KR102260505B1 - 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법 - Google Patents

정전척의 접착층을 평탄화하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102260505B1
KR102260505B1 KR1020200107759A KR20200107759A KR102260505B1 KR 102260505 B1 KR102260505 B1 KR 102260505B1 KR 1020200107759 A KR1020200107759 A KR 1020200107759A KR 20200107759 A KR20200107759 A KR 20200107759A KR 102260505 B1 KR102260505 B1 KR 102260505B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive
module
heater plate
electrostatic chuck
Prior art date
Application number
KR1020200107759A
Other languages
English (en)
Inventor
고광노
Original Assignee
고광노
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 고광노 filed Critical 고광노
Priority to KR1020200107759A priority Critical patent/KR102260505B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102260505B1 publication Critical patent/KR102260505B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 제작하는 방법은, 흡착 플레이트 상에 히터 플레이트를 적층하는 단계; 상기 히터 플레이트 상에 접착제를 제1 소정의 두께로 도포하고 경화하는 과정을 복수 회 반복함으로써 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층에서 제2 소정의 두께만큼을 제거함으로써 제1 모듈을 제작하는 단계; 및 상기 제1 모듈과 제2 모듈을 결합하는 단계;를 포함한다.

Description

정전척의 접착층을 평탄화하는 방법 {A Method for flattening the adhesive layer of an electrostatic chuck}
본 발명은 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법에 관한 것이다, 보다 상세하게는, 정전척의 접착제를 복수의 층들로 적층하고, 일부를 제거하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 챔버(chamber) 내에 안치된 웨이퍼에 스퍼터링, 포토 리소그라피, 에칭, 이온 주입, 화학 기상 증착 등 수많은 공정들을 순차적 또는 반복적으로 수행함으로써, 제조될 수 있다.
이러한 반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 박막의 특성을 균일하게 유지하기 위해서는 웨이퍼(wafer)가 챔버 내에서 긴밀하게 고정되는 것이 중요하다.
한편, 웨이퍼를 고정시키는 방식에는 기계척(mechanical chuck) 방식과 정전척(Electrostatic Chuck: ESC) 방식이 있으나, 웨이퍼와의 접촉면 전체에 고른 인력 또는 척력을 발생시켜, 웨이퍼 표면의 편평도(flatness)를 보장하고, 웨이퍼가 접촉면에 긴밀하게 접촉하여 효과적으로 웨이퍼의 온도 조절이 가능한 정전척 방식이 널리 사용되고 있다.
그러나, 반도체 공정은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD), 스퍼터링(sputtering), 원자층증착(Atomic Layer Deposion:ALD), 건식식각(Dry Etch) 등과 같은 고온 고압의 환경에서 공정이 진행되기 때문에, 챔버 내부를 구성하는 부품들이 견딜 수 있는 물리적인 한계가 존재한다.
특히, 소재의 특성상, 흡착 플레이트, 히터 플레이트, 베이스 바디 등을 접착하기 위한 접착층(또는 절연층)이 보다 쉽게 식각 또는 경화될 수 있고, 이러한 접착층(또는 절연층)이 손상되는 경우, 반도체 공정의 심각할 불량을 야기할 수 있다.
KR 10-2015-0128220 A
본 발명의 목적은, 접착층을 평탄화 할 수 있는 정전척의 제작 방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 제작하는 방법은, 흡착 플레이트 상에 히터 플레이트를 적층하는 단계; 상기 히터 플레이트 상에 접착제를 제1 소정의 두께로 도포하고 경화하는 과정을 복수 회 반복함으로써 접착층을 형성하는 단계; 상기 접착층에서 제2 소정의 두께만큼을 제거함으로써 제1 모듈을 제작하는 단계; 및 상기 제1 모듈과 제2 모듈을 결합하는 단계;를 포함한다.
상술한 방법에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 상기 접착제를 200μm 두께로 도포하고 경화하는 과정을 4회 반복한다.
상술한 방법에 있어서, 상기 제2 소정의 두께는 250μm 내지 300μm의 범위를 포함한다.
상술한 방법에 있어서, 상기 제2 모듈은, 베이스 바디 상에 접착제를 200μm 두께로 도포하고 경화함으로써 형성된 접착층을 포함한다.
상술한 방법에 있어서, 상기 결합하는 단계는, 상기 제1 모듈의 접착층과 상기 제2 모듈의 접착층을 결합한다.
접착제를 복수의 층들로 적층하고, 일부를 제거하는 방식으로 접착층의 평면도와 진직도를 향상시킴으로써, 정전척의 수리 또는 재생 비용을 저감할 수 있는 접착층 충진 방법을 제시한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 제작하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 플레이트 상에 접착층이 형성되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 모듈이 제작되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 모듈과 제2 모듈이 결합되는 과정을 설며하기 위한 도면이다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 단순히 본 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되는 것으로서, 그 자체로 특별히 중요한 의미 또는 역할을 부여하는 것은 아니다. 따라서, 상기 "모듈" 및 "부"는 서로 혼용되어 사용될 수도 있다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품, 또는 이들을 조합한 것들의 존재, 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척(100)은, 베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)가 서로 적층되도록 접합되어 형성된다.
베이스 바디(110)는, 챔버(미도시) 내부에 수용되어, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)를 설치하기 위한 지지대로써 기능한다. 예를 들어, 베이스 바디(110)는 평평한 원판 형상으로 형성되며, 흡착 플레이트(190)에 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 삽입되는 관통홀을, 적어도 하나 이상 포함한다. 필요에 따라, 베이스 바디(110)의 외부 또는 내부에는, 흡착 플레이트(190) 상면의 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각 수단(미도시)이 더 구비될 수 있다.
히터 플레이트(150)는, 정전척(200)의 온도 제어 수단으로서, 히터 패턴(155)이 히터 플레이트(150)의 내부 또는 하면에 인쇄될 수 있다. 히터 패턴(155)은 저항성 소자로서, 외부 전원에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 예를 들어, 히터 패턴(155)은, 몰리브덴(Mo), 스테인리스(SUS), 니켈-크롬(Ni-Cr) 합금, 텅스텐(W), 바람직하게는 인코넬(inconel)로 형성될 수 있다.
한편, 히터 플레이트(150)에서 발생된 열은, 고밀도 플라즈마 공정에서 가스 및/또는 웨이퍼(wafer)의 온도 제어에 사용될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 베이스 바디(110)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되고, 가공의 용이성을 위하여, 20T 두께로 제작되며, 베이스 바디(110)에 접합한 후, 1T 두께로 절삭, 연마 가공 될 수 있다.
히터 플레이트(150)는 분리형 또는 일체형일 수 있으며, 히터 전극(미도시)이 히터 플레이트(150)에 연결될 수 있다. 또한, 히터 플레이트(150)에는 흡착 플레이트(190)로 전원을 인가하기 위한 전극(210)이 연통하는 관통홀이 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.
흡착 플레이트(190)는, 정전척(100)의 최상부에 배치되어, 그 상면으로 웨이퍼(wafer)가 안착되는 수단으로서, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)와 마찬가지로 원판 형태로 제작되며, 정전기력(electrostatic force)을 기초로 웨이퍼(wafer)를 척킹(chucking) 또는 디척킹(dechucking) 하기 위한 흡착 전극(195)이 그 하면에 인쇄된다.
흡착 플레이트(190)는, 챔버 내 고온 환경에서 내구성이 있으며, 원판 전극에서 생성되는 정전기력이 원활하게 통과할 수 있도록 세라믹 소재가 사용될 수 있다. 예를 들어, 흡착 플레이트(190)는, Al2O3계 소재, 또는 Al2O3계 소재 보다 열전도성이 높은 세라믹 소재인 알루미늄 나이트라이드(Aluminum nitride, AlN) 소재 또는 탄화 규소(SiC) 소재가 사용될 수 있다.
흡착 플레이트(190)의 비저항 값은 1013 (Ω·cm) 이상일 수 있으며, 이는 쿨롱 힘(coulomb force)을 이용하기 위함이다. 이에 따라, 본 발명의 정전척(200)은 Johnsen-Rahbeck(J-R)이 아닌 쿨롱 힘을 이용한 고저항 정전척일 수 있다.
필요에 따라, 본 발명의 정전척(200)은, 흡착 플레이트(190)에 열을 균일하게 전달하기 위하여, 흡착 플레이트(190)의 하면에 형성된 열전도 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때, 열전도 부재(미도시)는 흡착 플레이트(190)의 소재와 상이한 소재일 수 있다. 예를 들어, 열전도 부재(미도시)에는 열전도성이 우수한 알루미늄 소재가 사용될 수 있다.
베이스 바디(110), 히터 플레이트(150), 흡착 플레이트(190)는 접착제를 매개로 접합된다. 구체적으로, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150)는 제1 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 베이스 바디(110) 및 히터 플레이트(150) 사이에는 제1 접착층(130)이 형성된다.
또한, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)는 제2 접착제를 매개로 접합되고, 이에 따라, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190) 사이에는 제2 접착층(170)이 형성된다.
제1 접착제 및 제2 접착제는, 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)와 열팽창 계수가 유사한 소재로서, 이종 재료의 접합이 가능한 다양한 접착체가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 제1 접착제 및 제2 접착제는, 액체(liquid) 형태의 실리콘 접착제일 수 있다. 제1 접착제 및 제2 접착제는, 상온 경화 또는 열경화되어, 제1 접착층(130) 및 제2 접착층(170)을 형성한다.
또한, 제1 접착층(170)은 0.1mm 수준으로 매우 얇게 형성되어, 고온의 환경에 노출되더라도 흡착 플레이트(190)의 평편도에 영향을 줄 정도로 변형이 이루어지지 않는다.
전극(210)은, 흡착 플레이트(190)에 외부 전원을 공급하기 위한 것으로서, 제1 접착층(130), 히터 플레이트(150), 제2 접착층(170)을 관통하여 흡착 플레이트(190)에 접촉한다. 이에 따라, 히터 플레이트(150)에도 관통홀이 상하방향으로 관통되어 형성된다.
한편, 도 1에서는, 정전척(100)이 단일 전극(210)을 포함하는 것(유니폴라 방식)을 도시하나, 실시예에 따라, 복수의 전극(210)들을 구비하는 것(바이폴라 방식)도 가능하다. 이 때, 관통홀은 전극(210)의 위치 및 개수에 대응하여 형성될 수 있다.
전극(210)은, 흡착 플레이트(190)와의 접촉 특성을 강화하기 위하여, 흡착 플레이트(190)와 유사한 열팽창 계수를 갖거나 혹은 열팽창 계수의 차이가 적은 물질로 형성된다. 예를 들어, 전극은, 니켈(Ni), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등 전도성 재료가 사용될 수 있다.
한편, 챔버 내 고온, 고압 환경에서 제1 접착층(130)이 손상될 수 있고, 제1 접착층(130)의 손상은 정전척의 성능 저하를 야기할 수 있다.
종래에는, 이러한 제1 접착층(130)이 손상되는 경우, 손상된 제1 접착층(130)을 모두 제거하고, 새로운 접착층을 재도포하는 방식을 사용하였다. 그러나, 히터 플레이트(150)가 1T 두께로 가공되어, 베이스 바디(110) 및 흡착 플레이트(190) 사이에 접합하므로, 손상된 제1 접착층(130)의 제거 시, 히터 플레이트(150)가 함께 훼손된다는 문제가 있었다. 따라서, 이 경우, 20T 두께의 히터 플레이트(150)를 베이스 바디(110)에 접합시켜, 다시 1T로 연삭 가공하는 바, 수리 시간이 증가할 뿐만 아니라, 수리 비용 역시 증가하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 접착제를 여러 층들로 적층하고 이 중 일부를 제거하는 방식으로 제1 접착층(130)를 구성함으로써, 제1 접착층(130)의 평면도와 진직도를 향상시키고, 정전척(100)의 수리 또는 재생 비용을 저감할 수 있는 정전척(100)을 제작하는 방법을 제시한다.
이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척(100)을 제작하는 방법을 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정전척을 제작하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 정전척을 제작하는 방법은, 흡착 플레이트(190) 상에 히터 플레이트(150)를 적층하는 단계, 히터 플레이트(150) 상에 접착제를 제1 소정의 두께로 도포하고 경화하는 과정을 복수 회 반복함으로써 접착층을 형성하는 단계, 접착층에서 제2 소정의 두께 만큼을 제거함으로써 제1 모듈을 제작하는 단계 및 제1 모듈과 제2 모듈을 결합하는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서, 상술한 단계들에 대하여 구체적으로 설명한다.
210 단계에서, 흡착 플레이트(190) 상에 히터 플레이트(150)를 적층한다.
예를 들어, 흡착 플레이트(190) 상에 접착제가 도포됨으로써 접착층이 형성되고, 접착층 상에 히터 플레이트(150)가 적층될 수 있다. 여기에서, 접착층은 도 1을 참조하여 상술한 제2 접착층(170)일 수 있다. 구체적으로, 흡착 플레이트(190)와 히터 플레이트(150) 사이의 접착층은 매우 얇게 형성될 수 있다. 이에 따라, 정전척(100)이 고온의 환경에 노출되더라도, 접착층은 흡착 플레이트(190)의 평편도에 영향을 줄 정도로 변형이 이루어지지 않을 수 있다.
한편, 히터 플레이트(150)는 내부 또는 하면에 인쇄된 히터 패턴(155)를 포함할 수 있다. 또한, 히터 플레이트(150)에는 히터 전극(미도시)이 연결될 수 있다.
220 단계에서, 히터 플레이트(150) 상에 접착제를 제1 소정의 두께로 도포하고 경화하는 과정을 복수 회 반복함으로써 접착층을 형성한다.
먼저, 히터 플레이트(150) 상에는 접착제가 제1 소정의 두께로 도포되고, 경화됨으로써 제1 접착 부분이 형성된다. 그리고, 제1 접착 부분 상에 다시 접착제가 제1 소정의 두께로 도포되고 경화됨으로써 제2 접착 부분이 형성된다. 상술한 과정이 복수 회 반복됨으로써 히터 플레이트(150) 상에 접착제층이 형성될 수 있다. 이하, 도 3을 참조하여, 히터 플레이트(150) 상에 접착층이 형성되는 과정을 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 플레이트 상에 접착층이 형성되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 흡착 플레이트(190) 상에 히터 플레이트(150)가 적층되어 있다. 그 후에, 히터 플레이트(150) 상에 제1 소정의 두께(T1)로 제1 접착 부분(131)이 형성된다. 구체적으로, 히터 플레이트(150) 상에 접착제가 제1 소정의 두께(T1)로 도포되고, 경과됨에 따라 제1 접착 부분(131)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 소정의 두께(T1)는 150μm 내지 250μm의 범위 중 선택될 수 있다. 바람직하게는, 제1 소정의 두께(T1)는 180μm 내지 220μm의 범위 중 선택될 수 있다. 더 바람직하게는, 제1 소정의 두께(T1)는 200μm가 될 수 있다.
그 후에, 제1 접착 부분(131) 상에 제1 소정의 두께(T1)로 제2 접착 부분(132)가 형성된다. 여기에서, 제2 접착 부분(132)이 형성되는 과정은 제1 접착 부분(131)이 형성되는 과정과 동일하다.
상술한 과정과 동일한 방식으로, 제2 접착 부분(132) 상에 제3 접착 부분(133)이 형성되고, 제3 접착 부분(133) 상에 제4 접착 부분(134)이 형성된다. 이에 따라, 제1 접착 부분(131) 내지 제4 접착 부분(134)이 전체로서 접착층(135)을 구성할 수 있다.
이와 같이, 히터 플레이트(150) 상에는 제1 소정의 두께(T1)로 접착 부분(131, 132, 133, 134)이 형성되는 과정이 복수 회 반복될 수 있다. 도 3에는 상기 접착제가 도포되고 경과하는 과정이 4회 반복되는 것으로 도시되어 있다. 상술한 과정이 4회 반복됨에 따라, 접착층(135)의 두께(T2)는 제1 소정의 두께(T1)의 4배가 된다. 예를 들어, 제1 소정의 제1 소정의 두께(T1)가 200μm인 경우, 접착층(135)의 두께(T2)는 800μm가 된다.
일반적으로, 히터 플레이트(150) 상에 형성되는 접착층은 그 두께가 두껍다. 다시 말해, 흡착 플레이트(190)와 히터 플레이트(150) 사이에 형성되는 접착층(도 1의 제2 접착층(170))보다 히터 플레이트(150) 상에 형성되는 접착층(도 1의 제1 접착층(130))의 두께가 더 두껍다. 이에 따라, 히터 플레이트(150) 상의 접착층을 접착제를 1회 도포 및 경화함으로써 형성할 경우, 평면도와 진직도를 높이기 어렵다.
본 발명의 일 실시예에 따른 정전척의 제작 방법은, 도 3에 도시된 바와 같이 접착제를 도포 및 경화하는 과정을 복수 회 반복한다. 또한, 각 과정에서 도포되는 접착제의 두께(T1)는 일정하다. 따라서, 접착층(135)의 평면도와 진직도가 향상될 수 있는바, 높은 품질의 정전척(100)이 제작될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 230 단계에서, 접착층에서 제2 소정의 두께 만큼을 제거함으로써 제1 모듈을 제작한다. 다시 말해, 도 3의 접착층(135)에서 제2 소정의 두께 만큼의 접착층을 제거함으로써 제1 모듈이 제작될 수 있다. 이하, 도 4를 참조하여 제1 모듈이 제작되는 과정을 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 모듈이 제작되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 도 3의 과정을 통하여 형성된 접착층(135)이 도시되어 있다. 이 때, 접착층(135)의 부분(136)이 제거됨에 따라 제1 모듈이 형성될 수 있다. 여기에서, 제거되는 부분(136)의 두께는 제2 소정의 두께(T3)일 수 있다. 예를 들어, 제2 소정의 두께(T3)는 50μm 내지 500μm의 범위 중 선택될 수 있다. 바람직하게는, 제2 소정의 두께(T3)는 150μm 내지 400μm의 범위 중 선택될 수 있다. 더 바람직하게는, 제2 소정의 두께(T3)는 250μm 내지 300μm의 범위 중 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제거되는 부분(136)의 두께(즉, 제2 소정의 두께(T3))는 도 3을 참조하여 상술한 제1 소정의 두께(T1)와는 다르다. 다시 말해, 제거되는 부분(136)은 제1 접착 부분(131) 내지 제4 접착 부분(134) 중 어느 하나에 해당되지 않는다. 즉, 접착층(135)에서 일 부분(136)을 수평하게 제거함에 따라 접착층의 평면도와 진직도가 향상될 수 있는바, 높은 품질의 정전척(100)이 제작될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 240 단계에서, 제1 모듈과 제2 모듈을 결합한다.
여기에서, 제1 모듈은 도 3 및 도 4의 과정을 통해 제작된 모듈을 의미한다. 구체적으로, 제1 모듈은 흡착 플레이트(190), 히터 플레이트(150) 및 접착층을 포함한다.
한편, 제2 모듈은 베이스 바디(110) 및 접착층을 포함한다. 구체적으로, 제2 모듈은 베이스 바디(110) 상에 접착층이 형성된 모듈을 의미한다.
이하, 도 5를 참조하여, 제1 모듈과 제2 모듈이 결합되는 예를 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 모듈과 제2 모듈이 결합되는 과정을 설며하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 제2 모듈은 베이스 바디(110) 및 접착층(137)을 포함한다. 여기에서, 접착층(137)의 두께(T4)는 제1 소정의 두께(T1)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 접착층(137)의 두께(T4)는 150μm 내지 250μm의 범위 중 선택될 수 있다. 바람직하게는, 접착층(137)의 두께(T4)는 180μm 내지 220μm의 범위 중 선택될 수 있다. 더 바람직하게는, 접착층(137)의 두께(T4)는 200μm가 될 수 있다.
제1 모듈과 제2 모듈은 서로의 접착층끼리 접하도록 결합될 수 있다. 다시 말해, 제1 모듈의 접착층과 제2 모듈의 접착층(137)이 결합될 수 있다. 제1 모듈의 접착층과 제2 모듈의 접착층(137)이 결합됨으로써, 도 1의 제1 접착층(130)이 형성될 수 있다.
제1 접착층(130)의 두께는 700μm 내지 750μm의 범위 내에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
다시 말해, 제1 모듈과 제2 모듈이 결합됨에 따라, 베이스 바디(110), 제1 접착층(130), 히터 플레이트(150) 및 흡착 플레이트(190)의 순서로 적층된 정전척(100)이 제작될 수 있다.
도 2 내지 도 5를 참조하여 상술한 과정에 따라 정전척(100)이 제작됨에 따라, 제1 접착층(130)의 평면도와 진직도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 접착층(130)의 수리 또는 재생에 드는 비용을 저감할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
100: 정전척
110: 베이스 바디
130: 제1 접착층
150: 히터 플레이트
155: 히터 패턴
170: 제2 접착층
190: 흡착 플레이트
195: 흡착 전극
210: 전극

Claims (5)

  1. 베이스 바디 및 히터 플레이트 사이의 접착층이 손상되는 경우, 상기 접착층 중 일부만 제거함으로써 상기 손상된 접착층을 수리할 수 있는 정전척을 제작하는 방법에 있어서,
    흡착 플레이트 상에 상기 히터 플레이트를 적층하는 단계;
    상기 히터 플레이트 상에 접착제를 200μm 두께로 도포하고 경화함으로써 단일 접착 레이어가 생성되는 과정을 4회 반복함으로써 생성된 4개의 접착 레이어들에 의하여 접착층을 형성하는 단계;
    상기 접착층에서 250μm 내지 300μm의 범위 내에서 설정된 두께만큼을 제거함으로써 생성된 제1 접착층을 포함하는 제1 모듈을 제작하는 단계; 및
    상기 제1 모듈과 제2 모듈을 결합하는 단계;를 포함하고,
    상기 제1 접착층은 3개의 접착 레이어들을 포함하고, - 상기 3개의 접착 레이어들 중 2개의 접착 레이어들의 두께는 각각 200μm 이고, 나머지 1개의 접착 레이어의 두께는 100μm 내지 150μm의 범위에 포함됨 -
    상기 손상된 접착층을 수리하는 경우, 상기 제1 접착층에 포함된 3개의 접착 레이어들 및 상기 제2 모듈에 포함된 접착 레이어에 의한 총 4개의 접착 레이어들 중 n개의 접착 레이어만 제거하는 방식으로 수리되고,
    상기 n은 1 이상이고 3 이하인 자연수를 의미하는 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 모듈에 포함된 접착 레이어는,
    상기 베이스 바디 상에 접착제를 200μm 두께로 도포하고 경화함으로써 형성되는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 결합하는 단계는,
    상기 제1 모듈의 제1 접착층과 상기 제2 모듈에 포함된 접착 레이어를 결합하는 방법.
KR1020200107759A 2020-08-26 2020-08-26 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법 KR102260505B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200107759A KR102260505B1 (ko) 2020-08-26 2020-08-26 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200107759A KR102260505B1 (ko) 2020-08-26 2020-08-26 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102260505B1 true KR102260505B1 (ko) 2021-06-03

Family

ID=76397017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200107759A KR102260505B1 (ko) 2020-08-26 2020-08-26 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102260505B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277074A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Kyocera Corp ウェハ支持部材とその製造方法
JP5507198B2 (ja) * 2009-10-26 2014-05-28 新光電気工業株式会社 静電チャック
KR20150128220A (ko) 2014-05-09 2015-11-18 코리아세미텍 주식회사 히터가 장착된 캡형 정전척 및 그 제조방법
KR20160088426A (ko) * 2013-12-31 2016-07-25 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디. 정전척, 챔버 및 정전척의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005277074A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Kyocera Corp ウェハ支持部材とその製造方法
JP5507198B2 (ja) * 2009-10-26 2014-05-28 新光電気工業株式会社 静電チャック
KR20160088426A (ko) * 2013-12-31 2016-07-25 베이징 엔엠씨 씨오., 엘티디. 정전척, 챔버 및 정전척의 제조 방법
KR20150128220A (ko) 2014-05-09 2015-11-18 코리아세미텍 주식회사 히터가 장착된 캡형 정전척 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9984912B2 (en) Locally heated multi-zone substrate support
US7068489B2 (en) Electrostatic chuck for holding wafer
JP5324251B2 (ja) 基板保持装置
JP3699349B2 (ja) ウエハー吸着加熱装置
KR102327461B1 (ko) 개량된 아킹 방지 기능을 가지는 정전척
JPWO2010044398A1 (ja) 静電チャック及びその製造方法
US10957573B2 (en) Electrostatic chuck device including a heating member
JP5504924B2 (ja) 静電チャック装置
JP6392961B2 (ja) 静電チャック
KR102327646B1 (ko) 헬륨 홀 아킹 방지 기능이 강화된 정전척
KR102260505B1 (ko) 정전척의 접착층을 평탄화하는 방법
KR102230222B1 (ko) 정전척의 접착층 충진 방법
KR102592338B1 (ko) 일체형 다공성 필터를 포함하는 정전척 및 이의 제조 방법
KR102184705B1 (ko) 정전척의 수리 방법
JP3662909B2 (ja) ウエハー吸着加熱装置及びウエハー吸着装置
KR102219255B1 (ko) 개량된 절연 부재를 포함하는 정전척
KR102203859B1 (ko) 절연 저항이 우수한 정전척
TWI640060B (zh) Separation method and manufacturing method of holding device
JP6642170B2 (ja) 静電チャック装置及びその製造方法
KR102341865B1 (ko) 수리가 용이한 정전척
KR101610930B1 (ko) 히터가 장착된 캡형 정전척 및 그 제조방법
KR102418014B1 (ko) 홀이 구비되는 필름형 본딩층을 포함하는 정전척 및 정전척의 제조 방법
US20170278738A1 (en) Electrostatic chuck device
US20240071800A1 (en) Substrate fixing device
KR20230031706A (ko) 정전척 및 정전척 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant