TWI648816B - Electrostatic chuck - Google Patents

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Abstract

提供一種靜電吸盤，包含：載置處理對象物之陶瓷介電質基板；支撐陶瓷介電質基板之底板；配設於陶瓷介電質基板與底板之間之加熱板，加熱板具有：第一支撐板、第二支撐板；配設於第一支撐板與第二支撐板之間之加熱器元件；配設於第一支撐板與加熱器元件之間之第一樹脂層；配設於第二支撐板與加熱器元件之間之第二樹脂層，第一支撐板之第二支撐板側的面具有：在沿著積層方向看時，與加熱器元件重疊的第一區域，和不與加熱器元件重疊的第二區域，第二區域比第一區域還突出於第二支撐板側。

Description

靜電吸盤
本發明的態樣一般是關於靜電吸盤(electrostatic chuck)。
在進行蝕刻(etching)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)、濺鍍(sputtering)、離子注入(ion implantation)、灰化(ashing)等的電漿處理反應室(plasma processing chamber)內，靜電吸盤被使用當作吸附保持半導體晶圓(semiconductor wafer)或玻璃基板(glass substrate)等的處理對象物的手段(means)。靜電吸盤是將靜電吸附用電力施加於內建的電極，透過靜電力吸附矽晶圓(silicon wafer)等的基板。
在具有靜電吸盤的基板處理裝置中，為了良率(yield)的提高及品質的提高(例如晶圓的加工精度的提高)而要求晶圓的溫度控制。靜電吸盤被要求例如兩種類的晶圓的溫度控制。一種為使晶圓面內的溫度分布均勻的性能(溫度均勻性)。另一種為以短的時間使晶圓到達規定的溫度的性能。例如被要求由加熱器(heater)產生的加熱性能(升溫速度)。因升溫速度關係到處理晶圓時的作業時間(tact time)，故影響產量(throughput)。而且，靜電吸盤有被要求在晶圓面內中故意加以區別溫度的性能(溫度控制性)的情形。
作為控制晶圓的溫度的方法已知有使用內建加熱器(發熱體)或冷卻板的靜電吸盤的方法。通常溫度均勻性與溫度控制性有取捨(trade-off)的關係。同時在靜電吸盤中被要求加熱器的可靠度(reliability)特別是耐受電壓(withstand voltage)特性。
在晶圓處理的製程中，RF(Radio Frequency)電壓(射頻電壓：radio frequency voltage)(高頻電壓：high frequency voltage)被施加。RF電壓一被施加，一般的加熱器就受到高頻的影響而發熱。於是，晶圓的溫度受到影響。而且，RF電壓一被施加，漏電流(leakage current)就流到設備側。因此，在設備側需要濾波器(filter)等的機構。
在電漿蝕刻裝置(plasma etching equipment)等中的製程中，各式各樣的強度及各式各樣的分布的電漿被照射到晶圓。在此情形下，將晶圓的溫度控制到適合製程的溫度(溫度均勻性及溫度控制性)被要求。而且，為了提高生產性，以短時間使晶圓的溫度到達規定的溫度被要求。有因急遽的溫度變化、熱輸入量(heat input)、高頻電壓的施加而在靜電吸盤產生熱的、電的、機械的負載。靜電吸盤被要求對該等負載高的可靠度(尤其是耐受電壓、接著的可靠度)。 藉由例如內建於靜電吸盤的加熱器的溫度控制滿足該等的要求的嘗試被進行。但是同時滿足該等的要求很困難。
[專利文獻1]：日本國特開2010-40644號公報
本發明是基於如此的課題的認識所進行的創作，其目的為提供一種耐得住熱的、電的、機械的負載之可靠度高的靜電吸盤。
第一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有：載置處理對象物的第一主表面(principal surface)，和與前述第一主表面相反側的第二主表面；底板(base plate)，配設於在積層方向中與前述陶瓷介電質基板分離的位置，支撐前述陶瓷介電質基板；以及加熱板(heater plate)，配設於前述陶瓷介電質基板與前述底板之間，前述加熱板具有：第一支撐板，包含金屬；第二支撐板，包含金屬；加熱器元件(heater element)，配設於前述第一支撐板與前述第二支撐板之間，藉由電流流動而發熱；第一樹脂層，配設於前述第一支撐板與前述加熱器元件之間；以及第二樹脂層，配設於前述第二支撐板與前述加熱器元件之間，前述第一支撐板之前述第二支撐板側的面具有：在沿著前述積層方向看時，與前述加熱器元件重疊的第一區域，和不與前述加熱器元件重疊的第二區域，在對前述積層方向平行的剖面中，前述第二區域比前述第一區域還突出於前述第二支撐板側。
依照該靜電吸盤，加熱器元件配設於第一支撐板與第二支撐板之間。據此，可提高加熱板的面內的溫度分布的均勻化，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，第一支撐板及第二支撐板可隔絕高頻，防止加熱器元件因高頻的影響而發熱，可抑制加熱器元件發熱至異常溫度。因此，可提高靜電吸盤的可靠度。
第二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於包含：陶瓷介電質基板，具有：載置處理對象物的第一主表面，和與前述第一主表面相反側的第二主表面；底板，配設於在積層方向中與前述陶瓷介電質基板分離的位置，支撐前述陶瓷介電質基板；以及加熱板，配設於前述陶瓷介電質基板與前述底板之間，前述加熱板具有：第一支撐板，包含金屬；第二支撐板，包含金屬；加熱器元件，配設於前述第一支撐板與前述第二支撐板之間，藉由電流流動而發熱；第一樹脂層，配設於前述第一支撐板與前述加熱器元件之間；以及第二樹脂層，配設於前述第二支撐板與前述加熱器元件之間，前述第二支撐板之前述第一支撐板側的面具有：在沿著前述積層方向看時，與前述加熱器元件重疊的區域，和不與前述加熱器元件重疊的區域，在對前述積層方向平行的剖面中，不與前述加熱器元件重疊的前述區域比與前述加熱器元件重疊的前述區域還突出於前述第一支撐板側。
依照該靜電吸盤，加熱器元件配設於第一支撐板與第二支撐板之間。據此，可提高加熱板的面內的溫度分布的均勻化，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，第一支撐板及第二支撐板可隔絕高頻，防止加熱器元件因高頻的影響而發熱，可抑制加熱器元件發熱至異常溫度。因此，可提高靜電吸盤的可靠度。
第三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明中，前述第二支撐板之前述第一支撐板側的面具有：在沿著前述積層方向看時，與前述加熱器元件重疊的第三區域，和不與前述加熱器元件重疊的第四區域，在對前述積層方向平行的剖面中，前述第四區域比前述第三區域還突出於前述第一支撐板側。
依照該靜電吸盤，加熱器元件配設於第一支撐板與第二支撐板之間。據此，可提高加熱板的面內的溫度分布的均勻化，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，第一支撐板及第二支撐板可隔絕高頻，防止加熱器元件因高頻的影響而發熱，可抑制加熱器元件發熱至異常溫度。
第四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第三發明中的任一項發明中，前述第一支撐板之前述第二支撐板側的面具有仿照前述加熱器元件的形狀的凹凸，前述第二支撐板之前述第一支撐板側的面具有仿照前述加熱器元件的形狀的凹凸。
依照該靜電吸盤，接近第一支撐板的層與第一支撐板的密著性高。而且，接近第二支撐板的層與第二支撐板的密著性高。據此，可實現照設計那樣的均熱性與耐受電壓特性。而且，可提高使處理對象物的溫度上升的速度。因此，使例如[加熱器的加熱性能(升溫速度)]與[溫度均勻性]、[耐受電壓可靠度]的並存成為可能。
第五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第三發明中，前述第二區域與前述第四區域之間的沿著前述積層方向的距離比前述第一區域與前述第三區域之間的沿著前述積層方向的距離短。
依照該靜電吸盤，接近第一支撐板的層與第一支撐板的密著性高。而且，接近第二支撐板的層與第二支撐板的密著性高。據此，可實現照設計那樣的均熱性與耐受電壓特性。而且，可提高使處理對象物的溫度上升的速度。因此，使例如[加熱器的加熱性能(升溫速度)]與[溫度均勻性]、[耐受電壓可靠度]的並存成為可能。
第六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第三發明至第五發明中的任一項發明中，前述第一區域與前述第二區域之間的沿著前述積層方向的距離比前述第二區域與前述第四區域之間的沿著前述積層方向的距離短，前述第三區域與前述第四區域之間的沿著前述積層方向的距離比前述第二區域與前述第四區域之間的沿著前述積層方向的距離短。
依照該靜電吸盤，可確保接近第一支撐板的層與第一支撐板的密著性，以及接近第二支撐板的層與第二支撐板的密著性，同時可防止在第一支撐板、第二支撐板等產生的應變過大。
第七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第六發明中的任一項發明中，前述加熱器元件之前述第一支撐板側的面的寬度與前述加熱器元件之前述第二支撐板側的面的寬度不同。
依照該靜電吸盤，即使加熱器元件因熱膨脹而變形，也能降低施加於第一樹脂層等的應力。據此，可抑制接近加熱器元件的層(例如第一樹脂層)的剝離。可抑制因剝離產生的處理對象物的溫度變化。因此，可提高靜電吸盤的可靠度。
第八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第七發明中，前述加熱器元件之前述第一支撐板側的面的寬度比前述加熱器元件之前述第二支撐板側的面的寬度窄。
依照該靜電吸盤，可降低施加於接觸加熱器元件之第一支撐板側的面的層的應力，可抑制剝離。例如可抑制第一樹脂層的剝離。而且，熱容易散逸之底板側的發熱量比陶瓷介電質側的發熱量還多，可抑制上下方向中的熱分布的不均。例如可更提高均熱性。
第九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第七發明中，前述加熱器元件之前述第一支撐板側的面的寬度比前述加熱器元件之前述第二支撐板側的面的寬度寬。
依照該靜電吸盤，可降低施加於接觸加熱器元件之第二支撐板側的面的層的應力，可抑制剝離。而且，在加熱器元件之第一支撐板側的面中容易保持熱，並且在加熱器元件之第二支撐板側的面中容易冷卻熱，可更提高溫度追蹤性(升降溫速率(ramp rate))。
第十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第九發明中的任一項發明中，在前述剖面中，前述加熱器元件的側面為曲線狀。
依照該靜電吸盤，可降低施加於接近側面的層的應力，可抑制接近側面的層的剝離。
第十一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十發明中的任一項發明中，前述加熱器元件的側面比前述加熱器元件之前述第一支撐板側的面及前述加熱器元件之前述第二支撐板側的面的至少任一個粗糙。
依照該靜電吸盤，可提高在側面部分的密著性，可更抑制接近加熱器元件的層的剝離。
第十二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十一發明中的任一項發明中，前述第一支撐板與前述第二支撐板電接合。
依照該靜電吸盤，可隔絕高頻，防止加熱器元件因高頻的影響而發熱。據此，可抑制加熱器元件發熱至異常溫度。而且，可抑制加熱板的阻抗(impedance)。
第十三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十二發明中，前述第一支撐板與前述第二支撐板接合的區域的面積比前述第一支撐板的頂面的面積窄，比前述第二支撐板的底面的面積窄。
依照該靜電吸盤，可隔絕高頻，防止加熱器元件因高頻的影響而發熱。據此，可抑制加熱器元件發熱至異常溫度。而且，可抑制加熱板的阻抗。
第十四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十三發明中的任一項發明中，前述加熱器元件具有帶狀的加熱器電極，前述加熱器電極於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。
依照該靜電吸盤，因加熱器電極於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設，故可每一各區域獨立控制處理對象物的面內的溫度。據此，可故意加以區別處理對象物的面內的溫度。
第十五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十四發明中的任一項發明中，前述加熱器元件配設有複數個，前述複數個前述加熱器元件於在互異的層獨立的狀態下被配設。
依照該靜電吸盤，因加熱器元件於在互異的層獨立的狀態下被配設，故可每一各區域獨立控制處理對象物的面內的溫度。據此，可故意加以區別處理對象物的面內的溫度(溫度控制性)。
第十六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第十五發明中的任一項發明中，更具備配設於前述加熱器元件與前述第二支撐板之間，具有導電性之旁路(by-pass)層。
依照該靜電吸盤，可對將電力供給至加熱器元件的端子的配置使其具有更大的自由度。藉由配設旁路層，與未配設旁路層的情形比較即使不將熱容量大的端子直接接合於加熱器元件也可以。據此，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。而且，與未配設旁路層的情形比較即使不將端子接合於薄的加熱器元件也可以。據此，可提高加熱板的可靠度。
第十七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明中，前述第一支撐板之前述第二支撐板側的面具有：在沿著前述積層方向看時，與前述旁路層重疊的第一部分，和不與前述旁路層重疊的第二部分，前述第二支撐板之前述第一支撐板側的面具有：在沿著前述積層方向看時，與前述旁路層重疊的第三部分，和不與前述旁路層重疊的第四部分，前述第一部分與前述第二部分之間的沿著前述積層方向的距離比前述第三部分與前述第四部分之間的沿著前述積層方向的距離短。
依照該靜電吸盤，位於加熱器元件側的第一支撐板中的構造的應變比位於旁路層側的第二支撐板中的構造的應變小。藉由減小容易產生熱應變(thermal strain)的加熱器元件側的構造的應變，可抑制因熱應變造成的應力而施加於加熱板全體的負載。
第十八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明或第十七發明中，前述加熱器元件與前述旁路層電接合，與前述第一支撐板及前述第二支撐板電絕緣。
依照該靜電吸盤，可經由旁路層由外部將電力供給至加熱器元件。
第十九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第十八發明中的任一項發明中，前述旁路層的厚度比前述第一樹脂層的厚度厚。
依照該靜電吸盤，可對將電力供給至加熱器元件的端子的配置使其具有更大的自由度。而且，可抑制旁路層的電阻，可抑制旁路層的發熱量。
第二十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第十九發明中的任一項發明中，前述旁路層的厚度比前述加熱器元件的厚度厚。
依照該靜電吸盤，可對將電力供給至加熱器元件的端子的配置使其具有更大的自由度。而且，可抑制旁路層的電阻，可抑制旁路層的發熱量。
第二十一發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第二十發明中的任一項發明中，前述旁路層配設於前述加熱器元件與前述底板之間。
依照該靜電吸盤，旁路層抑制由加熱器元件供給的熱傳導到底板。也就是說，旁路層具有由旁路層看對底板的側的絕熱效果，可提高處理對象物的面內的溫度分布的均勻性。
第二十二發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第二十發明中的任一項發明中，前述旁路層配設於前述加熱器元件與前述陶瓷介電質基板之間。
依照該靜電吸盤，可藉由旁路層緩和因加熱器元件的圖案(pattern)產生的溫度分布的不均，可提高溫度分布的均勻性。
第二十三發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第二十二發明中的任一項發明中，前述旁路層的底面的寬度對前述旁路層的頂面的寬度的大小關係與前述加熱器元件的底面的寬度對前述加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相同。
在旁路層及加熱器元件的各個中，頂面比底面寬的情形，可容易將加熱板的上方加熱。而且，藉由底面比較短，可容易將加熱板的下方冷卻。據此，可提高溫度追蹤性(升降溫速率)。在旁路層及加熱器元件的各個中，底面比頂面寬的情形，可抑制上下方向中的熱分布的不均。
第二十四發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第二十二發明中的任一項發明中，前述旁路層的底面的寬度對前述旁路層的頂面的寬度的大小關係與前述加熱器元件的底面的寬度對前述加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相反。
依照該靜電吸盤，可使因旁路層的熱膨脹而施加的應力的方向與因加熱器元件的熱膨脹而施加的應力的方向成反方向。據此，可更抑制應力的影響。
第二十五發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第二十四發明中的任一項發明中，前述第一支撐板的頂面的面積比前述第二支撐板的底面的面積寬。
依照該靜電吸盤，由加熱器元件看在第二支撐板的側中，可更容易連接將電力供給至加熱器元件的端子。
第二十六發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第二十五發明中的任一項發明中，前述第一支撐板具有複數個支撐部，前述複數個支撐部在互相獨立的狀態下被配設。
依照該靜電吸盤，在第一支撐板的面內可故意設置徑向的溫度差(溫度控制性)。例如在第一支撐板的面內可由中央部遍及到外周部階梯狀地設置溫度差。據此，在處理對象物的面內可故意設置溫度差(溫度控制性)。
第二十七發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第二十六發明中的任一項發明中，更具備：自前述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之供電端子。
依照該靜電吸盤，因供電端子由加熱板朝底板配設，故可由底板的底面的側經由被稱為插座(socket)等的構件將電力供給至供電端子。據此，可抑制供電端子露出到設置有靜電吸盤的反應室(chamber)內，同時可實現加熱器的配線。
第二十八發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第二十七發明中，前述供電端子具有：與由外部供給電力的插座連接之銷(pin)部；比前述銷部還細之導線部；與前述導線部連接之支撐部；以及與前述支撐部連接與前述加熱器元件接合之接合部。
依照該靜電吸盤，因銷部比導線部還粗，故銷部可將比較大的電流供給至加熱器元件，而且，因導線部比銷部還細，故導線部比銷部還容易變形，可將銷部的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供電端子的應力，同時對加熱器元件可確保更寬廣的接觸面積。
第二十九發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第十六發明至第二十四發明中的任一項發明中，更具備：自前述加熱板朝前述底板配設，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：與由外部供給電力的插座連接之銷部；比前述銷部還細之導線部；與前述導線部連接之支撐部；以及與前述支撐部連接與前述旁路層接合之接合部，經由前述旁路層將前述電力供給至前述加熱器元件。
依照該靜電吸盤，因銷部比導線部還粗，故銷部可將比較大的電流供給至加熱器元件，而且，因導線部比銷部還細，故導線部比銷部還容易變形，可將銷部的位置自接合部的中心挪開。據此，可將供電端子固定於與加熱板不同的構件(例如底板)。支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可緩和施加於供電端子的應力，同時對旁路層可確保更寬廣的接觸面積。而且，支撐部在藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部及接合部接合的情形下，可配設與加熱板及旁路層略相同的厚度的接合部。
第三十發明為一種靜電吸盤，其特徵在於：在第一發明至第二十六發明中的任一項發明中，更具備：配設於前述底板，將電力供給至前述加熱板之供電端子，前述供電端子具有：與由外部供給電力的插座連接之供電部；以及與前述供電部連接，被前述加熱板緊壓之端子部。
依照該靜電吸盤，與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔的直徑。
依照本發明的態樣，可提供耐得住熱的、電的、機械的負載之可靠度高的靜電吸盤。
以下就本發明的實施的形態一邊參照圖式，一邊進行說明。此外各圖式中，對同樣的構成元件附加同一符號而適宜省略詳細的說明。 圖1是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意斜視圖。 圖2(a)及圖2 (b)是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意剖面圖。 在圖1中為了說明的方便起見，在靜電吸盤的一部分中顯示剖面圖。圖2(a)是例如圖1所示的剖切面A1-A1中的示意剖面圖。圖2(b)是圖2(a)所示的區域B1的示意放大視圖。
與本實施形態有關的靜電吸盤10具備陶瓷介電質基板100與加熱板200與底板300。 陶瓷介電質基板100配設於與底板300分離的位置。加熱板200配設於底板300與陶瓷介電質基板100之間。
在底板300與加熱板200之間設有接著劑403。在加熱板200與陶瓷介電質基板100之間設有接著劑403。作為接著劑403的材料可舉出具有較高的導熱性的聚矽氧(silicone)等的耐熱樹脂(heat-resistant resin)。接著劑403的厚度為例如約0.1毫米(mm)以上、1.0mm以下左右。接著劑403的厚度和底板300與加熱板200之間的距離，或加熱板200與陶瓷介電質基板100之間的距離相同。
陶瓷介電質基板100為例如由多晶陶瓷燒結體(​polycrystalline ceramics sintered compact)構成的平板狀的基材，具有：載置半導體晶圓等的處理對象物W的第一主表面101，和與第一主表面101相反側的第二主表面102。
此處，在本實施形態的說明中擬稱連結第一主表面101與第二主表面102的方向(積層方向)為Z方向，稱與Z方向正交的方向之一為X方向，稱正交於Z方向及X方向的方向為Y方向。
作為陶瓷介電質基板100所包含的結晶的材料可舉出例如Al2 O3 、Y2 O3 及YAG等。可藉由使用這種材料提高陶瓷介電質基板100中的紅外線透過性、耐受電壓(withstand voltage)及電漿耐久性(plasma durability)。
在陶瓷介電質基板100的內部配設有電極層111。電極層111介設於第一主表面101與第二主表面102之間。也就是說，電極層111插入陶瓷介電質基板100之中而被形成。電極層111被一體燒結於陶瓷介電質基板100。
此外，電極層111不被限定於介設於第一主表面101與第二主表面102之間，附設於第二主表面102也可以。
靜電吸盤10藉由對電極層111施加吸附保持用電壓而在電極層111的第一主表面101側產生電荷，透過靜電力吸附保持處理對象物W。
加熱板200藉由加熱器用電流流動而發熱，與加熱板200不發熱的情形比較可提高處理對象物W的溫度。
電極層111沿著第一主表面101及第二主表面102被配設。電極層111是用以吸附保持處理對象物W的吸附電極。電極層111既可以是單極型也可以是雙極型。而且，電極層111也可以是三極型或其他的多極型。電極層111的數目或電極層111的配置可適宜選擇。
陶瓷介電質基板100具有：電極層111與第一主表面101之間的第一介電層(dielectric layer)107；電極層111與第二主表面102之間的第二介電層109。陶瓷介電質基板100之中至少第一介電層107中的紅外線分光透過率為20%以上較佳。在本實施形態中紅外線分光透過率為以厚度1mm換算的值。
藉由陶瓷介電質基板100之中至少第一介電層107中的紅外線分光透過率為20%以上，在將處理對象物W載置於第一主表面101的狀態下由加熱板200放出的紅外線可效率高地透過陶瓷介電質基板100。因此，熱很難蓄積於處理對象物W，處理對象物W的溫度的控制性升高。
例如在進行電漿處理的反應室內使用靜電吸盤10的情形，伴隨電漿功率(plasma power)的增加處理對象物W的溫度變得容易上升。在本實施形態的靜電吸盤10中，因電漿功率而傳導到處理對象物W的熱效率高地傳導到陶瓷介電質基板100。進而藉由加熱板200而傳導到陶瓷介電質基板100的熱效率高地傳導到處理對象物W。因此，效率高地傳熱於處理對象物W並容易將處理對象物W維持於所希望的溫度。
在與本實施形態有關的靜電吸盤10中，除了第一介電層107之外，第二介電層109中的紅外線分光透過率也是20%以上較理想。藉由第一介電層107及第二介電層109的紅外線分光透過率為20%以上，由加熱板200放出的紅外線就會效率更高地透過陶瓷介電質基板100，可提高處理對象物W的溫度控制性。
底板300配設於陶瓷介電質基板100的第二主表面102側，隔著加熱板200支撐陶瓷介電質基板100。在底板300設置有連通道301。也就是說，連通道301設置於底板300的內部。作為底板300的材料可舉出例如鋁。
底板300發揮進行陶瓷介電質基板100的溫度調整的作用。例如在將陶瓷介電質基板100冷卻的情形下，使冷卻介質(cooling medium)流入連通道301，使其通過連通道301，由連通道301使冷卻介質流出。據此，可藉由冷卻介質吸收底板300的熱，將安裝於其上的陶瓷介電質基板100冷卻。
另一方面，在將陶瓷介電質基板100加熱的情形下，也能將加熱介質注入到連通道301內。或者也能使未圖示的加熱器內建於底板300。如此，若透過底板300調整陶瓷介電質基板100的溫度，則可容易調整藉由靜電吸盤10吸附保持的處理對象物W的溫度。
而且，在陶瓷介電質基板100的第一主表面101側依照需要設置有凸部113。在互相相鄰的凸部113之間設置有溝115。溝115互相連通。在搭載於靜電吸盤10的處理對象物W的背面與溝115之間形成有空間。
在溝115連接有貫通底板300及陶瓷介電質基板100的導入道321。若在吸附保持住處理對象物W的狀態下由導入道321導入氦(He)等的傳送氣體，則傳送氣體流到設置於處理對象物W與溝115之間的空間，可藉由傳送氣體直接將處理對象物W加熱或冷卻。
圖3是顯示本實施形態的加熱板之示意斜視圖。 圖4(a)及圖4 (b)是顯示本實施形態的加熱板之示意斜視圖。 圖5是顯示本實施形態的加熱板之示意分解圖。 圖6是顯示本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。 圖3是由頂面(陶瓷介電質基板100的側的面)眺望本實施形態的加熱板之示意斜視圖。圖4(a)是由底面(底板300的側的面)眺望本實施形態的加熱板之示意斜視圖。圖4(b)是圖4(a)所示的區域B2中的示意放大視圖。
如圖5所示，本實施形態的加熱板200具有：第一支撐板210、第一樹脂層220、加熱器元件(發熱層)230、第二樹脂層240、旁路層250、第三樹脂層260、第二支撐板270、供電端子280。如圖3所示，第一支撐板210的面211(頂面)形成加熱板200的頂面。如圖4所示，第二支撐板270的面271(底面)形成加熱板200的底面。第一支撐板210及第二支撐板270為支撐加熱器元件230等的支撐板。在該例子中，第一支撐板210及第二支撐板270夾著第一樹脂層220與加熱器元件230與第二樹脂層240與旁路層250與第三樹脂層260，支撐該等構件。
第一樹脂層220配設於第一支撐板210與第二支撐板270之間。加熱器元件230配設於第一樹脂層220與第二支撐板270之間。如此，加熱器元件230與第一支撐板210重疊配設。第一樹脂層220換言之配設於第一支撐板210與加熱器元件230之間。
第二樹脂層240配設於加熱器元件230與第二支撐板270之間。旁路層250配設於第二樹脂層240與第二支撐板270之間。第三樹脂層260配設於旁路層250與第二支撐板270之間。加熱器元件230換言之配設於第一樹脂層220與第二樹脂層240之間。旁路層250換言之配設於第二樹脂層240與第三樹脂層260之間。加熱器元件230例如接觸第一樹脂層220及第二樹脂層240的各個。旁路層250例如接觸第二樹脂層240及第三樹脂層260的各個。
如圖6所示，旁路層250及第三樹脂層260未必一定要配設。在未配設旁路層250及第三樹脂層260的情形下，第二樹脂層240配設於加熱器元件230與第二支撐板270之間。在以下的說明中，舉加熱板200具有旁路層250及第三樹脂層260的情形為例。
第一支撐板210具有比較高的熱傳導率(thermal conductivity)。作為第一支撐板210的材料可舉出例如包含鋁、銅及鎳的至少任一種的金屬或多層構造的石墨(graphite)等。第一支撐板210的厚度(Z方向的長度)為例如約0.1mm以上、3.0mm以下左右。較佳為第一支撐板210的厚度為例如0.3mm以上、1.0mm以下左右。第一支撐板210提高加熱板200的面內的溫度分布的均勻化。第一支撐板210抑制加熱板200的翹曲。第一支撐板210提高加熱板200與陶瓷介電質基板100之間的接著的強度。
在處理對象物W的處理製程中，RF(Radio Frequency)電壓(高頻電壓)被施加。若高頻電壓被施加，則加熱器元件230往往會受到高頻的影響而發熱。於是，加熱器元件230的溫度控制性降低。 相對於此，在本實施形態中第一支撐板210隔絕高頻，防止加熱器元件230及旁路層250因高頻的影響而發熱。據此，第一支撐板210可抑制加熱器元件230發熱至異常溫度。
第二支撐板270的材料、厚度及功能可分別與第一支撐板210的材料、厚度及功能相同。第一支撐板210與第二支撐板270電接合。此處，於在本案說明書中[接合]此一範圍包含有接觸。關於第二支撐板270與第一支撐板210之間的電接合的詳細於後述。
如此，第一支撐板210及第二支撐板270具有比較高的熱傳導率。據此，第一支撐板210及第二支撐板270提高由加熱器元件230供給的熱的熱擴散性(thermal diffusivity)。而且，藉由第一支撐板210及第二支撐板270具有適度的厚度及剛性，例如抑制加熱板200的翹曲。進而第一支撐板210及第二支撐板270提高例如對施加於晶圓處理裝置的電極等的RF電壓之遮護性。例如抑制RF電壓對加熱器元件230的影響。如此，第一支撐板210及第二支撐板270具有熱擴散的功能、抑制翹曲的功能、對RF電壓的遮護的功能。
作為第一樹脂層220的材料可舉出例如聚醯亞胺(polyimide)或聚醯胺-亞醯胺(polyamide-imide)等。第一樹脂層220的厚度(Z方向的長度)為例如約0.01mm以上、0.20mm以下左右。第一樹脂層220將第一支撐板210與加熱器元件230互相接合。第一樹脂層220將第一支撐板210與加熱器元件230之間電絕緣。如此，第一樹脂層220具有電絕緣的功能與面接合的功能。
第二樹脂層240的材料及厚度分別與第一樹脂層220的材料及厚度同程度。第三樹脂層260的材料及厚度分別與第一樹脂層220的材料及厚度同程度。
第二樹脂層240將加熱器元件230與旁路層250互相接合。第二樹脂層240將加熱器元件230與旁路層250之間電絕緣。如此，第二樹脂層240具有電絕緣的功能與面接合的功能。
第三樹脂層260將旁路層250與第二支撐板270互相接合。第三樹脂層260將旁路層250與第二支撐板270之間電絕緣。如此，第三樹脂層260具有電絕緣的功能與面接合的功能。
作為加熱器元件230的材料可舉出例如包含不銹鋼、鈦、鉻、鎳、銅及鋁的至少任一種的金屬等。加熱器元件230的厚度(Z方向的長度)為例如約0.01mm以上、0.20mm以下左右。加熱器元件230與旁路層250電接合。另一方面，加熱器元件230與第一支撐板210及第二支撐板270電絕緣。關於加熱器元件230與旁路層250之間的電接合的詳細於後述。
加熱器元件230若電流流動就發熱，控制處理對象物W的溫度。例如加熱器元件230將處理對象物W加熱至規定的溫度。例如加熱器元件230使處理對象物W的面內的溫度分布均勻。例如加熱器元件230故意加以區別處理對象物W的面內的溫度。
旁路層250與第一支撐板210略平行地被配置，與第二支撐板270略平行地被配置。旁路層250具有複數個旁路部251。旁路層250具有例如8個旁路部251。旁路部251的數目不被限定於[8]。旁路層250呈板狀。相對於此，加熱器元件230具有帶狀的加熱器電極239。在對旁路層250的面(旁路部251的面251a)垂直看時，旁路層250的面積比加熱器元件230的面積(加熱器電極239的面積)寬。關於此詳細於後述。
旁路層250具有導電性。旁路層250與第一支撐板210及第二支撐板270電絕緣。作為旁路層250的材料可舉出例如包含不銹鋼的金屬等。旁路層250的厚度(Z方向的長度)為例如約0.03mm以上、0.30mm以下左右。旁路層250的厚度比第一樹脂層220的厚度厚。旁路層250的厚度比第二樹脂層240的厚度厚。旁路層250的厚度比第三樹脂層260的厚度厚。
例如旁路層250的材料與加熱器元件230的材料相同。另一方面，旁路層250的厚度比加熱器元件230的厚度厚。因此，旁路層250的電阻比加熱器元件230的電阻低。據此，即使是旁路層250的材料與加熱器元件230的材料相同的情形，也能抑制旁路層250如加熱器元件230般發熱。也就是說，可抑制旁路層250的電阻，可抑制旁路層250的發熱量。此外，抑制旁路層250的電阻，抑制旁路層250的發熱量的手段不是旁路層250的厚度，而是藉由使用體積電阻率(volume resistivity)較低的材料而實現也可以。也就是說，旁路層250的材料與加熱器元件230的材料不同也可以。作為旁路層250的材料可舉出例如包含不銹鋼、鈦、鉻、鎳、銅及鋁的至少任一種的金屬等。
供電端子280與旁路層250電接合。在加熱板200配設於底板300與陶瓷介電質基板100之間的狀態下，供電端子280由加熱板200朝底板300配設。供電端子280將由靜電吸盤10的外部供給的電力經由旁路層250供給至加熱器元件230。供電端子280例如直接連接於加熱器元件230也可以。據此，旁路層250可省略。
加熱板200具有複數個供電端子280。圖3~圖5所示的加熱板200具有8個供電端子280。供電端子280的數目不被限定於[8]。一個供電端子280與一個旁路部251電接合。孔273貫通第二支撐板270。供電端子280經由孔273與旁路部251電接合。
如圖5所示的箭頭C1及箭頭C2所示，電力一由靜電吸盤10的外部供給至供電端子280，電流就由供電端子280流到旁路層250。如圖5所示的箭頭C3及箭頭C4所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到加熱器元件230。如圖5所示的箭頭C5及箭頭C6所示，流到加熱器元件230的電流流過加熱器元件230的規定的區域，由加熱器元件230流到旁路層250。關於加熱器元件230的區域的詳細於後述。如圖5所示的箭頭C7及箭頭C8所示，流到旁路層250的電流由旁路層250流到供電端子280。如圖5所示的箭頭C9所示，流到供電端子280的電流流到靜電吸盤10的外部。
如此，在加熱器元件230與旁路層250的接合部存在電流進入加熱器元件230的部分，與電流由加熱器元件230流出的部分。也就是說，在加熱器元件230與旁路層250的接合部存在成對(pair)。因圖3~圖5所示的加熱板200具有8個供電端子280，故在加熱器元件230與旁路層250的接合部存在4組成對。
依照本實施形態，加熱器元件230配設於第一支撐板210與第二支撐板270之間。據此，可提高加熱板200的面內的溫度分布的均勻化，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。而且，第一支撐板210及第二支撐板270隔絕高頻，防止加熱器元件230及旁路層250因高頻的影響而發熱，可抑制加熱器元件230發熱至異常溫度。
如前述，旁路層250配設於加熱器元件230與第二支撐板270之間。也就是說，旁路層250配設於加熱器元件230與底板300之間。不銹鋼的熱傳導率比鋁的熱傳導率及銅的熱傳導率低。因此，旁路層250抑制由加熱器元件230供給的熱傳導到第二支撐板270。也就是說，旁路層250具有由旁路層250看對第二支撐板270的側之絕熱效果，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。
旁路層250可對供電端子280的配置使其具有更大的自由度。藉由配設旁路層250，與未配設旁路層250的情形比較即使不將熱容量大的供電端子直接接合於加熱器元件230也可以。據此，可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。而且，與未配設旁路層250的情形比較即使不將供電端子280接合於薄的加熱器元件230也可以。據此，可提高加熱板200的可靠度。
如前述，供電端子280由加熱板200朝底板300配設。因此，可由底板300的底面303(參照圖2(a)及圖2(b))的側經由被稱為插座等的構件將電力供給至供電端子280。據此，抑制供電端子280露出到設置有靜電吸盤10的反應室內，同時實現加熱器的配線。
其次，就本實施形態的加熱板200的製造方法一邊參照圖式，一邊進行說明。 圖7(a)及圖7(b)是舉例說明本實施形態的製造方法的一例之示意剖面圖。 圖8是舉例說明本實施形態的製造方法的其他的一例之示意剖面圖。 圖7(a)是顯示接合旁路層與加熱器元件前的狀態之示意剖面圖。圖7(b)是顯示接合旁路層與加熱器元件後的狀態之示意剖面圖。圖8是舉例說明旁路層與供電端子的接合製程的一例之示意剖面圖。
在與本實施形態有關的靜電吸盤10的製造方法中，例如首先藉由進行鋁的機械加工製造第一支撐板210及第二支撐板270。第一支撐板210及第二支撐板270的檢查可使用例如三維測量儀器(three-dimensional measuring instrument)等進行。
其次，例如藉由以雷射、機械加工、起模或溶解等切割聚醯亞胺膜(polyimide film)，製造第一樹脂層220、第二樹脂層240及第三樹脂層260。第一樹脂層220、第二樹脂層240及第三樹脂層260的檢查使用例如目視等進行。
其次，利用微影(photolithography)技術或印刷技術對不銹鋼進行蝕刻，藉由機械加工、起模等切割不銹鋼形成加熱器圖案(heater pattern)。據此，製造加熱器元件230。而且，加熱器元件230的電阻值的測定等被進行。
接著，如圖7(a)及圖7(b)所示進行加熱器元件230與旁路層250的接合。加熱器元件230與旁路層250的接合是藉由銲接、硬銲、焊接或接觸等進行。如圖7(a)所示，在第二樹脂層240設有孔241。孔241貫通第二樹脂層240。例如如圖7(a)所示的箭頭C11所示，藉由自旁路層250的側進行點焊(spot welding)，將加熱器元件230與旁路層250接合。
此外，加熱器元件230與旁路層250的接合不被限定於焊接。例如加熱器元件230與旁路層250的接合藉由利用雷射光的接合、銲接、硬銲或接觸等進行也可以。
接著，將加熱板200的各構件積層，藉由熱壓機(hot press machine)進行沖壓(press)。
接著，如圖8所示進行供電端子280與旁路層250的接合。供電端子280與旁路層250的接合藉由焊接、雷射、銲接或硬銲等進行。如圖8所示，在第二支撐板270設有孔273。孔273貫通第二支撐板270。此點關於圖4(b)如前述。在第三樹脂層260設有孔261。孔261貫通第三樹脂層260。如圖8所示的箭頭C13所示，藉由由第二支撐板270朝第一支撐板210進行焊接、雷射、銲接或硬銲等接合供電端子280與旁路層250。
如此，製造本實施形態的加熱板200。 此外，對製造後的加熱板200適宜進行檢查等。
圖9是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意分解圖。 圖10(a)及圖10(b)是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之電路圖。 圖10(a)是顯示第一支撐板與第二支撐板被電接合的例子之電路圖。圖10(b)是顯示第一支撐板與第二支撐板未被電接合的例子之電路圖。
如圖9及圖10(a)所示，第一支撐板210與第二支撐板270電接合。第一支撐板210與第二支撐板270的接合藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接或接觸等進行。
例如如圖10(b)所示，若第一支撐板210未與第二支撐板270電性地確實地接合，則往往第一支撐板210與第二支撐板270電接合，或不電接合。於是，往往在使電漿產生時的蝕刻速率(etching rate)會產生不均。而且，即使第一支撐板210未與第二支撐板270電接合，若使電漿產生則電流流到加熱器元件230，加熱器元件230往往會發熱。換言之，若第一支撐板210未與第二支撐板270電性地確實接合，則加熱器元件230往往會因加熱器用電流以外的電流而發熱。
相對於此，在與本實施形態有關的靜電吸盤10中，如圖10(a)所示，第一支撐板210與第二支撐板270電接合。據此，可藉由電流由第一支撐板210流到第二支撐板270，或者電流由第二支撐板270流到第一支撐板210抑制在使電漿產生時的蝕刻速率產生不均。而且，可抑制加熱器元件230因加熱器用電流以外的電流而發熱。
進而可隔絕高頻，防止加熱器元件230及旁路層250因高頻的影響而發熱。據此，可抑制加熱器元件230發熱至異常溫度。而且，可抑制加熱板200的阻抗。
其次，就本實施形態的加熱板200的具體例，一邊參照圖式，一邊進行說明。 圖11(a)及圖11(b)是舉例說明本實施形態的加熱板的具體例之示意俯視圖。 圖12(a)、圖12(b)及圖13是舉例說明本具體例的加熱器元件之示意俯視圖。 圖14(a)及圖14(b)是舉例說明本具體例的旁路層之示意俯視圖。 圖15(a)及圖15(b)是示意地顯示本具體例的加熱板的一部分之放大視圖。 圖11(a)是由頂面眺望本具體例的加熱板之示意俯視圖。圖11(b)是由底面眺望本具體例的加熱板之示意俯視圖。圖12(a)是舉例說明加熱器元件的區域的一例之示意俯視圖。圖12(b)及圖13是舉例說明加熱器元件的區域的其他的一例之示意俯視圖。
如圖14所示，旁路層250的複數個旁路部251之中的至少任一個在邊緣部具有缺口(notch)部253。在圖13所示的旁路層250中設有4個缺口部253。缺口部253的數目不被限定於[4]。 因複數個旁路層250之中的至少任一個具有缺口部253，故第二支撐板270可與第一支撐板210接觸。
如圖11(a)及圖11(b)所示，第一支撐板210在區域B11~區域B14及區域B31~區域B34中與第二支撐板270電接合。此外，區域B11~區域B14的各個與區域B31~區域B34的各個對應。也就是說，在圖11(a)~圖13所示的具體例中，第一支撐板210在4個區域與第二支撐板270電接合，並非在8個區域與第二支撐板270電接合。
圖15(a)及圖15(b)是顯示區域B31(區域B11)的一例之放大視圖。圖15(a)是區域B31之示意俯視圖，圖15(b)是區域B31之示意剖面圖。圖15(b)是示意地顯示圖15(a)的剖切面A2-A2。此外，因其他的區域B12~區域B14及區域B32~區域B34與區域B11、B31一樣，故詳細的說明省略。
如圖15(a)及圖15(b)所示，在區域B31設有接合區域JA。接合區域JA將第一支撐板210與第二支撐板270互相接合。接合區域JA對應旁路層250的缺口部253而設於第一支撐板210及第二支撐板270的外緣。接合區域JA例如由第二支撐板270側藉由雷射銲接(laser welding)形成。據此，接合區域JA形成點狀。接合區域JA由第一支撐板210側形成也可以。此外，接合區域JA的形成方法不限於雷射銲接，其他的方法也可以。接合區域JA的形狀不限於點狀，也可以為橢圓狀、半圓狀或角形狀等。
第一支撐板210與第二支撐板270接合的接合區域JA的面積比第一支撐板210的面211(參照圖3)的面積窄。接合區域JA的面積比面211的面積減去加熱器元件230的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA的面積比投影到與第一支撐板210之中的面211平行的平面時不與加熱器元件230重疊的區域的面積窄。第一支撐板210與第二支撐板270接合的接合區域JA的面積比第二支撐板270的面271(參照圖4(a))的面積窄。接合區域JA的面積比面271的面積減去加熱器元件230的面積之差分的面積窄。換言之，接合區域JA的面積比投影到與第二支撐板270之中的面271平行的平面時不與加熱器元件230重疊的區域的面積窄。
形成點狀的接合區域JA的直徑例如為1mm(0.5mm以上、3mm以下)。另一方面，第一支撐板210及第二支撐板270的直徑例如為300mm。第一支撐板210及第二支撐板270的直徑依照所保持的處理對象物W而設定。如此，接合區域JA的面積遠小於第一支撐板210的面211的面積及第二支撐板270的面271的面積。接合區域JA的面積例如為面211的面積(面271的面積)的1/5000以下。此處，接合區域JA的面積是指更詳細為投影到與第一支撐板210的面211平行的平面時的面積。換言之，接合區域JA的面積為俯視看下的面積。
在該例子中，設有對應區域B11~區域B14及區域B31~區域B34的4個接合區域JA。接合區域JA的數目不限於4個。接合區域JA的數目為任意的數也可以。例如每隔30°將12個接合區域JA設於第一支撐板210及第二支撐板270也可以。而且，接合區域JA的形狀不限於點狀。接合區域JA的形狀也可以為橢圓狀、角狀或線狀等。接合區域JA例如形成沿著第一支撐板210及第二支撐板270的外緣的環狀也可以。
第二支撐板270具有孔273(參照圖4(b)及圖8)。另一方面，第一支撐板210不具有穿通供電端子280的孔。因此，第一支撐板210的面211的面積比第二支撐板270的面271的面積寬。
加熱器元件230具有例如帶狀的加熱器電極239。在圖12(a)所示的具體例中，加熱器電極239以描繪略圓的方式被配置。加熱器電極239配置於第一區域231與第二區域232與第三區域233與第四區域234。第一區域231位於加熱器元件230的中央部。第二區域232位於第一區域231的外側。第三區域233位於第二區域232的外側。第四區域234位於第三區域233的外側。
配置於第一區域231的加熱器電極239不與配置於第二區域232的加熱器電極239電接合。配置於第二區域232的加熱器電極239不與配置於第三區域233的加熱器電極239電接合。配置於第三區域233的加熱器電極239不與配置於第四區域234的加熱器電極239電接合。也就是說，加熱器電極239於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。
在圖12(b)所示的具體例中，加熱器電極239以描繪略扇形的至少一部分的方式被配置。加熱器電極239配置於第一區域231a與第二區域231b與第三區域231c與第四區域231d與第五區域231e與第六區域231f與第七區域232a與第八區域232b與第九區域232c與第十區域232d與第十一區域232e與第十二區域232f。配置於任意的區域的加熱器電極239不與配置於其他的區域的加熱器電極239電接合。也就是說，加熱器電極239於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。如圖12(a)及圖12(b)所示，配置有加熱器電極239的區域未被特別限定。
在圖13所示的具體例中，加熱器元件230具有更多的區域。在圖13的加熱器元件230中，在圖12(a)所示的第一區域231更被分割成4個區域231a~231d。而且，在圖12(a)所示的第二區域232更被分割成8個區域232a~232h。而且，在圖12(a)所示的第三區域233更被分割成8個區域233a~233h。然後，在圖12(a)所示的第四區域234更被分割成16個區域234a~234p。如此，配置有加熱器電極239的加熱器元件230的區域的數目及形狀任意也可以。
如圖14(a)所示，旁路層250的旁路部251呈扇形。複數個扇形的旁路部251互相分離排列，旁路層250整體上呈略圓形。如圖14(a)所示，相鄰的旁路部251之間的分離部分257由旁路層250的中心259延伸於徑向。換言之，相鄰的旁路部251之間的分離部分257由旁路層250的中心259延伸成放射狀。旁路部251的面251a的面積比分離部分257的面積寬。旁路層250的面積(旁路部251的面251a的面積)比加熱器元件230的面積(加熱器電極239的面積)寬。
如圖14(b)所示，旁路層250的複數個旁路部251的形狀例如為彎曲的扇形狀也可以。如此，配設於旁路層250的複數個旁路部251的數目及形狀任意也可以。
在關於圖11~圖14的以下的說明中，舉圖12(a)所示的加熱器元件230的區域為例。加熱器電極239以描繪略圓的方式被配置，複數個扇形的旁路部251互相分離排列。因此，在對旁路部251的面251a垂直看時，加熱器電極239與相鄰的旁路部251之間的分離部分257交叉。而且，在對旁路部251的面251a垂直看時，相鄰的加熱器元件230的各區域(第一區域231、第二區域232、第三區域233及第四區域234)之間的分離部分235與相鄰的旁路部251之間的分離部分257交叉。
如圖11(a)及圖11(b)所示，連結加熱器元件230與旁路層250的接合部255a~255h的各個與加熱板200的中心203的複數條假想線不互相重疊。換言之，加熱器元件230與旁路層250的接合部255a~255h配置於由加熱板200的中心203看互異的方向。如圖11(b)所示，供電端子280存在於連結接合部255a~255h的各個與加熱板200的中心203的假想線之上。
接合部255a、255b為將配置於第一區域231的加熱器電極239與旁路層250接合的部分。接合部255a、255b對應第一區域231。接合部255a及接合部255b的任一方為電流進入加熱器元件230的部分。接合部255a及接合部255b的任一他方為電流由加熱器元件230流出的部分。
接合部255c、255d為將配置於第二區域232的加熱器電極239與旁路層250接合的部分。接合部255c、255d對應第二區域232。接合部255c及接合部255d的任一方為電流進入加熱器元件230的部分。接合部255c及接合部255d的任一他方為電流由加熱器元件230流出的部分。
接合部255e、255f為將配置於第三區域233的加熱器電極239與旁路層250接合的部分。接合部255e、255f對應第三區域233。接合部255e及接合部255f的任一方為電流進入加熱器元件230的部分。接合部255e及接合部255f的任一他方為電流由加熱器元件230流出的部分。
接合部255g、255h為將配置於第四區域234的加熱器電極239與旁路層250接合的部分。接合部255g、255h對應第四區域234。接合部255g及接合部255h的任一方為電流進入加熱器元件230的部分。接合部255g及接合部255h的任一他方為電流由加熱器元件230流出的部分。
接合部255a、255b存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255c、255d的圓不同的圓之上。接合部255a、255b存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255e、255f的圓不同的圓之上。接合部255a、255b存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255g、255h的圓不同的圓之上。 接合部255c、255d存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255e、255f的圓不同的圓之上。接合部255c、255d存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255g、255h的圓不同的圓之上。 接合部255e、255f存在於與以加熱板200的中心203為中心通過接合部255g、255h的圓不同的圓之上。
如圖11(a)及圖11(b)所示，加熱板200具有頂出銷(lift pin)孔201。在圖11(a)及圖11(b)所示的具體例中，加熱板200具有3個頂出銷孔201。頂出銷孔201的數目不被限定於[3]。供電端子280配設於由頂出銷孔201看加熱板200的中心203的側的區域。
依照本具體例，因加熱器電極239配置於複數個區域，故可每一各區域獨立控制處理對象物W的面內的溫度。據此，可故意加以區別處理對象物W的面內的溫度(溫度控制性)。
就與本實施形態有關的加熱板200的構造，一邊參照圖式，一邊更進一步進行說明。 圖16(a)~圖16(d)是顯示本實施形態的加熱板的一部分之剖面圖。 在本實施形態中，加熱器電極239在複數個區域獨立被配置。例如如圖16所示，加熱器電極239(加熱器元件230)具有第一導電部21與第二導電部22。第二導電部22在與第一主表面101平行的面內方向Dp(例如X方向)中與第一導電部21分離。第一導電部21及第二導電部22為加熱器電極239的一部分。第一導電部21與第二導電部22之間的距離L1(第一導電部21與第二導電部22之間的分離部分的寬度)例如為500μm以上。如此，藉由加熱器電極239配置於複數個區域，可每一各區域控制處理對象物W的面內的溫度。
第一支撐板210具有：第二支撐板270側的面PL1(底面)，和與面PL1相反側的面PU1(頂面)。面PL1與第一樹脂層220對向，例如與第一樹脂層220相接。
第一支撐板210的面PL1(底面)具有第一區域R1與第二區域R2。第一區域R1在沿著Z方向看時(俯視)與加熱器電極239(加熱器元件230)重疊。例如第一區域R1在沿著Z方向看時與第一導電部21或第二導電部22重疊。第二區域R2在沿著Z方向看時不與加熱器電極239(加熱器元件230)重疊。
在靜電吸盤10中，在對圖16所示的Z方向平行的剖面中，第二區域R2比第一區域R1還突出於第二支撐板270側。換言之，第二區域R2的Z方向中的位置為第一區域R1的Z方向中的位置與第二支撐板270之間。
也就是說，第一支撐板210的面PL1(底面)具有仿照加熱器元件230的形狀之凹凸。第一區域R1對應第一支撐板210的凹部，第二區域R2對應第一支撐板210的凸部。同樣地，在第一支撐板210的面PU1(頂面)中也形成有仿照加熱器元件230的形狀的凹凸。
第二支撐板270具有：第一支撐板210側的面PU2(頂面)，和與面PU2相反側的面PL2(底面)。面PU2與第三樹脂層260(或第二樹脂層240)對向，例如與第三樹脂層260(或第二樹脂層240)相接。
第二支撐板270的面PU2(頂面)具有第三區域R3與第四區域R4。第三區域R3在沿著Z方向看時與加熱器元件230重疊。例如第三區域R3在沿著Z方向看時與第一導電部21或第二導電部22重疊。第四區域R4在沿著Z方向看時不與加熱器元件230重疊。
在圖16所示的剖面中，第四區域R4比第三區域R3還突出於第一支撐板210側。換言之，第四區域R4的Z方向中的位置為第三區域R3的Z方向中的位置與第一支撐板210之間。
也就是說，第二支撐板270的面PU2(頂面)具有仿照加熱器元件230的形狀之凹凸。第三區域R3對應第二支撐板270的凹部，第四區域R4對應第二支撐板270的凸部。同樣地，在第二支撐板270的面PL2(底面)中也形成有仿照加熱器元件230的形狀的凹凸。
第二區域R2與第四區域R4之間之沿著Z方向的距離D1比第一區域R1與第三區域R3之間之沿著Z方向的距離D2短。
如此，在第一支撐板210與第二支撐板270形成有凹凸。這種凹凸藉由在加熱板200中被積層的各構件的密著性高而形成。也就是說，因在第一支撐板210的面PL1(底面)形成有凹凸，故接近面PL1的層(例如第一樹脂層220)與面PL1的密著性高。而且，因在第二支撐板270的面PU2(頂面)形成有凹凸，故接近面PU2的層(例如第三樹脂層260)與面PU2的密著性高。據此，可抑制第一支撐板210的剝離及第二支撐板270的剝離，可提高可靠度。例如可抑制局部的剝離造成的熱的不均或耐受電壓特性的降低。可實現照設計那樣的均熱性與耐受電壓特性。
而且，藉由密著性高，可提高加熱板200的熱傳導性。而且，藉由第一支撐板210的凹凸，可縮短例如加熱器元件230與處理對象物之間的距離。據此，可提高處理對象物的溫度的上升速度。因此，使例如[加熱器的加熱性能(升溫速度)]與[溫度均勻性]、[耐受電壓可靠度]的並存成為可能。
第一區域R1與第二區域R2之間之沿著Z方向的距離D3比距離D1短。而且，第三區域R3與第四區域R4之間之沿著Z方向的距離D4比距離D1短。
距離D3過長的情形，形成於第一支撐板210的面PL1的凹凸過大，在第一支撐板210或第一樹脂層220所產生的應變往往會過大。而且，距離D4過長的情形，形成於第二支撐板270的凹凸過大，在第二支撐板270或第二樹脂層240所產生的應變往往會過大。
相對於此，在靜電吸盤10中距離D3及距離D4的各個比距離D1短。據此，可確保接近第一支撐板210的層與第一支撐板210的密著性，同時可防止在第一支撐板210或第一樹脂層220所產生的應變過大。而且，可確保接近第二支撐板270的層與第二支撐板270的密著性，同時可防止在第二支撐板270或第三樹脂層260所產生的應變過大。
在加熱板200中由於加熱器元件230的發熱而在加熱器元件230自身容易產生應變(熱應變(thermal strain))。因此，在圖16所示的例子中使距離D3比距離D4短。也就是說，使加熱器元件230側的第一支撐板210等的構造的應變比旁路層250側的第二支撐板270等的構造的應變小。據此，可提高對加熱板200全體的熱應變的抗性。
此外，在實施形態中，距離D3及距離D4的任一個約略為零也可以。也就是說，面PL1及面PU2的任一個為平的(flat)也可以。在面PL1及面PU2的任一個形成有凹凸也可以。
圖17(a)~圖17(d)是顯示本實施形態的加熱板的一部分之剖面圖。 圖17(a)是顯示加熱器元件230的一部分，圖17(b)是顯示旁路層250的一部分。而且，圖17(c)是顯示加熱器元件230及旁路層250的一部分，圖17(d)是顯示加熱器元件230及旁路層250的變形例。 各加熱器電極239的各個具有：第一支撐板210側的第一面P1(頂面)，與第二支撐板270側的第二面P2(底面)。第一面P1與第一樹脂層220對向。第二面P2朝與第一面P1相反側。也就是說，第二面P2與第二樹脂層240對向。
第一面P1的寬度W1與第二面P2的寬度W2不同。在該例子中第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2窄。也就是說，加熱器電極239的寬度越朝上方(陶瓷介電質基板100側)越窄。
各加熱器電極239具有連接第一面P1與第二面P2的一對側面SF1。在對圖17(a)所示的Z方向平行的剖面中，側面SF1為曲線狀。各側面SF1例如為凹曲面狀。各側面SF1例如為平面狀也可以。第一面P1與側面SF1所成的角度θ1和第二面P2與側面SF1所成的角度θ2不同。而且，側面SF1的表面粗糙度(surface roughness)比第一面P1及第二面P2的至少一方的表面粗糙度粗糙。
第一面P1例如接觸第一樹脂層220。第二面P2例如接觸第二樹脂層240。
如圖17(b)及圖17(c)所示，旁路部251(旁路層250)具有第三導電部23與第四導電部24。第四導電部24在面內方向Dp(例如X方向)中與第三導電部23分離。第三導電部23及第四導電部24為旁路部251的一部分。
各旁路部251的各個具有：第一支撐板210側的第三面P3(頂面)，與第二支撐板270側的第四面P4(底面)。第三面P3與第二樹脂層240對向。第四面P4朝與第三面P3相反側。也就是說，第四面P4與第三樹脂層260對向。
第三面P3的寬度W3與第四面P4的寬度W4不同。在該例子中第三面P3的寬度W3比第四面P4的寬度W4窄。也就是說，旁路部251的寬度越朝上方(陶瓷介電質基板100側)越窄。在該例子中，第三面P3之對第四面P4的寬度的大小關係與第一面P1之對第二面P2的寬度的大小關係相同。
各旁路部251具有連接第三面P3與第四面P4的一對側面SF2。各側面SF2例如為凹曲面狀。各側面SF2例如為平面狀也可以。第三面P3與側面SF2所成的角度θ3和第四面P4與側面SF2所成的角度θ4不同。而且，側面SF2的表面粗糙度比第三面P3及第四面P4的至少一方的表面粗糙度粗糙。
第三面P3例如接觸第二樹脂層240。第四面P4例如接觸第三樹脂層260。
如此，在與本實施形態有關的靜電吸盤10中，第一面P1的寬度W1與第二面P2的寬度W2不同。據此，即使加熱器元件230因熱膨脹而變形，也能降低施加於第一樹脂層220等的應力。據此，可抑制接近加熱器元件230的層(例如第一樹脂層220)的剝離。可抑制因剝離產生的處理對象物的溫度變化。因此，可提高靜電吸盤的可靠度。
而且，在靜電吸盤10中，第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2窄。據此，與第一面P1的接觸面積變小，可降低施加於接觸第一面P1的層的應力，可抑制接觸第一面P1的層的剝離。例如可抑制第一樹脂層220的剝離。而且，熱容易散逸到底板300的第二面P2側的發熱量比第一面P1側的發熱量多，可抑制對第一面P1及第二面P2垂直的上下方向(Z方向)中的熱分布的不均。例如可更提高均熱性。
而且，在靜電吸盤10中，側面SF1為凹曲面狀。據此，可降低施加於接近側面SF1的層的應力，可抑制接近側面SF1的層的剝離。例如可抑制側面SF1與第一樹脂層220(或第二樹脂層240)的剝離。
而且，在靜電吸盤10中，第一面P1與側面SF1所成的角度θ1和第二面P2與側面SF1所成的角度θ2不同。據此，藉由緩和因由於熱膨脹造成的加熱器變形而給予樹脂層的應力，可使降低接近加熱器元件230的第一樹脂層220及第二樹脂層240的剝離，與均熱性或溫度追蹤性之熱的特性並存。
而且，在靜電吸盤10中，側面SF1的表面粗糙度比第一面P1及第二面P2的至少一方的表面粗糙度粗糙。據此，可提高在側面SF1部分的密著性，可更抑制接近加熱器元件230的層的剝離。例如可更抑制側面SF1與第一樹脂層220(或第二樹脂層240)的剝離。
而且，在靜電吸盤10中，第三面P3之對第四面P4的寬度的大小關係與第一面P1之對第二面P2的寬度的大小關係相同。而且，在靜電吸盤10中，第一面P1及第三面P3的寬度比第二面P2及第四面P4的寬度窄。此情形，可更抑制Z方向中的熱分布的不均。
此外，在圖17(a)~圖17(c)中，在旁路層250之上配設加熱器元件230。不限於此，例如如圖17(d)所示，在加熱器元件230之上配設旁路層250也可以。
圖18(a)~圖18(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 如圖18(a)及圖18(c)所示，在該例子中第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2寬。也就是說，加熱器電極239的寬度越朝下方(底板300側)越窄。同樣地，如圖18(b)及圖18(c)所示，第三面P3的寬度W3比第四面P4的寬度W4寬。旁路部251的寬度越朝下方越窄。
如此，第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2寬也可以。此情形，可降低施加於接觸第二面P2的層的應力，可抑制接觸第二面P2的層的剝離。而且，在第一面P1側中容易保持熱，並且在第二面P2側中容易冷卻熱，可更提高溫度追蹤性(升降溫速率)。
而且，在該例子中第三面P3之對第四面P4的寬度的大小關係與第一面P1之對第二面P2的寬度的大小關係相同，第一面P1及第三面P3的寬度比第二面P2及第四面P4的寬度寬。在此情形下，在第一面P1及第三面P3側中容易保持熱，並且在第二面P2及第四面P4側中容易冷卻熱，可更提高溫度追蹤性。而且，如圖18(d)所示，旁路層250也可以配設於加熱器元件230之上。
圖19(a)~圖19(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 如圖19(a)及圖19(c)所示，在該例子中第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2窄。另一方面，如圖19(b)及圖19(c)所示，第三面P3的寬度W3比第四面P4的寬度W4寬。在該例子中第三面P3之對第四面P4的寬度的大小關係與第一面P1之對第二面P2的寬度的大小關係相反。
如此，第三面P3之對第四面P4的寬度的大小關係與第一面P1之對第二面P2的寬度的大小關係相反也可以。此情形，可使因旁路層250的熱膨脹而施加的應力的方向與因加熱器元件230的熱膨脹而施加的應力的方向成反方向。據此，可更抑制應力的影響。此外，如圖19(d)所示，也可以將旁路層250配設於加熱器元件230之上。
圖20(a)~圖20(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 如圖20(a)~圖20(c)所示，使第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2寬，使第三面P3的寬度W3比第四面P4的寬度W4窄也可以。而且，如圖20(d)所示，也可以將旁路層250配設於加熱器元件230之上。
圖21(a)及圖21(b)是顯示加熱板的模擬結果的一例之說明圖。 圖21(a)是顯示模擬所使用的加熱器電極239的加熱器圖案的一部分。圖21(b)是顯示模擬結果的一例之剖面圖。 在模擬中對使電流流到圖21(a)所示的加熱器電極239時的發熱量進行了CAE(Computer Aided Engineering：電腦輔助工程)解析。在圖21(b)中，以影線的濃淡表示發熱量的解析結果。在圖21(b)中，影線的濃淡淡的部分表示溫度低之處，表示溫度隨著變濃而變高。
在模擬中就在加熱器電極239中溫度容易變高的熱點(hot spot)HSP進行了CAE解析。圖21(b)顯示熱點HSP的G1-G2線剖面。此外，在模擬模式(simulation model)中旁路層250配設於陶瓷介電質基板100與加熱器元件230之間。而且，將第一樹脂層220、第二樹脂層240及第三樹脂層260方便地彙整成一個層(聚醯亞胺層)而圖示。而且，在模擬中設加熱器電極239的寬度為一定。也就是說，在模擬中第一面P1的寬度W1與第二面P2的寬度W2實質上相同。
熱點HSP位於略圓形的加熱板200的最外周。熱點HSP為曲率與其他部分反轉的部分。在熱點HSP中圓弧的內側的部分朝加熱板200的外周側。
在彎曲成圓弧狀的加熱器電極239中，與外側比較內側其路徑短，電阻也低。因此，在圓弧狀的加熱器電極239中，內側其電流密度比外側高，有溫度也變高的傾向。因此，如圖21(b)所示，在熱點HSP中圓弧的內側之加熱板200的外周側其溫度比中心側高。而且，在熱點HSP中因曲率與其他部分反轉，故電流也比較容易流到中心側的直徑大的部分。因此，在熱點HSP中與其他的部分比較溫度容易上升。
如此，在彎曲成圓弧狀的加熱器電極239中，在內側的部分與外側的部分溫度分布會產生不均。例如若在第一導電部21與第二導電部22之間空出空間(存在空氣層)，則在該部分會被熱地隔絕。此時，例如以在第一支撐板210的底面及第二支撐板270的頂面形成有仿照加熱器元件230的形狀的凹凸的方式使各構件密著。據此，第一樹脂層220與加熱器元件230的密著性，第二樹脂層240與加熱器元件230，以及第一樹脂層220與第二樹脂層240的密著性提高。其結果，可抑制溫度分布的不均。而且，例如可更提高均熱性。
而且，如圖21(b)所示，在加熱器電極239中陶瓷介電質基板100側(上側)比底板300側(下側)溫度容易變高。此乃因熱散逸到底板300側。例如於在加熱器電極239的正上方溫度高的部分局部地產生了的情形等，如圖17(a)等所示，使第一面P1的寬度W1比第二面P2的寬度W2窄。據此，如前述可抑制Z方向中的熱分布的不均。例如可抑制在加熱器電極239的正上方溫度高的部分局部地產生，可更提高均熱性。
圖22是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 在該例子中加熱器元件230配設於第一支撐板210與旁路層250之間。而且，旁路層250配設於加熱器元件230與第二支撐板270之間。旁路層250比加熱器元件230厚。
第一支撐板210的底面(面PL1)具有第一部分T1與第二部分T2。第一部分T1為在沿著Z方向看時與旁路層250重疊。第二部分T2為在沿著Z方向看時不與旁路層250重疊。
第二支撐板270的頂面(面PU2)具有第三部分T3與第四部分T4。第三部分T3為在沿著Z方向看時與旁路層250重疊。第四部分T4為在沿著Z方向看時不與旁路層250重疊。
第一部分T1與第二部分T2之間的沿著Z方向的距離L2為第三部分T3與第四部分T4之間的沿著Z方向的距離L3以下。例如距離L2比距離L3短。
也就是說，位於加熱器元件230側的第一支撐板210中的凹凸比位於旁路層250側的第二支撐板270中的凹凸小。換言之，加熱器元件230側的第一支撐板210等的構造的應變比旁路層250側的第二支撐板270等的構造的應變小。藉由減小容易產生熱應變的加熱器元件側的構造的應變，可抑制因熱應變造成的應力而施加於加熱板全體的負載。
圖23(a)及圖23(b)是顯示與本實施形態的變形例有關的靜電吸盤之示意剖面圖。 圖23(a)是顯示與本實施形態的變形例有關的靜電吸盤之示意剖面圖。 圖23(b)是顯示本變形例的加熱板之示意剖面圖。圖23(a)及圖23(b)相當於例如圖1所示的剖切面A1-A1中的示意剖面圖。
圖23(a)所示的靜電吸盤10a具備陶瓷介電質基板100與加熱板200a與底板300。陶瓷介電質基板100及底板300關於圖1及圖2如前述。
如圖23(b)所示，本具體例的加熱板200a具有複數個加熱器元件。圖23(b)所示的加熱板200a具有：第一樹脂層220、第一加熱器元件(發熱層)230a、第二樹脂層240、第二加熱器元件(發熱層)230b、第三樹脂層260、旁路層250、第四樹脂層290、第二支撐板270。
第一樹脂層220配設於第一支撐板210與第二支撐板270之間。第一加熱器元件230a配設於第一樹脂層220與第二支撐板270之間。第二樹脂層240配設於第一加熱器元件230a與第二支撐板270之間。第二加熱器元件230b配設於第二樹脂層240與第二支撐板270之間。第三樹脂層260配設於第二加熱器元件230b與第二支撐板270之間。旁路層250配設於第三樹脂層260與第二支撐板270之間。第四樹脂層290配設於旁路層250與第二支撐板270之間。也就是說在本具體例中，第一加熱器元件230a在獨立於與第二加熱器元件230b不同的層的狀態下被配設。
第一支撐板210與第一樹脂層220與第二樹脂層240與第三樹脂層260與旁路層250與第二支撐板270的各個材料、厚度及功能關於圖3~圖5如前述。第一加熱器元件230a及第二加熱器元件230b的各個材料、厚度及功能關於圖3~圖5與前述的加熱器元件230相同。第四樹脂層290關於圖3~圖5與前述的第一樹脂層220相同。
依照本變形例，因第一加熱器元件230a在與第二加熱器元件230b不同的層中獨立被配置，故可每一規定的區域獨立控制處理對象物W的面內的溫度。
圖24(a)、圖24(b)及圖25是顯示本實施形態的第一支撐板的變形例之示意俯視圖。
圖26是顯示本變形例的加熱板之示意剖面圖。 圖24(a)是顯示第一支撐板被分割成複數個支撐部的一例。圖24(b)及圖25是顯示第一支撐板被分割成複數個支撐部的其他的一例。
在圖26中為了說明的方便起見，一併顯示圖24(a)所示的加熱板與第一支撐板的頂面的溫度的圖表。圖26所示的圖表為第一支撐板的頂面的溫度的一例。圖26所示的圖表的橫軸是表示第一支撐板210a的頂面的位置。圖26所示的圖表的縱軸是表示第一支撐板210a的頂面的溫度。此外，在圖26中為了說明的方便起見，省略旁路層250及第三樹脂層260。
在圖24(a)及圖24(b)所示的變形例中，第一支撐板210a被分割成複數個支撐部。更具體而言，在圖24(a)所示的變形例中，第一支撐板210a被同心圓狀地分割成複數個支撐部，具有第一支撐部216與第二支撐部217與第三支撐部218與第四支撐部219。在圖24(b)所示的變形例中，第一支撐板210b被同心圓狀且放射狀地分割成複數個支撐部，具有第一支撐部216a與第二支撐部216b與第三支撐部216c與第四支撐部216d與第五支撐部216e與第六支撐部216f與第七支撐部217a與第八支撐部217b與第九支撐部217c與第十支撐部217d與第十一支撐部217e與第十二支撐部217f。
在圖25所示的變形例中，第一支撐板210c具有更多的支撐部。在圖25的第一支撐板210c中，在圖24(a)所示的第一支撐部216更被分割成4個支撐部216a~216d。而且，在圖24(a)所示的第二支撐部217更被分割成8個支撐部217a~217h。而且，在圖24(a)所示的第三支撐部218更被分割成8個區域218a~218h。而且，在圖24(a)所示的第四支撐部219更被分割成16個支撐部219a~219p。如此，配設於第一支撐板210的支撐部的數目及形狀任意也可以。
第一樹脂層220與加熱器元件230與第二樹脂層240與旁路層250與第三樹脂層260與第二支撐板270與供電端子280的各個關於圖3~圖5如前述。
在關於圖24(a)~圖26的以下的說明中舉圖24(a)所示的第一支撐板210a為例。如圖26所示，第一支撐部216配設於加熱器元件230的第一區域231之上，對應加熱器元件230的第一區域231。第二支撐部217配設於加熱器元件230的第二區域232之上，對應加熱器元件230的第二區域232。第三支撐部218配設於加熱器元件230的第三區域233之上，對應加熱器元件230的第三區域233。第四支撐部219配設於加熱器元件230的第四區域234之上，對應加熱器元件230的第四區域234。
第一支撐部216不與第二支撐部217電接合。第二支撐部217不與第三支撐部218電接合。第三支撐部218不與第四支撐部219電接合。
依照本變形例，在第一支撐板210a、210b、210c的面內可故意設置徑向的溫度差(溫度控制性)。例如如圖26所示的圖表所示，可由第一支撐部216遍及到第四支撐部219階梯狀地設置溫度差。據此，在處理對象物W的面內可故意設置溫度差(溫度控制性)。
圖27(a)及圖27(b)是顯示本實施形態的供電端子的具體例之示意俯視圖。 圖27(a)是顯示本具體例的供電端子之示意俯視圖。圖27(b)是舉例說明本具體例的供電端子的接合方法之示意俯視圖。
圖27(a)及圖27(b)所示的供電端子280具有：銷部281，與導線部283，與支撐部285，與接合部287。銷部281與被稱為插座等的構件連接。插座由靜電吸盤10的外部供給電力。導線部283連接於銷部281與支撐部285。支撐部285連接於導線部283與接合部287。如圖27(b)所示的箭頭C14所示，接合部287與加熱器元件230或旁路層250接合。
導線部283緩和施加於供電端子280的應力。也就是說，銷部281被固定於底板300。另一方面，接合部287與加熱器元件230或旁路層250接合。在底板300與加熱器元件230或旁路層250之間產生溫度差。因此，在底板300與加熱器元件230或旁路層250之間產生熱膨脹的差。因此，起因於熱膨脹的差的應力往往會施加於供電端子280。起因於熱膨脹的差的應力施加於例如底板300的徑向。導線部283可緩和該應力。此外，接合部287與加熱器元件230或旁路層250的接合藉由焊接、利用雷射光的接合、銲接或硬銲等進行。
作為銷部281的材料可舉出例如鉬等。作為導線部283的材料可舉出例如銅等。導線部283的直徑D5比銷部281的直徑D8小。導線部283的直徑D5為例如約0.3mm以上、2.0mm以下左右。作為支撐部285的材料可舉出例如不銹鋼等。支撐部285的厚度D6(Z方向的長度)為例如約0.5mm以上、2.0mm以下左右。接合部287的材料可舉出例如不銹鋼等。接合部287的厚度D7(Z方向的長度)為例如約0.05mm以上、0.5mm以下左右。
依照本具體例，因銷部281的直徑D8比導線部283的直徑D5還大，故銷部281可將比較大的電流供給至加熱器元件230。而且，因導線部283的直徑D5比銷部281的直徑D8還小，故導線部283比銷部281還容易變形，可將銷部281的位置自接合部287的中心挪開。據此，可將供電端子280固定於與加熱板200不同的構件(例如底板300)。
支撐部285藉由例如焊接、利用雷射光的接合、銲接、硬銲等與導線部283及接合部287接合。據此，可緩和施加於供電端子280的應力，同時對加熱器元件230或旁路層250可確保更寬廣的接觸面積。
圖28是顯示本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。 如圖28所示，在該例子中旁路層250配設於第一支撐板210與加熱器元件230之間。更詳細為旁路層250配設於第一支撐板210與第一樹脂層220之間，第三樹脂層260配設於第一支撐板210與旁路層250之間。
如此，旁路層250配設於第一支撐板210與加熱器元件230之間也可以。也就是說，旁路層250配設於加熱器元件230與陶瓷介電質基板100之間也可以。
在此情形下也可藉由旁路層250提高由加熱器元件230供給的熱的擴散性。例如可提高處理對象物W的面內方向(水平方向)中的熱擴散性。據此，例如可提高處理對象物W的面內的溫度分布的均勻性。例如可藉由旁路層250緩和因加熱器元件230的圖案所產生的溫度分布的不均，可提高溫度分布的均勻性。
此外，旁路層250例如配設於第一支撐板210與加熱器元件230之間，以及加熱器元件230與第二支撐板270之間的雙方也可以。也就是說，加熱板200具有配設於第一支撐板210與加熱器元件230之間，以及加熱器元件230與第二支撐板270之間的各個之兩個旁路層250也可以。
圖29是顯示本實施形態的供電端子的變形例之示意剖面圖。 在該例子中與實施形態有關的靜電吸盤取代前述的供電端子280具有供電端子280a。供電端子280a具有供電部(本體部)281a與端子部281b。供電端子280a例如為接觸探針(c​o​n​t​a​c​t​ p​r​o​b​e​)。
例如在底板300設有孔390。筒狀的套筒(sleeve)283a對孔390固定。供電端子280a配設於套筒283a的內部，藉由例如螺合等對底板300固定。
在供電部281a可連接由外部將電力供給至加熱器元件230的插座285a。 端子部281b配設於供電端子280a的頂端，接觸加熱器元件230或旁路層250。端子部281b對供電部281a可滑動，供電端子280a可伸縮。而且，供電端子280a在內部具有對供電部281a固定的彈簧。端子部281b藉由該彈簧推迫以使供電端子280a伸長。
端子部281b被加熱板200(加熱器元件230或旁路層250)緊壓。此時供電端子280a為抵抗彈簧的彈性力而收縮的狀態。換言之，端子部281b藉由彈簧的彈性力而被推迫按壓於朝加熱器元件230或旁路層250的方向。據此，插座285a透過供電端子280a與加熱器元件230或旁路層250電連接。在加熱器元件230或旁路層250經由供電端子280a及插座285a由外部供給電力。
使用這種供電端子280a的情形與藉由焊接等接合供電端子的情形比較，可減小為了供電而設的孔(底板300的孔390或第二支撐板270的孔273)的直徑。
圖30是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置之示意剖面圖。 與本實施形態有關的晶圓處理裝置500包含：處理容器501，與上部電極510，與關於圖1~圖29如前述的靜電吸盤(例如靜電吸盤10)。在處理容器501的頂部設有用以將處理氣體導入到內部的處理氣體導入口502。在處理容器501的底板設有用以將內部減壓排氣的排氣口503。而且，在上部電極510及靜電吸盤10連接有高頻電源504，具有上部電極510與靜電吸盤10的一對電極互相隔著規定的間隔平行對峙。
在與本實施形態有關的晶圓處理裝置500中，高頻電壓一被施加到上部電極510與靜電吸盤10之間，就發生高頻放電(high frequency discharge)，被導入到處理容器501內的處理氣體藉由電漿激發而被活性化，處理對象物W就會被處理。此外，可舉例說明半導體基板(晶圓)當作處理對象物W。但是，處理對象物W不被限定於半導體基板(晶圓)，例如也可以為使用於液晶顯示裝置的玻璃基板等。
高頻電源504與靜電吸盤10的底板300電連接。底板300如前述使用鋁等的金屬材料。也就是說，底板300具有導電性。據此，高頻電壓被施加到上部電極510與底板300之間。
而且，在該例子的晶圓處理裝置500中，底板300與第一支撐板210及第二支撐板270電連接。據此，在晶圓處理裝置500中，高頻電壓也被施加到第一支撐板210與上部電極510之間，以及第二支撐板270與上部電極510之間。
如此，在各支撐板210、270與上部電極510之間施加高頻電壓。據此，與僅在底板300與上部電極510之間施加高頻電壓的情形比較，可使施加高頻電壓的場所更接近處理對象物W。據此，例如能以更有效且低電位使電漿產生。
像晶圓處理裝置500的構成的裝置一般被稱為平行平板型RIE(Reactive Ion Etching：反應性離子蝕刻)裝置，但與本實施形態有關的靜電吸盤10並非被限定於適用於該裝置。例如也能廣泛適用於ECR(Electron Cyclotron Resonance：電子迴旋加速器共振)蝕刻裝置、感應耦合電漿處理裝置(inductively coupled plasma processing apparatus)、螺旋波電漿處理裝置(helicon wave plasma processing apparatus)、電漿分離型電漿處理裝置、表面波電漿處理裝置(surface wave plasma processing apparatus)、電漿CVD(plasma Chemical Vapor Deposition：電漿化學氣相沉積)裝置等的所謂的減壓處理裝置。而且，與本實施形態有關的靜電吸盤10也能廣泛適用於像曝光裝置(exposure equipment)或檢查裝置在大氣壓下進行處理或檢查的基板處理裝置。但是，若考慮與本實施形態有關的靜電吸盤10所具有的高的耐電漿性，則使靜電吸盤10適用於電漿處理裝置較佳。此外，因在該等裝置的構成以內，與本實施形態有關的靜電吸盤10以外的部分可適用眾所周知的構成，故其說明省略。
圖31是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。 如圖31所示，高頻電源504僅在第一支撐板210與上部電極510之間，以及第二支撐板270與上部電極510之間電連接也可以。在此情形下也可使施加高頻電壓的場所接近處理對象物W，可有效地使電漿產生。
圖32是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。 如圖32所示，在該例子中高頻電源504與加熱器元件230電連接。如此，高頻電壓施加於加熱器元件230與上部電極510之間也可以。在此情形下也可使施加高頻電壓的場所接近處理對象物W，可有效地使電漿產生。
高頻電源504例如透過各供電端子280與加熱器元件230電連接。例如選擇性地將高頻電壓施加於加熱器元件230的複數個區域(例如圖12(a)所示的第一區域231~第四區域234)。據此，可控制高頻電壓的分布。
高頻電源504例如電連接於第一支撐板210與第二支撐板270與加熱器元件230也可以。高頻電壓施加於第一支撐板210與上部電極510之間、第二支撐板270與上部電極510之間以及加熱器元件230與上部電極510之間的各個也可以。
以上針對本發明的實施的形態進行了說明。但是，本發明不是被限定於該等記述。關於前述的實施的形態，熟習該項技術者適宜加入了設計變更只要也具備本發明的特徵就包含於本發明的範圍。例如加熱板200、200a等所具備的各元件的形狀、尺寸、材質、配置等或加熱器元件230、第一加熱器元件230a、第二加熱器元件230b及旁路層250的設置形態等並非被限定於舉例說明者，可適宜變更。 而且，前述的各實施的形態所具備的各元件在技術上盡可能可組合，組合該等元件只要也包含本發明的特徵就包含於本發明的範圍。
10、10a‧‧‧靜電吸盤
21‧‧‧第一導電部
22‧‧‧第二導電部
23‧‧‧第三導電部
24‧‧‧第四導電部
100‧‧‧陶瓷介電質基板
101‧‧‧第一主表面
102‧‧‧第二主表面
107‧‧‧第一介電層
109‧‧‧第二介電層
111‧‧‧電極層
113‧‧‧凸部
115‧‧‧溝
200、200a‧‧‧加熱板
201‧‧‧頂出銷孔
203、259‧‧‧中心
210、210a、210b、210c‧‧‧第一支撐板
211、213、251a、271、275‧‧‧面
216、216a‧‧‧第一支撐部
217、216b‧‧‧第二支撐部
218、216c‧‧‧第三支撐部
219、216d‧‧‧第四支撐部
216e‧‧‧第五支撐部
216f‧‧‧第六支撐部
217a‧‧‧第七支撐部
217b‧‧‧第八支撐部
217c‧‧‧第九支撐部
217d‧‧‧第十支撐部
217e‧‧‧第十一支撐部
217f‧‧‧第十二支撐部
220‧‧‧第一樹脂層
230、230a、230b‧‧‧加熱器元件
231、231a‧‧‧第一區域
231b、232‧‧‧第二區域
231c、233‧‧‧第三區域
231d、234‧‧‧第四區域
231e‧‧‧第五區域
231f‧‧‧第六區域
232a‧‧‧第七區域
232b‧‧‧第八區域
232c‧‧‧第九區域
232d‧‧‧第十區域
232e‧‧‧第十一區域
232f‧‧‧第十二區域
235、257‧‧‧分離部分
239‧‧‧加熱器電極
240‧‧‧第二樹脂層
241、261、273、390‧‧‧孔
250‧‧‧旁路層
251‧‧‧旁路部
253‧‧‧缺口部
255a、255b、255c、255d、255e、255f、255g、255h‧‧‧接合部
260‧‧‧第三樹脂層
270‧‧‧第二支撐板
280、280a‧‧‧供電端子
281‧‧‧銷部
281a‧‧‧供電部
281b‧‧‧端子部
283‧‧‧導線部
283a‧‧‧套筒
285‧‧‧支撐部
285a‧‧‧插座
287‧‧‧接合部
290‧‧‧第四樹脂層
300‧‧‧底板
301‧‧‧連通道
303‧‧‧底面
321‧‧‧導入道
403‧‧‧接著劑
500‧‧‧晶圓處理裝置
501‧‧‧處理容器
502‧‧‧處理氣體導入口
503‧‧‧排氣口
504‧‧‧高頻電源
510‧‧‧上部電極
B11~B14、B31~B34‧‧‧區域
D1~D2‧‧‧距離
D5、D8‧‧‧直徑
D6、D7‧‧‧厚度
Dp‧‧‧面內方向
HSP‧‧‧熱點
JA‧‧‧接合區域
L1‧‧‧距離
PL1、PL2、PU1、PU2‧‧‧面
R1‧‧‧第一區域
R2‧‧‧第二區域
R3‧‧‧第三區域
R4‧‧‧第四區域
SF1、SF2‧‧‧側面
T1‧‧‧第一部分
T2‧‧‧第二部分
T3‧‧‧第三部分
T4‧‧‧第四部分
W‧‧‧處理對象物
θ1、θ2、θ3、θ4‧‧‧角度
圖1是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意斜視圖。 圖2(a)及(b)是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意剖面圖。 圖3是顯示本實施形態的加熱板之示意斜視圖。 圖4(a)及(b)是顯示本實施形態的加熱板之示意斜視圖。 圖5是顯示本實施形態的加熱板之示意分解圖。 圖6是顯示本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。 圖7(a)及(b)是舉例說明本實施形態的製造方法的一例之示意剖面圖。 圖8是舉例說明本實施形態的製造方法的其他的一例之示意剖面圖。 圖9是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意分解圖。 圖10(a)及(b)是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之電路圖。 圖11(a)及(b)是舉例說明本實施形態的加熱板的具體例之示意俯視圖。 圖12(a)及(b)是舉例說明本具體例的加熱器元件之示意俯視圖。 圖13是舉例說明本具體例的加熱器元件之示意俯視圖。 圖14(a)及(b)是舉例說明本具體例的旁路層之示意俯視圖。 圖15(a)及(b)是示意地顯示本具體例的加熱板的一部分之放大視圖。 圖16是顯示與本實施形態有關的靜電吸盤之示意分解圖。 圖17(a)~(d)是顯示本實施形態的加熱板的一部分之剖面圖。 圖18(a)~(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 圖19(a)~(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 圖20(a)~(d)是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 圖21(a)及(b)是顯示加熱板的模擬結果的一例之說明圖。 圖22是顯示本實施形態的加熱板的變形例之剖面圖。 圖23(a)及(b)是顯示與本實施形態的變形例有關的靜電吸盤之示意剖面圖。 圖24(a)及(b)是顯示本實施形態的第一支撐板的變形例之示意俯視圖。 圖25是顯示本實施形態的第一支撐板的變形例之示意俯視圖。 圖26是顯示本變形例的加熱板之示意剖面圖。 圖27(a)及(b)是顯示本實施形態的供電端子的具體例之示意俯視圖。 圖28是顯示本實施形態的加熱板的變形例之示意分解圖。 圖29是顯示本實施形態的供電端子的變形例之示意剖面圖。 圖30是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置之示意剖面圖。 圖31是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。 圖32是顯示與本發明的其他的實施的形態有關的晶圓處理裝置的變形例之示意剖面圖。

Claims (39)

  1. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含： 陶瓷介電質基板，具有：載置處理對象物的第一主表面，和與該第一主表面相反側的第二主表面； 底板，配設於在積層方向中與該陶瓷介電質基板分離的位置，支撐該陶瓷介電質基板；以及 加熱板，配設於該陶瓷介電質基板與該底板之間， 該加熱板具有： 　第一支撐板，包含金屬； 　第二支撐板，包含金屬； 　加熱器元件，配設於該第一支撐板與該第二支撐板之間，藉由電流流動而發熱； 　第一樹脂層，配設於該第一支撐板與該加熱器元件之間；以及 　第二樹脂層，配設於該第二支撐板與該加熱器元件之間， 該第一支撐板之該第二支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該加熱器元件重疊的第一區域，和不與該加熱器元件重疊的第二區域， 在對該積層方向平行的剖面中，該第二區域比該第一區域還突出於該第二支撐板側。
  2. 一種靜電吸盤，其特徵在於包含： 陶瓷介電質基板，具有：載置處理對象物的第一主表面，和與該第一主表面相反側的第二主表面； 底板，配設於在積層方向中與該陶瓷介電質基板分離的位置，支撐該陶瓷介電質基板；以及 加熱板，配設於該陶瓷介電質基板與該底板之間， 該加熱板具有： 　第一支撐板，包含金屬； 　第二支撐板，包含金屬； 　加熱器元件，配設於該第一支撐板與該第二支撐板之間，藉由電流流動而發熱； 　第一樹脂層，配設於該第一支撐板與該加熱器元件之間；以及 　第二樹脂層，配設於該第二支撐板與該加熱器元件之間， 該第二支撐板之該第一支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該加熱器元件重疊的區域，和不與該加熱器元件重疊的區域， 在對該積層方向平行的剖面中，不與該加熱器元件重疊的該區域比與該加熱器元件重疊的該區域還突出於該第一支撐板側。
  3. 如申請專利範圍第1項之靜電吸盤，其中該第二支撐板之該第一支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該加熱器元件重疊的第三區域，和不與該加熱器元件重疊的第四區域， 在對該積層方向平行的剖面中，該第四區域比該第三區域還突出於該第一支撐板側。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一支撐板之該第二支撐板側的面具有仿照該加熱器元件的形狀的凹凸， 該第二支撐板之該第一支撐板側的面具有仿照該加熱器元件的形狀的凹凸。
  5. 如申請專利範圍第3項之靜電吸盤，其中該第二區域與該第四區域之間的沿著該積層方向的距離比該第一區域與該第三區域之間的沿著該積層方向的距離短。
  6. 如申請專利範圍第3項或第5項之靜電吸盤，其中該第一區域與該第二區域之間的沿著該積層方向的距離比該第二區域與該第四區域之間的沿著該積層方向的距離短， 該第三區域與該第四區域之間的沿著該積層方向的距離比該第二區域與該第四區域之間的沿著該積層方向的距離短。
  7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱器元件之該第一支撐板側的面的寬度與該加熱器元件之該第二支撐板側的面的寬度不同。
  8. 如申請專利範圍第7項之靜電吸盤，其中該加熱器元件之該第一支撐板側的面的寬度比該加熱器元件之該第二支撐板側的面的寬度窄。
  9. 如申請專利範圍第7項之靜電吸盤，其中該加熱器元件之該第一支撐板側的面的寬度比該加熱器元件之該第二支撐板側的面的寬度寬。
  10. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中在該剖面中，該加熱器元件的側面為曲線狀。
  11. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱器元件的側面比該加熱器元件之該第一支撐板側的面及該加熱器元件之該第二支撐板側的面的至少任一個粗糙。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一支撐板與該第二支撐板電接合。
  13. 如申請專利範圍第12項之靜電吸盤，其中該第一支撐板與該第二支撐板接合的區域的面積比該第一支撐板的頂面的面積窄，比該第二支撐板的底面的面積窄。
  14. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱器元件具有帶狀的加熱器電極， 該加熱器電極於在複數個區域中互相獨立的狀態下被配設。
  15. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該加熱器元件配設有複數個， 該複數個該加熱器元件於在互異的層獨立的狀態下被配設。
  16. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備配設於該加熱器元件與該第二支撐板之間，具有導電性之旁路層。
  17. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該第一支撐板之該第二支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該旁路層重疊的第一部分，和不與該旁路層重疊的第二部分， 該第二支撐板之該第一支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該旁路層重疊的第三部分，和不與該旁路層重疊的第四部分， 該第一部分與該第二部分之間的沿著該積層方向的距離比該第三部分與該第四部分之間的沿著該積層方向的距離短。
  18. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該加熱器元件與該旁路層電接合，與該第一支撐板及該第二支撐板電絕緣。
  19. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層的厚度比該第一樹脂層的厚度厚。
  20. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層的厚度比該加熱器元件的厚度厚。
  21. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層配設於該加熱器元件與該底板之間。
  22. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層配設於該加熱器元件與該陶瓷介電質基板之間。
  23. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層的底面的寬度對該旁路層的頂面的寬度的大小關係與該加熱器元件的底面的寬度對該加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相同。
  24. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中該旁路層的底面的寬度對該旁路層的頂面的寬度的大小關係與該加熱器元件的底面的寬度對該加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相反。
  25. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一支撐板的頂面的面積比該第二支撐板的底面的面積寬。
  26. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中該第一支撐板具有複數個支撐部， 該複數個支撐部在互相獨立的狀態下被配設。
  27. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備：自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之供電端子。
  28. 如申請專利範圍第27項之靜電吸盤，其中該供電端子具有： 　與由外部供給電力的插座連接之銷部； 　比該銷部還細之導線部； 　與該導線部連接之支撐部；以及 　與該支撐部連接與該加熱器元件接合之接合部。
  29. 如申請專利範圍第16項之靜電吸盤，其中更具備：自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之供電端子， 該供電端子具有： 　與由外部供給電力的插座連接之銷部； 　比該銷部還細之導線部； 　與該導線部連接之支撐部；以及 　與該支撐部連接與該旁路層接合之接合部， 經由該旁路層將該電力供給至該加熱器元件。
  30. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備：配設於該底板，將電力供給至該加熱板之供電端子， 該供電端子具有： 　與由外部供給電力的插座連接之供電部；以及 　與該供電部連接，被該加熱板緊壓之端子部。
  31. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之靜電吸盤，其中更具備配設於該第一支撐板與該加熱器元件之間，具有導電性之旁路層。
  32. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該第一支撐板之該第二支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該旁路層重疊的第一部分，和不與該旁路層重疊的第二部分， 該第二支撐板之該第一支撐板側的面具有：在沿著該積層方向看時，與該旁路層重疊的第三部分，和不與該旁路層重疊的第四部分， 該第一部分與該第二部分之間的沿著該積層方向的距離比該第三部分與該第四部分之間的沿著該積層方向的距離短。
  33. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該加熱器元件與該旁路層電接合，與該第一支撐板及該第二支撐板電絕緣。
  34. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該旁路層的厚度比該第一樹脂層的厚度厚。
  35. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該旁路層的厚度比該加熱器元件的厚度厚。
  36. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該旁路層配設於該加熱器元件與該陶瓷介電質基板之間。
  37. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該旁路層的底面的寬度對該旁路層的頂面的寬度的大小關係與該加熱器元件的底面的寬度對該加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相同。
  38. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中該旁路層的底面的寬度對該旁路層的頂面的寬度的大小關係與該加熱器元件的底面的寬度對該加熱器元件的頂面的寬度的大小關係相反。
  39. 如申請專利範圍第31項之靜電吸盤，其中更具備：自該加熱板朝該底板配設，將電力供給至該加熱板之供電端子， 該供電端子具有： 　與由外部供給電力的插座連接之銷部； 　比該銷部還細之導線部； 　與該導線部連接之支撐部；以及 　與該支撐部連接與該旁路層接合之接合部， 經由該旁路層將該電力供給至該加熱器元件。
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