JP3181603U

JP3181603U - 半導体製造装置

Info

Publication number: JP3181603U
Application number: JP2012007310U
Authority: JP
Inventors: 慎平国田; 謙悟鳥居
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2012-12-03
Filing date: 2012-12-03
Publication date: 2013-02-14
Anticipated expiration: 2022-12-03

Abstract

【課題】半導体製造装置側端子に力が加わったとしてもその力の影響がセラミック基板に及ばないようにする半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１０は、裏面に電極端子２６を有する静電チャック２０と、この静電チャック２０の裏面に固着されたベース部材３０とを備えている。ベース部材３０は、電極端子２６と対向する位置に貫通孔３２を有している。この貫通孔３２には、絶縁スリーブ３４が固着されている。絶縁スリーブ３４には、別装置の端子と着脱可能に接続されるチャック側端子４０がＣ字状の固定用リング５０を介して固定されている。このチャック側端子４０は、電極端子２６に可撓性のケーブル３６を介して接続されている。絶縁スリーブ３４は、貫通孔３２の段差３２ｃに掛止するフランジ３４ａを有し、該フランジ３４ａが段差３２ｃに掛止した状態では先端３４ｂが静電チャック２０から離間するように設計されている。
【選択図】図２

Description

本考案は、半導体製造装置に関する。

半導体製造装置は、エッチング装置、イオン注入装置、電子ビーム露光装置などにおいて、ウエハを固定したりウエハを加熱・冷却したりするのに用いられる。こうした半導体製造装置としては、ウエハ載置面を有し静電電極を内蔵したセラミック製の静電チャックと、この静電チャックのウエハ載置面とは反対側の面に接着された金属製のベース部材とを備えたものが知られている。

特許文献１には、こうした半導体製造装置が開示されている。図１１に示すように、静電チャック３２０とベース部材３３０とを備えた半導体製造装置３１０は、チャック側端子３４０を、ウエハの処理目的に応じた処理装置３８０の端子３８２に接続して使用される。静電チャック３２０に内蔵された静電電極３２２及びヒーター電極３２４のそれぞれに、電極端子３２６が可撓性のケーブル３３６を介してチャック側端子３４０に接続されている。こうしたチャック側端子３４０の部分拡大図を図１２に示す。ベース部材３３０のうちこの電極端子３２６と対向する位置には、貫通孔３３２が設けられ、この貫通孔３３２の内周面には、絶縁スリーブ３３４が接着されている。そして、チャック側端子３４０の外周面に設けられた雄ネジ３４０ａを絶縁スリーブ３３４の内周面に設けられた雌ネジ３３４ａにネジ込む。こうすることにより、チャック側端子３４０は、電極端子３２６に接続された可撓性のケーブル３３６と一体化されると共に、絶縁スリーブ３３４とも一体化される。

特開２００８−９８５１３号公報

しかしながら、上述の半導体製造装置３１０では、絶縁スリーブ３３４のうち静電チャック側の端部３３４ｂは静電チャック３２０に接するように組み付けられているため、以下のような問題がある。すなわち、ベース部材３３０を図示しない支持台に固定した状態でチャック側端子３４０を処理装置３８０の端子３８２に接続する場合、チャック側端子３４０は静電チャック側に押し込まれる方向の力を受ける。このとき、絶縁スリーブ３３４は、チャック側端子３４０と一体化されているため、同じく静電チャック側に押し込まれる方向の力を受ける。すると、絶縁スリーブ３３４のうち静電チャック側の端部３３４ｂは、静電チャック３２０を押圧することがあり、その結果、静電チャック３２０とベース部材３３０との間に隙間が生じることがある。こうした隙間が生じると、静電チャック３２０の熱をベース部材３３０へ逃がすのに支障が生じる等の不具合が発生するため、好ましくない。

本考案はこのような課題を解決するためになされたものであり、半導体製造装置において、半導体製造装置側端子に力が加わったとしてもその力の影響がセラミック基板に及ばないようにすることを主目的とする。

本考案の半導体製造装置は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。

本考案の半導体製造装置は、
ウエハ載置面を有し電極を内蔵したセラミック基板と、
前記セラミック基板のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に固着された金属製のベース部材と、
前記セラミック基板のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられ、前記電極と接続された電極端子と、
前記ベース部材のうち前記電極端子と対向する位置に設けられた貫通孔と、
前記貫通孔の内周面に固着された絶縁スリーブと、
前記電極端子に可撓性のケーブルを介して接続されると共に前記絶縁スリーブ内に配置され、別装置の端子と着脱可能に接続される半導体製造装置側端子と、
を備えた半導体製造装置であって、
前記ベース部材は、前記絶縁スリーブに設けられたフランジと掛止して該絶縁スリーブが前記貫通孔の奥に向かって進入するのを阻止する掛止部を有し、
前記絶縁スリーブは、前記フランジが前記掛止部に掛止した状態では先端が前記セラミック基板から離間するように設計されており、
前記半導体製造装置側端子は、外周面に凹溝を有し、該凹溝に嵌め込まれたＣ字状の固定用リングを介して前記絶縁スリーブの開口縁に固定され、
前記凹溝は、溝底に平底部を有し、
前記固定用リングは、前記凹溝に嵌め込まれる切欠に前記平底部と面接触する平面部を有し、
前記絶縁スリーブの前記開口縁及び前記固定用リングのうち、一方は、高さの異なる２つのステップ面とその２つのステップ面同士を連結する連結面とからなる段差部を有し、もう一方は、前記段差部の前記連結面と少なくとも１つの前記ステップ面とに合致する段差合致部を有し、前記フランジと前記固定用リングとは、前記段差部と前記段差合致部とが合致された状態で固定されているものである。

この半導体製造装置では、別途用意した支持台にベース部材を支持した状態で半導体製造装置側端子を半導体製造装置とは別の装置の端子に接続する場合、半導体製造装置側端子はセラミック基板側に近づく方向の力を受ける。このとき、絶縁スリーブは、半導体製造装置側端子と一体化されているため、同じくセラミック基板側に近づく方向の力を受ける。しかし、絶縁スリーブは、フランジが掛止部に掛止した状態では先端（セラミック基板に近い側の端部）がセラミック基板から離間するように設計されている。このため、絶縁スリーブの先端が、セラミック基板をベース部材から離れる方向に押すことがない。その結果、セラミック基板とベース部材との間に隙間が生じるおそれがない。また、半導体製造装置側端子は、外周面に凹溝を有し、該凹溝に嵌め込まれたＣ字状の固定用リングを介して絶縁スリーブのフランジの内周側に固定されている。ここで、凹溝は、溝底に平底部を有し、固定用リングは、その凹溝に嵌め込まれる切欠に平底部と面接触する平面部を有している。凹溝に固定用リングが嵌め込まれた状態では、凹溝の平底部と固定用リングの平面部とが面接触しているため、半導体製造装置側端子と固定用リングは相対的に回転してしまうことがない。更に、絶縁スリーブのフランジ及び固定用リングのうち、一方は、高さの異なる２つのステップ面とその２つのステップ面同士を連結する連結面とからなる段差部を有し、もう一方は、その段差部の連結面と少なくとも１つのステップ面とに合致する段差合致部を有している。絶縁スリーブのフランジと固定用リングとは段差部と段差合致部とが合致された状態で固定されているため、固定用リングが絶縁スリーブに対して中心ズレを起こしたり、固定用リングが絶縁スリーブに対して周方向へのズレを起こしたりすることがない。その結果、絶縁スリーブや半導体製造装置側端子にネジ加工を施すことなく両者を固定できるし、ネジ込む操作が必要ないため電極端子と可撓性のケーブルとの接合部分にねじれが生じてしまうといった問題も生じない。

本考案の半導体製造装置において、前記固定用リングは、絶縁性の部材としてもよい。こうすれば、半導体製造装置側端子を流れる電流が固定用リングを介して外部に漏出することがない。

本考案の半導体製造装置は、前記固定用リングが外部に露出せずかつ前記半導体製造装置側端子における前記別装置の端子との着脱部が外部に露出するように設けられた絶縁性のカバーを備えていてもよい。こうすれば、固定用リングが絶縁性の部材でない場合でも、半導体製造装置側端子を流れる電流が固定用リングを介して外部に漏出することがない。

また、前記絶縁スリーブの先端と前記セラミック基板との隙間には絶縁樹脂が充填されていてもよい。こうすれば、前記スリーブとセラミック基板との隙間から絶縁が破壊されるのを防止することができる。

半導体製造装置１０の概略を示す部分断面図である。半導体製造装置１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。図２のＡ−Ａ断面図（ベース部材３０は省略）である。半導体製造装置１０の組立工程図である。半導体製造装置１０の組立工程図である。半導体製造装置１０の組立工程図である。半導体製造装置１０の組立工程図である。半導体製造装置１１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。半導体製造装置２１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。半導体製造装置１０の別例のチャック側端子付近の部分拡大図である。半導体製造装置３１０の概略を示す部分断面図である。半導体製造装置３１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。

次に、本考案の好適な一実施形態について図面を用いて説明する。図１は半導体製造装置１０の概略を示す部分断面図、図２は半導体製造装置１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。

半導体製造装置１０は、図１に示すように、表面がウエハ載置面Ｓであり静電電極２２及びヒーター電極２４を内蔵した静電チャック２０と、この静電チャック２０のうちウエハ載置面Ｓとは反対側の面（裏面）に接着剤により固着された金属製のベース部材３０と、静電電極２２及びヒーター電極２４のそれぞれに接続されたチャック側端子４０とを備えたものである。なお、静電チャック２０が本考案におけるセラミック基板に相当し、チャック側端子４０が本考案における半導体製造装置側端子に相当する。

静電チャック２０は、セラミック焼結体（例えばアルミナセラミック焼結体）からなる円盤状部材であり、その内部に、ウエハ載置面Ｓに載置されたウエハを静電力によって吸着する静電電極２２と、電圧が印加されると発熱するヒーター電極２４とが埋設されている。この静電チャック２０の裏面には、複数の電極端子２６が設けられている。電極端子２６には、静電電極２２に接続されているものとヒーター電極２４に接続されているものがある。

ベース部材３０は、金属製（例えばアルミニウム合金製）の円盤状部材であり、各電極端子２６に対向する位置に貫通孔３２を有している。このベース部材３０は、静電チャック２０を冷却する役割を果たすものであり、内部に冷却水通路（図示せず）が形成されている。

チャック側端子４０は、外周面４０ａの全周にわたって凹溝４０ｂが設けられた雌型コネクタであり、ベース部材３０の各貫通孔３２の内部に設けられている。図２に示すように、チャック側端子４０は、電極端子２６と可撓性のケーブル３６を介して接続されている。このケーブル３６は、屈曲された状態でチャック側端子４０と電極端子２６との間のスペースに収納されている。貫通孔３２は、静電チャック２０に近い側が小径部３２ａ、静電チャック２０から遠い側が大径部３２ｂとなっており、小径部３２ａと大径部３２ｂとの間に段差３２ｃを有している。貫通孔３２には絶縁スリーブ３４が挿入され、貫通孔３２の内周面と絶縁スリーブ３４の外周面とは接着剤で固着されている。なお、貫通孔３２の内部に設けられた段差３２ｃが本考案の掛止部に相当する。

絶縁スリーブ３４は、貫通孔３２の段差３２ｃと掛止するフランジ３４ａを有している。この絶縁スリーブ３４の先端３４ｂからフランジ３４ａまでの長さＬは、貫通孔３２の小径部３２ａの深さＤ（ベース部材３０のうち静電チャック２０と接着された面から段差３２ｃまでの長さ）より短くなるように設計されている。このため、絶縁スリーブ３４のフランジ３４ａが貫通孔３２の段差３２ｃに掛止した状態では、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂ（静電チャック２０に近い側の端部）は静電チャック２０から離間している。また、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂと静電チャック２０との隙間および絶縁スリーブ３４と貫通孔３２との隙間には、絶縁樹脂３８が充填されている。この絶縁樹脂３８は、絶縁スリーブ３４の内部にも入り込んでいる。こうした絶縁スリーブ３４は、電気絶縁性を有する材料、例えばセラミック材料や樹脂材料などで形成されている。

絶縁スリーブ３４の開口縁には、Ｃ字状の固定用リング５０（図３参照）を介してチャック側端子４０が固定されている。固定用リング５０は、平面視がＣ字状の絶縁性のリングであり、電気絶縁性を有する材料、例えばセラミック材料や樹脂材料などで形成されている。チャック側端子４０の凹溝４０ｂは、溝底に平底部４０ｃを有している。図３は、ベース部材を省略した図２のＡ−Ａ断面図（チャック側端子４０を凹溝４０ｂの位置で水平に切断した断面）であり、凹溝４０ｂの溝底は円柱を平行な２面（平底部４０ｃ）で切り落とした形状となっている。固定用リング５０は、凹溝４０ｂに嵌め込まれるＵ字状の切欠５０ａを有している。この切欠５０ａは、凹溝４０ｂの平底部４０ｃと面接触する平面部５０ｂを有している。凹溝４０ｂに固定用リング５０が嵌め込まれた状態では、凹溝４０ｂの平底部４０ｃと固定用リング５０の平面部５０ｂとが面接触している。

絶縁スリーブ３４の開口縁は、高さの異なる２つのステップ面α、βとその２つのステップ面α、βを連結する連結面γとからなる段差部Ｘを有している。固定用リング５０は、その段差部Ｘの連結面γと２つのステップ面α、βとに合致する段差合致部Ｙを有している。段差合致部Ｙは、２つのステップ面ｘ、ｙと、その２つのステップ面ｘ、ｙとを連結する連結面ｚとからなり、ステップ面ｘ、ｙがそれぞれステップ面α、βと面接触し、連結面ｚがステップ面γと面接触している。絶縁スリーブ３４と固定用リング５０とは、段差部Ｘと段差合致部Ｙとが合致された状態で固定されている。このとき、段差合致部Ｙを段差部、段差部Ｘを段差合致部とみることもできる。

この半導体製造装置１０は、ウエハの処理目的に応じた処理装置８０（図１参照、別装置に相当）に接続して使用する。処理装置８０には、半導体製造装置１０の各チャック側端子４０（雌型コネクタ）のに対向する位置に処理装置側端子８２（雄型コネクタ）が設けられている。半導体製造装置１０を処理装置８０に接続する際、ベース部材３０を図示しない支持台に固定した状態で、互いに向かい合う端子同士を接続する。このとき、チャック側端子４０には静電チャック２０に近づく方向の力が加えられる。絶縁スリーブ３４は、チャック側端子４０と一体化されているため、同じく静電チャック２０に近づく方向の力を受ける。しかし、絶縁スリーブ３４は、貫通孔３２の段差３２ｃに掛止するフランジ３４ａを有し、このフランジ３４ａが段差３２ｃに掛止した状態では先端３４ｂが静電チャック２０から離間するように設計されている。このため、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂが、静電チャック２０をベース部材３０から離れる方向に押すことがない。また、絶縁樹脂３８は、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂによって静電チャック側に押圧されたとしても、自らが変形してその圧力を吸収するため、静電チャック２０に力を及ぼすことはほとんどない。更に、ケーブル３６は、チャック側端子４０によって静電チャック側に押圧されたとしても、自らが撓んでその圧力を吸収するため、静電チャック２０に力を及ぼすことはほとんどない。その結果、チャック側端子４０と処理装置側端子８２との抜き差しを繰り返したとしても、それが原因で静電チャック２０とベース部材３０との間に隙間が生じるおそれがない。

次に、半導体製造装置１０の製法について説明する。図４〜図７は、半導体製造装置１０の組立工程図である。

まず、図４に示す静電チャック２０を用意する。この静電チャック２０の電極端子２６には、可撓性のケーブル３６を介してチャック側端子４０が予め接続されている。一方、段差３２ｃの付いた貫通孔３２が設けられたベース部材３０も用意する。そして、静電チャック２０の裏面に接着剤を塗布し、貫通孔３２のうち小径部３２ａの開口がチャック側端子４０と向かい合うようにし、貫通孔３２にチャック側端子４０を挿入すると共に、静電チャック２０とベース部材３０とを貼り付ける。

次に、図５に示す絶縁スリーブ３４を用意する。そして、ベース部材３０の貫通孔３２のうち静電チャック側に柔軟性に富む絶縁樹脂３８を注入する。続いて、絶縁スリーブ３４の外周面に接着剤を塗布した状態で、絶縁スリーブ３４を、先端３４ｂから貫通孔３２に挿入し、貫通孔３２の段差３２ｃにフランジ３４ａが掛止するまで挿入する。このとき、絶縁樹脂３８は、柔軟性を有しているため、静電チャック２０に力を及ぼすことはほとんどない。

次に、図６に示す固定用リング５０を用意し、Ｕ字状の切欠５０ａをチャック側端子４０の凹溝４０ｂに嵌め込む。図７は、チャック側端子４０の凹溝４０ｂの固定リング５０を嵌め込んだ状態を示す。凹溝４０ｂに固定用リング５０が嵌め込まれた状態では、凹溝４０ｂの平底部４０ｃと固定用リング５０の平面部５０ｂとが面接触している（図３参照）。

そして最後に、絶縁スリーブ３４の開口縁（図２のステップ面α、β及び連結面γ）に接着剤を塗布し、絶縁スリーブ３４の段差部Ｘと固定用リング５０の段差合致部Ｙとが合致するように位置を調整しながら両者を接着する。こうして、チャック側端子４０が固定用リング５０を介して絶縁スリーブ３４の開口縁に固定される。このとき、絶縁樹脂３８やケーブル３６は、柔軟性や可撓性を有しているため、静電チャック２０に力を及ぼすことはほとんどない。以上の工程により、半導体製造装置１０が完成する。

以上詳述した半導体製造装置１０によれば、チャック側端子４０と処理装置側端子８２とを接続する際にチャック側端子４０が貫通孔３２の奥へ押圧されたとしても、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂは、静電チャック２０をベース部材３０から離れる方向に押すことがない。その結果、静電チャック２０とベース部材３０との間に隙間が生じるおそれがない。

また、絶縁スリーブ３４に固定用リング５０を介してチャック側端子４０が固定されるため、チャック側端子４０にネジ加工などを施すことなく両者を一体化できるし、ネジ込む操作が必要ないため電極端子２６と可撓性のケーブル３６との接合部分にねじれが生じてしまうといった問題も生じない。また、チャック側端子４０の凹溝４０ｂに固定用リング５０が嵌め込まれており、こうした状態では、凹溝４０ｂの平底部４０ｃと固定用リング５０の平面部５０ｂとが面接触しているため、チャック側端子４０と固定用リング５０は相対的に回転してしまうことがない。また、凹溝４０ｂに固定用リング５０が嵌め込まれているため、固定用リング５０に対してチャック側端子４０がベース部材３０の厚さ方向に移動することもない。更に、絶縁スリーブ３４の段差部Ｘと固定用リング５０の段差合致部Ｙとが合致された状態で固定されているため、固定用リング５０が絶縁スリーブ３４の奥へずれたり固定用リング５０が絶縁スリーブ３４に対して径方向へずれたりすることがない。

更に、絶縁スリーブ３４の先端３４ｂと静電チャック２０との隙間には柔軟性に富む絶縁樹脂３８が充填されているため、絶縁スリーブ３４と静電チャック２０との隙間から絶縁が破壊されるのを防止することができる。また、予め電極端子２６に可撓性のケーブル３６を介して接続されたチャック側端子４０を有する静電チャック２０を用意し、その静電チャック２０を用いて半導体製造装置１０を組み立てることができるため、比較的簡易に半導体製造装置１０を組み立てることができる。これに対して、例えば図１０のように、最終工程でチャック側端子３４０を可撓性のケーブル３３６に接続する場合には、十分なスペースとはいえない絶縁スリーブ３３４内で可撓性のあるケーブル３３６とチャック側端子３４０とを接続することになるため、その接続作業は容易ではなく、作業性に問題がある。

なお、本考案は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本考案の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、固定用リング５０は、２つのステップ面ｘ、ｙと、その２つのステップ面ｘ、ｙとを連結する連結面ｚとからなる段差合致部Ｙを有するものとしたが、ステップ面や連結面を有さなくてもよい。図８は、ステップ面や連結面を有さない固定用リング１５０を用いた半導体製造装置１１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。半導体製造装置１１０では、固定用リング１５０は、絶縁スリーブ３４の段差部Ｘの連結面γと１つのステップ面βに合致する段差合致部Ｚを有している。そして、絶縁スリーブ３４と固定用リング１５０とは、段差部Ｘと段差合致部Ｚとが合致された状態で固定されている。このため、固定用リング１５０が絶縁スリーブ３４に対して中心ズレを生じたり、固定用リング１５０が絶縁スリーブ３４に対して周方向へずれたりすることがない。

上述した実施形態では、絶縁スリーブ３４は、２つのステップ面α、βと、その２つのステップ面α、βとを連結する連結面γとからなる段差部Ｘを有するものとしたが、ステップ面や連結面を有さなくてもよい。図９は、ステップ面や連結面を有さない絶縁スリーブ２３４を用いた半導体製造装置２１０のチャック側端子付近の部分拡大図である。半導体製造装置２１０では、固定用リング２５０は、２つのステップ面ｓ、ｔと、その２つのステップ面ｓ、ｔとを連結する連結面ｕとからなる段差部Ｐを有している。また、絶縁スリーブ２３４は、固定用リング２５０の段差部Ｐの連結面ｕと１つのステップ面ｓに合致する段差合致部Ｑを有している。そして、固定用リング５０と絶縁スリーブ２３４とは、段差部Ｐと段差合致部Ｑとが合致された状態で固定されている。このため、固定用リング２５０が絶縁スリーブ２３４に対して中心ズレを生じたり、固定用リング２５０が絶縁スリーブ２３４に対して周方向へずれたりすることがない。

上述した実施形態では、固定用リング５０は、絶縁性の部材としたが、導電性の部材としてもよい。この場合、固定用リング５０を覆うような絶縁性のカバーを備えたものとすることが好ましい。こうしたカバーは、例えばセラミック材料や樹脂材料などで形成されているものとしてもよい。図１０は、半導体製造装置１０につき、絶縁性のカバー７０を備えた別例のチャック側端子付近の部分拡大図である。この絶縁性のカバー７０は、固定用リング５０が外部に露出しないように固定用リング５０を覆い、かつ、チャック側端子４０における別装置８０の端子８２との着脱部４２が外部に露出するように端子孔７１が形成されている。こうしたカバー７０は、接着やネジ止めによってベース部材３０に固定してもよい。なお、図１０では、カバー７０は、１つの固定用リング５０のみを覆うものとしたが、図１のように複数のチャック側端子４０を備えた半導体製造装置１０においては、１つのカバー７０で複数の固定用リング５０を覆ってもよい。こうすれば、カバー７０の数を少なくできるので、無駄が少ない。なお、固定用リング５０が絶縁性の部材である場合にもこうした絶縁性のカバー７０を備えるものとしてもよい。

上述した実施形態では、チャック側端子４０は、外周面４０ａの全周にわたって凹溝４０ｂが設けられたものとしたが、凹溝は全周にわたるものでなくてもよい。また、チャック側端子４０の凹溝４０ｂの溝底は、円柱を平行な２面（平底部４０ｃ）で切り落とした形状としたが、多角柱としてもよい。こうしたものでは、凹溝４０ｂに必然的に平底部が形成される。

上述した実施形態では、チャック側端子４０を雌型コネクタとし、処理装置側端子８２を雄型コネクタとしたが、チャック側端子４０を雄型コネクタとし、処理装置側端子８２を雌型コネクタとしてもよい。

上述した実施形態では、セラミック基板として、静電電極２２とヒーター電極２４とを内蔵する静電チャック２０を採用したが、静電電極を内蔵するがヒーター電極を内蔵しない静電チャックを採用してもよいし、ヒーター電極を内蔵するが静電電極を内蔵しないセラミックヒーターを採用してもよい。

上述した実施形態では、貫通孔３２の内部に段差３２ｃを設けたが、貫通孔３２を段差３２ｃのないストレート形状の孔（内径は小径部３２ｂの径）とし、貫通孔３２の開口縁に絶縁スリーブ３４のフランジ３４ａを掛止させる構造としてもよい。その場合には、貫通孔３２の開口縁が本考案の掛止部に相当することになる。尚、掛止部は、ベース部材３０の厚さ方向において処理装置側にあるのが好ましい。こうすれば、絶縁スリーブ３４，１３４が押されても、ベース部材３０がひずむため、静電チャック２０（セラミック部材）が押されることがない。上記の実施形態による静電チャックを作製し、処理装置内に設置、取り外しを繰返し行った結果、静電チャックとベース部材の間に隙間は確認されず、従来構造の課題であった熱の逃げの変化によるウエハ戴置面の均熱性の劣化などが生じないことが確認された。

１０半導体製造装置、２０静電チャック、２２静電電極、２４ヒーター電極、２６電極端子、３０ベース部材、３２貫通孔、３２ａ小径部、３２ｂ大径部、３２ｃ段差、３４絶縁スリーブ、３４ａフランジ、３４ｂ先端、３６ケーブル、３８絶縁樹脂、４０チャック側端子、４０ａ外周面、４０ｂ凹溝、４０ｃ平底部、４２着脱部、５０固定用リング、５０ａ切欠、５０ｂ平面部、７０カバー、７１端子孔、８０処理装置、８２処理装置側端子、１１０半導体製造装置、１５０固定用リング、２１０半導体製造装置、２３４絶縁スリーブ、２５０固定用リング、３１０半導体製造装置、３２０静電チャック、３２２静電電極、３２４ヒーター電極、３２６電極端子、３３０ベース部材、３３２貫通孔、３３４絶縁スリーブ、３３４ａ雌ネジ、３３４ｂ端部、３３６ケーブル、３４０チャック側端子、３４０ａ雄ネジ、３８０処理装置、３８２端子、Ｓウエハ載置面、Ｘ，Ｐ段差部、Ｙ，Ｚ，Ｑ段差合致部、α，β，ｘ，ｙ，ｓ，ｔステップ面、γ，ｚ，ｕ連結面。

Claims

ウエハ載置面を有し電極を内蔵したセラミック基板と、
前記セラミック基板のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に固着された金属製のベース部材と、
前記セラミック基板のうち前記ウエハ載置面とは反対側の面に設けられ、前記電極と接続された電極端子と、
前記ベース部材のうち前記電極端子と対向する位置に設けられた貫通孔と、
前記貫通孔の内周面に固着された絶縁スリーブと、
前記電極端子に可撓性のケーブルを介して接続されると共に前記絶縁スリーブ内に配置され、別装置の端子と着脱可能に接続される半導体製造装置側端子と、
を備えた半導体製造装置であって、
前記ベース部材は、前記絶縁スリーブに設けられたフランジと掛止して該絶縁スリーブが前記貫通孔の奥に向かって進入するのを阻止する掛止部を有し、
前記絶縁スリーブは、前記フランジが前記掛止部に掛止した状態では先端が前記セラミック基板から離間するように設計されており、
前記半導体製造装置側端子は、外周面に凹溝を有し、該凹溝に嵌め込まれたＣ字状の固定用リングを介して前記絶縁スリーブの開口縁に固定され、
前記凹溝は、溝底に平底部を有し、
前記固定用リングは、前記凹溝に嵌め込まれる切欠に前記平底部と面接触する平面部を有し、
前記絶縁スリーブの前記開口縁及び前記固定用リングのうち、一方は、高さの異なる２つのステップ面とその２つのステップ面同士を連結する連結面とからなる段差部を有し、もう一方は、前記段差部の前記連結面と少なくとも１つの前記ステップ面とに合致する段差合致部を有し、前記フランジと前記固定用リングとは、前記段差部と前記段差合致部とが合致された状態で固定されている、
半導体製造装置。
前記固定用リングは、絶縁性の部材である、請求項１に記載の半導体製造装置。
前記固定用リングが外部に露出せずかつ前記半導体製造装置側端子における前記別装置の端子との着脱部が外部に露出するように設けられた絶縁性のカバーを備えている、請求項１又は２に記載の半導体製造装置。