JP5146056B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置 - Google Patents

Description

この発明は、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置に関し、特にデバイス厚が薄い薄型半導体デバイスを製造する際に用いられる半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置に関する。

従来、デバイスの特性を向上させるために薄いウェハを用いた技術が提案されている。図２４および図２５は、従来の、薄いウェハを用いたデバイスの製造方法について順に示す断面図である。例えば縦型ＩＧＢＴの製造プロセスにおいては、まず、図２４に示すように、元の厚さのままのウェハ２０１のおもて面側にデバイスの表面構造２０２を形成する。ついで、図２５に示すように、ウェハ２０１の裏面側の全面を例えばバックグラインド等によって研削し、ウェハの厚さを薄くする。ついで、ウェハの裏面側に、図示しない拡散構造や電極構造を形成する。具体的には、ノンパンチスルー型ＩＧＢＴにおいては、ウェハのおもて面側に、ゲート構造やエミッタ構造等のデバイスの表面構造を形成し、その後、ウェハの裏面側の全面を研削して薄層化する。ついで、ウェハの裏面側にイオン注入とアニール処理を行って、コレクタ層を形成し、さらにコレクタ層の表面にコレクタ電極を形成する。

しかしながら、薄層化したウェハに例えば電極等を形成する場合、金属を成膜する際の応力によって、ウェハに反りが生じ、ウェハが割れてしまうという問題がある。このため、薄層化したウェハをステージと固定部材とで挟むことで、応力を抑制し、ウェハの割れを防ぐ方法が提案されている（例えば、下記特許文献１、下記特許文献２参照。）。

また、図２５に示すように、ウェハを薄層化するとウェハの外周端部２０３の断面が、刃状（ナイフエッジ形状）となる。このため、ウェハキャリアや、ウェハにデバイス構造を形成するための各プロセス処理で用いられる装置の治具に接触することで、ウェハの外周端部２０３にチッピングやクラックが生じ易くなる。ウェハの外周端部２０３にチッピングやクラックが生じると、それを基点としてウェハが割れてしまうという問題がある。さらに、ウェハが割れると、各プロセス処理に用いられる装置内における搬送ロボットでの搬送が困難となり、また高価な搬送ロボットや装置自体が破損するという問題がある。また、ウェハが割れたり欠けたりすることで、ウェハの表面にパーティクルが付着し、良品率が低下するという問題がある。

このため、ウェハの割れや欠け、反り、撓みを防ぐ方法として、ウェハの中央部が外周端部よりも薄い、リブ構造のウェハ（以下、リブウェハとする）が提案されている。図２６は、第１従来例のリブウェハの構造について示す図である（例えば、下記特許文献３参照。）。図２６における上の図が第１従来例のリブウェハの構造について示す斜視図であり、下の図が上の図の切断線Ｉ−Ｉ'における断面構造について示す断面図である。図２６に示す第１従来例のリブウェハ３１は、直径Ｒ０と同じかさらに小さい直径の研削ホイールを用いて、ウェハ３１の裏面側の中央部３２のみを選択的に研削・研磨したり、もしくは裏面側の中央部に選択的にエッチングを行い、外周端部をそのままの厚さに残すことにより作製される。この外周端部がリブ３３となる。

第１従来例によれば、ウェハ３１の外周端部にリブ３３が形成されるため、ウェハ３１の外周端部がナイフエッジ形状にならない。このため、ウェハ３１の外周端部のチッピングに対する耐性が向上する。また、リブ３３を、ウェハ３１を研削することで形成するため、リブ３３もウェハ３１と同じ材質、例えばシリコンである。このため、ウェハ３１の反りに対する矯正能力が非常に高くなり、かつ各プロセス処理における処理温度の制限を受けにくくなる。

ここで、大気中でのプロセス処理において、ウェハ３１がステージからずれたり、例えばステージごとウェハ３１を回転させる際にステージからウェハ３１が振り落とされたりすることを防ぐために、ステージにウェハ３１を吸引する真空吸着が行われる。真空吸着は、特にウェハ３１の平坦性や平行性が要求される場合や、ウェハ３１に回転やスキャニング等の運動動作が加えられる場合に行われる。例えば、レジストをスピン塗布する処理や、レジストを露光する処理（フォトリソグラフィー処理）等を行う場合、処理を行う側の面とは異なる面をステージに搭載し真空吸着する必要がある。

このため、第１従来例において、ウェハ３１の裏面側に対して処理を行う場合は、リブ３３の形成されていないウェハ３１のおもて面側の平坦な面を、上面が平坦なステージに搭載するため、通常のステージによって真空吸着を行うことができる。しかしながら、ウェハ３１のおもて面側に対して処理を行う場合は、リブ３３の形成されたウェハ３１の裏面側をステージに搭載しなければならず、ウェハ３１の中央部３２とステージとの間に隙間が生じるという問題がある。

図２７は、第１従来例の問題点について示す断面図である。図２７に示すように、第１従来例において、リブ３３の形成されたウェハ３１の裏面側を通常の平坦なステージ４１に搭載した後に、ステージ４１によって真空吸着を行うと、同図に矢印で示すようにウェハ３１の裏面側の中央部３２の中央の領域とリブ３３はステージ４１に吸着される。しかし、リブ３３があるため、ウェハ３１の中央部３２のリブ近傍部３５はステージ４１に吸着されずに、ステージ４１から浮いてしまう。したがって、ウェハ３１のおもて面側の表面が平坦でなくなり、この表面にレジストなどのスピン塗布を行うと、塗布膜の厚さにむらが生じる。また、フォトリソグラフィー処理においては、ウェハ３１のおもて面側の中央部３５とリブ近傍部３５で、露光焦点が異なってしまうため、露光むらが生じるという問題がある。

また、第１従来例の変形例として、薄層化したウェハのおもて面側にリング状の補強部材を貼付することで、ウェハのおもて面側にリブを形成する方法が提案されている（例えば、下記特許文献４参照。）。この方法においても、ウェハの裏面側に処理を行うために、リブの形成されたウェハのおもて面側をステージに搭載する際に、第１従来例と同様の問題がある。

図２８は、第２従来例のリブウェハの構造について示す断面図である（例えば、下記特許文献５参照。）。図２８における上の図が第２従来例のリブウェハの構造について示す斜視図であり、下の図が上の図の切断線Ｊ−Ｊ'における断面構造について示す断面図である。図２８に示す第２従来例のリブウェハ５１は、次のようにして作製される。ウェハの裏面側の全面を研削し薄層化した後に、ウェハの外周端部の一部を所定の深さだけ樹脂溶液に浸漬させて、その状態でウェハを回転させる。そして、ウェハの外周端部の外縁全周に樹脂溶液を付着させ、硬化させることでウェハの外周端部の外縁に樹脂を形成する。この樹脂がリブ５３となる。

図２９または図３０は、第２従来例の問題点について示す断面図である。第２従来例によれば、リブ５３がシリコンでなく樹脂であるため、第１従来例に比べて、ウェハ５１の反りに対する矯正能力は劣るが、クッション性のある樹脂でウェハ５１が保護されるため、ウェハ５１の外周端部のチッピングに対する耐性が格段に向上する。しかしながら、図２９または図３０に示すように、ウェハ５１のおもて面側（図２９）または裏面側（図３０）に対して処理を行う場合は、リブ５３の形成されたウェハ５１の裏面側またはおもて面側を平坦なステージ４１に搭載しなければならない。このため、第１従来例のリブウェハと同様に、ウェハ５１の中央部５２とステージの間に隙間が生じるという問題がある。このように、第２従来例においては、ウェハ５１のおもて面側の処理に加え、ウェハ５１の裏面側の処理を行う場合にも、ウェハ５１の中央部５２とステージ４１との間に隙間が生じるという問題がある。

また、リブウェハとステージとの間に、リブウェハの裏面側の凹部（裏面側の中央部）とほぼ同じ形状の土台ウェハを挿入し、リブウェハの中央部とステージとの間の隙間を解消する方法が提案されている（例えば、下記特許文献６参照。）。この土台ウェハには、貫通孔が形成されており、ステージによって真空吸着を行うことで、土台ウェハを介して、リブウェハが固定される。

また、土台ウェハとしては、リブウェハの裏面側の凹部とほぼ同じ形状の凸部を有する凸型の土台ウェハが提案されている（例えば、下記特許文献７参照。）。この凸型の土台ウェハは、シリコンまたはシリコンカーバイト（ＳｉＣ）によって形成されているため、土台ウェハと一緒にリブウェハに熱処理を行う場合に、リブウェハと土台ウェハとの熱膨張率の違いによる不具合が回避される。

特開２００４−１３４７２５号公報 特開２００４−２９６８１７号公報 特開平０５−１２１３８４号公報 特開２００５−１２３５６８号公報 特開２００６−３５２０７８号公報 特開２００５−２９４６２３号公報 特開２００７−２５８４４４号公報

しかしながら、上述した特許文献１または２の技術では、薄層化したウェハの外周端部のみをステージと固定部材とにより挟むことで固定しているため、固定されていないウェハの中央部の強度が弱いという問題がある。さらにリブウェハについては記載されていないため、リブウェハに適用可能か否かが不明である。さらに、ウェハをステージと固定部材とによって挟むための特別な治具が必要となり、かつ取り外しが困難であるため、生産コストが上昇し、スループットが低下するという問題がある。

また、上述した特許文献６の技術では、リブウェハのリブ部が土台ウェハと接していないため、リブウェハを土台ウェハに搭載したまま搬送することができない。このため、各プロセス処理を行う装置のステージにリブウェハを設置する度に、土台ウェハを挿入しなければならず、スループットが低下するという問題がある。また、土台ウェハがリブウェハの凹部とほぼ同じ形状でほぼ同じ大きさであるため、一旦、リブウェハに土台ウェハを挿入すると、土台ウェハを取り外すのが困難となる。このため、リブウェハにおいて、リブの形成された側の面に、プロセス処理を行う場合、土台ウェハを取り外すのに手間がかかり、スループットが低下するという問題がある。また、土台ウェハを取り外す際に、リブウェハと土台ウェハが接触し、リブウェハや土台ウェハにチッピングやクラックが生じる可能性がある。

また、図３１は、従来の貫通孔による真空吸着の問題点について示す断面図である。図３１に示すように、特許文献６においては貫通孔８０によって厚さの薄いウェハ３１の中央部３２を真空吸着するため、ウェハ３１の、貫通孔８０と接する部分８１に負圧がかかり、ウェハ３１が変形してしまう。このため、ウェハ３１の表面が平坦でなくなるという問題がある。

また、上述の特許文献７の技術では、凸型の土台ウェハが、シリコンやＳｉＣによって形成されている。シリコンやＳｉＣは、硬質材であり、脆性材料である。このため、土台ウェハの上に設置されたリブウェハがずれた際に、リブウェハのリブが、凸型の土台ウェハの凸部の側面に接触し、リブウェハおよび土台ウェハにチッピングやクラックが生じるという問題がある。また、土台ウェハとリブウェハとの間にチッピング片が混入すると、搬送やハンドリングの際の振動によって、リブウェハの、土台ウェハの凸部と接する面に傷や擦れ跡が生じる。このため、デバイスの特性が劣化するという問題がある。

また、土台ウェハとリブウェハとの間にチッピング片が混入したまま、真空吸着を行うと、チッピング片がリブウェハの、土台ウェハの凸部と接する面に形成された拡散層等を突き破り、デバイスの構造が破壊されるという問題がある。さらに、チッピング片によりリブウェハに盛り上がりが生じ、この盛り上がりの領域においては、例えばフォトリソグラフィー工程において、焦点がずれる等、プロセス処理において形成されるデバイスの表面構造にばらつきが生じ、デバイスの特性が劣化するという問題がある。

ここで、土台ウェハに付着したチッピング片等のパーティクルを、フッ硝酸や水酸化カリウム（ＫＯＨ）等のシリコンエッチング液で除去することも考えられるが、土台ウェハもシリコンであるため、土台ウェハ自身がエッチングされて、形状が変化してしまう。このため、土台ウェハを繰り返し使用することができず、生産コストが上昇するという問題がある。さらに、土台ウェハがＳｉＣの場合、ＳｉＣが化学的に安定しているため、ＳｉＣによるチッピング片等のパーティクルを除去することが難しいという問題がある。

また、リブウェハがずれた際に、土台ウェハと接触し、チッピングやクラックが生じるのを防ぐために、リブウェハのリブ部と土台ウェハの凸部の側面との間になるべく隙間がないように、土台ウェハの凸部を形成しなくてはならない。このため、土台ウェハからリブウェハを取り外すことが困難であるという問題がある。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、生産コストを抑えつつ、スループットおよび良品率を向上することのできる半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、第１主面の中央部に凹部が形成された半導体ウェハの前記凹部の径よりも小さい径で、前記凹部の底面の位置より低く、かつ前記凹部の深さに近接した高さの凸部を有する多孔質樹脂製の土台ウェハの前記凸部に、前記半導体ウェハの前記凹部を合わせて前記半導体ウェハを設置するウェハ設置工程と、前記半導体ウェハの第２主面側に、デバイス構造を形成するデバイス構造形成工程と、を含むことを特徴とする。

また、請求項２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、前記半導体ウェハが設置された前記土台ウェハを、真空吸着機構を有するステージに設置する真空吸着ステージ設置工程と、を含み、前記デバイス構造形成工程においては、前記ステージによって真空吸着を行いながら、前記半導体ウェハを、前記土台ウェハを介して前記ステージに固定して、前記半導体ウェハの前記第２主面側に、デバイス構造を形成することを特徴とする。

また、請求項３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、前記半導体ウェハが設置された前記土台ウェハを、静電吸着機構を有するステージに設置する静電吸着ステージ設置工程と、を含み、前記デバイス構造形成工程においては、前記ステージによって静電吸着を行いながら、前記半導体ウェハを、前記土台ウェハを介して前記ステージに固定して、前記半導体ウェハの前記第２主面側に、デバイス構造を形成することを特徴とする。

また、請求項４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記デバイス構造形成工程の後に、前記半導体ウェハを、前記土台ウェハから取り外す取り外し工程と、前記土台ウェハから取り外された前記半導体ウェハの前記第１主面側に、さらにデバイス構造を追加して形成するデバイス構造追加形成工程と、を含むことを特徴とする。

また、請求項５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、前記土台ウェハに前記半導体ウェハを設置したまま、当該半導体ウェハにデバイス構造を形成する際に前記半導体ウェハを固定するステージに、当該土台ウェハを搬送する搬送工程を含むことを特徴とする。

また、請求項６の発明にかかる半導体装置の支持装置は、中央部に凹部が形成された半導体ウェハの前記凹部の径よりも小さい径で、前記凹部の深さより低く、かつ前記凹部の深さに近接した高さの凸部を第１主面側に有し、多孔質樹脂で形成された土台ウェハを備え、前記土台ウェハの第１主面側が前記半導体ウェハの前記凹部が形成された面に対向し、前記土台ウェハの第１主面側の前記凸部以外の部分によって前記半導体ウェハの外周部を支持することを特徴とする。

また、請求項７の発明にかかる半導体装置の支持装置は、請求項６に記載の発明において、前記土台ウェハのステージに接する部分の直径が、前記半導体ウェハの外周の直径と同じかそれよりも大きいことを特徴とする。

また、請求項８の発明にかかる半導体装置の支持装置は、請求項６または７に記載の発明において、前記土台ウェハは導電性の前記多孔質樹脂からなることを特徴とする。

また、請求項９の発明にかかる半導体装置の支持装置は、請求項６または７に記載の発明において、絶縁性の前記多孔質樹脂の中に、導電層が設けられていることを特徴とする。

また、請求項１０の発明にかかる半導体装置の支持装置は、請求項６〜９のいずれか一つに記載の発明において、前記多孔質樹脂は、超高分子量ポリエチレンの多孔質樹脂であることを特徴とする。

上述した請求項１、２または４の発明によれば、外周端部が中央部より厚いウェハと、平坦なステージとの間の隙間を、土台ウェハを挿入することのみで解消することができる。このため、平坦なステージを有する既存の装置を用いて、外周端部が中央部より厚いウェハに半導体装置を製造するための各処理を行うことができる。このため、コストを低くすることができる。また、平坦なステージを有する既存の装置を用いて、通常の平坦なウェハに対する処理を行うことができる。また、外周端部が中央部より厚いウェハの凹部と、土台ウェハの凸部との間に、クリアランス領域を設けることができるため、外周端部が中央部より厚いウェハを、土台ウェハから簡単に取り外すことができる。

また、請求項３の発明によれば、真空雰囲気内で、外周端部が中央部より厚いウェハに処理を行う場合にも、平坦なウェハに用いる既存の装置を使用することができる。このため、新たな設備投資をせずに、外周端部が中央部より厚いウェハの処理を行うことができるため、コストを低くすることができる。

また、請求項５の発明によれば、外周端部が中央部より厚いウェハの外周端部が、土台ウェハに接しているため、土台ウェハの上に外周端部が中央部より厚いウェハを設置したまま、ウェハカセットに挿入したり、搬送アームで搬送することができる。このため、異なる装置で処理を行うごとに、土台ウェハを挿入したり、土台ウェハを取り外したりしなくても良いため、スループットが向上する。

また、請求項６〜１０の発明によれば、土台ウェハが多孔質樹脂であるため、ステージによる処理ウェハに対する真空吸着力の低下を抑え、ステージに処理ウェハを保持・固定することができる。また、多孔質樹脂は柔軟性があり、脆性ではないため、外周端部が中央部より厚いウェハや土台ウェハにチッピングやクラックが生じず、パーティクルの発生を抑えることができる。したがって、パーティクルによってデバイスの特性が劣化するのを抑えることができるため、ウェハの良品率が向上する。

本発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置によれば、生産コストを抑えつつ、スループットおよび良品率を向上することができるという効果を奏する。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置について示す図である。図１における上の図が実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の構造について示す斜視図であり、下の図が上の図の切断線Ａ−Ａ'における断面構造について示す断面図である。図１に示すように、実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置（以下、第１土台ウェハとする）１０１は、第１主面側に凸部１を有している。第１土台ウェハ１０１は、半導体装置を製造するための各処理（以下、プロセス処理という）を行う際に、ウェハ（以下、処理ウェハという）を設置・固定する図示しないステージと、図示しない処理ウェハとの間に挿入される。また、第１土台ウェハ１０１は、多孔質樹脂を用いて作製されている。多孔質樹脂としては、摩擦係数が低く、かつ耐薬品性および加工性に優れているものが好ましい。その理由は後述する。

図１に示すように、第１土台ウェハ１０１の第１主面側は、裏面側の外周端部が中央部より厚い処理ウェハ（以下、リブウェハという）の裏面側と接する。また、第１主面側の凸部１の直径Ｒ１は、リブウェハの凹部（裏面側の中央部）の直径より小さい値である。ここで、凸部１の直径Ｒ１を、リブウェハの凹部の直径より小さくすることで、リブウェハの凹部と第１土台ウェハ１０１の凸部１との間に、クリアランスが形成される。

ここでは、第１主面側の凸部１の高さｈを、リブウェハの凹部の深さよりやや小さく（低く）している。このようにすることで、搬送時などにおいては、リブウェハの外周部が第１土台ウェハ１０１の第１主面側の凸部１の表面以外の表面（底部）２に当接するため、リブウェハの凹部が第１土台ウェハ１０１から離れた上体でリブウェハを支持することできる。したがって、搬送時などの期間、リブウェハの裏面側が、第１土台ウェハ１０１に接触せす、リブウェハの裏面側の凹部の表面に微細なキズが生じるのを防ぐことができるため、デリケートな裏面構造を持つデバイスに好適である。

また、プロセス処理の工程においては、後述する方法により、リブウェハを第１土台ウェハ１０１に吸着するが、第１土台ウェハ１０１の凸部１が、リブウェハの凹部に近接しているため、吸着によるリブウェハの凹部の変形はわずかであり、リブウェハを損傷することなく、確実に吸着することができる。

また、リブウェハの裏面側を第１土台ウェハ１０１に載置してもよい場合は、第１土台ウェハ１０１の凸部１の高さｈをリブウェハの凹部の深さと同じとするか、やや高くしてもよい。このようにすることで、リブウェハの凹部と第１土台ウェハ１０１の凸部１とが確実に嵌合するため、搬送時のずれを防ぐことができる。また、吸着時においてもリブウェハに変形が生じない。

なお、第１土台ウェハ１０１の凸部１の高さｈは、なるべくリブウェハ凹部の深さに近接させた方がよい。その理由は、凸部１の高さｈが、リブウェハの凹部の深さよりもあまりにも大きすぎると、市販のウェハキャリアや市販の半導体製造装置に対して大掛かりな改造が必要となったり、専用のウェハキャリアや製造装置が必要となったりしてしまうからである。一方で、凸部１の高さｈが、リブウェハ凹部の深さよりもあまりに低すぎると、リブウェハの凹部と第１土台ウェハ１０１の凸部１との嵌合が浅くなり、搬送時の傾斜や衝撃によって外れてしまうことがあり、また、吸着時に、リブウェハの凹部の外周部分の変形が大きくなってしまうからである。

第１土台ウェハ１０１の第２主面側は、プロセス処理において、処理ウェハを平坦または平行に設置し、回転動作やスキャニング動作の間に処理ウェハをずれないように固定するステージと接する。ここで、プロセス処理において、ウェハを固定して行う処理は、例えば、フォトリソグラフィー処理、スピン洗浄処理、スピンコーティング処理、スピンエッチング処理、スピン乾燥処理、レーザーアニール処理などの製造処理や、パーティクル測定処理、外観検査処理、膜厚分布測定処理などの検査・管理処理がある。また、第２主面側の直径Ｒ２は、リブウェハの外周の直径とほぼ同じ値である。

図２は、多孔質樹脂による真空吸着について示す説明図である。図２に示すように、多孔質樹脂による真空吸着では、吸着面がポーラス状であり、吸着面の全面で均一に負圧が生じる。そのため、貫通孔による吸着に比べて、被吸着物の特定箇所に過大な負圧がかからない。このことは、株式会社吉岡精工ウェブサイト、［平成２０年２月１４日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｐｏｒｏｕｓ−ｃｈｕｃｋ．ｃｏｍ／ｐｏｒｏｕｓ＿ｃｈｕｃｋ／ｐｏｒｏｕｓ．ｈｔｍｌ＞にも記載されている。このため、例えば第１土台ウェハ１０１の凸部１からリブウェハ３１の凹部を真空吸着する際に、リブウェハ３１の中央部３２にかかる負圧が少ないため、リブウェハ３１の形状が変形しない。

また、第１土台ウェハ１０１の第１主面と第２主面を除いた残りの表面、すなわち第１土台ウェハ１０１の側面と、第１主面側の凸部１以外の表面は、シール加工等によって表面の樹脂がシールされ、表面の通気孔が封止されている。

ここで、表面の通気孔の封止には、ヒートシール加工が好適である。ヒートシール加工とは、通気孔のうちの封止したい部分の表面を局所的に加熱して表面を溶融させ、通気孔となる多孔質の表面に気密な膜を形成するものである。ヒートシール加工は、封止したい部分を局所的に加熱するだけで通気孔を封止めすることができるので、加工が容易である。なお、表面のシール加工は、上記に限らず、通気孔を封止したい表面に耐熱性・耐薬品性を有する樹脂を塗布してもよい。

図３は、ヒートシール加工について示す説明図である。図３に示すように、ヒートシール加工を行っていない第１土台ウェハ１０１を、真空吸着用のステージ４１と、リブウェハ３１との間に、挿入した場合（図中、ヒートシール加工なし）、真空吸着を行うことができない。その理由は、第１土台ウェハ１０１の側面や、第１主面側の凸部１以外の表面からも空気を引いてしまうからである。一方、ヒートシール加工を行った第１土台ウェハ１０１を、真空吸着用のステージ４１と、リブウェハ３１との間に挿入した場合（図中、ヒートシール加工あり）、真空吸着を行うと、第１土台ウェハ１０１の、リブウェハ３１と接する面からのみ空気を引くため、リブウェハ３１を真空吸着し固定することができる。

つぎに、実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の製造方法について説明する。図４および図５は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の製造方法について示す断面図である。図４に示すように、まず、板状またはシート状の多孔質樹脂に打ち抜き加工を行い、第１主面側に設置されるリブウェハの外周の直径とほぼ同じ直径の円柱状部材１０を形成する。ついで、この円柱状部材１０を回転させながら、円柱状部材１０の外周端部を、第１主面側からブレード７０等によって部分切削加工を行う。このとき、切削する高さは、第１主面側の表面から、第１主面側に設置されるリブウェハの凹部の高さと同じかそれよりも大きい高さで、かつ第２主面側に到達しない高さとする。また、切削する幅は、切削により残る領域の直径が、第１主面側に設置されるリブウェハの凹部の直径よりも小さくなるようにする。このようにして、凸型の部材を形成する。なお、円柱状部材１０を回転させずに、ブレード７０を円柱状部材１０の周りで回転させてもよい。なお、図示はされていないが、リブウェハの裏面側の中央部の凹部の内周が完全な円状に凹加工されていなく、研削やエッチングによってオリフラやノッチに対応した形状に凹加工がされている場合は、その形状に合わせて、凸型部材も一定のクリアランスを保つように形成するのが望ましい。

ついで、図５に示すように、凸型の部材にヒートシール加工を行う。このとき、第１主面側の凸部の表面および第２主面側の表面以外の領域、すなわち凸型の部材の側面および第１主面側の凸部以外の領域（図中、網掛け部分）にヒートシール加工を行い、表面の通気孔を封止めする。このようにして、第１土台ウェハ１０１が完成する。

なお、凸型の部材を形成する方法は、図４に示す方法に代えて、次の図６に示す方法でもよい。図６は、実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の他の製造方法について示す断面図である。図６に示すように、まず、板状またはシート状の多孔質樹脂に打ち抜き加工を行い、第１主面側に設置されるリブウェハの凹部の直径よりも小さい幅で、このリブウェハの凹部の高さと近接した厚さを持つ第１円柱状部材１１と、リブウェハの外周の直径とほぼ同じ直径の第２円柱状部材１２と、を形成する。ついで、第１円柱状部材１１と第２円柱状部材１２とを接着する。このようにして、凸型の部材を形成する。

実施の形態１によれば、土台ウェハが、多孔質樹脂を用いて作製されるため、柔軟性があり、かつ脆性ではない。したがって、土台ウェハに設置されたリブウェハがずれて、リブウェハのリブ部が土台ウェハの凸部の側面に接触した場合にも、リブウェハおよび土台ウェハが割れない。また、脆性ではないため、土台ウェハ自身が割れたり欠けたりせず、土台ウェハからチッピング片等のパーティクルが生じない。

さらに、多孔質樹脂は、通気性に優れており、例えばステージに処理ウェハを真空吸着する場合、ステージと処理ウェハとの間に土台ウェハを挿入しても、ステージによる処理ウェハに対する真空吸着力の低下を抑え、ステージに処理ウェハを保持・固定することができる。また、吸着面がポーラス状であるため、貫通孔による吸着に比べて、局所的に処理ウェハに過大な負圧がかからない。このため、処理ウェハの厚さが薄くても、処理ウェハの表面に成膜する膜の厚さのばらつきや露光むらを抑えることができる。

ここで、多孔質樹脂としては、例えば超高分子量ポリエチレンの多孔質樹脂がある。超高分子量ポリエチレンは、化学的に非常に安定しており、酸やアルカリ等のほとんどの薬品に対して耐薬品性が優れている。このため、土台ウェハを洗浄薬液へ浸漬することにより、簡単に洗浄することができる。

したがって、例えば、処理ウェハからシリコン片等のパーティクルが生じ、このパーティクルが土台ウェハに付着しても、洗浄薬液により洗浄することで、容易に除去することができる。洗浄薬液は、例えば、フッ硝酸や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などのシリコンエッチング液である。さらに、土台ウェハは、シリコンではないため、シリコンエッチング液によってエッチングされず、形状が変化しない。従って、土台ウェハを繰り返し使用することができるため、生産コストを抑えることができる。

また、土台ウェハに付着したシリコン片等のパーティクルが、洗浄後に土台ウェハの表面に残っていて、土台ウェハと処理ウェハとの間に混入しても、土台ウェハには柔軟性があるため、処理ウェハへのダメージを抑えることができる。また、土台ウェハに柔軟性があることで、土台ウェハと処理ウェハとの間に混入したパーティクルによって、処理ウェハが盛り上がる量も減るため、例えばフォトリソグラフィー処理において焦点ずれを抑制することができる。

また、超高分子量ポリエチレンは、摩擦係数が低いため、土台ウェハから処理ウェハを取り外し易くなる。さらに、超高分子量ポリエチレンは、加工性に優れているため、ヒートシール加工、打ち抜き・賦型加工等が可能であり、土台ウェハを簡単に形成することができる。また、ヒートシール加工を行うことで、真空吸着における吸引力を向上させることができる。

超高分子量ポリエチレンの多孔質樹脂の一例として、日東電工製のサンマップ（登録商標）が挙げられる。サンマップは、特殊な焼成法によって作製された超高分子量ポリエチレン粉末の焼結多孔質成型体を切断した、板状またはフィルム状の超高分子量ポリエチレンの多孔質樹脂である。サンマップについては、日東電工社ウェブサイト、［平成２０年２月１３日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｉｔｔｏ．ｃｏ．ｊｐ／ｐｒｏｄｕｃｔ／ｄａｔａｓｈｅｅｔ／ｆｉｌｍ／００２／ｉｎｄｅｘ．ｈｔｍｌ＞に記載されている。

なお、多孔質樹脂としては、導電性の多孔質樹脂を用いてもよい。その理由は、例えば、通常、処理ウェハに形成されたデバイスの電気的特性を評価するためにプロービング処理を行うが、この際、縦型ＩＧＢＴや縦型ＭＯＳＦＥＴなどのデバイスにおいては、処理ウェハの裏面側に電極端子が必要となる。土台ウェハが導電性の場合、土台ウェハ内に電流を流すことができるため、土台ウェハに処理ウェハを設置したままプロービング処理を行うことができるからである。また、導電性の多孔質樹脂を用いることで、帯電によるパーティクルの付着を防ぐこともできる。

（実施の形態２）
図７は、実施の形態２にかかる半導体装置の製造装置について示す図である。図７における上の図が実施の形態２にかかる半導体装置の製造装置の構造について示す斜視図であり、下の図が上の図の切断線Ｂ−Ｂ'における断面構造について示す断面図である。図７に示すように、実施の形態２にかかる半導体装置の製造装置（第２土台ウェハ）１０２は、第２主面側の直径Ｒ３が、第１主面側に設置されるリブウェハの外周の直径よりも大きい。なお、第２主面側の直径Ｒ３は、リブウェハを固定してプロセス処理を行う際に用いられる装置のステージの直径と同じかそれよりも小さい値であればよい。また、その他の構成および製造方法は、実施の形態１と同様のため、説明を省略する。

実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、実施の形態２においては、第２主面側の直径が、第１主面側に設置される処理ウェハの外周の直径よりも大きい。したがって、異なる大きさの処理ウェハを同一の土台ウェハを用いてステージに固定することができる。このため、スループットが向上し、かつ生産コストが低くなる。

（実施の形態３）
実施の形態３は、ステージに処理ウェハを静電吸着させる場合に対応させた土台ウェハの例である。真空雰囲気内でプロセス処理を行う装置のステージに処理ウェハを設置する場合、差圧が生じないため、真空吸着によって処理ウェハをステージに固定することができない。このため、例えば、特許庁ウェブサイト、［平成２０年２月１４日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｊｐｏ．ｇｏ．ｊｐ／ｓｈｉｒｙｏｕ／ｓ＿ｓｏｎｏｔａ／ｈｙｏｕｊｕｎ＿ｇｉｊｕｔｓｕ／ｓｅｍｉｃｏｎ＿ｖａｃｕｕｍ＿ｔｅｃｈ／３＿７＿１ａ．ｈｔｍ＞や、株式会社東陶ウェブサイト、［平成２０年２月１４日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｔｏｔｏ．ｃｏ．ｊｐ／Ｅ＿Ｃｅｒａ／Ｊ＿Ｃｅｒａ／ｗａｆｅｒ＿０１．ｈｔｍ＞に記載されているように、真空雰囲気内でステージにウェハを吸着する方法としては、静電吸着が提案されている。真空雰囲気内で処理を行う装置としては、例えばイオン注入装置、スパッタリング装置、ドライアッシング装置、ドライエッチング装置などがある。

図８は、静電吸着の原理について示す図である。図８に示すように、静電吸着用のステージ４０内には、導電層２０が設けられている。そして、この導電層２０と処理ウェハ３０との間に電圧を印加して静電引力（クーロン力）を発現させることにより、ステージ４０に処理ウェハ３０を静電吸着（静電チャッキング）させる。このような方式が、単極方式である。また、ステージ４０の内部に複数の導電層２０が設けられており、各導電層２０間に電圧を印加することにより静電気力を発現させるようにした方式が、双極方式である。

図９は、実施の形態３にかかる半導体装置の製造装置について示す断面図である。図９に示すように、実施の形態３にかかる半導体装置の製造装置（第３土台ウェハ）１０３は、絶縁性の多孔質樹脂を用いて形成された土台ウェハ内に、導電性の導電層２１〜２５が埋め込まれている。

例えば、図９に示すように、第３土台ウェハ１０３の凸部１の中央領域に、ステージとの静電チャックを行うための第１導電層２１が設けられている。この第１導電層２１は、第３土台ウェハ１０３の第１主面側および第２主面側の表面に接しないように設けられている。また、第３土台ウェハ１０３の凸部１の外周領域に、処理ウェハと静電チャックを行うための第２導電層２２〜第５導電層２５が設けられている。これらの第２導電層２２〜第５導電層２５は、第３土台ウェハ１０３の第２主面側の表面に接するように設けられている。なお、その他の構成は、実施の形態１または２と同様のため、説明を省略する。また、導電層の数や位置、形状は、ステージおよび処理ウェハと、土台ウェハとが静電チャックを行える構成であればよい。

実施の形態３によれば、実施の形態１または２と同様の効果を得ることができる。また、真空雰囲気内でプロセス処理を行うために、静電吸着用のステージにリブウェハを設置する際にも、土台ウェハを介してステージと処理ウェハとを固定することができる。

（実施の形態４）
つぎに、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態４においては、上述した実施の形態１において説明した第１土台ウェハを用いた例について説明する。図１０〜図１６は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて順に示す図である。なお、図１１においては、図１０の切断線Ｃ−Ｃ'および切断線Ｄ−Ｄ'における断面構造を示している。また、図１２における上の図が実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の製造途中の構造について示す斜視図であり、下の図が上の図の切断線Ｅ−Ｅ'における断面構造について示す断面図である。

まず、図１０〜図１２に示すように、第１土台ウェハ１０１の第１主面側に、リブウェハ３１の裏面側を設置する。このとき、図１２に示すように、リブウェハ３１の凹部の直径Ｒ０が、第１土台ウェハ１０１の凸部１の直径Ｒ１よりも大きいため、リブウェハ３１のリブ３３と第１土台ウェハ１０１の凸部１の側面との間にクリアランス領域３４が形成される。

ついで、図１３に示すようにリブウェハ３１が設置された第１土台ウェハ１０１を真空吸着用のステージ４１に設置する。ついで、真空吸着用のステージ４１によって真空吸着を行い、リブウェハ３１の裏面側の中央部３２を第１土台ウェハ１０１に固定し、かつ第１土台ウェハ１０１の第２主面側を真空吸着用のステージ４１に固定する。そして、リブウェハ３１のおもて面側の中央部３２に、デバイスの表面構造を形成する等のプロセス処理を行う。

また、図１４に示すように、リブウェハ３１の裏面側にプロセス処理を行う場合、第１土台ウェハを取り外し、真空吸着用のステージ４１の表面に、直接リブウェハ３１のおもて面側を設置する。ついで、真空吸着用のステージ４１によって真空吸着を行い、リブウェハ３１のおもて面側を真空吸着用のステージ４１に固定する。

また、図１５に示すように、リブウェハ３１をウェハカセット７１に収納する場合、第１土台ウェハ１０１の第１主面側にリブウェハ３１を設置したまま、ウェハカセット７１に収納してもよい。この場合、ウェハカセット７１としては、例えば第１土台ウェハ１０１にリブウェハ３１を設置した状態における厚さが、シングルピッチのカセットでは収納できない厚さの場合、ダブルピッチのカセットを用いる。

また、図１６に示すように、ウェハ自動搬送ロボット７２を用いて、ウェハの連続自動処理を行う場合、リブウェハ３１を第１土台ウェハ１０１に設置したまま工程間または装置間の搬送処理を行うことができる。ウェハ自動搬送ロボット７２は、例えばアーム部（エンドイフェクタ）７３が多関節であり、アーム部７３によってリブウェハ３１が設置された第１土台ウェハ１０１を所望の位置へ搬送することができる。

つぎに、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の変形例について説明する。図１７または図１８は、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の変形例について示す断面図である。図１７または図１８においては、処理ウェハの外周端部にコーティングされた樹脂によりリブ５３が形成された、両面リブウェハ５１に適用した例について説明する。両面リブウェハ５１においては、裏面側に加え、おもて面側にもリブ５３が形成されている。

このような両面リブウェハ５１のおもて面側にプロセス処理を行う場合、図１７に示すように、両面リブウェハ５１の裏面側を第１土台ウェハ１０１の第１主面側に設置する。このとき、両面リブウェハ５１の裏面側の中央部５２と、第１土台ウェハ１０１の凸部１との間に隙間が生じないため、ステージ４１による真空吸着によって両面リブウェハ５１およびステージ４１と、第１土台ウェハ１０１とを固定することができる。

また、図１８に示すように、両面リブウェハ５１の裏面側にプロセス処理を行う場合、両面リブウェハ５１のおもて面側を第１土台ウェハ１０１の第１主面側に設置する。このとき、両面リブウェハ５１のおもて面側の中央部５２と、第１土台ウェハ１０１の凸部１との間に隙間が生じないため、ステージ４１による真空吸着によって両面リブウェハ５１およびステージ４１と、第１土台ウェハ１０１とを固定することができる。

実施の形態４によれば、リブウェハの割れや欠けを抑え、かつリブウェハにプロセス処理を行う際に、平坦なウェハに用いる既存の装置をそのまま使用することができる。このため、製造コストを抑えることができる。

（実施の形態５）
つぎに、実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態５においては、上述した実施の形態２において説明した第２土台ウェハを用いた例について説明する。図１９〜図２１は、実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について順に示す図である。なお、図２０においては、図１９の切断線Ｆ−Ｆ'および切断線Ｇ−Ｇ'における断面構造を示している。また、図２１における上の図は実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法の製造途中の構造について示す斜視図であり、下の図は上の図の切断線Ｈ−Ｈ'における断面構造について示す断面図である。

実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法においては、図１９〜図２１に示すように、第２土台ウェハ１０２の第１主面側に、リブウェハ３１の裏面側を設置する。この場合、図２１に示すように、第２土台ウェハ１０２の直径Ｒ３が、リブウェハ３１の外周の直径Ｒ２よりも大きい。なお、その他の工程については、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法と同様のため、説明を省略する。

実施の形態５によれば、実施の形態４と同様の効果を得ることができる。また、土台ウェハの直径が、設置されるリブウェハよりも大きければよいため、異なる直径や形状のウェハにプロセス処理を行う際に、同一の土台ウェハを用いることができる。したがって、ウェハの直径や形状に合わせて複数の土台ウェハを作らなくてよいため生産コストが低くなる。

（実施の形態６）
つぎに、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法について説明する。図２２または図２３は、実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法について示す断面図である。実施の形態６においては、上述した実施の形態３において説明した第３土台ウェハを用いた例について説明する。

図２２に示すように、真空吸着用のステージ４１にリブウェハ３１を真空吸着によって吸着させる場合、例えば大気中でプロセス処理を行う場合、リブウェハ３１を設置した第３土台ウェハ１０３を、ステージ４１に設置する。そして、ステージ４１によって真空吸着を行い、リブウェハ３１およびステージ４１と、第３土台ウェハ１０３とを固定する。

また、図２３に示すように、静電吸着用のステージ４２にウェハを静電吸着によって吸着させる場合、例えば真空雰囲気内でプロセス処理を行う場合、リブウェハ３１を設置した第３土台ウェハ１０３をステージ４２に設置する。そして、第３土台ウェハ１０３に埋め込まれた各導電層間に電圧を印加する。

ここで、静電吸着用のステージ４２には、第１電極端子６０〜第６電極端子６５が設けられている。第１電極端子６０および第２電極端子６１は、ステージ４２と第３土台ウェハ１０３を静電吸着するために、ステージ４２と第３土台ウェハ１０３の第１導電層２１との間に静電引力を発現させる。また、第３電極端子６２〜第６電極端子６５は、第３土台ウェハ１０３とリブウェハ３１を静電吸着させるために、第３土台ウェハ１０３の第２導電層２２〜第５導電層２５と、リブウェハ３１との間に静電引力を発現させる。第１電極端子６０および第２電極端子６１は、ステージ４２の表面に接していなく、第３電極端子６２〜第６電極端子６５は、ステージ４２の表面に接している。

実施の形態６においては、例えば、第１電極端子６０、第３電極端子６２、第５電極端子６４には、正の電圧を印加し、第２電極端子６１、第４電極端子６３、第６電極端子６５には、負の電圧を印加する。このようにすることで、第３土台ウェハ１０３の内部に、リブウェハ３１とステージ４２のそれぞれに対して、電荷が中性を保つように働くため、静電引力が生じる。このため、ステージ４２およびリブウェハ３１と、第３土台ウェハ１０３とを、それぞれ固定することができる。

なお、ステージ４２内の電極端子は、少なくとも第３土台ウェハ１０３内に埋め込まれた導電層の数および位置に合わせた数および位置であればよい。ここでは、静電吸着方式として、双極方式を適用した例について説明したが、単極方式を適用してもよい。単極方式の場合には、静電吸着用のステージ内に単一の導電層が設けられる。そして、この導電層とウェハの間に電圧が印加される。

実施の形態６によれば、実施の形態４または５と同様の効果を得ることができる。さらに、真空雰囲気内でリブウェハにプロセス処理を行う際に、平坦なウェハに用いる既存の装置を使用することができる。

以上のように、本発明にかかる半導体装置の製造方法および半導体装置の支持装置は、デバイス厚の薄い半導体装置を製造するのに有用であり、特に、電力変換装置などに使用されるパワー半導体装置を製造するのに適している。

実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置について示す図である。 多孔質樹脂による真空吸着について示す説明図である。 ヒートシール加工について示す説明図である。 実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の製造方法について示す断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の製造方法について示す断面図である。 実施の形態１にかかる半導体装置の製造装置の他の製造方法について示す断面図である。 実施の形態２にかかる半導体装置の製造装置について示す図である。 静電吸着の原理について示す図である。 実施の形態３にかかる半導体装置の製造装置について示す断面図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法ついて示す図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の変形例について示す断面図である。 実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法の変形例について示す断面図である。 実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について示す図である。 実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について示す図である。 実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について示す図である。 実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法について示す断面図である。 実施の形態６にかかる半導体装置の製造方法について示す断面図である。 従来の、薄いウェハを用いたデバイスの製造方法について示す断面図である。 従来の、薄いウェハを用いたデバイスの製造方法について示す断面図である。 第１従来例のリブウェハの構造について示す図である。 第１従来例の問題点について示す断面図である。 第２従来例のリブウェハの構造について示す断面図である。 第２従来例の問題点について示す断面図である。 第２従来例の問題点について示す断面図である。 従来の貫通孔による真空吸着の問題点について示す断面図である。

符号の説明

１ 凸部
３１ ウェハ（リブウェハ）
３２ 中央部
３３ リブ
４１ ステージ（真空吸着用のステージ）
１０１ 第１土台ウェハ

Claims (10)

1. 第１主面の中央部に凹部が形成された半導体ウェハの前記凹部の径よりも小さい径で、前記凹部の底面の位置より低く、かつ前記凹部の深さに近接した高さの凸部を有する多孔質樹脂製の土台ウェハの前記凸部に、前記半導体ウェハの前記凹部を合わせて前記半導体ウェハを設置するウェハ設置工程と、
   前記半導体ウェハの第２主面側に、デバイス構造を形成するデバイス構造形成工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、
   前記半導体ウェハが設置された前記土台ウェハを、真空吸着機構を有するステージに設置する真空吸着ステージ設置工程と、
   を含み、
   前記デバイス構造形成工程においては、前記ステージによって真空吸着を行いながら、前記半導体ウェハを、前記土台ウェハを介して前記ステージに固定して、前記半導体ウェハの前記第２主面側に、デバイス構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、
   前記半導体ウェハが設置された前記土台ウェハを、静電吸着機構を有するステージに設置する静電吸着ステージ設置工程と、
   を含み、
   前記デバイス構造形成工程においては、前記ステージによって静電吸着を行いながら、前記半導体ウェハを、前記土台ウェハを介して前記ステージに固定して、前記半導体ウェハの前記第２主面側に、デバイス構造を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記デバイス構造形成工程の後に、
   前記半導体ウェハを、前記土台ウェハから取り外す取り外し工程と、
   前記土台ウェハから取り外された前記半導体ウェハの前記第１主面側に、さらにデバイス構造を追加して形成するデバイス構造追加形成工程と、
   を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記ウェハ設置工程と、前記デバイス構造形成工程との間に、
   前記土台ウェハに前記半導体ウェハを設置したまま、当該半導体ウェハにデバイス構造を形成する際に前記半導体ウェハを固定するステージに、当該土台ウェハを搬送する搬送工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
6. 中央部に凹部が形成された半導体ウェハの前記凹部の径よりも小さい径で、前記凹部の深さより低く、かつ前記凹部の深さに近接した高さの凸部を第１主面側に有し、多孔質樹脂で形成された土台ウェハを備え、
   前記土台ウェハの第１主面側が前記半導体ウェハの前記凹部が形成された面に対向し、前記土台ウェハの第１主面側の前記凸部以外の部分によって前記半導体ウェハの外周部を支持することを特徴とする半導体装置の支持装置。
7. 前記土台ウェハのステージに接する部分の直径が、前記半導体ウェハの外周の直径と同じかそれよりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の支持装置。
8. 前記土台ウェハは導電性の前記多孔質樹脂からなることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の支持装置。
9. 絶縁性の前記多孔質樹脂の中に、導電層が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の支持装置。
10. 前記多孔質樹脂は、超高分子量ポリエチレンの多孔質樹脂であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一つに記載の半導体装置の支持装置。

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