TWI640060B - Separation method and manufacturing method of holding device - Google Patents

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Abstract

抑制在將構成保持裝置的第1板狀構件與第2板狀構件分離時在第1板狀構件和第2板狀構件發生變形、髒污、損傷、污染等。
一種保持裝置的分離方法，係具備第1板狀構件、第2板狀構件、及含有樹脂系接著劑且將第1板狀構件與第2板狀構件接著在一起的接著層，且在第1板狀構件的表面上保持對象物之保持裝置的分離方法，該方法含有下述步驟：將至少表面以含有樹脂的材料形成的板狀器具插入至第1板狀構件與第2板狀構件之間，藉此，將接著層的至少一部分物理性地去除，而將第1板狀構件與第2板狀構件分離之步驟。

Description

保持裝置的分離方法及製造方法
本說明書揭示之技術係有關保持對象物的保持裝置的分離方法及製造方法。
在例如半導體製造裝置中，就保持晶圓(wafer)的保持裝置而言，有使用靜電吸盤(chuck)。靜電吸盤係例如具有以含有樹脂系接著劑的接著層將板狀的陶瓷(ceramic)板與板狀的基座(base)板接著在一起而成之構成。靜電吸盤係具有內部電極，利用藉由施加電壓至內部電極而產生的靜電吸引力，將晶圓吸附於陶瓷板的表面(以下，稱為「吸附面」)予以保持。
在靜電吸盤中，係有因長時間使用等而發生接著層的劣化和陶瓷板的磨耗等的狀況。已知有種技術，係於此時將接著在一起的陶瓷板與基座板分離，重覆利用陶瓷板、基座板其中至少一者來重新製作靜電吸盤(參照例如下述之專利文獻1)。在習知技術中，陶瓷板與基座板的分離係例如以下述等方法進行：使用金屬刃和線鋸(wire saw)等將接著層削除之方法、將靜電吸盤加熱到高溫(例如200℃至400℃)使接著層所含的接著劑熱分解之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-129142號公報
在前述使用金屬刃和線鋸等將接著層削除之方法中，係有損傷陶瓷板和基座板、因削除時產生的碎屑導致污染(contamination)發生，從而妨害陶瓷板和基座板的重覆利用之虞。此外，在前述之加熱靜電吸盤以使接著層所含的接著劑熱分解之方法中，也是有陶瓷板和基座板因熱變形、因有機物等的燃燒產生髒污，從而妨害陶瓷板和基座板的重覆利用之虞。
另外，前述之課題乃係以含有樹脂系接著劑的接著層將第1板狀構件與第2板狀構件接著在一起且在第1板狀構件的表面上保持對象物的保持裝置於進行分離時的共通課題，並不僅發生在靜電吸盤。
本說明書係揭示能夠解決前述課題的技術。
本說明書揭示之技術係例如能夠以下述形態實現。
(1)本說明書揭示之保持裝置的分離方法乃係，該保持裝置係具備第1板狀構件、第2板狀構件、及接著層，在前述第1板狀構件的前述第1表面上保持對象物，其中前述第1板狀構件係具有第1表面及位於前述第1 表面相對側的第2表面，前述第2板狀構件係具有第3表面且以使前述第3表面相對向於前述第1板狀構件的前述第2表面之方式配置，前述接著層係含有樹脂系接著劑且將前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面接著在一起；該保持裝置的分離方法係含有下述步驟：將至少表面以含有樹脂的材料形成的板狀器具插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間，藉此，將前述接著層的至少一部分物理性地去除，而將前述第1板狀構件與前述第2板狀構件分離之步驟。
依據本保持裝置的分離方法，即使沒有將保持裝置加熱至接著層所含接著劑的分解溫度還是能夠分離第1板狀構件與第2板狀構件，從而能夠抑制第1板狀構件和第2板狀構件因熱造成的變形和髒污的發生。此外，依據本保持裝置的分離方法，由於板狀器具的表面以含有樹脂的材料形成，故抑制在分離第1板狀構件與第2板狀構件時產生碎屑，從而能夠抑制污染的發生，並且能夠抑制損傷第1板狀構件和第2板狀構件。
(2)在前述保持裝置的分離方法中，亦可構成為：在前述板狀器具係形成有複數個刃；前述進行分離之步驟乃係將前述板狀器具自形成有前述刃之側插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間之步驟。依據本保持裝置的分離方法，能夠將接著層的至少一部分有效率地去除，從而能夠有效率地分離第1板狀構件與第2板狀構件。
(3)在前述保持裝置的分離方法中，亦可構成為：前述板狀器具的前述複數個刃係朝向伴隨前述板狀器具相對於前述保持裝置往一方向的相對移動而達到割斷作用之方向形成；前述進行分離之步驟乃係一邊令前述板狀器具相對於前述保持裝置往前述一方向相對移動，一邊令前述板狀器具自形成有前述刃之側插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間之步驟。依據本保持裝置的分離方法，相較於將板狀器具相對於保持裝置反覆來回移動的形態，能夠有效地抑制在進行分離時產生碎屑、損傷第1板狀構件和第2板狀構件。
(4)在前述保持裝置的分離方法中，亦可構成為：前述第1板狀構件係以陶瓷形成。依據本保持裝置的分離方法，能夠將容易發生因熱造成變形和髒污、產生碎屑和損傷等問題的陶瓷製的第1板狀構件，一邊抑制該些問題的發生一邊進行分離。
(5)在前述保持裝置的分離方法中，亦可構成為：前述第2板狀構件係以金屬形成。依據本保持裝置的分離方法，能夠將容易發生因熱造成變形和髒污、產生碎屑和損傷等問題的金屬製的第2板狀構件，一邊抑制該些問題的發生一邊進行分離。
(6)本說明書揭示之保持裝置的製造方法乃係，將藉由前述保持裝置的分離方法而分離的前述第1板狀構件的前述第2表面、與預定的板狀構件的預定的表面，以樹脂系接著劑接著，藉此，製造保持裝置，其係 具備前述第1板狀構件、以使前述預定的表面相對向於前述第1板狀構件的前述第2表面之方式配置的預定的板狀構件、及將前述第1板狀構件的前述第2表面與前述預定的板狀構件的前述預定的表面接著在一起的接著層，且在前述第1板狀構件的前述第1表面上保持對象物。依據本製造方法，能夠重覆利用抑制了變形和髒污、損傷、污染等之發生的第1板狀構件來重新製造保持裝置。
(7)本說明書揭示之保持裝置的第2製造方法乃係，將藉由前述保持裝置的分離方法而分離的前述第2板狀構件的前述第3表面、與預定的板狀構件的預定的表面，以樹脂系接著劑接著，藉此，製造保持裝置，其係具備前述預定的板狀構件、以使前述第3表面相對向於前述預定的板狀構件的前述預定的表面之方式配置的前述第2板狀構件、及將前述預定的板狀構件的前述預定的表面與前述第2板狀構件的前述第3表面接著在一起的接著層，且在前述預定的板狀構件的與前述預定的表面為相對側的表面上保持對象物。依據本製造方法，能夠重覆利用抑制了變形和髒污、損傷、污染等之發生的第2板狀構件來重新製造保持裝置。
另外，本說明書揭示之技術係能夠以各種形態實現，例如，能夠以保持裝置、靜電吸盤、加熱器(heater)、真空吸盤等的分離方法和製造方法等形態實現。
10‧‧‧陶瓷板
20‧‧‧基座板
21‧‧‧冷媒流路
30‧‧‧接著層
40‧‧‧內部電極
50‧‧‧加熱器
100‧‧‧靜電吸盤
200‧‧‧板狀器具
210‧‧‧刃
第1圖係概略性顯示本實施形態的靜電吸盤100的外 觀構成之立體圖。
第2圖係概略性顯示本實施形態的靜電吸盤100的XZ剖面構成之說明圖。
第3圖係顯示本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法之流程圖(flow chart)。
第4圖係顯示使用本實施形態的板狀器具200分離陶瓷板10與基座板20的分離方法之說明圖。
第5圖係顯示使用變形例的板狀器具200分離陶瓷板10與基座板20的分離方法之說明圖。
A.實施形態：
A-1.靜電吸盤100的構成：
第1圖係概略性顯示本實施形態的靜電吸盤100的外觀構成之立體圖，第2圖係概略性顯示本實施形態的靜電吸盤100的XZ剖面構成之說明圖。在各圖中係顯示有特定方向之用的相互正交的XYZ軸。在本說明書中係為求簡便而將Z軸正方向稱為上方向、將Z軸負方向稱為下方向，但靜電吸盤100實際上亦可採用與本說明書中的方向不同的方向設置。
靜電吸盤100乃係藉由靜電吸引力吸附對象物(例如晶圓W)予以保持的裝置，例如使用於將晶圓W固定在半導體製造裝置的真空腔(chamber)內。靜電吸盤100係具備沿預定的排列方向(在本實施形態中為上下方向(Z軸方向))並列配置的陶瓷板10及基座板20。陶瓷板10與基座板20係以使陶瓷板10的底面(以下，稱為「陶瓷 側接合面S2」)與基座板20的頂面(以下，稱為「基座側接合面S3」)沿上述排列方向相對向之方式配置。靜電吸盤100係復具備配置在陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間的接著層30。陶瓷板10係相當於申請專利範圍中的第1板狀構件，基座板20係相當於申請專利範圍中的第2板狀構件。此外，陶瓷板10的陶瓷側接合面S2係相當於申請專利範圍中的第2表面，基座板20的基座側接合面S3係相當於申請專利範圍中的第3表面。
陶瓷板10係例如為圓形平面的板狀構件，以陶瓷形成。陶瓷板10的直徑係例如為50mm至500mm左右(通常為200mm至350mm左右)，陶瓷板10的厚度係例如為2mm至10mm左右。
就陶瓷板10的形成材料而言，雖能使用各種陶瓷，但從強度和耐磨耗性、耐電漿(plasma)性、後述之與基座板20的形成材料之間的關係等觀點來看，例如較佳為使用以氧化鋁(alumina，Al2O3)或氮化鋁(AlN)為主成分的陶瓷。另外，此處所說的主成分係指含有比例(重量比例)最高的成分。
在陶瓷板10的內部係設有以導電性材料(例如，鎢、鉬等)形成的一對內部電極40。當從電源(未圖示)施加電壓至一對內部電極40，靜電吸引力便發生，藉由該靜電吸引力將晶圓W吸附固定於陶瓷板10的頂面(以下，稱為「吸附面S1」)。陶瓷板10的吸附面S1係相當於申請專利範圍中的第1表面。
此外，在陶瓷板10的內部係設有以導電性材料(例如，鎢、鉬等)形成的電阻式發熱元件構成的加熱器50。當從電源(未圖示)施加電壓至加熱器50，加熱器50便發熱，藉此加熱陶瓷板10，從而加熱保持在陶瓷板10的吸附面S1的晶圓W。藉此，實現晶圓W的溫度控制。
基座板20乃係例如為與陶瓷板10同徑或比陶瓷板10大徑的圓形平面的板狀構件，以金屬(例如，鋁和鋁合金等)形成。基座板20的直徑係例如為220mm至550mm左右(通常為220mm至350mm左右)，基座板20的厚度係例如為20mm至40mm左右。
在基座板20的內部係形成有冷媒流路21。當冷媒流路21流通冷媒(例如，氟系非活性流體和水等)，基座板20便獲得冷卻，藉由中介接著層30的基座板20與陶瓷板10之間的熱傳遞使陶瓷板10冷卻，從而將保持在陶瓷板10的吸附面S1的晶圓W冷卻。藉此，實現晶圓W的溫度控制。
接著層30係例如含有矽氧(silicone)系樹脂和丙烯酸(acrylic)系樹脂、環氧(epoxy)系樹脂等的樹脂系接著劑，將陶瓷板10與基座板20接著在一起。接著層30的厚度係例如為0.1mm至1mm左右。
A-2.靜電吸盤100的分離及製造方法：
接著，說明本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法。靜電吸盤100的分離及製造方法乃係將靜電吸盤100中接著在一起的陶瓷板10與基座板20分離，重覆利用分離的陶瓷板10、基座板20其中至少一者來重新製造靜 電吸盤100之方法。第3圖係顯示本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法之流程圖。
首先，視需要執行分離前處理(S110)。分離前處理係例如為使用有機溶劑使接著層30的一部分溶解之處理、以低溫(比接著層30所含的接著劑的分解溫度低的溫度)加熱靜電吸盤100之處理。藉由進行分離前處理，便能夠更容易進行接下來說明的分離陶瓷板10與基座板20的分離步驟。但分離前處理並無一定要執行的必要。
接著，使用板狀器具200將接著層30的至少一部分物理性地去除，藉此將陶瓷板10與基座板20分離(S120)。第4圖係顯示使用本實施形態的板狀器具200分離陶瓷板10與基座板20的分離方法之說明圖。如第4圖所示，板狀器具200乃係大致矩形的平板狀的器具。板狀器具200的尺寸係相應於屬於對象的靜電吸盤100的尺寸而適當設定。在本實施形態中，陶瓷板10及基座板20的直徑約300(mm)，板狀器具200的長度(第4圖的Y方向尺寸)約500(mm)，板狀器具200的寬度(第4圖的X方向尺寸)約50(mm)，板狀器具200的厚度約0.2(mm)。
此外，在板狀器具200係形成有複數個刃210。刃210乃係形成在板狀器具200緣部的凹凸形狀部分。複數個刃210係朝向藉由令板狀器具200相對於靜電吸盤100沿一方向(在第4圖的例中為Y軸正方向)移動而達到割斷作用之方向形成。
此外，板狀器具200係以含有樹脂的材料形成。在本實施形態中，就板狀器具200的形成材料而言，係 使用令環氧樹脂滲透進玻璃纖維的布狀基材而成的環氧玻璃板(epoxy glass sheet)(例如，日光化成製的NL-EG-23)。以如上述的纖維進行補強的樹脂材料係富有韌性，故不易彎折、剝落，此外，亦容易進行形狀的加工，故適合作為板狀器具200的形成材料。
如第4圖及第2圖所示，將靜電吸盤100固定，令板狀器具200一邊為了發揮複數個刃210的割斷功能而沿Y軸正方向移動，一邊自形成有複數個刃210之側往X軸負方向移動而插入至陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間(亦即，接著層30的形成部位)，令板狀器具200移動直至到達陶瓷板10的相反側之端的位置。藉此，將接著層30的至少一部分物理性地去除(削除)，而使陶瓷板10與基座板20分離。另外，此分離步驟係能夠以任意溫度(但為比接著層30所含接著劑的分解溫度低的溫度)執行，例如以常溫(5℃至35℃左右)進行。
接著，視需要執行分離後處理(S130)。分離後處理係例如為將分離後的陶瓷板10及基座板20的表面所附著的接著劑移除之處理等。但分離後處理並無一定要執行的必要。
接著，將分離後的陶瓷板10與基座板20以接著劑接著，藉此形成接著層30(S140)。藉此，重新製造以接著層30將陶瓷板10與基座板20接著在一起之構成的靜電吸盤100。
A-3.本實施形態的效果：
如上述說明，在本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法中，係含有下述步驟：將至少表面以含有樹脂的材料形成的板狀器具200插入至陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間，藉此，將接著層30的至少一部分物理性地去除，而將陶瓷板10與基座板20分離之步驟。因此，依據本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法，即使沒有將靜電吸盤100加熱至接著層30所含接著劑的分解溫度，還是能夠分離陶瓷板10與基座板20，從而能夠抑制陶瓷板10和基座板20因熱造成的變形和髒污的發生。此外，依據本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法，由於板狀器具200的表面以含有樹脂的材料形成，故抑制在分離陶瓷板10與基座板20時產生碎屑，從而能夠抑制污染的發生，並且能夠抑制損傷陶瓷板10和基座板20。
此外，在本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法中，係在板狀器具200形成有複數個刃210，且在前述將陶瓷板10與基座板20分離之步驟中係將板狀器具200自形成有複數個刃210之側插入至陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間。因此，依據本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法，能夠將接著層30的至少一部分有效率地去除，從而能夠有效率地分離陶瓷板10與基座板20。
此外，在本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法中，板狀器具200的複數個刃210係朝向藉由令板狀器具200相對於靜電吸盤100沿一方向移動而達到割 斷作用之方向形成，且在前述分離陶瓷板10與基座板20之步驟中係一邊將板狀器具200相對於靜電吸盤100往前述一方向移動，一邊將板狀器具200自形成有複數個刃210之側插入至陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間。因此，依據本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法，相較於將板狀器具200相對於靜電吸盤100往前述一方向與前述一方向的相反方向反覆來回移動的形態，能夠有效地抑制在進行分離時產生碎屑、損傷陶瓷板10和基座板20。
此外，在本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法中，係能夠將容易發生因熱造成變形和髒污、產生碎屑和損傷等問題的陶瓷製的陶瓷板10和金屬製的基座板20，一邊抑制該些問題的發生一邊進行分離。
此外，在本實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法中，係將藉由前述方法而分離的陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3以樹脂系接著劑接著，藉此，製造以接著層30將陶瓷板10與基座板20接著在一起的靜電吸盤100，故能夠重覆利用抑制了變形和髒污、損傷、污染等之發生的陶瓷板10和基座板20來重新製造靜電吸盤100。
B.變形例：
本說明書揭示之技術並不以上述實施形態為限，在不脫離本發明主旨的範圍內，能夠變形成各種形態，例如也能夠進行如下述的變形。
前述實施形態的靜電吸盤100的構成僅僅為 一例，能夠進行各種變形。例如，在前述實施形態中雖係構成為將加熱器50配置在陶瓷板10的內部，但亦可構成為將加熱器50配置在陶瓷板10的基座板20側(陶瓷板10與接著層30之間)而非陶瓷板10的內部。此外，在前述實施形態中雖係構成為將冷媒流路21形成在基座板20的內部，但亦可構成為將冷媒流路21形成在基座板20的表面(例如基座板20與接著層30之間)而非基座板20的內部。此外，在前述實施形態中雖係採用在陶瓷板10的內部設置一對內部電極40之雙極方式，但亦可採用在陶瓷板10的內部設置一個內部電極40之單極方式。
此外，形成前述實施形態中靜電吸盤100各構件的材料僅僅為例示，各構件亦可採用其他材料來形成。
此外，前述實施形態的靜電吸盤100的分離及製造方法僅僅為一例，能夠進行各種變形。例如，在前述實施形態中，就板狀器具200的形成材料而言，雖係採用環氧玻璃板，但亦可採用屬於與環氧玻璃板同樣以纖維進行補強的樹脂材料之環氧碳纖維板(epoxy carbon fiber sheet)(令環氧樹脂滲透進碳纖維的基材而成)。此外，就板狀器具200的形成材料而言，亦可採用壓克力板(acrylic sheet)和PET板、PE板、PP板等。此外，板狀器具200並無全體以含有樹脂的材料形成的必要，只要至少表面以含有樹脂的材料形成即可。例如，板狀器具200係亦可設計為以含有樹脂的材料包覆金屬製芯部的表面而成之構成。此外，板狀器具200並無一定要形成有刃210的必要。
此外，在前述實施形態中，板狀器具200雖係設計為大致矩形的平板狀的器具，但如第5圖所示，板狀器具200係亦可設計為大致圓形的平板狀的器具。此時，亦可在板狀器具200的外周形成有複數個刃210。此外，此時，係一邊令板狀器具200向一方向旋轉，一邊令板狀器具200插入至陶瓷板10的陶瓷側接合面S2與基座板20的基座側接合面S3之間，藉此，而能夠將陶瓷板10與基座板20分離。
此外，在前述實施形態中，在將陶瓷板10與基座板20分離時，係固定靜電吸盤100而令板狀器具200移動，但只要是令板狀器具200相對於靜電吸盤100相對性移動即可。亦即，亦可構成為固定板狀器具200而令靜電吸盤100移動，亦可構成為令兩者皆移動。
此外，在前述實施形態中雖係構成為重覆利用分離後的陶瓷板10與基座板20雙方來重新製造靜電吸盤100，但並無一定要重覆利用分離後的陶瓷板10與基座板20雙方的必要。例如，亦可構成為僅重覆利用分離後的陶瓷板10，將該陶瓷板10接著至另行準備的基座板20，藉此而重新製造靜電吸盤100。或者，亦可構成為僅重覆利用分離後的基座板20，將該基座板20接著至另行準備的陶瓷板10，藉此而重新製造靜電吸盤100。
此外，本發明並不限於利用靜電吸引力保持晶圓W的靜電吸盤100的分離及製造，亦能夠適用於其他保持裝置(例如，真空吸盤和加熱器等)的分離及製造，該其他保持裝置係構成為：具備第1板狀構件、第2板狀 構件、及接著層，在第1板狀構件的第1表面上保持對象物，其中第1板狀構件係具有第1表面及位於第1表面相對側的第2表面，第2板狀構件係具有第3表面且以使第3表面相對向於第1板狀構件的第2表面之方式配置，接著層係含有樹脂系接著劑且將第1板狀構件的第2表面與第2板狀構件的第3表面接著在一起。

Claims (8)

  1. 一種保持裝置的分離方法，該保持裝置係具備第1板狀構件、第2板狀構件、及接著層，在前述第1板狀構件的前述第1表面上保持對象物，其中前述第1板狀構件係具有第1表面及位於前述第1表面相對側的第2表面，前述第2板狀構件係具有第3表面且以使前述第3表面相對向於前述第1板狀構件的前述第2表面之方式配置，前述接著層係含有樹脂系接著劑且將前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面接著在一起；該保持裝置的分離方法係含有下述步驟：將至少表面以含有樹脂的材料形成的板狀器具插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間，藉此，將前述接著層的至少一部分物理性地去除，而將前述第1板狀構件與前述第2板狀構件分離之步驟。
  2. 如請求項1之保持裝置的分離方法，其中在前述板狀器具係形成有複數個刃；前述進行分離之步驟乃係將前述板狀器具自形成有前述刃之側插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間之步驟。
  3. 如請求項2之保持裝置的分離方法，其中前述板狀器具的前述複數個刃係朝向伴隨前述板狀器具相對於前述保持裝置往一方向的相對移動而達到割斷作用之方向形成； 前述進行分離之步驟乃係一邊令前述板狀器具相對於前述保持裝置往前述一方向相對移動，一邊令前述板狀器具自形成有前述刃之側插入至前述第1板狀構件的前述第2表面與前述第2板狀構件的前述第3表面之間之步驟。
  4. 如請求項1至3中任一項之保持裝置的分離方法，其中前述第1板狀構件係以陶瓷形成。
  5. 如請求項1至3中任一項之保持裝置的分離方法，其中前述第2板狀構件係以金屬形成。
  6. 如請求項4之保持裝置的分離方法，其中前述第2板狀構件係以金屬形成。
  7. 一種保持裝置的製造方法，係將藉由請求項1至6中任一項之保持裝置的分離方法而分離的前述第1板狀構件的前述第2表面、與預定的板狀構件的預定的表面，以樹脂系接著劑接著，藉此，製造保持裝置，其具備前述第1板狀構件、以使前述預定的表面相對向於前述第1板狀構件的前述第2表面之方式配置的預定的板狀構件、及將前述第1板狀構件的前述第2表面與前述預定的板狀構件的前述預定的表面接著在一起的接著層，且在前述第1板狀構件的前述第1表面上保持對象物。
  8. 一種保持裝置的製造方法，係將藉由請求項1至6中任一項之保持裝置的分離方法而分離的前述第2板狀構件的前述第3表面、與預定的板狀構件的預定的表面，以樹脂系接著劑接著，藉此，製造保持裝置，其具備前述預定的板狀構件、以使前述第3表面相對向於前述 預定的板狀構件的前述預定的表面之方式配置的前述第2板狀構件、及將前述預定的板狀構件的前述預定的表面與前述第2板狀構件的前述第3表面接著在一起的接著層，且在前述預定的板狀構件的與前述預定的表面為相對側的表面上保持對象物。
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