CN111868912A - 半导体制造装置 - Google Patents
半导体制造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111868912A CN111868912A CN201980019242.6A CN201980019242A CN111868912A CN 111868912 A CN111868912 A CN 111868912A CN 201980019242 A CN201980019242 A CN 201980019242A CN 111868912 A CN111868912 A CN 111868912A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- insulating
- cable
- electrode terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Abstract
半导体制造装置10具备：静电卡盘20、粘固于静电卡盘20中与晶片载置面S相反侧的面上的金属制的基体构件30、与埋设于静电卡盘20的电极连接的电极端子42、设置于基体构件30中与电极端子42对置的位置的贯通孔32、粘固于贯通孔32的内周面的绝缘套管50、经由挠性的电缆46与电极端子42连接且以配置于绝缘套管50内的状态粘固于绝缘套管50的卡盘侧端子44、一端粘固于电极端子42且另一端粘固于卡盘侧端子44的被覆电缆46的挠性的绝缘管52、以及被覆电极端子42中至少未被绝缘管52被覆的部分的绝缘树脂构件60。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造装置。
背景技术
半导体制造装置在蚀刻装置、离子注入装置、电子束曝光装置等中，用于固定晶片，或将晶片进行加热、冷却。作为这样的半导体制造装置，已知具备具有晶片载置面且内置有静电电极的陶瓷制静电卡盘、以及粘接于该静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面上的金属制基体构件的半导体制造装置。图7示出专利文献1所公开的半导体制造装置310的局部截面图。该半导体制造装置310具备：背面具有电极端子342的静电卡盘320、以及粘固于该静电卡盘320的背面的金属制基体构件330。基体构件330在与电极端子342对置的位置具有贯通孔332。该贯通孔332中粘固有绝缘套管350。在绝缘套管350中，经由C字状的固定用环345固定有与其他装置380的端子382可装卸地连接的卡盘侧端子344。该卡盘侧端子344经由挠性的电缆346与电极端子342连接。绝缘套管350的前端埋入至电极端子342的周围的绝缘树脂构件360。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本授权实用新型第3181603号公报
发明内容
发明所要解决的课题
近年来，各种工艺的大功率化正在进展，对基体构件330与电极端子342之间、基体构件330与电缆346之间所要求的耐电压与以往相比提高。另一方面，在半导体制造装置310中，绝缘套管350的前端有时没有到达绝缘树脂构件360。在该情况下，基体构件330与电极端子342之间、基体构件330与电缆346之间的耐电压不能实现所要求的值，存在发生绝缘击穿的担忧。
本发明是为了解决这样的课题而提出的，其主要目的在于充分提高基体构件与电极端子之间、基体构件与电缆之间的耐电压。
用于解决课题的方法
本发明的半导体制造装置具备：
陶瓷基板，其具有晶片载置面，且内置有电极；
金属制的基体构件，其粘固于上述陶瓷基板中与上述晶片载置面相反侧的面，
电极端子，其设置于上述陶瓷基板中与上述晶片载置面相反侧的面，且与上述电极连接；
贯通孔，其设置于上述基体构件中与上述电极端子对置的位置；
绝缘套管，其粘固于上述贯通孔的内周面；
半导体制造装置侧端子，其经由挠性的电缆与上述电极端子连接，且以配置于上述绝缘套管内的状态粘固于上述绝缘套管，与其他装置的端子可装卸地连接，
挠性的绝缘管，其一端粘固于上述电极端子且另一端粘固于上述半导体制造装置侧端子，并被覆上述电缆；以及
绝缘树脂构件，其被覆上述电极端子中至少未被上述绝缘管被覆的部分。
该半导体制造装置具备绝缘管。该绝缘管的一端粘固于电极端子且另一端粘固于半导体制造装置侧端子，并被覆电缆。此外，电极端子中至少未被绝缘管被覆的部分由绝缘树脂构件所被覆。即，电极端子由绝缘管和绝缘树脂构件所被覆，电缆由绝缘管所被覆。因此，能够充分提高基体构件与电极端子之间、基体构件与电缆之间的耐电压。
本发明的半导体制造装置中，上述绝缘管的内径可以比上述电缆的外径大。这样的话，则绝缘管与电缆能够彼此不影响而独立地弯曲。因此，能够降低由绝缘管和电缆对于电极端子的压力。
本发明的半导体制造装置中，上述绝缘管的覆盖上述电缆的中央部可以弯曲而成为膨胀的形状。这样的话，绝缘管与电缆不会接触，因此能够防止绝缘管因电缆而破损。
本发明的半导体制造装置中，上述绝缘套管的前端可以不到达上述绝缘树脂构件。本发明的半导体制造装置由于具备上述绝缘管，因此即使绝缘套管的前端没有到达被覆电极端子的绝缘树脂构件，也能够充分提高基体构件与电极端子之间、基体构件与电缆之间的耐电压。
本发明的半导体制造装置中，上述绝缘管可以为热收缩管。热收缩管具有挠性，如果进行加热则收缩而直径变小，因此易于粘固于各端子。因此，热收缩管适合用作绝缘管。
本发明的半导体制造装置中，上述绝缘管可以由能够沿上述贯通孔的轴向伸缩的材料形成，或者形成为能够沿上述贯通孔的轴向伸缩的结构。作为能够沿贯通孔的轴向伸缩的材料，可举出例如氯乙烯、硅橡胶、氟聚合物等。它们也可以用作热收缩管的材料。作为能够沿贯通孔的轴向伸缩的结构，可举出例如波纹(褶皱)等。
本发明的半导体制造装置中，上述电缆可以为金属制的捻线。金属制的捻线在沿收缩方向施加力时，成为膨胀的形状而整体的长度变短。
附图说明
图1为表示半导体制造装置10的概略的局部截面图。
图2为半导体制造装置10的端子组件40附近的放大截面图。
图3为半导体制造装置10的组装工序图。
图4为使用热收缩管154时的组装工序图。
图5为使用热收缩管254时的组装工序图。
图6为绝缘套管50的前端50b到达绝缘树脂构件60时的局部放大截面图。
图7为表示半导体制造装置310的概略的局部截面图。
具体实施方式
一边参照附图一边在以下说明本发明的优选实施方式。图1为表示半导体制造装置10的概略的局部截面图，图2为半导体制造装置10的端子组件40附近的放大截面图。
半导体制造装置10如图1所示那样，具备静电卡盘20、基体构件30、端子组件40、绝缘套管50、绝缘管52以及绝缘树脂构件60。
静电卡盘20是表面为晶片载置面S的圆盘状的陶瓷烧结体(例如氧化铝陶瓷烧结体)。静电卡盘20在内部具有将载置于晶片载置面S的晶片通过静电力进行吸附的静电电极22、以及施加电压时会发热的加热电极24。在该静电卡盘20的背面设置有多个电极端子42。电极端子42具有经由配线22a与静电电极22连接的电极端子、以及经由配线24a与加热电极24连接的电极端子。该静电卡盘20相当于本发明的陶瓷基板。
基体构件30为金属(例如铝、铝合金等)制的圆盘状构件。基体构件30通过粘接剂而粘固于静电卡盘20中与晶片载置面S相反侧的面(背面)。基体构件30在与各电极端子42对置的位置具有贯通孔32。基体构件30发挥将静电卡盘20进行冷却的作用，在内部形成有冷却水通路(未图示)。
端子组件40设置于绝缘套管50的内部，所述绝缘套管50插入至基体构件30的各贯通孔32中。各端子组件40是将卡盘侧端子44经由挠性的电缆46而与电极端子42连接而成的组件。电极端子42为金属(例如钼)制，如图2所示那样，具有圆盘部42a和圆柱状的凸部42b。圆盘部42a被钎焊于设置在静电卡盘20的陶瓷烧结体的凹孔，与连接至静电电极22的配线22a或连接至加热电极24的配线24a接合。凸部42b插入至绝缘管52的一端而被粘固。卡盘侧端子44为金属(例如铜)制的端子，如图2所示那样，具备管脚插孔(pin jack)部44a、凸部44b以及凹槽44c。管脚插孔部44a为圆柱体上设置了有底孔的阴型连接器。凸部44b为设置于管脚插孔部44a中与电极端子42对置一侧的圆柱状的突起，插入至绝缘管52的另一端而被粘固。凹槽44c以遍及管脚插孔部44a的外周面中靠近开口的位置的整周的方式设置。凹槽44c中嵌入有C字状的固定用环45。固定用环45由具有电绝缘性的材料，例如陶瓷材料、树脂材料等来形成。电缆46为金属(例如铜)制的捻线，是将多根细线捻合来形成。因此，电缆46如果沿压缩方向施加力，则中央附近膨胀而总长变短。电缆46在沿压缩方向施加力的状态下配置于电极端子42与卡盘侧端子44之间的间隙。另外，卡盘侧端子44相当于本发明的半导体制造装置侧端子。
绝缘套管50插入至基体构件30的贯通孔32中。绝缘套管50的外周面与贯通孔32的内周面通过粘接剂而粘固。如图2所示那样，绝缘套管50具有与贯通孔32的开口边缘卡定的凸缘50a。绝缘套管50的前端50b没有到达绝缘树脂构件60。这样的绝缘套管50由具有电绝缘性的材料，例如陶瓷材料、树脂材料等来形成。嵌入至卡盘侧端子44的凹槽44c的固定用环45通过粘接剂而粘固于绝缘套管50的开口边缘。
绝缘管52为热收缩管，沿轴向被压缩而成为中央附近膨胀的形状(桶状)。热收缩管的材料没有特别限定，可举出例如氯乙烯、硅橡胶、氟聚合物等。如图2所示那样，电极端子42的凸部42b插入至绝缘管52的一端，卡盘侧端子44的凸部44b插入至绝缘管52的另一端。绝缘管52的一端粘固于电极端子42的凸部42b的侧面，且另一端粘固于卡盘侧端子44的凸部44b的侧面，中央部被覆电缆46。
绝缘树脂构件60由例如有机硅树脂等来形成，被覆贯通孔32的底面和电极端子42中未被绝缘管52被覆的部分。本实施方式中，绝缘树脂构件60还将被覆电极端子42的凸部42b侧面的绝缘管52的外周面进行被覆。
接下来，对于半导体制造装置10的制造例进行说明。图3为半导体制造装置10的组装工序图。
首先，准备图3(A)所示的静电卡盘20。在该静电卡盘20的背面安装有端子组件40。端子组件40是卡盘侧端子44经由挠性的电缆46而组装于电极端子42的组件。该端子组件40的电极端子42的圆盘部42a以与配线22a(或配线24a)电连接的方式被钎焊。
接着，如图3(B)所示那样，将沿轴向和径向都能够伸缩的热收缩管54套在端子组件40的电缆46上。这里所使用的热收缩管54的内径与卡盘侧端子44的外径几乎为同等程度，且热收缩率在整个长度上是相同的。热收缩管54配置为：一端覆盖电极端子42的凸部42b，另一端覆盖卡盘侧端子44的凸部44b，中央部覆盖电缆46。在该状态下，使用未图示的热风枪(heat gun)，对热收缩管54中覆盖电极端子42的凸部42b的一端和覆盖卡盘侧端子44的凸部44b的另一端进行加热。
这样的话，如图3(C)所示那样，热收缩管54中覆盖电极端子42的凸部42b的一端和覆盖卡盘侧端子44的凸部44b的另一端因热而收缩，并紧密地粘固于凸部42b、44b。热处理后的热收缩管54成为绝缘管52。关于绝缘管52的两端是否紧密地粘固于凸部42b、44b；绝缘管52是否破损；对绝缘管52施加压缩方向的力时是否容易收缩等，操作者在这个阶段就能够通过检查绝缘管52的外观、收缩性而容易地进行研究。
接着，如图3(D)所示那样，对于静电卡盘20的背面粘贴基体构件30，然后，形成绝缘树脂构件60。具体而言，首先，在设置有贯通孔32的基体构件30中与静电卡盘20对置的面粘贴未图示的粘接片，在贯通孔32中插入带有绝缘管52的端子组件40，在该状态下将静电卡盘20与基体构件30进行粘接。然后，通过以覆盖电极端子42的露出面的方式，将绝缘树脂材料注入至贯通孔32的底面并进行固化，从而形成绝缘树脂构件60。此时，端子组件40的卡盘侧端子44从贯通孔32向外露出。
接着，如图3(E)所示那样，将绝缘套管50插入至贯通孔32。具体而言，将粘接剂涂布于绝缘套管50的外周面之后，插入绝缘套管50直至凸缘50a卡定于贯通孔32的开口边缘。此时，绝缘套管50的前端50b没有到达绝缘树脂构件60。因此，静电卡盘20不会因为绝缘套管50而受到从基体构件30离开的方向的力。此时，端子组件40的卡盘侧端子44从绝缘套管50向外露出。
然后，如图3(F)所示那样，将固定用环45嵌入卡盘侧端子44的凹槽44c，将卡盘侧端子44压入绝缘套管50的内部，利用粘接剂将固定用环45与绝缘套管50的凸缘50a进行粘接。此时，绝缘管52的内径比电缆46的外径大。因此，绝缘管52与电缆46能够彼此不影响而独立地弯曲。此外，绝缘管52为热收缩管，因此如果沿压缩方向施加力，则覆盖电缆46的中央部会弯曲而成为膨胀的形状(桶状)。因此，绝缘管52与电缆46不会接触，能够防止绝缘管52因电缆46而破损。此外，电缆46为将多根金属细线捻合而成的捻线，因此如果沿压缩方向施加力，则金属细线弯曲而中央附近成为膨胀的形状。这样操作，能够制造半导体制造装置10。
接下来，对于半导体制造装置10的使用例进行说明。将半导体制造装置10连接于与晶片的处理目的对应的处理装置80(参照图1，相当于本发明的其他装置)来使用。处理装置80中，在与半导体制造装置10的各卡盘侧端子44(阴型连接器)对置的位置设置有处理装置侧端子82(阳型连接器)。将半导体制造装置10连接于处理装置80时，在将基体构件30固定于未图示的支撑台的状态下，将相互面对的端子彼此进行连接。接着，将晶片载置于晶片载置台S上，对于静电电极22施加电压以使晶片吸附于晶片载置面S。然后，通过对于设置在与半导体制造装置10的晶片载置面S对置的位置上的未图示的喷头和基体构件30之间施加高频电压，从而产生等离子体以处理晶片载置面S上的晶片。此时，以晶片的温度成为预先设定的温度的方式进行控制。例如，当晶片的温度过低时，对加热电极24施加电压以使加热电极24发热，从而对晶片进行加热。另一方面，当晶片的温度过高时，不对加热电极24施加电压而通过基体构件30来冷却晶片。
在这样处理晶片时，有时对未图示的喷头与基体构件30之间施加大功率的高频电压。这里，半导体制造装置10具备绝缘管52。该绝缘管52的一端粘固于电极端子42的凸部42b，且另一端粘固于卡盘侧端子44的凸部44b。此外，电极端子42中未被绝缘管52被覆的部分由绝缘树脂构件60所被覆。即，电极端子42由绝缘管52和绝缘树脂构件60被覆，电缆46由绝缘管52被覆。因此，能够充分提高基体构件30与电极端子42之间、基体构件30与电缆46之间的耐电压。
根据以上详述的半导体制造装置10，即使对未图示的喷头与基体构件30之间施加大功率的高频电压，也能够防止基体构件30与电极端子42之间、基体构件30与电缆46之间的绝缘击穿。即，电极端子42由绝缘管52和绝缘树脂构件60被覆，电缆46由绝缘管52被覆。因此，即使绝缘套管50的前端50b没有到达被覆电极端子42的绝缘树脂构件60，也能够充分提高基体构件30与电极端子42之间、基体构件30与电缆46之间的耐电压。
此外，绝缘管52的内径比电缆46的外径大，因此绝缘管52与电缆46能够彼此不影响而独立地弯曲。因此，能够降低由绝缘管52和电缆46对于电极端子42的压力。
此外，绝缘管52中覆盖电缆46的中央部弯曲而成为膨胀的形状，因此绝缘管52与电缆46不会接触。因此，能够防止绝缘管52因电缆46而破损。
此外，作为绝缘管52使用的热收缩管54具有挠性，如果进行加热则收缩而直径变小，因此易于使其粘固于各端子42、44的凸部42b、44b。因此，热收缩管54适合用作绝缘管52。
进一步，由于使用热收缩管54作为绝缘管52，使用金属制的捻线作为电缆46，因此沿收缩方向施加力时，都成为膨胀的形状而整体的长度变短。因此，如图3(E)～图3(F)那样，将卡盘侧端子44压入至绝缘套管50的内部时，能够以较小的阻力来压入。
另外，本发明并不受上述实施方式的任何限定，不言而喻，只要属于本发明的技术范围，就能够以各种方式来实施。
例如，上述实施方式中，使用了将多根金属细线捻合而形成的捻线作为电缆46，但也可以使用螺旋形状或曲折形状的金属线。螺旋形状或曲折形状的金属线能够沿轴向伸缩，因此沿压缩方向受到力时，螺旋部分或曲折部分收缩而整体的长度变短。因此，这些金属线能够用作上述电缆46的替代品。
上述实施方式中，作为热收缩管54，使用内径与端子组件40的外径几乎相同，且热收缩率在整个长度上相同的热收缩管，仅对其一端和另一端进行加热而使其收缩，但也可以使用图4、图5所示的热收缩管154、254。
图4的热收缩管154的热收缩率在整个长度上相同，但与两端的内径相比中央部的内径大。如图4(A)所示那样，将该热收缩管154套在端子组件40的电缆46上。具体而言，以热收缩管154的一端覆盖电极端子42的凸部42b，另一端覆盖卡盘侧端子44的凸部44b，中央部覆盖电缆46的方式配置热收缩管154。在该状态下，对热收缩管154的整体进行加热。加热可以使用热风枪来进行，也可以放入至恒温槽中来进行。加热后，如图4(B)所示那样，热收缩管154的一端与另一端粘固于凸部42b、44b，但由于中央部的内径本来就大，因此与一端和另一端相比内径大。加热后的热收缩管154成为绝缘管152，经加热后也能够沿轴向弯曲。因此，从此之后的半导体制造装置10的组装工序能够与上述实施方式同样地进行。
图5的热收缩管254的内径在整个长度上相同(与卡盘侧端子44的外径几乎为同等程度)，且一端与另一端的热收缩率比中央部的热收缩率大。将该热收缩管254如图5(A)所示那样，套在端子组件40的电缆46上。具体而言，以热收缩管254的一端覆盖电极端子42的凸部42b，另一端覆盖卡盘侧端子44的凸部44b，中央部覆盖电缆46的方式配置热收缩管254。在该状态下，对热收缩管254的整体进行加热。加热可以使用热风枪来进行，也可以放入至恒温槽中来进行。加热后，如图5(B)所示那样，由于热收缩管254的一端与另一端的热收缩率大，因此粘固于凸部42b、44b，但由于中央部的热收缩率小，因此与一端和另一端相比内径大。加热后的热收缩管254成为加热绝缘管252，经加热后也能够沿轴向弯曲。因此，从此之后的半导体制造装置10的组装工序能够与上述实施方式同样地进行。
上述实施方式中，绝缘管52的中央部可以为波纹(褶皱)。这样的话，绝缘管52的褶皱部分容易沿轴向伸缩，因此从图3(E)至图3(F)的工序中，能够将绝缘套管更容易地压入。在该情况下，绝缘管52能够通过波纹这样的结构来确保伸缩性，因此对于材料本身并不要求伸缩性。
上述实施方式中，绝缘套管50的前端50b也可以如图6所示那样到达绝缘树脂构件60。这样的话，能够进一步提高基体构件30与电极端子42之间、基体构件30与电缆46之间的耐电压。
本申请以2018年3月23日申请的日本专利申请第2018-55519号作为优先权主张的基础，通过引用，将其全部内容包含于本说明书中。
产业上的可利用性
本发明能够用于半导体制造装置。
符号说明
10半导体制造装置，20静电卡盘，22静电电极，22a配线，24加热电极，24a配线，S晶片载置面，30基体构件，32贯通孔，40端子组件，42电极端子，42a圆板部，42b凸部，44卡盘侧端子，44a管脚插孔部，44b凸部，44c凹槽，45固定用环，46电缆，50绝缘套管，50a凸缘，50b前端，52绝缘管，54热收缩管，60绝缘树脂构件，80处理装置，82处理装置侧端子，152绝缘管，154热收缩管，252加热绝缘管，254热收缩管，310半导体制造装置，320静电卡盘，330基体构件，332贯通孔，342电极端子，344卡盘侧端子，345固定用环，346电缆，350绝缘套管，360绝缘树脂构件，380其他装置，382端子。
Claims (7)
1.一种半导体制造装置，具备：
陶瓷基板，其具有晶片载置面，且内置有电极；
金属制的基体构件，其粘固于所述陶瓷基板中与所述晶片载置面相反侧的面；
电极端子，其设置于所述陶瓷基板中与所述晶片载置面相反侧的面，且与所述电极连接；
贯通孔，其设置于所述基体构件中与所述电极端子对置的位置；
绝缘套管，其粘固于所述贯通孔的内周面；
半导体制造装置侧端子，其经由挠性的电缆与所述电极端子连接，且以配置于所述绝缘套管内的状态粘固于所述绝缘套管，并与其他装置的端子可装卸地连接；
挠性的绝缘管，其一端粘固于所述电极端子且另一端粘固于所述半导体制造装置侧端子，并被覆所述电缆；以及
绝缘树脂构件，其被覆所述电极端子中至少未被所述绝缘管被覆的部分。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，所述绝缘管的内径比所述电缆的外径大。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置，所述绝缘管的覆盖所述电缆的中央部弯曲而成为膨胀的形状。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体制造装置，所述绝缘套管的前端没有到达所述绝缘树脂构件。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体制造装置，所述绝缘管为热收缩管。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体制造装置，所述绝缘管由能够沿所述贯通孔的轴向伸缩的材料形成，或者形成为能够沿所述贯通孔的轴向伸缩的结构。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体制造装置，所述电缆为金属制的捻线。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-055519 | 2018-03-23 | ||
| JP2018055519 | 2018-03-23 | ||
| PCT/JP2019/009028 WO2019181525A1 (ja) | 2018-03-23 | 2019-03-07 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111868912A true CN111868912A (zh) | 2020-10-30 |
| CN111868912B CN111868912B (zh) | 2023-11-03 |
Family
ID=67986106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201980019242.6A Active CN111868912B (zh) | 2018-03-23 | 2019-03-07 | 半导体制造装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11257703B2 (zh) |
| JP (1) | JP7026778B2 (zh) |
| KR (1) | KR102433151B1 (zh) |
| CN (1) | CN111868912B (zh) |
| TW (1) | TWI799533B (zh) |
| WO (1) | WO2019181525A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114623635A (zh) * | 2021-05-17 | 2022-06-14 | 北京建筑大学 | 一种适用于正温环境的造雪机 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102441256B1 (ko) * | 2018-01-29 | 2022-09-07 | 교세라 가부시키가이샤 | 시료 유지구 |
| US11610799B2 (en) * | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1041668A (zh) * | 1988-09-30 | 1990-04-25 | 株式会社日立制作所 | 半导体组件及采用这种组件的计算机 |
| JPH07283280A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 接続装置およびその製造方法 |
| CN101043017A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | 静电吸盘 |
| JP2008098513A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック装置 |
| JP2013191626A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置及びその製法 |
| JP2015207765A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| CA2948616A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Tyco Electronics Corporation | Cover assemblies, kits and methods for covering electrical cables and connections |
| JP2016143795A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NZ332273A (en) | 1996-04-29 | 2000-04-28 | Procter & Gamble | Forced air convection oven process for finishing french fries |
| US6151203A (en) * | 1998-12-14 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Connectors for an electrostatic chuck and combination thereof |
| JP2010103321A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック装置 |
| JP3181603U (ja) | 2012-12-03 | 2013-02-14 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置 |
| JP6317183B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2018-04-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品 |
| JP6517754B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2019-05-22 | 日本碍子株式会社 | 配線基板接合体 |
-
2019
- 2019-03-07 WO PCT/JP2019/009028 patent/WO2019181525A1/ja active Application Filing
- 2019-03-07 KR KR1020207026712A patent/KR102433151B1/ko active IP Right Grant
- 2019-03-07 JP JP2020508179A patent/JP7026778B2/ja active Active
- 2019-03-07 CN CN201980019242.6A patent/CN111868912B/zh active Active
- 2019-03-13 TW TW108108400A patent/TWI799533B/zh active
-
2020
- 2020-09-16 US US17/022,396 patent/US11257703B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1041668A (zh) * | 1988-09-30 | 1990-04-25 | 株式会社日立制作所 | 半导体组件及采用这种组件的计算机 |
| JPH07283280A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 接続装置およびその製造方法 |
| CN101043017A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 日本碍子株式会社 | 静电吸盘 |
| JP2008098513A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 静電チャック装置 |
| JP2013191626A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Ngk Insulators Ltd | 半導体製造装置及びその製法 |
| JP2015207765A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-19 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
| CA2948616A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Tyco Electronics Corporation | Cover assemblies, kits and methods for covering electrical cables and connections |
| JP2016143795A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 静電チャック |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114623635A (zh) * | 2021-05-17 | 2022-06-14 | 北京建筑大学 | 一种适用于正温环境的造雪机 |
| CN114623635B (zh) * | 2021-05-17 | 2023-05-23 | 北京建筑大学 | 一种适用于正温环境的造雪机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7026778B2 (ja) | 2022-02-28 |
| US20200411357A1 (en) | 2020-12-31 |
| JPWO2019181525A1 (ja) | 2021-02-25 |
| KR20200121350A (ko) | 2020-10-23 |
| CN111868912B (zh) | 2023-11-03 |
| KR102433151B1 (ko) | 2022-08-16 |
| US11257703B2 (en) | 2022-02-22 |
| TWI799533B (zh) | 2023-04-21 |
| TW201941358A (zh) | 2019-10-16 |
| WO2019181525A1 (ja) | 2019-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11257703B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| US7560668B2 (en) | Substrate processing device | |
| US10147628B2 (en) | Electrostatic chuck and semiconductor-liquid crystal manufacturing apparatus | |
| KR101697721B1 (ko) | Hf 도체, 특히, 동축 케이블을 포함하는 단자 접속부 및 상기 단자 접속부를 제조하는 방법 | |
| TW201604989A (zh) | 靜電夾具與半導體液晶製造設備 | |
| EP2272078B1 (en) | Lamp and method of manufacturing a lamp | |
| JP3181603U (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2018530114A (ja) | コロナ点火システムのためのエアフリーキャップ端部設計 | |
| US20050197010A1 (en) | Safety plug | |
| KR20180034840A (ko) | 기판 지지 어셈블리 | |
| JP4174916B2 (ja) | 希ガス放電灯 | |
| WO2020044926A1 (ja) | 電力ケーブルの中間接続構造 | |
| US7445517B2 (en) | High voltage cable assembly with ARC protection | |
| JP2019221066A (ja) | ケーブル接続部 | |
| JP5124208B2 (ja) | 差込プラグ及びプラグ付電線ケーブル | |
| US20220013934A1 (en) | Cable connector for coaxial cable, coaxial cable assembly and manufacturing method thereof | |
| CN110447154B (zh) | 将保护套管热收缩到电连接部上的方法 | |
| JP2019525479A (ja) | 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー | |
| WO2021091807A1 (en) | Cable connector and cable assembly | |
| US20220124875A1 (en) | Wafer placement table | |
| US20150109749A1 (en) | Circuit board assembly, wire fixing device and wire fixing method | |
| WO2016154236A1 (en) | Corona suppression at materials interface through gluing of the components | |
| JP2023003539A (ja) | 保持部材 | |
| JP2005317369A (ja) | 導電弾性コネクタ | |
| JP2012038998A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |