解之用。

此外，在上述例子中，通过螺栓52a、54、58a固定整流壁51，但也可以通过粘合剂等进行粘合。

另外，在上述例子中，整流壁51、固定部件52、支承部件53及连结部件57由氧化铝构成，但作为上述部件可以使用陶瓷例如氮化硅(Si₃N₄)等和石英(SiO₂)等，在进行等离子体处理的情况下优选是绝缘体。作为固定部件52、支承部件53及连结部件57，只要是比整流壁51的强度大的材质就行。

另外，在上述例子中，各边的整流壁51在长度方向上被分割，但即使不被分割也可以。

此外，采用在整流部件5上连接支承轴55以便能够升降该整流部件5的结构，但也可使该整流部件5固定在载置台3上，通过该整流部件5的上方位置进行基板S的搬送，或者在整流壁51的高度方向的中间位置上形成未图示的搬送口，通过该搬送口进行基板S的搬送。

此外，在上述例子中对铝膜的蚀刻处理进行了说明，但铝膜以外的蚀刻处理，或者成膜处理等，不管有无负载效应，对产生生成物等附着物的处理也可适用本发明的处理装置。另外，作为被处理体，除方形基板S以外，对于圆形的基板例如半导体晶片也可适用本发明。

Claims

1.一种处理装置，其特征在于，包括：

设置在处理容器的内部，用于载置被处理体的载置台；

用于从所述载置台的上方侧供给对被处理体进行处理的处理气体的处理气体供给单元；

用于排出所述处理容器内的气氛的气体排出部；和

以包围所述载置台上的被处理体的方式设置的整流部件，在被处理体载置在所述载置台上时，所述整流部件位于所述被处理体与所述气体排出部之间，

所述整流部件的至少处理气氛侧的表面部由多孔体构成。

2.如权利要求1所述的处理装置，其特征在于：

所述整流部件由比所述多孔体强度大的支承部件支承。

3.如权利要求2所述的处理装置，其特征在于：

所述整流部件包括由多孔体构成的整流壁。

4.如权利要求3所述的处理装置，其特征在于：

所述支承部件与该整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。

5.如权利要求3或4所述的处理装置，其特征在于：

所述整流壁在长度方向上被分割，相互邻接的分割部分之间由比多孔体强度大的连结部件连结，

所述连结部件与该整流壁卡合以承受所述整流壁的自重。

6.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于：

所述连结部件跨越相互邻接的分割部分之间，嵌入该分割部分的内部。

7.如权利要求1或2所述的处理装置，其特征在于：

所述整流部件由比多孔体强度大的主体部分，和配置在所述主体部分的处理气氛侧的多孔体构成。

8.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于：

所述多孔体构成为从所述主体部分装卸自如。

9.如权利要求1～4中任一项所述的处理装置，其特征在于：

所述多孔体由多孔陶瓷构成。

10.如权利要求2～4中任一项所述的处理装置，其特征在于：

所述支承部件由陶瓷构成。

11.如权利要求5所述的处理装置，其特征在于：

所述连结部件由陶瓷构成。

12.如权利要求7所述的处理装置，其特征在于：

所述主体部分由陶瓷构成。

13.如权利要求2～4中任一项所述的处理装置，其特征在于：

包括使所述支承部件通过升降轴升降的升降机构。