JP2015228398A - 半導体製造装置用部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 セラミック基板2と、貫通孔31を有するベース部材3と、基端部材51および先端部材52を備えるチャック側端子5と、貫通孔31内でベース部材3とチャック側端子5との間に配置される絶縁部材6と、を含んでなる半導体製造装置用部品1であって、絶縁部材6よりもベース部材3の裏面34側に配置され、貫通孔31内でベース部材3に固定される固定部材7は第1フランジ部71を有し、先端部材52の第2フランジ部521は、第1フランジ部71と絶縁部材6との間に配置され、第2フランジ部521と固定部材7との間に間隙が設けられる半導体製造装置用部品1。
【選択図】図2
Description
導電層が形成されてなるセラミック基板と、
主面と裏面を貫通する貫通孔を有し、該主面は前記セラミック基板の裏面側に接合されるベース部材と、
前記貫通孔内に配置され、前記セラミック基板の裏面側に基端が接合される基端部材と、該基端部材の一部が挿入される先端部材と、を備えるチャック側端子と、
前記ベース部材の前記貫通孔内に配置され、該ベース部材と前記チャック側端子との間に配置される絶縁部材と、
を含んでなる半導体製造装置用部品であって、
前記絶縁部材よりも前記ベース部材の裏面側に配置され、前記貫通孔内で該ベース部材に固定される固定部材は第1フランジ部を有し、
前記先端部材の第2フランジ部は、前記第1フランジ部と前記絶縁部材との間に配置され、該第2フランジ部と前記固定部材との間に間隙が設けられること、を特徴とする。
セラミック基板2は一定厚さで略円形の平板形状を呈する。本例ではアルミナ(Al2O3)を主成分とするセラミック多層(積層)構造の焼結体であり、例えば、厚さが5mmで、直径が、300mmや450mmとされる。このセラミック基板2は、表面(上面)27が図示しない半導体ウエハ等の被吸着部材を吸着、保持する平面からなる吸着面とされ、裏面(下面)28がベース部材3の平面からなる表面(上面)33に接合される接着面とされている。また、セラミック基板2の内部には、図示はしないが、ベース部材3に形成されたガス流路に送り込まれたHeガスが、セラミック基板2の表面27であるウエハの吸着面に供給されるように、ガス流路が設けられている。
このセラミック基板2は、その内部に静電力によって被吸着部材を吸着するための静電電極23が対をなすように埋設されている。この静電電極23は電極間に電圧を印加することで静電力を発生させる双極型のものである。また、本形態の半導体製造装置用部品1においては、セラミック基板2の内部に、電圧を印加することで発熱する抵抗発熱体からなるヒーター電極22が埋設されており、セラミック基板2を温度制御するように設定されている。このようなセラミック基板2の裏面28の適所には、メタライズ層からなる電極端子29が形成されており、それぞれビア25を介して静電電極23およびヒーター電極22に電気的に接合されている。ヒーター電極22および静電電極23が特許請求の範囲における導電層に該当する。
ベース部材3は、本形態ではアルミニウム製で、セラミック基板2より大径をなし、一定厚さの円板形状を呈している。ベース部材3の表面33にセラミック基板2を同心状に配置して接合している。このベース部材3には、セラミック基板2の基端部材51の配置に対応する位置で、主面33と裏面34を貫通する貫通孔31が適数設けられている。貫通孔31は、横断面が円形の円柱状を成している。ただし、貫通孔31内では主面33側において貫通孔31から突出する貫通孔小径部32が形成される。貫通孔小径部32が形成されることで、先端部材52や固定部材7に外部からの圧力がかかったとき、その圧力は絶縁部材6に伝わり、貫通孔小径部32を介してベース部材3に応力が伝わる。そのため、外部からの圧力が基端部材51に直接かからず好ましい。
ベース部材3における貫通孔31の内側には、エンジニアリングプラスチックなどの絶縁材からなり、円筒状をなす絶縁部材6がチャック側端子5を包囲する配置で嵌入され、貫通孔31の内周面に接着等によって固定されている。この絶縁部材6は、外周面が貫通孔31の内周面に沿う円筒形状を呈している絶縁部材大径部61を有している。また、絶縁部材6は絶縁部材大径部61よりも先端側(裏面34側)において、絶縁部材大径部61と同心であり、かつ、外径が絶縁部材大径部61よりも縮径している絶縁部材小径部62を有する。絶縁部材小径部62の外周面は貫通孔31の内周面と接着等によって固定されていない。絶縁部材6の内周面は、チャック側端子5の外径より大きい内径を有する内径孔をなしている。なお、内径孔の内周面と、チャック側端子5との間には間隙が設けられている。
チャック側端子5は貫通孔31内に配置され、セラミック基板2の裏面28に基端が接合される基端部材51と、基端部材51の一部が挿入される先端部材52とを備えている。なお、静電電極23用又はヒーター電極22用の各チャック側端子5は、セラミック基板2の裏面28において、詳しくは図示しないが所定の配置でそれぞれ複数設けられている。ただし、本形態ではいずれのチャック側端子5及びその周囲の構成も同様のため、以下、そのうちの1つに基づいて説明する。
本形態において、チャック側端子5を構成する基端部材51は、ネジ穴が形成されている第1の端子511と、第1の端子にねじ止めされる第2の端子512とを有する。第1の端子511は鉄コバルト合金(その他、42アロイ又は銅)、第2の端子512は銀、金、ニッケル又は銅でメッキされる導電性材料からなる。この基端部材51(第2の端子512)の先端(図1、図2下端)は、図1、図2に示したように、ベース部材3の貫通孔31内の中間部位に位置するように設定されている。基端部材51は、この各貫通孔31の中央に同心状に位置されている。ここで、第2の端子512はオス端子であって、弾性体を含む偏心可能な端子である。基端部材51は、第1の端子511および第2の端子512に加え、第1の端子511および第2の端子512を取り囲む絶縁管63を備えている。絶縁管63はエンジニアリングプラスチックなどの絶縁体からなり、第1の端子511、第2の端子512および電極端子29と、ベース部材3との絶縁を保っている。また、基端部材51とベース部材3との間には間隙が設けられているのが好ましい。基端部材51がベース部材3とセラミック基板2との熱膨張差に起因する横方向の変位の影響を受けてしまうことを抑制することができるためである。よって、基端部材51が横方向のモーメントを受けて破損してしまうことを防止することができる。
基端部材51(第2の端子512)の先端(図1、図2下端側)が先端部材52に挿入される。本形態における先端部材52は第2の端子512および図示しない処理装置側の複数の端子(相手側端子)を両側(表面側および裏面側)から差し込むことができるメス端子形状をなしている。別の言い方をすると、先端部材52の基端および先端には、基端側および先端側に向けて開口するように穿孔された円柱状の空孔を有している。先端部材52の先端側の円柱状の空孔が、処理装置側の複数の端子(相手側端子)が挿入される先端挿入部522である。先端部材52は、導電体からなる。ここで、相手側端子はオス端子であって、弾性体を含む偏心可能な端子である。先端部材52の外周面には、第2フランジ部521を一体で備えている。先端部材52は絶縁部材6の内径よりも外径が小さい部位(小径部)と、小径部の外径よりも外径が大きい第2フランジ部521と、小径部の外径よりも外径が大きく、かつ、第2フランジ部521の外径よりも外径が小さい部位(中径部)とを、この順番でベース部材3の主面側から裏面側において備えている。第2フランジ部521は絶縁部材6(絶縁部材小径部62)の先端面と対向する後端面521aと、固定部材7の内周面に対向する側面521bと、後端面521aと反対側に位置する先端面521cとを有する。
絶縁部材6よりも先端側(裏面34側)で固定部材7が貫通孔31の内側にネジ止め等によって固定されている。具体的には絶縁部材大径部61の先端面および絶縁部材小径部62の先端面と対向する固定部材7が、先端部材52および絶縁部材小径部62を包囲する配置で、ベース部材3にネジ止め等によって固定されている。この固定部材7はエンジニアリングプラスチックなどの絶縁体からなる。固定部材7の内周面には、第1フランジ部71を一体で備えている。本形態では第1フランジ部71は第2のフランジ部521の先端面521cと対向する後端面71aと、先端部材52の中径部と対向する側面71bと、後端面71aの反対側に位置する先端面71cとを有する。本形態では第2フランジ部521の側面521bと固定部材7の内周面との間に間隙が設けられている。加えて、第2フランジ部521の先端面521cと第1フランジ部71の後端面71aとの間、および、第2フランジ部521の後端面521aと絶縁部材6との間にも間隙を設けることが好ましい。
2 セラミック基板
3 ベース部材
4 接着剤層
5 チャック側端子
51 基端部材
52 先端部材
521 第2フランジ部
6 絶縁部材
7 固定部材
71 第1フランジ部
Claims (5)
- 導電層が形成されてなるセラミック基板と、
主面と裏面を貫通する貫通孔を有し、該主面は前記セラミック基板の裏面側に接合されるベース部材と、
前記貫通孔内に配置され、前記セラミック基板の裏面側に基端が接合される基端部材と、該基端部材の一部が挿入される先端部材と、を備えるチャック側端子と、
前記ベース部材の前記貫通孔内に配置され、該ベース部材と前記チャック側端子との間に配置される絶縁部材と、
を含んでなる半導体製造装置用部品であって、
前記絶縁部材よりも前記ベース部材の裏面側に配置され、前記貫通孔内で該ベース部材に固定される固定部材は第1フランジ部を有し、
前記先端部材の第2フランジ部は、前記第1フランジ部と前記絶縁部材との間に配置され、該第2フランジ部と前記固定部材との間に間隙が設けられること、を特徴とする半導体製造装置用部品。 - 前記第1フランジ部と前記第2フランジ部との間、および、該第2フランジ部と前記絶縁部材との間に間隙が設けられることを特徴とする、請求項1に記載の半導体製造装置用部品。
- 前記基端部材と、前記ベース部材との間に間隙が設けられることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体製造装置用部品。
- 前記先端部材のベース部材の裏面側には、外部の処理装置の端子が挿入される先端挿入部を有することを特徴とする、請求項1〜3いずれかに記載の半導体製造装置用部品。
- 前記導電層はヒーター電極であり、前記チャック側端子と該ヒーター電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体製造装置用部品。
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JP6317183B2 (ja) | 2018-04-25 |
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