KR102656790B1 - 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102656790B1
KR102656790B1 KR1020180144455A KR20180144455A KR102656790B1 KR 102656790 B1 KR102656790 B1 KR 102656790B1 KR 1020180144455 A KR1020180144455 A KR 1020180144455A KR 20180144455 A KR20180144455 A KR 20180144455A KR 102656790 B1 KR102656790 B1 KR 102656790B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plate
electrostatic chuck
disposed
ring
inner plate
Prior art date
Application number
KR1020180144455A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200059570A (ko
Inventor
이용우
노영진
최명선
허민영
심승보
이재학
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020180144455A priority Critical patent/KR102656790B1/ko
Priority to US16/456,757 priority patent/US11398397B2/en
Priority to CN201910677365.0A priority patent/CN111211080B/zh
Publication of KR20200059570A publication Critical patent/KR20200059570A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102656790B1 publication Critical patent/KR102656790B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3343—Problems associated with etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 정전 척, 플라즈마 처리 장치 및 그들을 이용한 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 상기 정전 척은 척 베이스와, 상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트와, 상기 척 베이스 및 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함한다.

Description

정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치{electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조장치에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 수납하는 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들을 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 박막 증착 공정, 포토 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 식각 공정은 플라즈마 반응을 이용한 건식 식각 공정을 포함할 수 있다. 건식 식각 장치는 기판을 수납하는 정전 척을 포함할 수 있다. 정전 척은 기판을 정 전기력으로 고정할 수 있다. 종래의 정전 척 어셈블리는 국내공개특허 제10-2008-007064호에 개시된다.
본 발명의 해결 과제는, 기판의 식각 균일도(uniformity)를 증가시킬 수 있는 정전 척 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 정전 척을 개시한다. 상기 정전 척은, 척 베이스; 상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트; 및 상기 척 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함한다.
본 발명의 일 예에 따른 플라즈마 처리 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 배치되어 기판을 수납하는 정전 척; 및 상기 정전 척을 둘러싸는 에지 링을 포함한다. 여기서, 상기 정전 척은: 척 베이스; 상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트; 및 상기 척 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 반도체 소자의 제조방법은, 정전 척 상에 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 가스를 제공하는 단계; 및 상기 정전 척에 고주파 파워를 제공하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 정전 척은: 척 베이스; 상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트; 및 상기 척 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함할 수 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시 예들에 따른 정전 척은 척 베이스와 상부 플레이트 사이의 내부 플레이트를 이용하여 전기장의 세기를 균일하게 제어하고, 기판의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 플라즈마 처리 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 정전 척의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 2의 내부 플레이트의 두께에 따른 상부 플레이트 상의 전기장의 세기를 보여주는 그래프들이다.
도 4는 도 2의 정전 척의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 내부 플레이트, 내부 유전 링, 및 외부 유전 링(의 유전율에 따른 전기장의 세기를 보여주는 그래프들이다.
도 6은 도 1의 정전 척의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7은 도 6의 내부 플레이트와 내부 유전 링 사이의 제 1 거리에 따른 전기장의 세기를 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 1의 플라즈마 처리 장치를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 일 예를 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 처리 장치(100)는 축전 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma: CCP) 식각 장치일 수 있다. 이와 달리, 상기 플라즈마 처리 장치(100)는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma: ICP), 또는 마이크로파(microwave) 플라즈마 식각 장치일 수 있다. 일 예에 따르면, 플라즈마 처리 장치(100)는 챔버(110), 반응 가스 공급 부(120), 샤워헤드(130), 파워 공급 부(140), 정전 척(150), 및 에지 링(160)를 포함할 수 있다.
상기 챔버(110)는 외부로부터 독립된 공간을 제공할 수 있다. 기판(W)은 상기 챔버(110) 내에 제공될 수 있다. 상기 기판(W)은 실리콘 웨이퍼를 포함할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 챔버(110)는 하부 하우징(112)과 상부 하우징(114)을 포함할 수 있다. 상기 기판(W)이 상기 챔버(110) 내에 제공될 때, 상기 하부 하우징(112)은 상기 상부 하우징(114)으로부터 분리될 수 있다. 상기 기판(W)의 처리 공정(ex, 식각 공정 및 증착 공정)이 진행될 때, 상기 하부 하우징(112)은 상기 상부 하우징(114)과 결합될 수 있다.
상기 반응 가스 공급 부(120)는 상기 챔버(110) 내에 반응 가스(122)를 공급할 수 있다. 상기 반응 가스(122)는 상기 기판(W) 또는 상기 기판(W) 상의 실리콘 산화물(미도시)을 식각할 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스(122)는 CH3 또는 SF6를 포함하나, 본 발명은 이에 한정되지 않을 수 있다. 이와 달리, 상기 반응 가스(122)는 상기 기판(W) 상에 박막(ex, SiO2, TiN, TiO2)을 증착할 수 있다.
상기 샤워헤드(130)는 상기 상부 하우징(114) 내에 제공될 수 있다. 상기 샤워헤드(130)는 상기 반응 가스 공급 부(120)로 연결될 수 있다. 상기 샤워헤드(130)는 상기 기판(W)으로 상기 반응 가스(122)를 분사할 수 있다.
상기 파워 공급 부(140)는 상기 정전 척(150)으로 연결될 수 있다. 상기 파워 공급 부(140)는 상기 정전 척(150)에 고주파 파워(142)를 공급할 수 있다. 상기 고주파 파워(142)는 소스 파워(ex, 60MHz)와 바이어스 파워(ex, 2MHz, 400KHz)를 포함할 수 있다. 상기 고주파 파워(142)의 소스 파워는 상기 챔버(110) 내에 플라즈마(116)를 유도할 수 있다. 또한, 상기 고주파 파워(142)의 바이어스 파워는 상기 플라즈마(116)를 상기 기판(W)에 집중시킬 수 있다. 상기 기판(W) 또는 상기 기판(W) 상의 상기 실리콘 산화물(SiO2)의 식각 깊이가 일정 수준 이상일 경우, 상기 고주파 파워(142)는 펄스 형태로 제공될 수 있다.
상기 정전 척(150)은 상기 하부 하우징(112) 내에 배치될 수 있다. 상기 정전 척(150)은 상기 기판(W)을 수납할 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 정전 척(150)의 상으로 제공될 수 있다. 상기 정전 척(150)은 외부의 정전압으로 상기 기판(W)을 고정할 수 있다. 상기 고주파 파워(142)가 상기 정전 척(150)에 제공되면, 상기 플라즈마(116)는 상기 정전 척(150) 및 상기 기판(W) 상에 생성될 수 있다. 상기 플라즈마(116)의 밀도는 상기 고주파 파워(142)에 비례하여 증가할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마(116)의 밀도는 상기 정전 척(150) 상의 전기장(E)의 세기에 비례할 수 있다. 상기 정전 척(150)은 냉각 수 홀(155) 내에 제공되는 냉각 수에 의해 냉각될 수 있다.
상기 에지 링(160)은 상기 정전 척(150)의 에지 상에 배치될 수 있다. 상기 에지 링(160)은 상기 기판(W)을 둘러쌀 수 있다. 상기 에지 링(160)은 상기 기판(W)의 외주면 및/또는 측벽을 상기 플라즈마(116)로부터 보호할 수 있다. 이와 달리, 상기 에지 링(160)은 상기 플라즈마(116)를 상기 기판(W) 상으로 집중(focus)시킬 수 있다. 상기 에지 링(160)은 실리콘(Si) 또는 실리콘 탄화물(SiC)을 포함할 수 있다.
상기 플라즈마(116)는 상기 기판(W)을 식각하거나 상기 기판(W) 상에 박막을 증착시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 플라즈마(116)의 밀도가 증가하면, 상기 기판(W)의 식각 깊이가 증가할 수 있다. 또한, 상기 플라즈마(116)의 밀도가 상기 기판(W)의 상부 면 전체에 대해 균일하면, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다. 상기 전기장(E)의 세기가 상기 정전 척(150)의 상부 면 전체에 대해 균일할 경우, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다.
이하, 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있는 상기 정전 척(150)에 대해 실시 예를 들어 설명한다.
도 2는 도 1의 정전 척(150)의 일 예를 보여준다.
도 2를 참조하면, 상기 정전 척(150)은 척 베이스(152), 상부 플레이트(154), 및 내부 플레이트(156)를 포함할 수 있다.
상기 척 베이스(152)는 평면적 관점에서 상기 기판(W)보다 넓거나 클 수 있다. 상기 척 베이스(152)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 척 베이스(152)는 제 1 하부 플레이트(151) 및 제 2 하부 플레이트(153)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 하부 플레이트(151)는 평탄할 수 있다.
상기 제 2 하부 플레이트(153)는 상기 제 1 하부 플레이트(151) 상에 배치될 수 있다. 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 직경은 상기 제 1 하부 플레이트(151)의 직경과 동일하거나 작을 수 있다. 일 예로, 상기 제 2 하부 플레이트(153)는 리세스(159)를 가질 수 있다. 상기 리세스(159)는 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 상부 면에 제공될 수 있다. 상기 리세스(159)는 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 중앙에 배치될 수 있다. 상기 에지 링(160)은 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 에지 상에 배치될 수 있다. 상기 냉각 수 홀들(155)은 상기 제 1 하부 플레이트(151)과 상기 제 2 하부 플레이트(153) 사이에 형성될 수 있다.
상기 상부 플레이트(154)는 상기 제 2 하부 플레이트(153)상에 배치될 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)는 상기 에지 링(160) 내에 배치될 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)의 측벽은 상기 에지 링(160)의 내측 측벽에 접촉될 수 있다. 상기 기판(W)은 상기 상부 플레이트(154) 상에 제공될 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)는 세라믹의 유전체 물질, 예를 들어 알루미나(Al2O3)를 포함하고, 약 0.3mm 내지 1.7mm의 두께(T1)를 가질 수 있다. 상기 기판(W)이 상기 상부 플레이트(154) 상에 제공되면, 상기 상부 플레이트(154)는 상기 척 베이스(152)로부터 상기 기판(W)을 절연시킬 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)는 평면적 관점에서 상기 기판(W)과 동일한 면적 또는 넓이를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 플레이트(154)는 약 297 mm 내지 약 300mm의 직경(D1)을 가질 수 있다. 상기 기판(W)의 반경(R)은 약 150mm일 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 상부 플레이트(154)는 그의 내부에 정전 전극을 가질 수 있다. 상기 정전 전극은 외부로부터 제공되는 정전압을 이용하여 상기 기판(W)을 상기 상부 플레이트(154) 상에 고정시킬 수 있다. 또한, 상기 상부 플레이트(154)는 그의 상부 면에 형성된 유전체 돌기들을 가질 수 있다. 상기 유전체 돌기들은 상기 기판(W)의 하부 면과 접촉될 수 있다.
상기 내부 플레이트(156)는 상기 제 2 하부 플레이트(153)와 상기 상부 플레이트(154) 사이에 배치될 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)는 평면적 관점에서 상기 에지 링(160) 내에 배치될 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)는 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 상기 리세스(159) 내에 배치될 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)의 상부 면은 상기 제 2 하부 플레이트(153)의 최 상부 면과 동면을 이룰 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)는 상기 상부 플레이트(154)의 하부 면의 중심 상에 접촉되거나 접착될 수 있다. 이와 달리, 상기 내부 플레이트(156)는 상기 상부 플레이트(154)와 일체형으로 구성될 수 있다. 일 예로, 상기 내부 플레이트(156)는 알루미나(Al2O3)의 세라믹을 포함할 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)의 직경(D2)은 상기 상부 플레이트(154)의 직경(D1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 내부 플레이트(156)는 약 40mm 내지 약 80mm의 직경(D2)을 가질 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)는 상기 상부 플레이트(154)와 동일하거나 두꺼울 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)는 상기 에지 링(160)보다 얇을 수 있다. 예를 들어, 상기 내부 플레이트(156)는 약 1.7mm 내지 약 5mm의 두께(T2)를 가질 수 있다. 상기 에지 링(160)은 약 7mm 이상의 두께(T3)를 가질 수 있다.
도 3은 도 2의 내부 플레이트(156)의 두께(T2)에 따른 상부 플레이트(154) 상의 전기장(E)의 세기를 보여준다.
도 3을 참조하면, 상기 정전 척(150) 내에 상기 내부 플레이트(156)가 없는 경우(10), 상기 전기장(E) 세기는 상기 상부 플레이트(154)의 에지 영역에서부터 중심 영역까지 점진적으로 증가할 수 있다. 상기 전기장(E) 세기가 상기 상부 플레이트(154)의 에지 영역에서 중심 영역까지 증가할 경우, 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다. 상기 기판(W)의 반경(R)은 약 150mm 이고, 상기 기판(W)의 중심 영역은 약 75mm의 반경 내의 영역이고, 상기 중심 영역 외곽의 상기 에지 영역은 약 75mm 내지 150mm의 반경 내의 영역이다.
상기 내부 플레이트(156)의 두께(T2)가 각각 1.7mm 3.3mm, 및 5mm일 경우(12, 14, 16), 상기 상부 플레이트(154)의 중심 영역 상의 전기장(E) 세기는 내부 플레이트(156)의 두께(T2)에 반비례하여 점진적으로 감소할 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)의 중심 영역 상의 전기장(E) 세기가 감소할 경우, 상기 상부 플레이트(154)의 중심 영역과 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기 차이가 감소할 수 있다. 상기 전기장(E)의 세기 차이가 감소하면, 상기 전기장(E)의 세기가 균일해지고, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다.
상기 내부 플레이트(156)의 두께(T2)가 7mm 및 20mm일 경우(22, 24), 상기 상부 플레이트(154)의 중심 영역 상의 전기장(E)의 세기는 거의 감소하지 않고 포화(saturated)될 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)의 중심 영역 상의 전기장(E)의 세기가 포화되면, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 더 이상 개선되지 않을 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 기판(W) 에지 영역의 전기장(E)의 세기는 에지 링(160)의 유전율 또는 두께에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 에지 링(160)의 유전율이 증가하면, 상기 기판(W)의 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기는 증가할 수 있다. 상기 에지 링(160)의 두께가 얇아지면, 상기 기판(W) 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기는 증가할 수 있다.
도 4는 도 2의 정전 척(150)의 일 예를 보여준다.
도 4를 참조하면, 상기 정전 척(150)는 내부 플레이트(156) 외곽의 내부 유전 링(157) 및 외부 유전 링(158)을 포함할 수 있다. 척 베이스(152), 상부 플레이트(154), 및 에지 링(160)은 도 2와 동일하게 구성될 수 있다.
상기 내부 플레이트(156)는 상기 상부 플레이트(154)와 다른 재질로 이루어질 수 있다. 일 예로, 상기 내부 플레이트(156)는 상기 상부 플레이트(154)의 유전율보다 작은 유전율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 상부 플레이트(154)는 약 9.1의 유전율(permittivity and/or dielectric constant)를 갖고, 상기 내부 플레이트(156)는 약 2의 유전율을 가질 수 있다. 상기 상부 플레이트(154)는 알루미나를 포함하고, 상기 내부 플레이트(156)는 테프론(Teflon)을 포함할 수 있다.
상기 내부 유전 링(157)은 상기 내부 플레이트(156)와 외부 유전 링(158) 사이에 배치될 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)의 상부 면은 상기 내부 플레이트(156)의 상부 면과 공면을 이룰 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)은 상기 에지 링(160)보다 얇고, 상기 내부 플레이트(156)의 두께(T1)과 동일한 두께를 가질 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)의 두께는 약 1.7mm 내지 약 5mm일 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)은 상기 내부 플레이트(156)와 접할 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)의 직경(D2)은 상기 내부 유전 링(157)의 내경(inner diameter)일 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)의 폭(W1)은 약 60mm일 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)의 외경(D3)은 약 240mm일 수 있다. 일 예로, 상기 내부 유전 링(157)은 상기 내부 플레이트(156)의 유전율보다 높고, 상기 상부 플레이트(154)의 유전율보다 작은 유전율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 내부 유전 링(157)은 약 3의 유전율을 가질 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)은 피크(PEEK), 셀라졸(Celazole), 또는 마일라(Mylar)를 포함할 수 있다.
상기 외부 유전 링(158)은 상기 내부 유전 링(157)의 외곽에 배치될 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)의 상부 면은 상기 내부 유전 링(157)의 상부 면과 공면을 이룰 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)은 상기 에지 링(160)보다 얇고, 상기 내부 플레이트(156)의 두께(T2)와 동일한 두께를 가질 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)의 두께는 약 1.7mm 내지 약 5mm일 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)은 상기 내부 유전 링(157)에 접할 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)의 내경은 상기 내부 유전 링(157)의 외경(D3)일 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)의 외경은 상기 상부 플레이트(154)의 직경(D1)과 동일할 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)의 폭(W2)은 약 30mm일 수 있다. 일 예로, 상기 외부 유전 링(158)은 상기 내부 유전 링(157)의 유전율보다 높고, 상기 상부 플레이트(154)의 유전율보다 작은 유전율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 외부 유전 링(158)의 유전율은 약 4일 수 있다. 상기 외부 유전 링(158)은 퀄츠(quartz)를 포함할 수 있다.
도 5는 도 4의 내부 플레이트(156), 내부 유전 링(157), 및 외부 유전 링(158)의 유전율에 따른 전기장(E)의 세기를 보여준다.
도 5를 참조하면, 내부 플레이트(156), 내부 유전 링(157), 및 외부 유전 링(158)의 유전율이 각각 2.0, 3.0, 및 4.0일 경우(32), 기판(W)의 중심 영역과 에지 영역의 전기장(E)의 세기 차이는 최소일 수 있다. 상기 중심 영역과 상기 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기 차이가 최소일 경우, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다.
상기 내부 플레이트(156), 상기 내부 유전 링(157), 및 상기 외부 유전 링(158)의 유전율이 각각 9.1, 5.0, 및 1.0일 경우(34), 상기 기판(W)의 중심 영역의 전기장(E)의 세기는 에지 영역의 전기장(E)의 세기보다 과도하게 높을 수 있다. 상기 중심 영역과 상기 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기 차이가 증가하고, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다.
상기 내부 플레이트(156), 상기 내부 유전 링(157), 및 상기 외부 유전 링(158)의 유전율이 각각 1.0, 5.0, 9.1일 경우(36), 상기 기판(W)의 중심 영역의 전기장(E)의 세기는 에지 영역의 전기장(E)의 세기보다 과도하게 낮을 수 있다. 상기 중심 영역과 상기 에지 영역의 상기 전기장(E)의 세기 차이가 증가하고, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다.
도 6은 도 1의 정전 척(150)의 일 예를 보여준다.
도 6을 참조하면, 상기 정전 척(150)은 상기 내부 플레이트(156)로부터 이격(separated)되는 내부 유전 링(157)을 포함할 수 있다. 척 베이스(152), 상부 플레이트(154), 및 에지 링(160)은 도 1 또는 도 4와 동일하게 구성될 수 있다. 도 4의 외부 유전 링(158)은 생략될 수 있다. 상기 척 베이스(152)의 제 2 하부 플레이트(153)는 상기 내부 플레이트(156)와, 내부 유전 링(157) 사이에 개재될 수 있다. 상기 내부 유전 링(157)은 상기 내부 플레이트(156)으로부터 제 1 거리(d)에 분리될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 거리(d)는 약 10mm 이하일 수 있다.
도 7은 도 6의 내부 플레이트(156)와, 내부 유전 링(157) 사이의 제 1 거리(d)에 따른 전기장(E)의 세기를 보여준다.
도 7을 참조하면, 내부 플레이트(156)과 내부 유전 링(157) 사이의 제 1 거리(d)가 10mm인 경우(42), 상기 기판(W)의 중심 영역 내의 전기장(E)의 세기 차이는 최소화될 수 있다. 상기 기판(W)의 중심 영역에서 상기 전기장(E)의 세기 차이가 최소화되면, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 증가할 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)의 직경(D2)이 약 40mm이고, 상기 내부 유전 링(157)의 내경(D4)는 약 60mm이고, 외경(D3)은 약 100mm이고, 폭(W1)은 약 20mm일 수 있다.
상기 내부 플레이트(156)과 상기 내부 유전 링(157) 사이의 제 1 거리(d)가 30mm인 경우(44), 상기 기판(W)의 중심 영역에서 상기 전기장(E)의 세기 차이가 증가할 수 있다. 상기 전기장(E)의 세기 차이가 증가하면, 상기 기판(W)의 식각 균일도는 감소할 수 있다. 상기 내부 플레이트(156)의 직경(D2)이 약 40mm이고, 상기 내부 유전 링(157)의 내경(D4)는 약 100mm이고, 외경(D3)은 약 140mm이고, 폭(W1)은 약 20mm일 수 있다.
도 8은 도 1의 플라즈마 처리 장치(100)를 이용한 반도체 소자의 제조방법을 보여준다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조방법은, 상기 기판(W)을 제공하는 단계(S100), 상기 반응 가스(122)를 제공하는 단계(S200), 상기 고주파 파워(142)를 제공하는 단계(S300)를 포함할 수 있다.
먼저, 로봇 암은 상기 정전 척(150) 상에 상기 기판(W)을 제공한다(S100).
다음, 상기 가스 공급 부(120)는 상기 반응 가스(122)를 상기 샤워헤드(130)에 공급하고, 상기 샤워헤드(130)는 상기 반응 가스(122)를 상기 기판(W) 상에 제공한다(S200).
그 다음, 상기 파워 공급 부(140)는 상기 정전 척(150)에 상기 고주파 파워(142)를 제공한다(S300). 상기 정전 척(150)은 상기 고주파 파워(142)를 이용하여 상기 기판(W) 상의 상기 반응 가스(122)의 플라즈마(116)를 생성할 수 있다. 상기 정전 척(150)의 상기 내부 플레이트(156)는 상기 전기장(E)의 세기 및/또는 상기 플라즈마(116)의 밀도를 균일하게 제어하여 상기 기판(W)의 식각 균일도를 증가시킬 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (20)

  1. 척 베이스;
    상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트; 및
    상기 척 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함하되,
    상기 상부 플레이트는 0.3mm 내지 1.7mm의 제 1 두께를 갖고,
    상기 내부 플레이트는 7mm 내지 20mm의 제 2 두께를 갖는 정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 플레이트는 상기 상부 플레이트의 유전율보다 작은 유전율을 갖는 정전 척.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 내부 플레이트는 테프론을 포함하는 정전 척.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 내부 플레이트를 둘러싸고, 상기 상부 플레이트의 직경과 동일한 외경을 갖는 외부 유전 링을 더 포함하는 정전 척.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 외부 유전 링은 상기 내부 플레이트의 유전율보다 큰 유전율을 갖는 정전 척.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 외부 유전 링은 퀄츠를 포함하는 정전 척.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 외부 유전 링과 상기 내부 플레이트 사이에 배치되는 내부 유전 링을 더 포함하는 정전 척.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 내부 유전 링은 상기 외부 유전 링의 유전율보다는 작고, 상기 내부 플레이트의 유전율보다는 큰 유전율을 갖는 정전 척.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 내부 유전 링은 피크, 셀라졸, 또는 마일라를 포함하는 정전 척.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 플레이트는 상기 상부 플레이트의 두께의 1배 내지 3배의 두께를 갖는 정전 척.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 플레이트는 40mm 내지 80mm의 직경을 갖는 정전 척.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 척 베이스는:
    제 1 하부 플레이트; 및
    상기 제 1 하부 플레이트 상에 배치되는 제 2 하부 플레이트를 포함하되,
    상기 내부 플레이트는 상기 제 2 하부 플레이트의 상부 면에 제공된 리세스 내에 배치되는 정전 척.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 리세스는 상기 제 2 하부 플레이트의 중앙에 배치되는 정전 척.
  16. 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되어 기판을 수납하는 정전 척; 및
    상기 정전 척을 둘러싸는 에지 링을 포함하되,
    상기 정전 척은:
    척 베이스;
    상기 척 베이스 상에 배치되는 상부 플레이트; 및
    상기 척 베이스와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 직경보다 작은 직경을 갖는 내부 플레이트를 포함하되,
    상기 상부 플레이트는 0.3mm 내지 1.7mm의 제 1 두께를 갖고,
    상기 내부 플레이트 7mm 내지 20mm의 제 2 두께를 갖는 플라즈마 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 척 베이스의 에지 상에 배치되고, 상기 상부 플레이트의 외곽을 둘러싸는 에지 링을 더 포함하되,
    상기 내부 플레이트는 상기 에지 링 내에 배치되고, 상기 에지 링보다 얇은 플라즈마 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 에지 링 내에 배치되고, 상기 내부 플레이트를 둘러싸는 외부 유전 링을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 정전 척은 상기 에지 링 내에 배치되고, 상기 내부 플레이트와 상기 외부 유전 링 사이에 배치되는 내부 유전 링을 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 내부 유전 링은 상기 내부 플레이트와 10mm이하의 거리 내에 이격하는 플라즈마 처리 장치.
KR1020180144455A 2018-11-21 2018-11-21 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 KR102656790B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180144455A KR102656790B1 (ko) 2018-11-21 2018-11-21 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US16/456,757 US11398397B2 (en) 2018-11-21 2019-06-28 Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same
CN201910677365.0A CN111211080B (zh) 2018-11-21 2019-07-25 静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180144455A KR102656790B1 (ko) 2018-11-21 2018-11-21 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200059570A KR20200059570A (ko) 2020-05-29
KR102656790B1 true KR102656790B1 (ko) 2024-04-12

Family

ID=70727114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180144455A KR102656790B1 (ko) 2018-11-21 2018-11-21 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11398397B2 (ko)
KR (1) KR102656790B1 (ko)
CN (1) CN111211080B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220086013A (ko) 2020-12-16 2022-06-23 삼성전자주식회사 플라즈마 프로세싱을 위한 정전 척을 포함하는 반도체 공정 설비
KR102655747B1 (ko) 2023-04-06 2024-04-08 주식회사 두리머트리얼즈 플라즈마 처리장치를 위한 플레이트 고정장치
KR102576740B1 (ko) 2023-05-02 2023-09-11 주식회사 두리머트리얼즈 플라즈마 처리장치를 위한 c링 어셈블리

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323558A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Nikon Corp 静電吸着装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2659919B2 (ja) * 1994-01-13 1997-09-30 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション プラズマの不均一性を補正するプラズマ装置
JP4472372B2 (ja) 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
US7525787B2 (en) * 2005-09-30 2009-04-28 Lam Research Corporation Electrostatic chuck assembly with dielectric material and/or cavity having varying thickness, profile and/or shape, method of use and apparatus incorporating same
US8741098B2 (en) 2006-08-10 2014-06-03 Tokyo Electron Limited Table for use in plasma processing system and plasma processing system
JP5125024B2 (ja) * 2006-08-10 2013-01-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置
US20080073032A1 (en) 2006-08-10 2008-03-27 Akira Koshiishi Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus
JP4855177B2 (ja) * 2006-08-10 2012-01-18 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US8284538B2 (en) 2006-08-10 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Electrostatic chuck device
JP5029089B2 (ja) 2007-03-26 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の載置台及びプラズマ処理装置
US7667944B2 (en) * 2007-06-29 2010-02-23 Praxair Technology, Inc. Polyceramic e-chuck
JP4898718B2 (ja) 2008-02-08 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP5142914B2 (ja) 2008-09-25 2013-02-13 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP2010080717A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置用の載置台
CN103227083B (zh) * 2012-01-31 2015-08-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于等离子体处理装置的载片台
CN105552014B (zh) * 2014-10-28 2018-09-18 北京北方华创微电子装备有限公司 一种支撑装置以及等离子刻蚀设备
JP6226092B2 (ja) * 2016-03-14 2017-11-08 Toto株式会社 静電チャック
KR20180135152A (ko) 2017-06-09 2018-12-20 삼성전자주식회사 정전 척, 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323558A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Nikon Corp 静電吸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11398397B2 (en) 2022-07-26
KR20200059570A (ko) 2020-05-29
CN111211080B (zh) 2024-05-07
US20200161157A1 (en) 2020-05-21
CN111211080A (zh) 2020-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102549546B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 엘라스토머 시일의 수명을 연장시키는 크기로 형성된 에지 링
JP7021914B2 (ja) エッジ均一性制御のための調整可能な延長電極
TWI802347B (zh) 用於電漿處理中之均勻性控制的漸縮上電極
KR101008863B1 (ko) 기판상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 디바이스를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법
US8152925B2 (en) Baffle plate and substrate processing apparatus
KR102656790B1 (ko) 정전 척, 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP2018125519A (ja) エッジ均一性制御のための調整可能な延長電極
US20170301578A1 (en) Focus ring assembly and a method of processing a substrate using the same
KR101756853B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN110690096B (zh) 静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法
JP5808750B2 (ja) 傾斜側壁を備える静電チャック
KR20220021514A (ko) 상부 전극 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN111627841A (zh) 新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法
JPWO2002058125A1 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
KR102650167B1 (ko) 정전 척 및 그를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US11488804B2 (en) Shower head assembly and plasma processing apparatus having the same
KR20180080520A (ko) 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
US11380524B2 (en) Low resistance confinement liner for use in plasma chamber
US8854790B1 (en) Electrostatic chuck assembly
KR20050038898A (ko) 반도체 기판의 건식 식각 장치
US11646179B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20230092672A (ko) 포커스 링 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230092685A (ko) 포커스 링을 포함하는 기판 처리 장치
KR20230092684A (ko) 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20230063980A (ko) 정전 척 및 정전 척 제작 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant