JP2019525479A - 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー - Google Patents

接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー Download PDF

Info

Publication number
JP2019525479A
JP2019525479A JP2019506415A JP2019506415A JP2019525479A JP 2019525479 A JP2019525479 A JP 2019525479A JP 2019506415 A JP2019506415 A JP 2019506415A JP 2019506415 A JP2019506415 A JP 2019506415A JP 2019525479 A JP2019525479 A JP 2019525479A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ground
grounding
clamp
hollow
clamp unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019506415A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6911101B2 (ja
Inventor
ホ チョン、チョル
ホ チョン、チョル
ヨン チェ、ジン
ヨン チェ、ジン
ソン イ、チュ
ソン イ、チュ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mico Ltd
Original Assignee
Mico Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020160124546A external-priority patent/KR102559456B1/ko
Priority claimed from KR2020160005612U external-priority patent/KR20180000942U/ko
Application filed by Mico Ltd filed Critical Mico Ltd
Publication of JP2019525479A publication Critical patent/JP2019525479A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6911101B2 publication Critical patent/JP6911101B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

中空の形成された中空部材及び前記中空内に装着された接地ロードを接地する接地クランプユニットは、前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、前記中空内部で前記中空部材の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体に連結された弾性連結部と、前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する締結部と、を含む。これによって、接地クランプユニットが接地ロードと中空部材とを堅固に電気的に接続することができる。

Description

本発明は、接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリーに関し、より詳しくは、プラズマ反応チャンバ内に備えられて中空の形成された中空部材と、前記中空内に装着された接地ロードとを相互連結することで電気的に接地する接地クランプユニット及び前記接地クランプユニットを含む基板支持アセンブリーに関する。
電子回路及びディスプレイ製造において、半導体、誘電体及び電気伝導性材料を用いた薄膜が基板上に形成される。このような薄膜を形成する薄膜形成工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）、物理気相蒸着（ＰＶＤ）、イオン注入、酸化及び窒化プロセスによって形成され得る。その後、前記薄膜をプラズマに露出させ、前記薄膜をパターニングするパターニング工程が行われる。
前記薄膜蒸着工程またはパターニング工程を行うために、前記基板を基板処理チャンバ内のプラズマに露出させて基板上に薄膜を形成するか、基板上に形成された薄膜を部分的にエッチングするプラズマ処理装置が用いられる。
前記プラズマは、プロセスガスを通じてマイクロウエーブを通過させることで、またはプロセスガスにエネルギーを誘導的に若しくは容量的にカップリング（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｏｒｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｉｎｇ）することで形成することができる。
前記プラズマ処理装置は、工程チャンバ、前記工程チャンバの内部に配置され、前記基板を加熱しながら支持して接地端子を有する基板支持部と、前記接地端子と連結され、その下部へ延びた接地ロードと、前記基板支持部を前記工程チャンバにマウントするマウント部材と、前記接地ロードとマウント部材とを相互連結するクランプユニットと、を含む。
前記工程チャンバの内部にプラズマ状態が形成される。この際、前記ヒーティング支持部は、前記接地ロード、クランプユニット及び接地状態の工程チャンバに連結されたマウント部材によって電気的な接地状態を維持することができる。
特に、前記薄膜形成工程の効率を増大させるために、既存の１３．５６ＭＨｚの代わりに、２７．２ＭＨｚの周波数を有するプラズマパワーを使用することでプラズマの密度を増大させる工程が最近行われている。これによって、前記クランプユニットにアーク現象が発生してしまい、前記クランプユニットの破損が発生するという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の一目的は、アーク現象による接地ロードの破損を抑制することができる接地クランプユニットを提供することを目的とする。
また、本発明は、アーク現象による破損を抑制することができる接地クランプユニットを備えた基板支持アセンブリーを提供することを他の目的とする。
上記の課題を達成するため、本発明の実施例によれば、中空が形成された中空部材及び前記中空内に装着された接地ロードを接地する接地クランプユニットは、前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、前記中空内部で前記中空部材の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体に連結された弾性連結部と、前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する締結部と、を含む。
本発明の一実施例において、前記クランプ本体は、第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える第１クランパーと、前記第１クランパーと離隔して向い合うように備えられ、前記第１内面と向い合う第２内面に形成され、前記第１リセスと共に前記貫通溝を形成する第２リセスを備える第２クランパーと、を含み得る。ここで、前記第１及び第２クランパー各々の相互向い合う角部は面取りされ得る。
本発明の一実施例において、前記クランプ本体は、その表面に形成された酸化防止用コーティング層を含み得る。
本発明の一実施例において、前記中空は円柱形状に形成され、前記弾性連結部は前記中空部材の内側面に面接触し得る。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部と前記中空部材との間に面接触する接触面積は、前記中空の平面的を基準で０．２〜３．２％の範囲を有し得る。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部はＵ字形状を有し得る。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部は、前記クランプ本体の外面に接触する第１及び第２接触部と、前記第１及び第２接触部と連結され、前記中空部材と弾性的に接触して弧状を有するアーク部と、を含み得る。ここで、前記第１及び第２接触部とアーク部とは、一体に形成され得る。また、前記弾性連結部は、０．１〜１．０ｍｍ範囲の厚さを有し得る。
本発明の実施例による基板支持アセンブリーは、基板を支持し、プラズマの形成のための接地電極を備える基板支持部と、前記基板支持部をマウントするように備えられ、その内部に上下方向への中空が形成されたマウント部と、前記接地電極と電気的に接続し、前記中空内部に配置された接地ロードと、前記マウント部に形成された前記中空内に位置し、前記接地ロードの外周面を部分的にクランプし、前記マウント部と前記接地ロードとを電気的に接続することで前記接地ロードを電気的に接地する第１接地クランプユニットと、を含み、
前記第１接地クランプユニットは、前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、前記マウント部の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体と連結された弾性連結部と、前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する第１締結部と、を含み得る。
本発明の一実施例において、前記クランプ本体は、第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える第１クランパーと、前記第１クランパーと離隔して向い合うように備えられ、前記第１内面と向い合う第２内面に形成され、前記第１リセスと共に前記貫通溝を形成する第２リセスを備える第２クランパーと、を含み得る。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部は、前記中空を定義する前記マウント部の内側面に面接触し得る。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部は、前記クランプ本体の外面に接触する第１及び第２接触部と、前記第１及び第２接触部と連結され、前記マウント部と弾性的に接触して弧状を有するアーク部と、を含み得る。
本発明の一実施例において、前記基板支持部は、内部にヒータが形成され、基板と接触する支持プレートと、前記支持プレートの下部を支持し、前記接地ロードを部分的に囲むように備えられたヒータチューブと、を含み、
前記ヒータチューブ内に前記接地ロードの外周面を部分的にクランプし、前記第１接地クランプユニットと電気的に接続した第２接地クランプユニットと、前記第１及び第２接地クランプユニットを相互電気的に接続するクランプ接続部と、をさらに備え得る。
ここで、前記第２接地クランプユニットは、前記接地ロードの外郭部を囲むように傾いた貫通溝が備えられた第２クランプ本体と、前記傾いた貫通溝内において前記接地ロードの間に介在され、前記第２クランプ本体を前記接地ロードの間に固定するくさび部材と、前記くさび部材を前記第２クランプ本体に締結する第２締結部と、を含み得る。
このような接地クランプユニットによれば、中空部材の内部に形成された中空の内側と接触して接地ロードをクランプする接地クランプユニットが備えられることによって、前記接地ロードと中空部材とをより堅固に電気的に接地することができる。また、前記中空部材に形成された中空の内側壁に接地クランプユニットが面接触することによって、前記接地クランプユニットと中空部材との接触面積が増大する。
なお、前記中空部材の外部における接地クランプユニットと比較すれば、接地クランプユニットが前記中空の内部に備えられることで、接地クランプの配置によるアセンブリーの設計自由度の制限が抑制される。
本発明の一実施例による接地クランプユニットを説明するための断面図である。 図１の接地クランプユニットが接地ロードをクランプし、中空部材と接触する状態を示す断面図である。 図１の線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例による基板支持アセンブリーを説明するための断面図である。 図４に示した第２接地クランプユニットを説明するための断面図である。 図４に示した第１及び第２接地クランプユニットが相互連結された状態を示す図である。
上述の本発明の目的を達成するために、本発明の実施例によれば、中空の形成された中空部材及び前記中空内に装着された接地ロードを接地する接地クランプユニットは、前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、前記中空内部で前記中空部材の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体に連結された弾性連結部と、前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する締結部と、を含む。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例による接地クランプユニット及び基板支持アセンブリーについて詳しく説明する。本発明は多様に変更することができ、多様な形態を有することができるところ、特定の実施例を図面に例示して本文に詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態に限定することではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、乃至代替物を含むことを理解すべきである。各図面を説明において、類似の参照符号を類似の構成要素に対して付与した。添付の図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際よりも拡大して示した。
第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用することができるが、構成要素は用語によって限定されない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲から外れることなく、第１構成要素は第２構成要素と称され、同様に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。
なお、異なるものとして定義しない限り、技術的であるか科学的な用語を含めてここで用いられる全ての用語は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有している。一般的に用いられる辞典に定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有することと解釈すべきであり、本出願で明白に定義されない限り、理想的であるか過度に形式的な意味に解釈されない。
図１は、本発明の一実施例による接地クランプユニットを説明するための断面図である。図２は、図１の接地クランプユニットが接地ロードをクランプし、中空部材と接触する状態を示す断面図である。図３は、図１の線Ｉ−Ｉに沿って切断した断面図である。
図１〜図３を参照すれば、本発明の一実施例による接地クランプユニット１４０は、クランプ本体１４３、弾性連結部１４５及び締結部１４９を含む。前記接地クランプユニット１４０は、第１方向へ延びた中空の形成された中空部材１２０（図４参照）の中空内に備えられ、第１方向へ延びた接地ロード１３０の間を電気的に接続し得る。ここで、前記第１方向は、図１を貫通する方向であり得る。これによって、前記中空部材１２０が電気的に接地する場合、前記接地クランプユニット１４０を介して前記接地ロード１３０が接地されることが可能である。ここで、前記接地ロード１３０は、基板を支持する基板支持部（図示せず）と電気的に接続し、プラズマの形成時、基板支持部を接地し得る。
前記クランプ本体１４３は、前記接地ロード１３０の外郭部を囲むように貫通溝１４４を備える。また、前記クランプ本体１４３は、電気的伝導性を有することで、前記接地ロード１３０と中空部材１２０とを電気的に接続することができる。
前記接地ロード１３０が円柱形状を有する場合、前記貫通溝１４４は、前記接地ロード１３０に対応する円柱形状を有し得る。これによって、前記クランプ本体１４３は、前記接地ロード１３０と面接触することで、前記接地ロード１３０をより堅固にクランプすることができる。
前記弾性連結部１４５は、前記クランプ本体１４３に連結される。また、前記弾性連結部１４５は、前記中空部材１２０の内側面１２５に弾性的に接触する。これによって、前記弾性連結部１４５が前記クランプ本体１４３と前記中空部材１２０とを相互電気的に接続することができる。これによって、前記中空部材１２０が、前記弾性連結部１４５及び前記クランプ本体１４３を経て前記接地ロード１３０と電気的に接続できる。結果的に、前記接地クランプユニット１４０が前記中空部材１２０の内部に備えられ、相互電気的に接続することで、前記接地ロード１３０を電気的に接地することができる。
前記弾性連結部１４５は、薄板形状を有し得る。また、前記弾性連結部１４５は、弧状であり得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、前記接地ロード１３０と面接触することで、前記接地ロード１３０の接触面積を増大させることができる。
一方、前記中空部材１２０の外部に前記接地ロード１３０を接地するための別の接地クランプユニット（図示せず）が備えられる場合、前記接地クランプユニットのための締結空間が不足となり得る。これに対し、本発明のように、中空部材１２０の内部に形成された中空内に接地クランプユニット１４０を備えるようにすることで、前記接地ロード１３０及び中空部材１２０の設計自由度を改善することができる。
前記締結部１４９は、前記弾性連結部１４５を前記クランプ本体１４３に締結する。前記締結部１４９は、例えば、ボルト締結方式によって前記弾性連結部１４５を前記クランプ本体１４３に締結し得る。
本発明の一実施例によるクランプ本体１４３は、相互離隔して分離した第１クランパー１４１及び第２クランパー１４２を含み得る。前記第１クランパー１４１及び第２クランパー１４２は、約０．３ｍｍの離隔距離を有し得る。
前記第１クランパー１４１は、第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える。また、前記第２クランパー１４２は、前記第１クランパー１４１と離隔して向い合うように備えられる。前記第２クランパー１４２は、前記第１内面と向い合う第２内面に形成され、前記第１リセスと共に前記貫通溝１４４を形成する第２リセスを備える。この際、前記締結部１４９は、前記第１及び第２クランパー１４１、１４２を備えるクランプ本体１４３と、弾性連結部１４５とを相互締結し得る。
一体型のクランプ本体に形成された貫通溝に隣接して相対的に薄い厚さを有する貫通溝隣接部が、プラズマに露出して損傷し得ることと比較すれば、前記クランプ本体１４３が前記第１及び第２クランパー１４１、１４２に分離した分離型として備えられることで、前記プラズマへの露出による損傷を抑制することができる。
また、前記第１及び第２クランパー１４１、１４２が相互向い合う角部位がラウンド形状を有するように形成され得る。これによって、前記プラズマが前記角部位へのプラズマの集中現象を抑制することができる。
本発明の実施例において、前記弾性連結部１４５は、前記中空部材１２０の内側面１２５、即ち、前記中空を定義する中空領域の内側面１２５と面接触できる。これによって、前記弾性連結部１４５と、前記中空部材１２０の内側面１２５との接触面積が増大することで、前記接地クランプユニット１４０の接地特性を改善することができる。例えば、前記接触面積は、前記中空部材１２０に形成された中空の平面積に対し、２．０〜３．２％範囲の面積割合に調節され得る。
例えば、前記弾性連結部１４５の前記第１方向による長さによって前記面積割合を調節してもよい。または、前記弾性連結部１４５がなす弧の長さまたは前記弾性連結部１４５の弾性力を調節することで前記面積割合を調節してもよい。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部１４５は、第１及び第２接触部１４６、１４７とアーク部１４８と、を含み得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、Ｕ字形状を有することができる。
前記第１及び第２接触部１４６、１４７は、前記クランプ本体１４３の外面に接触する。即ち、前記第１接触部１４６は、前記第１クランパー１４１の外面に接触する一方、前記第２接触部１４７は、前記第２クランパー１４２の外面に接触する。
前記アーク部１４８は、前記第１及び第２接触部１４６、１４７と連結される。前記アーク部１４８は、前記第１及び第２接触部１４６、１４７の端部各々から延び得る。
前記アーク部１４８は、前記中空部材１２０の内側面と弾性的に接触してアーク形状を有し得る。これによって、前記弾性連結部１４５が前記中空部材１２０の内側面１２５と安定的に面接触可能となる。
ここで、前記第１及び第２接触部１４６、１４７とアーク部１４８とは、一体に形成され得る。また、前記弾性連結部１４５は、０．１〜１．０ｍｍ範囲の厚さを有し得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、０．１ｍｍ未満の厚さを有する場合、そのものの耐久性が悪くなる一方、１．０ｍｍ超過の厚さを有する場合、前記弾性連結部１４５の復元力が高すぎて前記接地クランプユニット１４０が前記接地ロード１３０へ過度に高い圧力を加え得る。
本発明の一実施例において、前記クランプ本体１４３は、その表面に酸化防止用コーティング層を含む。例えば、前記第１クランパー１４１は、ボディ部１４１ａと、前記ボディ部１４１ａの表面に形成された酸化防止用コーティング層１４１ｂと、を含み得る。これによって、前記クランプ本体１４３の表面における酸化反応を抑制することで、前記クランプ本体１４３の耐久性を改善することができる。即ち、前記クランプ本体のボディ部１４１ａが、ベリリウム、銅などからなる場合、前記酸化防止用コーティング層１４１ｂは、金、銀またはこれらの合金などからなるものであり得る。
図４は、本発明の一実施例による基板支持アセンブリーを説明するための断面図である。
図４を参照すれば、本発明の一実施例による基板支持アセンブリー１００は、基板支持部１１０、マウント部１２０、接地ロード１３０及び第１接地クランプユニット１４０を含む。前記基板支持アセンブリー１００は、プラズマ工程のための処理領域を提供する工程チャンバ（図示せず）内に配置される。前記基板支持アセンブリー１００は、その上部に基板を支持した状態で、前記処理領域内に形成されたプラズマを用いて基板に薄膜を形成するか、前記薄膜を部分的にエッチングして薄膜パターンを形成し得る。
前記基板支持部１１０は、基板を支持する。例えば、前記基板支持部１１０は、その上部に平坦面を備えることで、前記平坦面の上に基板を支持し得る。前記基板支持部１１０は、前記プラズマ状態を形成するために接地電極１１３を備える支持プレート１１１を含む。
また、前記支持プレート１１１は、その内部に発熱コイルのような発熱体１１５を備える。これによって、前記基板支持部１１０は、その上部に配置された基板の温度を調節することができる。
また、前記基板支持部１１０は、前記支持プレート１１１の下部を支持するヒータチューブ１１７をさらに含み得る。前記ヒータチューブ１１７は、セラミック材質からなることで、耐熱性及び耐プラズマ性を有することができる。前記ヒータチューブ１１７は、チューブ形状を有し得る。
前記マウント部１２０は、前記基板支持部１１０をマウントできるように備えられる。また、前記マウント部１２０は、半導体製造装置、例えば、工程チャンバに基板支持アセンブリー１００を取り付けるための一部分であり得る。
例えば、前記マウント部１２０は、前記ヒータチューブ１１７と締結され得る。前記マウント部１２０は、その内部に上下方向への中空１２５が形成され得る。前記マウント部１２０は、前記工程チャンバと連結される。これによって、前記マウント部１２０が前記工程チャンバと電気的に接続することで、前記工程チャンバが基準電位を有する場合、前記マウント部１２０または基準電位（接地電位）を有することができる。
前記接地ロード１３０は、前記マウント部１２０に形成された中空１２５の内部に配置される。即ち、前記接地ロード１３０は、上下方向へ延びる。また、前記接地ロード１３０は、前記接地電極１１３と電気的に接続する。前記接地ロード１３０は、前記基板支持部１１０、即ち、接地電極１１３と電気的に接続する。前記接地ロード１３０は、円柱形状を有し得る。
前記第１接地クランプユニット１４０は、前記中空１２５内に配置される。前記第１接地クランプユニット１４０は、前記接地ロード１３０の外周面を部分的にクランプする。また、前記第１接地クランプユニット１４０は、前記マウント部１２０と前記接地ロード１３０とを電気的に接続する。これによって、前記第１接地クランプユニット１４０を経て前記マウント部１２０と前記接地ロード１３０とが電気的に接地可能となる。
図１及び図４を参照すれば、前記第１接地クランプユニット１４０は、クランプ本体１４３、弾性連結部１４５及び第１締結部１４９を含む。前記第１接地クランプユニット１４０は、マウント部１２０の中空１２５内に備えられる。前記第１接地クランプユニット１４０は、前記接地ロード１３０とマウント部１２０とを電気的に接続できる。これによって、前記マウント部１２０が電気的に接地する場合、前記第１接地クランプユニット１４０を介して前記接地ロード１３０が接地できる。結果的に、前記接地ロード１３０が電気的に接続した基板支持部１１０、特に接地電極１１３と電気的に接続し、プラズマの形成時、基板支持部１１０が接地できる。
前記クランプ本体１４３には、前記接地ロード１３０の外郭部を囲むように貫通溝が備えられる。
前記接地ロード１３０が円柱形状を有する場合、前記貫通溝は、前記接地ロード１３０に対応する円柱形状を有し得る。これによって、前記クランプ本体１４３は、前記接地ロード１３０に面接触することで、前記クランプ本体１４３は、前記接地ロード１３０をより堅固にクランプすることができる。
前記弾性連結部１４５は、前記クランプ本体１４３に連結される。また、前記弾性連結部１４５は、前記マウント部１２０に形成された中空１２５の内側面に弾性的に接触する。これによって、前記弾性連結部１４５が前記クランプ本体１４３と前記マウント部１２０とを相互電気的に接続することができる。
したがって、前記マウント部１２０が前記弾性連結部１４５及び前記クランプ本体１４３を経て前記接地ロード１３０と電気的に接続できる。結果的に、前記第１接地クランプユニット１４０が前記マウント部１２０の内部に備えられ、相互電気的に接続することで、前記接地ロード１３０を電気的に接地することができる。
前記弾性連結部１４５は、薄板形状を有し得る。また、前記弾性連結部１４５は、弧状を有し得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、前記接地ロード１３０と面接触することで、前記接地ロード１３０の接触面積を増大させることができる。
一方、前記マウント部１２０の中空以外の外部に、前記接地ロード１３０を接地するための別の接地クランプユニット（図示せず）が備えられる場合、前記接地クランプユニットのための締結空間が不足となり得る。これに対し、本発明のようにマウント部１２０の内部に形成された中空１２５内に第１接地クランプユニット１４０を備えるようにすることで、前記接地ロード１３０及びマウント部１２０の設計自由度を改善することができる。
前記第１締結部１４９は、前記弾性連結部１４５を前記クランプ本体１４３に締結する。前記第１締結部１４９は、例えば、ボルト締結方式で前記弾性連結部１４５を前記クランプ本体１４３に締結し得る。
本発明の一実施例によるクランプ本体１４３は、相互離隔して分離した第１クランパー１４１及び第２クランパー１４２を含み得る。前記第１クランパー１４１及び第２クランパー１４２は、約０．３ｍｍの隔離距離を有し得る。
前記第１クランパー１４１は、第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える。前記第１リセスは、前記第２クランパーに向ける前記第１内面上に形成される。前記第１リセスは、前記接地ロード１３０の外周面の形状に部分的に対応する形状を有し得る。例えば、前記接地ロード１３０が円柱形状を有する場合、前記第１リセスは半円柱形状を有し得る。これによって、前記第１リセスは、前記接地ロード１３０を部分的に囲むことができる。
また、前記第２クランパー１４２は、前記第１クランパー１４１と離隔して向い合うように備えられる。前記第２クランパー１４２は、前記第１内面と向い合う第２内面に形成された第２リセスを備える。前記第２リセスは、前記第１リセスと共に前記貫通溝を形成する。これによって、前記貫通溝には、前記接地ロード１３０が貫通可能となる。
この際、前記第１締結部１４９は、前記第１及び第２クランパー１４１、１４２と弾性連結部１４５とを相互締結し得る。
これによって、前記クランプ本体１４３が前記第１及び第２クランパー１４１、１４２に分離した分離型として備えられることで、一体型のクランプ本体に形成された貫通溝に隣接して相対的に薄い厚さを有する部位がプラズマに露出して損傷することを抑制することができる。
また、前記第１及び第２クランパー１４１、１４２が相互向い合う角部位がラウンド形状を有するように形成され得る。これによって、前記角部位へのプラズマの集中現象を抑制することができる。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部１４５は、前記マウント部１２０の内側面、即ち、前記中空１２５を定義する中空領域の内側面と面接触できる。これによって、前記弾性連結部１４５と前記マウント部１２０の内側面との接触面積が増大することで、前記第１接地クランプユニット１４０の接地特性が改善される。例えば、前記接触面積は、前記マウント部１２０に形成された中空１２５の平面積に対し、約２．０〜３．２％範囲の面積割合に調節され得る。
例えば、前記弾性連結部１４５の前記第１方向による長さによって前記面積割合を調節してもよい。または、前記弾性連結部１４５がなす弧の長さまたは前記弾性連結部１４５の弾性力を調節することで、前記面積割合を調節してもよい。
本発明の一実施例において、前記弾性連結部１４５は、第１及び第２接触部１４６、１４７とアーク部１４８とを含み得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、Ｕ字形状を有することができる。
前記第１及び第２接触部１４６、１４７は、前記クランプ本体１４３の外面、例えば、第１及び第２クランパー１４１、１４２の外面に接触する。前記アーク部１４８は、前記第１及び第２接触部１４６、１４７と連結され、前記マウント部１２０の内側面と弾性的に接触して弧状を有し得る。これによって、前記弾性連結部１４５が前記マウント部１２０の内側面と安定的に面接触できる。
ここで、前記第１及び第２接触部１４６、１４７とアーク部１４８とは、一体に形成され得る。また、前記弾性連結部１４５は、０．１〜１．０ｍｍ範囲の厚さを有し得る。これによって、前記弾性連結部１４５は、０．１ｍｍ未満の厚さを有する場合、そのものの耐久性が悪くなる一方、１．０ｍｍ超過の厚さを有する場合、前記弾性連結部１４５の復元力が高すぎて前記第１接地クランプユニット１４０が前記接地ロード１３０に対して高すぎる圧力を加え得る。
図５は、図４に示した第２接地クランプユニットを説明するための断面図である。図６は、図４に示した第１及び第２接地クランプユニットが相互連結された状態を示す図である。
図５及び図６を参照すれば、前記基板支持アセンブリー１００は、第２接地クランプユニット１８０及びクランプ連結部１９０をさらに含み得る。
前記第２接地クランプユニット１８０は、前記ヒータチューブ１１７内に配置される。前記第２接地クランプユニット１８０は、前記接地ロード１３０の外周面を部分的にクランプし得る。
前記クランプ連結部１９０は、前記第１及び第２接地クランプユニット１４０、１８０を相互電気的に接続する。前記クランプ連結部１９０は、プレート形状を有し得る。前記接地ロード１３０は、第１及び第２接地クランプユニット１４０、１８０を用いて複数の位置でクランプされる。したがって、前記接地ロードの強度を改善することができる。
また、前記クランプ連結部１９０が前記第１及び第２接地クランプユニット１４０、１８０を相互電気的に接続する。したがって、接地ロード１３０には、複数の位置で接地ノード（ｎｏｄｅｓ）が形成される。結果的に、接地ロード１３０をより安定的に接地することができる。
図５を参照すれば、前記第２接地クランプユニット１８０は、第２クランプ本体１８３、くさび部材１８５及び第２締結部１８９を含み得る。
前記クランプ本体１８３には、前記接地ロード１３０の外郭部を囲むように傾いた貫通溝をなす傾斜内壁が備えられる。前記くさび部材１８５は、前記傾いた貫通溝内における前記接地ロード１３０の間に介在され、前記第２クランプ本体１８３を前記接地ロード１３０の間に固定する。
また、前記第２締結部材１８９は、前記くさび部材１８５を前記第２クランプ本体１８３に締結する。前記第２締結部材１８９の例には、ボルトが挙げられる。
前記第２接地クランプユニット１８０は、ヒートチューブ１１７の内部で前記接地ロード１３０に締結される。これによって、前記第２接地クランプユニット１８０は、ヒートチューブ１１７内に上下方向へ移動しながら前記接地ロード１３０に締結される。したがって、前記締結部材１８９及び前記くさび部材１８５が相互垂直方向に締結されるとき、前記くさび部材１８５が前記接地ロード１３０の外壁及び前記クランプ本体１８３の傾斜内壁の間に引き入られて面接触する。これによって、締結部材１８９が上下方向へ前記くさび部材１８５に締結されて前記くさび部材１８５を加圧することで、前記第２接地クランプユニット１８０が前記接地ロード１３０をより堅固に固定することができる。
また、図４を参照すれば、基板支持アセンブリー１００は、第３接地クランプユニット１６０をさらに含み得る。前記第３接地クランプユニット１６０は、前記接地ロード１３０の下端部をクランプするように備えられ得る。また、前記第３接地クランプユニット１６０は、前記マウント部１２０の外郭で前記マウント部１２０と電気的に接続し得る。
既存は、１３．５６ＭＨｚの周波数電源を用いるプラズマ装置は、第３接地クランプユニット１６０のみが存在する構造を有することによって、既存のプラズマ装置に第３接地クランプユニット１６０を装着するために空間が限定されるという問題があった。これに対し、本発明の実施例において、第１接地クランプユニット１４０がマウント部１２０内に形成された中空内に位置することから、前記空間制約の問題を解決することができる。また、プラズマ装置の電源周波数が高くなることによって第３接地クランプユニット１６０が追加的に要求される場合、第３接地クランプユニット１６０が前記マウント部１２０の外郭で前記接地ロード１３０の下端部をクランプするように選択的に具備され得る。
本発明の実施例による接地クランプユニットは、プラズマを用いるエッチング装置またはプラズマを用いた蒸着装置などに適用可能である。また、基板支持アセンブリーは、プラズマを用いて基板上に薄膜を形成するか、または前記薄膜を部分的にエッチングしてパターニングするプラズマ処理装置に適用することができる。
以上、本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、本発明の技術分野における熟練した当業者が下記の特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び領域から脱しない範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。

Claims (16)

  1. 中空が形成された中空部材及び前記中空内に装着された接地ロードを接地する接地クランプユニットであって、
    前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、
    前記中空内部で前記中空部材の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体に連結された弾性連結部と、
    前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する締結部と、を含む接地クランプユニット。
  2. 前記クランプ本体が、
    第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える第１クランパーと、
    前記第１クランパーと離隔して向い合うように備えられ、前記第１内面と向い合う第２内面に形成され、前記第１リセスと共に前記貫通溝を形成する第２リセスを備える第２クランパーと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  3. 前記第１及び第２クランパー各々の相互向い合う角部が面取りされたことを特徴とする請求項２に記載の接地クランプユニット。
  4. 前記クランプ本体が、その表面に形成された酸化防止用コーティング層を含むことを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  5. 前記中空が円柱形状に形成され、前記弾性連結部が前記中空部材の内側面に面接触することを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  6. 前記弾性連結部と前記中空部材との間に面接触する接触面積が、前記中空の平面的を基準で０．２〜３．２％の範囲を有することを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  7. 前記弾性連結部が、Ｕ字形状を有することを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  8. 前記弾性連結部が、
    前記クランプ本体の外面に接触する第１及び第２接触部と、
    前記第１及び第２接触部と連結され、前記中空部材と弾性的に接触して弧状を有するアーク部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の接地クランプユニット。
  9. 前記第１及び第２接触部とアーク部とが、一体に形成されることを特徴とする請求項８に記載の接地クランプユニット。
  10. 前記弾性連結部が、０．１〜１．０ｍｍ範囲の厚さを有することを特徴とする請求項９に記載の接地クランプユニット。
  11. 基板を支持し、プラズマの形成のための接地電極を備える基板支持部と、
    前記基板支持部をマウントするように備えられ、その内部に上下方向への中空が形成されたマウント部と、
    前記接地電極と電気的に接続し、前記中空内部に配置された接地ロードと、
    前記マウント部に形成された前記中空内に位置し、前記接地ロードの外周面を部分的にクランプし、前記マウント部と前記接地ロードとを電気的に接続することで前記接地ロードを電気的に接地する第１接地クランプユニットと、を含み、
    前記第１接地クランプユニットが、
    前記接地ロードの外郭部を囲むように貫通溝が備えられたクランプ本体と、
    前記マウント部の内側に弾性的に接触し、前記クランプ本体と連結された弾性連結部と、
    前記クランプ本体に前記弾性連結部を締結する第１締結部と、を含むことを特徴とする基板支持アセンブリー。
  12. 前記クランプ本体が、
    第１内面に第１方向へ延びた第１リセスを備える第１クランパーと、
    前記第１クランパーと離隔して向い合うように備えられ、前記第１内面と向い合う第２内面に形成され、前記第１リセスと共に前記貫通溝を形成する第２リセスを備える第２クランパーと、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板支持アセンブリー。
  13. 前記弾性連結部が、前記中空を定義する前記マウント部の内側面に面接触することを特徴とする請求項１１に記載の基板支持アセンブリー。
  14. 前記弾性連結部が、
    前記クランプ本体の外面に接触する第１及び第２接触部と、
    前記第１及び第２接触部と連結され、前記マウント部と弾性的に接触して弧状を有するアーク部と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板支持アセンブリー。
  15. 前記基板支持部は、内部にヒータが形成され、基板と接触する支持プレートと、前記支持プレートの下部を支持し、前記接地ロードを部分的に囲むように備えられたヒータチューブと、を含み、
    前記ヒータチューブ内に前記接地ロードの外周面を部分的にクランプし、前記第１接地クランプユニットと電気的に接続した第２接地クランプユニットと、前記第１及び第２接地クランプユニットを相互電気的に接続するクランプ接続部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板支持アセンブリー。
  16. 前記第２接地クランプユニットが、
    前記接地ロードの外郭部を囲むように傾いた貫通溝が備えられた第２クランプ本体と、
    前記傾いた貫通溝内において前記接地ロードの間に介在され、前記第２クランプ本体を前記接地ロードの間に固定するくさび部材と、
    前記くさび部材を前記第２クランプ本体に締結する第２締結部と、を含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板支持アセンブリー。
JP2019506415A 2016-09-28 2017-09-05 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー Active JP6911101B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160124546A KR102559456B1 (ko) 2016-09-28 2016-09-28 기판 지지 어셈블리
KR20-2016-0005612 2016-09-28
KR10-2016-0124546 2016-09-28
KR2020160005612U KR20180000942U (ko) 2016-09-28 2016-09-28 접지 클램핑 유닛
PCT/KR2017/009729 WO2018062710A1 (ko) 2016-09-28 2017-09-05 접지 클램핑 유닛 및 이를 포함하는 기판 지지 어셈블리

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019525479A true JP2019525479A (ja) 2019-09-05
JP6911101B2 JP6911101B2 (ja) 2021-07-28

Family

ID=61762947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019506415A Active JP6911101B2 (ja) 2016-09-28 2017-09-05 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6911101B2 (ja)
CN (1) CN109690729B (ja)
WO (1) WO2018062710A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209900B1 (ja) 2020-12-31 2023-01-20 ミコ セラミックス リミテッド セラミックサセプター

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493096Y1 (ja) * 1969-04-08 1974-01-25
JPS5169812A (ja) * 1974-12-12 1976-06-16 Sanwa Tekki Corp Denshasensetsuzokuyokonekuta
JPS5190094U (ja) * 1975-01-16 1976-07-19
JPS5277104U (ja) * 1975-12-05 1977-06-09
JPH06143153A (ja) * 1992-10-30 1994-05-24 Yunitaito Kogyo Kk クランプ
JPH06333879A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2005175368A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置
JP3122915U (ja) * 2005-11-23 2006-06-29 セレテック セミコンダクター インコーポレイテッド 高周波接地装置
JP2006352114A (ja) * 2005-06-03 2006-12-28 Applied Materials Inc 電気コネクタをクランプする基板支持体
JP2008038248A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd プラズマ処理装置
KR20090011625A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 코미코 접지 구조물, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 박막 형성 장치
JP2012028682A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法
JP2012517076A (ja) * 2009-02-04 2012-07-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマプロセスのためのグラウンドリターン
KR20140087149A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM292242U (en) * 2005-11-23 2006-06-11 Celetech Semiconductor Inc Radio frequency grounding rod
KR100933432B1 (ko) * 2007-10-25 2009-12-23 주식회사 코미코 연결 부재, 이를 갖는 접지 구조물, 히터 및 기판 가공장치
KR101415552B1 (ko) * 2009-12-21 2014-07-07 주식회사 미코 접지구조물, 이를 구비하는 히터 및 화학기상 증착장치
KR101208700B1 (ko) * 2012-06-25 2012-12-06 (주)보부하이테크 접지용 스트랩을 구비한 세라믹 히터
WO2014159367A1 (en) * 2013-03-14 2014-10-02 The Timken Company Rotating vacuum chamber coupling assembly

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493096Y1 (ja) * 1969-04-08 1974-01-25
JPS5169812A (ja) * 1974-12-12 1976-06-16 Sanwa Tekki Corp Denshasensetsuzokuyokonekuta
JPS5190094U (ja) * 1975-01-16 1976-07-19
JPS5277104U (ja) * 1975-12-05 1977-06-09
JPH06143153A (ja) * 1992-10-30 1994-05-24 Yunitaito Kogyo Kk クランプ
JPH06333879A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2005175368A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置
JP2006352114A (ja) * 2005-06-03 2006-12-28 Applied Materials Inc 電気コネクタをクランプする基板支持体
JP3122915U (ja) * 2005-11-23 2006-06-29 セレテック セミコンダクター インコーポレイテッド 高周波接地装置
JP2008038248A (ja) * 2006-07-12 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd プラズマ処理装置
KR20090011625A (ko) * 2007-07-27 2009-02-02 주식회사 코미코 접지 구조물, 이를 갖는 기판 지지 유닛 및 박막 형성 장치
JP2012517076A (ja) * 2009-02-04 2012-07-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマプロセスのためのグラウンドリターン
JP2012028682A (ja) * 2010-07-27 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp プラズマ装置およびこれを用いた半導体薄膜の製造方法
KR20140087149A (ko) * 2012-12-28 2014-07-09 주식회사 원익아이피에스 기판 지지 장치 및 기판 처리 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7209900B1 (ja) 2020-12-31 2023-01-20 ミコ セラミックス リミテッド セラミックサセプター
JP2023505416A (ja) * 2020-12-31 2023-02-09 ミコ セラミックス リミテッド セラミックサセプター
US11955320B2 (en) 2020-12-31 2024-04-09 Mico Ceramics Ltd. Ceramic susceptor

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018062710A1 (ko) 2018-04-05
CN109690729A (zh) 2019-04-26
JP6911101B2 (ja) 2021-07-28
CN109690729B (zh) 2021-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101950330B1 (ko) 대칭적 피드 구조를 갖는 기판 지지체
CN108376635B (zh) 晶圆支承台
JP6292977B2 (ja) 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
KR20140097312A (ko) Ｒｆ 접지의 신뢰성을 개선하기 위한 장치 및 방법들
JP6424049B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102166737B1 (ko) 정전 척 및 반도체·액정 제조 장치
TW201735215A (zh) 靜電卡盤機構以及半導體加工裝置
US10497597B2 (en) Electrostatic chuck assembly and substrate processing apparatus including the same
JP2018170508A (ja) 静電チャック
JP6475031B2 (ja) 静電チャック
KR100734954B1 (ko) 피씨비로 이루어진 유도결합형 플라즈마 발생장치용 안테나
JP3122768U (ja) 高周波接地棒
JP6317183B2 (ja) 半導体製造装置用部品
KR102559456B1 (ko) 기판 지지 어셈블리
JP2019525479A (ja) 接地クランプユニット及びこれを含む基板支持アセンブリー
KR20070069463A (ko) 정전척 및 히터
KR200420693Y1 (ko) 무선주파수 접지 장치
KR101897394B1 (ko) 진공 장치
CN112736522B (zh) 应用于真空腔室中的电连接件、静电卡盘和半导体设备
US20070113785A1 (en) Radio frequency grounding apparatus
KR200423373Y1 (ko) 무선주파수 접지봉
KR20180000942U (ko) 접지 클램핑 유닛
KR100963481B1 (ko) 접지 구조물, 이를 갖는 히터 및 화학기상증착장치
JP2010232419A (ja) 静電チャック用給電コネクタおよびこれを用いた静電チャック装置
JP2019040939A (ja) ウエハ載置台

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200410

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20200527

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201006

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201223

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210629

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6911101

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150