JP6226092B2

JP6226092B2 - 静電チャック

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Publication number: JP6226092B2
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Inventors: 淳平上藤; 佐々木　均; 均佐々木; 康介山口; 健吾前畑; 雄一吉井
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Current assignee: Toto Ltd
Priority date: 2016-03-14
Filing date: 2017-01-24
Publication date: 2017-11-08
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Description

本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。

エッチング、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタリング、イオン注入、アッシングなどを行うプラズマ処理チャンバ内では、半導体ウェーハやガラス基板などの処理対象物を吸着保持する手段として、静電チャックが用いられている。静電チャックは、内蔵する電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。

近年、トランジスタなどの半導体素子を含むＩＣチップにおいて、小型化や処理速度の向上が求められている。これに伴い、ウェーハ上において半導体素子を形成する際に、エッチングなどの加工の精度を高めることが求められている。エッチングの加工精度とは、ウェーハの加工によって、設計通りの幅や深さを有するパターンを形成することができるかどうかを示す。エッチングなどの加工精度を高めることによって、半導体素子を微細化することができ、集積密度を高くすることができる。すなわち、加工精度を高めることによって、チップの小型化及び高速度化が可能となる。

エッチングなどの加工精度は、加工時のウェーハの温度に依存することが知られている。そこで、静電チャックを有する基板処理装置においては、加工時におけるウェーハの温度を安定して制御することが求められる。例えば、ウェーハ面内の温度分布を均一にする性能（温度均一性）が求められる。また、ウェーハ面内において温度に意図的に差をつける性能（温度制御性）が求められる。ウェーハの温度を制御する方法として、ヒータ（発熱体）や冷却板を内蔵する静電チャックを用いる方法が知られている。一般的に、温度均一性は、温度制御性とトレードオフの関係にある。

ウェーハの温度は、冷却板の温度のばらつき、ヒータの温度のばらつき、ヒータを支持する支持板の厚さのばらつき、ヒータの周囲に設けられる樹脂層の厚さのばらつき、などの影響を受ける。ヒータが静電チャックに内蔵される場合には、ヒータの内蔵方法（例えば接着方法）が重要な要素の１つである。

ウェーハ加工のプロセスでは、ＲＦ（Radio Frequency）電圧（高周波電圧）が印加される。ＲＦ電圧が印加されると、一般的なヒータは、高周波の影響を受けて発熱する。すると、ウェーハの温度が影響を受ける。また、ＲＦ電圧が印加されると、漏れ電流が設備側に流れる。そのため、フィルタなどの機構が設備側に必要となる。
プラズマエッチング装置などにおけるプロセスでは、様々な強度および様々な分布のプラズマがウェーハに照射される。プラズマがウェーハに照射される場合には、ウェーハの温度をプロセスに適した温度に制御すると同時に、温度均一性および温度制御性が求められる。さらに、生産性を向上させるためには、ウェーハの温度を所定の温度に比較的短い時間で到達させることが求められる。急激な温度変化や、熱の供給や、高周波電圧の印加がある。これらにより、静電チャックには熱的・電気的・機械的な負荷が発生することになる。静電チャックにはこれらの負荷に耐え、ウェーハ温度を制御する高い信頼性が求められる。このような要求を同時に満足することは、困難である。

特開２０１０−４０６４４号公報

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、熱的・電気的・機械的な負荷に耐え得る、信頼性の高い静電チャックを提供することを目的とする。

第１の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記第１の導電部は、前記第１の樹脂層と対向する上面を有し、前記第１の空間部と前記第２の樹脂層との境界は、前記面内方向において前記第１の側端部から遠ざかるにつれて、前記上面を通り前記面内方向に延在する仮想面に近づくことを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、ヒータエレメントの第１の導電部の端部に、第１の空間部（空隙）が設けられている。ヒータエレメントが熱膨張しても、第１の導電部は、第１の空間部を埋めるように変形する。このため、ヒータエレメントが熱膨張により変形したときに、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。従って、負荷に対する耐性が高く、信頼性を向上させることができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。
また、熱膨張によりヒータエレメントが変形しても、空間部が埋められるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第２の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記第１の導電部は、前記第２の樹脂層と対向する下面を有し、前記第１の空間部と前記第１の樹脂層との境界は、前記面内方向において前記第１の導電部から遠ざかるにつれて、前記下面を通り前記面内方向に延在する仮想面に近づくことを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、ヒータエレメントの第１の導電部の端部に、第１の空間部（空隙）が設けられている。ヒータエレメントが熱膨張しても、第１の導電部は、第１の空間部を埋めるように変形する。このため、ヒータエレメントが熱膨張により変形したときに、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。従って、負荷に対する耐性が高く、信頼性を向上させることができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。
また、熱膨張によりヒータエレメントが変形しても、空間部が埋められるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第３の発明は、第１又は第２の発明において、前記第１の導電部は、前記面内方向において前記第１の側端部と離間した第２の側端部を有し、前記ヒータプレートは、前記第２の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第２の空間部を有することを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントの第１の導電部の端部に、第２の空間部（空隙）が設けられている。ヒータエレメントが熱膨張しても、第１の導電部は、第２の空間部を埋めるように変形する。このため、ヒータエレメントが熱膨張により変形したときに、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第４の発明は、第１〜第３のいずれか１つの発明において、前記第１の空間部の前記積層方向に沿った幅は、前記第１の導電部の前記積層方向に沿った幅以下であることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、熱膨張によりヒータエレメントが変形しても、空間部が埋められるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第５の発明は、第１〜第４のいずれか１つの発明において、前記第１の空間部の前記積層方向に沿った幅は、前記面内方向において前記第１の側端部から遠ざかるにつれて狭くなることを特徴とする静電チャックである。

第６の発明は、第１〜第５のいずれか１つの発明において、前記第１の導電部は、前記第１の樹脂層と対向する上面と、前記第２の樹脂層と対向する下面と、を有し、前記上面及び前記下面のうち一方の面の前記面内方向に沿った幅は、前記上面及び前記下面の他方の面の前記面内方向に沿った幅よりも狭いことを特徴とする静電チャックである。

第７の発明は、第６の発明において、前記第１の導電部の前記下面の前記面内方向に沿った前記幅は、前記第１の導電部の前記上面の前記面内方向に沿った前記幅よりも長いことを特徴とする静電チャックである。

ベースプレートがあるためにヒータエレメントの下方の温度が、ヒータエレメントの上方の温度よりも低くなり、上下方向において熱分布に偏りが生じることがある。この静電チャックによれば、このような上下方向における熱分布の偏りを抑制することができる。

第８の発明は、第６の発明において、前記第１の導電部の前記上面の前記面内方向に沿った前記幅は、前記第１の導電部の前記下面の前記面内方向に沿った前記幅よりも長いことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントの上面が長いことにより、処理対象物が配置されるヒータエレメントの上方を熱しやすくすることができる。また、ヒータエレメントの下面が比較的短いことにより、ヒータエレメントの下方を冷ましやすくすることができる。これにより、温度追従性（ランプレート）を向上させることができる。

第９の発明は、第６〜第８のいずれか１つの発明において、前記一方の面と前記第１の導電部の側面とは、曲面によって接続されていることを特徴とする静電チャックである。

第１０の発明は、第６〜第９のいずれか１つの発明において、前記第１の導電部の側面は、前記他方の面よりも粗いことを特徴とする静電チャックである。

第１１の発明は、第６〜第１０のいずれか１つの発明において、前記第１の支持板及び前記第２の支持板のうち一方の支持板と、前記第１の導電部の前記積層方向における中央を通り前記面内方向に延在する中央仮想面と、の間の距離は、前記第１の支持板及び前記第２の支持板のうち他方の支持板と、前記中央仮想面と、の間の距離よりも短く、前記一方の面は、前記一方の支持板と前記中央仮想面との間に位置することを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、熱膨張によりヒータエレメントが変形しても、空間部が埋められるため、第１の樹脂層及び第２の樹脂層に掛かる応力を低減することができる。したがって、ヒータエレメントと第１の樹脂層との剥離、及び、ヒータエレメントと第２の樹脂層との剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第１２の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記第１の支持板は、前記第２の支持板と電気的に接合され、前記第１の支持板が前記第２の支持板と接合された領域の面積は、前記第１の支持板の上面の面積よりも狭く、前記第２の支持板の下面の面積よりも狭いことを特徴とする静電チャックである。

第１３の発明は、第１〜第１１のいずれか１つの発明において、前記第１の支持板は、前記第２の支持板と電気的に接合されたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントを高周波から遮断することができる。これにより、ヒータエレメントが異常温度に発熱することを抑制することができる。また、ヒータプレートのインピーダンスを抑えることができる。

第１４の発明は、第１３の発明において、前記第１の支持板が前記第２の支持板と接合された領域の面積は、前記第１の支持板の上面の面積よりも狭く、前記第２の支持板の下面の面積よりも狭いことを特徴とする静電チャックである。

第１５の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記第１の支持板の上面は、第１の凹凸を有し、前記第２の支持板の下面は、第２の凹凸を有することを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の支持板の上面が第１の凹凸を有するため、第１の支持板とヒータエレメントとの間の接着面積をより広くすることができ、第１の支持板とヒータエレメントとの間の接着強度を向上させることができる。また、第２の支持板の下面が第２の凹凸を有するため、第２の支持板とヒータエレメントとの間の接着面積をより広くすることができ、第２の支持板とヒータエレメントとの間の接着強度を向上させることができる。さらに、第１の支持板の上面が第１の凹凸を有するため、ヒータエレメントと処理対象物との間の距離をより短くすることができる。これにより、処理対象物の温度を上昇させる速度を向上させることができる。

第１６の発明は、第１５の発明において、前記第１の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならい、前記第２の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならったことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の支持板とヒータエレメントとの間の接着面積をより広くすることができ、第１の支持板とヒータエレメントとの間の接着強度を向上させることができる。また、第２の支持板とヒータエレメントとの間の接着面積をより広くすることができ、第２の支持板とヒータエレメントとの間の接着強度を向上させることができる。さらに、ヒータエレメントと処理対象物との間の距離をより短くすることができる。これにより、処理対象物の温度を上昇させる速度を向上させることができる。

第１７の発明は、第１６の発明において、前記第１の凹凸の凹部と、前記第２の凹凸の凹部と、の間の距離は、前記第１の凹凸の凸部と、前記第２の凹凸の凸部と、の間の距離よりも短いことを特徴とする静電チャックである。

第１８の発明は、第１５〜第１７のいずれか１つの発明において、前記第１の凹凸の高さは、前記第２の凹凸の高さとは異なることを特徴とする静電チャックである。

第１９の発明は、第１〜第１８のいずれか１つの発明において、前記ヒータエレメントは、帯状のヒータ電極を有し、前記ヒータ電極は、複数の領域において互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータ電極が複数の領域において互いに独立した状態で設けられているため、処理対象物の面内の温度を各領域ごとに独立して制御することができる。これにより、処理対象物の面内の温度に意図的に差をつけることができる（温度制御性）。

第２０の発明は、第１〜第１９のいずれか１つの発明において、前記ヒータエレメントは、複数設けられ、前記複数の前記ヒータエレメントは、互いに異なる層に独立した状態で設けられたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントが互いに異なる層に独立した状態で設けられているため、処理対象物の面内の温度を各領域ごとに独立して制御することができる。これにより、処理対象物の面内の温度に意図的に差をつけることができる（温度制御性）。

第２１の発明は、第１〜第１９のいずれか１つの発明において、前記ヒータプレートは、前記第１の支持版と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有することを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントに電力を供給する端子の配置に対してより大きい自由度を持たせることができる。バイパス層が設けられることで、バイパス層が設けられていない場合と比較して熱容量が大きい端子をヒータエレメントに直接接合させなくともよい。これにより、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。また、バイパス層が設けられていない場合と比較して薄いヒータエレメントに端子を接合させなくともよい。これにより、ヒータプレートの信頼性を向上させることができる。

第２２の発明は、第２１の発明において、前記ヒータエレメントは、前記バイパス層と電気的に接合され、前記第１の支持板および前記第２の支持板とは電気的に絶縁されたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、バイパス層を介してヒータエレメントに外部から電力を供給することができる。

第２３の発明は、第２１又は第２２の発明において、前記バイパス層の厚さは、前記第１の樹脂層の厚さよりも厚いことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントに電力を供給する端子の配置に対してより大きい自由度を持たせることができる。また、バイパス層の電気抵抗を抑え、バイパス層の発熱量を抑えることができる。

第２４の発明は、第２１〜第２３のいずれか１つの発明において、前記バイパス層の厚さは、前記ヒータエレメントの厚さよりも厚いことを特徴とする静電チャックである。

第２５の発明は、第２１〜第２４のいずれか１つの発明において、前記バイパス層は、前記ヒータエレメントと、前記ベースプレートと、の間に設けられたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、バイパス層は、ヒータエレメントから供給された熱がベースプレートへ伝わることを抑制する。つまり、バイパス層は、バイパス層からみてベースプレートの側に対する断熱効果を有し、処理対象物の面内の温度分布の均一性を向上させることができる。

第２６の発明は、第２１〜第２４のいずれか１つの発明において、前記バイパス層は、前記ヒータエレメントと、前記セラミック誘電体基板と、の間に設けられたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータプレートへの電圧供給を遮断した瞬間、最も温度が高いヒータエレメントの熱をベースプレートに素早く伝えることができ、処理対象物の温度を下げる際の温度追従性（ランプレート）をより向上させることができる。

第２７の発明は、第２１〜第２６のいずれか１つの発明において、前記ヒータプレートは、前記バイパス層の側方に設けられた空間部をさらに有することを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、バイパス層が熱膨張しても空間部を埋めるように変形する。このため、バイパス層に隣接する樹脂層などにかかる応力を低減することができる。従って、バイパス層に隣接する樹脂層などの剥離を抑制することができる。例えば、ヒータプレートの負荷に対する耐性を向上させ、静電チャックの信頼性をより向上させることができる。さらには、バイパス層に隣接する層の剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。

第２８の発明は、第２７の発明において、前記第１の空間部の断面積及び前記バイパス層の側方の前記空間部の断面積の大小関係は、前記ヒータエレメントの厚さ及び前記バイパス層の厚さの大小関係と同じであることを特徴とする静電チャックである。

厚みが厚いと、熱膨張による体積増加が大きくなる。このため、空間部の断面績が大きいほうが、隣接する層の剥離抑制に有利である。従って、この静電チャックによれば、第１の導電部及びバイパス層に隣接する層の剥離を、より抑制することができる。剥離の発生にともなう処理対象物の温度変化をより確実に抑制することができる。

第２９の発明は、第２７又は第２８の発明において、前記第１の空間部の側端は、前記第１の導電部の厚さ方向の中央に対して前記第１の支持板側又は前記第２の支持板側にずれ、前記バイパス層の側方の前記空間部の側端は、前記バイパス層の厚さ方向の中央に対して前記第１の空間部の側端と同じ方向にずれることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の空間部及びバイパス層の空間部の形成に、複雑な方法などを用いる必要がなく、第１の空間部及びバイパス層の空間部の形成を容易にすることができる。

第３０の発明は、第２１〜第２９のいずれか１つの発明において、前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と同じであることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１面及び第３面の幅が狭い場合には、第１面〜第４面に対して垂直な方向における熱分布のバラツキをより抑制することができる。反対に、第１面及び第３面の幅が広い場合には、第１面及び第３面側において熱を持ち易くするとともに、第２面及び第４面側において熱を冷まし易くし、温度追従性（ランプレート）をより向上させることができる。

第３１の発明は、第２１〜第２９のいずれか１つの発明において、前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と反対であることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、バイパス層の熱膨張によって加わる応力の方向を、ヒータエレメントの熱膨張によって加わる応力の方向と逆向きにすることができる。これにより、応力の影響をより抑制することができる。

第３２の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層と、前記バイパス層の側方に設けられた空間部と、をさらに有し、前記第１の空間部の側端は、前記第１の導電部の厚さ方向の中央に対して前記第１の支持板側又は前記第２の支持板側にずれ、前記バイパス層の側方の前記空間部の側端は、前記バイパス層の厚さ方向の中央に対して前記第１の空間部の側端と同じ方向にずれることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第１の空間部及びバイパス層の空間部の形成に、複雑な方法などを用いる必要がなく、第１の空間部及びバイパス層の空間部の形成を容易にすることができる。
第３３の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有し、前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と同じであることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、第１面及び第３面の幅が狭い場合には、第１面〜第４面に対して垂直な方向における熱分布のバラツキをより抑制することができる。反対に、第１面及び第３面の幅が広い場合には、第１面及び第３面側において熱を持ち易くするとともに、第２面及び第４面側において熱を冷まし易くし、温度追従性（ランプレート）をより向上させることができる。
第３４の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有し、前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と反対であることを特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、バイパス層の熱膨張によって加わる応力の方向を、ヒータエレメントの熱膨張によって加わる応力の方向と逆向きにすることができる。これにより、応力の影響をより抑制することができる。

第３５の発明は、第１〜第３４のいずれか１つの発明において、前記第１の支持板の上面の面積は、前記第２の支持板の下面の面積よりも広いことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、ヒータエレメントからみて第２の支持板の側において、ヒータエレメントに電力を供給する端子をより容易に接続することができる。

第３６の発明は、第１〜第３５のいずれか１つの発明において、前記第１の支持板は、複数の支持部を有し、前記複数の支持部は、互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の支持板の面内において意図的に径方向の温度差を設けることができる（温度制御性）。例えば、第１の支持板の面内において中央部から外周部にわたってステップ状に温度差を設けることができる。これにより、処理対象物の面内において意図的に温度差を設けることができる（温度制御性）。

第３７の発明は、処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、を備え、前記ヒータプレートは、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、を有し、前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、前記第１の支持板の前記第２の支持板側の面は、前記積層方向に沿ってみたときに、前記ヒータエレメントと重なる第１領域と、前記ヒータエレメントと重ならない第２領域と、を有し、前記積層方向に対して平行な断面において、前記第２領域は、前記第１領域に比べて前記第２の支持板側に突出していることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の支持板に近接する層と第１の支持板との密着性を向上させることができる。これにより、設計通りの均熱性と耐電圧特性を実現することができる。

第３８の発明は、第３７の発明において、前記第２の支持板の前記第１の支持板側の面は、前記積層方向に沿ってみたときに、前記ヒータエレメントと重なる第３領域と、前記ヒータエレメントと重ならない第４領域と、を有し、前記積層方向に対して平行な断面において、前記第４領域は、前記第３領域に比べて前記第１の支持板側に突出していることを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第２の支持板に近接する層と第２の支持板との密着性を向上させることができる。これにより、設計通りの均熱性と耐電圧特性を実現することができる。

第３９の発明は、第３７又は第３８の発明において、前記第１の支持板の前記第２の支持板側の面は、前記ヒータエレメントの形状にならった凹凸を有し、前記第２の支持板の前記第１の支持板側の面は、前記ヒータエレメントの形状にならった凹凸を有することを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、設計通りの均熱性と耐電圧特性を実現できる。また、処理対象物の温度を上昇させる速度を向上させることができる。したがって、例えば「ヒータの加熱性能（昇温速度）」と、「温度均一性」「耐電圧信頼性」と、の両立が可能となる。

第４０の発明は、第３８の発明において、前記第２領域と前記第４領域との間の前記積層方向に沿った距離は、前記第１領域と前記第３領域との間の前記積層方向に沿った距離よりも短いことを特徴とする静電チャックである。

この静電チャックによれば、第１の支持板に近接する層と第１の支持板との密着性が高い。また、第２の支持板に近接する層と第２の支持板との密着性が高い。これにより、設計通りの均熱性と耐電圧特性を実現できる。また、処理対象物の温度を上昇させる速度を向上させることができる。したがって、例えば「ヒータの加熱性能（昇温速度）」と、「温度均一性」「耐電圧信頼性」と、の両立が可能となる。

本発明の態様によれば、熱的・電気的・機械的な負荷に耐え得る、信頼性の高い静電チャックが提供される。

本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的斜視図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。本実施形態のヒータプレートを表す模式的斜視図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的斜視図である。本実施形態のヒータプレートを表す模式的分解図である。本実施形態のヒータプレートの一部を表す断面図である。本実施形態のヒータプレートの写真像である。図８（ａ）〜図８（ｄ）は、ヒータプレートを表す断面図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、ヒータプレートを表す断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。本実施形態のヒータプレートの変形例を表す模式的分解図である。図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、本実施形態の製造方法の一例を例示する模式的断面図である。本実施形態の製造方法の他の一例を例示する模式的断面図である。本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的分解図である。図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、静電チャックを表す電気回路図である。図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの具体例を表す模式的平面図である。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、本具体例のヒータエレメントを例示する模式的平面図である。本具体例のヒータエレメントを例示する模式的平面図である。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、本具体例のバイパス層を例示する模式的平面図である。図２２（ａ）〜図２２（ｃ）は、本具体例のヒータプレートの一部を模式的に表す拡大図である。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの表面の形状を説明する模式図である。本実施形態のヒータプレートを表す模式的断面図である。図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、本実施形態の変形例にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。図２６（ａ）及び図２６（ｂ）は、本実施形態の第１の支持板の変形例を表す模式的平面図である。本実施形態の第１の支持板の変形例を表す模式的平面図である。本変形例のヒータプレートを表す模式的断面図である。図２９（ａ）〜図２９（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。図３０（ａ）〜図３０（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。図３１（ａ）〜図３１（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。図３２（ａ）〜図３２（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的斜視図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。
図１では、説明の便宜上、静電チャックの一部において断面図を表している。図２（ａ）は、例えば図１に表した切断面Ａ１−Ａ１における模式的断面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に表した領域Ｂ１の模式的拡大図である。

本実施形態にかかる静電チャック１０は、セラミック誘電体基板１００と、ヒータプレート２００と、ベースプレート３００と、を備える。
セラミック誘電体基板１００は、ベースプレート３００と積層方向（Ｚ方向）において離れた位置に設けられている。ヒータプレート２００は、ベースプレート３００と、セラミック誘電体基板１００と、の間に設けられている。

ベースプレート３００とヒータプレート２００との間には、接着剤４０３が設けられている。ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間には、接着剤４０３が設けられている。接着剤４０３の材料としては、比較的高い熱伝導性を有するシリコーン等の耐熱性樹脂が挙げられる。接着剤４０３の厚さは、例えば約０．１ミリメートル（ｍｍ）以上、１．０ｍｍ以下程度である。接着剤４０３の厚さは、ベースプレート３００とヒータプレート２００との間の距離、あるいはヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間の距離と同じである。

セラミック誘電体基板１００は、例えば多結晶セラミック焼結体による平板状の基材であり、半導体ウェーハ等の処理対象物Ｗが載置される第１主面１０１と、第１主面１０１とは反対側の第２主面１０２と、を有する。

ここで、本実施形態の説明においては、第１主面１０１と第２主面１０２とを結ぶ方向をＺ方向、Ｚ方向と直交する方向の１つをＸ方向、Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向をＹ方向ということにする。Ｚ方向は、ベースプレート３００、ヒータプレート２００、およびセラミック誘電体基板１００の積層方向と実質的に平行である。本実施形態の説明において、面内方向とは、Ｘ方向及びＹ方向を含む平面と平行な１つの方向である。

セラミック誘電体基板１００に含まれる結晶の材料としては、例えばＡｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３及びＹＡＧなどが挙げられる。このような材料を用いることで、セラミック誘電体基板１００における赤外線透過性、絶縁耐性及びプラズマ耐久性を高めることができる。

セラミック誘電体基板１００の内部には、電極層１１１が設けられている。電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されている。すなわち、電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００の中に挿入されるように形成されている。電極層１１１は、セラミック誘電体基板１００に一体焼結されている。

なお、電極層１１１は、第１主面１０１と、第２主面１０２と、の間に介設されていることに限定されず、第２主面１０２に付設されていてもよい。

静電チャック１０は、電極層１１１に吸着保持用電圧を印加することによって、電極層１１１の第１主面１０１側に電荷を発生させ、静電力によって処理対象物Ｗを吸着保持する。

ヒータプレート２００は、ヒータ用電流が流れることによって発熱し、ヒータプレート２００が発熱しない場合と比較して処理対象物Ｗの温度を上げることができる。

電極層１１１は、第１主面１０１及び第２主面１０２に沿って設けられている。電極層１１１は、処理対象物Ｗを吸着保持するための吸着電極である。電極層１１１は、単極型でも双極型でもよい。また、電極層１１１は、三極型やその他の多極型であってもよい。電極層１１１の数や電極層１１１の配置は、適宜選択される。

セラミック誘電体基板１００は、電極層１１１と第１主面１０１との間の第１誘電層１０７と、電極層１１１と第２主面１０２との間の第２誘電層１０９と、を有する。セラミック誘電体基板１００のうち少なくとも第１誘電層１０７における赤外線分光透過率は、２０％以上であることが好ましい。本実施形態において、赤外線分光透過率は、厚さ１ｍｍ換算での値である。

セラミック誘電体基板１００のうち少なくとも第１誘電層１０７における赤外線分光透過率が２０％以上あることで、第１主面１０１に処理対象物Ｗを載置した状態でヒータプレート２００から放出される赤外線がセラミック誘電体基板１００を効率良く透過することができる。したがって、処理対象物Ｗに熱が蓄積し難くなり、処理対象物Ｗの温度の制御性が高まる。

例えば、プラズマ処理を行うチャンバ内で静電チャック１０が使用される場合、プラズマパワーの増加に伴い処理対象物Ｗの温度は上昇しやすくなる。本実施形態の静電チャック１０では、プラズマパワーによって処理対象物Ｗに伝わった熱がセラミック誘電体基板１００に効率良く伝わる。さらに、ヒータプレート２００によってセラミック誘電体基板１００に伝わった熱が処理対象物Ｗに効率よく伝わる。したがって、効率良く熱が伝えられ、処理対象物Ｗを所望の温度に維持しやすくなる。

本実施形態に係る静電チャック１０では、第１誘電層１０７に加え、第２誘電層１０９における赤外線分光透過率も２０％以上あることが望ましい。第１誘電層１０７及び第２誘電層１０９の赤外線分光透過率が２０％以上あることで、ヒータプレート２００から放出される赤外線がさらに効率良くセラミック誘電体基板１００を透過することになり、処理対象物Ｗの温度制御性を高めることができる。

ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の第２主面１０２側に設けられ、ヒータプレート２００を介してセラミック誘電体基板１００を支持する。ベースプレート３００には、連通路３０１が設けられている。つまり、連通路３０１は、ベースプレート３００の内部に設けられている。ベースプレート３００の材料としては、例えばアルミニウムが挙げられる。

ベースプレート３００は、セラミック誘電体基板１００の温度調整を行う役目を果たす。例えば、セラミック誘電体基板１００を冷却する場合には、連通路３０１へ冷却媒体を流入させる。流入した冷却媒体は、連通路３０１を通過し、連通路３０１から流出する。これにより、冷却媒体によってベースプレート３００の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板１００を冷却することができる。

一方、セラミック誘電体基板１００を加熱する場合には、連通路３０１内に加熱媒体を入れることも可能である。又は、ベースプレート３００に図示しないヒータを内蔵させることも可能である。このように、ベースプレート３００によりセラミック誘電体基板１００の温度が調整されると、静電チャック１０で吸着保持される処理対象物Ｗの温度を容易に調整することができる。

また、セラミック誘電体基板１００の第１主面１０１側には、必要に応じて凸部１１３が設けられている。互いに隣り合う凸部１１３の間には、溝１１５が設けられている。溝１１５は、互いに連通している。静電チャック１０に搭載された処理対象物Ｗの裏面と、溝１１５と、の間には、空間が形成される。

溝１１５には、ベースプレート３００及びセラミック誘電体基板１００を貫通する導入路３２１が接続されている。処理対象物Ｗを吸着保持した状態で導入路３２１からヘリウム（Ｈｅ）等の伝達ガスを導入すると、処理対象物Ｗと溝１１５との間に設けられた空間に伝達ガスが流れ、処理対象物Ｗを伝達ガスによって直接加熱もしくは冷却することができるようになる。

図３は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的斜視図である。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的斜視図である。
図５は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的分解図である。
図３は、本実施形態のヒータプレートを上面（セラミック誘電体基板１００の側の面）から眺めた模式的斜視図である。図４（ａ）は、本実施形態のヒータプレートを下面（ベースプレート３００の側の面）から眺めた模式的斜視図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に表した領域Ｂ２における模式的拡大図である。

図５に表したように、本実施形態のヒータプレート２００は、第１の支持板２１０と、第１の樹脂層２２０と、ヒータエレメント（発熱層）２３０と、第２の樹脂層２４０と、第２の支持板２７０と、給電端子２８０と、を有する。図３に表したように、第１の支持板２１０の面２１１（上面）は、ヒータプレート２００の上面を形成する。図４に表したように、第２の支持板２７０の面２７１（下面）は、ヒータプレート２００の下面を形成する。第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０などを支持する支持板である。この例において、第１支持板２１０及び第２支持板２７０は、第１の樹脂層２２０と、ヒータエレメント２３０と、第２の樹脂層２４０と、を挟み、これらを支持する。

第１の支持板２１０は、セラミック誘電体基板１００とベースプレート３００との間に設けられている。第２の支持板２７０は、第１の支持板２１０とベースプレート３００との間に設けられている。第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第２の樹脂層２４０は、第１の樹脂層２２０と第２の支持板２７０との間に設けられている。ヒータエレメント２３０は、第１の樹脂層２２０と第２の樹脂層２４０との間に設けられている。

第１の支持板２１０は、比較的高い熱伝導率を有する。第１の支持板２１０の材料としては、例えばアルミニウム、銅、およびニッケルの少なくともいずれかを含む金属や、多層構造のグラファイトなどが挙げられる。一般に二律背反の関係にある「処理対象物の面内温度均一性」と「高スループット」とを両立させる観点、及びチャンバへの汚染や磁性の観点から、第１の支持板２１０の材料としては、アルミニウム又はアルミニウム合金が適している。第１の支持板２１０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．１ｍｍ以上、５．０ｍｍ以下程度である。より好ましくは、第１の支持板２１０の厚さは、例えば０．３ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下程度である。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００の面内の温度分布の均一化を向上させる。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００の反りを抑制する。第１の支持板２１０は、ヒータプレート２００とセラミック誘電体基板１００との間の接着の強度を向上させる。

処理対象物Ｗの処理プロセスでは、ＲＦ（Radio Frequency）電圧（高周波電圧）が印加される。高周波電圧が印加されると、ヒータエレメント２３０は、高周波の影響を受けて発熱することがある。すると、ヒータエレメント２３０の温度制御性が低下する。
これに対して、本実施形態では、第１の支持板２１０は、ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断する。これにより、第１の支持板２１０は、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができる。

第２の支持板２７０の材料、厚さ、および機能は、求められる性能、寸法などに応じて自由に設定することができる。例えば、第２の支持板２７０の材料、厚さ、および機能は、第１の支持板２１０の材料、厚さ、および機能とそれぞれ同じとすることができる。第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。ここで、本願明細書において「接合」という範囲には、接触が含まれる。第２の支持板２７０と、第１の支持板２１０と、の間の電気的な接合の詳細については、後述する。

このように、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、比較的高い熱伝導率を有する。これにより、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０から供給される熱の熱拡散性を向上させる。また、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、適度な厚さ及び剛性を有することにより、例えば、ヒータプレート２００の反りを抑制する。さらに、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、例えば、ウェーハ処理装置の電極などに印加されるＲＦ電圧に対するシールド性を向上させる。例えば、ヒータエレメント２３０に対するＲＦ電圧の影響を抑制する。このように、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、熱拡散の機能と、反り抑制の機能と、ＲＦ電圧に対するシールドの機能と、を有する。

第１の樹脂層２２０の材料としては、例えばポリイミドやポリアミドイミドなどが挙げられる。第１の樹脂層２２０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、２０μｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度であり、例えば５０μｍである。第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０とを互いに接合する。第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０との間を電気的に絶縁する。このように、第１の樹脂層２２０は、電気絶縁の機能と、面接合の機能と、を有する。

第２の樹脂層２４０の材料および厚さは、第１の樹脂層２２０の材料および厚さとそれぞれ同程度である。

第２の樹脂層２４０は、ヒータエレメント２３０と第２の支持板２７０とを互いに接合する。第２の樹脂層２４０は、ヒータエレメント２３０と第２の支持板２７０との間を電気的に絶縁する。このように、第２の樹脂層２４０は、電気絶縁の機能と、面接合の機能と、を有する。

ヒータエレメント２３０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。ヒータエレメント２３０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、１０μｍ以上、０．２０ｍｍ以下程度であり、例えば３０μｍである。ヒータエレメント２３０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。

ヒータエレメント２３０は、電流が流れると発熱し、処理対象物Ｗの温度を制御する。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗを所定の温度に加熱する。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗの面内の温度分布を均一にする。例えば、ヒータエレメント２３０は、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつける。ヒータエレメント２３０は、帯状のヒータ電極２３９を有する。

給電端子２８０は、ヒータエレメント２３０と電気的に接合されている。ヒータプレート２００がベースプレート３００とセラミック誘電体基板１００との間に設けられた状態において、給電端子２８０は、ヒータプレート２００からベースプレート３００へ向かって設けられている。給電端子２８０は、静電チャック１０の外部から供給された電力をヒータエレメント２３０に供給する。

ヒータプレート２００は、複数の給電端子２８０を有する。図３〜図５に表したヒータプレート２００は、８つの給電端子２８０を有する。給電端子２８０の数は、「８」には限定されない。１つの給電端子２８０は、１つのヒータ電極２３９と電気的に接合されている。孔２７３は、第２の支持板２７０を貫通している。給電端子２８０は、孔２７３を通してヒータ電極２３９と電気的に接合されている。

図５に表した矢印Ｃａおよび矢印Ｃｂのように、電力が静電チャック１０の外部から給電端子２８０に供給されると、電流は、図５に表した矢印Ｃｃのように、ヒータエレメント２３０の所定のゾーン（領域）を流れる。ヒータエレメント２３０のゾーンの詳細については、後述する。ヒータエレメント２３０へ流れた電流は、図５に表した矢印Ｃｄおよび矢印Ｃｅのように、給電端子２８０へ流れ、給電端子２８０から静電チャック１０の外部へ流れる。

このように、ヒータエレメント２３０と給電端子２８０との接合部には、電流がヒータエレメント２３０に入る部分と、電流がヒータエレメント２３０から出る部分と、が存在する。つまり、ヒータエレメント２３０と給電端子２８０との接合部には、ペアが存在する。図３〜図５に表したヒータプレート２００は８つの給電端子２８０を有するため、ヒータエレメント２３０と給電端子２８０との接合部には、４つのペアが存在する。

本実施形態によれば、ヒータエレメント２３０は、第１の支持板２１０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。これにより、ヒータプレート２００の面内の温度分布の均一化を向上させ、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。また、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０（および後述のバイパス層２５０）を高周波から遮断し、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができる。

前述したように、給電端子２８０は、ヒータプレート２００からベースプレート３００へ向かって設けられている。そのため、ベースプレート３００の下面３０３（図２（ａ）および図２（ｂ）参照）の側からソケットなどと呼ばれる部材を介して給電端子２８０に電力を供給することができる。これにより、静電チャック１０が設置されるチャンバ内に給電端子２８０が露出することを抑えつつ、ヒータの配線が実現される。

次に、本実施形態のヒータプレート２００の製造方法について、説明する。
本実施形態にかかるヒータプレート２００の製造方法では、例えば、まずアルミニウムの機械加工を行うことで、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０を製造する。第１の支持板２１０および第２の支持板２７０の検査は、例えば三次元測定器などを用いて行われる。

次に、例えば、ポリイミドフィルムをレーザ、機械加工、型抜き、あるいは溶解などによりカットすることで、第１の樹脂層２２０、および第２の樹脂層２４０を製造する。第１の樹脂層２２０、および第２の樹脂層２４０の検査は、例えば目視などを用いて行われる。

次に、ステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属をフォトリソグラフィ技術や印刷技術を利用しエッチング、機械加工、型抜きなどによりカットすることで、ヒータパターンを形成する。これにより、ヒータエレメント２３０を製造する。また、ヒータエレメント２３０の抵抗値の測定などが行われる。

続いて、ヒータプレート２００の各部材を積層した積層体を圧着する。
このようにして、本実施形態のヒータプレート２００が製造される。
なお、製造後のヒータプレート２００に対しては、検査などが適宜行われる。

本実施形態に係るヒータプレート２００の構造について、図面を参照しつつ、さらに説明する。
図６は、本実施形態のヒータプレートの一部を表す断面図である。
図７は、本実施形態のヒータプレートの写真像である。図７では、図６に表した領域Ｂ３に対応する断面を観察している。
本実施形態において、ヒータ電極２３９は、複数の領域に独立して配置されている。例えば、図６に表したように、ヒータ電極２３９（ヒータエレメント２３０）は、第１の導電部２１と、第２の導電部２２と、を有する。第２の導電部２２は、面内方向Ｄｐ（例えばＸ方向）において第１の導電部２１と離間している。第１の導電部２１及び第２の導電部２２は、ヒータ電極２３９の一部である。第１の導電部２１と第２の導電部２２との間の距離（第１の導電部２１と第２の導電部２２との間の離間部分２３５の幅Ｌ８）は、例えば、５００μｍ以上である。このように、ヒータ電極２３９が、複数の領域に配置されることによって、処理対象物Ｗの面内の温度を各領域ごとに制御することができる。なお、ヒータ電極２３９のパターンの具体例については、図１９（ａ）、図１９（ｂ）及び図２０に関して後述する。

第１の導電部２１は、側端部２１ａ（第１の側端部）と、側端部２１ｂ（第２の側端部）と、を有する。側端部２１ａ及び側端部２１ｂは、第１の導電部２１の面内方向Ｄｐにおける両端部である。側端部２１ａは、第２の導電部２２側に位置する。側端部２１ｂは、側端部２１ａとは反対側の端部であり、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａと離間している。

同様に、第２の導電部２２は、側端部２２ａ（第３の側端部）と、側端部２２ｂ（第４の側端部）と、を有する。側端部２２ａ及び側端部２２ｂは、第２の導電部２２の面内方向Ｄｐにおける両端部である。側端部２２ａは、第１の導電部２１側に位置する。側端部２２ｂは、側端部２２ａとは反対側の端部であり、面内方向Ｄｐにおいて側端部２２ａと離間している。

ヒータプレート２００は、第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄを有する。
第１の空間部２３ａは、側端部２１ａと、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、によって区画された（囲まれた）空間である。第１の空間部２３ａは、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａと隣接しており、第１の導電部２１と第２の導電部２２との間に位置する。

第２の空間部２３ｂは、側端部２１ｂと、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、によって区画された空間である。第２の空間部２３ａは、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ｂと隣接している。第１の導電部２１は、第１の空間部２３ａと第２の空間部２３ｂとの間に位置する。

第３の空間部２３ｃは、側端部２２ａと、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、によって区画された空間である。第３の空間部２３ｃは、面内方向Ｄｐにおいて側端部２２ａと隣接しており、第１の導電部２１と第２の導電部２２との間に位置する。

第４の空間部２３ｄは、側端部２２ｂと、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、によって区画された空間である。第４の空間部２３ｄは、面内方向Ｄｐにおいて側端部２２ｂと隣接している。第２の導電部２２は、第３の空間部２３ｃと第４の空間部２３ｄとの間に位置する。

第１の空間部２３ａのＺ方向に沿った幅Ｌ２は、第１の導電部２１のＺ方向に沿った幅Ｌ１以下である。第２の空間部２３ｂのＺ方向に沿った幅は、第１の導電部２１のＺ方向に沿った幅以下である。同様に、第３の空間部２３ｃのＺ方向に沿った幅、及び、第４の空間部２３ｄのＺ方谷に沿った幅は、それぞれ、第２の導電部２２のＺ方向に沿った幅以下である。

ヒータ電極２３９の互いに離間した領域同士の間においては、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、は接している。例えば、図６においては、第１の空間部２３ａのＺ方向に沿った幅Ｌ２は、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａから遠ざかるにつれて、狭くなっている。そして、第１の樹脂層２２０は、第１の導電部２１と第２の導電部２２との間において、第２の樹脂層２４０と接している。例えば、第１の空間部２３ａの面内方向Ｄｐに沿った長さＬ３は、第１の導電部２１のＺ方向に沿った幅Ｌ１の１倍以上１５倍以下程度である。第１の導電部２１のＺ方向に沿った幅Ｌ１は、例えば、３０μｍ（１０μｍ以上５０μｍ以下）である。

この例では、第１の空間部２３ａは、側端部２１ａから遠ざかるにつれて、上側及び下側から潰れされた形状を有している。すなわち、第１の空間部２３ａと第１の樹脂層２２０との境界は、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａから遠ざかるにつれて、図６に示した仮想面Ｐ１（仮想線）に近づく。また、第１の空間部２３ａと第２の樹脂層２４０との境界は、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａから遠ざかるにつれて、仮想面Ｐ１に近づく。なお、仮想面Ｐ１は、第１導電部２１のＺ方向における中央付近を通り、面内方向Ｄｐに平行な面である。第２〜第４の空間部２３ｂ〜２３ｄも、同様に、上側及び下側から潰された形状を有している。

ヒータ電極２３９に電流が流れて、ヒータプレート２００が発熱すると、ヒータ電極２３９の熱膨張が生じる。例えば、第１の樹脂層２２０の熱膨張係数と、ヒータ電極２３９の熱膨張係数とは、異なることがある。また、例えば、第１の樹脂層２２０の温度と、ヒータ電極２３９の温度とは、異なることがある。このため、ヒータ電極２３９が熱膨張によって変形すると、第１の樹脂層２２０に応力が掛かる。この応力によって、第１の樹脂層２２０とヒータ電極２３９との剥離が生じることがある。剥離が生じた領域においては、ヒータ電極２３９から処理対象物Ｗへの熱伝導が阻害される。このため、処理対象物Ｗの温度が局所的に低下することがある。

同様に、第２の樹脂層２４０とヒータ電極２３９とが剥離することがある。剥離が生じた領域においては、ヒータ電極２３９から冷却媒体への熱伝導が阻害される。このため、処理対象物Ｗの温度が局所的に上昇することがある。処理対象物Ｗに局所的な温度の変化が生じると、エッチングなどの加工の精度が低くなる。その結果、半導体チップなどの歩留まりが低下することがある。

これに対して、実施形態に係る静電チャックにおいては、複数の領域に分離して設けられたヒータ電極２３９の各側端部に、空隙（第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄなど）が設けられている。これにより、例えば、ヒータ電極２３９は、空隙に向かって膨張することができる。ヒータ電極２３９が熱膨張によって変形しても、空隙が埋められるため、第１の樹脂層２２０及び第２の樹脂層２４０に掛かる応力を低減することができる。これにより、ヒータ電極２３９と第１の樹脂層２２０との剥離、及び、ヒータ電極２３９と第２の樹脂層２４０との剥離を抑制することができる。したがって、熱伝導が局所的に阻害されることを抑制し、処理対象物Ｗの局所的な温度変化を抑制することができる。すなわち、温度均一性及び温度制御性を向上させ、処理対象物の温度を安定して制御することができる。エッチングなどの加工精度及び歩留まりを向上させることができる。

本願発明者は、上述の応力の低減について、シミュレーションによる評価を行った。
図８（ａ）〜図８（ｄ）、図９（ａ）及び図９（ｂ）は、ヒータプレートを表す断面図である。
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、シミュレーションの条件を表している。図８（ａ）は、シミュレーションに用いたヒータプレートの構造を示す。図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、図８（ａ）に表した領域Ｂ４の拡大断面図である。図８（ｂ）は、比較例に係るヒータプレートＨ１の構造を示し、図８（ｃ）は、実施例に係るヒータプレートＨ２の構造を示す。

実施例に係るヒータプレートＨ２は、上述のヒータプレート２００と同様に、空間部２３を有する。空間部２３は、ヒータエレメント２３０（ヒータ電極２３９）の側端部と、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、によって区画されている。比較例に係るヒータプレートＨ１においては、空間部２３が設けられていない。これ以外については、ヒータプレートＨ１は、ヒータプレートＨ２と同様である。

図８（ｄ）に表したように、Ｚ方向における変位を拘束した状態において、ヒータエレメント２３０が発熱したときに、ヒータプレートに生じる応力を計算した。

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、シミュレーションの結果を表している。図９（ａ）は、比較例に係るヒータプレートＨ１において、第１の樹脂層２２０及び第２の樹脂層２４０に生じる応力の大きさを示す。図９（ｂ）は、実施例に係るヒータプレートＨ２において、第１の樹脂層２２０及び第２の樹脂層２４０に生じる応力の大きさを示す。

図９（ａ）及び図９（ｂ）に表したように、応力は、ヒータエレメント２３０の側端部付近において大きい。また、実施例に係るヒータプレートＨ２に生じる応力は、比較例に係るヒータプレートＨ１に生じる応力よりも小さい。例えば、ヒータプレートＨ１における応力の最大値は、１１０メガパスカル程度である。一方、ヒータプレートＨ２における応力の最大値は、５４メガパスカル程度である。

以上説明したように、実施形態に係る静電チャックにおいては、ヒータエレメントの側端部に隣接する空間部が設けられることにより、第１の樹脂層２２０及び第２の樹脂層２４０に生じる応力を緩和することができる。これにより、剥離を抑制し、処理対象物の温度を安定して制御することができる。

既に述べたとおり、本実施形態のヒータプレート２００は、圧着により形成される。圧着の圧力が小さいと各部材同士の接着が不十分となり、熱伝導が阻害される。このため、十分な圧力でヒータプレート２００の各部材が圧着される。このとき、ヒータ電極２３９の側端部の空間は、上側及び下側から潰される。このため、第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄが小さくなり、熱膨張によって生じる応力を十分に低減できないことがある。圧着条件や積層体の構成（材料など）を調整することで、適度な大きさの第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄを形成することができる。また、第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄが大きすぎる場合は、第１の樹脂層２２０と第２の樹脂層２４０との接触が不十分となり、熱伝導が阻害されることがある。

図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。
図１０（ａ）に表した例においては、第１の空間部２３ａは、側端部２１ａから遠ざかるにつれて、下側から潰された形状を有している。すなわち、第１の空間部２３ａと第２の樹脂層２４０との境界は、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａから遠ざかるにつれて、図１０（ａ）に示した仮想面Ｐ２（仮想線）に近づく。また、第１の空間部２３ａと第１の樹脂層２２０との境界は、仮想面Ｐ２に沿って延びている。なお、仮想面Ｐ２は、第１の導電部２１の上面２１Ｕを通り、面内方向Ｄｐに延在する面である。上面２１Ｕは、第１の樹脂層２２０と対向する面であり、第１の導電部２１は、上面２１Ｕにおいて第１の樹脂層２２０と接している。第２〜第４の空間部２３ｂ〜２３ｄも、同様に、下側から潰された形状を有している。

図１０（ｂ）に表した例においては、第１の空間部２３ａは、側端部２１ａから遠ざかるにつれて、上側から潰された形状を有している。すなわち、第１の空間部２３ａと第１の樹脂層２２０との境界は、面内方向Ｄｐにおいて側端部２１ａから遠ざかるにつれて、図１０（ｂ）に示した仮想面Ｐ３（仮想線）に近づく。また、第１の空間部２３ａと第２の樹脂層２４０との境界は、仮想面Ｐ３に沿って延びている。なお、仮想面Ｐ３は、第１の導電部２１の下面２１Ｌを通り、面内方向Ｄｐに延在する面である。下面２１Ｌは、第２の樹脂層２４０と対向する面であり、第１の導電部２１は、下面２１Ｌにおいて第２の樹脂層２４０と接している。第２〜第４の空間部２３ｂ〜２３ｄも、同様に、下側から潰された形状を有している。

第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄが上側及び下側のいずれか一方から潰された形状であることにより、両側から潰された形状に比べて、圧着時に第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄの大きさを確保しやすい。圧着条件や積層体の構成（材料など）を調整することにより、第１〜第４の空間部２３ａ〜２３ｄの形状を調整することができる。

図６、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に表した例では、上面２１Ｕの面内方向Ｄｐに沿った幅は、下面２１Ｌの面内方向Ｄｐに沿った幅と略同じである。

図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に表した例においては、ヒータ電極２３９の上面の幅は、ヒータ電極２３９の下面の幅と異なる。具体的には、例えば、第１の導電部２１の上面２１Ｕの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ４は、第１の導電部２１の下面２１Ｌの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ５とは異なる。言い換えると、上面２１Ｕ及び下面２１Ｌのうち一方の面の面内方向Ｄｐに沿った幅は、上面２１Ｕ及び下面２１Ｌのうち他方の面の面内方向Ｄｐに沿った幅よりも短い。

図１１（ａ）は、ヒータ電極２３９の上面の幅が、ヒータ電極２３９の下面の幅よりも狭い例を示す。例えば、幅Ｌ４は、幅Ｌ５よりも狭い。図１１（ｂ）は、ヒータ電極２３９の下面の幅が、ヒータ電極２３９の上面の幅よりも狭い例を示す。例えば、幅Ｌ５は、幅Ｌ４よりも狭い。

ヒータ電極２３９は、上面と下面とをつなぐ側面を有する。側面は、ヒータ電極２３９と隣接する空間部（空隙）に接する面である。この側面は、ヒータ電極２３９の上面及び下面のうち面内方向に沿った幅が広い方の面よりも粗い。
例えば、第１の導電部２１は、上面２１Ｕと下面２１Ｌとをつなぐ側面Ｓ１及び側面Ｓ２を有する。側面Ｓ１は、第１の空間部２３ａと接する面であり、側面Ｓ２は、第２の空間部２３ｂと接する面である。側面Ｓ１及び側面Ｓ２のそれぞれは、上面２１Ｕ及び下面２１Ｌのうち面内方向Ｄｐに沿った幅が広い方の面よりも粗い。例えば、図１１（ａ）に表した例では、側面Ｓ１及び側面Ｓ２のそれぞれは、下面２１Ｌよりも粗い。また、図１１（ｂ）に表した例では、側面Ｓ１及び側面Ｓ２のそれぞれは、上面２１Ｕよりも粗い。

上面２１Ｕ及び下面２１Ｌのうち幅が狭い方の面と、側面とは、曲面によって接続されている。例えば、図１１（ａ）に表した例では、側面Ｓ１と上面２１Ｕとの接続部Ｂ５、及び側面Ｓ２と上面２１Ｕとの接続部Ｂ６は、曲面状である。図１１（ｂ）に表した例では、側面Ｓ１と下面２１Ｌとの接続部Ｂ７、及び側面Ｓ２と下面２１Ｌとの接続部Ｂ８は、曲面状である。すなわち、ヒータ電極２３９の角が丸められている。

例えば、角を丸めることにより、応力の集中が抑制される。図１１（ａ）に表した例では、ヒータ電極２３９の熱膨張によって第１の樹脂層２２０に掛かる応力が抑制される。これにより、ヒータ電極２３９と第１の樹脂層２２０との剥離をより抑制することができる。したがって、ヒータ電極２３９から処理対象物Ｗへの熱伝導の安定性が向上する。

一方、図１１（ｂ）に表した例では、ヒータ電極２３９の熱膨張によって第２の樹脂層２４０に掛かる応力が抑制される。これにより、ヒータ電極２３９と第２の樹脂層２４０との剥離をより抑制することができる。したがって、ヒータ電極２３９から冷却媒体への熱伝導の安定性が向上する。

図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例の一部を表す断面図である。
図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に表した例においても、ヒータ電極２３９の上面の幅は、ヒータ電極２３９の下面の幅と異なる。この例では、ヒータ電極２３９の上面及び下面のうち、幅が狭い方の面に接する樹脂層の形状は、ヒータ電極２３９の配置にならった凹凸を有する。また、その樹脂層と接する支持板も凹凸を有する。凹凸によって層同士の接着面積が広くなり、接着強度を向上させることができる。

例えば、図１２（ａ）に表した例では、上面２１Ｕの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ４は、下面２１Ｌの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ５よりも狭い。上面２１Ｕは、仮想面Ｐ１（中央仮想面）と第１の支持板２１０との間に位置する。第１の支持板２１０と仮想面Ｐ１との間の距離Ｌ６（最短距離）は、第２の支持板２７０と仮想面Ｐ１と間の距離よりも短い。

図１２（ｂ）に表した例では、下面２１Ｌの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ５は、上面２１Ｕの面内方向Ｄｐに沿った幅Ｌ４よりも狭い。下面２１Ｌは、仮想面Ｐ１と第２の支持板２７０との間に位置する。第２の支持板２７０と仮想面Ｐ１との間の距離Ｌ７は、第１の支持板２１０と仮想面Ｐ１との間の距離Ｌ６よりも短い。

図１０（ａ）〜図１２（ｂ）に関して説明した変形例に係るヒータプレートにおいても、ヒータ電極２３９の各端部に空間部が設けられている。これにより、図６〜図９（ｂ）に関する説明と同様に、ヒータ電極２３９と第１の樹脂層２２０との剥離、及び、ヒータ電極２３９と第２の樹脂層２４０との剥離を抑制することができる。処理対象物の温度を安定して制御することができる。

図１３は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す模式的分解図である。
図１３に表したように、ヒータプレート２００は、バイパス層２５０と、第３の樹脂層２６０と、を有していてもよい。バイパス層２５０は、第２の樹脂層２４０と第２の支持板２７０との間に設けられている。第３の樹脂層２６０は、バイパス層２５０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。これ以外については、図１３に表した変形例のヒータプレートには、上述のヒータプレートと同様の説明を適用できる。

第３の樹脂層２６０は、バイパス層２５０と第２の支持板２７０とを互いに接合する。第３の樹脂層２６０は、バイパス層２５０と第２の支持板２７０との間を電気的に絶縁する。このように、第３の樹脂層２６０は、電気絶縁の機能と、面接合の機能と、を有する。第３の樹脂層２６０の材料および厚さは、第１の樹脂層２２０の材料および厚さとそれぞれ同程度である。

この例では、第２の樹脂層２４０は、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０とを互いに接合する。第２の樹脂層２４０は、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との間を電気的に絶縁する。

バイパス層２５０は、第１の支持板２１０と略平行に配置され、第２の支持板２７０と略平行に配置されている。バイパス層２５０は、複数のバイパス部２５１を有する。バイパス層２５０は、例えば８つのバイパス部２５１を有する。バイパス部２５１の数は、「８」には限定されない。バイパス層２５０は、板状を呈する。バイパス層２５０の面（バイパス部２５１の面２５１ａ）に対して垂直にみたときに、バイパス層２５０の面積は、ヒータエレメント２３０の面積（ヒータ電極２３９の面積）よりも広い。この詳細については、後述する。

バイパス層２５０は、導電性を有する。バイパス層２５０は、第１の支持板２１０および第２の支持板２７０とは電気的に絶縁されている。バイパス層２５０の材料としては、例えばステンレスを含む金属などが挙げられる。バイパス層２５０の厚さ（Ｚ方向の長さ）は、例えば約０．０３ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下程度である。バイパス層２５０の厚さは、第１の樹脂層２２０の厚さよりも厚い。バイパス層２５０の厚さは、第２の樹脂層２４０の厚さよりも厚い。バイパス層２５０の厚さは、第３の樹脂層２６０の厚さよりも厚い。

例えば、バイパス層２５０の材料は、ヒータエレメント２３０の材料と同じである。一方で、バイパス層２５０の厚さは、ヒータエレメント２３０の厚さよりも厚い。そのため、バイパス層２５０の電気抵抗は、ヒータエレメント２３０の電気抵抗よりも低い。これにより、バイパス層２５０の材料がヒータエレメント２３０の材料と同じ場合でも、バイパス層２５０がヒータエレメント２３０のように発熱することを抑えることができる。つまり、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑えることができる。なお、バイパス層２５０の電気抵抗を抑え、バイパス層２５０の発熱量を抑える手段は、バイパス層２５０の厚さではなく、体積抵抗率が比較的低い材料を用いることで実現されてもよい。すなわち、バイパス層２５０の材料は、ヒータエレメント２３０の材料と異なってもよい。バイパス層２５０の材料としては、例えばステンレス、チタン、クロム、ニッケル、銅、およびアルミニウムの少なくともいずれかを含む金属などが挙げられる。

給電端子２８０は、バイパス層２５０を介してヒータエレメント２３０と電気的に接合されている。１つの給電端子２８０は、１つのバイパス層２５０と電気的に接合されている。図１３に表した矢印Ｃ１および矢印Ｃ２のように、電力が静電チャック１０の外部から給電端子２８０に供給されると、電流は、給電端子２８０からバイパス層２５０へ流れる。図１３に表した矢印Ｃ３および矢印Ｃ４のように、バイパス層２５０へ流れた電流は、バイパス層２５０からヒータエレメント２３０へ流れる。図１３に表した矢印Ｃ５および矢印Ｃ６のように、ヒータエレメント２３０へ流れた電流は、ヒータエレメント２３０の所定のゾーン（領域）を流れ、ヒータエレメント２３０からバイパス層２５０へ流れる。図１３に表した矢印Ｃ７および矢印Ｃ８のように、バイパス層２５０へ流れた電流は、バイパス層２５０から給電端子２８０へ流れる。図１３に表した矢印Ｃ９のように、給電端子２８０へ流れた電流は、静電チャック１０の外部へ流れる。

前述したように、バイパス層２５０は、ヒータエレメント２３０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。つまり、バイパス層２５０は、ヒータエレメント２３０と、ベースプレート３００と、の間に設けられている。ステンレスの熱伝導率は、アルミニウムの熱伝導率および銅の熱伝導率よりも低い。そのため、バイパス層２５０は、ヒータエレメント２３０から供給された熱が第２の支持板２７０へ伝わることを抑制する。つまり、バイパス層２５０は、バイパス層２５０からみて第２の支持板２７０の側に対する断熱効果を有し、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。

バイパス層２５０は、給電端子２８０の配置に対してより大きい自由度を持たせることができる。バイパス層２５０が設けられることで、バイパス層２５０が設けられていない場合と比較して熱容量が大きい給電端子をヒータエレメント２３０に直接接合させなくともよい。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度分布の均一性を向上させることができる。また、バイパス層２５０が設けられていない場合と比較して薄いヒータエレメント２３０に給電端子２８０を接合させなくともよい。これにより、ヒータプレート２００の信頼性を向上させることができる。

次に、図１３に表したヒータプレートの製造方法について説明する。
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、本実施形態の製造方法の一例を例示する模式的断面図である。
図１５は、本実施形態の製造方法の他の一例を例示する模式的断面図である。
図１４（ａ）は、バイパス層とヒータエレメントとを接合する前の状態を表す模式的断面図である。図１４（ｂ）は、バイパス層とヒータエレメントとを接合した後の状態を表す模式的断面図である。図１５は、バイパス層と給電端子との接合工程の一例を例示する模式的断面図である。

まず、図５に関して説明した製造方法と同様にして、ヒータプレート２００の各部材を準備する。続いて、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に表したように、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合を行う。ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合は、はんだ付け、ろう付け、溶接、あるいは接触などにより行われる。図１４（ａ）に表したように、第２の樹脂層２４０には、孔２４１が設けられている。孔２４１は、第２の樹脂層２４０を貫通している。例えば、図１４（ａ）に表した矢印Ｃ１１のように、バイパス層２５０の側からスポット溶接を行うことで、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０とを接合する。

なお、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合は、溶接には限定されない。例えば、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合は、レーザ光を利用した接合、半田付け、ろう付け、あるいは接触などにより行われてもよい。その後、ヒータプレート２００の各部材を積層した積層体を圧着する。

続いて、図１５に表したように、給電端子２８０とバイパス層２５０との接合を行う。給電端子２８０とバイパス層２５０との接合は、溶接、レーザ、はんだ付け、あるいはろう付けなどにより行われる。図１５に表したように、第２の支持板２７０には、孔２７３が設けられている。孔２７３は、第２の支持板２７０を貫通している。これは、図４（ｂ）に関して前述した通りである。第３の樹脂層２６０には、孔２６１が設けられている。孔２６１は、第３の樹脂層２６０を貫通している。図１５に表した矢印Ｃ１３のように、第２の支持板２７０から第１の支持板２１０へ向かって溶接、レーザ、はんだ付け、あるいはろう付けなどを行うことで、給電端子２８０とバイパス層２５０とを接合する。
このようにして、本実施形態のヒータプレート２００が製造される。

以下の説明においては、ヒータプレートがバイパス層２５０及び第３の樹脂層２６０を有する場合を例に挙げる。但し、実施形態においては、図５〜図１２に関して説明したヒータプレートと同様に、バイパス層２５０及び第３の樹脂層２６０を省略してもよい。バイパス層２５０及び第３の樹脂層２６０以外の構成は、同様であるため、詳細な説明は省略する。

図１６は、本実施形態にかかる静電チャックを表す模式的分解図である。
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、静電チャックを表す電気回路図である。
図１７（ａ）は、第１の支持板と第２の支持板とが電気的に接合された例を表す電気回路図である。図１７（ｂ）は、第１の支持板と第２の支持板とが電気的に接合されていない例を表す電気回路図である。

図１６および図１７（ａ）に表したように、第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。第１の支持板２１０と第２の支持板２７０との接合は、例えば、溶接、レーザ光を利用した接合、半田付け、あるいは接触などにより行われる。

例えば、図１７（ｂ）に表したように、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に確実に接合されていないと、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に接合されたり、あるいは電気的に接合されなかったりすることがある。すると、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることがある。また、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に接合されていなくとも、プラズマを発生させると電流がヒータエレメント２３０に流れ、ヒータエレメント２３０が発熱することがある。言い換えれば、第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と電気的に確実に接合されていないと、ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することがある。

これに対して、本実施形態にかかる静電チャック１０では、図１７（ａ）に表したように、第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０と電気的に接合されている。これにより、電流が第１の支持板２１０から第２の支持板２７０へ流れ、あるいは電流が第２の支持板２７０から第１の支持板２１０へ流れ、プラズマを発生させたときのエッチングレートにばらつきが生ずることを抑えることができる。また、ヒータエレメント２３０がヒータ用電流以外の電流により発熱することを抑えることができる。

さらに、ヒータエレメント２３０およびバイパス層２５０を高周波から遮断することができる。これにより、ヒータエレメント２３０が異常温度に発熱することを抑制することができる。また、ヒータプレート２００のインピーダンスを抑えることができる。

次に、本実施形態のヒータプレート２００の具体例について、図面を参照しつつ説明する。
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの具体例を表す模式的平面図である。
図１９（ａ）、図１９（ｂ）及び図２０は、本具体例のヒータエレメントを例示する模式的平面図である。
図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、本具体例のバイパス層を例示する模式的平面図である。
図２２（ａ）〜図２２（ｃ）は、本具体例のヒータプレートの一部を模式的に表す拡大図である。
図１８（ａ）は、本具体例のヒータプレートを上面から眺めた模式的平面図である。図１８（ｂ）は、本具体例のヒータプレートを下面から眺めた模式的平面図である。図１９（ａ）は、ヒータエレメントの領域の一例を例示する模式的平面図である。図１９（ｂ）及び図２０は、ヒータエレメントの領域の他の一例を例示する模式的平面図である。

図２１に表したように、バイパス層２５０の複数のバイパス部２５１のうちの少なくともいずれかは、縁部に切り欠き部２５３を有する。図２０に表したバイパス層２５０では、４個の切り欠き部２５３が設けられている。切り欠き部２５３の数は、「４」には限定されない。
複数のバイパス層２５０のうちの少なくともいずれかが切り欠き部２５３を有するため、第２の支持板２７０は、第１の支持板２１０と接触可能である。

図１８（ａ）および図１８（ｂ）に表したように、第１の支持板２１０は、領域Ｂ１１〜領域Ｂ１４および領域Ｂ３１〜領域Ｂ３４において第２の支持板２７０と電気的に接合されている。なお、領域Ｂ１１〜領域Ｂ１４のそれぞれは、領域Ｂ３１〜領域Ｂ３４のそれぞれと対応している。つまり、図１８（ａ）〜図２０に表した具体例では、第１の支持板２１０は、４つの領域で第２の支持板２７０と電気的に接合されており、８つの領域で第２の支持板２７０と電気的に接合されているわけではない。

図２２（ａ）〜図２２（ｃ）は、領域Ｂ３１（領域Ｂ１１）の一例を表す拡大図である。図２２（ａ）は、領域Ｂ３１の模式的平面図であり、図２２（ｂ）は、領域Ｂ３１の模式的断面図であり、図２２（ｃ）は、図２２（ｂ）の一部をさらに拡大した断面図である。図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の切断面Ａ２−Ａ２を模式的に表す。なお、他の領域Ｂ１２〜領域Ｂ１４および領域Ｂ３２〜領域Ｂ３４は、領域Ｂ１１、Ｂ３１と同様であるから、詳細な説明は省略する。

図２２（ａ）〜図２２（ｃ）に表したように、領域Ｂ３１には、接合領域ＪＡが設けられている。接合領域ＪＡは、第１の支持板２１０と第２の支持板２７０とを互いに接合する。接合領域ＪＡは、バイパス層２５０の切り欠き部２５３に対応して第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０の外縁に設けられる。接合領域ＪＡは、例えば、第２の支持板２７０側からレーザ溶接することによって形成される。これにより、接合領域ＪＡは、スポット状に形成される。接合領域ＪＡは、第１の支持板２１０側から形成してもよい。なお、接合領域ＪＡの形成方法は、レーザ溶接に限ることなく、他の方法でもよい。接合領域ＪＡの形状は、スポット状に限ることなく、楕円状、半円状、又は角形状などでもよい。

第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と接合された接合領域ＪＡの面積は、第１の支持板２１０の面２１１（図３参照）の面積よりも狭い。接合領域ＪＡの面積は、面２１１の面積からヒータエレメント２３０の面積を引いた差分の面積よりも狭い。換言すれば、接合領域ＪＡの面積は、第１の支持板２１０のうちの面２１１と平行な平面に投影した時にヒータエレメント２３０と重ならない領域の面積よりも狭い。第１の支持板２１０が第２の支持板２７０と接合された接合領域ＪＡの面積は、第２の支持板２７０の面２７１（図４（ａ）参照）の面積よりも狭い。接合領域ＪＡの面積は、面２７１の面積からヒータエレメント２３０の面積を引いた差分の面積よりも狭い。換言すれば、接合領域ＪＡの面積は、第２の支持板２７０のうちの面２７１と平行な平面に投影した時にヒータエレメント２３０と重ならない領域の面積よりも狭い。

スポット状に形成された接合領域ＪＡの直径は、例えば、１ｍｍ（０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下）である。一方、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０の直径は、例えば、３００ｍｍである。第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０の直径は、保持する処理対象物Ｗに応じて設定される。このように、接合領域ＪＡの面積は、第１の支持板２１０の面２１１の面積及び第２の支持板２７０の面２７１の面積に比べて十分に小さい。接合領域ＪＡの面積は、例えば、面２１１の面積（面２７１の面積）の１／５０００以下である。ここで、接合領域ＪＡの面積とは、より詳しくは、第１の支持板２１０の面２１１と平行な平面に投影した時の面積である。換言すれば、接合領域ＪＡの面積は、上面視における面積である。

この例では、領域Ｂ１１〜領域Ｂ１４および領域Ｂ３１〜領域Ｂ３４に対応した４つの接合領域ＪＡが設けられる。接合領域ＪＡの数は、４つに限らない。接合領域ＪＡの数は、任意の数でよい。例えば、３０°おきに１２個の接合領域ＪＡを第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０に設けてもよい。また、接合領域ＪＡの形状は、スポット状に限らない。接合領域ＪＡの形状は、楕円状、角状、又は線状などでもよい。接合領域ＪＡは、例えば、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０の外縁に沿う環状に形成してもよい。

第２の支持板２７０は、孔２７３（図４（ｂ）および図１５参照）を有する。一方で、第１の支持板２１０は、給電端子２８０を通す孔を有していない。そのため、第１の支持板２１０の面２１１の面積は、第２の支持板２７０の面２７１の面積よりも広い。

図１９（ａ）に表した具体例では、ヒータ電極２３９は、略円を描くように配置されている。ヒータ電極２３９は、第１の領域２３１と、第２の領域２３２と、第３の領域２３３と、第４の領域２３４と、に配置されている。第１の領域２３１は、ヒータエレメント２３０の中央部に位置する。第２の領域２３２は、第１の領域２３１の外側に位置する。第３の領域２３３は、第２の領域２３２の外側に位置する。第４の領域２３４は、第３の領域２３３の外側に位置する。

第１の領域２３１に配置されたヒータ電極２３９は、第２の領域２３２に配置されたヒータ電極２３９とは電気的に接合されていない。第２の領域２３２に配置されたヒータ電極２３９は、第３の領域２３３に配置されたヒータ電極２３９とは電気的に接合されていない。第３の領域２３３に配置されたヒータ電極２３９は、第４の領域２３４に配置されたヒータ電極２３９とは電気的に接合されていない。つまり、ヒータ電極２３９は、複数の領域において互いに独立した状態で設けられている。

例えば、図５に関して説明した第１の導電部２１は、第２の領域２３２に配置されたヒータ電極２３９であり、第２の導電部２２は、第３の領域２３３に配置されたヒータ電極２３９である。あるいは、第１の導電部２１が、第３の領域２３３に配置されたヒータ電極２３９であり、第２の導電部２２が、第４の領域２３４に配置されたヒータ電極２３９であってもよい。

図２２（ｃ）に表したように、ヒータプレート２００は、バイパス層２５０の側方に設けられた空間部５０を有する。空間部５０は、換言すれば、バイパス層２５０の側端部と、第２の樹脂層２４０と、第３の樹脂層２６０と、によって区画された空間である。

ヒータエレメント２３０の側方に設けられた第１の空間部２３ａの断面積及びバイパス層２５０の側方に設けられた空間部５０の断面積の大小関係は、ヒータエレメント２３０の厚さ及びバイパス層２５０の厚さの大小関係と同じである。

この例では、バイパス層２５０の厚さの方が、ヒータエレメント２３０の厚さよりも厚い。従って、この例では、バイパス層２５０の側方の空間部５０の断面積の方が、ヒータエレメント２３０の側方の第１の空間部２３ａの断面積よりも大きい。これとは反対に、ヒータエレメント２３０の厚さの方が、バイパス層２５０の厚さよりも厚い場合には、第１の空間部２３ａの断面積の方が、空間部５０の断面積よりも大きくなる。

第１の樹脂層２２０は、第２の樹脂層２４０と接しており、第１の空間部２３ａは、ヒータエレメント２３０の側端部から離間する方向に側端２３ｓを有する。側端２３ｓは、換言すれば、第１の樹脂層２２０と第２の樹脂層２４０との接触面の端部である。同様に、第３の樹脂層２６０は、第２の樹脂層２４０と接しており、空間部５０は、バイパス層２５０の側端部から離間する方向に側端５０ｓを有する。

第１の空間部２３ａの側端２３ｓは、ヒータエレメント２３０（第１の導電部２１）の厚さ方向の中央に対して第１の支持板２１０側又は第２の支持板２７０側にずれる。バイパス層２５０の側方の空間部５０の側端５０ｓは、バイパス層２５０の厚さ方向の中央に対して第１の空間部２３ａの側端２３ｓと同じ方向にずれる。

この例において、第１の空間部２３ａの側端２３ｓは、第１の支持板２１０側にずれている。従って、空間部５０の側端５０ｓも、第１の支持板２１０側にずれている。これとは反対に、側端２３ｓが第２の支持板２７０側にずれた場合には、側端５０ｓも、第２の支持板２７０側にずれる。

例えば、積層した各部材を圧着してヒータプレート２００を製造する場合に、第１の支持板２１０側への押圧力が強い場合には、図２２（ｃ）に表したように、側端２３ｓ及び側端５０ｓが、第１の支持板２１０側にずれる。反対に、第２の支持板２７０側への押圧力が強い場合には、側端２３ｓ及び側端５０ｓが、第２の支持板２７０側にずれる。

このように、バイパス層２５０の側方に空間部５０を設けた場合には、バイパス層２５０が熱膨張しても空間部５０を埋めるように変形する。このため、バイパス層２５０に隣接する第２の樹脂層２４０や第３の樹脂層２６０などにかかる応力を低減することができる。従って、バイパス層２５０に隣接する第２の樹脂層２４０や第３の樹脂層２６０などの剥離を抑制することができる。例えば、ヒータプレート２００の負荷に対する耐性を向上させ、静電チャック１０の信頼性をより向上させることができる。さらには、バイパス層２５０に隣接する層の剥離によって生じる処理対象物Ｗの温度変化を抑制することができる。

ヒータエレメント２３０やバイパス層２５０において、厚みが厚いと、熱膨張による体積増加が大きくなる。このため、空間部の断面績が大きいほうが、隣接する層の剥離抑制に有利である。従って、第１の空間部２３ａの断面積及び空間部５０の断面積の大小関係を、ヒータエレメント２３０の厚さ及びバイパス層２５０の厚さの大小関係と同じとすることにより、ヒータエレメント２３０及びバイパス層２５０に隣接する層の剥離を、より抑制することができる。剥離の発生にともなう処理対象物Ｗの温度変化をより確実に抑制することができる。

また、空間部５０の側端５０ｓを第１の空間部２３ａの側端２３ｓと同じ方向にずらすことにより、第１の空間部２３ａ及び空間部５０の形成に、複雑な方法などを用いる必要がなく、第１の空間部２３ｓ及び空間部５０の形成を容易にすることができる。例えば、積層した各部材を圧着してヒータプレート２００を製造することにより、第１の空間部２３ｓ及び空間部５０を形成することができる。

図１９（ｂ）に表した具体例では、ヒータ電極２３９は、略扇形の少なくとも一部を描くように配置されている。ヒータ電極２３９は、第１の領域２３１ａと、第２の領域２３１ｂと、第３の領域２３１ｃと、第４の領域２３１ｄと、第５の領域２３１ｅと、第６の領域２３１ｆと、第７の領域２３２ａと、第８の領域２３２ｂと、第９の領域２３２ｃと、第１０の領域２３２ｄと、第１１の領域２３２ｅと、第１２の領域２３２ｆと、に配置されている。任意の領域に配置されたヒータ電極２３９は、他の領域に配置されたヒータ電極２３９とは電気的に接合されていない。つまり、ヒータ電極２３９は、複数の領域において互いに独立した状態で設けられている。図１９（ａ）および図１９（ｂ）に表したように、ヒータ電極２３９が配置される領域は、特には限定されない。

図２０に表した具体例では、ヒータエレメント２３０がさらに多くの領域を有する。図２０のヒータエレメント２３０では、図１９（ａ）で示した第１の領域２３１が、さらに４つの領域２３１ａ〜２３１ｄに分割されている。また、図１９（ａ）で示した第２の領域２３２が、さらに８つの領域２３２ａ〜２３２ｈに分割されている。また、図１９（ａ）で示した第３の領域２３３が、さらに８つの領域２３３ａ〜２３３ｈに分割されている。そして、図１９（ａ）で示した第４の領域２３４が、さらに１６の領域２３４ａ〜２３４ｐに分割されている。このように、ヒータ電極２３９が配置されるヒータエレメント２３０の領域の数及び形状は、任意でよい。

図２１（ａ）に表したように、バイパス層２５０のバイパス部２５１は、扇形を呈する。複数の扇形のバイパス部２５１が互いに離間して並べられ、バイパス層２５０は、全体として略円形を呈する。図２１（ａ）に表したように、隣り合うバイパス部２５１の間の離間部分２５７は、バイパス層２５０の中心２５９から径方向に延在している。言い換えれば、隣り合うバイパス部２５１の間の離間部分２５７は、バイパス層２５０の中心２５９から放射状に延在している。バイパス部２５１の面２５１ａの面積は、離間部分２５７の面積よりも広い。バイパス層２５０の面積（バイパス部２５１の面２５１ａの面積）は、ヒータエレメント２３０の面積（ヒータ電極２３９の面積）よりも広い。

図２１（ｂ）に表したように、バイパス層２５０の複数のバイパス部２５１の形状は、例えば、湾曲した扇形状でもよい。このように、バイパス層２５０に設けられる複数のバイパス部２５１の数及び形状は、任意でよい。

図１８（ａ）〜図２１（ｂ）に関する以下の説明では、図１９（ａ）に表したヒータエレメント２３０の領域を例に挙げる。ヒータ電極２３９が略円を描くように配置され、複数の扇形のバイパス部２５１が互いに離間して並べられている。そのため、バイパス部２５１の面２５１ａに対して垂直にみたときに、ヒータ電極２３９は、隣り合うバイパス部２５１の間の離間部分２５７と交差する。また、バイパス部２５１の面２５１ａに対して垂直にみたときに、隣り合うヒータエレメント２３０の各領域（第１の領域２３１、第２の領域２３２、第３の領域２３３、および第４の領域２３４）の間の離間部分２３５は、隣り合うバイパス部２５１の間の離間部分２５７と交差する。

図１８（ａ）および図１８（ｂ）に表したように、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合部２５５ａ〜２５５ｈのそれぞれと、ヒータプレート２００の中心２０３と、を結ぶ複数の仮想線は、互いに重ならない。言い換えれば、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との接合部２５５ａ〜２５５ｈは、ヒータプレート２００の中心２０３からみて互いに異なる方向に配置されている。図１８（ｂ）に表したように、給電端子２８０は、接合部２５５ａ〜２５５ｈのそれぞれと、ヒータプレート２００の中心２０３と、を結ぶ仮想線の上に存在する。

接合部２５５ａ、２５５ｂは、第１の領域２３１に配置されたヒータ電極２３９とバイパス層２５０とを接合する部分である。接合部２５５ａ、２５５ｂは、第１の領域２３１に対応している。接合部２５５ａおよび接合部２５５ｂのいずれか一方は、電流がヒータエレメント２３０に入る部分である。接合部２５５ａおよび接合部２５５ｂのいずれか他方は、電流がヒータエレメント２３０から出る部分である。

接合部２５５ｃ、２５５ｄは、第２の領域２３２に配置されたヒータ電極２３９とバイパス層２５０とを接合する部分である。接合部２５５ｃ、２５５ｄは、第２の領域２３２に対応している。接合部２５５ｃおよび接合部２５５ｄのいずれか一方は、電流がヒータエレメント２３０に入る部分である。接合部２５５ｃおよび接合部２５５ｄのいずれか他方は、電流がヒータエレメント２３０から出る部分である。

接合部２５５ｅ、２５５ｆは、第３の領域２３３に配置されたヒータ電極２３９とバイパス層２５０とを接合する部分である。接合部２５５ｅ、２５５ｆは、第３の領域２３３に対応している。接合部２５５ｅおよび接合部２５５ｆのいずれか一方は、電流がヒータエレメント２３０に入る部分である。接合部２５５ｅおよび接合部２５５ｆのいずれか他方は、電流がヒータエレメント２３０から出る部分である。

接合部２５５ｇ、２５５ｈは、第４の領域２３４に配置されたヒータ電極２３９とバイパス層２５０とを接合する部分である。接合部２５５ｇ、２５５ｈは、第４の領域２３４に対応している。接合部２５５ｇおよび接合部２５５ｈのいずれか一方は、電流がヒータエレメント２３０に入る部分である。接合部２５５ｇおよび接合部２５ｈのいずれか他方は、電流がヒータエレメント２３０から出る部分である。

接合部２５５ａ、２５５ｂは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｃ、２５５ｄを通る円とは異なる円の上に存在する。接合部２５５ａ、２５５ｂは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｅ、２５５ｆを通る円とは異なる円の上に存在する。接合部２５５ａ、２５５ｂは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｇ、２５５ｈを通る円とは異なる円の上に存在する。
接合部２５５ｃ、２５５ｄは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｅ、２５５ｆを通る円とは異なる円の上に存在する。接合部２５５ｃ、２５５ｄは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｇ、２５５ｈを通る円とは異なる円の上に存在する。
接合部２５５ｅ、２５５ｆは、ヒータプレート２００の中心２０３を中心とし接合部２５５ｇ、２５５ｈを通る円とは異なる円の上に存在する。

図１８（ａ）および図１８（ｂ）に表したように、ヒータプレート２００は、リフトピン孔２０１を有する。図１８（ａ）および図１８（ｂ）に表した具体例では、ヒータプレート２００は、３つのリフトピン孔２０１を有する。リフトピン孔２０１の数は、「３」には限定されない。給電端子２８０は、リフトピン孔２０１からみてヒータプレート２００の中心２０３の側の領域に設けられている。

本具体例によれば、ヒータ電極２３９が、複数の領域に配置されているため、処理対象物Ｗの面内の温度を各領域ごとに独立して制御することができる。これにより、処理対象物Ｗの面内の温度に意図的に差をつけることができる（温度制御性）。

図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、本実施形態のヒータプレートの表面の形状を説明する模式図である。
図２３（ａ）は、本発明者が第２の支持板２７０の面２７１の形状を測定した結果の一例を例示するグラフ図である。図２３（ｂ）は、本実施形態のヒータプレート２００の表面の形状を説明する模式的断面図である。

前述したように、ヒータプレート２００の各部材は、積層された状態で圧着される。このとき、図２３（ｂ）に表したように、第１の支持板２１０の面２１１（上面）には、第１の凹凸が生ずる。および第２の支持板２７０の面２７１（下面）には、第２の凹凸が生ずる。また、第１の支持板２１０の面２１３（下面）には、第３の凹凸が生ずる。第２の支持板２７０の面２７５（上面）には、第４の凹凸が生ずる。

本発明者は、第２の支持板２７０の面２７１の形状を測定した。測定結果の一例は、図２３（ａ）に表した通りである。図２３（ａ）および図２３（ｂ）に表したように、第１の支持板２１０の面２１１（上面）の形状および第２の支持板２７０の面２７１の形状は、ヒータエレメント２３０の形状あるいはヒータエレメント２３０の配置にならっている。ヒータエレメント２３０の形状とは、ヒータエレメント２３０の厚さおよびヒータエレメント２３０の幅（ヒータ電極２３９の幅）をいう。

第１の支持板２１０の面２１１の凹部２１１ａ（第１の凹凸の凹部２１１ａ）と、第２の支持板２７０の面２７１の凹部２７１ａ（第２の凹凸の凹部２７１ａ）と、の間のＺ方向の距離Ｄ１は、第１の支持板２１０の面２１１の凸部２１１ｂ（第１の凹凸の凸部２１１ｂ）と、第２の支持板２７０の面２７１の凸部２７１ｂ（第２の凹凸の凸部２７１ｂ）と、の間のＺ方向の距離Ｄ２よりも短い。

第１の支持板２１０の面２１１の凹部２１１ａと、第１の支持板２１０の面２１１の凸部２１１ｂと、の間のＺ方向の距離Ｄ３（第１の支持板２１０の面２１１の凹凸高さ：第１の凹凸の高さ）は、第２の支持板２７０の面２７１の凹部２７１ａと、第２の支持板２７０の面２７１の凸部２７１ｂと、の間のＺ方向の距離Ｄ４（第２の支持板２７０の面２７１の凹凸高さ：第２の凹凸の高さ）よりも短い。つまり、第１の支持板２１０の面２１１の凹凸高さ（第１の凹凸の高さ）は、第２の支持板２７０の面２７１の凹凸高さ（第２の凹凸の高さ）よりも低い。

第２の支持板２７０の面２７１の凹部２７１ａの幅は、隣り合う２つのヒータ電極２３９の間の領域（ヒータエレメント２３０のスリット部）の幅と同程度である。第２の支持板２７０の面２７１の凹部２７１ａの幅は、例えば、隣り合う２つのヒータ電極２３９の間の領域の幅の０．２５倍以上２．５倍以下である。

第２の支持板２７０の面２７１の凸部２７１ｂの幅は、ヒータ電極２３９の幅と同程度である。第２の支持板２７０の面２７１の凸部２７１ｂの幅は、例えば、ヒータ電極２３９の幅の０．８倍以上１．２倍以下である。

また、第２の支持板２７０の面２７１の凹凸高さＤ４は、ヒータエレメント２３０の厚さ（ヒータ電極２３９の厚さ）と同程度である。第２の支持板２７０の凹凸高さＤ４は、ヒータエレメント２３０の厚さの０．８倍以上１．２倍以下である。

同様に、第１の支持板２１０の面２１１の凹部２１１ａの幅は、隣り合う２つのヒータ電極２３９の間の領域の幅と同程度である。第１の支持板２１０の面２１１の凸部２１１ｂの幅は、ヒータ電極２３９の幅と同程度である。一方、第１の支持板２１０の面２１１の凹凸高さＤ３は、ヒータエレメント２３０の厚さよりも低い。

第２の支持板２７０の面２７１の高さは、凸部２７１ｂから隣接する凹部２７１ａに向かって、なだらかに変化する。第２の支持板２７０の面２７１の高さは、例えば、凸部２７１ｂの幅方向の中心から、隣接する凹部２７１ａの幅方向の中心に向かって連続的に減少する。凸部２７１ｂの幅方向の中心とは、より詳しくは、面２７１のうちのヒータ電極２３９の幅方向の中心とＺ方向において重なる位置である。凹部２７１ａの幅方向の中心とは、より詳しくは、面２７１のうちの隣り合う２つのヒータ電極２３９の間の領域の幅方向の中心とＺ方向において重なる位置である。

このように、第２の支持板２７０の面２７１の高さは、ヒータ電極２３９と重なる部分を頂点とし、ヒータ電極２３９と重ならない部分を最下点とする波状に変化する。同様に、第１の支持板２１０の面２１１の高さは、ヒータ電極２３９と重なる部分を頂点とし、ヒータ電極２３９と重ならない部分を最下点とする波状に変化する。

本実施形態によれば、第１の支持板２１０の面２１１が第１の凹凸を有するため、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０との間の接着面積をより広くすることができ、第１の支持板２１０とヒータエレメント２３０との間の接着強度を向上させることができる。また、その第１の凹凸によって、第１の支持板２１０と接着剤４０３との接着面積もより広くすることができる。これにより、第１の支持板２１０と接着剤４０３との接合強度も向上させることができる。また、第１の支持板２１０が凹凸を有することにより、第１の支持板２１０の剛性が高くなる。このため、第１の支持板２１０が薄くてもヒータプレート２００の反りや変形を低減することができる。これにより、例えば一般に背反の関係にある、「ヒータプレートの反りの低減」と、高スループットに影響する「熱容量の低減」と、を両立することができる。また、第２の支持板２７０の面２７１が第２の凹凸を有するため、第２の支持板２７０とバイパス層２５０との間の接着面積をより広くすることができ、第２の支持板２７０とバイパス層２５０との間の接着強度を向上させることができる。また、その第２の凹凸によって、第２の支持板２７０と接着剤４０３との接着面積もより広くすることができる。これにより、第２の支持板２７０と接着剤４０３との接合強度も向上させることができる。また、第２の支持板２７０が凹凸を有することにより、第２の支持板２７０の剛性が高くなる。このため、第２の支持板２７０が薄くてもヒータプレート２００の反りや変形を低減することができる。これにより、例えば一般に背反の関係にある、「ヒータプレートの反りの低減」と、高スループットに影響する「熱容量の低減」と、を両立することができる。さらに、第１の支持板２１０の面２１１が第１の凹凸を有するため、ヒータエレメント２３０と処理対象物Ｗとの間の距離をより短くすることができる。これにより、処理対象物Ｗの温度を上昇させる速度を向上させることができる。

なお、例えば圧着条件や積層体の構成（材料など）によって、第１、２の凹凸高さを制御することができる。

第１の支持板２１０は、第２の支持板２７０側の面２１３と、面２１３とは反対側の面２１１と、を有する。面２１３は、第１の樹脂層２２０と対向し、例えば、第１の樹脂層２２０と接する。

第１の支持板２１０の面２１３は、第１領域Ｒ１と、第２領域Ｒ２と、を有する。第１領域Ｒ１は、Ｚ方向に沿って見たとき（上面視）に、ヒータ電極２３９（ヒータエレメント２３０）と重なる。例えば、第１領域Ｒ１は、Ｚ方向に沿ってみたときに、第１の導電部２１又は第２の導電部２２と重なる。第２領域Ｒ２は、Ｚ方向に沿って見たときに、ヒータ電極２３９（ヒータエレメント２３０）と重ならない。

静電チャック１０においては、図２３（ｂ）に示したＺ方向に対して平行な断面において、第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１に比べて、第２の支持板２７０側に突出している。換言すれば、第２領域Ｒ２のＺ方向における位置は、第１領域Ｒ１のＺ方向における位置と、第２の支持板２７０と、の間である。

すなわち、第１の支持板２１０の面２１３（下面）は、ヒータエレメント２３０の形状にならった凹凸を有する。第１領域Ｒ１は、第１の支持板２１０の凹部に対応し、第２領域Ｒ２は、第１の支持板２１０の凸部に対応する。同様に、第１の支持板２１０の面２１１（上面）においても、ヒータエレメント２３０の形状にならった凹凸が形成されている。

第２の支持板２７０は、第１の支持板２１０側の面２７５（上面）と、面２７５とは反対側の面２７１（下面）と、を有する。面２７５は、第３の樹脂層２６０（又は第２の樹脂層２４０）と対向し、例えば、第３の樹脂層２６０（又は第２の樹脂層２４０）と接する。

第２の支持板２７０の面２７５（上面）は、第３領域Ｒ３と、第４領域Ｒ４と、を有する。第３領域Ｒ３は、Ｚ方向に沿ってみたときに、ヒータエレメント２３０と重なる。例えば、第３領域Ｒ３は、Ｚ方向に沿ってみたときに、第１の導電部２１又は第２の導電部２２と重なる。第４領域Ｒ４は、Ｚ方向に沿ってみたときに、ヒータエレメント２３０と重ならない。

図２３（ｂ）に示した断面において、第４領域Ｒ４は、第３領域Ｒ３に比べて、第１の支持板２１０側に突出している。換言すれば、第４領域Ｒ４のＺ方向における位置は、第３領域Ｒ３のＺ方向における位置と、第１の支持板２１０と、の間である。

すなわち、第２の支持板２７０の面２７５（上面）は、ヒータエレメント２３０の形状にならった凹凸を有する。第３領域Ｒ３は、第２の支持板２７０の凹部に対応し、第４領域Ｒ４は、第２の支持板２７０の凸部に対応する。同様に、第２の支持板２７０の面２７１（下面）においても、ヒータエレメント２３０の形状にならった凹凸が形成されている。

第２領域Ｒ２と第４領域Ｒ４との間のＺ方向に沿った距離Ｄ５は、第１領域Ｒ１と第３領域Ｒ３との間のＺ方向に沿った距離Ｄ６よりも短い。

このように、第１の支持板２１０と第２の支持板２７０には、凹凸が形成されている。このような凹凸は、ヒータプレート２００において積層された各部材の密着性が高いことにより、形成される。すなわち、第１の支持板２１０の面２１３（下面）に凹凸が形成されているため、面２１３に近接した層（例えば第１の樹脂層２２０）と面２１３との密着性が高い。また、第２の支持板２７０の面２７５（上面）に凹凸が形成されているため、面２７５に近接した層（例えば第３の樹脂層２６０）と面２７５との密着性が高い。これにより、第１の支持板２１０の剥離及び第２の支持板２７０の剥離を抑制することができ、信頼性を向上させることができる。例えば、局所的な剥離による、熱の不均一や耐電圧特性の低下を抑制することができる。設計通りの均熱性と耐電圧特性を実現することができる。

また、密着性が高いことにより、ヒータプレート２００の熱伝導性を向上させることができる。また、第１の支持板２１０の凹凸によって、例えばヒータエレメント２３０と処理対象物との間の距離を短くすることができる。これにより、処理対象物の温度の上昇速度を向上させることができる。したがって、例えば、「ヒータの加熱性能（昇温速度）」と、「温度均一性」「耐電圧信頼性」と、の両立が可能となる。

第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間のＺ方向に沿った距離Ｄ７は、距離Ｄ５よりも短い。また、第３領域Ｒ３と第４領域Ｒ４との間のＺ方向に沿った距離Ｄ８は、距離Ｄ５よりも短い。

距離Ｄ７が長すぎる場合、第１の支持板２１０の面２１３に形成された凹凸が大きすぎ、第１の支持板２１０や第１の樹脂層２２０に生じる歪が大きすぎることがある。また、距離Ｄ８が長すぎる場合、第２の支持板２７０に形成された凹凸が大きすぎ、第２の支持板２７０や第２の樹脂層２４０に生じる歪みが大きすぎることがある。

これに対して、静電チャック１０においては、距離Ｄ７及び距離Ｄ８のそれぞれは、距離Ｄ５よりも短い。これにより、第１の支持板２１０に近接する層と第１の支持板２１０との密着性を確保しつつ、第１の支持板２１０や第１の樹脂層２２０に生じる歪が大きくなりすぎることを防げる。また、第２の支持板２７０に近接する層と第２の支持板２７０との密着性を確保しつつ、第２の支持板２７０や第３の樹脂層２６０に生じる歪が大きくなりすぎることを防げる。

ヒータプレート２００においては、ヒータエレメント２３０の発熱により、ヒータエレメント２３０自身に歪（熱歪）が生じやすい。そこで、図２３（ｂ）に示した例では、距離Ｄ７を距離Ｄ８よりも短くしている。つまり、ヒータエレメント２３０側の第１の支持板２１０等の構造的な歪を、バイパス層２５０側の第２の支持板２７０等の構造的な歪よりも小さくしている。これにより、ヒータプレート２００全体の熱歪に対する耐性を向上させることができる。

なお、実施形態においては、距離Ｄ７及び距離Ｄ８のいずれかは、略ゼロであってもよい。すなわち、面２１３および面２７５のいずれかは、フラットであってもよい。面２１３及び面２７５のいずれかに凹凸が形成されていればよい。

図２４は、本実施形態のヒータプレートを表す模式的断面図である。
図２４に表したように、バイパス層２５０及び第３の樹脂層２６０を有しないヒータプレート２００においても、第１の支持板２１０及び第２の支持板２７０は、ヒータエレメント２３０の形状にならった凹凸を有する。

この例においても、第１の支持板２１０の面２１１には、第１の凹凸が生ずる。および第２の支持板２７０の面２７１には、第２の凹凸が生ずる。また、第１の支持板２１０の面２１３には、第３の凹凸が生ずる。第２の支持板２７０の面２７５には、第４の凹凸が生ずる。Ｚ方向に対して平行な断面において、第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１に比べて、第２の支持板２７０側に突出している。Ｚ方向に対して平行な断面において、第４領域Ｒ４は、第３領域Ｒ３に比べて、第１の支持板２１０側に突出している。この例においても、各距離Ｄ１〜Ｄ８の関係は、図２３に関して説明した各距離Ｄ１〜Ｄ８の関係と同じである。

図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、本実施形態の変形例にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。
図２５（ａ）は、本実施形態の変形例にかかる静電チャックを表す模式的断面図である。図２５（ｂ）は、本変形例のヒータプレートを表す模式的断面図である。図２４（ａ）および図２５（ｂ）は、例えば図１に表した切断面Ａ１−Ａ１における模式的断面図に相当する。

図２５（ａ）に表した静電チャック１０ａは、セラミック誘電体基板１００と、ヒータプレート２００ａと、べースプレート３００と、を備える。セラミック誘電体基板１００およびべースプレート３００は、図１および図２に関して前述した通りである。

図２５（ｂ）に表したように、本具体例のヒータプレート２００ａは、複数のヒータエレメントを有する。図２５（ｂ）に表したヒータプレート２００ａは、第１の樹脂層２２０と、第１のヒータエレメント（発熱層）２３０ａと、第２の樹脂層２４０と、第２のヒータエレメント（発熱層）２３０ｂと、第３の樹脂層２６０と、バイパス層２５０と、第４の樹脂層２９０と、第２の支持板２７０と、を有する。

第１の樹脂層２２０は、第１の支持板２１０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第１のヒータエレメント２３０ａは、第１の樹脂層２２０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第２の樹脂層２４０は、第１のヒータエレメント２３０ａと、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第２のヒータエレメント２３０ｂは、第２の樹脂層２４０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第３の樹脂層２６０は、第２のヒータエレメント２３０ｂと、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。バイパス層２５０は、第３の樹脂層２６０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。第４の樹脂層２９０は、バイパス層２５０と、第２の支持板２７０と、の間に設けられている。つまり、本具体例では、第１のヒータエレメント２３０ａは、第２のヒータエレメント２３０ｂとは異なる層に独立した状態で設けられている。

第１の支持板２１０と、第１の樹脂層２２０と、第２の樹脂層２４０と、第３の樹脂層２６０と、バイパス層２５０と、第２の支持板２７０と、のそれぞれの材料、厚さ、および機能は、図３〜図５及び図１３に関して前述した通りである。第１のヒータエレメント２３０ａおよび第２のヒータエレメント２３０ｂのそれぞれの材料、厚さ、および機能は、図３〜図５に関して前述したヒータエレメント２３０と同じである。第４の樹脂層２９０は、図３〜図５に関して前述した第１の樹脂層２２０と同じである。

本変形例によれば、第１のヒータエレメント２３０ａが第２のヒータエレメント２３０ｂとは異なる層において独立して配置されているため、処理対象物Ｗの面内の温度を所定の領域ごとに独立して制御することができる。

図２６（ａ）、図２６（ｂ）及び図２７は、本実施形態の第１の支持板の変形例を表す模式的平面図である。
図２８は、本変形例のヒータプレートを表す模式的断面図である。
図２６（ａ）は、第１の支持板が複数の支持部に分割された一例を表す。図２６（ｂ）及び図２７は、第１の支持板が複数の支持部に分割された他の一例を表す。

図２８では、説明の便宜上、図２６（ａ）に表したヒータプレートと、第１の支持板の上面の温度のグラフ図と、を併せて表している。図２８に表したグラフ図は、第１の支持板の上面の温度の一例である。図２８に表したグラフ図の横軸は、第１の支持板２１０ａの上面の位置を表している。図２８に表したグラフ図の縦軸は、第１の支持板２１０ａの上面の温度を表している。なお、図２８では、説明の便宜上、バイパス層２５０および第３の樹脂層２６０を省略している。

図２６（ａ）および図２６（ｂ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ａは、複数の支持部に分割されている。より具体的には、図２６（ａ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ａは、同心円状に複数の支持部に分割され、第１の支持部２１６と、第２の支持部２１７と、第３の支持部２１８と、第４の支持部２１９と、を有する。図２６（ｂ）に表した変形例では、第１の支持板２１０ｂは、同心円状かつ放射状に複数の支持部に分割され、第１の支持部２１６ａと、第２の支持部２１６ｂと、第３の支持部２１６ｃと、第４の支持部２１６ｄと、第５の支持部２１６ｅと、第６の支持部２１６ｆと、第７の支持部２１７ａと、第８の支持部２１７ｂと、第９の支持部２１７ｃと、第１０の支持部２１７ｄと、第１１の支持部２１７ｅと、第１２の支持部２１７ｆと、を有する。

図２７に表した変形例において、第１の支持板２１０ｃは、さらに多くの支持部を有する。図２７の第１の支持板２１０ｃでは、図２６（ａ）で示した第１の支持部２１６が、さらに４つの支持部２１６ａ〜２１６ｄに分割されている。また、図２６（ａ）で示した第２の支持部２１７が、さらに８つの支持部２１７ａ〜２１７ｈに分割されている。また、図２６（ａ）で示した第３の支持部２１８が、さらに８つの領域２１８ａ〜２１８ｈに分割されている。そして、図２６（ａ）で示した第４の支持部２１９が、さらに１６の支持部２１９ａ〜２１９ｐに分割されている。このように、第１の支持板２１０に設けられる支持部の数及び形状は、任意でよい。

第１の樹脂層２２０と、ヒータエレメント２３０と、第２の樹脂層２４０と、バイパス層２５０と、第３の樹脂層２６０と、第２の支持板２７０と、給電端子２８０と、のそれぞれは、図３〜図５及び図１３に関して前述した通りである。

図２６（ａ）〜図２８に関する以下の説明では、図２６（ａ）に表した第１の支持板２１０ａを例に挙げる。図２８に表したように、第１の支持部２１６は、ヒータエレメント２３０の第１の領域２３１の上に設けられ、ヒータエレメント２３０の第１の領域２３１に対応している。第２の支持部２１７は、ヒータエレメント２３０の第２の領域２３２の上に設けられ、ヒータエレメント２３０の第２の領域２３２に対応している。第３の支持部２１８は、ヒータエレメント２３０の第３の領域２３３の上に設けられ、ヒータエレメント２３０の第３の領域２３３に対応している。第４の支持部２１９は、ヒータエレメント２３０の第４の領域２３４の上に設けられ、ヒータエレメント２３０の第４の領域２３４に対応している。

第１の支持部２１６は、第２の支持部２１７とは電気的に接合されていない。第２の支持部２１７は、第３の支持部２１８とは電気的に接合されていない。第３の支持部２１８は、第４の支持部２１９とは電気的に接合されていない。すなわち、複数の支持部２１６〜２１９は、互いに独立した状態で設けられている。

本変形例によれば、第１の支持板２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃの面内において意図的に径方向の温度差を設けることができる（温度制御性）。例えば図２８に表したグラフ図のように、第１の支持部２１６から第４の支持部２１９にわたってステップ状に温度差を設けることができる。これにより、処理対象物Ｗの面内において意図的に温度差を設けることができる（温度制御性）。

図２９（ａ）〜図２９（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。
図２９（ａ）は、ヒータエレメント２３０の一部を表し、図２９（ｂ）は、バイパス層２５０の一部を表す。また、図２９（ｃ）は、ヒータエレメント２３０及びバイパス層２５０の一部を表し、図２９（ｄ）は、ヒータエレメント２３０及びバイパス層２５０の変形例を表す。
各ヒータ電極２３９のそれぞれは、第１の支持板２１０側の第１面ＭＰ１（上面）と、第２の支持板側の第２面ＭＰ２（下面）と、を有する。第１面ＭＰ１は、第１の樹脂層２２０と対向する。第２面ＭＰ２は、第１面ＭＰ１と反対側を向く。すなわち、第２面ＭＰ２は、第２の樹脂層２４０と対向する。

第１面ＭＰ１の幅Ｗ１は、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２と異なる。この例において、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１は、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２よりも狭い。すなわち、ヒータ電極２３９の幅は、上方（セラミック誘電体基板１００側）に向かうほど狭くなる。

各ヒータ電極２３９は、第１面ＭＰ１と第２面ＭＰ２とを接続する一対の側面ＳＦ１を有する。図２９（ａ）に示したＺ方向に対して平行な断面において、側面ＳＦ１は、曲線状である。各側面ＳＦ１は、例えば、凹曲面状である。各側面ＳＦ１は、例えば、平面状でもよい。第１面ＭＰ１と側面ＳＦ１との成す角度θ１は、第２面ＭＰ２と側面ＳＦ１との成す角度θ２と異なる。これにより、例えば、熱膨張によるヒータ変形による樹脂層への応力の緩和によるヒータエレメント２３０に近接する樹脂層の剥離の低減と、均熱性や温度追従性といった熱的特性を両立することができる。また、側面ＳＦ１の表面粗さは、第１面ＭＰ１及び第２面ＭＰ２の少なくとも一方の表面粗さよりも粗い。これにより、例えば、側面部分での密着性を向上させ、ヒータエレメント２３０に近接する層の剥離をより抑制することができる。

第１面ＭＰ１は、例えば、第１の樹脂層２２０に接触する。第２面ＭＰ２は、例えば、第２の樹脂層２４０に接触する。

図２９（ｂ）及び図２９（ｃ）に表したように、バイパス部２５１（バイパス層２５０）は、第３の導電部３３と、第４の導電部３４と、を有する。第４の導電部３４は、面内方向Ｄｐ（例えばＸ方向）において第３の導電部３３と離間している。第３の導電部３３及び第４の導電部３４は、バイパス部２５１の一部である。空間部５０は、例えば、第３の導電部３３及び第４の導電部３４のそれぞれの側方に設けられる。換言すれば、空間部５０は、複数のバイパス部２５１のそれぞれの側方に設けられる。

各バイパス部２５１のそれぞれは、第１の支持板２１０側の第３面ＭＰ３（上面）と、第２の支持板２７０側の第４面ＭＰ４（下面）と、を有する。第３面ＭＰ３は、第２の樹脂層２４０と対向する。第４面ＭＰ４は、第３面ＭＰ３と反対側を向く。すなわち、第４面ＭＰ４は、第３の樹脂層２６０と対向する。

第３面ＭＰ３の幅Ｗ３は、第４面ＭＰ４の幅Ｗ４と異なる。この例において、第３面ＭＰ３の幅Ｗ３は、第４面ＭＰ４の幅Ｗ４よりも狭い。すなわち、バイパス部２５１の幅は、上方（セラミック誘電体基板１００側）に向かうほど狭くなる。この例において、第３面ＭＰ３の第４面ＭＰ４に対する幅の大小関係は、第１面ＭＰ１の第２面ＭＰ２に対する幅の大小関係と同じである。

各バイパス部２５１は、第３面ＭＰ３と第４面ＭＰ４とを接続する一対の側面ＳＦ２を有する。各側面ＳＦ２は、例えば、凹曲面状である。各側面ＳＦ２は、例えば、平面状でもよい。第３面ＭＰ３と側面ＳＦ２との成す角度θ３は、第４面ＭＰ４と側面ＳＦ２との成す角度θ４と異なる。また、側面ＳＦ２の表面粗さは、第３面ＭＰ３及び第４面ＭＰ４の少なくとも一方の表面粗さよりも粗い。

第３面ＭＰ３は、例えば、第２の樹脂層２４０に接触する。第４面ＭＰ４は、例えば、第３の樹脂層２６０に接触する。

このように、本実施形態に係る静電チャック１０では、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１が、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２と異なる。これにより、熱膨張によってヒータエレメント２３０が変形しても、第１の樹脂層２２０などに掛かる応力を低減することができる。これにより、ヒータエレメント２３０に近接する層（例えば、第１の樹脂層２２０）の剥離を抑制することができる。剥離によって生じる処理対象物の温度変化を抑制することができる。従って、静電チャックの信頼性を向上させることができる。

また、静電チャック１０では、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１が、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２よりも狭い。これにより、第１面ＭＰ１との接触面積が小さくなり、第１面ＭＰ１に接触する層に加わる応力を低減し、第１面ＭＰ１に接触する層の剥離を抑制することができる。例えば、第１の樹脂層２２０の剥離を抑制することができる。また、ベースプレート３００に熱が逃げやすい第２面ＭＰ２側の発熱量が、第１面ＭＰ１側の発熱量よりも多くなり、第１面ＭＰ１及び第２面ＭＰ２に対して垂直な上下方向（Ｚ方向）における熱分布のバラツキを抑制することができる。例えば、均熱性をより向上させることができる。

また、静電チャック１０では、側面ＳＦ１が、凹曲面状である。これにより、側面ＳＦ１に近接する層に加わる応力を低減し、側面ＳＦ１に近接する層の剥離を抑制することができる。

また、静電チャック１０では、第１面ＭＰ１と側面ＳＦ１との成す角度θ１が、第２面ＭＰ２と側面ＳＦ１との成す角度θ２と異なる。これにより、熱膨張によるヒータ変形による樹脂層への応力の緩和により、ヒータエレメント２３０に近接する第１の樹脂層２２０及び第２の樹脂層２４０の剥離の低減と、均熱性や温度追従性といった熱的特性を両立することができる。

また、静電チャック１０では、第３面ＭＰ３の第４面ＭＰ４に対する幅の大小関係が、第１面ＭＰ１の第２面ＭＰ２に対する幅の大小関係と同じである。そして、静電チャック１０では、第１面ＭＰ１及び第３面ＭＰ３の幅が、第２面ＭＰ２及び第４面ＭＰ４の幅よりも狭い。この場合、Ｚ方向における熱分布のバラツキをより抑制することができる。

なお、図２９（ａ）〜図２９（ｃ）では、バイパス層２５０の上にヒータエレメント２３０を設けている。これに限ることなく、例えば、図２９（ｄ）に表したように、ヒータエレメント２３０の上にバイパス層２５０を設けてもよい。すなわち、バイパス層２５０は、ヒータエレメント２３０とセラミック誘電体基板１００と、の間に設けてもよい。

この例では、第１の樹脂層２２０とヒータエレメント２３０との間に、バイパス層２５０が設けられ、ヒータエレメント２３０とバイパス層２５０との間に、第３の樹脂層２６０が設けられている。例えば、第１の支持板２１０と第１の樹脂層２２０との間にバイパス層２５０を設け、第１の支持板２１０とバイパス層２５０との間に、第３の樹脂層２６０を設けてもよい。

図２９（ｄ）に表したように、ヒータエレメント２３０の上にバイパス層２５０を設けた場合には、ヒータプレート２００への電圧供給を遮断した瞬間、最も温度が高いヒータエレメント２３０の熱をベースプレート３００に素早く伝えることができ、処理対象物Ｗの温度を下げる際の温度追従性（ランプレート）をより向上させることができる。バイパス層２５０を配置する位置は、第１の支持板２１０と第２の支持板２７０との間の任意の位置でよい。

図３０（ａ）〜図３０（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。
図３０（ａ）及び図３０（ｃ）に表したように、この例において、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１は、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２よりも広い。すなわち、ヒータ電極２３９の幅は、下方（べースプレート３００側）に向かうほど狭くなる。同様に、図３０（ｂ）及び図３０（ｃ）に表したように、第３面ＭＰ３の幅Ｗ３は、第４面ＭＰ４の幅Ｗ４よりも広い。バイパス部２５１の幅は、下方に向かうほど狭くなる。

このように、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１は、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２より広くてもよい。この場合、第２面ＭＰ２に接触する層に加わる応力を低減し、第２面ＭＰ２に接触する層の剥離を抑制することができる。また、第１面ＭＰ１側において熱を持ち易くするとともに、第２面ＭＰ２側において熱を冷まし易くし、温度追従性（ランプレート）をより向上させることができる。

また、この例では、第３面ＭＰ３の第４面ＭＰ４に対する幅の大小関係が、第１面ＭＰ１の第２面ＭＰ２に対する幅の大小関係と同じであり、第１面ＭＰ１及び第３面ＭＰ３の幅が、第２面ＭＰ２及び第４面ＭＰ４の幅よりも広い。この場合には、第１面ＭＰ１及び第３面ＭＰ３側において熱を持ち易くするとともに、第２面ＭＰ２及び第４面ＭＰ４側において熱を冷まし易くし、温度追従性をより向上させることができる。また、図３０（ｄ）に表したように、バイパス層２５０は、ヒータエレメント２３０の上に設けてもよい。

図３１（ａ）〜図３１（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。
図３１（ａ）及び図３１（ｃ）に表したように、この例において、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１は、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２よりも狭い。一方、図３１（ｂ）及び図３１（ｃ）に表したように第３面ＭＰ３の幅Ｗ３は、第４面ＭＰ４の幅Ｗ４よりも広い。この例において、第３面ＭＰ３の第４面ＭＰ４に対する幅の大小関係は、第１面ＭＰ１の第２面ＭＰ２に対する幅の大小関係と反対である。

このように、第３面ＭＰ３の第４面ＭＰ４に対する幅の大小関係は、第１面ＭＰ１の第２面ＭＰ２に対する幅の大小関係と反対でもよい。この場合、バイパス層２５０の熱膨張によって加わる応力の方向を、ヒータエレメント２３０の熱膨張によって加わる応力の方向と逆向きにすることができる。これにより、応力の影響をより抑制することができる。なお、図３１（ｄ）に表したように、バイパス層２５０をヒータエレメント２３０の上に設けてもよい。

図３２（ａ）〜図３２（ｄ）は、本実施形態のヒータプレートの変形例を表す断面図である。
図３２（ａ）〜図３２（ｃ）に表したように、第１面ＭＰ１の幅Ｗ１を、第２面ＭＰ２の幅Ｗ２より広くし、第３面ＭＰ３の幅Ｗ３を、第４面ＭＰ４の幅Ｗ４より狭くしてもよい。また、図３２（ｄ）に表したように、バイパス層２５０をヒータエレメント２３０の上に設けてもよい。

以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、ヒータプレート２００、２００ａ、２００ｂなどが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などやヒータエレメント２３０、第１のヒータエレメント２３０ａ、第２のヒータエレメント２３０ｂ、およびバイパス層２５０の設置形態などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。

１０静電チャック、１０ａ静電チャック、２１第１の導電部、２１Ｌ下面、２１Ｕ上面、２１ａ側端部（第１の側端部）、２１ｂ側端部（第２の側端部）、２２第２の導電部、２２ａ側端部（第３の側端部）、２２ｂ側端部（第４の側端部）、２３空間部、２３ａ空間部（第１の空間部）、２３ｂ空間部（第２の空間部）、２３ｃ空間部（第３の空間部）、２３ｄ空間部（第４の空間部）、２５ｈ接合部、１００セラミック誘電体基板、１０１第１主面、１０２第２主面、１０７第１誘電層、１０９第２誘電層、１１１電極層、１１３凸部、１１５溝、２００、２００ａヒータプレート、２０１リフトピン孔、２０３中心、２１０、２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ第１の支持板、２１１面、２１１ａ凹部、２１１ｂ凸部、２１３面、２１６第１の支持部、２１６ａ第１の支持部、２１６ｂ第２の支持部、２１６ｃ第３の支持部、２１６ｄ第４の支持部、２１６ｅ第５の支持部、２１６ｆ第６の支持部、２１７第２の支持部、２１７ａ第７の支持部、２１７ｂ第８の支持部、２１７ｃ第９の支持部、２１７ｄ第１０の支持部、２１７ｅ第１１の支持部、２１７ｆ第１２の支持部、２１８第３の支持部、２１９第４の支持部、２２０第１の樹脂層、２３０、２３０ａ、２３０ｂヒータエレメント、２３１第１の領域、２３１ａ第１の領域、２３１ｂ第２の領域、２３１ｃ第３の領域、２３１ｄ第４の領域、２３１ｅ第５の領域、２３１ｆ第６の領域、２３２第２の領域、２３２ａ第７の領域、２３２ｂ第８の領域、２３２ｃ第９の領域、２３２ｄ第１０の領域、２３２ｅ第１１の領域、２３２ｆ第１２の領域、２３３第３の領域、２３４第４の領域、２３５離間部分、２３９ヒータ電極、２４０第２の樹脂層、２４１孔、２５０バイパス層、２５１バイパス部、２５１ａ面、２５３切り欠き部、２５５ａ、２５５ｂ、２５５ｃ、２５５ｄ、２５５ｅ、２５５ｆ、２５５ｇ、２５５ｈ接合部、２５７離間部分、２５９中心、２６０第３の樹脂層、２６１孔、２７０支持板、２７１面、２７１ａ凹部、２７１ｂ凸部、２７３孔、２７５面、２８０給電端子、２９０第４の樹脂層、３００ベースプレート３０１連通路、３０３下面、３２１導入路、４０３接着剤、Ｗ処理対象物

Claims

処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記第１の導電部は、前記第１の樹脂層と対向する上面を有し、
前記第１の空間部と前記第２の樹脂層との境界は、前記面内方向において前記第１の側端部から遠ざかるにつれて、前記上面を通り前記面内方向に延在する仮想面に近づくことを特徴とする静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記第１の導電部は、前記第２の樹脂層と対向する下面を有し、
前記第１の空間部と前記第１の樹脂層との境界は、前記面内方向において前記第１の導電部から遠ざかるにつれて、前記下面を通り前記面内方向に延在する仮想面に近づくことを特徴とする静電チャック。
前記第１の導電部は、前記面内方向において前記第１の側端部と離間した第２の側端部を有し、
前記ヒータプレートは、前記第２の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第２の空間部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の静電チャック。
前記第１の空間部の前記積層方向に沿った幅は、前記第１の導電部の前記積層方向に沿った幅以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の空間部の前記積層方向に沿った幅は、前記面内方向において前記第１の側端部から遠ざかるにつれて狭くなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の導電部は、前記第１の樹脂層と対向する上面と、前記第２の樹脂層と対向する下面と、を有し、
前記上面及び前記下面のうち一方の面の前記面内方向に沿った幅は、前記上面及び前記下面の他方の面の前記面内方向に沿った幅よりも狭いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の導電部の前記下面の前記面内方向に沿った前記幅は、前記第１の導電部の前記上面の前記面内方向に沿った前記幅よりも長いことを特徴とする請求項６記載の静電チャック。
前記第１の導電部の前記上面の前記面内方向に沿った前記幅は、前記第１の導電部の前記下面の前記面内方向に沿った前記幅よりも長いことを特徴とする請求項６記載の静電チャック。
前記一方の面と前記第１の導電部の側面とは、曲面によって接続されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の導電部の側面は、前記他方の面よりも粗いことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の支持板及び前記第２の支持板のうち一方の支持板と、前記第１の導電部の前記積層方向における中央を通り前記面内方向に延在する中央仮想面と、の間の距離は、前記第１の支持板及び前記第２の支持板のうち他方の支持板と、前記中央仮想面と、の間の距離よりも短く、
前記一方の面は、前記一方の支持板と前記中央仮想面との間に位置することを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１つに記載の静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記第１の支持板は、前記第２の支持板と電気的に接合され、
前記第１の支持板が前記第２の支持板と接合された領域の面積は、前記第１の支持板の上面の面積よりも狭く、前記第２の支持板の下面の面積よりも狭いことを特徴とする静電チャック。
前記第１の支持板は、前記第２の支持板と電気的に接合されたことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の支持板が前記第２の支持板と接合された領域の面積は、前記第１の支持板の上面の面積よりも狭く、前記第２の支持板の下面の面積よりも狭いことを特徴とする請求項１３記載の静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記第１の支持板の上面は、第１の凹凸を有し、
前記第２の支持板の下面は、第２の凹凸を有することを特徴とする静電チャック。
前記第１の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならい、
前記第２の凹凸は、前記ヒータエレメントの形状にならったことを特徴とする請求項１５記載の静電チャック。
前記第１の凹凸の凹部と、前記第２の凹凸の凹部と、の間の距離は、前記第１の凹凸の凸部と、前記第２の凹凸の凸部と、の間の距離よりも短いことを特徴とする請求項１６記載の静電チャック。
前記第１の凹凸の高さは、前記第２の凹凸の高さとは異なることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータエレメントは、帯状のヒータ電極を有し、
前記ヒータ電極は、複数の領域において互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータエレメントは、複数設けられ、
前記複数の前記ヒータエレメントは、互いに異なる層に独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有することを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータエレメントは、前記バイパス層と電気的に接合され、前記第１の支持板および前記第２の支持板とは電気的に絶縁されたことを特徴とする請求項２１記載の静電チャック。
前記バイパス層の厚さは、前記第１の樹脂層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の静電チャック。
前記バイパス層の厚さは、前記ヒータエレメントの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記バイパス層は、前記ヒータエレメントと、前記ベースプレートと、の間に設けられたことを特徴とする請求項２１〜２４のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記バイパス層は、前記ヒータエレメントと、前記セラミック誘電体基板と、の間に設けられたことを特徴とする請求項２１〜２４のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータプレートは、前記バイパス層の側方に設けられた空間部をさらに有することを特徴とする請求項２１〜２６のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の空間部の断面積及び前記バイパス層の側方の前記空間部の断面積の大小関係は、前記ヒータエレメントの厚さ及び前記バイパス層の厚さの大小関係と同じであることを特徴とする請求項２７記載の静電チャック。
前記第１の空間部の側端は、前記第１の導電部の厚さ方向の中央に対して前記第１の支持板側又は前記第２の支持板側にずれ、
前記バイパス層の側方の前記空間部の側端は、前記バイパス層の厚さ方向の中央に対して前記第１の空間部の側端と同じ方向にずれることを特徴とする請求項２７又は２８に記載の静電チャック。
前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、
前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、
前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、
前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、
前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と同じであることを特徴とする請求項２１〜２９のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、
前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、
前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、
前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、
前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と反対であることを特徴とする請求項２１〜２９のいずれか１つに記載の静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層と、前記バイパス層の側方に設けられた空間部と、をさらに有し、
前記第１の空間部の側端は、前記第１の導電部の厚さ方向の中央に対して前記第１の支持板側又は前記第２の支持板側にずれ、
前記バイパス層の側方の前記空間部の側端は、前記バイパス層の厚さ方向の中央に対して前記第１の空間部の側端と同じ方向にずれることを特徴とする静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有し、
前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、
前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、
前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、
前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、
前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と同じであることを特徴とする静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記ヒータプレートは、前記第１の支持板と、前記第２の支持板と、の間に設けられ導電性を有するバイパス層をさらに有し、
前記ヒータエレメントは、前記第１の支持板側の第１面と、前記第２の支持板側の第２面と、を有し、
前記第１面の幅は、前記第２面の幅と異なり、
前記バイパス層は、前記第１の支持板側の第３面と、前記第２の支持板側の第４面と、を有し、
前記第３面の幅は、前記第４面の幅と異なり、
前記第３面の前記第４面に対する幅の大小関係は、前記第１面の前記第２面に対する幅の大小関係と反対であることを特徴とする静電チャック。
前記第１の支持板の上面の面積は、前記第２の支持板の下面の面積よりも広いことを特徴とする請求項１〜３４のいずれか１つに記載の静電チャック。
前記第１の支持板は、複数の支持部を有し、
前記複数の支持部は、互いに独立した状態で設けられたことを特徴とする請求項１〜３５のいずれか１つに記載の静電チャック。
処理対象物が載置されるセラミック誘電体基板と、
積層方向において前記セラミック誘電体基板と離れた位置に設けられ前記セラミック誘電体基板を支持するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられたヒータプレートと、
を備え、
前記ヒータプレートは、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第１の支持板と、
前記第１の支持板と前記ベースプレートとの間に設けられ金属を含む第２の支持板と、
前記第１の支持板と前記第２の支持板との間に設けられた第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の支持板との間に設けられた第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、第１の導電部と、前記積層方向に対して垂直な面内方向において前記第１の導電部と離間した第２の導電部と、を有し、電流が流れることにより発熱するヒータエレメントと、
前記第１の導電部の前記面内方向における第１の側端部と、前記第１の樹脂層と、前記第２の樹脂層と、によって区画された第１の空間部と、
を有し、
前記第１の樹脂層は、前記第１の導電部と前記第２の導電部との間において、前記第２の樹脂層と接し、
前記第１の支持板の前記第２の支持板側の面は、前記積層方向に沿ってみたときに、前記ヒータエレメントと重なる第１領域と、前記ヒータエレメントと重ならない第２領域と、を有し、
前記積層方向に対して平行な断面において、前記第２領域は、前記第１領域に比べて前記第２の支持板側に突出していることを特徴とする静電チャック。
前記第２の支持板の前記第１の支持板側の面は、前記積層方向に沿ってみたときに、前記ヒータエレメントと重なる第３領域と、前記ヒータエレメントと重ならない第４領域と、を有し、
前記積層方向に対して平行な断面において、前記第４領域は、前記第３領域に比べて前記第１の支持板側に突出していることを特徴とする請求項３７記載の静電チャック。
前記第１の支持板の前記第２の支持板側の面は、前記ヒータエレメントの形状にならった凹凸を有し、
前記第２の支持板の前記第１の支持板側の面は、前記ヒータエレメントの形状にならった凹凸を有することを特徴とする請求項３７又は３８に記載の静電チャック。
前記第２領域と前記第４領域との間の前記積層方向に沿った距離は、前記第１領域と前記第３領域との間の前記積層方向に沿った距離よりも短いことを特徴とする請求項３８記載の静電チャック。