KR102433151B1 - 반도체 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

반도체 제조 장치(10)는, 정전 척(20)과, 정전 척(20) 중 웨이퍼 배치면(S)과는 반대측의 면에 고착된 금속제의 베이스 부재(30)와, 정전 척(20)에 매설된 전극과 접속된 전극 단자(42)와, 베이스 부재(30) 중 전극 단자(42)와 대향하는 위치에 형성된 관통 구멍(32)과, 관통 구멍(32)의 내주면에 고착된 절연 슬리브(50)와, 전극 단자(42)에 가요성의 케이블(46)을 통해 접속되고 절연 슬리브(50) 내에 배치된 상태에서 절연 슬리브(50)에 고착된 척측 단자(44)와, 일단부가 전극 단자(42)에 고착되고 타단부가 척측 단자(44)에 고착되며, 케이블(46)을 피복하는 가요성의 절연 튜브(52)와, 전극 단자(42) 중 적어도 절연 튜브(52)에 피복되어 있지 않은 부분을 피복하는 절연 수지 부재(60)를 구비한다.

Description

반도체 제조 장치
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 장치는, 에칭 장치, 이온 주입 장치, 전자 빔 노광 장치 등에 있어서, 웨이퍼를 고정하거나 웨이퍼를 가열·냉각하거나 하는 데 이용된다. 이러한 반도체 제조 장치로서는, 웨이퍼 배치면을 갖고 정전 전극을 내장한 세라믹제의 정전 척과, 이 정전 척의 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 접착된 금속제의 베이스 부재를 구비한 것이 알려져 있다. 도 7에 특허문헌 1에 개시된 반도체 제조 장치(310)의 부분 단면도를 도시한다. 이 반도체 제조 장치(310)는, 이면에 전극 단자(342)를 갖는 정전 척(320)과, 이 정전 척(320)의 이면에 고착된 금속제의 베이스 부재(330)를 구비하고 있다. 베이스 부재(330)는, 전극 단자(342)와 대향하는 위치에 관통 구멍(332)을 갖고 있다. 이 관통 구멍(332)에는, 절연 슬리브(350)가 고착되어 있다. 절연 슬리브(350)에는, 다른 장치(380)의 단자(382)와 착탈 가능하게 접속되는 척측 단자(344)가 C자형의 고정용 링(345)을 통해 고정되어 있다. 이 척측 단자(344)는, 전극 단자(342)에 가요성의 케이블(346)을 통해 접속되어 있다. 절연 슬리브(350)의 선단은, 전극 단자(342) 주위의 절연 수지 부재(360)에 매립되어 있다.
특허문헌 1: 일본 등록 실용신안 제3181603호 공보
최근, 각종 프로세스의 하이 파워화가 진행되고 있어, 베이스 부재(330)와 전극 단자(342) 사이나 베이스 부재(330)와 케이블(346) 사이에 요구되는 내전압이 종래보다 높아지고 있다. 한편, 반도체 제조 장치(310)에서는, 절연 슬리브(350)의 선단이 절연 수지 부재(360)에 도달하고 있지 않은 경우가 있었다. 그 경우, 베이스 부재(330)와 전극 단자(342) 사이나 베이스 부재(330)와 케이블(346) 사이의 내전압이 요구되는 값을 실현할 수 없어, 절연 파괴가 일어날 우려가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 베이스 부재와 전극 단자 사이나 베이스 부재와 케이블 사이의 내전압을 충분히 높이는 것을 주목적으로 한다.
본 발명의 반도체 제조 장치는,
웨이퍼 배치면을 갖고 전극을 내장한 세라믹 기판과,
상기 세라믹 기판 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 고착된 금속제의 베이스 부재와,
상기 세라믹 기판 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 설치되고, 상기 전극과 접속된 전극 단자와,
상기 베이스 부재 중 상기 전극 단자와 대향하는 위치에 형성된 관통 구멍과,
상기 관통 구멍의 내주면에 고착된 절연 슬리브와,
상기 전극 단자에 가요성의 케이블을 통해 접속되고 상기 절연 슬리브 내에 배치된 상태에서 상기 절연 슬리브에 고착되며, 다른 장치의 단자와 착탈 가능하게 접속되는 반도체 제조 장치측 단자와,
일단부가 상기 전극 단자에 고착되고 타단부가 상기 반도체 제조 장치측 단자에 고착되며, 상기 케이블을 피복하는 가요성의 절연 튜브와,
상기 전극 단자 중 적어도 상기 절연 튜브에 피복되어 있지 않은 부분을 피복하는 절연 수지 부재
를 구비한 것이다.
이 반도체 제조 장치는, 절연 튜브를 구비하고 있다. 이 절연 튜브는, 일단부가 전극 단자에 고착되고 타단부가 반도체 제조 장치측 단자에 고착되며, 케이블을 피복하고 있다. 또한, 전극 단자 중 적어도 절연 튜브에 피복되어 있지 않은 부분은 절연 수지 부재로 피복되어 있다. 즉, 전극 단자는 절연 튜브와 절연 수지 부재에 의해 피복되고, 케이블은 절연 튜브에 의해 피복되어 있다. 그 때문에, 베이스 부재와 전극 단자 사이나 베이스 부재와 케이블 사이의 내전압을 충분히 높일 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 절연 튜브의 내경은, 상기 케이블의 외경보다 크게 되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 절연 튜브와 케이블은 서로 영향을 주지 않고 독립적으로 휘어질 수 있다. 그 때문에, 절연 튜브 및 케이블로부터 전극 단자에의 압력을 저감할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 절연 튜브는, 상기 케이블을 덮고 있는 중앙부가 휘어져 불룩해진 형상으로 되어 있어도 좋다. 이렇게 하면, 절연 튜브와 케이블이 접촉하지 않기 때문에, 케이블에 의해 절연 튜브가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 절연 슬리브의 선단은, 상기 절연 수지 부재에 도달하고 있지 않아도 좋다. 본 발명의 반도체 제조 장치는, 전술한 절연 튜브를 구비하고 있기 때문에, 전극 단자를 피복하는 절연 수지 부재에 절연 슬리브의 선단이 도달하고 있지 않아도, 베이스 부재와 전극 단자 사이나 베이스 부재와 케이블 사이의 내전압을 충분히 높일 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 절연 튜브는, 열수축 튜브여도 좋다. 열수축 튜브는, 가요성을 갖고 있고, 가열하면 수축하여 직경이 작아지기 때문에 각 단자에 고착시키기 쉽다. 그 때문에, 열수축 튜브는 절연 튜브로서 이용하기에 적합하다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 절연 튜브는, 상기 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 재료로 형성되어 있거나, 또는, 상기 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 구조로 형성되어 있어도 좋다. 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 재료로서는, 예컨대 염화비닐, 실리콘 고무, 불소 폴리머 등을 들 수 있다. 이들은, 열수축 튜브의 재료로서도 이용된다. 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 구조로서는, 예컨대 벨로우즈(주름 상자) 등을 들 수 있다.
본 발명의 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 케이블은, 금속제의 연선이어도 좋다. 금속제의 연선은, 축소되는 방향으로 힘을 가했을 때에 불룩해진 형상이 되어 전체의 길이가 짧아진다.
도 1은 반도체 제조 장치(10)의 개략을 도시한 부분 단면도이다.
도 2는 반도체 제조 장치(10)의 단자 어셈블리(40) 부근의 확대 단면도이다.
도 3은 반도체 제조 장치(10)의 조립 공정도이다.
도 4는 열수축 튜브(154)를 이용했을 때의 조립 공정도이다.
도 5는 열수축 튜브(254)를 이용했을 때의 조립 공정도이다.
도 6은 절연 슬리브(50)의 선단(50b)이 절연 수지 부재(60)에 도달하고 있는 경우의 부분 확대 단면도이다.
도 7은 반도체 제조 장치(310)의 개략을 도시한 부분 단면도이다.
본 발명의 적합한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 반도체 제조 장치(10)의 개략을 도시한 부분 단면도, 도 2는 반도체 제조 장치(10)의 단자 어셈블리(40) 부근의 확대 단면도이다.
반도체 제조 장치(10)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 정전 척(20)과, 베이스 부재(30)와, 단자 어셈블리(40)와, 절연 슬리브(50)와, 절연 튜브(52)와, 절연 수지 부재(60)를 구비하고 있다.
정전 척(20)은, 표면이 웨이퍼 배치면(S)인 원반형의 세라믹 소결체(예컨대 알루미나 세라믹 소결체)이다. 정전 척(20)은, 내부에, 웨이퍼 배치면(S)에 배치된 웨이퍼를 정전력에 의해 흡착하는 정전 전극(22)과, 전압이 인가되면 발열하는 히터 전극(24)을 갖고 있다. 이 정전 척(20)의 이면에는, 복수의 전극 단자(42)가 설치되어 있다. 전극 단자(42)에는, 배선(22a)을 통해 정전 전극(22)에 접속되어 있는 것과, 배선(24a)을 통해 히터 전극(24)에 접속되어 있는 것이 있다. 이 정전 척(20)이 본 발명의 세라믹 기판에 상당한다.
베이스 부재(30)는, 금속(예컨대 알루미늄이나 알루미늄 합금 등)제의 원반형 부재이다. 베이스 부재(30)는, 정전 척(20) 중 웨이퍼 배치면(S)과는 반대측의 면(이면)에 접착제에 의해 고착되어 있다. 베이스 부재(30)는, 각 전극 단자(42)와 대향하는 위치에 관통 구멍(32)을 갖고 있다. 베이스 부재(30)는, 정전 척(20)을 냉각하는 역할을 수행하는 것이며, 내부에 냉각수 통로(도시하지 않음)가 형성되어 있다.
단자 어셈블리(40)는, 베이스 부재(30)의 각 관통 구멍(32)에 삽입된 절연 슬리브(50)의 내부에 설치되어 있다. 각 단자 어셈블리(40)는, 전극 단자(42)에 가요성의 케이블(46)을 통해 척측 단자(44)를 접속한 것이다. 전극 단자(42)는, 금속(예컨대 몰리브덴)제이고, 도 2에 도시된 바와 같이, 원반부(42a)와 원기둥형의 볼록부(42b)를 갖고 있다. 원반부(42a)는, 정전 척(20)의 세라믹 소결체에 형성된 오목 구멍에 납땜되고, 정전 전극(22)에 연결되는 배선(22a) 또는 히터 전극(24)에 연결되는 배선(24a)에 접합되어 있다. 볼록부(42b)는, 절연 튜브(52)의 일단부에 삽입되어 고착되어 있다. 척측 단자(44)는, 금속(예컨대 구리)제의 단자이고, 도 2에 도시된 바와 같이, 핀 잭부(44a)와 볼록부(44b)와 오목홈(44c)을 구비하고 있다. 핀 잭부(44a)는, 원기둥체에 바닥이 있는 구멍을 형성한 암형 커넥터이다. 볼록부(44b)는, 핀 잭부(44a) 중 전극 단자(42)와 대향하는 측에 형성된 원기둥형의 돌기이고, 절연 튜브(52)의 타단부에 삽입되어 고착되어 있다. 오목홈(44c)은, 핀 잭부(44a)의 외주면 중 개구에 가까운 위치의 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 오목홈(44c)에는, C자형의 고정용 링(45)이 끼워 넣어져 있다. 고정용 링(45)은, 전기 절연성을 갖는 재료, 예컨대 세라믹 재료나 수지 재료 등으로 형성되어 있다. 케이블(46)은, 금속(예컨대 구리)제의 연선이고, 다수의 세선을 꼬아 형성된 것이다. 그 때문에, 케이블(46)은, 압축 방향으로 힘을 가하면 중앙 부근이 불룩해져 전체 길이가 짧아진다. 케이블(46)은, 압축 방향으로 힘이 가해진 상태에서 전극 단자(42)와 척측 단자(44) 사이의 스페이스에 배치되어 있다. 한편, 척측 단자(44)가 본 발명의 반도체 제조 장치측 단자에 상당한다.
절연 슬리브(50)는, 베이스 부재(30)의 관통 구멍(32)에 삽입되어 있다. 절연 슬리브(50)의 외주면은, 관통 구멍(32)의 내주면과 접착제로 고착되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 절연 슬리브(50)는, 관통 구멍(32)의 개구 가장자리와 걸어 고정하는 플랜지(50a)를 갖고 있다. 절연 슬리브(50)의 선단(50b)은, 절연 수지 부재(60)에 도달하고 있지 않다. 이러한 절연 슬리브(50)는, 전기 절연성을 갖는 재료, 예컨대 세라믹 재료나 수지 재료 등으로 형성되어 있다. 절연 슬리브(50)의 개구 가장자리에는, 척측 단자(44)의 오목홈(44c)에 끼워 넣어진 고정용 링(45)이 접착제로 고착되어 있다.
절연 튜브(52)는, 열수축 튜브이고, 축 방향으로 압축되어 중앙 부근이 불룩해진 형상(통형)으로 되어 있다. 열수축 튜브의 재료는, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 염화비닐, 실리콘 고무, 불소 폴리머 등을 들 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 전극 단자(42)의 볼록부(42b)는, 절연 튜브(52)의 일단부에 삽입되고, 척측 단자(44)의 볼록부(44b)는, 절연 튜브(52)의 타단부에 삽입되어 있다. 절연 튜브(52)는, 일단부가 전극 단자(42)의 볼록부(42b)의 측면에 고착되고 타단부가 척측 단자(44)의 볼록부(44b)의 측면에 고착되어 있으며, 중앙부가 케이블(46)을 피복하고 있다.
절연 수지 부재(60)는, 예컨대 실리콘 수지 등으로 형성되고, 관통 구멍(32)의 바닥면과 전극 단자(42) 중 절연 튜브(52)에 피복되어 있지 않은 부분을 피복한다. 본 실시형태에서는, 절연 수지 부재(60)는, 전극 단자(42)의 볼록부(42b)의 측면을 피복하고 있는 절연 튜브(52)의 외주면도 피복하고 있다.
다음으로, 반도체 제조 장치(10)의 제조예에 대해 설명한다. 도 3은 반도체 제조 장치(10)의 조립 공정도이다.
먼저, 도 3의 (a)에 도시된 정전 척(20)을 준비한다. 이 정전 척(20)은, 이면에 단자 어셈블리(40)가 부착되어 있다. 단자 어셈블리(40)는, 전극 단자(42)에 가요성의 케이블(46)을 통해 척측 단자(44)가 조립된 것이다. 이 단자 어셈블리(40)의 전극 단자(42)의 원반부(42a)가 배선(22a)[또는 배선(24a)]과 전기적으로 접속되도록 납땜되어 있다.
계속해서, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 축 방향으로도 직경 방향으로도 신축 가능한 열수축 튜브(54)를 단자 어셈블리(40)의 케이블(46)에 씌운다. 여기서 이용한 열수축 튜브(54)는, 내경이 척측 단자(44)의 외경과 거의 동등하고, 열수축률이 길이 전체에 걸쳐 동일한 것이다. 열수축 튜브(54)는, 일단부가 전극 단자(42)의 볼록부(42b)를 덮고, 타단부가 척측 단자(44)의 볼록부(44b)를 덮으며, 중앙부가 케이블(46)을 덮도록, 배치된다. 이 상태에서, 도시하지 않은 히트건을 이용하여, 열수축 튜브(54) 중 전극 단자(42)의 볼록부(42b)를 덮고 있는 일단부와, 척측 단자(44)의 볼록부(44b)를 덮고 있는 타단부를 가열한다.
그러면, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 열수축 튜브(54) 중 전극 단자(42)의 볼록부(42b)를 덮고 있는 일단부와 척측 단자(44)의 볼록부(44b)를 덮고 있는 타단부는, 열에 의해 수축하여 볼록부(42b, 44b)에 긴밀히 고착된다. 열처리 후의 열수축 튜브(54)는 절연 튜브(52)가 된다. 절연 튜브(52)의 양단이 볼록부(42b, 44b)에 긴밀히 고착되어 있는지의 여부든가, 절연 튜브(52)가 파손되어 있는지의 여부든가, 절연 튜브(52)에 압축 방향의 힘을 가했을 때에 용이하게 수축하는지의 여부 등에 대해서는, 이 단계에서, 작업자가 절연 튜브(52)의 외관이나 수축성을 검사함으로써 용이하게 조사할 수 있다.
계속해서, 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이, 정전 척(20)의 이면에 베이스 부재(30)를 부착하고, 그 후, 절연 수지 부재(60)를 형성한다. 구체적으로는, 먼저, 관통 구멍(32)을 형성한 베이스 부재(30) 중 정전 척(20)에 대향하는 면에 도시하지 않은 접착 시트를 부착하고, 관통 구멍(32)에 절연 튜브(52)가 붙은 단자 어셈블리(40)를 통과시킨 상태에서 정전 척(20)과 베이스 부재(30)를 접착한다. 그 후, 전극 단자(42)의 노출면을 덮도록 관통 구멍(32)의 바닥면에 절연 수지 재료를 주입하여 고화시킴으로써 절연 수지 부재(60)를 형성한다. 이때, 단자 어셈블리(40)의 척측 단자(44)는, 관통 구멍(32)으로부터 밖으로 노출되어 있다.
계속해서, 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이, 관통 구멍(32)에 절연 슬리브(50)를 삽입한다. 구체적으로는, 절연 슬리브(50)의 외주면에 접착제를 도포한 후, 플랜지(50a)가 관통 구멍(32)의 개구 가장자리에 걸려 고정될 때까지 절연 슬리브(50)를 삽입한다. 이때, 절연 슬리브(50)의 선단(50b)은 절연 수지 부재(60)에 도달하고 있지 않다. 그 때문에, 절연 슬리브(50)에 의해 정전 척(20)이 베이스 부재(30)로부터 떨어지는 방향의 힘을 받는 일은 없다. 이때, 단자 어셈블리(40)의 척측 단자(44)는, 절연 슬리브(50)로부터 밖으로 노출되어 있다.
그 후, 도 3의 (f)에 도시된 바와 같이, 척측 단자(44)의 오목홈(44c)에 고정용 링(45)을 끼워 넣고, 척측 단자(44)를 절연 슬리브(50)의 안쪽으로 압입하며, 고정용 링(45)과 절연 슬리브(50)의 플랜지(50a)를 접착제로 접착한다. 이때, 절연 튜브(52)의 내경은 케이블(46)의 외경보다 크다. 이 때문에, 절연 튜브(52)와 케이블(46)은 서로 영향을 주지 않고 독립적으로 휘어질 수 있다. 또한, 절연 튜브(52)는, 열수축 튜브이기 때문에, 압축 방향으로 힘이 가해지면 케이블(46)을 덮고 있는 중앙부가 휘어져 불룩해진 형상(통형)이 된다. 이 때문에, 절연 튜브(52)와 케이블(46)이 접촉하는 일은 없고, 케이블(46)에 의해 절연 튜브(52)가 파손되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 케이블(46)은, 다수의 금속 세선을 꼰 연선이기 때문에, 압축 방향으로 힘이 가해지면 금속 세선이 휘어져 중앙 부근이 불룩해진 형상이 된다. 이와 같이 하여, 반도체 제조 장치(10)를 제조할 수 있다.
다음으로, 반도체 제조 장치(10)의 사용예에 대해 설명한다. 반도체 제조 장치(10)는, 웨이퍼의 처리 목적에 따른 처리 장치(80)(도 1 참조, 본 발명의 다른 장치에 상당)에 접속하여 사용한다. 처리 장치(80)에는, 반도체 제조 장치(10)의 각 척측 단자(44)(암형 커넥터)에 대향하는 위치에 처리 장치측 단자(82)(수형 커넥터)가 설치되어 있다. 반도체 제조 장치(10)를 처리 장치(80)에 접속할 때, 베이스 부재(30)를 도시하지 않은 지지대에 고정한 상태에서, 서로 마주 보는 단자끼리를 접속한다. 계속해서, 웨이퍼 배치면(S)에 웨이퍼를 배치하고, 정전 전극(22)에 전압을 인가하여 웨이퍼 배치면(S)에 웨이퍼를 흡착시킨다. 그리고, 반도체 제조 장치(10)의 웨이퍼 배치면(S)과 대향하는 위치에 설치된 도시하지 않은 샤워 헤드와, 베이스 부재(30) 사이에, 고주파 전압을 인가함으로써 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼 배치면(S) 상의 웨이퍼를 처리한다. 이때, 웨이퍼의 온도가 미리 설정된 온도가 되도록 제어한다. 예컨대, 웨이퍼의 온도가 지나치게 낮을 때에는, 히터 전극(24)에 전압을 인가하여 히터 전극(24)을 발열시킴으로써 웨이퍼를 가열한다. 한편, 웨이퍼의 온도가 지나치게 높을 때에는, 히터 전극(24)에의 전압의 인가를 행하지 않고 베이스 부재(30)에 의해 웨이퍼가 냉각되도록 한다.
이와 같이 웨이퍼를 처리할 때, 도시하지 않은 샤워 헤드와 베이스 부재(30) 사이에 하이 파워의 고주파 전압이 인가되는 경우가 있다. 여기서, 반도체 제조 장치(10)는, 절연 튜브(52)를 구비하고 있다. 이 절연 튜브(52)는, 일단부가 전극 단자(42)의 볼록부(42b)에 고착되고 타단부가 척측 단자(44)의 볼록부(44b)에 고착되어 있다. 또한, 전극 단자(42) 중 절연 튜브(52)에 피복되어 있지 않은 부분은 절연 수지 부재(60)로 피복되어 있다. 즉, 전극 단자(42)는 절연 튜브(52)와 절연 수지 부재(60)에 의해 피복되고, 케이블(46)은 절연 튜브(52)에 의해 피복되어 있다. 그 때문에, 베이스 부재(30)와 전극 단자(42) 사이나 베이스 부재(30)와 케이블(46) 사이의 내전압을 충분히 높일 수 있다.
이상 상세히 서술한 반도체 제조 장치(10)에 의하면, 도시하지 않은 샤워 헤드와 베이스 부재(30) 사이에 하이 파워의 고주파 전압이 인가되었다고 해도, 베이스 부재(30)와 전극 단자(42) 사이나 베이스 부재(30)와 케이블(46) 사이의 절연 파괴를 방지할 수 있다. 즉, 전극 단자(42)는 절연 튜브(52)와 절연 수지 부재(60)에 의해 피복되고, 케이블(46)은 절연 튜브(52)에 의해 피복되어 있다. 그 때문에, 전극 단자(42)를 피복하는 절연 수지 부재(60)에 절연 슬리브(50)의 선단(50b)이 도달하고 있지 않아도, 베이스 부재(30)와 전극 단자(42) 사이나 베이스 부재(30)와 케이블(46) 사이의 내전압을 충분히 높일 수 있다.
또한, 절연 튜브(52)의 내경은, 케이블(46)의 외경보다 크기 때문에, 절연 튜브(52)와 케이블(46)은 서로 영향을 주지 않고 독립적으로 휘어질 수 있다. 그 때문에, 절연 튜브(52) 및 케이블(46)로부터 전극 단자(42)에의 압력을 저감할 수 있다.
또한, 절연 튜브(52)는 케이블(46)을 덮고 있는 중앙부가 휘어져 불룩해진 형상으로 되어 있기 때문에, 절연 튜브(52)와 케이블(46)이 접촉하지 않는다. 그 때문에, 케이블(46)에 의해 절연 튜브(52)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 절연 튜브(52)로서 이용한 열수축 튜브(54)는, 가요성을 갖고 있고, 가열하면 수축하여 직경이 작아지기 때문에 각 단자(42, 44)의 볼록부(42b, 44b)에 고착시키기 쉽다. 그 때문에, 열수축 튜브(54)는 절연 튜브(52)로서 이용하기에 적합하다.
또한, 절연 튜브(52)로서 열수축 튜브(54)를 이용하고, 케이블(46)로서 금속제의 연선을 이용했기 때문에, 모두, 축소되는 방향으로 힘을 가했을 때에 불룩해진 형상이 되어 전체의 길이가 짧아진다. 그 때문에, 도 3의 (e) 내지 도 3의 (f)와 같이 척측 단자(44)를 절연 슬리브(50)의 안쪽으로 압입할 때, 비교적 작은 저항으로 압입할 수 있다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 조금도 한정되는 일은 없고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러 가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예컨대, 전술한 실시형태에서는, 케이블(46)로서 다수의 금속 세선을 꼬아 형성된 연선을 이용하였으나, 코일 형상 또는 지그재그 형상의 금속선을 이용해도 좋다. 코일 형상 또는 지그재그 형상의 금속선은, 축 방향으로 신축 가능하기 때문에, 압축 방향으로 힘을 받았을 때에 코일 부분 또는 지그재그 부분이 축소되어 전체의 길이가 짧아진다. 그 때문에, 이들 금속선은 전술한 케이블(46)의 대체품으로서 이용할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 열수축 튜브(54)로서, 내경이 단자 어셈블리(40)의 외경과 거의 동일하고, 열수축률이 길이 전체에 걸쳐 동일한 것을 이용하며, 그 일단부와 타단부만을 가열하여 수축시켰으나, 도 4나 도 5에 도시된 열수축 튜브(154, 254)를 이용해도 좋다.
도 4의 열수축 튜브(154)는, 열수축률이 길이 전체에 걸쳐 동일하지만, 양단의 내경에 비해 중앙부의 내경이 큰 것이다. 이 열수축 튜브(154)를, 도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 단자 어셈블리(40)의 케이블(46)에 씌운다. 구체적으로는, 열수축 튜브(154)의 일단부가 전극 단자(42)의 볼록부(42b)를 덮고, 타단부가 척측 단자(44)의 볼록부(44b)를 덮으며, 중앙부가 케이블(46)을 덮도록, 열수축 튜브(154)를 배치한다. 이 상태에서, 열수축 튜브(154)의 전체를 가열한다. 가열은 히트건을 이용하여 행해도 좋고, 항온조에 넣어 행해도 좋다. 가열 후, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이, 열수축 튜브(154)의 일단부와 타단부는 볼록부(42b, 44b)에 고착되지만, 중앙부는 원래 내경이 컸기 때문에 일단부와 타단부에 비해 내경은 크다. 가열 후의 열수축 튜브(154)는 절연 튜브(152)가 되지만, 가열된 후에도 축 방향으로 휘어질 수 있다. 그 때문에, 이 이후의 반도체 제조 장치(10)의 조립 공정은, 전술한 실시형태와 동일하게 행할 수 있다.
도 5의 열수축 튜브(254)는, 내경이 길이 전체에 걸쳐 동일[척측 단자(44)의 외경과 거의 동등]하고, 일단부와 타단부의 열수축률이 중앙부의 열수축률보다 큰 것이다. 이 열수축 튜브(254)를, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 단자 어셈블리(40)의 케이블(46)에 씌운다. 구체적으로는, 열수축 튜브(254)의 일단부가 전극 단자(42)의 볼록부(42b)를 덮고, 타단부가 척측 단자(44)의 볼록부(44b)를 덮으며, 중앙부가 케이블(46)을 덮도록, 열수축 튜브(254)를 배치한다. 이 상태에서, 열수축 튜브(254)의 전체를 가열한다. 가열은 히트건을 이용하여 행해도 좋고, 항온조에 넣어 행해도 좋다. 가열 후, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 열수축 튜브(254)의 일단부와 타단부는 열수축률이 크기 때문에 볼록부(42b, 44b)에 고착되지만, 중앙부는 열수축률이 작기 때문에 일단부와 타단부에 비해 내경은 커진다. 가열 후의 열수축 튜브(254)는 가열 절연 튜브(252)가 되지만, 가열된 후에도 축 방향으로 휘어질 수 있다. 그 때문에, 이 이후의 반도체 제조 장치(10)의 조립 공정은, 전술한 실시형태와 동일하게 행할 수 있다.
전술한 실시형태에 있어서, 절연 튜브(52)의 중앙부는 벨로우즈(주름 상자)여도 좋다. 이렇게 하면, 절연 튜브(52)의 주름 상자 부분이 축 방향으로 용이하게 신축하기 때문에, 도 3의 (e) 내지 도 3의 (f)에의 공정에 있어서, 절연 슬리브를 보다 용이하게 압입할 수 있다. 이 경우, 절연 튜브(52)는, 벨로우즈라고 하는 구조에 의해 신축성이 담보되기 때문에, 재료 자체에 신축성이 요구되지 않는다.
전술한 실시형태에 있어서, 절연 슬리브(50)의 선단(50b)은 도 6에 도시된 바와 같이 절연 수지 부재(60)에 도달하고 있어도 좋다. 이렇게 하면, 베이스 부재(30)와 전극 단자(42) 사이나 베이스 부재(30)와 케이블(46) 사이의 내전압을 한층 높일 수 있다.
본 출원은 2018년 3월 23일에 출원된 일본국 특허 출원 제2018-55519호를 우선권 주장의 기초로 하고 있고, 인용에 의해 그 내용 모두가 본 명세서에 포함된다.
본 발명은 반도체 제조 장치에 이용 가능하다.
10: 반도체 제조 장치 20: 정전 척
22: 정전 전극 22a: 배선
24: 히터 전극 24a: 배선
S: 웨이퍼 배치면 30: 베이스 부재
32: 관통 구멍 40: 단자 어셈블리
42: 전극 단자 42a: 원반부
42b: 볼록부 44: 척측 단자
44a: 핀 잭부 44b: 볼록부
44c: 오목홈 45: 고정용 링
46: 케이블 50: 절연 슬리브
50a: 플랜지 50b: 선단
52: 절연 튜브 54: 열수축 튜브
60: 절연 수지 부재 80: 처리 장치
82: 처리 장치측 단자 152: 절연 튜브
154: 열수축 튜브 252: 가열 절연 튜브
254: 열수축 튜브 310: 반도체 제조 장치
320: 정전 척 330: 베이스 부재
332: 관통 구멍 342: 전극 단자
344: 척측 단자 345: 고정용 링
346: 케이블 350: 절연 슬리브
360: 절연 수지 부재 380: 다른 장치
382: 단자

Claims (7)

  1. 반도체 제조 장치에 있어서,
    웨이퍼 배치면을 가지며 전극을 내장한 세라믹 기판과,
    상기 세라믹 기판 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 고착된 금속제의 베이스 부재와,
    상기 세라믹 기판 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 설치되고, 상기 전극과 접속된 전극 단자와,
    상기 베이스 부재 중 상기 전극 단자와 대향하는 위치에 형성된 관통 구멍과,
    상기 관통 구멍의 내주면에 고착된 절연 슬리브와,
    상기 전극 단자에 가요성의 케이블을 통해 접속되고 상기 절연 슬리브 내에 배치된 상태에서 상기 절연 슬리브에 고착되며, 다른 장치의 단자와 착탈 가능하게 접속되는 반도체 제조 장치측 단자와,
    일단부가 상기 전극 단자에 고착되고 타단부가 상기 반도체 제조 장치측 단자에 고착되며, 상기 케이블을 피복하는 가요성의 절연 튜브와,
    상기 전극 단자 중 적어도 상기 절연 튜브에 피복되어 있지 않은 부분을 피복하는 절연 수지 부재
    를 구비하고,
    상기 절연 튜브는, 상기 케이블을 덮고 있는 중앙부가 휘어져 불룩해진 형상으로 되어 있는 것인, 반도체 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연 튜브의 내경은 상기 케이블의 외경보다 큰 것인, 반도체 제조 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 슬리브의 선단은 상기 절연 수지 부재에 도달하고 있지 않은 것인, 반도체 제조 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 튜브는 열수축 튜브인 것인, 반도체 제조 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연 튜브는, 상기 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 재료로 형성되어 있거나, 또는 상기 관통 구멍의 축 방향으로 신축 가능한 구조로 형성되어 있는 것인, 반도체 제조 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 케이블은 금속제의 연선인 것인, 반도체 제조 장치.
  7. 삭제
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