TWI403222B

TWI403222B - Plasma processing device

Info

Publication number: TWI403222B
Application number: TW098140992A
Authority: TW
Inventors: Masato Minami; Yoshihiko Sasaki
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2008-12-02
Filing date: 2009-12-01
Publication date: 2013-07-21
Also published as: KR101133880B1; KR20100062956A; CN101752172B; JP5141520B2; JP2010135424A; TW201031285A; CN101752172A

Description

電漿處理裝置

本發明是有關在處理容器內，例如對FPD(Flat Panel Display；平面直角顯示器)用的玻璃基板或半導體晶圓等的被處理體供給處理氣體，藉由此處理氣體來對上述被處理體進行所定的處理之技術。

在LCD(Liquid Crystal Display；液晶顯示器)的製造工程中，有對形成於玻璃基板上的鋁(Al)膜實施蝕刻處理的工程。若根據圖9來簡單說明進行此工程的蝕刻處理裝置之一例，則圖中1是表示真空腔室，在此真空腔室1的內部成為下部電極，設有用以載置被處理體例如FPD基板S(以下簡稱為基板S)的載置台11，且以能夠對向於該載置台11的方式設有成為上部電極的處理氣體供給部12。然後，從處理氣體供給部12對真空腔室1內供給例如由氯(Cl₂ )系氣體所構成的蝕刻氣體，經由排氣路13利用未圖示的真空泵來將真空腔室1內抽真空，另一方面，從高頻電源14對上述載置台11施加高頻電力，藉此在基板S上方的空間形成蝕刻氣體的電漿，藉此進行對基板S的蝕刻處理。

可是就Al膜的蝕刻而言，因為供給速率、亦即蝕刻氣體的供給量與蝕刻量成比例，所以藉由負載效應(loading Effect)在基板S的周緣部的蝕刻速度會極端地變快，發生蝕刻量變多的現象。亦即，在圖10的符號15所示的基板S的周緣部，若由蝕刻劑(etchant)的Cl自由基來看，相較於符號16所示同面積的中央區域，蝕刻面積約為一半，因此若以和供給至中央區域16的流量相同的流量來供給蝕刻氣體，則相較於中央區域16，在周緣部15是蝕刻量約成2倍。

因此，以往採取例如圖9及圖11(a)所示的對策，亦即包圍基板S將高度10mm~150mm程度的整流壁17設於載置台11上，藉此以整流構件17來遮擋基板S的周緣部附近的蝕刻氣體的流動，在基板S的周圍形成氣體積存區域。若根據此手法，則可使該區域的蝕刻氣體流速降低，提高基板面內的蝕刻速度的均一性。

此時，例如整流壁17的上端的位置要比從設於真空腔室1的側壁部的搬出入口10到載置台11的上方側為止之基板S的搬送高度更高時，搬送中的基板S與整流壁17會干擾。於是在具備如此的整流壁17的蝕刻處理裝置中，例如圖9所示將整流壁17設為可昇降自如從基板S的搬送路退避者。本例是例如在整流壁17的側面，以能夠伸出至載置台11的外方之方式設置突出部171，在各個突出部171的下面連接昇降用的支撐棒181，以昇降機18來使該等各支撐棒181昇降，藉此可使整流壁17昇降。

將整流壁17設為昇降自如的蝕刻處理裝置，是例如圖11(b)所示，在基板S的搬入時，使整流壁17從載置台11上昇的狀態下，經由載置台11與整流壁17之間的間隙來搬入基板S，將基板S載置於載置台11上之後使該整流壁17下降，另一方面，搬出時是使整流壁17藉由載置台11來上昇之後經由上述間隙來搬出基板S。

可是在Al膜之氯系氣體的蝕刻處理會產生Al的氯化物，這會附著於整流壁17或載置台11(以下稱為附著物)。特別是在圖12(a)所示的載置台11的上面與整流壁17的內壁面所被夾著而形成凹陷的狀態的區域(以下稱為凹陷部500)要比平坦的整流壁17的壁面等更容易逐漸堆積附著物D。

由於以往的蝕刻處理裝置是使形成如此容易堆積附著物D的區域的一方側的構件之整流壁17昇降來進行基板S的搬出入動作，因此在此昇降動作時揚起堆積於凹陷部500的附著物D，污染基板S的憂慮會變高(圖12(b))。

在此，專利文獻1記載有具備用以使對基板的蝕刻處理形成均一的整流壁之蝕刻處理裝置，但有關在載置台上載置基板或整流壁的動作方面無記載，有關上述凹陷部之附著物的揚起等問題也未被注目。

並且，在專利文獻2是記載有在用以進行半導體晶圓的乾蝕刻之蝕刻處理裝置中，兼作載置台的下部電極之半導體晶圓的載置面使筒狀的環突沒，藉此在半導體晶圓的周圍配置整流壁，控制處理氣體或反應生成物的流動，使蝕刻處理均一化之方法。但，由於此蝕刻處理裝置也會在半導體晶圓的載置面與筒狀的環的交叉之區域存在凹陷部，所以在使環從載置面突沒的動作時從此凹陷部揚起附著物的憂慮高。

而且，在專利文獻3是記載有為了在電漿處理時調整形成於電極間的電場分布，而與圖9所示的整流壁17大致同様構成，具備構成可藉由昇降機構來從下部電極(基板的載置台)昇降的整流壁之蝕刻處理裝置，但還是未著眼於使整流壁昇降時堆積於凹陷部的附著物揚起的問題。

[專利文獻1]特開2003-243364號公報；第0041段落第1行~第11行、第0046段落第1行~第4行、圖1、圖3

[專利文獻2]特開平7-74155號公報；第0010段落第6行~第19行、第0011段落第8行~第11行、圖1、圖3

[專利文獻3]特開2007-42744號公報；第0032段落、第0034段落

本發明是有鑑於如此的情事而研發者，其目的是在於提供一種抑制電漿處理時產生的附著物的揚起，可降低被處理體的污染之電漿處理裝置。

本發明的電漿處理裝置，係於處理容器內彼此對向設置的陽極電極及陰極電極間施加高頻電力，而使處理氣體電漿化，對被處理體進行電漿處理之電漿處理裝置，其特徵係具備：載置台，其係設於上述處理容器的內部，形成陽極電極及陰極電極的一方，且用以載置被處理體；下側整流壁，其係沿著被載置於此載置台上的被處理體的周緣，以能夠包圍此被處理體的方式設於該載置台上；上側整流壁，其係載置於此下側整流壁上，和該下側整流壁一起包圍上述載置台上的被處理體，又，此上側整流壁係構成可在下側整流壁上從包圍被處理體的位置退避。

而且，電漿處理裝置係具備使上述上側整流壁昇降的昇降機構，該上側整流壁係藉由此昇降機構來從上述下側整流壁往上方側離開的位置上昇，藉此可從包圍被處理體的位置退避。

此時被處理體可經由上述下側整流壁與從此下側整流壁上昇至往上方側離開的位置的上側整流壁之間的間隙，來搬送於上述處理容器與其外部之間。

又，上述下側整流壁係從載置台上的被處理體的載置面起的高度為10mm以上、50mm以下為合適，且上述下側整流壁之被處理體側的壁面與上側整流壁之被處理體側的壁面是橫跨兩整流壁的接觸部形成面一致為理想。

又，上述載置台係具備：構成此載置台的一部分，設成位於該載置台上所被載置的被處理體的周緣部之由絕縁體所構成的聚焦環，上述下側整流壁係與此聚焦環形成一體，從該聚焦環的上面往上方突出。

若根據本發明，則由於構成可從包圍被處理體的位置退避之上側整流壁是被配置於離開載置台的上面之位置，因此相較於移動直接被載置於載置台上的整流壁時，可在附著物少的位置進行上側整流壁的退避動作，抑制隨該動作之附著物的揚起，可降低被處理體的污染。

以下，一邊參照圖1~圖3一邊說明有關本實施形態的電漿處理裝置之蝕刻處理裝置2的構成。圖1的縱剖面圖所示的蝕刻處理裝置2是針對被處理體，例如方形的FPD基板之基板S的表面所形成的鋁(Al)膜進行蝕刻處理的裝置。

蝕刻處理裝置2是在其內部具備處理容器20，其係供以對基板S實施蝕刻處理的真空腔室。本實施形態的蝕刻處理裝置2是連處理容器20的平面形狀也形成方形，例如形成水平剖面的一邊為3.5m，另一邊為3.0m程度的大小，而使能夠例如至少處理長邊為2m以上的大型的方形基板。處理容器20是例如藉由鋁等熱傳導性及導電性良好的材質所構成，且該處理容器20會被接地。並且在處理容器20的一個側壁部21形成有用以搬入基板S至處理容器20內的搬出入口22，此搬出入口22是藉由閘閥23來構成開閉自如。

在處理容器20的內部配置有用以在其上面載置基板S的載置台本體3。載置台本體3是與電漿發生用的第1高頻電源部311及電漿中的離子引入用的第2高頻電源部312電性連接，實現使電漿發生於處理容器20內，且將該電漿中的離子引入基板S表面的任務。載置台本體3是在處理容器20的底面上隔著絕緣構件32配設，藉此下部電極的載置台本體3是形成從處理容器20電性浮起的狀態，實現在與後述的上部電極4之間產生電漿的陰極電極的任務。

並且，載置台本體3的周緣部及側面是藉由聚焦環(focusring) 33所覆蓋，該聚焦環33是例如由陶瓷材料所構成，用以在載置台本體3上方使電漿均一地形成。聚焦環33是實現調整基板S的周緣區域的電漿狀態的任務，例如使電漿集中於基板S上來使蝕刻速度提升的任務。本實施形態是載置台本體3與聚焦環33為形成一體來構成本發明的載置台，載置基板S的載置區域是例如跨越包含載置台本體3的上面、及其周圍的聚焦環33的上面的一部分之區域來形成，一旦將基板S載置於載置區域，則聚焦環33是形成位於基板S的周緣部下方側。

而且，在載置台本體3設有昇降銷34，其係用以在設於外部搬送裝置(未圖示)與該載置台本體3之間進行基板S的交接。昇降銷34是與用以使從載置台本體3的表面自由突沒的昇降機構35連接，可使基板S昇降於進行基板S的交接的位置與已述的載置區域之間。

另一方面，在載置台本體3的上方，以能夠與該載置台本體3的上面呈對向的方式，設有平板狀的上部電極4，此上部電極4是被角板狀的上部電極基座41所支撐。該等上部電極4及上部電極基座41是例如由鋁所構成，上部電極基座41的上面會被連接至處理容器20的頂部。其結果，上部電極4是形成與被接地的處理容器20電性導通的狀態，作為與陰極電極的載置台本體3對向而產生電漿的陽極電極之機能。而且，藉由該等上部電極基座41及上部電極4所包圍的空間是構成蝕刻氣體的氣體擴散空間42。以下，將該等上部電極4、氣體擴散空間42一起稱為氣體淋浴頭40。

在處理容器20的頂部是以能夠連接至上述氣體擴散空間42的方式設有處理氣體供給路43，此處理氣體供給路43的另一端側是被連接至處理氣體供給部44。然後，一旦從處理氣體供給部44供給蝕刻氣體至氣體擴散空間42，則該蝕刻氣體會經由設於上部電極4的氣體供給孔45來供給至基板S上方的處理空間使之電漿化，藉此可對基板S進行蝕刻處理。另一方面，在處理容器20的底壁是連接有形成氣體排氣部的排氣路24的一端側，在其另一端側是例如連接未圖示的真空泵，處理容器20內的蝕刻氣體是由此排氣路24排氣。

而且本實施形態的蝕刻處理裝置2是具備在[先前技術]所說明的負載對策用的整流壁部5，此整流壁部5是在進行迴避與被搬送於處理容器20內的基板S的干擾之動作時，抑制隨電漿處理而生成之附著物的揚起，形成可降低基板S的污染之構成。以下，說明有關該整流壁部5的詳細。

整流壁部5是例如圖1~圖3所示形成將配置成包圍載置於載置台本體3上的基板S之方形的框組狀的構件予以上下分割成上側整流壁51及下側整流壁52的構造。下側整流壁52是例如連結4片沿著基板S的各邊來延伸的細長板狀的構件，而形成包圍該基板之方形的框組狀的同時，在載置台上，例如配置於構成載置台的一部分的聚焦環33上。下側整流壁52是例如由氧化鋁燒結體等的電介體所構成，此下側整流壁52是從構成基板S的載置面之聚焦環33的上面起的高度例如為10mm以上、50mm以下的範圍，例如30mm，厚度是例如形成10mm。

另一方面，上側整流壁51是例如具備和已述的下側整流壁52大致同大小的平面形狀之方形的框組狀的構件，有關上側整流壁51也是和下側整流壁52同樣地例如由氧化鋁燒結體等的電介體所構成。而且，上側整流壁51的高度是例如10mm以上、100mm以下的範圍，例如70mm，其厚度是例如與下側整流壁52同樣形成10mm，藉由上側整流壁51載置於下側整流壁52上，可形成在載置台本體3上的基板S的周圍，上側整流壁51與下側整流壁52會形成一體，全體的高度為20mm~150mm的範圍，例如100mm的整流壁(整流壁部5)。

藉由如此在下側整流壁52上載置上側整流壁51，例如圖5(a)所示，該等上側整流壁51與下側整流壁52的接觸部會位於比載置台的表面(本例中是聚焦環33的表面)更高的位置。並且本實施形態的上側整流壁51及下側整流壁52是對向於基板S的內壁面側的各邊長度為形成相等，例如在上側整流壁51與下側整流壁52的接觸部，以該等兩整流壁51、52的內壁面能夠橫跨該接觸部形成面一致的方式上下疊起。

具備該構成的整流壁部5的上側整流壁51是構成可上下昇降從搬送路徑退避的構成，而使能夠不干擾基板S搬送時的搬送路徑。亦即，上側整流壁51是例如在方形的框組形狀的四角落的下緣部設有例如從搬出入口22來看向左右兩側水平突出之例如氧化鋁燒結體等陶瓷製板狀的支撐構件53，在該等的支撐構件53的前端部是連接有用以經由該支撐構件53來使上側整流壁51昇降的支撐棒54。各支撐棒54是貫通處理容器20的底面，經由昇降板62來與設於處理容器20的外部之昇降機61連接。然後利用該等昇降機61一邊使各支撐棒54同步一邊使昇降，藉此可在下側整流壁52的上面(載置位置)與其上方的位置之間使上側整流壁51昇降。在此各支撐棒54貫通處理容器20的部位設有例如連接該處理容器20與昇降板62，覆蓋支撐棒54的波紋管63，可維持處理容器20內的真空度。在本例中，支撐構件53、支撐棒54及昇降機61是構成上側整流壁51的昇降機構。

從搬出入口22搬出入的基板S雖是經由使上側整流壁51上昇而形成與下側整流壁52之間的間隙來搬送，但使上側整流壁51昇降的支撐棒54會因支撐構件53的存在，從搬出入口22來看是左右離開上側整流壁51來設置，藉此可不干擾該等的支撐棒54來搬送基板S。另外，在圖1中，基於方便起見是圖示成在與搬出入口22對向的面的上側整流壁51設置支撐構件53或支撐棒54等，但實際是形成如圖2、圖3所示在與搬出入口22不對向的面的上側整流壁51設置該等之構成。

若回到蝕刻處理裝置2的全體之說明，則如圖1所示，蝕刻處理裝置2是與控制部7連接。控制部7是例如由具備未圖示的CPU及記憶部的電腦等所構成，在此記憶部是記憶有程式，該程式中編有關於該蝕刻處理裝置2的作用，亦即有關將基板S搬入處理容器20內，對載置於載置台本體3上的基板S實施蝕刻處理後搬出為止的動作之控制等的步驟(命令)群。此程式是例如被儲存於硬碟、光碟、光磁碟(MO)、記憶卡等的記憶媒體，由此來安裝於電腦。

以下，說明有關本實施形態的蝕刻處理裝置2的動作。首先若使用者經由未圖示的操作部來對控制部7選擇目的的蝕刻處理的製程方式，則在控制部7會根據此製程方式輸出控制信號至蝕刻處理裝置2的各部，如此對基板進行所定的蝕刻處理。另外，在使用於以下的說明之圖4(a)、圖4(b)中，基於圖示的方便起見，適當省略了支撐構件53或支撐棒54、昇降銷34等的記載。

首先，如圖4(a)所示，在基板S搬入至處理容器20內之前使各昇降機構61作動，而令支撐棒54上昇，至上側整流壁51的下端不會干擾基板S的搬送路徑的高度位置，舉起上側整流壁51的狀態下，使該上側整流壁51從下側整流壁52朝上方側離開的位置待機。其次，開啟閘閥23，藉由未圖示之外部的搬送手段來將表面形成有A l膜的基板S搬入至處理容器20內，搬送至載置台本體3的載置區域的上方側的交接位置。

一旦基板S到達交接位置，則使昇降銷34上昇，從搬送手段將基板S交接至該昇降銷34，將基板S交接後的搬送手段會退出至處理容器20外，使昇降銷34下降來將基板S載置於載置區域。然後使閘閥23上昇來關閉搬出入口22，另一方面，如圖4(b)所示令各昇降機61作動來使上側整流壁51下降至載置位置，在下側整流壁52上載置該上側整流壁51的狀態下停止。

若完成基板的S搬入，則使真空泵作動，將處理容器20的內部空間調整至所定的壓力，從已述的處理氣體供給部44，朝基板S吐出蝕刻處理用的蝕刻氣體、例如氯氣體。而且，從第1、第2高頻電源部311、312供給高頻電力至載置台本體3，而於基板S的上方側空間形成電漿，根據下記式(1)所示的主要反應來實行對基板S的蝕刻處理。

3Cl*+Al→AlCl₃ 　…(1)

從氣體淋浴頭40供給的蝕刻氣體會在處理容器20內降下而到達基板S，在其表面進行蝕刻處理。而且，蝕刻氣體是一邊傳於基板S的表面，一邊往周緣部側流動，到達以能夠包圍基板S的方式載置的整流壁部5時遮斷流動。藉由在整流壁部5遮斷流動，可在該整流壁部5的內側區域，亦即在基板S的周緣部形成蝕刻氣體的流速會變慢的氣體積存區域，可使基板S周緣部的蝕刻速度變慢。其結果，與基板S的中央側的蝕刻速度的差會變小，負載效應會被抑制。

在整流壁部5的內側形成的氣體積存處會不久越過上下堆起的上側整流壁51及下側整流壁52而往整流壁部5的外側溢流，通過聚焦環33與處理容器20之間的空間來流入排氣路24，往處理容器20外排氣。若如此根據製程方式進行所定時間蝕刻處理，則停止蝕刻氣體或高頻電力的供給，使處理容器20內的壓力回到原來的狀態後，以和搬入時相反的順序來將基板S從載置台本體3交接至外部的搬送手段，而從蝕刻處理裝置2搬出，完成一連串的蝕刻處理。

在以上說明的本實施形態的蝕刻處理裝置2之一連串的動作中，基板S是經由形成於下側整流壁52與使從此下側整流壁52上昇至往上方側離開的位置的上側整流壁51之間的間隙來搬出入時，該等的整流壁51、52的接觸部是例如圖5(a)所示，位於比在[先前技術]所說明的凹陷部500更高一下側整流壁52的高度量，例如10mm~50mm的範圍之例如30mm的位置。如在[先前技術]所說明那樣，凹陷部500是容易堆積附著物D。

相對的，因為上述上側整流壁51與下側整流壁52的接觸部所存在的位置是比凹陷部500更離開載置台本體3，所以相較於凹陷部500，附著物D難堆積，例如圖5(b)所示在處理容器20內搬出入基板S時即使進行上側整流壁51的昇降動作，也幾乎無從該接觸部揚起附著物D，形成難引起基板S的污染之構成。

又，本實施形態如圖5(b)所示構成凹陷部500的一方側的構件之下側整流壁52不會原封不動地被置於載置台(聚焦環33)上昇降，因此即使附著物D堆積於此凹陷部500內，該等的附著物D隨基板S的搬出入動作而揚起的憂慮亦少，此點也不易引起基板S的污染。

在此若下側整流壁52的高度比10mm更低，則上側整流壁51與下側整流壁52的接觸部的位置會接近凹陷部500，附著物D會附著於該壁面，且例如形成於凹陷部500的附著物D會堆積至接觸部的位置，到達兩整流壁51、52的接觸部引起基板S的污染之憂慮會變高。另一方面，若下側整流壁52的高度比50mm更高，則下側整流壁52的上端會遮蔽基板S的搬送路徑，成為基板S搬出入時的障礙。

若根據本實施形態，則具有以下的效果。由於構成可昇降的上側整流壁51是隔著下側整流壁52來配置於離開載置台(例如本例是聚焦環33)的上面之位置，因此與例如使直接載置於載置台上的整流壁昇降時(例如相當於使本例的下側整流壁52昇降時)作比較，可在附著物D少的位置使上側清流壁部51昇降，抑制附著物隨昇降動作揚起，可降低被處理體的污染。

在此，上側整流壁51與下側整流壁52的接觸面並非限於水平者，亦可形成傾斜或階梯狀。又，上側整流壁51及下側整流壁56的厚度也並非限於同厚度時，亦可例如圖6(a)、圖6(b)所示，以延伸至與載置台(本例是聚焦環33)的周緣部大致同位置的扁平構件來構成下側整流壁52，在此扁平的下側整流壁52的上面載置上側整流壁51。如此將下側整流壁52構成為扁平的構件時，亦可例如圖7所示，將下側整流壁52與聚焦環33構成一體，例如使下側整流壁52從聚焦環33的上面往上方突出，包圍基板S。

此外，與基板S對向之上側整流壁51與下側整流壁52的內壁面並非限於面一致時，亦可例如圖8所示，切開下側整流壁52的上端的外周部，使上側整流壁51的下端嵌合於此切開的部分，形成難以從接合部洩漏氣體的構成。

再者，為了迴避干擾基板S的搬送路徑，而使上側整流壁51退避的手法，並非限於利用昇降機構來使上側整流壁51昇降時。亦可例如將設於與搬出入口22對向的位置之面的上側整流壁51構成可向該搬出入口22傾倒，在基板S的搬出入時藉由傾倒該面的上側整流壁51來退避。又，亦可相反的，將設於與搬出入口22對向的位置之面的上側整流壁51的上端予以軸支，在基板S的搬出入時藉由提起該面的上側整流壁51來使退避。該等的情況，亦可例如只將搬出入側口22側的整流壁部5分割成上側整流壁51及下側整流壁52，剩下的3面的整流壁部5是不分割成上下的構成。

另外，蝕刻處理裝置2並非限於將載置台本體3設為陰極電極，亦可使上部電極4成為從被接地的處理容器20電性浮起的狀態，連接至電漿發生用的第1高頻電源部311，另一方面，將載置台本體3設為接地側，藉此將上部電極4設為陰極電極，將載置台本體3設為陽極電極。又，亦可不在載置台本體3設置聚焦環33。

又，本發明的處理裝置並非限於鋁膜的蝕刻處理，亦可適用於鋁合金、鈦、鈦合金等的金屬膜或絕緣膜、半導體膜的蝕刻或該等的積層膜。又，可適用於蝕刻處理以外例如灰化或CVD(Chemical Vapor Deposition)等使用其他的處理氣體來對被處理體進行處理的處理。又，被處理體並非限於方形的基板，FPD基板以外，例如亦可為圓形的半導體晶圓等。

S‧‧‧FPD基板(基板)

2‧‧‧蝕刻處理裝置

3‧‧‧載置台

4‧‧‧上部電極

5‧‧‧整流壁

7‧‧‧控制部

20‧‧‧處理容器

33‧‧‧聚焦環

40‧‧‧氣體淋浴頭

51‧‧‧上側整流壁

52‧‧‧下側整流壁

53‧‧‧支撐構件

54‧‧‧支撐棒

61‧‧‧昇降機

500‧‧‧凹陷部

圖1是表示實施形態的蝕刻處理裝置的構成縱剖面圖。

圖2是表示上述蝕刻處理裝置的處理容器內部的構造平面圖。

圖3是表示上述處理容器內部的構造立體圖。

圖4是表示上述蝕刻處理裝置的作用的縱剖側面圖。

圖5是表示設於上述蝕刻處理裝置的整流壁部的作用的擴大縱剖面圖。

圖6是表示上述整流壁部的其他例的擴大縱剖面圖。

圖7是表示上述整流壁部的另外其他例的擴大縱剖面圖。

圖8是表示上述其他例的整流壁部的變形例的擴大縱剖面圖。

圖9是表示以往的蝕刻處理裝置的構成縱剖面圖。

圖10是在上述以往的蝕刻處理裝置所被處理的基板的平面圖。

圖11是表示上述以往的蝕刻處理裝置的處理容器內部的構造立體圖。

圖12是表示設於上述以往的蝕刻處理裝置的整流壁部的作用的擴大縱剖面圖。

2．．．蝕刻處理裝置

3．．．載置台

4．．．上部電極

5．．．整流壁

7．．．控制部

20．．．處理容器

21．．．側壁部

22．．．搬出入口

23．．．閘閥

24．．．排氣路

32．．．絕緣構件

33．．．聚焦環

34．．．昇降銷

35．．．昇降機構

40．．．氣體淋浴頭

41．．．上部電極基座

42．．．氣體擴散空間

43、44．．．處理氣體供給路

45．．．氣體供給孔

51．．．上側整流壁

52．．．下側整流壁

53．．．支撐構件

54．．．支撐棒

61．．．昇降機

62．．．昇降板

63．．．波紋管

311．．．第1高頻電源部

312．．．第2高頻電源部

S．．．FPD基板(基板)

Claims

一種電漿處理裝置，係於處理容器內彼此對向設置的陽極電極及陰極電極間施加高頻電力，而使處理氣體電漿化，對被處理體進行電漿處理之電漿處理裝置，其特徵係具備：載置台，其係設於上述處理容器的內部，形成陽極電極及陰極電極的一方，且用以載置被處理體；下側整流壁，其係沿著被載置於此載置台上的被處理體的周緣，以能夠包圍此被處理體的方式設於該載置台上；上側整流壁，其係載置於此下側整流壁上，和該下側整流壁一起包圍上述載置台上的被處理體；及移動機構，其係使上側整流壁移動成在下側整流壁上從包圍被處理體的位置退避，上述移動機構係藉由使上述上側整流壁昇降的昇降機構所構成，該上側整流壁係藉由此昇降機構來從上述下側整流壁往上方側離開的位置上昇，藉此從包圍被處理體的位置退避。
如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，被處理體係經由上述下側整流壁與從此下側整流壁上昇至往上方側離開的位置的上側整流壁之間的間隙，來搬送於上述處理容器與其外部之間。
如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述下側整流壁係從載置台上的被處理體的載置面起的高度為10mm以上、50mm以下。
如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述下側整流壁之被處理體側的壁面與上側整流壁之被處理體側的壁面是橫跨兩整流壁的接觸部形成面一致。
如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中，上述載置台係具備：構成此載置台的一部分，設成位於該載置台上所被載置的被處理體的周緣部之由絶緣體所構成的聚焦環，上述下側整流壁係與此聚焦環形成一體，從該聚焦環的上面往上方突出。