CN106463446B - 载置台及等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有：载置区域，具有加热器；及外周区域，围绕载置区域。基座具有：第1区域，在其上支承载置区域；及第2区域，围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。

Description

载置台及等离子体处理装置
技术领域
本发明的实施方式涉及载置台及等离子体处理装置。
背景技术
在半导体器件之类的电子器件的制造中，使用有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置通过激发处理气体而生成等离子体，并通过该等离子体而处理被处理体。等离子体处理装置具备用于将被处理体载置在其上的载置台。
载置台具有静电卡盘及基座。静电卡盘具有电介质制的主体部、埋设于该主体部内的卡盘用电极、及加热器。主体部具有在其上载置被处理体的载置区域。加热器控制被处理体的温度。因此，加热器设置于载置区域内。并且，静电卡盘使电连接于加热器的接点部从载置区域的下表面露出。该静电卡盘设置于基座上。在基座内，形成有温度调整用介质进行循环的流路。并且，在基座形成有通往接点部的贯穿孔，且在该贯穿孔内穿过有连接至接点区域的配线。该配线连接于加热器电源。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-175573号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
然而，对等离子体处理装置要求被处理体的处理面内均匀性。为了提高该面内均匀性，需要减少被处理体的面内的温度偏差。
用于解决技术课题的手段
在本发明的一方式中，提供一种用于将被处理体载置在其上的载置台。该载置台具备支承部件、基座及多个配线。支承部件为用于支承被处理体的部件，且包含主体部、一个以上的加热器、一个以上的第1配线层、一个以上的第2配线层及多个接点部。主体部为陶瓷制，且具有将被处理体载置在其上的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域。一个以上的加热器设置于主体部内。一个以上的第1配线层在主体部内延伸，且分别电连接于一个以上的加热器的供电侧。一个以上的第2配线层在主体部内延伸，且电连接于一个以上的加热器的基准电位侧。多个接点部在外周区域从主体部露出，且分别电连接于一个以上的第1配线层及一个以上的第2配线层。基座具有将载置区域支承在其上的第1区域、及将外周区域支承在其上的第2区域。在第2区域设有分别通往多个接点部的多个第1贯穿孔。多个配线穿过多个第1贯穿孔而分别接合于多个接点部。
在此，形成在基座的贯穿孔可使支承部件产生温度奇异点。然而，在上述一方式所涉及的载置台中，通往多个接点部的多个第1贯穿孔并非设置于在其上支承载置区域的第1区域，而设置于围绕第1区域的第2区域。因此，可抑制在支承部件的载置区域中的温度奇异点的产生。其结果，在具有该载置台的等离子体处理中，可使在被处理体的面内的温度偏差减少。
在本发明的一方式中，一个以上的加热器可以是多个加热器，且一个以上的第1配线层也可以是分别连接于多个加热器的供电侧的多个第1配线层。在载置台中，随着加热器的个数的增加，第1贯穿孔的个数变多。根据本方式，由于第1贯穿孔设置于第2区域，因此即使随着加热器的个数的增加而第1贯穿孔的个数增加，也可抑制支承部件的载置区域中的温度奇异点的产生。
在本发明的一方式中，一个以上的第2配线层中至少一个也可以连接于所述多个加热器中两个以上的加热器的基准电位侧。在该方式中，连接于两个以上的加热器的基准电位侧的配线层已通用化。因此，可减少基准电位用接点部的个数、基准电位用配线的数量、及用于使基准电位用配线穿过的贯穿孔的数量。
在本发明的一方式中，在基座中也可以形成有供给有制冷剂的制冷剂流路。
在本发明的一方式中，支承部件在主体部内还具有静电吸附用电极、电连接于该静电吸附用电极的第3配线层、及电连接于第3配线层的其它接点部，其它接点部也可以在外周区域从主体部露出，在第2区域也可以设有通往所述其它接点部的第2贯穿孔，且载置台也可以还具备穿过第2贯穿孔而接合于其它接点部的其它配线。在该方式中，支承部件作为静电卡盘而发挥作用。并且，由于第2贯穿孔设置于第2区域，因此可抑制载置区域中的温度奇异点的产生。
在本发明的一方式中，基座也可以具有导电性主部与绝缘部。在该方式中，主部提供所述第1区域及所述第2区域。绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供多个第1贯穿孔。多个配线各自包含具有一端及另一端的可挠性的引线、连结于引线的一端并连结于多个接点部中对应的接点部的第1端子、及连结于引线的另一端的第2端子，在划分第1端子及引线所穿过的第1贯穿孔的绝缘部的内面与第1端子及引线之间存在空间。根据该方式，即使基座产生热膨胀，因该热膨胀而导致的应力也可通过引线而被松弛。因此，提高第1端子与接点部的连结的可靠性。
在本发明的一方式中，基座可还具备导电性主部、第1绝缘部、及第2绝缘部。在该方式中，主部提供所述第1区域及所述第2区域。第1绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供多个第1贯穿孔。第2绝缘部以能够装卸的方式安装于主部，并提供第2贯穿孔。第1绝缘部及第2绝缘部也可以是被一体化的绝缘部件。多个配线各自包含具有一端及另一端的可挠性的第1引线、连结于第1引线的一端且连结于多个接点部中对应的接点部的第1端子、及连结于第1引线的另一端的第2端子，并且划分第1端子及第1引线所穿过的第1贯穿孔的第1绝缘部的内面与第1端子及该第1引线之间存在空间。其它配线包含具有一端及另一端的可挠性的第2引线、连结于第2引线的一端且连结于其它接点部的第3端子、及连结于第2引线的另一端的第4端子，并且划分第2贯穿孔的第2绝缘部的内面与第3端子及第2引线之间存在空间。根据该方式，即使基座产生热膨胀，因该热膨胀而导致的应力也通过第1引线及第2引线而被松弛。因此，提高第1端子与接点部的连结的可靠性、及第3端子与其它接点部的连结的可靠性。
在本发明的一方式中，载置台也可以还具备存在于第3端子与第2绝缘部之间的筒状的绝缘部。根据该方式，可在第3端子的周围取得更高的绝缘强度。
在本发明的另一方式中，提供等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备处理容器及上述一方式或各种方式中任一载置台。载置台设置于处理容器内。根据该等离子体处理装置，可抑制被处理体的面内的温度偏差。
发明效果
如上所述，提供可减少被处理体的面内的温度偏差的载置台及等离子体处理装置。
附图说明
图1为概略地表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。
图2为表示一实施方式所涉及的载置台的俯视图。
图3为表示一实施方式所涉及的载置台的基座的俯视图。
图4为沿着图2的IV-IV线而取的剖视图。
图5为放大表示一实施方式所涉及的支承部件的一部分的剖视图。
图6为沿着图2的VI-VI线而取的剖视图。
具体实施方式
以下，参考附图对各种实施方式进行详细说明。另外，在各附图中对于相同或相应的部分标注相同的符号。
图1为概略地表示一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1中概略地示出了一实施方式所涉及的等离子体处理装置的纵剖面中的结构。图1中所示的等离子体处理装置10为电容耦合型平行板等离子体蚀刻装置。该等离子体处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12例如由铝构成，且在其表面进行了阳极氧化处理。
处理容器12内设有载置台16。载置台16包含支承部件18及基座20。基座20具有大致圆盘形状，且在其主部由例如铝之类的导电性金属构成。该基座20构成下部电极。基座20由支承部14支承。支承部14为从处理容器12的底部延伸的圆筒状部件。
在基座20中通过匹配器MU1电连接有第1高频电源HFS。第1高频电源HFS为产生等离子体生成用高频电力的电源，且产生27～100MHz的频率的电力，在一例中产生40MHz的高频电力。匹配器MU1具有用于将第1高频电源HFS的输出阻抗与负载侧(基座20侧)的输入阻抗进行匹配的电路。
并且，在基座20中通过匹配器MU2电连接有第2高频电源LFS。第2高频电源LFS产生用于将离子引入晶片W的高频电力(高频偏压电力)，并将该高频偏压电力供给至基座20。高频偏压电力的频率为400kHz～13.56MHz范围内的频率，且在一例中为3MHz。匹配器MU2具有用于将第2高频电源LFS的输出阻抗与负载侧(基座20侧)的输入阻抗进行匹配的电路。
基座20上设有支承部件18。在一实施方式中，支承部件18为静电卡盘。即，在一实施方式中，支承部件18通过库仑力等静电力而吸附晶片W，并保持该晶片。支承部件18在陶瓷制的主体部内具有静电吸附用电极E1。电极E1中通过开关SW1电连接有直流电源22。
在基座20的上表面之上且在支承部件18的周围设有聚焦环FR。聚焦环FR设置用于提高等离子体处理的均匀性。聚焦环FR根据待执行的等离子体处理而由适当选择的材料构成，例如可由硅或石英构成。
在基座20的内部形成有制冷剂流路24。在制冷剂流路24中，经由配管26a从设置于处理容器12的外部的冷却器单元供给有制冷剂。供给至制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b返回冷却器单元。另外，对于包含该基座20及支承部件18的载置台16的详细内容进行后述。
在处理容器12内设有上部电极30。该上部电极30在载置台16的上方与基座20对置配置，且基座20与上部电极30设置成相互大致平行。
上部电极30通过绝缘性屏蔽部件32被支承在处理容器12的上部。上部电极30可包含电极板34及电极支承体36。电极板34面向处理空间S，并提供多个气体排出孔34a。该电极板34可由焦耳热较少的低电阻导电体或半导体构成。
电极支承体36拆装自如地支承电极板34，例如可由铝之类的导电性材料构成。该电极支承体36可具有水冷结构。在电极支承体36的内部设有气体扩散室36a。由该气体扩散室36a向下方延伸有连通于气体排出孔34a的多个气体通流孔36b。并且，在电极支承体36中形成有将处理气体引导至气体扩散室36a的气体导入口36c，且在该气体导入口36c中连接有气体供给管38。
在气体供给管38中通过阀组42及流量控制器组44连接有气体源组40。阀组42具有多个开闭阀，流量控制器组44具有质量流量控制器之类的多个流量控制器。并且，气体源组40具有进行等离子体处理时所需的多种气体用气体源。气体源组40的多个气体源通过对应的开闭阀及对应的质量流量控制器连接于气体供给管38。
在等离子体处理装置10中，选自气体源组40的多个气体源中的来自一个以上的气体源的一个以上的气体供给至气体供给管38。供给至气体供给管38的气体到达气体扩散室36a，并经由气体通流孔36b及气体排出孔34a而排出至处理空间S。
并且，如图1所示，等离子体处理装置10还可具备接地导体12a。接地导体12a为大致圆筒状的接地导体，且以从处理容器12的侧壁向相较于上部电极30的高度位置更靠上方延伸的方式设置。
并且，在等离子体处理装置10中，沿着处理容器12的内壁拆装自如地设有沉淀挡板46。并且，沉淀挡板46也设置于支承部14的外周。沉淀挡板46防止蚀刻副产物(沉淀)附着于处理容器12，且可由将Y2O3等的陶瓷覆盖于铝材料而构成。
在处理容器12的底部侧，支承部14与处理容器12的内壁之间设有排气板48。排气板48例如可通过将Y2O3等陶瓷覆盖于铝材而构成。在该排气板48的下方，在处理容器12中设有排气口12e。在排气口12e中通过排气管52连接有排气装置50。排气装置50具有涡轮分子泵等真空泵，能够将处理容器12内减压至所希望的真空度。并且，在处理容器12的侧壁设有晶片W的搬入搬出口12g，该搬入搬出口12g能够通过闸阀54进行开闭。
并且，等离子体处理装置10可还具备控制部Cnt。该控制部Cnt为具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机，且控制等离子体处理装置10的各部。在该控制部Cnt中，操作员能够使用输入装置进行用于管理等离子体处理装置10的指令的输入操作等，并且，能够通过显示装置，将等离子体处理装置10的运行状况进行可视化并显示。而且，在控制部Cnt的存储部存放用于通过处理器而控制在等离子体处理装置10中执行的各种处理的控制程序、及用于使等离子体处理装置10的各构成部根据处理条件而执行处理的程序即处理配方。
以下，参考图2～图6对载置台16进行详细说明。图2为表示一实施方式所涉及的的载置台的俯视图。图3为表示一实施方式所涉及的载置台的基座的俯视图。图4为沿着图2的IV-IV线而取的剖视图。图5为放大表示一实施方式所涉及的支承部件的一部分的剖视图。并且，图6为沿着图2的VI-VI线而取的剖视图。
如上所述，载置台16具有支承部件18及基座20。支承部件18具有陶瓷制的主体部18m。主体部18m具备大致圆盘形状。主体部18m提供载置区域18a及外周区域18b。载置区域18a在俯视中为大致圆形的区域。该载置区域18a的上表面之上载置有被处理体即晶片W。在一实施方式中，如图5所示，载置区域18a的上表面由多个凸部的顶面构成。并且，载置区域18a的直径为与晶片W的直径大致相同的直径、或稍微小于晶片W的直径。外周区域18b为围绕该载置区域18a的区域，且延伸为大致环状。在一实施方式中，外周区域18b的上表面位于低于载置区域18a的上表面的位置。
如上所述，在一实施方式中，支承部件18为静电卡盘。该实施方式的支承部件18，在载置区域18a内具有静电吸附用电极E1。该电极E1如上所述，通过开关SW1连接于直流电源22。
并且，在载置区域18a内且在电极E1的下方，设有一个以上的加热器HT。在一实施方式中，如图2、图4、及图5所示，在载置区域18a设有多个加热器HT。例如，如图2所示，在载置区域18a的中央的圆形区域内、及围绕该圆形区域的同心状的多个环状区域，设有多个加热器HT。并且，在多个环状区域各自中，多个加热器HT向周向排列。在这些加热器HT中供给有图1所示的由加热器电源HP独立地进行调整的电力。由此，独立地控制各加热器HT发出的热，并独立地调整载置区域18a内的多个部分区域的温度。
并且，如图4及图5所示，在支承部件18的主体部18m内设有电连接于加热器HT的供电侧的配线层EW1(第1配线层)。主体部18m内设有多个加热器HT时，在主体部18m内设有分别独立地连接于多个加热器HT的供电侧的多个配线层EW1。各配线层EW1从对应的加热器HT的供电侧延伸至外周区域18b。例如，各配线层EW1可包含在主体部18m内水平延伸的线条状的图案、及相对于线条状的图案向交叉的方向(例如垂直方向)延伸的接触通孔。并且，各配线层EW1在外周区域18b中，电连接于对应的接点部CT1(参考图2、图5及图6)。例如，各配线层EW1在外周区域18b中构成接点部CT1。接点部CT1在外周区域18b中，从该外周区域18b的下表面露出。
并且，支承部件18的主体部18m内设有电连接于加热器HT的基准电位侧的配线层EW2(第2配线层)。在主体部18m内设有多个加热器HT时，在该主体部18m内设有分别独立地连接于多个加热器HT的基准电位侧的多个配线层EW2。或者，如图5所示，多个配线层EW2中至少一个，与多个加热器HT中两个以上的加热器HT的基准电位侧连接在一起。在一实施方式中，多个配线层EW2各自与多个加热器HT中对应的两个以上的加热器HT的基准电位侧连接在一起。由此，可使基准电位用接点部CT2的个数、基准电位用配线WR2的个数、及用于使基准电位用配线WR2穿过的贯穿孔TH2的数量减少。
各配线层EW2延伸至外周区域18b。例如，配线层EW2可包含在主体部18m内水平延伸的线条状的图案、及相对于线条状的图案向交叉的方向(例如垂直方向)延伸的接触通孔。并且，各配线层EW2在外周区域18b中，电连接于对应的接点部CT2(参考图2及图6)。例如，各配线层EW2在外周区域18b中构成接点部CT2。接点部CT2在外周区域18b中，从该外周区域18b的下表面露出。
而且，在支承部件18的主体部18m内设有电连接于静电吸附用电极E1的配线层EW3(第3配线层)。配线层EW3从电极E1延伸至外周区域18b。例如，配线层EW3可包含在主体部18m内水平延伸的线条状的图案、及相对于线条状的图案向交叉的方向(例如垂直方向)延伸的接触通孔。并且，配线层EW3在外周区域18b中，电连接于对应的接点部CT3(参考图2及图6)。例如，配线层EW3在外周区域18b中构成接点部CT3。该接点部CT3在外周区域18b中，从该外周区域18b的下表面露出。
如此构成的支承部件18设置于基座20上。在一实施方式中，支承部件18通过粘结剂AH(参考图6)接合于基座20。基座20如图3及图4所示，具有第1区域20a及第2区域20b。第1区域20a在俯视中为大致圆形的区域，第2区域20b为以围绕第1区域20a的方式而环状延伸的区域。第1区域20a上搭载有载置区域18a，第2区域20b上搭载有外周区域18b。
在第2区域20b设有在铅垂方向贯穿该第2区域20b的一个以上的贯穿孔TH1及一个以上的贯穿孔TH2。这些贯穿孔TH1及TH2为一实施方式的第1贯穿孔。贯穿孔TH1通往接点部CT1，贯穿孔TH2通往接点部CT2。如图3所示，在一实施方式中，设有多个贯穿孔TH1及多个贯穿孔TH2。这些贯穿孔TH1及贯穿孔TH2的个数，根据接点部CT1及接点部CT2的个数设定。
并且，在一实施方式中，在第2区域20b设有在铅垂方向贯穿该第2区域20b的贯穿孔TH3(第2贯穿孔)。该贯穿孔TH3通往接点部CT3。
而且，在一实施方式中，如图6所示，基座20具有主部20m。主部20m具有大致圆盘形状，例如由铝之类的导电性金属构成。主部20m提供上述的第1区域20a及第2区域20b。
并且，基座20还具有绝缘部20i。绝缘部20i为绝缘性部件，例如由树脂构成。绝缘部20i设置于形成在基座20的主部20m的贯穿孔内，且通过例如螺丝之类的紧固机构而固定于主部20m。即，绝缘部20i能够从基座20的主部20m装卸。在一实施方式中，基座20具有多个绝缘部20i。多个绝缘部20i中的一个提供贯穿孔TH1及贯穿孔TH3，其它绝缘部20i提供贯穿孔TH1。并且，多个绝缘部20i中的几个也可以提供贯穿孔TH2。如图6所示的绝缘部20i提供贯穿孔TH1、贯穿孔TH2、及贯穿孔TH3。
在贯穿孔TH1中穿过配线WR1。配线WR1为连接加热器电源HP与接点部CT1的配线。并且，在贯穿孔TH2中穿过配线WR2。配线WR2为连接加热器电源HP与接点部CT2的配线。并且，在贯穿孔TH3中穿过配线WR3。配线WR3为连接直流电源22与接点部CT3的配线。这些配线WR1、配线WR2、及配线WR3具有大致同样的结构。因此，以下有时将这些配线WR1、配线WR2、及配线WR3统称为配线WR而进行说明。
配线WR具有端子ET1、引线LW1、端子ET2、及引线LW2。端子ET1具有一端封闭的筒状。端子ET1的一端接合于对应的接点部。并且，在端子ET1连结有引线LW1的一端。该引线LW1具有可挠性。即，引线LW1具有相对于应力容易弯曲的性质。该引线LW1的另一端连结于端子ET2。端子ET2为在一端与另一端之间缩小直径或被封闭的大致筒状的部件。在端子ET2的一端连结有引线LW1的另一端，端子ET2的另一端连结有引线LW2。另外，配线WR1的端子ET1(第1端子)、引线LW1(第1引线)、及端子ET2(第2端子)设置于贯穿孔TH1内，配线WR2的端子ET1(第1端子)、引线LW1(第1引线)、及端子ET2(第2端子)设置于贯穿孔TH2内，配线WR3的端子ET1(第3端子)、引线LW1(第2引线)、及端子ET2(第4端子)设置于贯穿孔TH3内。
各配线WR的端子ET1及引线LW1，与划分这些端子ET1及引线LW1所穿过的贯穿孔的内面(壁面)之间，存在空间。例如，在绝缘部20i所划分的贯穿孔的壁面与穿过该贯穿孔内的端子ET1、引线LW1之间，存在空间。因此，即使基座20热膨胀而应力施加于端子ET2，也通过引线LW1变形而该应力被松弛，且抑制该应力传递至端子ET1。其结果，提高端子ET1与对应的接点部的连结的可靠性。
并且，在一实施方式中，绝缘部20i可具有上部20t及下部20u。上部20t及下部20u能够彼此分离，且可通过将绝缘部20i固定在主部20m的紧固机构而彼此固定。
并且，在一实施方式中，如图6所示，配线WR3的端子ET1与绝缘部20i之间设有包围该端子ET1的筒状的绝缘部60。该绝缘部60由绝缘性材料构成。配线WR3为用于将电压施加于静电吸附用电极E1的配线。因此，配线WR3中要求绝缘强度。将该绝缘部60设置于配线WR3的端子ET1的周围，由此进一步提高在端子ET1的周围的绝缘强度。
在以上说明的载置台16中，支承部件18的接点部设置于外周区域18b，且通往该接点部的贯穿孔设置于基座20的第2区域20b。形成于基座20的贯穿孔可在支承部件18产生温度奇异点。然而，在载置台16中，用于使配线WR穿过的贯穿孔，并非设置于在载置区域18a的正下方延伸的第1区域20a，而设置于第2区域20b。因此，可抑制载置区域18a中的温度奇异点的产生。因此，在具有该载置台16的等离子体处理中，可减少晶片W之类的被处理体的面内的温度偏差。
以上，对各种实施方式进行了说明，但可不受上述实施方式的限定而构成各种变形方式。例如，上述等离子体处理装置10为电容耦合型等离子体处理装置，但载置台16可被适用于任意的等离子体处理装置。例如，等离子体处理装置也可以如同感应耦合型等离子体处理装置、通过微波之类的表面波而激发气体的等离子体处理装置那样为任意类型的等离子体处理装置。
并且，在上述实施方式中，一个绝缘部20i提供多个贯穿孔，但基座20也可以具有独立地提供一个以上的贯穿孔的多个绝缘部20i。例如，基座20也可以具有独立地提供贯穿孔TH1及贯穿孔TH2的多个第1绝缘部、及提供贯穿孔TH3的第2绝缘部。
并且，在上述实施方式中，支承部件18为静电卡盘，但支承部件18只要可在其上载置被处理体，则不是静电卡盘也可。该情况下，可在载置台16中省略电极E1、配线WR3、及配线层EW3之类的要件。
符号说明
10-等离子体处理装置，12-处理容器，16-载置台，18-支承部件，18a-载置区域，18b-外周区域，18m-主体部，E1-静电吸附用电极，HT-加热器，EW1-配线层(第1配线层)，EW2-配线层(第2配线层)，EW3-配线层(第3配线层)，CT1-接点部，CT2-接点部，CT3-接点部，20-基座，20a-第1区域，20b-第2区域，20m-主部，20i-绝缘部，TH1-贯穿孔(第1贯穿孔)，TH2-贯穿孔(第1贯穿孔)，TH3-贯穿孔(第2贯穿孔)，24-制冷剂流路，60-绝缘部，WR1-配线，WR2-配线，WR3-配线，ET1-端子(第1端子或第3端子)，ET2-端子(第2端子或第4端子)，LW1-引线，LW2-引线。

Claims (5)

1.一种载置台，具备：
支承部件；
基座；
多个配线；及
其他配线，
所述支承部件用于支承被处理体，且包含：
陶瓷制的主体部，具有用于载置所述被处理体的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域；
一个以上的加热器，设置于所述主体部内；
一个以上的第1配线层，在所述主体部内延伸，且分别电连接于所述一个以上的加热器的供电侧；
一个以上的第2配线层，在所述主体部内延伸，且电连接于所述一个以上的加热器的基准电位侧；
多个接点部，在所述外周区域从所述主体部露出，且分别电连接于所述一个以上的第1配线层及所述一个以上的第2配线层；
静电吸附用电极，设置在所述主体部内；
第3配线层，电连接于该静电吸附用电极，且设置在所述主体部内；及
其它接点部，电连接于该第3配线层，且在所述外周区域从所述主体部露出，
所述基座支承所述支承部件，且具有将所述载置区域支承在其上的第1区域、及将所述外周区域支承在其上的第2区域，并且在该第2区域设有分别通往所述多个接点部的多个第1贯穿孔及通往所述其它接点部的第2贯穿孔，
所述多个配线穿过所述多个第1贯穿孔而分别接合于所述多个接点部，
所述其它配线穿过所述第2贯穿孔而接合于所述其它接点部，
所述基座具有：
导电性主部，提供所述第1区域及所述第2区域；
第1绝缘部，以能够拆卸的方式安装于所述主部，并提供所述多个第1贯穿孔；及
第2绝缘部，以能够拆卸的方式安装于所述主部，并提供所述第2贯穿孔，
所述多个配线各自包含：具有一端及另一端的可挠性的第1引线；连结于该第1引线的一端并连结于所述多个接点部中对应的接点部的第1端子；及连结于所述第1引线的另一端的第2端子，并且划分该第1端子及该第1引线所穿过的第1贯穿孔的所述第1绝缘部的内面与该第1端子之间、以及该第1绝缘部的该内面与该第1引线之间存在空间，
所述其它配线包含：具有一端及另一端的可挠性的第2引线；连结于该第2引线的一端并连结于所述其它接点部的第3端子；及连结于所述第2引线的另一端的第4端子，并且划分所述第2贯穿孔的所述第2绝缘部的内面与该第3端子之间、以及该第2绝缘部的该内面与该第2引线之间存在空间，
所述载置台还具备筒状的绝缘部，以包围所述第3端子的方式存在于所述第3端子与所述第2绝缘部之间。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述一个以上的加热器为多个加热器，
所述一个以上的第1配线层为分别连接于所述多个加热器的供电侧的多个第1配线层。
3.根据权利要求2所述的载置台，其中，
所述一个以上的第2配线层中至少一个连接于所述多个加热器中两个以上的加热器的基准电位侧。
4.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述基座中形成有供给有制冷剂的制冷剂流路。
5.一种等离子体处理装置，用于对被处理体进行等离子体处理，该等离子体处理装置具备：
处理容器；及
设置于所述处理容器内的权利要求1～4中任一项所述的载置台。
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