TWI644393B - Electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

本發明的課題為其目的是提供一種可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性之靜電吸盤。
本發明的解決手段為提供一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的第一主表面；電極層，配設於陶瓷介電質基板，底板，支撐陶瓷介電質基板；以及加熱板，配設於底板與第一主表面之間，加熱板具有：第一加熱器元件，藉由電流流動而發熱；以及第二加熱器元件，藉由電流流動而發熱，在沿著對第一主表面垂直的方向看時，第一加熱器元件的折彎比第二加熱器元件的折彎多，第一加熱器元件具有位於第二加熱器元件的間隙的部分。

Description

靜電吸盤
本發明的態樣一般是關於靜電吸盤(electrostatic chuck)。
在進行蝕刻(etching)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)、濺鍍(sputtering)、離子注入(ion implantation)、灰化(ashing)等的電漿處理反應室(plasma processing chamber)內，靜電吸盤被使用當作吸附保持半導體晶圓(semiconductor wafer)或玻璃基板(glass substrate)等的處理對象物的手段(means)。靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓(silicon wafer)等的基板。
近年來在包含電晶體(transistor)等的半導體元件(semiconductor device)的IC晶片(IC chip)中，小型化或處理速度的提高被要求。伴隨於此，在晶圓上形成半導體元件時，提高蝕刻等的加工的精度被要求。所謂蝕刻的加工精度是表示是否可藉由晶圓的加工形成具有照設計的那樣的寬度或深度的圖案(pattern)。可藉由提高蝕刻等的加工精度使半導體元件微細化，可提高集積密度(integration density)。也就是說，藉由提高加工精度使得晶片的小型化 及高速度化成為可能。
已知蝕刻等的加工精度依存於加工時的晶圓的溫度。因此，在具有靜電吸盤的基板處理裝置中穩定控制加工時的晶圓的溫度被要求。例如使晶圓面內的溫度分布均勻的性能(溫度均勻性)被要求。而且，在晶圓面內中故意加以區別溫度的性能(溫度控制性)被要求。作為控制晶圓的溫度的方法已知有使用內建加熱器(heater)(發熱體)或冷卻板的靜電吸盤的方法(專利文獻1)。
[專利文獻1]：日本國特開2010-40644號公報
在內建於靜電吸盤的加熱器配設有平面形狀的圖案。據此可實現例如依照需要的輸出。該圖案例如藉由濕式蝕刻(wet etching)等除去成為加熱器的金屬箔的一部分，或者藉由將成為加熱器的金屬箔印刷至陶瓷片(ceramic sheet)而形成。使用濕式蝕刻等的情形，未被除去而殘留的金屬箔成為藉由電壓的施加而發熱的加熱器。也就是說，靜電吸盤具有配設發熱的加熱器的部分，與未配設加熱器的部分。
因此，在靜電吸盤依照加熱器的圖案產生溫度不均(溫度的凹凸)。也就是說，配設加熱器的部分溫度高，未配設加熱器的部分溫度低。在藉由靜電吸盤控制溫度的晶圓中也會起因於加熱器的圖案而產生晶圓面內的溫度不均，使得溫度分布的均勻性降低。
而且，配設兩種類的加熱器的情形，有加熱器全體的厚度增加，晶圓的溫度的響應性(responsiveness)(升降溫速率(ramp rate))降低的情形。換言之，有晶圓的溫度的控制所需的時間變長的情形。
本發明是基於如此的課題的認識所進行的創作，其目的為提供一種可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性之靜電吸盤。
第一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的第一主表面(principal surface)；電極層，配設於前述陶瓷介電質基板，底板(base plate)，支撐前述陶瓷介電質基板；以及加熱板(heater plate)，配設於前述底板與前述第一主表面之間，前述加熱板具有：第一加熱器元件(heater element)，藉由電流流動而發熱；以及第二加熱器元件，藉由電流流動而發熱，在沿著對前述第一主表面垂直的方向看時，前述第一加熱器元件的折彎比前述第二加熱器元件的折彎多，前述第一加熱器元件具有位於前述第二加熱器元件的間隙的部分。
依照該靜電吸盤，可藉由第一加熱器元件抑制起因於第二加熱器元件的圖案而產生的處理對象物的面內的溫度不均(溫度的凹凸)。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明中，前述加熱板具有複數個第一加熱器區域，與 複數個第二加熱器區域，前述第一加熱器元件具有在前述複數個第一加熱器區域中互相獨立被配設的複數個第一加熱器電極，前述第二加熱器元件具有在前述複數個第二加熱器區域中互相獨立被配設的複數個第二加熱器電極，前述第一加熱器區域的數目比前述第二加熱器區域的數目大。
依照該靜電吸盤，因第一加熱器電極及第二加熱器電極在複數個區域中互相獨立，故可每一各區域獨立控制處理對象物的面內的溫度。而且，藉由配設第一加熱器電極的區域多，使得藉由第一加熱器電極進行的溫度的微調整為可能。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第二發明中，前述第一加熱器電極的電阻比前述第二加熱器電極的電阻高。
依照該靜電吸盤，藉由第一加熱器電極的電阻比較高，可使第一加熱器電極的輸出比第二加熱器電極的輸出還降低。可藉由第一加熱器電極抑制起因於第二加熱器電極的圖案的處理對象物的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第三發明中的任一項發明中，前述第二加熱器元件具有連接將電力供給至前述第二加熱器元件的導體之連接區域，在沿著對前述第一主表面垂直的方向看時，前 述第一加熱器元件的至少一部分與前述連接區域重疊。
依照該靜電吸盤，可藉由第一加熱器元件抑制起因於第二加熱器元件的連接區域而產生的處理對象物的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第二發明或第三發明中，前述加熱板更具有：具有導電性，與前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的至少任一個電連接之旁路(by-pass)層。
依照該靜電吸盤，可經由旁路層由外部將電力供給至加熱器元件。而且，可提高將電力供給至加熱器元件的端子的配置的自由度。據此，可將例如容易成為溫度的奇異點(singular point)的端子分散配置，在奇異點的周圍熱變得容易擴散。因此，可更提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明中，前述旁路層與前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的兩方電連接。
依照該靜電吸盤，可使用對給予第一加熱器元件的電力供給及給予第二加熱器元件的電力供給共通的旁路層。據此，可抑制加熱板的層數的增大，可減小加熱板的熱容量。因此，可提高溫度的響應性(升降溫速率)。
第七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明或第六發明中，前述旁路層具有複數個旁路部， 與前述第一加熱器元件電連接的前述旁路部的數目為前述第一加熱器區域的數目的2倍以下。
依照該靜電吸盤，藉由將與第一加熱器元件電連接的旁路部的數目抑制為第一加熱器區域的數目的2倍以下，可減少連接於複數個旁路部的端子的數目。據此，可抑制因溫度的奇異點造成的處理對象物的面內的溫度不均。
第八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第二發明、第三發明、第五發明至第七發明中的任一項發明中，在前述複數個前述第一加熱器區域的任一個未配設有前述第一加熱器電極。
依照該靜電吸盤，在未配設第一加熱器電極的區域中可使加熱板的厚度變薄。可減小加熱板的熱容量。因此，可提高溫度的響應性(升降溫速率)。
第九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第二發明、第三發明、第五發明至第七發明中的任一項發明中，在前述複數個前述第一加熱器區域的任一個未配設有前述第一加熱器電極，前述加熱板具有設置於未配設前述第一加熱器電極的前述第一加熱器區域之導電部，前述導電部不由外部供電。
依照該靜電吸盤，藉由在未配設第一加熱器電極的區域設置導電部，可改善加熱板的凹凸，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在 第一發明至第九發明中的任一項發明中，前述加熱板更具有藉由電流流動而發熱之第三加熱器元件，前述第三加熱器元件配設於與配設前述第一加熱器元件的層及配設前述第二加熱器元件的層不同的層，在沿著對前述第一主表面垂直的方向看時，前述第三加熱器元件的折彎比前述第二加熱器元件的折彎多，前述第三加熱器元件具有位於前述第二加熱器元件的間隙的部分。
依照該靜電吸盤，可藉由第三加熱器元件抑制起因於第一及第二加熱器元件的圖案而產生的處理對象物的面內的溫度不均。因此，可更提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第十一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十發明中的任一項發明中，前述第一加熱器元件配設於前述第一主表面與前述第二加熱器元件之間。
依照該靜電吸盤，第一加熱器元件與處理對象物之間的距離比第二加熱器元件與處理對象物之間的距離短。藉由第一加熱器元件比較接近處理對象物而容易藉由第一加熱器元件控制處理對象物的溫度。也就是說，藉由第一加熱器元件容易抑制起因於第二加熱器元件的圖案而產生的處理對象物的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第十二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十一發明中的任一項發明中，前述加熱板 更具有第一支撐板及第二支撐板的至少任一個，前述第一支撐板配設於前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件之上，前述第二支撐板配設於前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件之下，前述第一支撐板的熱傳導率(thermal conductivity)比前述第一加熱器元件的熱傳導率高，比前述第二加熱器元件的熱傳導率高，前述第二支撐板的熱傳導率比前述第一加熱器元件的熱傳導率高，比前述第二加熱器元件的熱傳導率高。
依照該靜電吸盤，加熱板具有第一支撐板的情形，可改善起因於第一及第二加熱器元件的圖案而產生的處理對象物的面內的溫度不均。加熱板具有第二支撐板的情形，可改善底板的面內的溫度不均給予加熱板的溫度的影響。而且，可藉由第一及第二支撐板降低加熱板的翹曲。
第十三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十二發明中，前述第一支撐板及前述第二支撐板的至少任一個具有深度互異的複數種類的凹部。
依照該靜電吸盤，可藉由調整複數種類的凹凸的圖案調整處理對象物的面內的溫度分布。據此，可改善處理對象物的面內的溫度不均，可提高面內的溫度分布的均勻性。
第十四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十三發明中的任一項發明中，前述第一加熱器元件具有連接將電力供給至前述第一加熱器元件的導 體之第一連接部，前述第二加熱器元件具有連接將電力供給至前述第二加熱器元件的導體之第二連接部，前述第一連接部的寬度比前述第二連接部的寬度窄。
依照該靜電吸盤，藉由第一連接部的寬度窄，可抑制因第一連接部而產生的溫度分布的不均。
第十五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十四發明中的任一項發明中，更具備：自前述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座(socket)連接；導線部，比前述連接構件還細；支撐部，與前述導線部連接；以及接合部，與前述支撐部連接與前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的至少任一個接合，將前述電力供給至前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的至少任一個。
依照該靜電吸盤，可藉由接合部降低第一加熱器元件及第二加熱器元件的至少任一個與供電端子的接觸部中的電阻。據此，可抑制異常發熱，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，因連接構件比導線部還粗，故連接構件可將比較大的電流供給至加熱器元件。而且，因導線部比連接構件還細，故導線部比連接構件還容易變形，可將連接構件的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供 電端子的應力，同時對第一加熱器元件及第二加熱器元件的至少任一個可確保更寬廣的接觸面積。而且，支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可配設與加熱器元件略相同的厚度的接合部。
第十六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十四發明中的任一項發明中，更具備：配設於前述底板，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；以及端子部，與前述供電部連接，被前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的至少任一個緊壓。
依照該靜電吸盤，與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔的直徑。因可減小供電端子，故可抑制供電端子的周邊成為溫度的奇異點。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第十七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十四發明中的任一項發明中，更具備：配設於前述底板，將電力供給至前述加熱板之第一供電端子，與自前述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之第二供電端子，前述第一供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；端子部，與前述供電部連接，被前述第一加熱器元件緊壓，將電力供給至前述第一加熱器元件，前述第二供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比前述連接構件還細； 支撐部，與前述導線部連接；以及接合部，與前述支撐部連接與前述第二加熱器元件接合，將電力供給至前述第二加熱器元件。
依照該靜電吸盤，在將電力供給至第一加熱器元件之第一供電端子中，與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔的直徑。因可減小供電端子，故可抑制供電端子的周邊成為溫度的奇異點。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。另一方面，在將電力供給至前述第二加熱器元件之第二供電端子中，可藉由接合部降低第二加熱器元件與供電端子的接觸部中的電阻。據此，可抑制異常發熱，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，因連接構件比導線部還粗，故連接構件可將比較大的電流供給至加熱器元件。而且，因導線部比連接構件還細，故導線部比連接構件還容易變形，可將連接構件的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供電端子的應力，同時對第二加熱器元件可確保更寬廣的接觸面積。而且，支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可配設與加熱器元件及旁路層略相同的厚度的接合部。
第十八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明至第七發明中的任一項發明中，更具備：自前 述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比前述連接構件還細；支撐部，與前述導線部連接；以及接合部，與前述支撐部連接與前述旁路層接合，經由前述旁路層將前述電力供給至前述第一加熱器元件及前述第二加熱器元件的至少任一個
依照該靜電吸盤，可藉由接合部降低旁路層與供電端子的接觸部中的電阻。據此，可抑制異常發熱，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，因連接構件比導線部還粗，故連接構件可將比較大的電流供給至加熱器元件。而且，因導線部比連接構件還細，故導線部比連接構件還容易變形，可將連接構件的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供電端子的應力，同時對旁路層可確保更寬廣的接觸面積。而且，支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可配設與加熱器元件及旁路層略相同的厚度的接合部。
第十九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明至第七發明中的任一項發明中，更具備：配設於前述底板，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：與由外部供給電力的插座連接之供電部；以及與前述供電部連接，被前述旁路層緊壓之端子部。
依照該靜電吸盤，與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔的直徑。因可減小供電端子，故可抑制供電端子的周邊成為溫度的奇異點。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第二十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第五發明至第七發明中的任一項發明中，更具備：配設於前述底板，將電力供給至前述加熱板之第一供電端子，與自前述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之第二供電端子，前述第一供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；端子部，與前述供電部連接，被前述旁路層緊壓，將電力供給至前述第一加熱器元件，前述第二供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比前述連接構件還細；支撐部，與前述導線部連接；以及接合部，與前述支撐部連接與前述旁路層接合，經由前述旁路層將電力供給至前述第二加熱器元件。
依照該靜電吸盤，在將電力供給至第一加熱器元件之第一供電端子中，與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔的直徑。因可減小供電端子，故可抑制供電端子的周邊成為溫度的奇異點。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。另一方面，在將電力供給至前述第二加熱器元件之第二供電端子中，可藉由接合部降低旁路層與供電端子的接觸部中的電阻。據此，可抑制異常發熱，可提高處理對象物的面內 的溫度分布的均勻性。而且，因連接構件比導線部還粗，故連接構件可將比較大的電流供給至加熱器元件。而且，因導線部比連接構件還細，故導線部比連接構件還容易變形，可將連接構件的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供電端子的應力，同時對旁路層可確保更寬廣的接觸面積。而且，支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可配設與加熱器元件及旁路層略相同的厚度的接合部。
依照本發明的態樣，可提供可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性的靜電吸盤。
10‧‧‧靜電吸盤
21~23‧‧‧折彎部
100‧‧‧陶瓷介電質基板
101‧‧‧第一主表面
102‧‧‧第二主表面
107‧‧‧第一介電層
109‧‧‧第二介電層
111‧‧‧電極層
113‧‧‧凸部
115‧‧‧溝
200‧‧‧加熱板
201‧‧‧頂出銷孔
210‧‧‧第一支撐板
213a~213c‧‧‧凹部
220‧‧‧第一樹脂層
230a‧‧‧第一加熱器元件
230b‧‧‧第二加熱器元件
230c‧‧‧第三加熱器元件
233a‧‧‧第一連接部
233b‧‧‧第二連接部
235‧‧‧導電部
236‧‧‧連接區域
239a‧‧‧第一加熱器電極
239b‧‧‧第二加熱器電極
239c‧‧‧第三加熱器電極
239p、239q‧‧‧第一加熱器電極
240‧‧‧第二樹脂層
245‧‧‧第三樹脂層
246‧‧‧樹脂層
250‧‧‧旁路層
251‧‧‧旁路部
251p、251q、251r‧‧‧旁路部
251a‧‧‧旁路部的面
253‧‧‧缺口部
260‧‧‧第四樹脂層
270‧‧‧第二支撐板
273‧‧‧孔
273a~273c‧‧‧凹部
280、280a‧‧‧供電端子
281‧‧‧連接構件
281a‧‧‧供電部
281b‧‧‧端子部
283‧‧‧導線部
283a‧‧‧套筒
285‧‧‧支撐部
285a‧‧‧插座
287‧‧‧接合部
300‧‧‧底板
301‧‧‧連通道
303‧‧‧底面
321‧‧‧導入道
403‧‧‧接著劑
500‧‧‧晶圓處理裝置
501‧‧‧處理容器
502‧‧‧處理氣體導入口
503‧‧‧排氣口
504‧‧‧高頻電源
510‧‧‧上部電極
Ain‧‧‧電流進入第一加熱器元件的部分
Aout‧‧‧電流由第一加熱器元件流出的部分
Bin‧‧‧電流進入第二加熱器元件的部分
Bout‧‧‧電流由第二加熱器元件流出的部分
B11~B14、B31~B34‧‧‧區域
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C11、C12、C13、C15、C17、C18、C19、C21、C22、C23‧‧‧箭頭
D、D1~D9‧‧‧寬度
E‧‧‧邊界
JA‧‧‧接合區域
L1~L6‧‧‧距離
P1、P2、P3、P4‧‧‧部分
Px‧‧‧位置
Q1~Q8‧‧‧部分
R1‧‧‧第一加熱器區域
R2‧‧‧第二加熱器區域
Tw‧‧‧溫度
W‧‧‧處理對象物
圖1是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意斜視圖。
圖2(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意剖面圖。
圖3是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意斜視圖。
圖4(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意斜視圖。
圖5是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分 解圖。
圖6是舉例說明與本實施形態有關的加熱板的變形例之示意分解圖。
圖7(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意俯視圖。
圖8(a)~(c)是舉例說明使用於計算的模式(model)之示意圖。
圖9(a)~(c)是舉例說明使用於計算的模式之示意圖。
圖10是顯示處理對象物的溫度分布的計算結果之圖表。
圖11(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的製造方法的一例之示意剖面圖。
圖12是舉例說明與本實施形態有關的製造方法的其他的一例之示意剖面圖。
圖13是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意分解圖。
圖14(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意俯視圖。
圖15(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板的一部分之示意放大視圖。
圖16(a)~(c)是舉例說明與本實施形態有關的第二加熱器元件之示意俯視圖。
圖17(a)~(c)是舉例說明與本實施形態有關的第一加熱器元件之示意俯視圖。
圖18(a)~(f)是說明與本實施形態有關的加熱器元件之示意俯視圖。
圖19(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的旁路層之示意俯視圖。
圖20是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖21是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖22是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖23是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖24是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖25是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖26(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意圖。
圖27是舉例說明本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。
圖28是舉例說明本實施形態的加熱板之示意俯視圖。
圖29(a)及(b)是顯示本實施形態的供電端子的具體例之示意俯視圖。
圖30是顯示本實施形態的供電端子的變形例之示意 剖面圖。
圖31是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置之示意剖面圖。
圖32是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。
圖33是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。
以下就本發明的實施的形態一邊參照圖式，一邊進行說明。此外各圖式中，對同樣的元件附加同一符號而適宜省略詳細的說明。
圖1是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意斜視圖。
圖2(a)及圖2(b)是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意剖面圖。
在圖1中為了說明的方便起見，在靜電吸盤的一部分中顯示剖面圖。圖2(a)是例如圖1所示的剖切面A1-A1中的示意剖面圖。圖2(b)是圖2(a)所示的區域B1的示意放大視圖。
與本實施形態有關的靜電吸盤10具備陶瓷介電質基板100與加熱板200與底板300。
在該例子中，陶瓷介電質基板100配設於與底板300分離的位置。陶瓷介電質基板100為例如由多晶陶瓷燒結體(polycrystalline ceramics sintered compact)構成 的平板狀的基材，具有：載置半導體晶圓等的處理對象物W的第一主表面101，和與第一主表面101相反側的第二主表面102。
此處，在本實施形態的說明中以連結第一主表面101與第二主表面102的方向當作Z方向。Z方向對第一主表面101垂直。擬稱與Z方向正交的方向之一為X方向，稱正交於Z方向及X方向的方向為Y方向。在本案說明書中[面內]是指例如X-Y平面內。
作為陶瓷介電質基板100所包含的結晶的材料可舉出例如Al2O3、Y2O3及YAG等。可藉由使用這種材料提高陶瓷介電質基板100中的紅外線透過性、耐受電壓(withstand voltage)及電漿耐久性(plasma durability)。
在陶瓷介電質基板100的內部配設有電極層111。電極層111介設於第一主表面101與第二主表面102之間。也就是說，電極層111插入陶瓷介電質基板100之中而被形成。電極層111被一體燒結於陶瓷介電質基板100。
此外，電極層111不被限定於介設於第一主表面101與第二主表面102之間，附設於第二主表面102也可以。
靜電吸盤10藉由對電極層111施加吸附保持用電壓而在電極層111的第一主表面101側產生電荷，透過靜電力吸附保持處理對象物W。
電極層111沿著第一主表面101及第二主表 面102被配設。電極層111是用以吸附保持處理對象物W的吸附電極。電極層111既可以是單極型也可以是雙極型。而且，電極層111也可以是三極型或其他的多極型。電極層111的數目或電極層111的配置可適宜選擇。
陶瓷介電質基板100具有：電極層111與第一主表面101之間的第一介電層(dielectric layer)107；電極層111與第二主表面102之間的第二介電層109。陶瓷介電質基板100之中至少第一介電層107中的紅外線分光透過率為20%以上較佳。在本實施形態中紅外線分光透過率為以厚度1mm換算的值。
藉由陶瓷介電質基板100之中至少第一介電層107中的紅外線分光透過率為20%以上，在將處理對象物W載置於第一主表面101的狀態下由加熱板200放出的紅外線可效率高地透過陶瓷介電質基板100。因此，熱很難蓄積於處理對象物W，處理對象物W的溫度的控制性升高。
例如在進行電漿處理的反應室內使用靜電吸盤10的情形，伴隨電漿功率(plasma power)的增加處理對象物W的溫度變得容易上升。在本實施形態的靜電吸盤10中，因電漿功率而傳導到處理對象物W的熱效率高地傳導到陶瓷介電質基板100。進而藉由加熱板200而傳導到陶瓷介電質基板100的熱效率高地傳導到處理對象物W。因此，熱效率高地被傳導，可容易將處理對象物W維持於所希望的溫度。
在與本實施形態有關的靜電吸盤10中，除了第一介電層107之外，第二介電層109中的紅外線分光透過率也是20%以上較理想。藉由第一介電層107及第二介電層109的紅外線分光透過率為20%以上，由加熱板200放出的紅外線就會效率更高地透過陶瓷介電質基板100，可提高處理對象物W的溫度控制性。
底板300配設於陶瓷介電質基板100的第二主表面102側，隔著加熱板200支撐陶瓷介電質基板100。在底板300設置有連通道301。也就是說，連通道301設置於底板300的內部。作為底板300的材料可舉出例如鋁。
底板300發揮進行陶瓷介電質基板100的溫度調整的作用。例如在將陶瓷介電質基板100冷卻的情形下，使冷卻介質(cooling medium)流入連通道301，使其通過連通道301，由連通道301使冷卻介質流出。據此，可藉由冷卻介質吸收底板300的熱，將安裝於其上的陶瓷介電質基板100冷卻。
另一方面，在將陶瓷介電質基板100加熱的情形下，也能將加熱介質注入到連通道301內。或者也能使未圖示的加熱器內建於底板300。如此，若透過底板300調整陶瓷介電質基板100的溫度，則可容易調整藉由靜電吸盤10吸附保持的處理對象物W的溫度。
而且，在陶瓷介電質基板100的第一主表面101側依照需要設置有凸部113。在互相相鄰的凸部113之間設置有溝115。溝115互相連通。在搭載於靜電吸盤10 的處理對象物W的背面與溝115之間形成有空間。
在溝115連接有貫通底板300及陶瓷介電質基板100的導入道321。若在吸附保持住處理對象物W的狀態下由導入道321導入氦(He)等的傳送氣體，則傳送氣體流到設置於處理對象物W與溝115之間的空間，可藉由傳送氣體直接將處理對象物W加熱或冷卻。
加熱板200配設於第一主表面101與底板300之間。加熱板200藉由加熱器用電流流動而發熱，與加熱板200不發熱的情形比較可提高處理對象物W的溫度。在該例子中加熱板200與陶瓷介電質基板100不同體，配設於陶瓷介電質基板100與底板300之間。
在底板300與加熱板200之間設有接著劑403。在加熱板200與陶瓷介電質基板100之間設有接著劑403。作為接著劑403的材料可舉出具有較高的導熱性(thermal conductivity)的聚矽氧(silicone)等的耐熱樹脂(heat-resistant resin)。接著劑403的厚度為例如約0.1毫米(mm)以上、1.0mm以下左右。接著劑403的厚度和底板300與加熱板200之間的距離，或加熱板200與陶瓷介電質基板100之間的距離相同。
此外，在實施形態中加熱板200介設於第一主表面101與第二主表面102之間也可以。也就是說，加熱板200插入陶瓷介電質基板100之中而形成也可以。
圖3是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意斜視圖。
圖4(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意斜視圖。
圖5是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
圖6是舉例說明與本實施形態有關的加熱板的變形例之示意分解圖。
圖3是由頂面(陶瓷介電質基板100的側的面)眺望本實施形態的加熱板之示意斜視圖。圖4(a)是由底面(底板300的側的面)眺望本實施形態的加熱板之示意斜視圖。圖4(b)是圖4(a)所示的區域B2中的示意放大視圖。
如圖5所示，加熱板200具有：第一支撐板210、第一樹脂層220、第一加熱器元件(發熱層)230a、第二樹脂層240、第二加熱器元件230b、第三樹脂層245、旁路層250、第四樹脂層260、第二支撐板270、供電端子280。
第一支撐板210配設於第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b、旁路層250等之上。第二支撐板270配設於第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b、旁路層250等之下。如圖3所示，第一支撐板210的面211(頂面)形成加熱板200的頂面。如圖4所示，第二支撐板270的面271(底面)形成加熱板200的底面。第一支撐板210及第二支撐板270為支撐第一及第二加熱器元件230a、230b等的支撐板。在該例子中，第一支撐板210及第二支撐板270夾著第一樹脂層220與第一加熱器元件230a與第二樹脂層240與第二加熱器元件230b與第三樹脂 層245與旁路層250與第四樹脂層260，支撐該等構件。
第一樹脂層220配設於第一支撐板210與第二支撐板270之間。第一加熱器元件230a配設於第一樹脂層220與第二支撐板270之間。如此，第一加熱器元件230a與第一支撐板210重疊而被配設。第一樹脂層220換言之配設於第一支撐板210與第一加熱器元件230a之間。
第二樹脂層240配設於第一加熱器元件230a與第二支撐板270之間。第二加熱器元件230b配設於第二樹脂層240與第二支撐板270之間。如此，第二加熱器元件230b配設於與配設第一加熱器元件230a的層不同的層。第三樹脂層245配設於第二加熱器元件230b與第二支撐板270之間。旁路層250配設於第三樹脂層245與第二支撐板270之間。第四樹脂層260配設於旁路層250與第二支撐板270之間。
第一加熱器元件230a換言之配設於第一樹脂層220與第二樹脂層240之間。第二加熱器元件230b換言之配設於第二樹脂層240與第三樹脂層245之間。旁路層250換言之配設於第三樹脂層245與第四樹脂層260之間。
第一加熱器元件230a例如接觸於第一樹脂層220及第二樹脂層240的各個。第二加熱器元件230b例如接觸於第二樹脂層240及第三樹脂層245的各個。旁路層250例如接觸於第三樹脂層245及第四樹脂層260的各個。
如圖6所示，旁路層250及第四樹脂層260未必一定要配設。在未配設旁路層250及第四樹脂層260 的情形下，第三樹脂層245配設於第二加熱器元件230b與第二支撐板270之間。在以下的說明中舉加熱板200具有旁路層250及第四樹脂層260的情形為例。
第一支撐板210具有比較高的熱傳導率。例如第一支撐板210的熱傳導率比第一加熱器元件230a的熱傳導率高，比第二加熱器元件230b的熱傳導率高。作為第一支撐板210的材料可舉出例如包含鋁、銅及鎳的至少任一種的金屬或多層構造的石墨(graphite)等。第一支撐板210的厚度(Z方向的長度)為例如約0.1mm以上、3.0mm以下左右。較佳為第一支撐板210的厚度為例如0.3mm以上、1.0mm以下左右。第一支撐板210提高加熱板200的面內的溫度分布的均勻性。第一支撐板210抑制加熱板200的翹曲。第一支撐板210提高加熱板200與陶瓷介電質基板100之間的接著的強度。
在處理對象物W的處理製程中，RF(Radio Frequency)電壓(高頻電壓)被施加。若高頻電壓被施加，則第一及第二加熱器元件230a、230b往往會受到高頻的影響而發熱。於是，第一及第二加熱器元件230a、230b的溫度控制性降低。
相對於此，在本實施形態中第一支撐板210隔絕高頻，防止第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b及旁路層250因高頻的影響而發熱。據此，第一支撐板210可抑制第一及第二加熱器元件230a、230b發熱至異常溫度。
第二支撐板270的材料、厚度及功能與第一 支撐板210的材料、厚度及功能分別相同。例如第二支撐板270的熱傳導率比第一加熱器元件230a的熱傳導率高，比第二加熱器元件230b的熱傳導率高。第一支撐板210與第二支撐板270電接合。此處，於在本案說明書中[接合]此一範圍包含有接觸。關於第二支撐板270與第一支撐板210之間的電接合的詳細於後述。
如此，第一支撐板210及第二支撐板270具有比較高的熱傳導率。據此，第一支撐板210及第二支撐板270提高由第一及第二加熱器元件230a、230b供給的熱的熱擴散性(thermal diffusivity)。藉由第一支撐板210可改善起因於第一及第二加熱器元件230a、230b的圖案而產生的處理對象物W的面內的溫度不均。藉由第二支撐板270可改善底板300的面內的溫度不均給予加熱板200的溫度的影響。此外，在實施形態中省略第一支撐板210及第二支撐板270的至少任一個也可以。
而且，藉由第一支撐板210及第二支撐板270具有適度的厚度及剛性，例如抑制加熱板200的翹曲。進而第一支撐板210及第二支撐板270提高例如對施加於晶圓處理裝置的電極等的RF電壓之遮護性。例如抑制RF電壓對第一及第二加熱器元件230a、230b的影響。如此，第一支撐板210及第二支撐板270具有熱擴散的功能，與翹曲抑制的功能，與對RF電壓的遮護的功能。
作為第一樹脂層220的材料可舉出例如聚醯亞胺(polyimide)或聚醯胺-亞醯胺(polyamide-imide)等。第一 樹脂層220的厚度(Z方向的長度)為例如約0.01mm以上、0.20mm以下左右。第一樹脂層220將第一支撐板210與第一加熱器元件230a互相接合。第一樹脂層220將第一支撐板210與第一加熱器元件230a之間電絕緣。如此，第一樹脂層220具有電絕緣的功能與面接合的功能。
第二樹脂層240的材料及厚度分別與第一樹脂層220的材料及厚度同程度。第三樹脂層245的材料及厚度分別與第一樹脂層220的材料及厚度同程度。第四樹脂層260的材料及厚度分別與第一樹脂層220的材料及厚度同程度。
第二樹脂層240將第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b互相接合。第二樹脂層240將第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b之間電絕緣。如此，第二樹脂層240具有電絕緣的功能與面接合的功能。
第三樹脂層245將第二加熱器元件230b與旁路層250互相接合。第三樹脂層245將第二加熱器元件230b與旁路層250之間電絕緣。如此，第三樹脂層245具有電絕緣的功能與面接合的功能。
第四樹脂層260將旁路層250與第二支撐板270互相接合。第四樹脂層260將旁路層250與第二支撐板270之間電絕緣。如此，第四樹脂層260具有電絕緣的功能與面接合的功能。
作為第一加熱器元件230a的材料可舉出例如包含不銹鋼、鈦、鉻、鎳、銅及鋁的至少任一種的金屬等。 第一加熱器元件230a的厚度(Z方向的長度)為例如約0.01mm以上、0.20mm以下左右。第二加熱器元件230b的材料及厚度分別與第一加熱器元件230a的材料及厚度同程度。第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b分別與旁路層250電接合。另一方面，第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b分別與第一支撐板210及第二支撐板270電絕緣。關於第一加熱器元件230a與旁路層250之間的電接合，及第二加熱器元件230b與旁路層250之間的電接合的詳細於後述。
第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b若電流分別流動就發熱，控制處理對象物W的溫度。例如第一及第二加熱器元件230a、230b將處理對象物W加熱至規定的溫度。例如第一及第二加熱器元件230a、230b使處理對象物W的面內的溫度分布均勻。例如第一及第二加熱器元件230a、230b故意加以區別處理對象物W的面內的溫度。
旁路層250與第一支撐板210略平行地被配置，與第二支撐板270略平行地被配置。旁路層250具有複數個旁路部251。旁路層250具有例如8個旁路部251。旁路部251的數目不被限定於[8]。旁路層250呈板狀。相對於此，第一加熱器元件230a具有帶狀的第一加熱器電極239a，第二加熱器元件230b具有帶狀的第二加熱器電極239b。在對旁路層250的面(旁路部251的面251a)垂直看時，旁路層250的面積比第一加熱器元件230a的面積(第 一加熱器電極239a的面積)寬，比第二加熱器元件230b的面積(第二加熱器電極239b的面積)寬。
旁路層250具有導電性。旁路層250與第一支撐板210及第二支撐板270電絕緣。作為旁路層250的材料可舉出例如包含不銹鋼的金屬等。旁路層250的厚度(Z方向的長度)為例如約0.03mm以上、0.30mm以下左右。旁路層250的厚度比第一樹脂層220的厚度厚。旁路層250的厚度比第二樹脂層240的厚度厚。旁路層250的厚度比第三樹脂層245的厚度厚。旁路層250的厚度比第四樹脂層260的厚度厚。
例如旁路層250的材料與第一及第二加熱器元件230a、230b的材料相同。另一方面，旁路層250的厚度比第一加熱器元件230a的厚度厚，比第二加熱器元件230b的厚度厚。因此，旁路層250的電阻比第一加熱器元件230a的電阻低，比第二加熱器元件230b的電阻低。據此，即使是旁路層250的材料與第一及第二加熱器元件230a、230b的材料相同的情形，也能抑制旁路層250如第一及第二加熱器元件230a、230b般發熱。也就是說，可抑制旁路層250的電阻，可抑制旁路層250的發熱量。此外，抑制旁路層250的電阻，抑制旁路層250的發熱量的手段不是旁路層250的厚度，而是藉由使用體積電阻率(volume resistivity)較低的材料而實現也可以。也就是說，旁路層250的材料與第一及第二加熱器元件230a、230b的材料不同也可以。作為旁路層250的材料可舉出例如包含不銹 鋼、鈦、鉻、鎳、銅及鋁的至少任一種的金屬等。
供電端子280與旁路層250電接合。在加熱板200配設於底板300與陶瓷介電質基板100之間的狀態下，供電端子280自加熱板200朝底板300配設。供電端子280透過旁路層250將自靜電吸盤10的外部供給的電力供給至第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b。供電端子280例如直接連接於第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b也可以。據此，旁路層250省略成為可能。
加熱板200具有複數個供電端子280。圖3~圖5所示的加熱板200具有8個供電端子280。供電端子280的數目不被限定於[8]。一個供電端子280與一個旁路部251電接合。孔273貫通第二支撐板270。供電端子280經由孔273與旁路部251電接合。
如圖5所示的箭頭C1及箭頭C2所示，電力一由靜電吸盤10的外部供給至供電端子280，電流就由供電端子280流到旁路層250。如圖5所示的箭頭C3及箭頭C4所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到第一加熱器元件230a。如圖5所示的箭頭C5及箭頭C6所示，流到第一加熱器元件230a的電流流過第一加熱器元件230a的規定的區域，由第一加熱器元件230a流到旁路層250。關於第一加熱器元件230a的區域(第一加熱器區域)的詳細於後述。如圖5所示的箭頭C7及箭頭C8所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到供電端子280。如圖5所示的箭頭C9所示，流到供電端子280的電流流到靜電吸盤 10的外部。
同樣地，如箭頭C11及箭頭C12所示，電力一由靜電吸盤10的外部供給至供電端子280，電流就由供電端子280流到旁路層250。如圖5所示的箭頭C13及箭頭C14所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到第二加熱器元件230b。如圖5所示的箭頭C15及箭頭C16所示，流到第二加熱器元件230b的電流流過第二加熱器元件230b的規定的區域，由第二加熱器元件230b流到旁路層250。關於第二加熱器元件230b的區域(第二加熱器區域)的詳細於後述。如圖5所示的箭頭C17及箭頭C18所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到供電端子280。如圖5所示的箭頭C19所示，流到供電端子280的電流流到靜電吸盤10的外部。
如此，在第一加熱器元件230a與旁路層250的接合部存在電流進入第一加熱器元件230a的部分Ain，與電流由第一加熱器元件230a流出的部分Aout。也就是說，在第一加熱器元件230a與旁路層250的接合部存在成對(pair)。
同樣地，在第二加熱器元件230b與旁路層250的接合部存在電流進入第二加熱器元件230b的部分Bin，與電流由第二加熱器元件230b流出的部分Bout。也就是說，在第二加熱器元件230b與旁路層250的接合部存在成對。
圖3~圖5所示的加熱板200具有8個供電端子280。在該例子中，第一加熱器元件230a與旁路層250的接合部 的成對的數目，和第二加熱器元件230b與旁路層250的接合部的成對的數目之合計為4。例如流到第一加熱器元件230a的電流及流到第二加熱器元件230b的電流各自被控制。但是，連接於第一加熱器元件230a的旁路部251與連接於第二加熱器元件230b的旁路部251適宜當作共通也可以。
例如旁路層250的材料的熱傳導率比第二支撐板270的熱傳導率低。旁路層250抑制由第一及第二加熱器元件230a、230b供給的熱傳導到第二支撐板270。也就是說，旁路層250具有由旁路層250看對第二支撐板270的側的絕熱效果，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
供電端子280的周邊容易成為溫度的奇異點(溫度與周圍的區域比較大不同的點)。相對於此，藉由配設旁路層250可提高供電端子280的配置的自由度。例如可將容易成為溫度的奇異點的供電端子分散配置，在奇異點的周圍熱變得容易擴散。據此，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
藉由配設旁路層250，即使不將熱容量大的供電端子直接接合於第一及第二加熱器元件230a、230b也可以。據此，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。而且，藉由配設旁路層250，即使不將供電端子280接合於比較薄的加熱器元件(230a、230b)也可以。據此，可提高加熱板200的可靠度。
如前述，供電端子280由加熱板200朝底板300配設。因此，可由底板300的底面303(參照圖2(a)及圖2(b))的側經由被稱為插座等的構件將電力供給至供電端子280。據此，抑制供電端子280露出到設置有靜電吸盤10的反應室內，同時實現加熱器的配線。
圖7(a)及(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意俯視圖。圖7(b)是圖7(a)所示的區域B3之示意放大視圖，僅顯示第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b。
如圖7(b)所示，第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b重疊。第一加熱器元件230a的平面形狀的圖案與第二加熱器元件230b的平面形狀的圖案不同。第一加熱器元件230a的帶狀的第一加熱器電極239a的寬度D1比第二加熱器元件230b的帶狀的第二加熱器電極239b的寬度D2窄。寬度D1例如為0.1mm以上、2mm以下。寬度D2例如為0.5mm以上、3mm以下。此外，帶狀的第一加熱器電極239a的寬度及帶狀的第二加熱器電極239b的寬度在面內中未必一定。在這種情形下，可設面內(例如後述的第一加熱器區域R1內)中的第一加熱器電極239a的寬度的平均值為上述的寬度D1。同樣地，可設面內(例如後述的第二加熱器區域R2內)中的第二加熱器電極239b的寬度的平均值為上述的寬度D2。
如圖7(b)所示，在沿著Z方向看時，第一加熱器元件230a(第一加熱器電極239a)具有折彎部21。在沿 著Z方向看時，第二加熱器元件230b(第二加熱器電極239b)具有折彎部22。第一加熱器元件230a的折彎部21的數目比第二加熱器元件230b的折彎部22的數目多。
此外，[折彎部(折彎)]是指加熱器元件的延伸方向(電流流過的方向)由第一方向朝與第一方向不同的第二方向變化的部分。在折彎部中，加熱器元件的延伸方向不連續地變化也可以。也就是說，折彎部的外周為角變圓的形狀也可以。作為一例為以在沿著Z方向看時，在10mm見方左右的範圍內加熱器元件的延伸方向變化60度以上的部分當作[折彎部]。
而且，例如第一加熱器元件230a(第一加熱器電極239a)的長度比第二加熱器元件230b(第二加熱器電極239b)的長度長。
第一加熱器元件230a的長度是指電流進入第一加熱器元件230a的部分Ain到電流由第一加熱器元件230a流出的部分Aout之電流流過的路徑的長度。也就是說，第一加熱器元件230a的長度為以圖5的箭頭C5表示的電流的路徑的長度。
同樣地，第二加熱器元件230b的長度是指電流進入第二加熱器元件230b的部分Bin到電流由第二加熱器元件230b流出的部分Bout之電流流過的路徑的長度。也就是說，第二加熱器元件230b的長度為以圖5的箭頭C15表示的電流的路徑的長度。
第一加熱器元件230a(第一加熱器電極239a) 的電阻比第二加熱器元件230b(第二加熱器電極239b)的電阻高。據此，可使第一加熱器元件230a的輸出(發熱量、電力消耗(power consumption))比第二加熱器元件230b的輸出(發熱量、電力消耗)還降低。也就是說，第一加熱器元件230a為低功率加熱器，第二加熱器元件230b為高功率加熱器。
此外，第一加熱器元件230a的電阻是指電流進入第一加熱器元件230a的部分Ain與電流由第一加熱器元件230a流出的部分Aout之間的電阻。也就是說，第一加熱器元件230a的電阻為以圖5的箭頭C5表示的路徑中的電阻。
同樣地，第二加熱器元件230b的電阻是指電流進入第二加熱器元件230b的部分Bin與電流由第二加熱器元件230b流出的部分Bout之間的電阻。也就是說，第二加熱器元件230b的電阻為以圖5的箭頭C15表示的路徑中的電阻。
而且，比較提高第一加熱器元件230a的電阻的手段不限於使用寬度狹窄且長的第一加熱器電極239a。例如第一加熱器電極239a使用體積電阻率較高的材料也可以，且使第一加熱器電極239a的厚度變得較薄也可以。
在沿著Z方向看時，第一加熱器元件230a具有位於第二加熱器電極239b的間隙的部分。例如在圖7(b)所示的例子中，第二加熱器電極239b具有在加熱板200的徑向Dr中互相相鄰的部分P1、P2。第一加熱器元件230a 具有在沿著Z方向看時，位於部分P1與部分P2之間的部分P3。在沿著Z方向看時，部分P3與第二加熱器元件230b不重疊。
未配設第一加熱器元件230a的情形，在第二加熱器元件230b的圖案的正上方中處理對象物W的溫度比較容易變高，在未配設第二加熱器元件230b的圖案的部分的正上方中處理對象物的溫度比較低。也就是說，在處理對象物產生對應第二加熱器元件230b的圖案的溫度不均。
相對於此，在實施形態中第一加熱器元件230a的折彎比第二加熱器元件230b的折彎多，配設有配置於第二加熱器元件230b的間隙之第一加熱器元件230a。據此，可藉由第一加熱器元件230a將處理對象物W之難以藉由第二加熱器元件230b加熱的部分加熱。也就是說，可藉由第一加熱器元件230a抑制起因於第二加熱器元件230b的圖案而產生的處理對象物W的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
其次，參照圖8~圖10就配設第一及第二加熱器元件230a、230b的情形的溫度分布的計算結果進行說明。
圖8(a)~圖8(c)及圖9(a)~圖9(c)是舉例說明使用於計算的模式之示意圖。
圖8(a)是使用於計算的靜電吸盤的模式之斜視圖。進行了關於50mm×100mm的長方體狀的區域的計算。圖8(b) 是圖8(a)所示的剖切面A2-A2中的示意剖面圖。圖8(c)是圖8(b)所示的區域B4的示意放大視圖。
此外，在圖8(c)中為了方便容易理解起見，在第一加熱器元件230a與上下的樹脂層之間，及第二加熱器元件230b與上下的樹脂層之間顯示間隙。但是，在使用於計算的模式中，第一及第二加熱器元件230a、230b的各個與上下的樹脂層相接。
圖9(a)是沿著Z方向看第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b時之俯視圖。圖9(a)對應圖8(a)所示的區域B5。
圖9(b)僅顯示圖9(a)之中第二加熱器元件230b的圖案。圖9(c)僅顯示圖9(a)之中第一加熱器元件230a的圖案。換言之，圖9(a)是將圖9(b)與圖9(c)重疊之圖。
如圖9(a)~圖9(c)所示，第一加熱器元件230a的折彎比第二加熱器元件230b的折彎多。第一加熱器元件230a具有位於第二加熱器元件230b的間隙的部分。此外，如圖9(b)所示，在第二加熱器元件230b無折彎也可以。
圖10是顯示上述的模式中的處理對象物W的溫度分布的計算結果之圖表。
圖10的橫軸表示圖8(b)所示的剖面中的Y方向的位置Px(mm)，圖10的縱軸表示處理對象物W的溫度Tw(℃)。圖10的實線表示僅使用第二加熱器元件230b的情形的處理對象物W的溫度分布。圖10的虛線表示使用第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的兩方的情形的處理 對象物W的溫度分布。
僅使用第二加熱器元件230b的情形，處理對象物W的溫度不均(溫度的凹凸)的大小△T2為0.2℃左右。相對於此，使用第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的情形，處理對象物W的溫度不均的大小△T1+2降低至0.1℃左右。
其次，就本實施形態的加熱板200的製造方法一邊參照圖式，一邊進行說明。
圖11(a)及圖11(b)是舉例說明與本實施形態有關的製造方法的一例之示意剖面圖。
圖12是舉例說明與本實施形態有關的製造方法的其他的一例之示意剖面圖。
圖11(a)是舉例說明接合旁路層與加熱器元件前的狀態之示意剖面圖。圖11(b)是舉例說明接合旁路層與加熱器元件後的狀態之示意剖面圖。圖12是舉例說明旁路層與供電端子的接合製程的一例之示意剖面圖。
在與本實施形態有關的靜電吸盤10的製造方法中，例如首先藉由進行鋁的機械加工製造第一支撐板210及第二支撐板270。第一支撐板210及第二支撐板270的檢查可使用例如三維測量儀器(three-dimensional measuring instrument)等進行。
其次，例如藉由以雷射、機械加工、起模或溶解等切割聚醯亞胺膜(polyimide film)，製造第一樹脂層220、第二樹脂層240、第三樹脂層245及第四樹脂層260。 第一樹脂層220、第二樹脂層240、第三樹脂層245及第四樹脂層260的檢查使用例如目視等進行。
其次，利用微影(photolithography)技術或印刷技術對不銹鋼進行蝕刻，藉由機械加工、起模等切割不銹鋼形成加熱器圖案(heater pattern)。據此，製造第一及第二加熱器元件230a、230b。而且，第一及第二加熱器元件230a、230b的電阻值的測定等被進行。
接著，如圖11(a)及圖11(b)所示進行第一加熱器元件230a與旁路層250的接合，及第二加熱器元件230b與旁路層250的接合。該接合是藉由銲接、硬銲、焊接或接觸等進行。如圖11(a)所示，在第二樹脂層240設有孔240a。孔240a貫通第二樹脂層240。在第三樹脂層245設有孔245a及孔245b。孔245a及孔245b的各個貫通第三樹脂層245。例如如圖11(a)所示的箭頭C21、C22所示，自旁路層250的側進行點焊(spot welding)。據此，將第一加熱器元件230a與旁路層250接合，將第二加熱器元件230b與旁路層250接合。
此外，第一加熱器元件230a與旁路層250的接合，及第二加熱器元件230b與旁路層250的接合不被限定於焊接。例如進行利用雷射光的接合、銲接、硬銲或接觸等進行也可以。
接著，將加熱板200的各構件積層，藉由熱壓機(hot press machine)進行沖壓(press)。藉由以上的製程例如在加熱板200的各構件形成有凹凸。在圖1(b)所示的 例子中，在旁路層250及第三樹脂層245形成有凹凸。在第一支撐板210、第一樹脂層220、第一加熱器元件230a、第二樹脂層240、第二加熱器元件230b及第二支撐板270的各個中形成有凹凸也可以。
接著，如圖12所示進行供電端子280與旁路層250的接合。供電端子280與旁路層250的接合藉由焊接、雷射、銲接或硬銲等進行。如圖12所示，在第二支撐板270設有孔273。孔273貫通第二支撐板270。此點關於圖4(b)如前述。在第四樹脂層260設有孔261。孔261貫通第四樹脂層260。如圖12所示的箭頭C23所示，藉由由第二支撐板270朝第一支撐板210進行焊接、雷射、銲接或硬銲等接合供電端子280與旁路層250。
如此，製造本實施形態的加熱板200。
此外，對製造後的加熱板200適宜進行檢查等。
圖13是舉例說明與本實施形態有關的靜電吸盤之示意分解圖。
如圖13所示，第一支撐板210與第二支撐板270電接合。第一支撐板210與第二支撐板270的接合藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接或接觸等進行。
例如若第一支撐板210未與第二支撐板270電性地確實地接合，則往往在使電漿產生時的蝕刻速率(etching rate)會產生不均。而且，即使第一支撐板210未與第二支撐板270電接合，若使電漿產生則電流流到第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b，第一加熱器元件 230a及第二加熱器元件230b往往會發熱。換言之，若第一支撐板210未與第二支撐板270電性地確實接合，則第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b往往會因加熱器用電流以外的電流而發熱。
相對於此，在與本實施形態有關的靜電吸盤10中，第一支撐板210與第二支撐板270電接合。據此，可藉由電流由第一支撐板210流到第二支撐板270，或者電流由第二支撐板270流到第一支撐板210抑制在使電漿產生時的蝕刻速率產生不均。而且，可抑制第一及第二加熱器元件230a、230b因加熱器用電流以外的電流而發熱。
進而可隔絕高頻，防止第一及第二加熱器元件230a、230b及旁路層250因高頻的影響而發熱。據此，可抑制第一及第二加熱器元件230a、230b發熱至異常溫度。而且，可抑制加熱板200的阻抗。
其次，就本實施形態的加熱板200的具體例，一邊參照圖式，一邊進行說明。
圖14(a)及圖14(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意俯視圖。圖14(a)是由頂面眺望加熱板的樣子，圖14(b)是由底面眺望加熱板的樣子。
如圖14(a)及圖14(b)所示，第一支撐板210在區域B11~區域B14及區域B31~區域B34中與第二支撐板270電接合。此外，區域B11~區域B14的各個與區域B31~區域B34的各個對應。也就是說，在該例子中，第一支撐板210在4個區域與第二支撐板270電接合，並非在8個區域與第 二支撐板270電接合。
加熱板200具有頂出銷(lift pin)孔201。在圖14(a)及圖14(b)所示的例子中，加熱板200具有3個頂出銷孔201。頂出銷孔201的數目不被限定於[3]。
圖15(a)及圖15(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板的一部分之示意放大視圖。
圖15(a)及圖15(b)是顯示區域B31(區域B11)的一例。圖15(a)是區域B31之示意俯視圖，圖15(b)是區域B31之示意剖面圖。圖15(b)是示意地顯示圖15(a)的剖切面A3-A3。此外，因其他的區域B12~區域B14及區域B32~區域B34與區域B11、B31一樣，故詳細的說明省略。
如圖15(a)及圖15(b)所示，在區域B31設有接合區域JA。接合區域JA將第一支撐板210與第二支撐板270互相接合。接合區域JA設於第一支撐板210及第二支撐板270的外緣。接合區域JA例如由第二支撐板270側藉由雷射銲接(laser welding)形成。據此，接合區域JA形成點狀。接合區域JA由第一支撐板210側形成也可以。此外，接合區域JA的形成方法不限於雷射銲接，其他的方法也可以。接合區域JA的形狀不限於點狀，也可以為橢圓狀、半圓狀或角形狀等。
第一支撐板210與第二支撐板270接合的接合區域JA的面積比第一支撐板210的面211(參照圖3)的面積窄。接合區域JA的面積比面211的面積減去第一加熱器元件230a的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA 的面積比投影到與第一支撐板210之中的面211平行的平面時不與第一加熱器元件230a重疊的區域的面積窄。接合區域JA的面積比面211的面積減去第二加熱器元件230b的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA的面積比投影到與第一支撐板210之中的面211平行的平面時不與第二加熱器元件230b重疊的區域的面積窄。第一支撐板210與第二支撐板270接合的接合區域JA的面積比第二支撐板270的面271(參照圖4(a))的面積窄。接合區域JA的面積比面271的面積減去第一加熱器元件230a的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA的面積比投影到與第二支撐板270之中的面271平行的平面時不與第一加熱器元件230a重疊的區域的面積窄。接合區域JA的面積比面271的面積減去第二加熱器元件230b的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA的面積比投影到與第二支撐板270之中的面271平行的平面時不與第二加熱器元件230b重疊的區域的面積窄。
形成點狀的接合區域JA的直徑例如為1mm(0.5mm以上、3mm以下)。另一方面，第一支撐板210及第二支撐板270的直徑例如為300mm。第一支撐板210及第二支撐板270的直徑依照所保持的處理對象物W而設定。如此，接合區域JA的面積遠小於第一支撐板210的面211的面積及第二支撐板270的面271的面積。接合區域JA的面積例如為面211的面積(面271的面積)的1/5000以下。此處，接合區域JA的面積是指更詳細為投影到與第一 支撐板210的面211平行的平面時的面積。換言之，接合區域JA的面積為俯視看下的面積。
在該例子中，設有對應區域B11~區域B14及區域B31~區域B34的4個接合區域JA。接合區域JA的數目不限於4個。接合區域JA的數目為任意的數也可以。例如每隔30°將12個接合區域JA設於第一支撐板210及第二支撐板270也可以。而且，接合區域JA的形狀不限於點狀。接合區域JA的形狀也可以為橢圓狀、角狀或線狀等。接合區域JA例如形成沿著第一支撐板210及第二支撐板270的外緣的環狀也可以。
第二支撐板270具有孔273(參照圖4(b)及圖12)。另一方面，第一支撐板210不具有穿通供電端子280的孔。因此，第一支撐板210的面211的面積比第二支撐板270的面271的面積寬。
圖16(a)~圖16(c)是舉例說明與本實施形態有關的第二加熱器元件之示意俯視圖。圖16(a)是顯示第二加熱器元件的區域(第二加熱器區域)的一例。
加熱板200關於第二加熱器元件230b被分割成複數個區域，在各區域中被進行獨立的溫度控制。例如如圖16(a)所示，加熱板200具有複數個第二加熱器區域R2。第二加熱器區域R2以描繪略圓的方式被配置。
在該例子中，複數個第二加熱器區域R2包含區域R21、R22、R23、R24。區域R21位於加熱板200的中央部。區域R22位於區域R21的外側。區域R23位於區域 R22的外側。區域R24位於區域R23的外側。此外，第二加熱器區域R2的平面形狀或數目為任意也可以。例如第二加熱器區域R2為略扇形也可以。
第二加熱器元件230b具有配設於複數個第二加熱器區域R2的複數個第二加熱器電極239b。例如在複數個第二加熱器區域R2的各個配設有第二加熱器電極239b各一個。
圖16(b)是舉例說明配設於圖16(a)所示的區域B6的第二加熱器電極239b之放大視圖。圖16(c)是舉例說明配設於圖16(a)所示的區域B7的第二加熱器電極239b之放大視圖。省略圖示，圖16(b)所示的第二加熱器電極239b及圖16(c)所示的第二加熱器電極239b的各個為一連串的圖案。如此，在各第二加熱器區域R2配設有一連串的帶狀的第二加熱器電極239b。
此外，在被分割的所有的區域不配設第二加熱器電極239b也可以。也就是說，在複數個第二加熱器區域R2之中任一個不配設第二加熱器電極239b也可以。配設於一個第二加熱器區域R2的第二加熱器電極239b的數目為1以下。
複數個第二加熱器電極239b互相獨立。例如配置於區域R21的第二加熱器電極239b不與配置於區域R22的第二加熱器電極239b2電連接。配置於區域R22的第二加熱器電極239b不與配置於區域R23的第二加熱器電極239b2電連接。配置於區域R23的第二加熱器電極239b 不與配置於區域R24的第二加熱器電極239b2電連接。
如此，複數個第二加熱器電極239b於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。換言之，複數個第二加熱器電極239b不互相電連接。據此，可每一第二加熱器電極239b施加電壓。也就是說，可每一第二加熱器區域R2獨立控制處理對象物W的面內的溫度。
圖17(a)~圖17(c)是舉例說明與本實施形態有關的第一加熱器元件之示意俯視圖。圖17(a)顯示第一加熱器元件的區域(第一加熱器區域)的一例。
加熱板200關於第一加熱器元件230a被分割成複數個區域，在各區域中被進行獨立的溫度控制。例如如圖17(a)所示，加熱板200具有複數個第一加熱器區域R1。
在該例子中，第一加熱器區域R1以描繪略扇形的至少一部分的方式被配置。複數個第一加熱器區域R1包含區域R11~R132。沿著圓周方向被8分割的區域沿著徑向更被4分割。此外，第一加熱器區域R1的平面形狀或數目為任意也可以。
第一加熱器元件230a具有配設於複數個第一加熱器區域R1的複數個第一加熱器電極239a。例如在複數個第一加熱器區域R1的各個配設有第一加熱器電極239a各一個。
圖17(b)是舉例說明配設於圖17(a)所示的區域B8的第一加熱器電極239a之放大視圖。圖17(c)是舉例說明配設 於圖17(a)所示的區域B9的第一加熱器電極239a之放大視圖。省略圖示，圖17(b)所示的第一加熱器電極239a及圖17(c)所示的第一加熱器電極239a分別為一連串的圖案。如此，在各第一加熱器區域R1配設有一連串的帶狀的第一加熱器電極239a。
此外，在被分割的所有的區域不配設第一加熱器電極239a也可以。也就是說，在複數個第一加熱器區域R1之中任一個不配設第一加熱器電極239a也可以。配設於一個第一加熱器區域R1的第一加熱器電極239a的數目為1以下。
複數個第一加熱器電極239a於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。複數個第一加熱器電極239a不互相電連接。也就是說，配置於任意的第一加熱器區域R1的第一加熱器電極239a不與配置於其他的第一加熱器區域R1的第一加熱器電極239a電連接。據此，可每一第一加熱器電極239a施加電壓。也就是說，可每一第一加熱器區域R1獨立控制處理對象物W的面內的溫度。
而且，例如第一加熱器區域R1的數目比圖16(a)所示的第二加熱器區域R2的數目大。第一加熱器電極239a的數目比第二加熱器電極239b的數目大。如此，藉由配設第一加熱器電極239a的區域的數目多，使得藉由第一加熱器電極239a進行的溫度的微調整為可能。藉由以上，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
如前述，第一加熱器元件230a為低功率加熱 器，第二加熱器元件230b為高功率加熱器。也就是說，被獨立控制的一個第一加熱器電極239a的電阻(將電力供給至該第一加熱器電極239a的供電端子間的電阻)比較高。被獨立控制的一個第二加熱器電極239b的電阻(將電力供給至該第二加熱器電極239b的供電端子間的電阻)比較低。
第一加熱器元件230a中的電阻密度比第二加熱器元件230b中的電阻密度高。
第一加熱器元件230a中的電阻密度是指配置於該第一加熱器區域R1的第一加熱器電極239a的電阻對一個第一加熱器區域R1的面積的比。也就是說，第一加熱器元件230a中的電阻密度藉由(第一加熱器電極239a的電阻)/(第一加熱器區域R1的面積)算出。
同樣地，第二加熱器元件230b中的電阻密度是指配置於該第二加熱器區域R2的第二加熱器電極239b的電阻對一個第二加熱器區域R2的面積的比。也就是說，第二加熱器元件230b中的電阻密度藉由(第二加熱器電極239b的電阻)/(第二加熱器區域R2的面積)算出。
就算出第一加熱器區域R1的面積及第二加熱器區域R2的面積時的各區域的邊界進行說明。
圖18(a)~圖18(f)是說明與本實施形態有關的加熱器元件之示意俯視圖。
在圖18(a)所示的例子中，加熱板200被分割成複數個區域R(Ra~Rf)。區域R表示第一加熱器區域R1及第二加熱器區域R2的任一個。在複數個區域R配設有複數個加 熱器電極239。區域R為第一加熱器區域R1的情形為加熱器電極239當作第一加熱器電極239a。區域R為第二加熱器區域R2的情形為加熱器電極239當作第二加熱器電極239b。
圖18(b)是舉例說明配設於圖18(a)所示的區域Ba的加熱器電極239之放大視圖。圖18(b)所示的兩個加熱器電極239互相獨立。此時區域R的邊界E以通過互相獨立的加熱器電極239的中點的方式而決定。也就是說，配設加熱器電極239的區域R彼此相鄰的情形，邊界E成為獨立的加熱器電極239的中間地點。而且，在圖18(a)的例子中，邊界E包含加熱板200的中心。此外，加熱器電極239與後述的導電部235(參照圖23)相鄰的情形，邊界E可當作加熱器電極239與導電部235的中間地點。
圖18(c)是舉例說明配設於圖18(a)所示的區域Bb的加熱器電極239之放大視圖。例如在區域Rb配設有加熱器電極239，在區域Rc未配設有加熱器電極239。在這種情形下，也可以將區域R的邊界E當作距離加熱器電極239僅加熱器電極239的寬度D的位置。
圖18(d)是舉例說明配設於圖18(a)所示的區域Bc的加熱器電極239之放大視圖。在加熱板200的最外周中，區域R的邊界E成為加熱板的最外周。
圖18(e)是舉例說明另一加熱板之示意俯視圖。在圖18(e)所示的例子中，加熱板200被分割成複數個區域R(Rg~Rm)。圖18(f)是舉例說明配設於圖18(e)所示的 區域Bd的加熱器電極239之放大視圖。此情形也是區域R的邊界E以通過互相獨立的加熱器電極239的中點的方式而決定。
以被如以上說明的邊界E包圍的區域的面積當作區域R(第一加熱器區域R1或第二加熱器區域R2)的面積。
圖19(a)及圖19(b)是舉例說明與本實施形態有關的旁路層之示意俯視圖。
旁路層250的複數個旁路部251之中的至少任一個在邊緣部具有缺口(notch)部253。在該例子中在旁路層250設有4個缺口部253。缺口部253的數目不被限定於[4]。
因複數個旁路層250之中的至少任一個具有缺口部253，故第二支撐板270可與第一支撐板210接觸。而且，關於圖15(a)及圖15(b)說明的接合區域JA對應旁路層250的缺口部253而設於第一支撐板210及第二支撐板270的外緣。
如圖19(a)所示，旁路層250的旁路部251呈扇形。複數個扇形的旁路部251互相分離排列，旁路層250整體上呈略圓形。如圖19(a)所示，相鄰的旁路部251之間的分離部分257由旁路層250的中心259延伸於徑向。換言之，相鄰的旁路部251之間的分離部分257由旁路層250的中心259延伸成放射狀。旁路部251的面251a的面積比分離部分257的面積寬。旁路層250的面積(旁路部251的面251a的面積)比第一加熱器元件230a的面積(第一加熱器 電極239a的面積)寬，比第二加熱器元件230b的面積(第二加熱器電極239b的面積)寬。
如圖19(b)所示，旁路層250的複數個旁路部251的形狀例如為彎曲的扇形狀也可以。如此，配設於旁路層250的複數個旁路部251的數目及形狀任意也可以。
圖20是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
如圖20所示，在該例子中旁路層250與第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的兩方電連接。也就是說，一個旁路部251與第一加熱器元件230a(第一加熱器電極239a)連接，也與第二加熱器元件230b(第二加熱器電極239b)連接。換言之，給予第一加熱器元件230a的電力供給及給予第二加熱器元件230b的電力供給使用共通的旁路層250。
在實施形態中配設有將電力供給至第一加熱器元件230a的旁路層，與將電力供給至第二加熱器元件230b的旁路層之兩層的旁路層也可以。但是，如圖20所示的例子藉由使用共通的旁路層250，可抑制加熱板200的層的數目，可減小加熱板200全體的熱容量。因此，可提高溫度的響應性(升降溫速率)。
第一加熱器元件230a具有第一連接部233a。第一連接部233a為連接將電力供給至第一加熱器元件230a的導體(在該例子中為旁路層250)之部分。例如第一連接部233a對應如關於圖11(a)及圖11(b)說明的第一加熱器 元件230a與旁路層250的接合部。第一連接部233a為例如與旁路層250相接的部分。第一連接部233a為電流進入第一加熱器元件230a的部分Ain(參照圖5)及電流由第一加熱器元件230a流出的部分Aout(參照圖5)的任一個。未配設旁路層250的情形為第一連接部233a對應例如第一加熱器元件230a與供電端子的接合部。
同樣地，第二加熱器元件230b具有第二連接部233b。第二連接部233b為連接將電力供給至第二加熱器元件230b的導體(在該例子中為旁路層250)之部分。例如第二連接部233b對應如關於圖11(a)及圖11(b)說明的第二加熱器元件230b與旁路層250的接合部。第二連接部233b為例如與旁路層250相接的部分。第二連接部233b為關於圖5說明之電流進入第二加熱器元件230b的部分Bin(參照圖5)及電流由第二加熱器元件230b流出的部分Bout(參照圖5)的任一個。未配設旁路層250的情形為第二連接部233b對應例如第二加熱器元件230b與供電端子的接合部。
第一連接部233a之沿著面內的方向的寬度D3比第二連接部233b之沿著面內的方向的寬度D4窄。第一連接部233a及第二連接部233b的近旁容易成為溫度的奇異點。相對於此，藉由接近處理對象物W減小第一連接部233a的寬度，可抑制第一連接部233a的影響，可抑制處理對象物W所產生的溫度分布的不均。
進而第一加熱器元件230a(第一加熱器電極239a)覆蓋第二連接部233b的至少一部分之上。換言之， 第一加熱器元件230a的一部分位於第二連接部233b與第一主表面101之間。如此，藉由在第二連接部233b之上配置第一加熱器元件230a，可抑制第二連接部233b的影響，可更抑制處理對象物W所產生的溫度分布的不均。
圖21是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
一個第一加熱器電極239a具有對應電流的入口的第一連接部233a及對應電流的出口的第一連接部233a之兩個第一連接部233a。
兩個第一連接部233a各自連接於互異的旁路部251。一方為高電位的旁路部251，他方為低電位的旁路部251。在複數個第一加熱器電極239a中使一方的旁路部251(例如低電位的旁路部251)共通化也可以。
更具體為例如如圖21所示，複數個第一加熱器電極239a具有第一加熱器電極239p、239q。複數個旁路部251具有旁路部251p、251q、251r。第一加熱器電極239p與旁路部251p及旁路部251r連接。第一加熱器電極239q與旁路部251q及旁路部251r連接。也就是說，第一加熱器電極239p與第一加熱器電極239q連接於共通的旁路部251r。
據此，可使與第一加熱器元件230a電連接的旁路部251的數目為第一加熱器電極239a的數目(第一加熱器區域R1的數目)的2倍以下。藉由抑制旁路部251的數目，可減少連接於旁路部251的供電端子280的數目。 因此，可抑制因溫度的奇異點造成的處理對象物W的面內的溫度不均。
圖22及圖23是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
在圖22的例子中，在一個第一加熱器區域R1中未配設有第一加熱器電極239a。據此，在複數個第一加熱器區域R1的任一個未配設有第一加熱器電極239a也可以。據此，在未配設第一加熱器電極239a的區域中可使加熱板200變薄。可減小加熱板200的熱容量。因此，可提高處理對象物W的溫度的響應性(升降溫速率)。
另一方面，若加熱板200的薄的部分的厚度與加熱板200的厚的部分的厚度的差過大，則有加熱板200的薄的部分的溫度與加熱板200的厚的部分的溫度的差變大的情形。相對於此，在圖23的例子中，加熱板200具有配設於與第一加熱器元件230a相同的層的導電部(金屬箔)235。導電部235配設於未配設第一加熱器電極239a的第一加熱器區域R1。導電部235的厚度或材料可當作與第一加熱器元件230a一樣。導電部235與第一加熱器元件230a、旁路層250及供電端子280等絕緣。也就是說，導電部235為不由外部供給電力的虛擬(dummy)的加熱器電極。
藉由配設虛擬的加熱器電極，可改善加熱板200的凹凸，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
圖24是舉例說明與本實施形態有關的加熱板 之示意分解圖。
在圖24所示的例子中，與關於圖1~圖23說明的加熱板200比較，第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b的積層順序不同。在圖1~圖23所示的例子中，第一加熱器元件230a位於比第二加熱器元件230b還上方。換言之，第一加熱器元件230a配設於第一主表面101與第二加熱器元件230b之間。
相對於此，在圖24所示的例子中，第二加熱器元件230b位於比第一加熱器元件230a還上方。換言之，第二加熱器元件230b配設於第一主表面101與第一加熱器元件230a之間。如此，也可以將第一加熱器元件230a的位置與第二加熱器元件230b的位置替換。
第一加熱器元件230a位於比第二加熱器元件230b還上方的情形，第一加熱器元件230a與處理對象物W之間的距離比第二加熱器元件230b與處理對象物W之間的距離短。藉由第一加熱器元件230a比較接近處理對象物W而容易藉由第一加熱器元件230a控制處理對象物的溫度。也就是說，藉由第一加熱器元件230a容易抑制起因於第二加熱器元件230b的圖案而產生的處理對象物W的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
另一方面，第二加熱器元件230b位於比第一加熱器元件230a還上方的情形，高功率的第二加熱器元件230b比較接近處理對象物W。據此，可提高處理對象物W 的溫度的響應性(升降溫速率)。
圖25是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意分解圖。
在第一支撐板210及第二支撐板270的至少任一個依照設於第一支撐板210與第二支撐板270之間的層的厚度形成有凹凸。也就是說，第一支撐板210及第二支撐板270的至少任一個具有深度互異的複數種類的凹部。此外，省略圖示，在第一樹脂層220、第一加熱器元件230a、第二樹脂層240、第二加熱器元件230b、第三樹脂層245、旁路層250及第四樹脂層260的至少任一個也形成有複數種類的凹凸。
例如第一支撐板210具有凹部213a、凹部213b及凹部213c。換言之，第一支撐板210具有Z方向中的位置互異的複數個部分Q1~Q4。部分Q1為第一支撐板210之中最接近第一主表面101的部分。部分Q2~Q4分別形成凹部213a~213c。
凹部213a的深度為沿著部分Q1與部分Q2之間的Z方向的距離L1。凹部213b的深度為沿著部分Q1與部分Q3之間的Z方向的距離L2。凹部213c的深度為沿著部分Q1與部分Q4之間的Z方向的距離L3。距離L1、距離L2及距離L3互異。
例如第二支撐板270具有凹部273a、凹部273b及凹部273c。換言之，第二支撐板270具有Z方向中的位置互異的複數個部分Q5~Q8。部分Q5為第二支撐板270 之中距第一主表面101最遠的部分。部分Q6~Q8分別形成凹部273a~273c。
凹部273a的深度為沿著部分Q5與部分Q6之間的Z方向的距離L4。凹部273b的深度為沿著部分Q5與部分Q7之間的Z方向的距離L5。凹部273c的深度為沿著部分Q5與部分Q8之間的Z方向的距離L6。距離L4、距離L5及距離L6互異。
在淺的凹部中加熱板200厚，在深的凹部中加熱板200薄。例如厚的部分比薄的部分溫度還容易變高。因此，可藉由調整複數種類的凹凸的配置圖案調整處理對象物W的面內的溫度分布。據此，也可改善處理對象物W的面內的溫度不均，可提高面內的溫度分布的均勻性。
圖26(a)及圖26(b)是舉例說明與本實施形態有關的加熱板之示意圖。
圖26(a)是加熱板之示意分解圖。在實施形態中，低功率加熱器配設成複數層也可以。例如在圖26(a)所示的例子中，加熱板200更具有第三加熱器元件230c與樹脂層246。第三加熱器元件230c為例如與第一加熱器元件230a一樣的低功率加熱器。此外，在該例子中旁路層250及第四樹脂層260被省略。
第三加熱器元件230c與供電端子280或旁路層250電連接，藉由電流流動而發熱。第三加熱器元件230c配設於與配設第一加熱器元件230a的層及配設第二加熱器元件230b的層不同的層。在該例子中，在第一支撐板 210與第一樹脂層220之間配設有第三加熱器元件230c，在第三加熱器元件230c與第一支撐板210之間配設有樹脂層246。
第三加熱器元件230c例如具有複數個帶狀的第三加熱器電極239c。第三加熱器元件230c(第三加熱器電極239c)的厚度或寬度、材料可當作與第一加熱器元件230a一樣。
第三加熱器元件230c的電阻比第二加熱器元件230b的電阻高。也就是說，一個第三加熱器電極239c的電阻(將電力供給至該第三加熱器電極239c的供電端子間的電阻)比一個第二加熱器電極239b的電阻高。
圖26(b)是舉例說明第二加熱器元件230b及第三加熱器元件230c之放大俯視圖。
如圖26(b)所示，在沿著Z方向看時，第三加熱器元件230c(第三加熱器電極239c)具有折彎部23。在沿著Z方向看時，第三加熱器元件230c的折彎部23的數目比第二加熱器元件230b的折彎部的數目多。
在沿著Z方向看時，第三加熱器元件230c包含例如第四部分P4。第四部分P4位於第二加熱器元件230b的互相分離的部分(P1、P2)之間。也就是說，在沿著Z方向看時，第三加熱器元件230c具有位於第二加熱器元件230b的間隙的部分。而且，例如第四部分P4在沿著Z方向看時位於第一加熱器元件230a的間隙。
可藉由第三加熱器元件230c抑制起因於第一 及第二加熱器元件230a、230b的圖案而產生的處理對象物W的面內的溫度不均。因此，可更提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
圖27是舉例說明本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。
如圖27所示，在該例子中旁路層250配設於第一支撐板210與第一加熱器元件230a之間。更詳細為旁路層250配設於第一支撐板210與第一樹脂層220之間，第四樹脂層260配設於第一支撐板210與旁路層250之間。
如此，旁路層250配設於第一支撐板210與加熱器元件(第一及第二加熱器元件230a、230b)之間也可以。也就是說，旁路層250配設於加熱器元件(第一及第二加熱器元件230a、230b)與陶瓷介電質基板100之間也可以。
在此情形下也可藉由旁路層250提高由第一及第二加熱器元件230a、230b供給的熱的擴散性。例如可提高處理對象物W的面內方向(水平方向)中的熱擴散性。據此，例如可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
此外，旁路層250例如配設於第一支撐板210與第一加熱器元件230a之間，以及第二加熱器元件230b與第二支撐板270之間的雙方也可以。也就是說，加熱板200具有兩個旁路層250也可以。
圖28是舉例說明本實施形態的加熱板之示意俯視圖。
如圖28所示，第二加熱器元件230b具有連接區域236。連接區域236為連接將電力供給至第二加熱器元件230b的導體(在該例子中為旁路層250)之區域。連接區域236包含上述的第二連接部233b。連接區域236包含電流進入第二加熱器元件230b的部分Bin(參照圖5)及電流由第二加熱器元件230b流出的部分Bout(參照圖5)的任一個。未配設旁路層250的情形為連接區域236對應例如第二加熱器元件230b與供電端子的接合部。
在沿著Z方向看時，連接區域236例如為略圓形。連接區域236的寬度(直徑)D9比第二加熱器電極239b的寬度D2大。因此，連接區域236與第二加熱器電極239b比較發熱小。換言之，連接區域236為在第二加熱器元件230b中容易成為溫度的奇異點之區域。
在該例子中，在沿著Z方向看時，第一加熱器元件230a的至少一部分與連接區域236重疊。換言之，在第二加熱器元件230b的連接區域236之上配設有第一加熱器元件230a的至少一部分。據此，可藉由第一加熱器元件230a抑制起因於發熱小的第二加熱器元件230b的連接區域236而產生的處理對象物W的面內的溫度不均。因此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
圖29(a)及圖29(b)是顯示本實施形態的供電端子的具體例之示意俯視圖。
圖29(a)是顯示本具體例的供電端子之示意俯視圖。圖29(b)是舉例說明本具體例的供電端子的接合方法之示意 俯視圖。
圖29(a)及圖29(b)所示的供電端子280具有：連接構件281，與導線部283，與支撐部285，與接合部287。連接構件281與被稱為插座等的構件連接。插座由靜電吸盤10的外部供給電力。在該例子中連接構件281為可連接插座的銷狀。但是，連接構件281的形狀可依照所連接的構件的形狀適宜變更。例如在連接於供電端子280由外部供給電力的構件為銷狀的情形下，連接構件281為可連接銷狀的構件之插座狀也可以。導線部283連接於連接構件281與支撐部285。支撐部285連接於導線部283與接合部287。如圖29(b)所示的箭頭C14所示，接合部287與第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250接合。據此，供電端子280將電力供給至第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個。在接合部287與旁路層250接合的情形下，供電端子280透過旁路層250將電力供給至第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個。
導線部283緩和施加於供電端子280的應力。也就是說，連接構件281被固定於底板300。另一方面，接合部287與第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250接合。在底板300與第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b或旁路層250之間產生溫度差。因此，在底板300與第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b或旁路層250之間產生熱膨脹的差。因 此，起因於熱膨脹的差的應力往往會施加於供電端子280。起因於熱膨脹的差的應力施加於例如底板300的徑向。導線部283可緩和該應力。此外，接合部287與第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b或旁路層250的接合藉由焊接、利用雷射光的接合、銲接或硬銲等進行。而且，可藉由接合部287降低第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b或旁路層250與供電端子280的接觸部中的電阻。據此，可抑制異常發熱，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
作為連接構件281的材料可舉出例如鉬等。作為導線部283的材料可舉出例如銅等。導線部283的直徑D5比連接構件281的直徑D8小。導線部283的直徑D5為例如約0.3mm以上、2.0mm以下左右。作為支撐部285的材料可舉出例如不銹鋼等。支撐部285的厚度D6(Z方向的長度)為例如約0.5mm以上、2.0mm以下左右。接合部287的材料可舉出例如不銹鋼等。接合部287的厚度D7(Z方向的長度)為例如約0.05mm以上、0.50mm以下左右。
依照本具體例，因連接構件281的直徑D8比導線部283的直徑D5還大，故連接構件281可將比較大的電流供給至加熱器元件230。而且，因導線部283的直徑D5比連接構件281的直徑D8還小，故導線部283比連接構件281還容易變形，可將連接構件281的位置自接合部287的中心挪開。據此，可將供電端子280固定於與加熱板200不同的構件(例如底板300)。
支撐部285藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部283及接合部287接合。據此，可緩和施加於供電端子280的應力，同時對第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b或旁路層250可確保更寬廣的接觸面積。
圖30是顯示本實施形態的供電端子的變形例之示意剖面圖。
在該例子中與實施形態有關的靜電吸盤取代前述的供電端子280具有供電端子280a。供電端子280a具有供電部(本體部)281a與端子部281b。供電端子280a例如為接觸探針(contact probe)。
例如在底板300設有孔390。筒狀的套筒(sleeve)283a對孔390固定。供電端子280a配設於套筒283a的內部，藉由例如螺合等對底板300固定。
在供電部281a可連接由外部將電力供給至第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個的插座285a。在該例子中供電部281a為可連接插座285a的銷狀。但是，供電部281a的形狀可依照所連接的構件的形狀適宜變更。例如在連接於供電端子280a由外部供給電力的構件為銷狀的情形下，供電部281a為可連接銷狀的構件之插座狀也可以。
端子部281b配設於供電端子280a的頂端，接觸第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250。端子部281b對供電部281a可滑動，供電端子 280a可伸縮。而且，供電端子280a在內部具有對供電部281a固定的彈簧。端子部281b藉由該彈簧推迫以使供電端子280a伸長。
端子部281b被加熱板200(第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250)緊壓。此時供電端子280a為抵抗彈簧的彈性力而收縮的狀態。換言之，端子部281b藉由彈簧的彈性力而被推迫按壓於朝第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250的方向。據此，插座285a透過供電端子280a與第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250電連接。在第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的至少任一個或旁路層250透過供電端子280a及插座285a由外部供給電力。
使用這種供電端子280a的情形與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔(底板300的孔390或第二支撐板270的孔273)的直徑。與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，因可減小供電端子280a，故可抑制供電端子280a的周邊成為溫度的奇異點。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
靜電吸盤10例如具有：將電力供給至第一加熱器元件230a的第一供電端子，與將電力供給至第二加熱器元件230b的第二供電端子。第一供電端子例如為上述的供電端子280a。供電端子280a的端子部281b例如被第一加熱器元件230a緊壓，與第一加熱器元件230a電連接。 據此，不透過旁路層250電力被由外部供給至第一加熱器元件230a。另一方面，第二供電端子例如為上述的供電端子280。供電端子280的接合部287與第二加熱器元件230b接合，與第二加熱器元件230b電連接。據此，不透過旁路層250電力被由外部供給至第二加熱器元件230b。
而且，第一供電端子及第二供電端子透過旁路層250將電力供給至加熱板200也可以。第一供電端子(供電端子280a)的端子部281b例如被旁路層250緊壓，與旁路層250電連接。旁路層250與第一加熱器元件230a電連接。據此，透過旁路層250電力被由外部供給至第一加熱器元件230a。另一方面，第二供電端子(供電端子280)與旁路層250接合，與旁路層250電連接。旁路層250與第二加熱器元件230b電連接。據此，透過旁路層250電力被由外部供給至第二加熱器元件230b。
如此，第一供電端子及第二供電端子的一方為供電端子280，他方為供電端子280a也可以。此外，第一供電端子及第二供電端子的兩方為供電端子280也可以，且第一供電端子及第二供電端子的兩方為供電端子280a也可以。
圖31是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置之示意剖面圖。
與本實施形態有關的晶圓處理裝置500包含：處理容器501，與上部電極510，與關於圖1~圖27如前述的靜電吸盤(例如靜電吸盤10)。在處理容器501的頂部設有用以將處理氣體導入到內部的處理氣體導入口502。在處理容 器501的底板設有用以將內部減壓排氣的排氣口503。而且，在上部電極510及靜電吸盤10連接有高頻電源504，具有上部電極510與靜電吸盤10的一對電極互相隔著規定的間隔平行對峙。
在與本實施形態有關的晶圓處理裝置500中，高頻電壓一被施加到上部電極510與靜電吸盤10之間，就發生高頻放電(high frequency discharge)，被導入到處理容器501內的處理氣體藉由電漿激發而被活性化，處理對象物W就會被處理。此外，可舉例說明半導體基板(晶圓)當作處理對象物W。但是，處理對象物W不被限定於半導體基板(晶圓)，例如也可以為使用於液晶顯示裝置的玻璃基板等。
高頻電源504與靜電吸盤10的底板300電連接。底板300如前述使用鋁等的金屬材料。也就是說，底板300具有導電性。據此，高頻電壓被施加到上部電極510與底板300之間。
而且，在該例子的晶圓處理裝置500中，底板300與第一支撐板210及第二支撐板270電連接。據此，在晶圓處理裝置500中，高頻電壓也被施加到第一支撐板210與上部電極510之間，以及第二支撐板270與上部電極510之間。
如此，在各支撐板210、270與上部電極510之間施加高頻電壓。據此，與僅在底板300與上部電極510之間施加高頻電壓的情形比較，可使施加高頻電壓的場所 更接近處理對象物W。據此，例如能以更有效且低電位使電漿產生。
像晶圓處理裝置500的構成的裝置一般被稱為平行平板型RIE(Reactive Ion Etching：反應性離子蝕刻)裝置，但與本實施形態有關的靜電吸盤10並非被限定於適用於該裝置。例如也能廣泛適用於ECR(Electron Cyclotron Resonance：電子迴旋加速器共振)蝕刻裝置、感應耦合電漿處理裝置(inductively coupled plasma processing apparatus)、螺旋波電漿處理裝置(helicon wave plasma processing apparatus)、電漿分離型電漿處理裝置、表面波電漿處理裝置(surface wave plasma processing apparatus)、電漿CVD(plasma Chemical Vapor Deposition：電漿化學氣相沉積)裝置等的所謂的減壓處理裝置。而且，與本實施形態有關的靜電吸盤10也能廣泛適用於像曝光裝置(exposure equipment)或檢查裝置在大氣壓下進行處理或檢查的基板處理裝置。但是，若考慮與本實施形態有關的靜電吸盤10所具有的高的耐電漿性，則使靜電吸盤10適用於電漿處理裝置較佳。此外，因在該等裝置的構成以內，與本實施形態有關的靜電吸盤10以外的部分可適用眾所周知的構成，故其說明省略。
圖32是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。
如圖32所示，高頻電源504僅在第一支撐板210與上部電極510之間，以及第二支撐板270與上部電極510之 間電連接也可以。在此情形下也可使施加高頻電壓的場所接近處理對象物W，可有效地使電漿產生。
圖33是舉例說明與實施形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。
如圖33所示，在該例子中高頻電源504與第二加熱器元件230b電連接。如此，將高頻電壓施加於第二加熱器元件230b與上部電極510之間也可以。或者將高頻電壓施加於第一加熱器元件230a與上部電極510之間也可以。在此情形下也可使施加高頻電壓的場所接近處理對象物W，可有效地使電漿產生。
高頻電源504例如電連接於透過各供電端子280與第一及第二加熱器元件230a、230b。例如選擇性地將高頻電壓施加於第一加熱器元件230a的複數個第一加熱器區域R1(複數個第一加熱器電極239a)。或者選擇性地將高頻電壓施加於第二加熱器元件230b的複數個第二加熱器區域R2(複數個第二加熱器電極239b)。據此，可控制高頻電壓的分布。
高頻電源504例如電連接於第一支撐板210與第二支撐板270與第一加熱器元件230a與第二加熱器元件230b也可以。高頻電壓施加於第一支撐板210與上部電極510之間、第二支撐板270與上部電極510之間、第一加熱器元件230a與上部電極510之間以及第二加熱器元件230b與上部電極510之間的各個也可以。
以上針對本發明的實施的形態進行了說明。 但是，本發明不是被限定於該等記述。關於前述的實施的形態，熟習該項技術者適宜加入了設計變更只要也具備本發明的特徵就包含於本發明的範圍。例如靜電吸盤所具備的各元件的形狀、尺寸、材質、配置、設置形態等並非被限定於舉例說明者，可適宜變更。
而且，前述的各實施的形態所具備的各元件在技術上盡可能可組合，組合該等元件只要也包含本發明的特徵就包含於本發明的範圍。

Claims (21)

  1. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有載置處理對象物的第一主表面；電極層，配設於該陶瓷介電質基板，底板，支撐該陶瓷介電質基板；以及加熱板，配設於該底板與該第一主表面之間，該加熱板具有：第一加熱器元件，藉由電流流動而發熱；以及第二加熱器元件，藉由電流流動而發熱，在沿著對該第一主表面垂直的方向看時，該第一加熱器元件的折彎比該第二加熱器元件的折彎多，該第一加熱器元件具有位於該第二加熱器元件的間隙的部分。
  2. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該加熱板具有複數個第一加熱器區域，與複數個第二加熱器區域，該第一加熱器元件具有在該複數個第一加熱器區域中互相獨立被配設的複數個第一加熱器電極，該第二加熱器元件具有在該複數個第二加熱器區域中互相獨立被配設的複數個第二加熱器電極，該第一加熱器區域的數目比該第二加熱器區域的數目大。
  3. 如申請專利範圍第2項之靜電吸盤，其中 該第一加熱器電極的電阻比該第二加熱器電極的電阻高。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第二加熱器元件具有連接將電力供給至該第二加熱器元件的導體之連接區域，在沿著對該第一主表面垂直的方向看時，該第一加熱器元件的至少一部分與該連接區域重疊。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項之靜電吸盤，其中該加熱板更具有：具有導電性，與該第一加熱器元件及該第二加熱器元件的至少任一個電連接之旁路層。
  6. 如申請專利範圍第5項之靜電吸盤，其中該旁路層與該第一加熱器元件及該第二加熱器元件的兩方電連接。
  7. 如申請專利範圍第5項之靜電吸盤，其中該旁路層具有複數個旁路部，與該第一加熱器元件電連接的該旁路部的數目為該第一加熱器區域的數目的2倍以下。
  8. 如申請專利範圍第2項或第3項之靜電吸盤，其中在該複數個該第一加熱器區域的任一個未配設有該第一加熱器電極。
  9. 如申請專利範圍第2項或第3項之靜電吸盤，其中在該複數個該第一加熱器區域的任一個未配設有該第一加熱器電極，該加熱板具有設置於未配設該第一加熱器電極的該第一加熱器區域之導電部， 該導電部不由外部供電。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱板更具有藉由電流流動而發熱之第三加熱器元件，該第三加熱器元件配設於與配設該第一加熱器元件的層及配設該第二加熱器元件的層不同的層，在沿著對該第一主表面垂直的方向看時，該第三加熱器元件的折彎比該第二加熱器元件的折彎多，該第三加熱器元件具有位於該第二加熱器元件的間隙的部分。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一加熱器元件配設於該第一主表面與該第二加熱器元件之間。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱板更具有第一支撐板及第二支撐板的至少任一個，該第一支撐板配設於該第一加熱器元件及該第二加熱器元件之上，該第二支撐板配設於該第一加熱器元件及該第二加熱器元件之下，該第一支撐板的熱傳導率比該第一加熱器元件的熱傳導率高，比該第二加熱器元件的熱傳導率高，該第二支撐板的熱傳導率比該第一加熱器元件的熱傳導率高，比該第二加熱器元件的熱傳導率高。
  13. 如申請專利範圍第12項之靜電吸盤，其 中該第一支撐板及該第二支撐板的至少任一個具有深度互異的複數種類的凹部。
  14. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一加熱器元件具有連接將電力供給至該第一加熱器元件的導體之第一連接部，該第二加熱器元件具有連接將電力供給至該第二加熱器元件的導體之第二連接部，該第一連接部的寬度比該第二連接部的寬度窄。
  15. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備：自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之供電端子，該供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比該連接構件還細；支撐部，與該導線部連接；以及接合部，與該支撐部連接與該第一加熱器元件及該第二加熱器元件的至少任一個接合，將該電力供給至該第一加熱器元件及該第二加熱器元件的至少任一個。
  16. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備：配設於該底板，將電力供給至該加熱板之供電端子，該供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；以及端子部，與該供電部連接，被該第一加熱器元件及該 第二加熱器元件的至少任一個緊壓。
  17. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備：配設於該底板，將電力供給至該加熱板之第一供電端子，與自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之第二供電端子，該第一供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；以及端子部，與該供電部連接，被該第一加熱器元件緊壓，將電力供給至該第一加熱器元件，該第二供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比該連接構件還細；支撐部，與該導線部連接；以及接合部，與該支撐部連接與該第二加熱器元件接合，將電力供給至該第二加熱器元件。
  18. 如申請專利範圍第5項之靜電吸盤，其中更具備：自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之供電端子，該供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比該連接構件還細；支撐部，與該導線部連接；以及接合部，與該支撐部連接與該旁路層接合，經由該旁路層將該電力供給至該第一加熱器元件及該第二加熱器 元件的至少任一個。
  19. 如申請專利範圍第5項之靜電吸盤，其中更具備：配設於該底板，將電力供給至該加熱板之供電端子，該供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；以及端子部，與該供電部連接，被該旁路層緊壓。
  20. 如申請專利範圍第5項之靜電吸盤，其中更具備：配設於該底板，將電力供給至該加熱板之第一供電端子，與自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之第二供電端子，該第一供電端子具有：供電部，與由外部供給電力的插座連接；以及端子部，與該供電部連接，被該旁路層緊壓，將電力供給至該第一加熱器元件，該第二供電端子具有：連接構件，與由外部供給電力的插座連接；導線部，比該連接構件還細；支撐部，與該導線部連接；以及接合部，與該支撐部連接與該旁路層接合，經由該旁路層將電力供給至該第二加熱器元件。
  21. 如申請專利範圍第6項之靜電吸盤，其中該旁路層具有複數個旁路部，與該第一加熱器元件電連接的該旁路部的數目為該第 一加熱器區域的數目的2倍以下。
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