CN108604570B - 静电吸盘 - Google Patents

静电吸盘 Download PDF

Info

Publication number
CN108604570B
CN108604570B CN201780009357.8A CN201780009357A CN108604570B CN 108604570 B CN108604570 B CN 108604570B CN 201780009357 A CN201780009357 A CN 201780009357A CN 108604570 B CN108604570 B CN 108604570B
Authority
CN
China
Prior art keywords
support plate
resin layer
electrostatic chuck
heater
heater element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780009357.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108604570A (zh
Inventor
上藤淳平
佐佐木均
山口康介
前畑健吾
吉井雄一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toto Ltd
Original Assignee
Toto Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toto Ltd filed Critical Toto Ltd
Priority claimed from PCT/JP2017/009894 external-priority patent/WO2017159590A1/ja
Publication of CN108604570A publication Critical patent/CN108604570A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108604570B publication Critical patent/CN108604570B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Abstract

本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1、第2支撑板，包含金属；第1、第2树脂层，设置在第1支撑板与第2支撑板之间；及第1、第2导电部，设置在第1树脂层与第2树脂层之间且在面内方向上离开，具有：加热器元件，因电流的流动而发热；及空间部，被在第1导电部的面内方向上的侧端部、第1树脂层、第2树脂层所划分，第1树脂层在第1导电部与第2导电部之间连接于第2树脂层。

Description

静电吸盘
技术区域
本发明的形态一般涉及一种静电吸盘。
背景技术
在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。
近几年，在包含晶体管等半导体元件的IC芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够得到具有与设计一致的宽度、深度的图形(pattern)。通过提高蚀刻等的加工精度，从而能够微细化半导体元件，能够提高集成密度。即，通过提高加工精度，从而能够实现芯片的小型化及高速度化。
已周知蚀刻等的加工精度依赖加工时的晶片温度。于是，在具有静电吸盘的基板处理装置中，要求稳定地控制加工时的晶片温度。例如，要求使晶片面内的温度分布均匀的性能(温度均匀性)。另外，要求有意图地使晶片面内的温度存在差异的性能(温度控制性)。作为控制晶片温度的方法，已周知使用内置加热器(发热体)、冷却板的静电吸盘的方法。一般来讲，温度均匀性与温度控制性之间存在折衷选择的关系。
晶片温度受冷却板的温度偏差、加热器的温度偏差、支撑加热器的支撑板的厚度偏差、设置在加热器周围的树脂层的厚度偏差等的影响。当将加热器内置于静电吸盘时，加热器的内置方法(例如粘接方法)是重要的要素之一。
在晶片加工的流程中，外加RF(Radio Frequency)电压(高频电压)。当外加RF电压时，一般来讲加热器受高频电压影响而发热。这样，晶片温度受影响。另外，当外加RF电压时，漏电流流向设备侧。因此，在设备侧需要滤波器等机构。
在等离子蚀刻装置等中的流程中，向晶片照射各种强度及各种分布的等离子体。当向晶片照射等离子体时，要求以适合于流程的温度控制晶片温度，同时要求温度均匀性及温度控制性。而且，为了提高生产性，要求晶片温度在较短时间内到达规定的温度。存在急剧的温度变化、供热、高频电压外加。因这些而静电吸盘上产生热、电、机械性的负载。要求静电吸盘可承受这些负载，要求控制晶片温度的较高可靠性。要同时满足这样的要求，则比较困难。
专利文献1：日本国特开2010-40644号公报
发明内容
本发明是基于这样的课题的认识而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，其能够承受热、电、机械性的负载，具有较高可靠性。
第1发明是一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板，层叠方向上设置于离开所述陶瓷电介体基板的位置且支撑所述陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，其特征为，所述加热器板具有：第1支撑板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且包含金属；第2支撑板，设置在所述第1支撑板与所述基座板之间且包含金属；第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间；第2树脂层，设置在所述第1树脂层与所述第2支撑板之间；加热器元件，设置在所述第1树脂层与所述第2树脂层之间，具有第1导电部、在垂直于所述层叠方向的面内方向上离开所述第1导电部的第2导电部，因电流的流动而发热；及第1空间部，被在所述第1导电部的所述面内方向上的第1侧端部、所述第1树脂层、所述第2树脂层所划分，所述第1树脂层在所述第1导电部与所述第2导电部之间连接于所述第2树脂层，所述第1导电部具有与所述第1树脂层相对的上面，所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近通过所述上面且在所述面内方向上延伸存在的假想面。
根据该静电吸盘，在加热器元件的第1导电部的端部设置有第1空间部(空隙)。即使加热器元件发生热膨胀，第1导电部也以填充第1空间部的方式发生变形。因此，当加热器元件因热膨胀而发生变形时，能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。从而，对负载的耐性较高，能够提高可靠性。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第2发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1发明中，所述第1导电部具有在所述面内方向上离开所述第1侧端部的第2侧端部，所述加热器板具有被所述第2侧端部、所述第1树脂层、所述第2树脂层所划分的第2空间部。
根据该静电吸盘，在加热器元件的第1导电部的端部设置有第2空间部(空隙)。即使加热器元件发生热膨胀，第1导电部也以填充第2空间部的方式发生变形。因此，当加热器元件因热膨胀而发生变形时，能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第3发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述第1空间部的沿向所述层叠方向的宽度为所述第1导电部的沿向所述层叠方向的宽度以下。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第4发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第3的任意一个发明中，所述第1空间部的沿向所述层叠方向的宽度在所述面内方向上伴随从所述第1侧端部远离而变窄。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第5发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个发明中，所述第1空间部与所述第1树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近通过所述第1导电部的所述层叠方向中央且在所述面内方向上延伸存在的假想面，所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近所述假想面。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第6发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个发明中，所述第1导电部具有与所述第1树脂层相对的上面，所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近通过所述上面且在所述面内方向上延伸存在的假想面。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第7发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个发明中，所述第1导电部具有与所述第2树脂层相对的下面，所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1导电部而靠近通过所述下面且在所述面内方向上延伸存在的假想面。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第8发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第7的任意一个发明中，所述第1导电部具有：与所述第1树脂层相对的上面；及与所述第2树脂层相对的下面，所述上面及所述下面中的一个面的沿向所述面内方向的宽度，比所述上面及所述下面中的另一个面的沿向所述面内方向的宽度更窄。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第9发明为如下静电吸盘，其特征为，在第8发明中，所述第1导电部的所述下面的沿向所述面内方向的所述长度，比所述第1导电部的所述上面的沿向所述面内方向的所述长度更长。
由于基座板的存在而加热器元件的下方温度比加热器元件的上方温度更低，上下方向上热分布有可能发生偏差。根据该静电吸盘，能够抑制这样的上下方向上的热分布的偏差。
第10发明为如下静电吸盘，其特征为，在第8发明中，所述第1导电部的所述上面的沿向所述面内方向的所述长度，比所述第1导电部的所述下面的沿向所述面内方向的所述长度更长。
根据该静电吸盘，由于加热器元件的上面较长，因此能够容易加热配置处理对象物的加热器元件上方。另外，由于加热器元件的下面比较短，因此能够容易冷却加热器元件的下方。由此，能够提高温度随动性(变温速率)。
第11发明为如下静电吸盘，其特征为，在第8～第10的任意一个发明中，所述一个面与所述第1导电部的侧面被曲面连接。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第12发明为如下静电吸盘，其特征为，在第8～第11的任意一个发明中，所述第1导电部的侧面比所述另一个面更粗糙。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第13发明为如下静电吸盘，其特征为，在第8～第12的任意一个发明中，所述第1支撑板及所述第2支撑板中的一个支撑板与通过所述第1导电部的所述层叠方向中央且在所述面内方向上延伸存在的中央假想面之间的距离，比所述第1支撑板及所述第2支撑板中的另一个支撑板与所述中央假想面之间的距离更短，所述一个面位于所述一个支撑板与所述中央假想面之间。
根据该静电吸盘，即使因热膨胀而加热器元件发生变形，也由于空间部被填充，因此能够降低施加于第1树脂层及第2树脂层的应力。从而，能够抑制加热器元件与第1树脂层的剥离及加热器元件与第2树脂层的剥离。能够抑制因剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第14发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第13的任意一个发明中，将所述第1支撑板电连接于所述第2支撑板。
根据该静电吸盘，能够从高频中隔绝加热器元件。由此，能够抑制加热器元件异常温度发热。另外，能够抑制加热器板的阻抗。
第15发明为如下静电吸盘，其特征为，在第14发明中，对所述第1支撑板与所述第2支撑板进行接合的区域的面积，比所述第1支撑板的上面面积更小，比所述第2支撑板的下面面积更小。
根据该静电吸盘，能够从高频中隔绝加热器元件。由此，能够抑制加热器元件异常温度发热。另外，能够抑制加热器板的阻抗。
第16发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第15的任意一个发明中，所述第1支撑板的上面具有第1凹凸部，所述第2支撑板的下面具有第2凹凸部。
根据该静电吸盘，由于第1支撑板的上面具有第1凹凸部，因此能够进一步加大第1支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第1支撑板与加热器元件之间的粘接强度。另外，由于第2支撑板的下面具有第2凹凸部，因此能够进一步加大第2支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第2支撑板与加热器元件之间的粘接强度。而且，由于第1支撑板的上面具有第1凹凸部，因此能够进一步缩短加热器元件与处理对象物之间的距离。由此，能够提高提升处理对象物温度的速度。
第17发明为如下静电吸盘，其特征为，在第16发明中，所述第1凹凸部仿形于所述加热器元件的形状，所述第2凹凸部仿形于所述加热器元件的形状。
根据该静电吸盘，能够进一步加大第1支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第1支撑板与加热器元件之间的粘接强度。另外，能够进一步加大第2支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第2支撑板与加热器元件之间的粘接强度。而且，能够进一步缩短加热器元件与处理对象物之间的距离。由此，能够提高提升处理对象物温度的速度。
第18发明为如下静电吸盘，其特征为，在第17发明中，所述第1凹凸部的凹部与所述第2凹凸部的凹部之间的距离，比所述第1凹凸部的凸部与所述第2凹凸部的凸部之间的距离更短。
根据该静电吸盘，能够进一步加大第1支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第1支撑板与加热器元件之间的粘接强度。另外，能够进一步加大第2支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第2支撑板与加热器元件之间的粘接强度。而且，能够进一步缩短加热器元件与处理对象物之间的距离。由此，能够提高提升处理对象物温度的速度。
第19发明为如下静电吸盘，其特征为，在第16～第18的任意一个发明中，所述第1凹凸部的高度不同于所述第2凹凸部的高度。
根据该静电吸盘，能够进一步加大第1支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第1支撑板与加热器元件之间的粘接强度。另外，能够进一步加大第2支撑板与加热器元件之间的粘接面积，能够提高第2支撑板与加热器元件之间的粘接强度。而且，能够进一步缩短加热器元件与处理对象物之间的距离。由此，能够提高提升处理对象物温度的速度。
第20发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第19的任意一个发明中，所述加热器元件具有带状的加热器电极，在多个区域中以相互独立的状态设置有所述加热器电极。
根据该静电吸盘，由于在多个区域中以相互独立的状态设置有加热器电极，因此在每个各区域中能够独立控制处理对象物的面内温度。由此，能够有意图地使处理对象物的面内温度存在差异(温度控制性)。
第21发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第20的任意一个发明中，设置有多个所述加热器元件，在互不相同的层中以独立的状态设置有所述多个所述加热器元件。
根据该静电吸盘，由于在互不相同的层中以独立的状态设置有加热器元件，因此在每个各区域中能够独立控制处理对象物的面内温度。由此，能够有意图地使处理对象物的面内温度存在差异(温度控制性)。
第22发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第20的任意一个发明中，所述加热器板还具有设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间的具有导电性的旁路层。
根据该静电吸盘，能够使向加热器元件供给电力的端子的配置具有更大的自由度。通过设置旁路层，从而与未设置有旁路层的情况相比，还可以不需要将热容量较大的端子直接接合于加热器元件。由此，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。另外，与未设置有旁路层的情况相比，还可以不需要将端子接合于较薄的加热器元件。由此，能够提高加热器板的可靠性。
第23发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22发明中，将所述加热器元件电连接于所述旁路层，电绝缘于所述第1支撑板及所述第2支撑板。
根据该静电吸盘，介由旁路层能够从外部向加热器元件供给电力。
第24发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22或第23发明中，所述旁路层的厚度比所述第1树脂层的厚度更厚。
根据该静电吸盘，能够使向加热器元件供给电力的端子的配置具有更大的自由度。另外，能够抑制旁路层的电阻，能够抑制旁路层的发热量。
第25发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第24的任意一个发明中，所述旁路层的厚度比所述加热器元件的厚度更厚。
根据该静电吸盘，能够使向加热器元件供给电力的端子的配置具有更大的自由度。另外，能够抑制旁路层的电阻，能够抑制旁路层的发热量。
第26发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第25的任意一个发明中，所述旁路层设置在所述加热器元件与所述基座板之间。
根据该静电吸盘，旁路层抑制从加热器元件供给的热传递到基座板。即，从旁路层考虑，旁路层具有对基座板侧的绝热效果，能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。
第27发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第25的任意一个发明中，所述旁路层设置在所述加热器元件与所述陶瓷电介体基板之间。
根据该静电吸盘，在切断向加热器板的电压供给的瞬间，能够将温度最高的加热器元件的热迅速传递到基座板，能够进一步提高在降低处理对象物温度时的温度随动性(变温速率)。
第28发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第27的任意一个发明中，所述加热器板还具有设置在所述旁路层侧方的空间部。
根据该静电吸盘，即使旁路层发生热膨胀，也以填充空间部的方式发生变形。因此，能够降低施加于邻接旁路层的树脂层等的应力。从而，能够抑制邻接旁路层的树脂层等的剥离。例如，提高加热器板对负载的耐性，能够进一步提高静电吸盘的可靠性。而且，能够抑制因邻接旁路层的层的剥离而产生的处理对象物的温度变化。
第29发明为如下静电吸盘，其特征为，在第28发明中，所述第1空间部的截面积与所述旁路层侧方的所述空间部的截面积的大小关系，相同于所述加热器元件的厚度与所述旁路层的厚度的大小关系。
如果厚度较厚，则缘于热膨胀的体积增加变大。因此，空间部的截面积越大则越有利于抑制邻接的层的剥离。从而，根据该静电吸盘，能够进一步抑制邻接第1导电部及旁路层的层的剥离。能够更加确实地抑制伴随剥离的处理对象物的温度变化。
第30发明为如下静电吸盘，其特征为，在第28或第29发明中，所述第1空间部的侧端相对于所述第1导电部的厚度方向中央向所述第1支撑板侧或所述第2支撑板侧发生偏离，所述旁路层侧方的所述空间部的侧端相对于所述旁路层的厚度方向中央向与所述第1空间部的侧端相同的方向发生偏离。
根据该静电吸盘，在第1空间部及旁路层的空间部的形成上不需要使用复杂的方法等，能够容易形成第1空间部及旁路层的空间部。
第31发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第30的任意一个发明中，所述加热器元件具有所述第1支撑板侧的第1面及所述第2支撑板侧的第2面，所述第1面的宽度不同于所述第2面的宽度，所述旁路层具有所述第1支撑板侧的第3面及所述第2支撑板侧的第4面，所述第3面的宽度不同于所述第4面的宽度，所述第3面对于所述第4面的宽度的大小关系，相同于所述第1面对于所述第2面的宽度的大小关系。
根据该静电吸盘，在第1面及第3面的宽度较窄的情况下，能够进一步抑制在垂直于第1面～第4面的方向上的热分布的偏差。相反，在第1面及第3面的宽度较大的情况下，在第1面及第3面侧容易加热，同时在第2面及第4面侧容易冷却，能够进一步提高温度随动性(变温速率)。
第32发明为如下静电吸盘，其特征为，在第22～第30的任意一个发明中，所述加热器元件具有所述第1支撑板侧的第1面及所述第2支撑板侧的第2面，所述第1面的宽度不同于所述第2面的宽度，所述旁路层具有所述第1支撑板侧的第3面及所述第2支撑板侧的第4面，所述第3面的宽度不同于所述第4面的宽度，所述第3面对于所述第4面的宽度的大小关系，相反于所述第1面对于所述第2面的宽度的大小关系。
根据该静电吸盘，能够使旁路层的因热膨胀而承受的应力的方向朝向与加热器元件的因热膨胀而承受的应力的方向呈相反的方向。由此，能够进一步抑制应力的影响。
第33发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第32的任意一个发明中，所述第1支撑板的上面面积比所述第2支撑板的下面面积更大。
根据该静电吸盘，从加热器元件考虑，在第2支撑板的侧能够更加容易连接向加热器元件供给电力的端子。
第34发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第33的任意一个发明中，所述第1支撑板具有多个支撑部，以相互独立的状态设置有所述多个支撑部。
根据该静电吸盘，在第1支撑板的面内，能够有意图地设置径向温差(温度控制性)。例如，在第1支撑板的面内，在从中央部到外周部的跨度上能够以阶梯状设置温差。由此，在处理对象物的面内，能够有意图地设置温差(温度控制性)。
第35发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第34的任意一个发明中，当沿着所述层叠方向观察时，所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有与所述加热器元件重叠的第1区域及不与所述加热器元件重叠的第2区域，在平行于所述层叠方向的截面上，所述第2区域比所述第1区域更向所述第2支撑板侧突出。
根据该静电吸盘，能够提高接近第1支撑板的层与第1支撑板的贴紧性。由此，能够实现与设计一致的均热性及耐电压特性。
第36发明为如下静电吸盘，其特征为，在第35发明中，当沿着所述层叠方向观察时，所述第2支撑板的所述第1支撑板侧的面具有与所述加热器元件重叠的第3区域及不与所述加热器元件重叠的第4区域，在平行于所述层叠方向的截面上，所述第4区域比所述第3区域更向所述第1支撑板侧突出。
根据该静电吸盘，能够提高接近第2支撑板的层与第2支撑板的贴紧性。由此，能够实现与设计一致的均热性及耐电压特性。
第37发明为如下静电吸盘，其特征为，在第35或第36发明中，所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有仿形于所述加热器元件形状的凹凸部，所述第2支撑板的所述第1支撑板侧的面具有仿形于所述加热器元件形状的凹凸部。
根据该静电吸盘，能够实现与设计一致的均热性及耐电压特性。另外，能够提高提升处理对象物温度的速度。从而，例如能够同时实现“加热器的加热性能(升温速度)”及“温度均匀性”、“耐电压可靠性”。
第38发明为如下静电吸盘，其特征为，在第36发明中，所述第2区域与所述第4区域之间的沿向所述层叠方向的距离，比所述第1区域与所述第3区域之间的沿向所述层叠方向的距离更短。
根据该静电吸盘，接近第1支撑板的层与第1支撑板的贴紧性较高。另外，接近第2支撑板的层与第2支撑板的贴紧性较高。由此，能够实现与设计一致的均热性及耐电压特性。另外，能够提高提升处理对象物温度的速度。从而，例如能够同时实现“加热器的加热性能(升温速度)”及“温度均匀性”、“耐电压可靠性”。
根据本发明的形态，能够提供一种静电吸盘，其能够承受热、电、机械性的负载，具有较高可靠性。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化立体图。
图2(a)及图2(b)是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图3是表示本实施方式的加热器板的模式化立体图。
图4(a)及图4(b)是表示本实施方式的加热器板的模式化立体图。
图5是表示本实施方式的加热器板的模式化分解图。
图6是表示本实施方式的加热器板的一部分的剖视图。
图7是本实施方式的加热器板的相片。
图8(a)～图8(d)是表示加热器板的剖视图。
图9(a)及图9(b)是表示加热器板的剖视图。
图10(a)及图10(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
图11(a)及图11(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
图12(a)及图12(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
图13是表示本实施方式的加热器板的变形例的模式化分解图。
图14(a)及图14(b)是例示本实施方式的制造方法的一个例子的模式化剖视图。
图15是例示本实施方式的制造方法的其他一个例子的模式化剖视图。
图16是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化分解图。
图17(a)及图17(b)是表示静电吸盘的电路图。
图18(a)及图18(b)是表示本实施方式的加热器板的具体例的模式化俯视图。
图19(a)及图19(b)是例示本具体例的加热器元件的模式化俯视图。
图20是例示本具体例的加热器元件的模式化俯视图。
图21(a)及图21(b)是例示本具体例的旁路层的模式化俯视图。
图22(a)～图22(c)是模式化表示本具体例的加热器板的一部分的放大图。
图23(a)及图23(b)是说明本实施方式的加热器板的表面形状的模式图。
图24是表示本实施方式的加热器板的模式化剖视图。
图25(a)及图25(b)是表示本实施方式的变形例所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图26(a)及图26(b)是表示本实施方式的第1支撑板的变形例的模式化俯视图。
图27是表示本实施方式的第1支撑板的变形例的模式化俯视图。
图28是表示本变形例的加热器板的模式化剖视图。
图29(a)～图29(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
图30(a)～图30(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
图31(a)～图31(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
图32(a)～图32(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
符号说明
10-静电吸盘；10a-静电吸盘；21-第1导电部；21L-下面；21U-上面；21a-侧端部(第1侧端部)；21b-侧端部(第2侧端部)；22-第2导电部；22a-侧端部(第3侧端部)；22b-侧端部(第4侧端部)；23-空间部；23a-空间部(第1空间部)；23b-空间部(第2空间部)；23c-空间部(第3空间部)；23d-空间部(第4空间部)；25h-接合部；100-陶瓷电介体基板；101-第1主面；102-第2主面；107-第1电介层；109-第2电介层；111-电极层；113-凸部；115-槽；200、200a-加热器板；201-提升销孔；203-中心；210、210a、210b、210c-第1支撑板；211-面；211a-凹部；211b-凸部；213-面；216-第1支撑部；216a-第1支撑部；216b-第2支撑部；216c-第3支撑部；216d-第4支撑部；216e-第5支撑部；216f-第6支撑部；217-第2支撑部；217a-第7支撑部；217b-第8支撑部；217c-第9支撑部；217d-第10支撑部；217e-第11支撑部；217f-第12支撑部；218-第3支撑部；219-第4支撑部；220-第1树脂层；230、230a、230b-加热器元件；231-第1区域；231a-第1区域；231b-第2区域；231c-第3区域；231d-第4区域；231e-第5区域；231f-第6区域；232-第2区域；232a-第7区域；232b-第8区域；232c-第9区域；232d-第10区域；232e-第11区域；232f-第12区域；233-第3区域；234-第4区域；235-离开部分；239-加热器电极；240-第2树脂层；241-孔；250-旁路层；251-旁路部；251a-面；253-缺口部；255a、255b、255c、255d、255e、255f、255g、255h-接合部；257-离开部分；259-中心；260-第3树脂层；261-孔；270-支撑板；271-面；271a-凹部；271b-凸部；273-孔；275-面；280-供电端子；290-第4树脂层；300-基座板；301-连通路；303-下面；321-导入路；403-粘接剂；W-处理对象物。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在各附图中，对于相同的构成要素标注相同符号并适当省略详细说明。
图1是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化立体图。
图2(a)及图2(b)是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
为了便于说明，图1中表示了静电吸盘的一部分剖视图。图2(a)是例如在图1所示的切断面A1-A1上的模式化剖视图。图2(b)是图2(a)所示的区域B1的模式化放大图。
本实施方式所涉及的静电吸盘10具备陶瓷电介体基板100、加热器板200、基座板300。
陶瓷电介体基板100设置于层叠方向(Z方向)上离开基座板300的位置。加热器板200设置在基座板300与陶瓷电介体基板100之间。
在基座板300与加热器板200之间设置有粘接剂403。在加热器板200与陶瓷电介体基板100之间设置有粘接剂403。作为粘接剂403的材料，可例举具有比较高的热传导性的硅胶等耐热性树脂。粘接剂403的厚度例如为约0.1毫米(mm)以上、1.0mm以下左右。粘接剂403的厚度相同于基座板300与加热器板200之间的距离，或相同于加热器板200与陶瓷电介体基板100之间的距离。
陶瓷电介体基板100是例如由多结晶陶瓷烧结体构成的平板状的基体材料，具有：放置半导体晶片等处理对象物W的第1主面101；及第1主面101相反侧的第2主面102。
在此，在本实施方式的说明中，将连接第1主面101与第2主面102的方向称为Z方向，与Z方向正交的1个方向称为X方向，与Z方向、X方向正交的方向称为Y方向。Z方向实质上平行于基座板300、加热器板200及陶瓷电介体基板100的层叠方向。在本实施方式的说明中，面内方向是平行于包含X方向、Y方向的平面的1个方向。
作为包含于陶瓷电介体基板100的结晶材料，例如可例举Al2O3、Y2O3及YAG等。通过使用这样的材料，能够提高陶瓷电介体基板100的红外线透过性、绝缘强度及抗等离子性。
陶瓷电介体基板100内部设置有电极层111。电极层111设置在第1主面101与第2主面102之间。即，电极层111形成为插入陶瓷电介体基板100中。电极层111呈一体地烧结于陶瓷电介体基板100。
并且，电极层111并不限定为设置在第1主面101与第2主面102之间，还可以附加设置于第2主面102。
通过对静电吸盘10的电极层111外加吸附保持用电压，从而在电极层111的第1主面101侧产生电荷，通过静电力吸附保持处理对象物W。
通过加热器用电流的流动而加热器板200发热，与加热器板200并不发热时相比，能够提高处理对象物W的温度。
沿着第1主面101及第2主面102设置有电极层111。电极层111是用于吸附保持处理对象物W的吸附电极。电极层111既可以是单极型还可以是双极型。另外，电极层111还可以是三极型以及其他的多极型。可适当选择电极层111的数量及电极层111的配置。
陶瓷电介体基板100具有：第1电介层107，位于电极层111与第1主面101之间；及第2电介层109，位于电极层111与第2主面102之间。优选在陶瓷电介体基板100中的至少第1电介层107的红外线分光透过率为20％以上。本实施方式中，红外线分光透过率是当换算成1mm厚度时的值。
由于在陶瓷电介体基板100中的至少第1电介层107的红外线分光透过率为20％以上，因此在将处理对象物W放置于第1主面101的状态下从加热器板200发出的红外线能够高效地透过陶瓷电介体基板100。从而，热难以积累于处理对象物W，提高对处理对象物W的温度控制性。
例如，当在进行等离子处理的燃烧室内使用静电吸盘10时，伴随等离子体能量的增加而处理对象物W的温度容易上升。在本实施方式的静电吸盘10中，因等离子体能量而传递到处理对象物W的热，高效地传递到陶瓷电介体基板100。而且，因加热器板200而传递到陶瓷电介体基板100的热，高效地传递到处理对象物W。从而，高效地进行传热，容易将处理对象物W维持在所希望的温度。
在本实施方式所涉及的静电吸盘10中，在第1电介层107的基础上，优选第2电介层109的红外线分光透过率也为20％以上。由于第1电介层107及第2电介层109的红外线分光透过率为20％以上，因此从加热器板200发出的红外线更加高效地透过陶瓷电介体基板100，能够提高对处理对象物W的温度控制性。
基座板300设置在陶瓷电介体基板100的第2主面102侧，介由加热器板200支撑陶瓷电介体基板100。基座板300中设置有连通路301。即，连通路301设置在基座板300内部。作为基座板300的材料，例如可例举铝。
基座板300发挥对陶瓷电介体基板100进行温度调整的作用。例如，当冷却陶瓷电介体基板100时，向连通路301流入冷却介质。流入的冷却介质通过连通路301而从连通路301流出。由此，通过冷却介质吸收基座板300的热，能够冷却安装在其上的陶瓷电介体基板100。
另一方面，当加热陶瓷电介体基板100时，还可以向连通路301内流入加热介质。或者，还可以将未图示加热器内置于基座板300。这样，当通过基座板300调整陶瓷电介体基板100的温度时，能够容易调整由静电吸盘10吸附保持的处理对象物W的温度。
另外，在陶瓷电介体基板100的第1主面101侧，根据需要设置有凸部113。在相互相邻的凸部113之间设置有槽115。槽115相互连通。在搭载于静电吸盘10的处理对象物W的背面与槽115之间形成空间。
槽115中连接有贯通基座板300及陶瓷电介体基板100的导入路321。当在吸附保持有处理对象物W的状态下从导入路321导入氦(He)等传热气体时，传热气体在设置于处理对象物W与槽115之间的空间中流动，能够通过传热气体直接加热或冷却处理对象物W。
图3是表示本实施方式的加热器板的模式化立体图。
图4(a)及图4(b)是表示本实施方式的加热器板的模式化立体图。
图5是表示本实施方式的加热器板的模式化分解图。
图3是从上面(陶瓷电介体基板100侧的面)观察本实施方式的加热器板的模式化立体图。图4(a)是从下面(基座板300侧的面)观察本实施方式的加热器板的模式化立体图。图4(b)是在图4(a)所示的区域B2中的模式化放大图。
如图5所示，本实施方式的加热器板200具有第1支撑板210、第1树脂层220、加热器元件(发热层)230、第2树脂层240、第2支撑板270、供电端子280。如图3所示，第1支撑板210的面211(上面)形成加热器板200的上面。如图4所示，第2支撑板270的面271(下面)形成加热器板200的下面。第1支撑板210及第2支撑板270是支撑加热器元件230等的支撑板。在该例子中，第1支撑板210及第2支撑板270夹住第1树脂层220、加热器元件230、第2树脂层240并支撑这些。
第1支撑板210设置在陶瓷电介体基板100与基座板300之间。第2支撑板270设置在第1支撑板210与基座板300之间。第1树脂层220设置在第1支撑板210与第2支撑板270之间。第2树脂层240设置在第1树脂层220与第2支撑板270之间。加热器元件230设置在第1树脂层220与第2树脂层240之间。
第1支撑板210具有比较高的热传导率。作为第1支撑板210的材料，例如可例举包含铝、铜、镍中的至少任意一种的金属及多层构造的石墨等。作为第1支撑板210的材料，从同时满足一般来讲处于二律背反关系的“处理对象物的面内温度均匀性”与“高生产率”的观点以及对燃烧室的污染、磁性的观点考虑，铝或铝合金比较适合。第1支撑板210的厚度(Z方向的长度)例如为约0.1mm以上、5.0mm以下左右。更优选第1支撑板210的厚度例如为0.3mm以上、1.0mm以下左右。第1支撑板210提高加热器板200的面内温度分布的均匀化。第1支撑板210抑制加热器板200发生卷曲。第1支撑板210提高加热器板200与陶瓷电介体基板100之间的粘接强度。
在处理对象物W的处理流程中，外加RF(Radio Frequency)电压(高频电压)。当外加高频电压时，加热器元件230受高频电压影响而发热。这样，加热器元件230的温度控制性降低。
与此相对，本实施方式中，第1支撑板210从高频中隔绝加热器元件230及旁路层250。由此，第1支撑板210能够抑制加热器元件230异常温度发热。
根据所要求的性能、尺寸等而可自由设定第2支撑板270的材料、厚度及功能。例如，能够使第2支撑板270的材料、厚度及功能分别与第1支撑板210的材料、厚度及功能相同。第1支撑板210电连接于第2支撑板270。在此，本申请明细书中称为“连接”的范围包含接触。关于第2支撑板270与第1支撑板210之间的电连接，在以后进行详细叙述。
这样，第1支撑板210及第2支撑板270具有比较高的热传导率。由此，第1支撑板210及第2支撑板270提高从加热器元件230供给的热的热扩散性。另外，由于第1支撑板210及第2支撑板270具有适当的厚度及刚性，因此例如抑制加热器板200发生卷曲。而且，第1支撑板210及第2支撑板270例如提高对外加于晶片处理装置的电极等的RF电压的屏蔽性。例如，抑制RF电压对加热器元件230的影响。这样，第1支撑板210及第2支撑板270具有：热扩散的功能；抑制卷曲的功能；及对RF电压的屏蔽功能。
作为第1树脂层220的材料，例如可例举聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺等。第1树脂层220的厚度(Z方向的长度)例如为20μm以上、0.20mm以下左右，例如为50μm。第1树脂层220相互接合第1支撑板210与加热器元件230。第1树脂层220对第1支撑板210与加热器元件230之间进行电绝缘。这样，第1树脂层220具有电绝缘功能及面接合功能。
第2树脂层240的材料、厚度与第1树脂层220的材料、厚度分别为相等程度。
第2树脂层240相互接合加热器元件230与第2支撑板270。第2树脂层240对加热器元件230与第2支撑板270之间进行电绝缘。这样，第2树脂层240具有电绝缘功能及面接合功能。
作为加热器元件230的材料，例如可例举包含不锈钢、钛、铬、镍、铜及铝中的至少任意一个的金属等。加热器元件230的厚度(Z方向的长度)例如为10μm以上、0.20mm以下左右，例如为30μm。加热器元件230电绝缘于第1支撑板210、第2支撑板270。
加热器元件230因电流的流动而发热，控制处理对象物W的温度。例如，加热器元件230将处理对象物W加热至规定的温度。例如，加热器元件230使处理对象物W的面内温度分布趋于均匀。例如，加热器元件230有意图地使处理对象物W的面内温度存在差异。加热器元件230具有带状的加热器电极239。
供电端子280电连接于加热器元件230。在加热器板200设置于基座板300与陶瓷电介体基板100之间的状态下，供电端子280设置成从加热器板200朝向基座板300。供电端子280将从静电吸盘10外部供给的电力供向加热器元件230。
加热器板200具有多个供电端子280。图3～图5所示的加热器板200具有8个供电端子280。供电端子280的数量并不限定于“8个”。1个供电端子280电连接于1个加热器电极239。孔273贯通第2支撑板270。供电端子280通过孔273电连接于加热器电极239。
如图5所示的箭头Ca及箭头Cb，当从静电吸盘10外部向供电端子280供给电力时，如图5所示的箭头Cc，电流在加热器元件230的规定区域(zone)中流动。关于加热器元件230的区域，在以后进行详细叙述。如图5所示的箭头Cd及箭头Ce，流向加热器元件230的电流，流向供电端子280而从供电端子280流向静电吸盘10外部。
这样，在加热器元件230与供电端子280的接合部存在：电流流入加热器元件230的部分；及电流从加热器元件230流出的部分。即，加热器元件230与供电端子280的接合部成对存在。由于图3～图5所示的加热器板200具有8个供电端子280，因此加热器元件230与供电端子280的接合部存在4对。
根据本实施方式，加热器元件230设置在第1支撑板210与第2支撑板270之间。由此，提高加热器板200的面内温度分布的均匀化，能够提高处理对象物W的面内温度分布的均匀性。另外，第1支撑板210及第2支撑板270从高频中隔绝加热器元件230(及后述的旁路层250)，能够抑制加热器元件230异常温度发热。
如前所述，供电端子280设置成从加热器板200朝向基座板300。因此，能够从基座板300的下面303(参照图2(a)及图2(b))侧介由称为插座等的构件向供电端子280供给电力。由此，抑制供电端子280露出于设置静电吸盘10的燃烧室内，同时实现加热器的配线。
接下来，对本实施方式的加热器板200的制造方法进行说明。
在本实施方式所涉及的加热器板200的制造方法中，例如，首先通过对铝进行机械加工而制造第1支撑板210及第2支撑板270。例如使用三维测量仪等对第1支撑板210及第2支撑板270进行检查。
接下来，例如通过激光、机械加工、起模或熔化等对聚酰亚胺片进行剪切，由此制造第1树脂层220及第2树脂层240。例如通过目视等对第1树脂层220及第2树脂层240进行检查。
接下来，利用光刻技术、印刷技术并通过蚀刻、机械加工、起模等对包含不锈钢、钛、铬、镍、铜及铝中至少任意一个的金属进行剪切，由此形成加热器图形(pattern)。由此，制造加热器元件230。另外，对加热器元件230进行电阻值的测定等。
接下来，对层叠了加热器板200的各构件的层叠体进行压接。
这样，制造本实施方式的加热器板200。
并且，对制造后的加热器板200适当进行检查等。
参照附图对本实施方式所涉及的加热器板200的结构进一步进行说明。
图6是表示本实施方式的加热器板的一部分的剖视图。
图7是本实施方式的加热器板的相片。图7中观察了与图6所示的区域B3对应的截面。
本实施方式中，加热器电极239独立配置于多个区域。例如，如图6所示，加热器电极239(加热器元件230)具有第1导电部21、第2导电部22。第2导电部22在面内方向Dp(例如X方向)上离开第1导电部21。第1导电部21及第2导电部22是加热器电极239的一部分。第1导电部21与第2导电部22之间的距离(第1导电部21与第2导电部22之间的离开部分235的宽度L8)例如为500μm以上。这样，通过将加热器电极239配置于多个区域，从而能够在每个各区域中控制处理对象物W的面内温度。并且，关于加热器电极239的图形的具体例，则对图19(a)、图19(b)及图20进行后述。
第1导电部21具有侧端部21a(第1侧端部)、侧端部21b(第2侧端部)。侧端部21a及侧端部21b是在第1导电部21的面内方向Dp上的两端部。侧端部21a位于第2导电部22侧。侧端部21b是侧端部21a相反侧的端部，在面内方向Dp上离开侧端部21a。
同样，第2导电部22具有侧端部22a(第3侧端部)、侧端部22b(第4侧端部)。侧端部22a及侧端部22b是在第2导电部22的面内方向Dp上的两端部。侧端部22a位于第1导电部21侧。侧端部22b是侧端部22a相反侧的端部，在面内方向Dp上离开侧端部22a。
加热器板200具有第1～第4空间部23a～23d。
第1空间部23a是被侧端部21a、第1树脂层220、第2树脂层240所划分(围住)的空间。第1空间部23a在面内方向Dp上邻接侧端部21a，位于第1导电部21与第2导电部22之间。
第2空间部23b是被侧端部21b、第1树脂层220、第2树脂层240所划分的空间。第2空间部23a在面内方向Dp上邻接侧端部21b。第1导电部21位于第1空间部23a与第2空间部23b之间。
第3空间部23c是被侧端部22a、第1树脂层220、第2树脂层240所划分的空间。第3空间部23c在面内方向Dp上邻接侧端部22a，位于第1导电部21与第2导电部22之间。
第4空间部23d是被侧端部22b、第1树脂层220、第2树脂层240所划分的空间。第4空间部23d在面内方向Dp上邻接侧端部22b。第2导电部22位于第3空间部23c与第4空间部23d之间。
第1空间部23a的沿向Z方向的宽度L2为第1导电部21的沿向Z方向的宽度L1以下。第2空间部23b的沿向Z方向的宽度为第1导电部21的沿向Z方向的宽度以下。同样，第3空间部23c的沿向Z方向的宽度及第4空间部23d的沿向Z方谷的宽度分别为第2导电部22的沿向Z方向的宽度以下。
在加热器电极239的相互离开的区域彼此之间，第1树脂层220接触第2树脂层240。例如，图6中，第1空间部23a的沿向Z方向的宽度L2在面内方向Dp上伴随远离侧端部21a而变窄。而且，第1树脂层220在第1导电部21与第2导电部22之间接触第2树脂层240。例如，第1空间部23a的沿向面内方向Dp的长度L3为第1导电部21的沿向Z方向的宽度L1的1倍以上、15倍以下左右。第1导电部21的沿向Z方向的宽度L1例如为30μm(10μm以上、50μm以下)。
在该例子中，第1空间部23a具有伴随远离侧端部21a而从上侧及下侧发生挤压的形状。即，第1空间部23a与第1树脂层220的边界，伴随在面内方向Dp上远离侧端部21a而靠近图6所示的假想面P1(假想线)。另外，第1空间部23a与第2树脂层240的边界伴随在面内方向Dp上远离侧端部21a而靠近假想面P1。并且，假想面P1通过第1导电部21在Z方向上的中央附近，是平行于面内方向Dp的面。同样，第2～第4空间部23b～23d也具有从上侧及下侧发生挤压的形状。
当电流在加热器电极239上流动而加热器板200发热时，加热器电极239发生热膨胀。例如，第1树脂层220的热膨胀系数与加热器电极239的热膨胀系数有可能不同。另外，例如，第1树脂层220的温度与加热器电极239的温度有可能不同。因此，如果加热器电极239因热膨胀而发生变形，则第1树脂层220承受应力。因该应力而第1树脂层220与加热器电极239有可能发生剥离。在发生剥离的区域中，从加热器电极239到处理对象物W的热传导受阻。因此，处理对象物W的温度有可能在局部上降低。
同样，第2树脂层240与加热器电极239有可能发生剥离。在发生剥离的区域中，从加热器电极239到冷却介质的热传导受阻。因此，处理对象物W的温度有可能在局部上上升。如果在处理对象物W的局部上发生温度变化，则蚀刻等的加工精度降低。其结果，半导体芯片等的成品率有可能降低。
与此相对，在实施方式所涉及的静电吸盘中，在分开设置于多个区域的加热器电极239的各侧端部，设置有空隙(第1～第4空间部23a～23d等)。由此，例如，加热器电极239能够朝着空隙发生膨胀。即使加热器电极239因热膨胀而发生变形，也由于空隙被填充，因此能够降低施加于第1树脂层220及第2树脂层240的应力。由此，能够抑制加热器电极239与第1树脂层220的剥离以及加热器电极239与第2树脂层240的剥离。从而，抑制热传导在局部上受阻，能够抑制在处理对象物W的局部上发生温度变化。即，提高温度均匀性及温度控制性，能够稳定地控制处理对象物的温度。能够提高蚀刻等的加工精度及成品率。
关于所述的应力降低，本申请发明者通过模拟进行了评价。
图8(a)～图8(d)、图9(a)及图9(b)是表示加热器板的剖视图。
图8(a)～图8(d)表示模拟条件。图8(a)表示模拟中使用的加热器板的结构。图8(b)及图8(c)是图8(a)所示的区域B4的放大剖视图。图8(b)表示比较例所涉及的加热器板H1的结构，图8(c)表示实施例所涉及的加热器板H2的结构。
与所述的加热器板200同样，实施例所涉及的加热器板H2具有空间部23。空间部23被加热器元件230(加热器电极239)的侧端部、第1树脂层220、第2树脂层240所划分。在比较例所涉及的加热器板H1上未设置有空间部23。除此以外，加热器板H1与加热器板H2相同。
如图8(d)所示，在约束Z方向上的变位的状态下，当加热器元件230发热时，计算了加热器板上产生的应力。
图9(a)及图9(b)表示模拟结果。图9(a)表示在比较例所涉及的加热器板H1的第1树脂层220及第2树脂层240上产生的应力大小。图9(b)表示在实施例所涉及的加热器板H2的第1树脂层220及第2树脂层240上产生的应力大小。
如图9(a)及图9(b)所示，应力在加热器元件230的侧端部附近较大。另外，在实施例所涉及的加热器板H2上产生的应力，比在比较例所涉及的加热器板H1上产生的应力更小。例如，加热器板H1上的应力的最大值为110兆帕左右。另一方面，加热器板H2上的应力的最大值为54兆帕左右。
如以上说明，在实施方式所涉及的静电吸盘中，通过设置邻接加热器元件侧端部的空间部，从而能够缓解在第1树脂层220及第2树脂层240上产生的应力。由此，抑制剥离，能够稳定地控制处理对象物的温度。
如同已叙述的内容，通过压接形成本实施方式的加热器板200。如果压接的压力较小，则各构件的粘接彼此并不充分，热传导受阻。因此，通过充分的压力对加热器板200的各构件进行压接。此时，加热器电极239的侧端部的空间从上侧及下侧发生挤压。因此，第1～第4空间部23a～23d变小，有可能无法充分降低因热膨胀而产生的应力。通过调整压接条件、层叠体的构成(材料等)，从而能够形成适当大小的第1～第4空间部23a～23d。另外，当第1～第4空间部23a～23d过大时，第1树脂层220与第2树脂层240的接触并不充分，热传导有可能受阻。
图10(a)及图10(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
在图10(a)所示的例子中，第1空间部23a具有伴随远离侧端部21a而从下侧发生挤压的形状。即，第1空间部23a与第2树脂层240的边界，伴随在面内方向Dp上远离侧端部21a而靠近图10(a)所示的假想面P2(假想线)。另外，第1空间部23a与第1树脂层220的边界沿着假想面P2延伸。并且，假想面P2通过第1导电部21的上面21U，是在面内方向Dp上延伸存在的面。上面21U是与第1树脂层220相对的面，第1导电部21在上面21U处接触第1树脂层220。同样，第2～第4空间部23b～23d也具有从下侧发生挤压的形状。
在图10(b)所示的例子中，第1空间部23a具有伴随从侧端部21a远离而从上侧发生发生挤压的形状。即，第1空间部23a与第1树脂层220的边界，伴随在面内方向Dp上远离侧端部21a而靠近图10(b)所示的假想面P3(假想线)。另外，第1空间部23a与第2树脂层240的边界沿着假想面P3延伸。并且，假想面P3通过第1导电部21的下面21L，是在面内方向Dp上延伸存在的面。下面21L是与第2树脂层240相对的面，第1导电部21在下面21L处接触第2树脂层240。同样，第2～第4空间部23b～23d也具有从下侧发生挤压的形状。
由于第1～第4空间部23a～23d呈从上侧及下侧的任意一方发生挤压的形状，因此与从两侧发生挤压的形状相比，压接时更容易确保第1～第4空间部23a～23d的大小。通过调整压接条件、层叠体的构成(材料等)，从而能够调整第1～第4空间部23a～23d的形状。
在图6、图10(a)及图10(b)所示的例子中，上面21U的沿向面内方向Dp的宽度与下面21L的沿向面内方向Dp的宽度大致相同。
图11(a)及图11(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
在图11(a)及图11(b)所示的例子中，加热器电极239的上面宽度与加热器电极239的下面宽度不相同。具体而言，例如，第1导电部21的上面21U的沿向面内方向Dp的宽度L4与第1导电部21的下面21L的沿向面内方向Dp的宽度L5不相同。换言之，上面21U及下面21L中的一个面的沿向面内方向Dp的宽度，比上面21U及下面21L中的另一个面的沿向面内方向Dp的宽度更小。
图11(a)表示加热器电极239的上面宽度比加热器电极239的下面宽度更窄的例子。例如，宽度L4比宽度L5更窄。图11(b)表示加热器电极239的下面宽度比加热器电极239的上面宽度更窄的例子。例如，宽度L5比宽度L4更窄。
加热器电极239具有连接上面与下面的侧面。侧面是与邻接加热器电极239的空间部(空隙)接触的面。与加热器电极239的上面及下面中的沿向面内方向的宽度更宽的面相比，该侧面更粗糙。
例如，第1导电部21具有连接上面21U与下面21L的侧面S1及侧面S2。侧面S1是接触第1空间部23a的面，侧面S2是接触第2空间部23b的面。与上面21U及下面21L中的沿向面内方向Dp的宽度更宽的面相比，侧面S1及侧面S2分别更粗糙。例如，在图11(a)所示的例子中，侧面S1及侧面S2分别比下面21L更粗糙。另外，在图11(b)所示的例子中，侧面S1及侧面S2分别比上面21U更粗糙。
上面21U及下面21L中的宽度更窄的一个面与侧面被曲面所连接。例如，在图11(a)所示的例子中，侧面S1与上面21U的连接部B5以及侧面S2与上面21U的连接部B6呈曲面状。在图11(b)所示的例子中，侧面S1与下面21L的连接部B7以及侧面S2与下面21L的连接部B8呈曲面状。即，对加热器电极239进行了倒角。
例如，通过进行倒角来抑制应力集中。在图11(a)所示的例子中，抑制因加热器电极239的热膨胀而施加于第1树脂层220的应力。由此，能够进一步抑制加热器电极239与第1树脂层220的剥离。从而，提高从加热器电极239到处理对象物W的热传导的稳定性。
另一方面，在图11(b)所示的例子中，抑制因加热器电极239的热膨胀而施加于第2树脂层240的应力。由此，能够进一步抑制加热器电极239与第2树脂层240的剥离。从而，提高从加热器电极239到冷却介质的热传导的稳定性。
图12(a)及图12(b)是表示本实施方式的加热器板的变形例的一部分的剖视图。
即使在图12(a)及图12(b)所示的例子中，加热器电极239的上面宽度与加热器电极239的下面宽度也不相同。在该例子中，接触加热器电极239的上面及下面中的宽度更窄的一个面的树脂层的形状，具有仿形于加热器电极239的配置的凹凸部。另外，接触该树脂层的支撑板也具有凹凸部。因凹凸部而层的粘接面积彼此变大，能够提高粘接强度。
例如，在图12(a)所示的例子中，上面21U的沿向面内方向Dp的宽度L4比下面21L的沿向面内方向Dp的宽度L5更窄。上面21U位于假想面P1(中央假想面)与第1支撑板210之间。第1支撑板210与假想面P1之间的距离L6(最短距离)比第2支撑板270与假想面P1之间的距离更短。
在图12(b)所示的例子中，下面21L的沿向面内方向Dp的宽度L5比上面21U的沿向面内方向Dp的宽度L4更窄。下面21L位于假想面P1与第2支撑板270之间。第2支撑板270与假想面P1之间的距离L7比第1支撑板210与假想面P1之间的距离L6更短。
即使在关于图10(a)～图12(b)进行说明的变形例所涉及的加热器板中，在加热器电极239的各端部也设置有空间部。由此，与关于图6～图9(b)进行的说明同样，能够抑制加热器电极239与第1树脂层220的剥离以及加热器电极239与第2树脂层240的剥离。能够稳定地控制处理对象物的温度。
图13是表示本实施方式的加热器板的变形例的模式化分解图。
如图13所示，加热器板200还可以具有旁路层250、第3树脂层260。旁路层250设置在第2树脂层240与第2支撑板270之间。第3树脂层260设置在旁路层250与第2支撑板270之间。除此以外，关于图13所示的变形例的加热器板，可适用与上述的加热器板相同的说明。
第3树脂层260相互接合旁路层250与第2支撑板270。第3树脂层260对旁路层250与第2支撑板270之间进行电绝缘。这样，第3树脂层260具有电绝缘功能及面接合功能。第3树脂层260的材料、厚度与第1树脂层220的材料、厚度分别为相等程度。
在该例子中，第2树脂层240相互接合加热器元件230与旁路层250。第2树脂层240对加热器元件230与旁路层250之间进行电绝缘。
旁路层250如下，与第1支撑板210大致平行配置，与第2支撑板270大致平行配置。旁路层250具有多个旁路部251。旁路层250例如具有8个旁路部251。旁路部251的数量并不限定于“8个”。旁路层250呈板状。当在垂直于旁路层250的面(旁路部251的面251a)的方向上观察时，旁路层250的面积比加热器元件230的面积(加热器电极239的面积)更大。关于该详细内容，在以后进行叙述。
旁路层250具有导电性。旁路层250电绝缘于第1支撑板210、第2支撑板270。作为旁路层250的材料，例如可例举包含不锈钢的金属等。旁路层250的厚度(Z方向的长度)例如为约0.03mm以上、0.30mm以下左右。旁路层250的厚度比第1树脂层220的厚度更厚。旁路层250的厚度比第2树脂层240的厚度更厚。旁路层250的厚度比第3树脂层260的厚度更厚。
例如，旁路层250的材料与加热器元件230的材料相同。另一方面，旁路层250的厚度比加热器元件230的厚度更厚。因此，旁路层250的电阻比加热器元件230的电阻更低。由此，即使在旁路层250的材料与加热器元件230的材料相同时，也能够抑制旁路层250如加热器元件230似的发热。即，能够通过抑制旁路层250的电阻来抑制旁路层250的发热量。并且，抑制旁路层250的电阻而抑制旁路层250的发热量的手段，还可以通过使用体积电阻率较低的材料来实现，而不是通过旁路层250的厚度来实现。即，旁路层250的材料还可以不同于加热器元件230的材料。作为旁路层250的材料，例如可例举包含不锈钢、钛、铬、镍、铜及铝中的至少任意一个的金属等。
供电端子280介由旁路层250电连接于加热器元件230。1个供电端子280电连接于1个旁路层250。如图13所示的箭头C1及箭头C2，当从静电吸盘10外部向供电端子280供给电力时，电流从供电端子280流向旁路层250。如图13所示的箭头C3及箭头C4，流向旁路层250的电流，从旁路层250流向加热器元件230。如图13所示的箭头C5及箭头C6，流向加热器元件230的电流，在加热器元件230的规定区域(zone)中流动而从加热器元件230流向旁路层250。如图13所示的箭头C7及箭头C8，流向旁路层250的电流，从旁路层250流向供电端子280。如图13所示的箭头C9，流向供电端子280的电流，流向静电吸盘10的外部。
如前所述，旁路层250设置在加热器元件230与第2支撑板270之间。即，旁路层250设置在加热器元件230与基座板300之间。不锈钢的热传导率比铝的热传导率及铜的热传导率更低。因此，旁路层250抑制从加热器元件230供给的热传递到第2支撑板270。即，从旁路层250考虑，旁路层250具有对第2支撑板270侧的绝热效果，能够提高处理对象物W的面内温度分布的均匀性。
旁路层250能够使配置供电端子280具有较大的自由度。通过设置旁路层250，从而与未设置有旁路层250的情况相比，还可以不需要将热容量较大的供电端子直接接合于加热器元件230。由此，能够提高处理对象物W的面内温度分布的均匀性。另外，与未设置有旁路层250的情况相比，还可以不需要将供电端子280接合于较薄的加热器元件230。由此，能够提高加热器板200的可靠性。
接下来，对图13所示的加热器板的制造方法进行说明。
图14(a)及图14(b)是例示本实施方式的制造方法的一个例子的模式化剖视图。
图15是例示本实施方式的制造方法的其他一个例子的模式化剖视图。
图14(a)是表示在对旁路层与加热器元件进行接合之前的状态的模式化剖视图。图14(b)是表示对旁路层与加热器元件进行接合之后的状态的模式化剖视图。图15是例示旁路层与供电端子的接合工序的一个例子的模式化剖视图。
首先，与关于图5进行说明的制造方法同样，准备加热器板200的各构件。接下来，如图14(a)及图14(b)所示，接合加热器元件230与旁路层250。通过锡焊、钎焊、焊接或接触等而进行对加热器元件230与旁路层250的接合。如图14(a)所示，第2树脂层240中设置有孔241。孔241贯通第2树脂层240。例如，如图14(a)所示的箭头C11，通过从旁路层250侧进行点焊，从而对加热器元件230与旁路层250进行接合。
并且，对加热器元件230与旁路层250的接合并不限定于焊接。例如，还可以通过利用激光的接合、锡焊、钎焊或接触等而对加热器元件230与旁路层250进行接合。之后，对层叠了加热器板200的各构件的层叠体进行压接。
接下来，如图15所示，对供电端子280与旁路层250进行接合。通过焊接、利用激光的接合、锡焊或钎焊等而对供电端子280与旁路层250进行接合。如图15所示，第2支撑板270中设置有孔273。孔273贯通第2支撑板270。这点如同关于图4(b)的前述内容。第3树脂层260中设置有孔261。孔261贯通第3树脂层260。如图15所示的箭头C13，通过从第2支撑板270朝着第1支撑板210进行焊接、利用激光的接合、锡焊或钎焊等，从而对供电端子280与旁路层250进行接合。
这样，制造本实施方式的加热器板200。
在以下的说明中，例举当加热器板具有旁路层250及第3树脂层260时的例子。但是，实施方式中，与关于图5～图12进行说明的加热器板同样，还可以省略旁路层250及第3树脂层260。由于旁路层250及第3树脂层260以外的结构相同，因此省略详细说明。
图16是表示本实施方式所涉及的静电吸盘的模式化分解图。
图17(a)及图17(b)是表示静电吸盘的电路图。
图17(a)是表示电连接有第1支撑板与第2支撑板的例子的电路图。图17(b)是表示电连接有第1支撑板与第2支撑板的例子的电路图。
如图16及图17(a)所示，将第1支撑板210电连接于第2支撑板270。例如，通过焊接、利用激光的接合、锡焊或接触等而对第1支撑板210与第2支撑板270进行接合。
例如，如图17(b)所示，如果并未将第1支撑板210确实地电连接于第2支撑板270，则有可能存在第1支撑板210或者电连接于第2支撑板270或者未电连接的情况。这样，当产生等离子体时，蚀刻程度上有可能产生偏差。另外，即使并不将第1支撑板210电连接于第2支撑板270，当产生等离子体时，也有可能电流在加热器元件230中流动而加热器元件230发热。换言之，如果并不将第1支撑板210确实地电连接于第2支撑板270，则加热器元件230有可能因加热器用电流以外的电流而发热。
与此相对，在本实施方式所涉及的静电吸盘10中，如图17(a)所示，将第1支撑板210电连接于第2支撑板270。由此，电流从第1支撑板210流向第2支撑板270，或者电流从第2支撑板270流向第1支撑板210，能够抑制产生等离子体时在蚀刻程度上产生偏差。另外，能够抑制加热器元件230因加热器用电流以外的电流而发热。
而且，能够从高频中隔绝加热器元件230及旁路层250。由此，能够抑制加热器元件230异常温度发热。另外，能够抑制加热器板200的阻抗。
接下来，参照附图对本实施方式的加热器板200的具体例进行说明。
图18(a)及图18(b)是表示本实施方式的加热器板的具体例的模式化俯视图。
图19(a)、图19(b)及图20是例示本具体例的加热器元件的模式化俯视图。
图21(a)及图21(b)是例示本具体例的旁路层的模式化俯视图。
图22(a)～图22(c)是模式化表示本具体例的加热器板的一部分的放大图。
图18(a)是从上面观察本具体例的加热器板的模式化俯视图。图18(b)是从下面观察本具体例的加热器板的模式化俯视图。图19(a)是例示加热器元件的区域的一个例子的模式化俯视图。图19(b)及图20是例示加热器元件的区域的其他一个例子的模式化俯视图。
如图21所示，旁路层250的多个旁路部251中的至少任意一个在缘部具有缺口部253。图20所示的旁路层250上设置有4个缺口部253。缺口部253的数量并不限定于“4个”。
由于多个旁路层250中的至少任意一个具有缺口部253，因此第2支撑板270可接触第1支撑板210。
如图18(a)及图18(b)所示，第1支撑板210在区域B11～区域B14及区域B31～区域B34中电连接于第2支撑板270。并且，区域B11～区域B14分别对应于区域B31～区域B34。即，在图18(a)～图20所示的具体例中，第1支撑板210在4个区域中电连接于第2支撑板270，并不是在8个区域中电连接于第2支撑板270。
图22(a)～图22(c)是表示区域B31(区域B11)的一个例子的放大图。图22(a)是区域B31的模式化俯视图，图22(b)是区域B31的模式化剖视图，图22(c)是进一步放大图22(b)的一部分的剖视图。图22(b)模式化表示图22(a)的切断面A2-A2。并且，由于其他区域B12～区域B14及区域B32～区域B34相同于区域B11、B31，因此省略详细说明。
如图22(a)～图22(c)所示，区域B31中设置有接合区域JA。接合区域JA相互接合第1支撑板210与第2支撑板270。接合区域JA对应于旁路层250的缺口部253而设置于第1支撑板210及第2支撑板270的外缘。例如，通过从第2支撑板270侧进行激光焊接而形成接合区域JA。由此，接合区域JA以点状形成。接合区域JA还可以从第1支撑板210侧形成。并且，接合区域JA的形成方法并不限定于激光焊接，还可以是其他方法。接合区域JA的形状不局限于点状，还可以是椭圆状、半圆状或角形状等。
将第1支撑板210接合于第2支撑板270的接合区域JA的面积，比第1支撑板210的面211(参照图3)的面积更小。接合区域JA的面积，比从面211的面积减去第1加热器元件230面积的面积差分更小。换言之，接合区域JA的面积，比第1支撑板210的在投影于与面211平行的平面时不与加热器元件230重叠的区域的面积更小。将第1支撑板210接合于第2支撑板270的接合区域JA的面积，比第2支撑板270的面271(参照图4(a))的面积更小。接合区域JA的面积，比从面271的面积减去加热器元件230面积的面积差分更小。换言之，接合区域JA的面积，比第2支撑板270的在投影于与面271平行的平面时不与加热器元件230重叠的区域的面积更小。
以点状形成的接合区域JA的直径例如为1mm(0.5mm以上、3mm以下)。另一方面，第1支撑板210及第2支撑板270的直径例如为300mm。根据所保持的处理对象物W而设定第1支撑板210及第2支撑板270的直径。这样，接合区域JA的面积，与第1支撑板210的面211的面积及第2支撑板270的面271的面积相比充分小。接合区域JA的面积例如为面211的面积(面271的面积)的1/5000以下。在此，接合区域JA的面积是，更详细而言是在投影于与第1支撑板210的面211平行的平面时的面积。换言之，接合区域JA的面积是俯视时的面积。
在该例子中，设置有对应于区域B11～区域B14及区域B31～区域B34的4个接合区域JA。接合区域JA的数量并不限定于4个。接合区域JA的数量可以是任意数量。例如，还可以每隔30°将12个接合区域JA设置于第1支撑板210及第2支撑板270。另外，接合区域JA的形状并不局限于点状。接合区域JA的形状还可以是椭圆状、角状或线状等。例如，还可以以沿向第1支撑板210及第2支撑板270外缘的环状形成接合区域JA。
第2支撑板270具有孔273(参照图4(b)及图15)。另一方面，第1支撑板210并不具有供电端子280通过的孔。因此，第1支撑板210的面211的面积，比第2支撑板270的面271的面积更大。
在图19(a)所示的具体例中，以描绘大致圆的方式配置有加热器电极239。加热器电极239配置于第1区域231、第2区域232、第3区域233、第4区域234。第1区域231位于加热器元件230的中央部。第2区域232位于第1区域231的外侧。第3区域233位于第2区域232的外侧。第4区域234位于第3区域233的外侧。
配置在第1区域231的加热器电极239并不电连接于配置在第2区域232的加热器电极239。配置在第2区域232的加热器电极239并不电连接于配置在第3区域233的加热器电极239。配置在第3区域233的加热器电极239并不电连接于配置在第4区域234的加热器电极239。即，加热器电极239在多个区域中以相互独立的状态被设置。
例如，关于图5进行说明的第1导电部21是配置在第2区域232的加热器电极239，第2导电部22是配置在第3区域233的加热器电极239。或者，还可以是第1导电部21为配置在第3区域233的加热器电极239，第2导电部22为配置在第4区域234的加热器电极239。
如图22(c)所示，加热器板200具有设置在旁路层250侧方的空间部50。换言之，空间部50是被旁路层250的侧端部、第2树脂层240、第3树脂层260所划分的空间。
设置在加热器元件230侧方的第1空间部23a的截面积与设置在旁路层250侧方的空间部50的截面积的大小关系，相同于加热器元件230的厚度与旁路层250的厚度的大小关系。
在该例子中，旁路层250的厚度比加热器元件230的厚度更厚。从而，在该例子中，旁路层250侧方的空间部50的截面积，比加热器元件230侧方的第1空间部23a的截面积更大。与此相反，当加热器元件230的厚度比旁路层250的厚度更厚时，第1空间部23a的截面积比空间部50的截面积更大。
第1树脂层220接触第2树脂层240，第1空间部23a在从加热器元件230的侧端部离开的方向具有侧端23s。换言之，侧端23s是第1树脂层220与第2树脂层240的接触面的端部。同样，第3树脂层260接触第2树脂层240，空间部50在从旁路层250的侧端部离开的方向上具有侧端50s。
第1空间部23a的侧端23s相对于加热器元件230(第1导电部21)的厚度方向中央向第1支撑板210侧或第2支撑板270侧发生偏离。旁路层250侧方的空间部50的侧端50s相对于旁路层250的厚度方向的中央向与第1空间部23a的侧端23s相同的方向上发生偏离。
在该例子中，第1空间部23a的侧端23s向第1支撑板210侧发生偏离。从而，空间部50的侧端50s也向第1支撑板210侧发生偏离。与此相反，当侧端23s向第2支撑板270侧发生偏离时，侧端50s也向第2支撑板270侧发生偏离。
例如，当对层叠着的各构件进行压接而制造加热器板200时，当向第1支撑板210侧的按压力较强时，如图22(c)所示，侧端23s及侧端50s向第1支撑板210侧发生偏离。相反，当向第2支撑板270侧的按压力较强时，侧端23s及侧端50s向第2支撑板270侧发生偏离。
这样，当在旁路层250侧方设置有空间部50时，即使旁路层250发生热膨胀，也以填充空间部50的方式发生变形。因此，能够降低施加于邻接旁路层250的第2树脂层240、第3树脂层260等的应力。从而，能够抑制邻接旁路层250的第2树脂层240、第3树脂层260等的剥离。例如，提高加热器板200对负载的耐性，能够进一步提高静电吸盘10的可靠性。而且，能够抑制因邻接旁路层250的层的剥离而产生的处理对象物W的温度变化。
在加热器元件230、旁路层250中，如果厚度较厚，则缘于热膨胀的体积增加变大。因此，空间部的截面积越大则越有利于抑制邻接的层发生剥离。从而，通过使第1空间部23a的截面积与空间部50的截面积的大小关系相同于加热器元件230的厚度与旁路层250的厚度的大小关系，从而能够进一步抑制邻接加热器元件230及旁路层250的层的剥离。能够更加确实地抑制伴随剥离而发生的处理对象物W的温度变化。
另外，通过使空间部50的侧端50s在与第1空间部23a的侧端23s相同的方向上发生偏离，从而在第1空间部23a及空间部50的形成上不需要采用复杂的方法等，能够容易形成第1空间部23s及空间部50。例如，通过对层叠着的各构件进行压接而制造加热器板200，从而能够形成第1空间部23s及空间部50。
在图19(b)所示的具体例中，以描绘大致扇形的至少一部分的方式配置有加热器电极239。加热器电极239配置在第1区域231a、第2区域231b、第3区域231c、第4区域231d、第5区域231e、第6区域231f、第7区域232a、第8区域232b、第9区域232c、第10区域232d、第11区域232e、第12区域232f。配置在任意区域的加热器电极239并不电连接于配置在其他区域的加热器电极239。即，在多个区域中以相互独立的状态设置有加热器电极239。如图19(a)及图19(b)所示，并不特别限定配置加热器电极239的区域。
在图20所示的具体例中，加热器元件230具有更多的区域。在图20的加热器元件230中，图19(a)所示的第1区域231进一步分割成4个区域231a～231d。另外，图19(a)所示的第2区域232进一步分割成8个区域232a～232h。另外，图19(a)所示的第3区域233进一步分割成8个区域233a～233h。而且，图19(a)所示的第4区域234进一步分割成16个区域234a～234p。这样，配置加热器电极239的加热器元件230的区域的数量及形状可以是任意的。
如图21(a)所示，旁路层250的旁路部251呈扇形。多个扇形的旁路部251相互离开而被排列，旁路层250作为整体而呈大致圆形。如图21(a)所示，相邻的旁路部251之间的离开部分257从旁路层250的中心259在径向上延伸存在。换言之，相邻的旁路部251之间的离开部分257从旁路层250的中心259以放射状延伸存在。旁路部251的面251a的面积比离开部分257的面积更大。旁路层250的面积(旁路部251的面251a的面积)比加热器元件230的面积(加热器电极239的面积)更大。
如图21(b)所示，旁路层250的多个旁路部251的形状例如还可以是弯曲的扇状。这样，设置于旁路层250的多个旁路部251的数量及形状可以是任意的。
在关于图18(a)～图21(b)的以下说明中，例举了图19(a)所示的加热器元件230的区域的例子。以描绘大致圆的方式配置加热器电极239，多个扇形的旁路部251相互离开而被排列。因此，当垂直于旁路部251的面251a的方向上观察时，加热器电极239交叉于相邻的旁路部251之间的离开部分257。另外，当垂直于旁路部251的面251a的方向上观察时，相邻的加热器元件230的各区域(第1区域231、第2区域232、第3区域233及第4区域234)之间的离开部分235交叉于相邻的旁路部251之间的离开部分257。
如图18(a)及图18(b)所示，分别连接接合部255a～255h与加热器板200的中心203的多个假想线并不相互重叠，接合部255a～255h是加热器元件230与旁路层250的接合部。换言之，在从加热器板200的中心203观察时，加热器元件230与旁路层250的接合部255a～255h在互不相同的方向上被配置。如图18(b)所示，供电端子280存在于分别连接接合部255a～255h与加热器板200的中心203的假想线上。
接合部255a、255b是接合配置于第1区域231的加热器电极239与旁路层250的部分。接合部255a、255b对应于第1区域231。接合部255a及接合部255b中的任意一方是电流流入加热器元件230的部分。接合部255a及接合部255b中的任意另一方是电流从加热器元件230流出的部分。
接合部255c、255d是接合配置于第2区域232的加热器电极239与旁路层250的部分。接合部255c、255d对应于第2区域232。接合部255c及接合部255d中的任意一方是电流流入加热器元件230的部分。接合部255c及接合部255d中的任意另一方是电流从加热器元件230流出的部分。
接合部255e、255f是接合配置于第3区域233的加热器电极239与旁路层250的部分。接合部255e、255f对应于第3区域233。接合部255e及接合部255f中的任意一方是电流流入加热器元件230的部分。接合部255e及接合部255f中的任意另一方是电流从加热器元件230流出的部分。
接合部255g、255h是接合配置于第4区域234的加热器电极239与旁路层250的部分。接合部255g、255h对应于第4区域234。接合部255g及接合部255h中的任意一方是电流流入加热器元件230的部分。接合部255g及接合部255h中的任意另一方是电流从加热器元件230流出的部分。
接合部255a、255b以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255c、255d的圆的圆上。接合部255a、255b以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255e、255f的圆的圆上。接合部255a、255b以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255g、255h的圆的圆上。
接合部255c、255d以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255e、255f的圆的圆上。接合部255c、255d以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255g、255h的圆的圆上。
接合部255e、255f以加热器板200的中心203为中心存在于不同于通过接合部255g、255h的圆的圆上。
如图18(a)及图18(b)所示，加热器板200具有提升销孔201。在图18(a)及图18(b)所示的具体例中，加热器板200具有3个提升销孔201。提升销孔201的数量不限定于“3个”。在从提升销孔201观察时，供电端子280设置在加热器板200的中心203侧的区域。
根据本具体例，由于加热器电极239配置在多个区域，因此在每个各区域中能够独立控制处理对象物W的面内温度。由此，能够有意图地使处理对象物W的面内温度存在差异(温度控制性)。
图23(a)及图23(b)是说明本实施方式的加热器板的表面形状的模式图。
图23(a)是例示本发明者对第2支撑板270的面271形状进行测定的结果的一个例子的曲线图。图23(b)是说明本实施方式的加热器板200的表面形状的模式化剖视图。
如前所述，在层叠的状态下对加热器板200的各构件进行压接。此时，如图23(b)所示，在第1支撑板210的面211(上面)上产生第1凹凸部。以及在第2支撑板270的面271(下面)上产生第2凹凸部。另外，在第1支撑板210的面213(下面)上产生第3凹凸部。在第2支撑板270的面275(上面)上产生第4凹凸部。
本发明者对第2支撑板270的面271的形状进行了测定。测定结果的一个例子如同图23(a)所示。如图23(a)及图23(b)所示，第1支撑板210的面211(上面)的形状及第2支撑板270的面271的形状，仿形于加热器元件230的形状或加热器元件230的配置。加热器元件230的形状是指加热器元件230的厚度及加热器元件230的宽度(加热器电极239的宽度)。
第1支撑板210的面211的凹部211a(第1凹凸部的凹部211a)与第2支撑板270的面271的凹部271a(第2凹凸部的凹部271a)之间的Z方向距离D1，小于第1支撑板210的面211的凸部211b(第1凹凸部的凸部211b)与第2支撑板270的面271的凸部271b(第2凹凸部的凸部271b)之间的Z方向距离D2。
第1支撑板210的面211的凹部211a与第1支撑板210的面211的凸部211b之间的Z方向距离D3(第1支撑板210的面211的凹凸部高度：第1凹凸部的高度)，小于第2支撑板270的面271的凹部271a与第2支撑板270的面271的凸部271b之间的Z方向距离D4(第2支撑板270的面271的凹凸部高度：第2凹凸部的高度)。即，第1支撑板210的面211的凹凸部高度(第1凹凸部的高度)，小于第2支撑板270的面271的凹凸部高度(第2凹凸部的高度)。
第2支撑板270的面271的凹部271a的宽度为与相邻的2个加热器电极239之间区域(加热器元件230的狭缝部)的宽度相等程度。第2支撑板270的面271的凹部271a宽度例如为相邻的2个加热器电极239之间区域的宽度的0.25倍以上、2.5倍以下。
第2支撑板270的面271的凸部271b宽度为与加热器电极239的宽度相等程度的宽度。第2支撑板270的面271的凸部271b宽度例如为加热器电极239的宽度的0.8倍以上、1.2倍以下。
另外，第2支撑板270的面271的凹凸部高度D4为与加热器元件230的厚度(加热器电极239的厚度)相等程度。第2支撑板270的凹凸部高度D4为加热器元件230的厚度的0.8倍以上、1.2倍以下。
同样，第1支撑板210的面211的凹部211a宽度为与相邻的2个加热器电极239之间区域的宽度相等程度的宽度。第1支撑板210的面211的凸部211b宽度为与加热器电极239的宽度相等程度的宽度。另一方面，第1支撑板210的面211的凹凸部高度D3小于加热器元件230的厚度。
第2支撑板270的面271的高度，从凸部271b朝着邻接的凹部271a平缓地发生变化。第2支撑板270的面271的高度，例如从凸部271b的宽度方向中心朝着邻接的凹部271a的宽度方向中心连续变小。凸部271b的宽度方向中心是，更详细而言是与面271中的加热器电极239的宽度方向中心在Z方向上重叠的位置。凹部271a的宽度方向中心是，更详细而言是与面271中的相邻的2个加热器电极239之间区域的宽度方向中心在Z方向上重叠的位置。
这样，第2支撑板270的面271的高度如下，以与加热器电极239重叠的部分为顶点，以不与加热器电极239重叠的部分为最低点，以波状发生变化。同样，第1支撑板210的面211的高度如下，以与加热器电极239重叠的部分为顶点，以不与加热器电极239重叠的部分为最低点，以波状发生变化。
根据本实施方式，由于第1支撑板210的面211具有第1凹凸部，因此能够进一步加大第1支撑板210与加热器元件230之间的粘接面积，能够提高第1支撑板210与加热器元件230之间的粘接强度。另外，通过该第1凹凸部也能够进一步加大第1支撑板210与粘接剂403的粘接面积。由此，也能够提高第1支撑板210与粘接剂403的接合强度。另外，由于第1支撑板210具有凹凸部，因此第1支撑板210的刚性提高。因此，即使第1支撑板210较薄，也能够降低加热器板200发生卷曲、变形。由此，能够同时满足一般来讲处于背反关系的“降低加热器板的卷曲”与影响高生产率的“降低热容量”。另外，由于第2支撑板270的面271具有第2凹凸部，因此能够进一步加大第2支撑板270与旁路层250之间的粘接面积，能够提高第2支撑板270与旁路层250之间的粘接强度。另外，通过该第2凹凸部也能够进一步加大第2支撑板270与粘接剂403的粘接面积。由此，也能够提高第2支撑板270与粘接剂403的接合强度。另外，由于第2支撑板270具有凹凸部，因此第2支撑板270的刚性提高。因此，即使第2支撑板270较薄，也能够降低加热器板200发生卷曲、变形。由此，能够同时满足一般来讲处于背反关系的“降低加热器板的卷曲”与影响高生产率的“降低热容量”。而且，由于第1支撑板210的面211具有第1凹凸部，因此能够进一步缩短加热器元件230与处理对象物W之间的距离。由此，能够提高提升处理对象物W温度的速度。
并且，例如能够通过压接条件、层叠体的构成(材料等)来控制第1、2凹凸部高度。
第1支撑板210具有：第2支撑板270侧的面213；及面213相反侧的面211。面213与第1树脂层220相对，例如，接触第1树脂层220。
第1支撑板210的面213具有第1区域R1、第2区域R2。当沿着Z方向观察时(俯视时)，第1区域R1重叠于加热器电极239(加热器元件230)。例如，当沿着Z方向观察时，第1区域R1重叠于第1导电部21或第2导电部22。当沿着Z方向观察时，第2区域R2不重叠于加热器电极239(加热器元件230)。
静电吸盘10中，在图23(b)所示的平行于Z方向的截面上，第2区域R2比第1区域R1更向第2支撑板270侧突出。换言之，第2区域R2在Z方向上的位置是第1区域R1在Z方向上的位置与第2支撑板270之间。
即，第1支撑板210的面213(下面)具有仿形于加热器元件230形状的凹凸部。第1区域R1对应于第1支撑板210的凹部，第2区域R2对应于第1支撑板210的凸部。同样，在第1支撑板210的面211(上面)上，也形成有仿形于加热器元件230形状的凹凸部。
第2支撑板270具有：第1支撑板210侧的面275(上面)；及面275相反侧的面271(下面)。面275与第3树脂层260(或第2树脂层240)相对，例如，接触第3树脂层260(或第2树脂层240)。
第2支撑板270的面275(上面)具有第3区域R3、第4区域R4。当沿着Z方向观察时，第3区域R3重叠于加热器元件230。例如，当沿着Z方向观察时，第3区域R3重叠于第1导电部21或第2导电部22。当沿着Z方向观察时，第4区域R4不重叠于加热器元件230。
在图23(b)所示的截面上，第4区域R4比第3区域R3更向第1支撑板210侧突出。换言之，第4区域R4在Z方向上的位置是第3区域R3在Z方向上的位置与第1支撑板210之间。
即，第2支撑板270的面275(上面)具有仿形于加热器元件230形状的凹凸部。第3区域R3对应于第2支撑板270的凹部，第4区域R4对应于第2支撑板270的凸部。同样，在第2支撑板270的面271(下面)上，也形成有仿形于加热器元件230形状的凹凸部。
第2区域R2与第4区域R4之间的沿向Z方向的距离D5，比第1区域R1与第3区域R3之间的沿向Z方向的距离D6更短。
这样，在第1支撑板210及第2支撑板270上形成有凹凸部。为了提高加热器板200上层叠的各构件的贴紧性而形成这样的凹凸部。即，由于在第1支撑板210的面213(下面)上形成有凹凸部，因此接近面213的层(例如第1树脂层220)与面213的贴紧性较高。另外，由于在第2支撑板270的面275(上面)上形成有凹凸部，因此接近面275的层(例如第3树脂层260)与面275的贴紧性较高。由此，能够抑制第1支撑板210的剥离及第2支撑板270的剥离，能够提高可靠性。例如，能够抑制因局部剥离而发生的热的不均匀及耐电压特性的下降。能够实现与设计一致的均热性及耐电压特性。
另外，由于贴紧性较高，因此能够提高加热器板200的热传导性。另外，通过第1支撑板210的凹凸部，能够缩短例如加热器元件230与处理对象物之间的距离。由此，能够提高处理对象物的温度的上升速度。从而，例如能够同时实现“加热器的加热性能(升温速度)”及“温度均匀性”、“耐电压可靠性”。
第1区域R1与第2区域R2之间的沿向Z方向的距离D7比距离D5更短。另外，第3区域R3与第4区域R4之间的沿向Z方向的距离D8比距离D5更短。
当距离D7过长时，形成在第1支撑板210的面213上的凹凸部过大，第1支撑板210、第1树脂层220上发生的变形有可能过大。另外，当距离D8过长时，形成在第2支撑板270上的凹凸部过大，第2支撑板270、第2树脂层240上发生的变形有可能过大。
与此相对，静电吸盘10中，距离D7及距离D8分别比距离D5更短。由此，能够确保接近第1支撑板210的层与第1支撑板210的贴紧性，同时能够防止第1支撑板210、第1树脂层220上发生的变形过大。能够确保接近第2支撑板270的层与第2支撑板270的贴紧性，同时能够防止第2支撑板270、第3树脂层260上发生的变形过大。
加热器板200上，因加热器元件230的发热而容易在加热器元件230自身上发生变形(热变形)。于是，在图23(b)所示的例子中，使距离D7比距离D8更短。即，使加热器元件230侧的第1支撑板210等的结构上的变形，比旁路层250侧的第2支撑板270等的结构上的变形更小。由此，能够提高加热器板200整体对热变形的耐性。
并且，实施方式中，距离D7及距离D8中的任意一个还可以是约零。即，面213及面275中的任意一个还可以平坦。在面213及面275中的任意一个上形成有凹凸部即可。
图24是表示本实施方式的加热器板的模式化剖视图。
如图24所示，即使在并不具有旁路层250及第3树脂层260的加热器板200中，第1支撑板210及第2支撑板270也具有仿形于加热器元件230形状的凹凸部。
即使在该例子中，在第1支撑板210的面211上也形成第1凹凸部。以及在第2支撑板270的面271上形成第2凹凸部。另外，在第1支撑板210的面213上形成第3凹凸部。在第2支撑板270的面275上形成第4凹凸部。在平行于Z方向的截面上，第2区域R2比第1区域R1更向第2支撑板270侧突出。在平行于Z方向的截面上，第4区域R4比第3区域R3更向第1支撑板210侧突出。即使在该例子中，各距离D1～D8的关系也相同于关于图23进行说明的各距离D1～D8的关系。
图25(a)及图25(b)是表示本实施方式的变形例所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图25(a)是表示本实施方式的变形例所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图25(b)是表示本变形例的加热器板的模式化剖视图。图24(a)及图25(b)例如相当于图1所示的切断面A1-A1上的模式化剖视图。
图25(a)所示的静电吸盘10a具备陶瓷电介体基板100、加热器板200a、基座板300。陶瓷电介体基板100及基座板300如同关于图1及图2进行前述的内容。
如图25(b)所示，本具体例的加热器板200a具有多个加热器元件。图25(b)所示的加热器板200a具有第1树脂层220、第1加热器元件(发热层)230a、第2树脂层240、第2加热器元件(发热层)230b、第3树脂层260、旁路层250、第4树脂层290、第2支撑板270。
第1树脂层220设置在第1支撑板210与第2支撑板270之间。第1加热器元件230a设置在第1树脂层220与第2支撑板270之间。第2树脂层240设置在第1加热器元件230a与第2支撑板270之间。第2加热器元件230b设置在第2树脂层240与第2支撑板270之间。第3树脂层260设置在第2加热器元件230b与第2支撑板270之间。旁路层250设置在第3树脂层260与第2支撑板270之间。第4树脂层290设置在旁路层250与第2支撑板270之间。即，本具体例中，第1加热器元件230a以独立的状态设置在与第2加热器元件230b不同的层中。
第1支撑板210、第1树脂层220、第2树脂层240、第3树脂层260、旁路层250、第2支撑板270各自的材料、厚度及功能，如同关于图3～图5及图13进行前述的内容。第1加热器元件230a及第2加热器元件230b各自的材料、厚度及功能，如同关于图3～图5进行前述的加热器元件230。第4树脂层290如同关于图3～图5进行前述的第1树脂层220。
根据本变形例，由于第1加热器元件230a独立配置在与第2加热器元件230b不同的层中，因此在每个规定区域中能够独立控制处理对象物W的面内温度。
图26(a)、图26(b)及图27是表示本实施方式的第1支撑板的变形例的模式化俯视图。
图28是表示本变形例的加热器板的模式化剖视图。
图26(a)表示第1支撑板被分割成多个支撑部的一个例子。图26(b)及图27表示第1支撑板被分割成多个支撑部的其他一个例子。
图28中，为了便于说明，同时表示了图26(a)所示的加热器板及第1支撑板上面的温度的曲线图。图28所示的曲线图是第1支撑板上面的温度的一个例子。图28所示的曲线图的横轴表示第1支撑板210a上面的位置。图28所示的曲线图的纵轴表示第1支撑板210a上面的温度。并且，图28中，为了便于说明，省略了旁路层250及第3树脂层260。
在图26(a)及图26(b)所示的变形例中，第1支撑板210a被分割成多个支撑部。更具体而言，在图26(a)所示的变形例中，第1支撑板210a以同心圆状被分割成多个支撑部，具有第1支撑部216、第2支撑部217、第3支撑部218、第4支撑部219。在图26(b)所示的变形例中，第1支撑板210b以同心圆状且放射状被分割成多个支撑部，具有第1支撑部216a、第2支撑部216b、第3支撑部216c、第4支撑部216d、第5支撑部216e、第6支撑部216f、第7支撑部217a、第8支撑部217b、第9支撑部217c、第10支撑部217d、第11支撑部217e、第12支撑部217f。
在图27所示的变形例中，第1支撑板210c具有更多的支撑部。在图27的第1支撑板210c中，如图26(a)所示的第1支撑部216进一步被分割成4个支撑部216a～216d。另外，图26(a)所示的第2支撑部217进一步被分割成8个支撑部217a～217h。另外，图26(a)所示的第3支撑部218进一步被分割成8个区域218a～218h。而且，图26(a)所示的第4支撑部219进一步被分割成16个支撑部219a～219p。这样，设置于第1支撑板210的支撑部的数量及形状可以是任意的。
第1树脂层220、加热器元件230、第2树脂层240、旁路层250、第3树脂层260、第2支撑板270、供电端子280分别如同关于图3～图5及图13进行前述的内容。
在关于图26(a)～图28的以下说明中，例举了图26(a)所示的第1支撑板210a。如图28所示，第1支撑部216设置在加热器元件230的第1区域231上，对应于加热器元件230的第1区域231。第2支撑部217设置在加热器元件230的第2区域232上，对应于加热器元件230的第2区域232。第3支撑部218设置在加热器元件230的第3区域233上，对应于加热器元件230的第3区域233。第4支撑部219设置在加热器元件230的第4区域234上，对应于加热器元件230的第4区域234。
第1支撑部216并未电连接于第2支撑部217。第2支撑部217并未电连接于第3支撑部218。第3支撑部218并未电连接于第4支撑部219。即，以相互独立的状态设置有多个支撑部216～219。
根据本变形例，在第1支撑板210a、210b、210c的面内，能够有意图地在径向上设置温差(温度控制性)。例如图28所示的曲线图，在从第1支撑部216到第4支撑部219的跨度上能够以阶梯状设置温差。由此，在处理对象物W的面内，能够有意图地设置温差(温度控制性)。
图29(a)～图29(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
图29(a)表示加热器元件230的一部分，图29(b)表示旁路层250的一部分。另外，图29(c)表示加热器元件230及旁路层250的一部分，图29(d)表示加热器元件230及旁路层250的变形例。
各加热器电极239分别具有第1支撑板210侧的第1面MP1(上面)及第2支撑板侧的第2面MP2(下面)。第1面MP1与第1树脂层220相对。第2面MP2朝向第1面MP1的相反侧。即，第2面MP2与第2树脂层240相对。
第1面MP1的宽度W1不同于第2面MP2的宽度W2。在该例子中，第1面MP1的宽度W1比第2面MP2的宽度W2更窄。即，加热器电极239的宽度越朝向上方(陶瓷电介体基板100侧)则越变窄。
各加热器电极239具有连接第1面MP1与第2面MP2的一对侧面SF1。在图29(a)所示的平行于Z方向的截面上，侧面SF1呈曲线状。各侧面SF1例如呈凹曲面状。各侧面SF1例如还可以呈平面状。由第1面MP1与侧面SF1所构成的角度θ1，不同于由第2面MP2与侧面SF1所构成的角度θ2。由此，例如，能够同时实现：通过缓解缘于热膨胀的加热器变形对树脂层的应力来降低接近加热器元件230的树脂层发生剥离；及均热性、温度随动性等热特性。另外，侧面SF1的表面粗糙度比第1面MP1及第2面MP2中的至少一方的表面粗糙度更高。由此，例如，提高侧面部分处的贴紧性，能够进一步抑制接近加热器元件230的层的剥离。
第1面MP1例如接触第1树脂层220。第2面MP2例如接触第2树脂层240。
如图29(b)及图29(c)所示，旁路部251(旁路层250)具有第3导电部33、第4导电部34。第4导电部34在面内方向Dp(例如X方向)上离开第3导电部33。第3导电部33及第4导电部34是旁路部251的一部分。空间部50例如设置在第3导电部33及第4导电部34各自的侧方。换言之，空间部50设置在多个旁路部251各自的侧方。
各旁路部251分别具有第1支撑板210侧的第3面MP3(上面)及第2支撑板270侧的第4面MP4(下面)。第3面MP3与第2树脂层240相对。第4面MP4朝向第3面MP3的相反侧。即，第4面MP4与第3树脂层260相对。
第3面MP3的宽度W3不同于第4面MP4的宽度W4。在该例子中，第3面MP3的宽度W3比第4面MP4的宽度W4更窄。即，旁路部251的宽度越朝向上方(陶瓷电介体基板100侧)则越变窄。在该例子中，第3面MP3对于第4面MP4的宽度的大小关系，相同于第1面MP1对于第2面MP2的宽度的大小关系。
各旁路部251具有连接第3面MP3与第4面MP4的一对侧面SF2。各侧面SF2例如呈凹曲面状。各侧面SF2例如还可以呈平面状。由第3面MP3与侧面SF2所构成的角度θ3，不同于由第4面MP4与侧面SF2所构成的角度θ4。另外，侧面SF2的表面粗糙度比第3面MP3及第4面MP4中的至少一方的表面粗糙度更高。
第3面MP3例如接触第2树脂层240。第4面MP4例如接触第3树脂层260。
这样，在本实施方式所涉及的静电吸盘10中，第1面MP1的宽度W1不同于第2面MP2的宽度W2。由此，即使因热膨胀而加热器元件230发生变形，也能够降低施加于第1树脂层220等的应力。由此，能够抑制接近加热器元件230的层(例如，第1树脂层220)的剥离。能够抑制因剥离而发生的处理对象物的温度变化。从而，能够提高静电吸盘的可靠性。
另外，静电吸盘10中，第1面MP1的宽度W1比第2面MP2的宽度W2更窄。由此，与第1面MP1的接触面积变小，施加于接触第1面MP1的层的应力降低，能够抑制接触第1面MP1的层的剥离。例如，能够抑制第1树脂层220的剥离。另外，容易向基座板300传热的第2面MP2侧的发热量比第1面MP1侧的发热量更多，能够抑制在垂直于第1面MP1及第2面MP2的上下方向(Z方向)上的热分布的偏差。例如，能够进一步提高均热性。
另外，静电吸盘10中，侧面SF1呈凹曲面状。由此，降低施加于接近侧面SF1的层的应力，能够抑制接近侧面SF1的层的剥离。
另外，静电吸盘10中，由第1面MP1与侧面SF1所构成的角度θ1，不同于由第2面MP2与侧面SF1所构成的角度θ2。由此，能够同时实现：通过缓解缘于热膨胀的加热器变形对树脂层的应力来降低接近加热器元件230的第1树脂层220及第2树脂层240发生剥离；及均热性、温度随动性等热特性。
另外，静电吸盘10中，第3面MP3对于第4面MP4的宽度的大小关系，相同于第1面MP1对于第2面MP2的宽度的大小关系。而且，静电吸盘10中，第1面MP1及第3面MP3的宽度比第2面MP2及第4面MP4的宽度更窄。此时，能够进一步抑制Z方向上的热分布的偏差。
并且，图29(a)～图29(c)中，加热器元件230设置在旁路层250上。并不局限于此，例如，如图29(d)所示，还可以将旁路层250设置在加热器元件230上。即，旁路层250还可以设置在加热器元件230与陶瓷电介体基板100之间。
在该例子中，在第1树脂层220与加热器元件230之间设置有旁路层250，在加热器元件230与旁路层250之间设置有第3树脂层260。例如，还可以在第1支撑板210与第1树脂层220之间设置旁路层250，在第1支撑板210与旁路层250之间设置第3树脂层260。
如图29(d)所示，在将旁路层250设置于加热器元件230上时，在隔绝向加热器板200的电压供给的瞬间，能够将温度最高的加热器元件230的热迅速传递到基座板300，能够进一步提高在降低处理对象物W温度时的温度随动性(变温速率)。配置旁路层250的位置可以是第1支撑板210与第2支撑板270之间的任意位置。
图30(a)～图30(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
如图30(a)及图30(c)所示，在该例子中，第1面MP1的宽度W1比第2面MP2的宽度W2更宽。即，加热器电极239的宽度越朝向下方(基座板300侧)则越变窄。同样，如图30(b)及图30(c)所示，第3面MP3的宽度W3比第4面MP4的宽度W4更宽。旁路部251的宽度越朝向下方则越变窄。
这样，第1面MP1的宽度W1还可以比第2面MP2的宽度W2更宽。此时，降低施加于接触第2面MP2的层的应力，能够抑制接触第2面MP2的层的剥离。另外，在第1面MP1侧容易加热，同时在第2面MP2侧容易冷却，能够进一步提高温度随动性(变温速率)。
另外，在该例子中，第3面MP3对于第4面MP4的宽度的大小关系，相同于第1面MP1对于第2面MP2的宽度的大小关系，第1面MP1及第3面MP3的宽度比第2面MP2及第4面MP4的宽度更宽。此时，在第1面MP1及第3面MP3侧容易加热，同时在第2面MP2及第4面MP4侧容易冷却，能够进一步提高温度随动性。另外，如图30(d)所示，还可以将旁路层250设置在加热器元件230上。
图31(a)～图31(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
如图31(a)及图31(c)所示，在该例子中，第1面MP1的宽度W1比第2面MP2的宽度W2更窄。另一方面，如图31(b)及图31(c)所示，第3面MP3的宽度W3比第4面MP4的宽度W4更宽。在该例子中，第3面MP3对于第4面MP4的宽度的大小关系，相反于第1面MP1对于第2面MP2的宽度的大小关系。
这样，第3面MP3对于第4面MP4的宽度的大小关系，还可以相反于第1面MP1对于第2面MP2的宽度的大小关系。此时，能够使因旁路层250的热膨胀而施加的应力方向朝向与因加热器元件230的热膨胀而施加的应力方向呈相反的方向。由此，能够进一步抑制应力的影响。并且，如图31(d)所示，还可以将旁路层250设置在加热器元件230上。
图32(a)～图32(d)是表示本实施方式的加热器板的变形例的剖视图。
如图32(a)～图32(c)所示，还可以使第1面MP1的宽度W1比第2面MP2的宽度W2更宽，使第3面MP3的宽度W3比第4面MP4的宽度W4更窄。另外，如图32(d)所示，还可以将旁路层250设置在加热器元件230上。
以上，说明了本发明的实施方式。但是本发明并不局限于上述记述。关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员追加适当设计变更的发明也包含在本发明的范围内。例如，加热器板200、200a、200b等所具备的各要素的形状、尺寸、材质、配置等以及加热器元件230、第1加热器元件230a、第2加热器元件230b、旁路层250的设置方式并不局限于例示的内容，而是可进行适当变更。
另外，前述的各实施方式所具备的各要素，在技术上可行的范围内能够进行组合，组合这些的发明只要包含本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。

Claims (37)

1.一种静电吸盘，具备：
陶瓷电介体基板，放置处理对象物；
基座板，层叠方向上设置于离开所述陶瓷电介体基板的位置且支撑所述陶瓷电介体基板；
及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，
所述加热器板具有：
第1支撑板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且包含金属；
第2支撑板，设置在所述第1支撑板与所述基座板之间且包含金属；
第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间；
第2树脂层，设置在所述第1树脂层与所述第2支撑板之间；
加热器元件，设置在所述第1树脂层与所述第2树脂层之间，具有第1导电部、在垂直于所述层叠方向的面内方向上离开所述第1导电部的第2导电部，因电流的流动而发热；
及第1空间部，被在所述第1导电部的所述面内方向上的第1侧端部、所述第1树脂层、所述第2树脂层所划分，
所述第1树脂层在所述第1导电部与所述第2导电部之间连接于所述第2树脂层，
所述静电吸盘的特征在于，
所述第1导电部具有与所述第1树脂层相对的上面，
所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近通过所述上面且在所述面内方向上延伸存在的假想面。
2.一种静电吸盘，具备：
陶瓷电介体基板，放置处理对象物；
基座板，层叠方向上设置于离开所述陶瓷电介体基板的位置且支撑所述陶瓷电介体基板；
及加热器板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间，
所述加热器板具有：
第1支撑板，设置在所述陶瓷电介体基板与所述基座板之间且包含金属；
第2支撑板，设置在所述第1支撑板与所述基座板之间且包含金属；
第1树脂层，设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间；
第2树脂层，设置在所述第1树脂层与所述第2支撑板之间；
加热器元件，设置在所述第1树脂层与所述第2树脂层之间，具有第1导电部、在垂直于所述层叠方向的面内方向上离开所述第1导电部的第2导电部，因电流的流动而发热；
及第1空间部，被在所述第1导电部的所述面内方向上的第1侧端部、所述第1树脂层、所述第2树脂层所划分，
所述第1树脂层在所述第1导电部与所述第2导电部之间连接于所述第2树脂层，
所述静电吸盘的特征在于，
所述第1导电部具有与所述第2树脂层相对的下面，
所述第1空间部与所述第1树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1导电部而靠近通过所述下面且在所述面内方向上延伸存在的假想面。
3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1导电部具有在所述面内方向上离开所述第1侧端部的第2侧端部，
所述加热器板具有被所述第2侧端部、所述第1树脂层、所述第2树脂层所划分的第2空间部。
4.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述第1空间部的沿向所述层叠方向的宽度为所述第1导电部的沿向所述层叠方向的宽度以下。
5.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述第1空间部的沿向所述层叠方向的宽度在所述面内方向上伴随从所述第1侧端部远离而变窄。
6.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1空间部与所述第1树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近通过所述第1导电部的所述层叠方向中央且在所述面内方向上延伸存在的假想面，
所述第1空间部与所述第2树脂层的边界，伴随在所述面内方向上远离所述第1侧端部而靠近所述假想面。
7.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1导电部具有：与所述第1树脂层相对的上面；及与所述第2树脂层相对的下面，
所述上面及所述下面中的一个面的沿向所述面内方向的宽度，比所述上面及所述下面中的另一个面的沿向所述面内方向的宽度更窄。
8.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征为，所述第1导电部的所述下面的沿向所述面内方向的长度，比所述第1导电部的所述上面的沿向所述面内方向的长度更长。
9.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征为，所述第1导电部的所述上面的沿向所述面内方向的长度，比所述第1导电部的所述下面的沿向所述面内方向的长度更长。
10.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征为，所述一个面与所述第1导电部的侧面被曲面连接。
11.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征为，所述第1导电部的侧面比所述另一个面更粗糙。
12.根据权利要求7所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1支撑板及所述第2支撑板中的一个支撑板与通过所述第1导电部的所述层叠方向中央且在所述面内方向上延伸存在的中央假想面之间的距离，比所述第1支撑板及所述第2支撑板中的另一个支撑板与所述中央假想面之间的距离更短，
所述一个面位于所述一个支撑板与所述中央假想面之间。
13.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，将所述第1支撑板电连接于所述第2支撑板。
14.根据权利要求13所述的静电吸盘，其特征为，对所述第1支撑板与所述第2支撑板进行接合的区域的面积，比所述第1支撑板的上面面积更小，比所述第2支撑板的下面面积更小。
15.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1支撑板的上面具有第1凹凸部，
所述第2支撑板的下面具有第2凹凸部。
16.根据权利要求15所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1凹凸部仿形于所述加热器元件的形状，
所述第2凹凸部仿形于所述加热器元件的形状。
17.根据权利要求16所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的凹部与所述第2凹凸部的凹部之间的距离，比所述第1凹凸部的凸部与所述第2凹凸部的凸部之间的距离更短。
18.根据权利要求15所述的静电吸盘，其特征为，所述第1凹凸部的高度不同于所述第2凹凸部的高度。
19.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述加热器元件具有带状的加热器电极，
在多个区域中以相互独立的状态设置有所述加热器电极。
20.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
设置有多个所述加热器元件，
在互不相同的层中以独立的状态设置有所述多个所述加热器元件。
21.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述加热器板还具有设置在所述第1支撑板与所述第2支撑板之间的具有导电性的旁路层。
22.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，将所述加热器元件电连接于所述旁路层，电绝缘于所述第1支撑板及所述第2支撑板。
23.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，所述旁路层的厚度比所述第1树脂层的厚度更厚。
24.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，所述旁路层的厚度比所述加热器元件的厚度更厚。
25.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，所述旁路层设置在所述加热器元件与所述基座板之间。
26.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，所述旁路层设置在所述加热器元件与所述陶瓷电介体基板之间。
27.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，所述加热器板还具有设置在所述旁路层侧方的空间部。
28.根据权利要求27所述的静电吸盘，其特征为，所述第1空间部的截面积与所述旁路层侧方的所述空间部的截面积的大小关系，相同于所述加热器元件的厚度与所述旁路层的厚度的大小关系。
29.根据权利要求27所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1空间部的侧端相对于所述第1导电部的厚度方向中央向所述第1支撑板侧或所述第2支撑板侧发生偏离，
所述旁路层侧方的所述空间部的侧端相对于所述旁路层的厚度方向中央向与所述第1空间部的侧端相同的方向发生偏离。
30.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，
所述加热器元件具有所述第1支撑板侧的第1面及所述第2支撑板侧的第2面，
所述第1面的宽度不同于所述第2面的宽度，
所述旁路层具有所述第1支撑板侧的第3面及所述第2支撑板侧的第4面，
所述第3面的宽度不同于所述第4面的宽度，
所述第3面对于所述第4面的宽度的大小关系，相同于所述第1面对于所述第2面的宽度的大小关系。
31.根据权利要求21所述的静电吸盘，其特征为，
所述加热器元件具有所述第1支撑板侧的第1面及所述第2支撑板侧的第2面，
所述第1面的宽度不同于所述第2面的宽度，
所述旁路层具有所述第1支撑板侧的第3面及所述第2支撑板侧的第4面，
所述第3面的宽度不同于所述第4面的宽度，
所述第3面对于所述第4面的宽度的大小关系，相反于所述第1面对于所述第2面的宽度的大小关系。
32.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述第1支撑板的上面面积比所述第2支撑板的下面面积更大。
33.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1支撑板具有多个支撑部，
以相互独立的状态设置有所述多个支撑部。
34.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，
当沿着所述层叠方向观察时，所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有与所述加热器元件重叠的第1区域及不与所述加热器元件重叠的第2区域，
在平行于所述层叠方向的截面上，所述第2区域比所述第1区域更向所述第2支撑板侧突出。
35.根据权利要求34所述的静电吸盘，其特征为，
当沿着所述层叠方向观察时，所述第2支撑板的所述第1支撑板侧的面具有与所述加热器元件重叠的第3区域及不与所述加热器元件重叠的第4区域，
在平行于所述层叠方向的截面上，所述第4区域比所述第3区域更向所述第1支撑板侧突出。
36.根据权利要求34所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1支撑板的所述第2支撑板侧的面具有仿形于所述加热器元件形状的凹凸部，
所述第2支撑板的所述第1支撑板侧的面具有仿形于所述加热器元件形状的凹凸部。
37.根据权利要求35所述的静电吸盘，其特征为，所述第2区域与所述第4区域之间的沿向所述层叠方向的距离，比所述第1区域与所述第3区域之间的沿向所述层叠方向的距离更短。
CN201780009357.8A 2016-03-14 2017-03-13 静电吸盘 Active CN108604570B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-049902 2016-03-14
JP2016049902 2016-03-14
JP2017010353A JP6226092B2 (ja) 2016-03-14 2017-01-24 静電チャック
JP2017-010353 2017-01-24
PCT/JP2017/009894 WO2017159590A1 (ja) 2016-03-14 2017-03-13 静電チャック

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108604570A CN108604570A (zh) 2018-09-28
CN108604570B true CN108604570B (zh) 2023-05-05

Family

ID=59909170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780009357.8A Active CN108604570B (zh) 2016-03-14 2017-03-13 静电吸盘

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10923382B2 (zh)
JP (2) JP6226092B2 (zh)
KR (1) KR102167282B1 (zh)
CN (1) CN108604570B (zh)
TW (1) TWI621208B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140116622A1 (en) * 2012-10-31 2014-05-01 Semes Co. Ltd. Electrostatic chuck and substrate processing apparatus
JP6226092B2 (ja) * 2016-03-14 2017-11-08 Toto株式会社 静電チャック
JP6238097B1 (ja) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 静電チャック
JP7162658B2 (ja) * 2018-04-27 2022-10-28 京セラ株式会社 静電チャック
JP6773917B2 (ja) * 2018-07-04 2020-10-21 日本碍子株式会社 ウエハ支持台
KR102656790B1 (ko) * 2018-11-21 2024-04-12 삼성전자주식회사 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US20200312694A1 (en) * 2019-03-28 2020-10-01 Toto Ltd. Electrostatic chuck
JP2022050211A (ja) * 2020-09-17 2022-03-30 東京エレクトロン株式会社 回転機構および基板処理装置
JP2023146610A (ja) 2022-03-29 2023-10-12 Toto株式会社 静電チャック

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5113248U (zh) * 1974-07-17 1976-01-30
JPS62133721A (ja) * 1985-12-05 1987-06-16 Anelva Corp 基体ホルダ−
JP3208029B2 (ja) * 1994-11-22 2001-09-10 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置およびその作製方法
US5691876A (en) * 1995-01-31 1997-11-25 Applied Materials, Inc. High temperature polyimide electrostatic chuck
JPH1064984A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp ウエハステージ
JP2000243821A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
US6795292B2 (en) * 2001-05-15 2004-09-21 Dennis Grimard Apparatus for regulating temperature of a process kit in a semiconductor wafer-processing chamber
US20040027781A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Hiroji Hanawa Low loss RF bias electrode for a plasma reactor with enhanced wafer edge RF coupling and highly efficient wafer cooling
JP4066329B2 (ja) * 2002-09-05 2008-03-26 太平洋セメント株式会社 静電チャックの製造方法およびそれを用いて得られた静電チャック
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
DE112005001661T5 (de) * 2004-07-15 2007-05-31 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Halbleitervorrichtung, Substrat zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
JP2008115440A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板加熱装置
JP5163349B2 (ja) 2008-08-01 2013-03-13 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US8449679B2 (en) * 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
KR101638646B1 (ko) * 2009-02-20 2016-07-11 엔지케이 인슐레이터 엘티디 세라믹스-금속 접합체 및 그 제조 방법
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP5557164B2 (ja) * 2010-03-24 2014-07-23 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP5267603B2 (ja) * 2010-03-24 2013-08-21 Ｔｏｔｏ株式会社 静電チャック
JP5381879B2 (ja) * 2010-04-08 2014-01-08 住友電気工業株式会社 ウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置
US8791392B2 (en) * 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
JP5732941B2 (ja) * 2011-03-16 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP5458050B2 (ja) * 2011-03-30 2014-04-02 日本碍子株式会社 静電チャックの製法
US10049903B2 (en) * 2011-08-30 2018-08-14 Watlow Electric Manufacturing Company Method of manufacturing a high definition heater system
US8461674B2 (en) * 2011-09-21 2013-06-11 Lam Research Corporation Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
US9324589B2 (en) * 2012-02-28 2016-04-26 Lam Research Corporation Multiplexed heater array using AC drive for semiconductor processing
JP6133549B2 (ja) * 2012-04-26 2017-05-24 新光電気工業株式会社 配線基板及び配線基板の製造方法
US9412579B2 (en) * 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9281226B2 (en) * 2012-04-26 2016-03-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having reduced power loss
US10049948B2 (en) * 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
JP6077301B2 (ja) * 2012-12-28 2017-02-08 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
JP6080571B2 (ja) * 2013-01-31 2017-02-15 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
KR102101407B1 (ko) * 2013-03-14 2020-04-16 삼성전자주식회사 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP5811513B2 (ja) * 2014-03-27 2015-11-11 Toto株式会社 静電チャック
JP6226092B2 (ja) * 2016-03-14 2017-11-08 Toto株式会社 静電チャック
JP6238097B1 (ja) * 2016-07-20 2017-11-29 Toto株式会社 静電チャック
JP6195029B1 (ja) * 2016-07-20 2017-09-13 Toto株式会社 静電チャック

Also Published As

Publication number Publication date
TWI621208B (zh) 2018-04-11
TW201732999A (zh) 2017-09-16
JP2018019097A (ja) 2018-02-01
KR102167282B1 (ko) 2020-10-19
CN108604570A (zh) 2018-09-28
JP2017168818A (ja) 2017-09-21
US10923382B2 (en) 2021-02-16
JP6226092B2 (ja) 2017-11-08
KR20180110036A (ko) 2018-10-08
US20190019715A1 (en) 2019-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108604570B (zh) 静电吸盘
CN107112274B (zh) 静电吸盘
CN109478530B (zh) 静电吸盘
JP6238098B1 (ja) 静電チャック
JP6341457B1 (ja) 静電チャック
TWI651801B (zh) 靜電吸盤
WO2017159590A1 (ja) 静電チャック
WO2018016587A1 (ja) 静電チャック
WO2016114399A1 (ja) 静電チャック
KR20220043044A (ko) 정전척 및 반도체 제조 장치
CN114284198A (zh) 静电吸盘以及半导体制造装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant