KR20200131668A - 절연 저항이 우수한 정전척 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 정전척에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 정전척은 베이스 바디와, 제1 접착층에 의해, 상기 베이스 바디의 상면에 접합하는 히터 플레이트와, 제2 접착층에 의해, 상기 히터 플레이트의 상면에 접합하고, 정전기력에 의해 웨이퍼를 흡착하는 흡착 플레이트와, 상기 베이스 바디 및 히터 플레이트를 관통하여 상기 흡착 플레이트에 접촉하는 전극과, 상기 전극을 감싸는 제1 절연부재 및 제2 절연부재를 포함하되, 상기 전극은, 상기 제1 절연부재의 상부면에서 상측으로 노출되는 노출부를 구비하고, 상기 노출부는, 상기 제2 절연부재에 의해 감싸지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 정전척의 전기적 안정성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 정전척에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 전기적 안정성을 향상시킬 수 있는 정전척에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 챔버(chamber) 내에 안치된 웨이퍼에 스퍼터링, 포토리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학기상증착 등 수많은 공정들을 순차적 또는 반복적으로 수행함으로써, 제조될 수 있다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 박막의 특성을 균일하게 유지하기 위해서는 웨이퍼(wafer)가 챔버 내에서 긴밀하게 고정되는 것이 중요하다.
한편, 웨이퍼를 고정시키는 방식에는 기계척(mechanical chuck) 방식과 정전척(Electrostatic Chuck: ESC) 방식이 있으나, 웨이퍼와의 접촉면 전체에 고른 인력 또는 척력을 발생시켜, 웨이퍼 표면의 편평도(flatness)를 보장하고, 웨이퍼가 접촉면에 긴밀하게 접촉하여 효과적으로 웨이퍼의 온도 조절이 가능한 정전척 방식이 널리 사용되고 있다.
도 1은, 일반적인 정전척(100)의 단면도로서, 정전척은, 접착층(130, 170)을 매개로, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190) 순으로 적층될 수 있다.
흡착 플레이트(190)는 내부 전극(195)을 포함하고, 전극(210)을 통해 내부 전극(195)에 전원이 인가되는 경우, 전하(+ 또는 -)가 유도되어, 정전기력에 의해 웨이퍼를 고정하는 척킹(chucking) 현상이 발생될 수 있다. 반대로, 내부 전극(195)에 전원 공급이 차단되는 경우, 웨이퍼를 분리하는 디척킹(dechucking) 현상이 발생될 수 있다.
그러나, 전극(210)의 절연이 기밀하지 않은 경우, 누설 전류가 정전척 내부로 여기될 수 있다. 특히, 누설 전류가 흡착 플레이트의 경계면을 통해 챔버 내로 여기되는 경우(도 1의 e1, e2), 기계척 방식 보다 심각한 문제를 일으킬 수 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, KR 10-2015-0128219 A의 '히터가 장착된 캡형 정전척'은 전극을 전면적으로 감싸는 차단링부를 개시하나, 상기 '히터가 장착된 캡형 정전척'은 전극에서 여기된 전류를 근본적으로 막지 못할 뿐더러, 전극을 전면적으로 감싸는 구조는 제조 비용의 증가와 제조 공정의 복잡성을 불러일으킨다.
본 발명의 목적은, 전기적 안정성을 향상시킬 수 있는 정전척을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 실시예에 따른 정전척은 베이스 바디와, 제1 접착층에 의해, 상기 베이스 바디의 상면에 접합하는 히터 플레이트와, 제2 접착층에 의해, 상기 히터 플레이트의 상면에 접합하고, 정전기력에 의해 웨이퍼를 흡착하는 흡착 플레이트와, 상기 베이스 바디 및 히터 플레이트를 관통하여 상기 흡착 플레이트에 접촉하는 전극과, 상기 전극을 감싸는 제1 절연부재 및 제2 절연부재를 포함하되, 상기 전극은, 상기 제1 절연부재의 상부면에서 상측으로 노출되는 노출부를 구비하고, 상기 노출부는, 상기 제2 절연부재에 의해 감싸지는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 제1 절연부재는, 안착홈이 마련되고, 상기 제2 절연부재는, 원통형상으로 형성되며, 상기 노출부에 끼워 맞춤되어, 상기 안착홈에 안착될 수 있다.
또한, 상기 제2 절연부재는, 일 단부가 상기 흡착 플레이트와 맞닿도록 형성되고, 타 단부가 상기 안착홈에 맞닿도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 흡착 플레이트는, 상기 전극이 접촉되는 리세스부를 구비하고, 상기 리세스부의 폭은, 상기 제2 절연부재의 외경보다 크게 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 절연부재는, 울템 소재로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 정전척은 제1 절연부재를 통해 전극의 본체에서 누설되는 전류를 절연하고, 제2 절연부재를 통해 전극과 흡착 플레이트 사이의 경계면에서 누설되는 전류를 절연할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 챔버 내 아킹(arcing) 현상을 방지하여, 웨이퍼를 심각한 손상으로부터 보호할 수 있게 된다.
특히, 본 발명의 정전척은 제2 절연부재가 흡착플레이트와 밀착되어 배치되므로, 누설 전류의 양이 현저하게 감소될 수 있다.
또한, 본 발명의 정전척은, 누설 전류량을 현저하게 감소시켜, 웨이퍼를 보다 긴밀하게 고정할 수 있으며, 반대로, 감소된 누설 전류로 인하여, 잔류 흡착 현상이 제거될 수 있다.
도 1은, 일반적인 정전척의 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 3은, 도 2의 제1 절연부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 도 2의 제2 절연부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 도 4의 설명에 참조되는 도면이다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 결합관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 3은, 도 2의 제1 절연부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 도 2의 제2 절연부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 도 4의 설명에 참조되는 도면이다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 결합관계를 설명하기 위한 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도면을 참조하여 설명하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(100)은, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)가 서로 적층되도록 접합되어 형성된다.
베이스 바디(110)는, 챔버(미도시) 내부에 수용되어, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)를 설치하기 위한 지지대로써 기능한다.
베이스 바디(110)는 평평한 원판 형상으로 형성되며, 흡착 플레이트(190)에 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 삽입되는 관통홀을, 적어도 하나 이상 포함한다.
실시예에 따라, 베이스 바디(110)의 외부 또는 내부에는, 흡착 플레이트(190) 상면의 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각수단(미도시)이 더 구비될 수 있다.
히터 플레이트(150)는, 정전척(200)의 온도 제어 수단으로서, 히터 패턴(미도시)이 히터 플레이트(150)의 내부 또는 하면에 인쇄될 수 있다. 히터 패턴(미도시)은 저항성 소자로서, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다.
이때, 히터 패턴(미도시)은, 몰리브덴(Mo), 스테인리스(SUS), 니켈-크롬(Ni-Cr) 합금, 텅스텐(W), 바람직하게는 인코넬(inconel)로 형성될 수 있다.
한편, 히터 플레이트(150)에서 발생된 열은, 고밀도 플라즈마 공정에서 가스 및/또는 웨이퍼(wafer)의 온도 제어에 사용될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 베이스 바디(110)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되고, 가공의 용이성을 위하여, 20T 두께로 제작되며, 베이스 바디(110)에 접합한 후, 1T 두께로 절삭, 연마 가공 될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 분리형 또는 일체형일 수 있으며, 설명의 편의를 위해 도시하지 않은 히터 전극이 히터 플레이트(150)에 연결될 수 있다. 또한, 히터 플레이트(150)에는 흡착 플레이트(190)로 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 연통하는 관통홀이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
흡착 플레이트(190)는, 정전척(200)의 최상부에 배치되어, 그 상면으로 웨이퍼(wafer)가 안착되는 수단으로서, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되며, 정전기력(electrostatic force)을 기초로 웨이퍼(wafer)를 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking) 하기 위한 흡착 전극(197)이 그 하면에 인쇄된다.
보다 상세하게는, 흡착 플레이트(190)는, 리세스부(199)를 구비하고, 흡착 전극(197)은 리세스부(199)에 배치된다. 이때, 전극(210)은 리세스부(199)에 배치된 흡착 전극(197)에 접촉된다. 이에 따라, 외부 전원이 전극(210)을 통해 흡착 플레이트(190)에 공급될 수 있다.
한편, 흡착 플레이트(190)가 리세스부(199)를 구비함에 따라, 전극(210)의 이탈을 방지함은 물론, 전극에서 여기되는 전류가 현저하게 감소될 수 있다.
흡착 플레이트(190)는, 챔버 내 고온 환경에서 내구성이 있으며, 원판 전극에서 생성되는 정전기력이 원활하게 통과할 수 있도록 세라믹 소재가 사용될 수 있다.
예를 들어, 흡착 플레이트(190)는, Al2O3계 소재, 또는 Al2O3계 소재 보다 열전도성이 높은 세라믹 소재인 알루미늄 나이트라이드(Aluminum nitride, AlN) 소재 또는 탄화 규소(SiC) 소재가 사용될 수 있다.
흡착 플레이트(190)의 비저항 값은 1013 (옴·cm)이상일 수 있으며, 이는 쿨롱 힘(coulomb force) 을 이용하기 위함이다. 이에 따라, 본 발명의 정전척(200)은 Johnsen-Rahbeck(J-R)이 아닌 쿨롱 힘을 이용한 고정항 정전척일 수 있다.
실시예에 따라, 본 발명의 정전척(200)은, 흡착 플레이트(190)에 열을 균일하게 전달하기 위하여, 흡착 플레이트(190)의 하면에 형성된 열전도 부재(155)를 더 포함할 수 있다. 이때, 열전도 부재(155)는 흡착 플레이트(190)의 소재와 상이한 소재일 수 있다. 예를 들어, 열전도 부재(155)에는 열전도성이 우수한 알루미늄 소재가 사용될 수 있다.
열전도 부재(155)가 흡착 플레이트(190)의 소재와 상이한 소재로 형성됨에 따라, 챔버로 누설되는 전류가 보다 현저하게 감소될 수 있다.
한편, 열전도 부재(155)에도, 전극(210)이 연통하는 관통홀이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
상술한, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)는 접착제를 매개로 접합된다.
구체적으로, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)는 제1 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150) 사이에는 제1 접착층(130)이 형성된다.
또한, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)는 제2 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190) 사이에는 제2 접착층(170)이 형성된다.
제1 접착제 및 제2 접착제는, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)와 열팽창 계수가 유사한 소재로서, 이종 재료의 접합이 가능한 다양한 접착체가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 제1 접착제 및 제2 접착제는, 액체(liquid) 형태의 실리콘 접착제일 수 있다.
이때, 제1 접착제 및 제2 접착제는, 상온 경화 또는 열경화되어, 제1 접착층(130) 및 제2 접착층(170)을 형성한다.
전극(210)은, 흡착 플레이트(190)에 외부 전원을 공급하기 위한 것으로서, 제1 접착층(130), 히터 플레이트(150), 제2 접착층(170), 열전도 부재(155)를 관통하여 흡착 플레이트(190)에 접촉한다.
이에 따라, 히터 플레이트(150) 및 열전도 부재(155)에는 관통홀이 상하방향으로 관통되어 형성된다.
한편, 도 2에서는, 정전척(200)이 전극(210)을 단수개 포함하는 것(유니폴라 방식)을 도시하나, 실시예에 따라, 복수개의 전극(210)을 구비하는 것(바이폴라 방식)도 가능하며, 이 때, 관통홀은 전극(210)의 위치 및 개수에 대응하여 형성될 수 있다.
전극(210)은 , 흡착 플레이트(190)와의 접촉 특성을 강화하기 위하여, 흡착 플레이트(190)와 유사한 열팽창 계수를 갖거나 혹은 열팽창 계수의 차이가 적은 물질로 형성된다.
예를 들어, 전극은, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등 전도성 재료가 사용될 수 있다.
제1 절연부재(310) 및 제2 절연부재(330)는, 전극(210)에서 여기되는 전류를 막기 위한 것으로서, 전극(210)을 감싸도록 형성된다.
제1 절연부재(310) 및 제2 절연부재(330)에 대한 설명은, 도 3 이하에서 보다 상세하게 살펴본다.
도 3은, 도 2의 제1 절연부재를 설명하기 위한 도면이다.
도면을 참조하여 설명하면, 제1 절연부재(310)는, 전극(210)에서 발생된 누설 전류가 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)의 표면을 타고 챔버로 방출되는 것을 방지한다.
이를 위해, 제1 절연부재(310)는, 전극(210)을 감싸는 형태로 형성되나, 전극(210)을 전면적으로 수용하지 않는다.
즉, 제1 절연부재(310)는, 전극(210)의 일부가 노출되도록 전극(210)을 감싸는 형태로 형성된다.
이에 따라, 전극(210)에는, 제1 절연부재(310)의 상부면에서 상측으로 노출되는 노출부(215)가 형성된다.
한편, 제1 절연부재(310)는, 후술하는 제2 절연부재(330)가 안착되는 안착홈(350)이 마련된다. 안착홈(350)은 원형으로 형성되며, 그 두께는 제2 절연부재(330)의 두께(tk)와 동일하거나 작을 수 있다.
한편, 전극(210) 및 제1 절연부재(310)는 억지끼움 맞춤 방식 또는 매입 사출방식에 의해 결합될 수 있으나, 본 발명의 전극(210)과 제1 절연부재(310)의 결합 방식은 상기 결합 방식에 구속되지 않는다.
제1 절연부재(310)에는, 비정질 등급의 폴레에테르이미드(Poly Ether Imide: PEI)가 사용될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연부재(310)는, 제1 울템(Ultem) 소재로 형성될 수 있다.
도 4는, 도 2의 제2 절연부재를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는, 도 4의 설명에 참조되는 도면이다.
도면을 참조하여 설명하면, 제2 절연부재(330)는 전극(210)의 단부에서 발생된 누설 전류가 흡착 플레이트(190) 및/또는 열전도 부재(155)의 표면을 타고 챔버로 방출되는 것을 방지한다.
이를 위해, 제2 절연부재(330)는, 전극(210)의 노출부(215)를 감싸는 형태로 형성되며, 특히, 제2 절연부재(330)의 일 단부가 흡착 플레이트(190)와 맞닿도록 형성된다.
보다 상세하게는, 제2 절연부재(330)는, 도 5와 같이, 원통형상으로 형성된다.
이때, 제2 절연부재(330)의 높이(h)는, 노출부(215)의 높이와 동일하게 설정되고, 내경(di)은 전극(260)의 외경과 동일하거나 작게 설정된다. 또한, 제2 절연부재(330)의 외경(do)은, 두께(tk)를 고려하여 설정되되, 제2 절연부재(330)의 두께(tk)가 작은 경우, 누설 전류의 경로가 짧아져 절연 저항 값이 낮아지므로, 제2 절연부재(330)의 두께는 2mm 이상이 되도록 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 원통형상의 제2 절연부재(330)는 노출부(215)에 끼워 맞춤되며, 제1 절연부재(310)에 구비된 안착홈(350)에 안착된다.
한편, 상술한 바와 같이, 제2 절연부재(330)의 높이(h)가 노출부(215)의 높이와 동일하게 설정되므로, 도 4에서와 같이, 전극(210)의 단부는 제2 절연부재(330)의 일 단부에서 끝나고, 제2 절연부재(330)의 외부로 노출되지 않는다.
결국, 제2 절연부재(330)의 일 단부는 흡착 플레이트(190)와 맞닿게 형성되고, 타 단부는 안착홈(350)에 맞닿도록 형성되므로, 전극(210)의 단부에서 발생된 누설 전류가 흡착 플레이트(190) 및/또는 열전도 부재(155)의 표면을 타고 챔버로 방출되는 것을 방지할 수 있다.
특히, 본 발명의 정전척(200)은, 전극(210)의 단부가 외부로 노출되지 않으므로, 누설되는 전류량이 현저하게 감소될 수 있다.
한편, 용사 코팅 방식은 파우더 형태의 재료를 용융 혹은 반용융 상태로 분사하여 전극(210)의 표면에 층을 형성하는 것을 말하며, 이러한 용사 코팅 방식은, 분말 형태의 파우더가 순간 고온에 녹은 후 원하는 지점에 분사되어 서서히 굳게 되는데 이때, 각각의 분말 용해 입자간 단차가 발생되며, 단차로 인한 기공 발생할 수 있다.
이에 따라, 용사 코팅 방식은, 기공을 통해 침투한 습기에 의해 누설 전류가 증가하여 아킹(arcing) 현상이 증가하게 되는 바, 본 발명의 제2 절연부재(330)는, 끼워 맞춤 방식으로 결합하므로, 절연성이 증가하는 것은 물론, 제조의 용이성이 있다.
한편, 제2 절연부재(330)도 비정질 등급의 폴레에테르이미드(Poly Ether Imide: PEI)가 사용될 수 있으며, 예를 들어, 제2 절연부재(330)는, 제2 울템(Ultem) 소재로 형성될 수 있다.
다만, 제2 절연부재(330)에 사용되는 제2 울템 소재의 절연성은, 제1 절연부재(310)에 사용되는 제1 울템 소재의 절연성의 2배 이상으로 형성됨이 바람직하다.
제2 울템 소재를 제1 울템 소재의 절연성 보다 크게 설정함에 따라, 제2 울템 소재의 외경을 제1 울템 소재 보다 작게 형성할 수 있고, 이에 따라, 제2 절연부재(330)의 일단이 리세스부(199)에 맞닿을 수 있다. 특히, 누설 전류가 집중되는 곳은 전극(210) 단부 이므로, 절연성이 큰 제2 울템 소재를 통하여, 전극(210) 단부의 절연성을 보다 강화하여, 누설 전류를 보다 효율적으로 차단할 수 있게 된다.
도 6은, 본 발명의 실시예에 따른 정전척의 결합관계를 설명하기 위한 도면이다.
도면을 참조하여 설명하면, 도 2에서와 같이, 흡착 플레이트(190)는, 리세스부(199)를 구비하고, 흡착 전극(197)은 리세스부(199)에 배치된다.
흡착 전극(197)을 형성시키는 방식은 스크린인쇄 방식, 박막 인쇄 방식, 무전해 도금 방식 또는 스퍼터링 방식 등 전극(111)을 형성할 수 있는 다양한 방식 중 어느 하나의 방식을 사용하여 형성시킨다.
리세스부(199)의 폭(w)은 제2 절연부재(330)의 외경(do)과 같거나 크게 형성된다.
리세스부(199)의 폭(w)이 제2 절연부재(330)의 외경(do)과 동일한 경우, 전극(210)과 흡착 플레이트(190)가 긴밀하게 접촉될 수 있으나, 제2 절연부재(330)의 변형, 특히, 부피 증가로 인하여, 전극(210)과 흡착 플레이트(190)의 접점이 불안정할 수 있다.
이러한 접점 불안정은 정전척(200)의 척킹 또는 디척킹 제어의 오류를 일으킬 수 있다. 따라서, 리세스부(199)의 폭(w)은 제2 절연부재(330)의 외경(do) 보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.
반면, 리세스부(199)의 폭(w)은, 제1 절연부재(310)의 외경 보다 작게 설정된다.
보다 구체적으로, 열전도 부재(155)의 관통홀 지름은 히터 플레이트(150)의 관통홀 지름과 동일하고, 흡착 플레이트(190)에 구비된 리세스부(199)의 폭(w) 보다 크게 형성된다.
또한, 히터 플레이트(150) 및 열전도 부재(155)를 관통하는 제1 절연부재(310)의 외경(do)은, 열전도 부재(155)의 관통홀 지름 및 히터 플레이트(150)의 관통홀 지름과 동일하게 형성된다.
이에 따라, 제1 절연부재(310)는 열전도 부재(155) 및 히터 플레이트(150)에 긴밀하게 고정되는 반면, 제1 절연부재(310)의 일 단부는 흡착 플레이트(190)의 리세스부(199)에 맞닿지 않게 된다. 이는 누설 전류를 현저하게 감소시키기 위함이다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
200: 정전척
110: 베이스 바디
130: 제1 접착층
150: 히터 플레이트
170: 제2 접착층
155: 연전도 부재
190: 흡착 플레이트
197: 흡착 전극
199: 리세스부
210: 전극
310: 제1 절연부재
330: 제2 절연부재
110: 베이스 바디
130: 제1 접착층
150: 히터 플레이트
170: 제2 접착층
155: 연전도 부재
190: 흡착 플레이트
197: 흡착 전극
199: 리세스부
210: 전극
310: 제1 절연부재
330: 제2 절연부재
Claims (5)
- 베이스 바디;
제1 접착층에 의해, 상기 베이스 바디의 상면에 접합하는 히터 플레이트;
제2 접착층에 의해, 상기 히터 플레이트의 상면에 접합하고, 정전기력에 의해 웨이퍼를 흡착하는 흡착 플레이트;
상기 베이스 바디 및 히터 플레이트를 관통하여 상기 흡착 플레이트에 접촉하는 전극;
상기 전극을 감싸는 제1 절연부재 및 제2 절연부재를 포함하되,
상기 전극은,
상기 제1 절연부재의 상부면에서 상측으로 노출되는 노출부를 구비하고,
상기 노출부는,
상기 제2 절연부재에 의해 감싸지는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제1항에 있어서,
상기 제1 절연부재는,
안착홈이 마련되고,
상기 제2 절연부재는,
원통형상으로 형성되며, 상기 노출부에 끼워 맞춤되어, 상기 안착홈에 안착되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제2항에 있어서,
상기 제2 절연부재는,
일 단부가 상기 흡착 플레이트와 맞닿도록 형성되고,
타 단부가 상기 안착홈에 맞닿도록 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제1항에 있어서,
상기 흡착 플레이트는,
상기 전극이 접촉되는 리세스부를 구비하고,
상기 리세스부의 폭은,
상기 제2 절연부재의 외경보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척. - 제1항에 있어서,
상기 제2 절연부재는,
울템 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전척.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004241668A (ja) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Taiheiyo Cement Corp | 静電チャック及びその製造方法 |
KR20130121020A (ko) * | 2012-04-26 | 2013-11-05 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전 척 |
KR20150135071A (ko) * | 2014-05-22 | 2015-12-02 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 정전척 및 반도체·액정 제조장치 |
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-
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