KR102166737B1 - 정전 척 및 반도체·액정 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 정전 척에 있어서, 내부에서의 방전의 발생을 방지하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 관통 구멍(12)을 구비한 베이스 플레이트(10)와, 관통 구멍(12)의 상단으로부터 돌출하는 돌출부(P)를 구비하며, 관통 구멍(12)에 삽입된 통 형상 절연 부품(20)과, 베이스 플레이트(10)의 위에 배치된 재치대(40)와, 재치대(40)의 하면에 형성되며, 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 감입된 리세스부(D)와, 재치대(40)의 리세스부(D)에 형성된 오목부(C)와, 재치대(40)의 오목부(C)에 형성된 전극(E)과, 통 형상 절연 부품(20)의 내부에 배치되며, 전극(E)에 접속된 급전 단자(T)를 포함하는 정전 척을 제공한다.

Description

정전 척 및 반도체·액정 제조 장치{ELECTROSTATIC CHUCK AND SEMICONDUCTOR-LIQUID CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은, 웨이퍼 등을 흡착하는 기구에 사용되는 정전 척 및 그것을 구비한 반도체·액정 제조 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 프로세스 등에서 사용되는 드라이 에칭 장치 등의 반도체 제조 장치에서는, 웨이퍼 처리 시의 웨이퍼 온도를 제어하기 위하여 웨이퍼를 정전 흡착해서 재치(載置)하는 정전 척이 설치되어 있다.
일본국 특개2008-47657호 공보 일본국 특개2013-229464호 공보
후술하는 예비적 사항의 란에서 설명하는 바와 같이, 정전 척의 재치대(載置臺)는, 세라믹스로 형성되기 때문에, 전극이 배치되는 오목부의 위치 정밀도를 충분히 확보할 수 없다.
이 때문에, 재치대의 오목부가 베이스 플레이트의 관통 구멍의 중심으로부터 어긋나게 배치되면, 급전 단자 또는 재치대의 전극과 베이스 플레이트의 거리가 가까워져, 방전이 발생하기 쉬운 과제가 있다.
정전 척 및 그것을 구비한 반도체·액정 제조 장치에 있어서, 내부에서의 방전의 발생을 방지하는 것을 목적으로 한다.
이하의 개시의 일 관점에 따르면, 관통 구멍을 구비한 베이스 플레이트와, 상기 관통 구멍의 상단으로부터 돌출하는 돌출부를 구비하며, 상기 관통 구멍에 삽입된 통(筒) 형상 절연 부품과, 상기 베이스 플레이트의 위에 배치된 재치대와, 상기 재치대의 하면에 형성되며, 상기 통 형상 절연 부품의 돌출부가 감입(嵌入)된 리세스부와, 상기 재치대의 리세스부에 형성된 오목부와, 상기 재치대의 오목부에 형성된 전극과, 상기 통 형상 절연 부품의 내부에 배치되며, 상기 전극에 접속된 급전 단자를 갖는 정전 척이 제공된다.
또한, 그 개시의 다른 관점에 따르면, 챔버와, 상기 챔버에 부착된 정전 척을 구비하고, 상기 정전 척은, 관통 구멍을 구비한 베이스 플레이트와, 상기 관통 구멍의 상단으로부터 돌출하는 돌출부를 구비하며, 상기 관통 구멍에 삽입된 통 형상 절연 부품과, 상기 베이스 플레이트의 위에 배치된 재치대와, 상기 재치대의 하면에 형성되며, 상기 통 형상 절연 부품의 돌출부가 감입된 리세스부와, 상기 재치대의 리세스부에 형성된 오목부와, 상기 재치대의 오목부에 형성된 전극과, 상기 통 형상 절연 부품의 내부에 배치되며, 상기 전극에 접속된 급전 단자를 갖는 반도체·액정 제조 장치가 제공된다.
이하의 개시에 따르면, 정전 척에서는, 재치대의 하면에 리세스부를 형성하고, 리세스부의 저면의 내측에 오목부를 형성하며, 그 오목부의 저면에 전극을 배치하고 있다. 그리고, 재치대의 리세스부에 통 형상 절연 부품을 감입하고 있다.
이것에 의해, 재치대의 오목부가 베이스 플레이트의 관통 구멍의 중심으로부터 어긋난다고 해도, 오목부의 주위에 통 형상 절연 부재가 확실히 배치되어 절연성이 강화되므로, 내부에서의 방전의 발생이 방지된다.
도 1은 예비적 사항에 따른 정전 척의 급전부의 모습을 나타내는 부분 단면도(그 1).
도 2는 예비적 사항에 따른 다른 정전 척의 급전부의 모습을 나타내는 부분 단면도(그 2).
도 3은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 1).
도 4는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 2).
도 5는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 3).
도 6의 (a)∼(c)는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 4).
도 7은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 5).
도 8은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 6).
도 9는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 7).
도 10은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 8).
도 11은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 9).
도 12는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 10).
도 13은 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 11).
도 14는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 12).
도 15는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 13).
도 16은 제 1 실시형태의 정전 척을 나타내는 단면도(그 1).
도 17은 제 1 실시형태의 정전 척을 나타내는 단면도(그 2).
도 18은 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 1).
도 19는 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 2).
도 20은 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 3).
도 21은 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 4).
도 22는 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 5).
도 23은 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 단면도(그 6).
도 24는 제 2 실시형태의 정전 척을 나타내는 단면도(그 1).
도 25는 제 2 실시형태의 정전 척을 나타내는 단면도(그 2).
도 26은 제 1 실시형태의 정전 척을 구비한 반도체·액정 제조 장치의 일례를 나타내는 단면도.
이하, 본 발명의 실시형태에 대하여, 첨부한 도면을 참조해서 설명한다.
실시형태를 설명하기 전에, 기초가 되는 예비적 사항에 대하여 설명한다. 예비적 사항에 기재된 정전 척은, 본 발명의 정전 척의 기초가 되는 것이며, 공지기술은 아니다.
먼저, 급전 단자가 재치대의 접속 전극에 솔더링되는 타입의 제 1 정전 척의 문제점에 대하여 설명한다.
도 1의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 정전 척은, 베이스 플레이트(100)를 구비하며, 베이스 플레이트(100)에는 관통 구멍(120)이 형성되어 있다. 베이스 플레이트(100)의 관통 구멍(120) 내에는 통 형상 절연 부품(200)이 배치되어 있다.
또한, 베이스 플레이트(100) 및 통 형상 절연 부품(200)의 위에 접착층(220)에 의하여 재치대(300)가 접착되어 있다. 재치대(300)의 하면에는, 통 형상 절연 부품(200)의 공동부(空洞部)를 포함하는 영역 상에 오목부(320)가 형성되어 있다.
재치대(300)는 오목부(320)의 저면에 접속 전극(E)을 구비하고 있고, 접속 전극(E)은 재치대(300)의 내부에 형성된 정전 전극(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
또한, 통 형상 절연 부품(200) 내로부터 재치대(300)의 오목부(320)에 급전 단자(T)가 끼워지고, 재치대(300)의 접속 전극(E)에 급전 단자(T)가 솔더층(420)에 의하여 접합되어 있다.
이와 같이 해서, 급전 단자(T)로부터 접속 전극(E)에 접속된 정전 전극(도시하지 않음)에 전압이 인가된다.
재치대(300)는 세라믹스로 형성되며, 그 작성 방법으로서는, 그린 시트의 표면이나 관통 구멍에 접속 전극(E) 등의 도체층으로 되는 텅스텐 페이스트를 형성해 두고, 복수의 그린 시트를 적층하여, 소성하는 방법이 채용된다.
그린 시트를 소결해서 세라믹스를 형성할 때에, 수축이 발생하기 때문에 충분한 위치 정밀도를 확보할 수 없는 과제가 있다. 이 때문에, 도 1의 (b)에 나타내는 바와 같이, 재치대(300)의 오목부(320)가 베이스 플레이트(100)의 관통 구멍(120)의 중심으로부터 상당히 어긋나게 배치되는 경우가 있다.
이와 같은 상태가 되면, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(100)의 거리가 지나치게 가까워져, 접착층(220)만으로는 양자를 충분히 절연하는 것이 곤란해진다. 이 때문에, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(100) 사이에서 방전이 발생하여, 접속 전극(E)에 정상적으로 전압을 인가할 수 없어지기 때문에, 정전 척으로서 기능하지 못하게 된다.
다음으로, 급전 단자가 재치대의 접속 전극에 탄성력에 의해 맞닿는 타입의 제 2 정전 척의 문제점에 대하여 설명한다.
도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제 2 정전 척에서는, 도 1의 (a)와 마찬가지로, 베이스 플레이트(100)의 관통 구멍(120) 내의 상단측에 통 형상 절연 부품(200)이 배치되어 있다. 또한 마찬가지로, 베이스 플레이트(100) 및 통 형상 절연 부품(200)의 위에 접착층(220)에 의하여 재치대(300)가 접착되어 있다. 또한 마찬가지로, 재치대(300)의 오목부(320)의 저면에 접속 전극(E)이 형성되어 있다.
그리고, 베이스 플레이트(100)의 관통 구멍(120)에 급전 단자(T)를 구비한 커넥터(400)가 배치되어 있다. 통 형상 절연 부품(200) 내로부터 재치대(300)의 오목부(320)에 급전 단자(T)가 끼워져, 재치대(300)의 접속 전극(E)에 급전 단자(T)가 맞닿아 있다.
급전 단자(T)는 커넥터(400) 내의 스프링(도시하지 않음)에 연결되어 있으며, 스프링의 탄성력에 의하여 접속 전극(E)을 압압하고 있다.
이와 같이 해서, 급전 단자(T)로부터 접속 전극(E)에 접속된 정전 전극(도시하지 않음)에 전압이 인가된다.
도 2의 (b)에는, 전술한 도 1의 (b)와 마찬가지로, 재치대(300)의 오목부(320)의 위치가 베이스 플레이트(100)의 관통 구멍(120)의 중심으로부터 어긋나게 배치된 모습이 나타나 있다. 이 경우는, 재치대(300)의 접속 전극(E)과 베이스 플레이트(100)의 거리가 지나치게 가까워져, 접착층(220)만으로는 양자를 충분히 절연하는 것은 곤란해진다.
이 때문에, 재치대(300)의 접속 전극(E)과 베이스 플레이트(100) 사이에서 방전이 발생하여, 접속 전극(E)에 정상적으로 전압을 인가할 수 없어지기 때문에, 정전 척으로서 기능하지 못하게 된다.
이하에 설명하는 실시형태의 정전 척은, 전술한 문제를 해소할 수 있다.
(제 1 실시형태)
도 3∼도 15는 제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면, 도 16 및 도 17은 제 1 실시형태의 정전 척을 나타내는 도면이다. 제 1 실시형태에서는, 정전 척의 제조 방법을 설명하면서 정전 척의 구조에 대하여 설명한다.
제 1 실시형태에서는, 재치대의 접속 전극에 솔더층에 의하여 급전 단자가 접합되는 타입의 정전 척을 예로 들어서 설명한다.
제 1 실시형태의 정전 척의 제조 방법에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 우선, 알루미늄 등의 금속으로 이루어지는 베이스 플레이트(10)를 준비한다. 도 3에서는 정전 척의 급전 부분의 베이스 플레이트(10)가 부분적으로 묘사되어 있으며, 실제로는 베이스 플레이트(10)는 원반 형상으로 형성되어 있다.
베이스 플레이트(10)는 그 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(12)을 구비하고 있다. 또한, 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12) 내의 상단측에, 내벽이 내측으로 돌출한 링 형상의 돌출부(14)가 형성되어 있다. 또한, 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 하단측에는, 내벽이 외측으로 후퇴한 링 형상의 단차부(16)가 형성되어 있다.
그리고, 베이스 플레이트(10)의 상면에 스크린 마스크를 사용해서 실리콘 수지계의 접착층(18)을 형성한다.
다음으로, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제 1 통 형상 절연 부품(20)을 준비한다. 제 1 통 형상 절연 부품(20)은 PEEK(폴리에테르에테르케톤) 수지 또는 폴리에테르이미드 수지(울템 수지) 등의 절연 수지 재료로 형성된다.
제 1 통 형상 절연 부품(20)은 제 1 통 형상부(22)와 그 위의 제 2 통 형상부(24)를 구비하고 있다. 제 2 통 형상부(24)의 외경 및 내경은 제 1 통 형상부(22)의 외경 및 내경보다도 작게 설정되어 있다.
제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 1 통 형상부(22)의 외경은 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 중앙부의 내경에 대응해 있다. 또한, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 2 통 형상부(24)의 외경은 베이스 플레이트(10)의 돌출부(14)의 내경에 대응해 있다.
또한, 제 2 통 형상 절연 부품(30)을 준비한다. 제 2 통 형상 절연 부품(30)의 외경은 베이스 플레이트(10)의 단차부(16)의 내경에 대응해 있다. 제 2 통 형상 절연 부품(30)은 제 1 통 형상 절연 부품(20)과 같은 절연 수지 재료로 형성된다.
그리고, 도 5에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)에 제 1 통 형상 절연 부품(20)을 삽입한다. 이때, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 2 통 형상부(24)의 상단측이 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 상단으로부터 돌출하는 돌출부(P)로 된다. 또한, 제 2 통 형상 절연 부품(30)을 베이스 플레이트(10)의 단차부(16)에 나사 끼움해서 고정한다.
다음으로, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 그린 시트를 소결하는 방법에 의해 세라믹스로 형성되는 재치대(40)를 작성한다. 세라믹스 재료로서는, 예를 들면 산화알루미늄을 주성분으로 하는 세라믹스가 바람직하게 사용된다.
재치대(40)에서는, 한쪽의 면에 오목부(C)가 형성되어 있으며, 오목부의 저면에 접속 전극(E)이 노출하여 배치되어 있다. 또한, 재치대(40)의 내부에 정전 전극(42)이 형성되어 있으며, 접속 전극(E)은 비어 도체(VC)를 개재해서 정전 전극(42)에 접속되어 있다.
도 6의 (a)의 재치대(40)는, 그린 시트의 표면이나 관통 구멍에 접속 전극(E), 정전 전극(42) 및 비어 도체(VC)로 되는 텅스텐 페이스트를 형성해 두고, 복수의 그린 시트를 적층하여, 소성하는 방법에 의해 작성된다.
예비적 사항에서 설명한 바와 같이, 그린 시트를 소결하는 방법에서는, 수축이 발생하기 때문에 오목부(C)의 충분한 위치 정밀도를 확보할 수 없는 과제가 있다. 이 때문에, 본 실시형태에서는, 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 재치대(40)를 루터 또는 드릴 등으로 절삭 가공하는 것에 의해 오목부(C)의 주위에 리세스부(D)를 형성한다.
이와 같이, 그린 시트를 소결해서 오목부(C)가 형성된 세라믹스 기판을 얻은 후에, 절삭 가공에 의해 오목부(C)의 주위에 리세스부(D)가 형성된다. 이 때문에, 리세스부(D)는, 전술한 도 5의 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 위치에 높은 정밀도로 위치 맞춤된 상태로 형성할 수 있다.
오목부(C) 및 그 주위에 형성되는 리세스부(D)의 외형은, 평면 보기로, 예를 들면, 원 형상 또는 사각 형상으로 형성된다.
또, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)와의 높은 위치 정밀도를 엄밀히 필요로 하지 않는 염가인 정전 척을 제조하는 경우는, 오목부(C) 및 리세스부(D)를 세라믹스의 형성과 동시에 도 6의 (a)의 단계에서 형성하는 것도 가능하다.
또한, 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 솔더층(46)에 의하여 급전 단자(T)를 재치대(40)의 접속 전극(E)에 접합한다. 급전 단자(T)는 코발(kovar) 등의 금속으로 형성된다. 이와 같이 해서, 급전 단자(T)가 부착된 재치대(40)가 작성된다.
혹은, 땜납재에 의하여 급전 단자(T)를 재치대(40)의 접속 전극(E)에 접합해도 된다. 이 경우, 예를 들면, 은납에 의하여, 코발로 형성된 급전 단자(T)가 텅스텐으로 형성된 재치대(40)의 접속 전극(E)에 접합된다.
계속해서, 도 7에 나타내는 바와 같이, 도 6의 (c)의 재치대(40)를 상하 반전시키고, 전술한 도 5의 베이스 플레이트(10)를 준비한다. 그리고, 재치대(40)에 부착된 급전 단자(T)를, 베이스 플레이트(10)에 부착된 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 공동부에 끼운다.
도 8에서는, 도 7의 베이스 플레이트(10) 및 재치대(40)가 상하 반전된 상태로 나타나 있다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 재치대(40)에 부착된 급전 단자(T)는, 베이스 플레이트(10)에 부착된 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 내부에 배치된다.
또한, 베이스 플레이트(10)에 부착된 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 재치대(40)의 리세스부(D)에 감입된다. 이것에 의해, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(10) 사이에 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 배치되기 때문에, 양자를 충분히 절연할 수 있다.
이와 같이 해서, 베이스 플레이트(10)가 재치대(40)에 접착층(18)에 의해 접착됨과 동시에, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 선단면(先端面)이 접착층(18)에 의해 재치대(40)의 리세스부(D)에 접착된다.
다음으로, 도 9에 나타내는 바와 같이, 도 8의 구조체로부터 제 2 통 형상 절연 부품(30)을 일단 떼어낸다. 그리고, 제 1 통 형상 절연 부품(20)과 재치대(40) 사이로부터 접착층(18)이 필요 이상으로 비어져 나와 있는 경우는, 그 비어져 나온 접착층(18)을 제거한다.
계속해서, 도 10에 나타내는 바와 같이, 하측에 지름이 큰 부분(50a)을 구비하고, 상측에 지름이 작은 부분(50b)을 구비하며, 내부에 끼움 구멍(52)이 설치된 제 1 통 형상 도전 부품(50)을 준비한다. 제 1 통 형상 도전 부품(50)은 구리 등의 금속 재료로 형성된다.
후술하는 제 2, 제 3 통 형상 도전 부품도 같은 금속 재료로 형성된다. 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 큰 부분(50a)의 외경은 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 1 통 형상부(22)의 내경에 대응하는 사이즈로 되어 있다.
그리고, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 끼움 구멍(52)에 급전 단자(T)를 끼워서, 제 1 통 형상 도전 부품(50)을 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 이면(裏面)에 배치한다. 또한, 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 작은 부분(50b)을 코킹(caulking) 가공해서 급전 단자(T)와의 접속부를 단단히 고정한다.
이와 같이 해서, 급전 단자(T)의 기단이 제 1 통 형상 도전 부품(50)에 연결되고, 급전 단자(T)의 선단이 솔더층(46)에 의하여 재치대(40)의 접속 전극(E)에 접합된 상태로 된다.
또한, 마찬가지로 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 2 통 형상 도전 부품(60)을 준비한다. 제 2 통 형상 도전 부품(60)의 외경은 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 1 통 형상부(22)의 내경에 대응하는 사이즈로 되어 있다. 또한, 제 2 통 형상 도전 부품(60)의 내경은 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 작은 부분(50b)의 외경보다 한층 큰 사이즈로 되어 있다.
그리고, 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 통 형상 도전 부품(60)을 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 내부에 삽입하고 제 1 통 형상 절연 부품(20)에 나사 끼움한다.
다음으로, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 3 통 형상 도전 부품(70)을 준비한다. 제 3 통 형상 도전 부품(70)의 외경은 제 2 통 형상 도전 부품(60)의 내경에 대응하는 사이즈로 되어 있다. 또한, 제 3 통 형상 도전 부품(70)의 내경은 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 작은 부분(50b)의 외경에 대응하는 사이즈로 되어 있다.
그리고, 도 14에 나타내는 바와 같이, 제 3 통 형상 도전 부품(70)을 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 작은 부분(50b)에 나사 끼움한다.
그 후에, 도 15에 나타내는 바와 같이, 전술한 도 9의 공정에서 떼어낸 제 2 통 형상 절연 부품(30)을 베이스 플레이트(10)에 나사 끼움한다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 도 15의 구조체를 상하 반전시키는 것에 의해, 제 1 실시형태의 정전 척(1)이 얻어진다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시형태의 정전 척(1)은 두께 방향으로 관통 구멍(12)을 구비한 베이스 플레이트(10)를 구비하고 있다. 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12) 내에 제 1 통 형상 절연 부품(20)이 삽입되어 있다.
제 1 통 형상 절연 부품(20)은 제 1 통 형상부(22)와 그보다 외경 및 내경이 작은 제 2 통 형상부(24)를 구비하고 있다. 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 2 통 형상부(24)의 상부가 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 상단으로부터 돌출하는 돌출부(P)로 되어 있다.
또한, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 공동부 내의 제 2 통 형상부(24)의 아래에, 내부에 끼움 구멍(52)이 설치된 제 1 통 형상 도전 부품(50)이 배치되어 있다. 제 1 통 형상 도전 부품(50)은 지름이 큰 부분(50a) 및 지름이 작은 부분(50b)으로 형성되며, 지름이 큰 부분(50a)이 상측으로 되어 배치되어 있다.
제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 큰 부분(50a)의 아래에 제 2 통 형상 도전 부품(60)이 배치되어 있다. 제 2 통 형상 도전 부품(60)의 외면이 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 제 1 통 형상부(22)의 내벽에 배치되어 있다. 제 2 통 형상 도전 부품(60)은 제 1 통 형상 도전 부품(50)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제 2 통 형상 도전 부품(60)의 내측에 제 3 통 형상 도전 부품(70)이 배치되고, 제 3 통 형상 도전 부품(70)은 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 지름이 작은 부분(50b)에 나사 고정되어 있다. 제 3 통 형상 도전 부품(70)은 제 1 통 형상 도전 부품(50) 및 제 2 통 형상 도전 부품(60)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 하면 및 베이스 플레이트(10)의 단차부(16)의 상면에 제 2 통 형상 절연 부품(30)이 배치되어 있다. 제 2 통 형상 절연 부품(30)의 외면이 베이스 플레이트(10)의 단차부(16)의 내벽에 배치되어 있다.
또한, 베이스 플레이트(10)의 위에는 재치대(40)가 접착층(18)에 의하여 접착되어 배치되어 있다.
재치대(40)의 하면에는 리세스부(D)가 형성되어 있다. 리세스부(D)는 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 위치에 대응해서 배치되어 있다. 또한, 리세스부(D)의 저면에는 오목부(C)가 형성되어 있다. 오목부(C)는 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 공동부의 위치에 대응해서 배치되어 있다.
그리고, 재치대(40)의 리세스부(D)에 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 감입되어 있다. 재치대(40)의 오목부(C)의 저면에는 접속 전극(E)이 형성되어 있다. 접속 전극(E)은 비어 도체(VC)를 개재해서 재치대(40)의 내부에 형성된 정전 전극(42)에 접속되어 있다.
또한, 재치대(40)의 접속 전극(E)에 솔더층(46)에 의한 접합에 의하여 급전 단자(T)의 선단이 접속되어 있다. 혹은, 급전 단자(T)가 땜납재에 의하여 재치대(40)의 접속 전극(E)에 접합되어 있어도 된다. 급전 단자(T)의 기단은 제 1 통 형상 도전 부품(50)의 끼움 구멍(52)에 끼워져 연결되며, 제 1 통 형상 도전 부품(50)에 전기적으로 접속되어 있다.
제 1 통 형상 도전 부품(50), 제 2 통 형상 도전 부품(60) 및 제 3 통 형상 도전 부품(70)과 급전 단자(T)에 의해 커넥터(6)가 구축되어 있다. 그리고, 커넥터(6)의 제 3 통 형상 도전 부품(70)의 내벽에 바나나 잭(banana jack) 등이 나사 고정된다.
이와 같이 해서, 제 3 통 형상 도전 부품(70)으로부터 제 1 통 형상 도전 부품(50)을 개재해서 급전 단자(T)에 전압이 공급된다. 또한, 급전 단자(T)로부터 접속 전극(E) 및 비어 도체(VC)를 개재해서 정전 전극(42)에 전압이 인가된다.
재치대(40)의 정전 전극(42)에 플러스(+) 전압이 인가되면, 정전 전극(42)이 플러스(+) 전하로 대전되어, 실리콘 웨이퍼 등의 피흡착체에 마이너스(-) 전하가 유도된다. 이것에 의해, 피흡착체가 쿨롱력에 의하여 재치대(40)에 흡착된다.
제 1 실시형태의 정전 척(1)에서는, 전술한 바와 같이, 재치대(40)의 오목부(C)의 주위에 형성된 리세스부(D)는, 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 위치에 대응하도록 높은 위치 정밀도로 형성된다. 그리고, 재치대(40)의 리세스부(D)에 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 배치되어 있다.
도 17에는, 재치대(40)의 오목부(C)가 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 중심으로부터 어긋나게 배치된 정전 척(1a)이 나타나 있다. 전술한 바와 같이, 재치대(40)의 오목부(C)는 그린 시트를 소결해서 형성되기 때문에, 충분한 위치 정밀도를 확보할 수 없기 때문이다.
그러나, 본 실시형태에서는, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나게 배치된다고 해도, 베이스 플레이트(10)에 부착된 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)의 위치에 대응하도록, 재치대(40)의 오목부(C)의 주위에 리세스부(D)를 높은 위치 정밀도로 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이, 리세스부(D)는 그린 시트를 소결할 때에 형성되는 것이 아니고, 그린 시트를 소결한 후에 루터나 드릴 등의 절삭 가공에 의하여 형성되기 때문이다.
이 때문에, 도 17에 나타내는 바와 같이, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나게 배치된다고 해도, 오목부(C)의 주위의 리세스부(D)에 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)를 높은 정밀도로 배치할 수 있다.
따라서, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나서 급전 단자(T)의 접합부가 베이스 플레이트(10)에 접근한다고 해도, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(10) 사이(A로 나타난 부분)에 제 1 통 형상 절연 부품(20)의 돌출부(P)가 확실히 배치된다. 이것에 의해, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(10) 사이의 절연성이 강화된다.
따라서, 급전 단자(T)의 접합부와 베이스 플레이트(10) 사이에서 방전이 발생하는 것이 방지된다. 그 결과, 정전 척의 내구성이 향상하여 정전 척의 라이프 타임을 늘릴 수 있으므로 신뢰성이 높은 정전 척을 구축할 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼 등의 피흡착체의 대구경화에 의해, 재치대(40)의 오목부(C)의 위치 정밀도가 더 나빠지는 경향이 있다. 본 실시형태의 정전 척의 구조를 채용하는 것에 의해, 대구경화하는 경우이어도 높은 신뢰성을 확보할 수 있다.
도 17의 정전 척(1a)에 있어서, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나게 배치되어 있는 것 이외는 도 16의 정전 척(1)과 동일하다.
또, 도 16 및 도 17의 정전 척(1, 1a)이 히터를 구비하고 있어도 된다. 베이스 플레이트(10)와 재치대(40)의 사이에 히터가 배치되어 있어도 되고, 재치대(40) 내에 히터가 내장되어 있어도 된다.
(제 2 실시형태)
도 18∼도 23은 제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법을 나타내는 도면, 도 24 및 도 25는 제 2 실시형태의 정전 척을 나타내는 도면이다.
제 2 실시형태에서는, 재치대의 접속 전극에 탄성력을 갖는 급전 단자가 맞닿아서 접속되는 타입의 정전 척을 예로 들어서 설명한다.
제 2 실시형태의 정전 척의 제조 방법에서는, 도 18에 나타내는 바와 같이, 우선, 두께 방향으로 관통 구멍(12)을 구비한 베이스 플레이트(10)를 준비한다. 베이스 플레이트(10)에서는, 관통 구멍(12)의 상단측에 내벽이 외측으로 후퇴한 제 1 단차부(12a)가 형성되고, 관통 구멍(12)의 하단측에 내벽이 외측으로 후퇴한 제 2 단차부(12b)가 형성되어 있다.
또한, 베이스 플레이트(10)의 상면에 스크린 마스크를 사용해서 실리콘 수지계의 접착층(19)을 형성한다.
다음으로, 도 19에 나타내는 바와 같이, 전술한 제 1 실시형태의 도 6의 (b)와 동일 구조의 재치대(40)를 준비한다.
또한, 도 20에 나타내는 바와 같이, 제 1 통 형상 절연 부품(21)을 준비한다. 제 1 통 형상 절연 부품(21)은 하측의 제 1 통 형상부(21a)와 상측의 제 2 통 형상부(21b)를 구비하고 있다. 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 내경은 전체에 걸쳐서 같고, 제 2 통 형상부(21b)의 외경은 제 1 통 형상부(21a)의 외경보다도 크게 설정되어 있다.
제 1 통 형상 절연 부품(21)은, 전술한 제 1 실시형태의 제 1, 제 2 통 형상 절연 부품(20, 30)과 같은 절연 수지 재료로 형성된다.
그리고, 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 상부에 에폭시 수지계의 접착층(도시하지 않음)을 도포하고, 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)를 재치대(40)의 리세스부(D)에 접착해서 감입한다.
제 1 실시형태에서 설명한 바와 같이, 재치대(40)의 오목부(C)의 주위에 형성된 리세스부(D)는 제 1 통 형상 절연 부품(21)에 대응하도록 높은 위치 정밀도로 형성된다. 이 때문에, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나게 배치된다고 해도, 재치대(40)의 리세스부(D)에 제 1 통 형상 절연 부품(21)을 높은 위치 정밀도로 배치할 수 있다.
재치대(40)의 하면으로부터 돌출하는 부분인 제 2 통 형상부(21b)가 베이스 플레이트(10)의 제 1 단차부(12a)에 대응하도록 되어 있다.
다음으로, 도 21에 나타내는 바와 같이, 도 20의 재치대(40)의 하면측을 베이스 플레이트(10)의 위에 접착층(19)에 의하여 접착해서 배치한다. 이때, 재치대(40)에 부착된 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 하부가 베이스 플레이트(10)의 제 1 단차부(12a)에 배치되고, 제 1 통 형상부(21a)의 외면이 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 내벽에 배치된다.
계속해서, 도 22에 나타내는 바와 같이, 가늘고 긴 형상의 제 2 통 형상 절연 부품(31)을 준비한다. 제 2 통 형상 절연 부품(31)은, 하측 통 형상부(31a), 중간 통 형상부(31b) 및 상측 통 형상부(31c)를 구비하며, 하측으로부터 상측을 향하여 외경 및 내경이 단계적으로 작아지는 형상을 갖는다.
또한, 가늘고 긴 형상의 도전 부품(51)을 준비한다. 도전 부품(51)은, 내부에 스프링 등의 탄성체를 갖는 통 형상 부재(53a)를 구비한 홀더(53)와, 통 형상 부재(53a) 내의 탄성체에 연결된 급전 단자(T)를 구비하고 있다.
도전 부품(51)의 외면의 형상은 상기한 제 2 통 형상 절연 부품(31)에 내면의 형상에 대응해 있다. 그리고, 도전 부품(51)의 홀더(53)에 에폭시 수지계의 접착층(도시하지 않음)을 도포하고, 제 2 통 형상 절연 부품(31)의 내부에 도전 부품(51)을 삽입해서 양자를 내부에서 접착시킨다.
이것에 의해, 도 23에 나타내는 바와 같이, 제 2 통 형상 절연 부품(31) 및 도전 부품(51)에 의하여 커넥터(7)가 구축된다. 커넥터(7)에서는, 제 2 통 형상 절연 부품(31)의 상측 통 형상부(31c)의 선단으로부터 도전 부품(51)의 급전 단자(T)가 돌출해 있다. 급전 단자(T)는 도전 부품(51) 내의 탄성체에 연결되어 있기 때문에 상하 방향으로 탄성력을 갖는다.
다음으로, 도 23 및 도 24에 나타내는 바와 같이, 커넥터(7)를 전술한 도 21의 구조체의 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)에 삽입한다. 그리고, 도 24에 나타내는 바와 같이, 커넥터(7)의 하측 통 형상부(31a)의 나사산(도시하지 않음)을 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 제 2 단차부(12b)의 나사산(도시하지 않음)에 나사 고정한다.
이것에 의해, 커넥터(7)의 급전 단자(T)가 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 내부에 끼워져, 급전 단자(T)의 선단이 재치대(40)의 접속 전극(E)에 맞닿는다. 급전 단자(T)는 탄성체의 작용에 의하여 접속 전극(E)을 압압한 상태에서 고정된다.
이와 같이 해서, 커넥터(7)의 급전 단자(T)로부터 재치대(40)의 접속 전극(E)에 전압이 공급되어, 비어 도체(VC)를 개재해서 정전 전극(42)에 전압이 인가된다.
이상에 의해, 제 2 실시형태의 정전 척(2)이 얻어진다.
제 2 실시형태의 정전 척(2)은, 두께 방향으로 관통 구멍(12)을 구비한 베이스 플레이트(10)를 구비하고 있다. 전술한 구조의 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 하부가 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 선단측의 제 1 단차부(12a)에 배치되어 있다. 그리고, 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 상부가 관통 구멍(12)의 상단으로부터 돌출하는 돌출부(P)로서 배치된다.
베이스 플레이트(10) 및 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 위에는 접착층(19)에 의하여 전술한 구조의 재치대(40)가 접착되어 배치되어 있다. 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 돌출부(P)가 재치대(40)의 리세스부(D)에 감입되어 있다.
또한, 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)에 전술한 구조의 커넥터(7)가 나사 고정되어 배치되어 있다. 커넥터(7)의 급전 단자(T)의 선단이 재치대(40)의 접속 전극(E)에 맞닿아서 접속되어 있다. 급전 단자(T)의 기단은 커넥터(7) 내의 탄성체에 연결되어 있고, 탄성체의 작용에 의하여 접속 전극(E)을 압압해서 고정되어 있다.
이와 같이 해서, 커넥터(7)의 급전 단자(T)로부터 재치대(40)의 접속 전극(E)에 전압이 공급되어, 비어 도체(VC)를 개재해서 정전 전극(42)에 전압이 인가된다.
제 2 실시형태의 정전 척(2)에서는, 전술한 제 1 실시형태의 정전 척(1)과 마찬가지로, 재치대(40)의 오목부(C)의 주위에 형성된 리세스부(D)는 제 1 통 형상 절연 부품(21)에 대응하도록 높은 위치 정밀도로 형성된다. 그리고, 재치대(40)의 리세스부(D)에 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 돌출부(P)가 배치되어 있다.
도 25에는 재치대(40)의 오목부(C)가 베이스 플레이트(10)의 관통 구멍(12)의 중심으로부터 어긋나게 배치된 정전 척(2a)이 나타나 있다. 그러나, 제 1 실시형태와 마찬가지로, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나게 배치된다고 해도, 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)의 돌출부(P)에 대응하도록, 재치대(40)의 오목부(C)의 주위에 리세스부(D)를 높은 위치 정밀도로 형성할 수 있다.
이 때문에, 재치대(40)의 오목부(C)가 어긋나서 접속 전극(E)이 베이스 플레이트(10)에 접근한다고 해도, 접속 전극(E)과 베이스 플레이트(10) 사이(B로 나타난 부분)에 제 1 통 형상 절연 부품(21)의 제 2 통 형상부(21b)가 확실히 배치된다.
이것에 의해, 제 2 실시형태에서는, 재치대(40)의 접속 전극(E)과 베이스 플레이트(10) 사이에서 방전이 발생하는 것이 방지된다.
제 2 실시형태의 도 24 및 도 25의 정전 척(2, 2a)에 있어서도, 히터를 구비하고 있어도 된다.
다음으로, 전술한 실시형태의 정전 척을 구비한 반도체·액정 제조 장치에 대하여 설명한다. 이하의 설명에서는, 실시형태의 도 16의 정전 척(1)을 구비한 드라이 에칭 장치를 예로 들어서 설명한다. 도 26은 실시형태의 드라이 에칭 장치를 나타내는 단면도이다. 도 26에 나타내는 바와 같이, 드라이 에칭 장치(3)로서 평행 평판형 RIE 장치가 예시되어 있다.
드라이 에칭 장치(3)는 챔버(80)를 구비하며, 챔버(80)의 하측에 하부 전극(90)이 배치되어 있다. 하부 전극(90)의 표면측에는 전술한 실시형태의 정전 척(1)(도 16)이 부착되어 있다.
각종 에칭 프로세스에 따라, 냉각수를 순환시켜서 냉각하는 타입의 정전 척, 혹은 히터에 의하여 가열하는 타입의 정척 등이 선택된다.
정전 척(1)의 주위에는 보호용의 석영링(82)이 배치되어 있다. 하부 전극(90) 및 정전 척(1)에는 RF 전력을 인가하기 위한 고주파 전원(84)이 접속되어 있다. 고주파 전원(84)에는 RF 전력의 출력의 매칭을 취하기 위한 RF 매처(도시하지 않음)가 접속되어 있다.
챔버(80)의 상측에는 하부 전극(90)의 대향 전극으로 되는 상부 전극(92)이 배치되어 있으며, 상부 전극(92)은 접지되어 있다. 상부 전극(92)에는 가스 도입관(94)이 연결되어 있어 소정의 에칭 가스가 챔버(80) 내에 도입된다.
챔버(80)의 하부에는 배기관(96)이 접속되며, 배기관(96)의 말단에는 진공 펌프가 부착되어 있다. 이것에 의해, 에칭에 의해 생성된 반응 생성물 등이 배기관(96)을 통하여 외부의 배기 가스 처리 장치에 배기되도록 되어 있다. 챔버(80)의 근방의 배기관(96)에는 APC 밸브(98)(자동 압력 컨트롤 밸브)가 설치되어 있어, 챔버(80) 내가 설정 압력이 되도록 APC 밸브(98)의 개방도가 자동 조정된다.
본 실시형태의 드라이 에칭 장치(3)에서는, 정전 척(1)의 위에 반도체 웨이퍼(5)가 반송되어 재치된다. 그리고, 정전 척(1)의 정전 전극(42)(도 16)에 소정의 전압을 인가하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(5)를 정전 척(1)에 흡착시킨다.
그 후에, 가스 도입관(94)으로부터 염소계나 불소계 등의 할로겐 가스가 챔버(80)에 도입되고, 챔버(80) 내가 APC 밸브(98)의 기능에 의하여 소정의 압력으로 설정된다. 그리고, 고주파 전원(84)으로부터 하부 전극(90) 및 정전 척(1)에 RF 전력이 인가되는 것에 의해, 챔버(80) 내에 플라스마가 생성된다.
정전 척(1)에 RF 전력을 인가하는 것에 의해 정전 척(1)측에 음의 셀프 바이어스가 형성되고, 그 결과 플라스마 중의 양이온이 정전 척(1)측으로 가속된다. 피에칭층으로서는, 예를 들면, 폴리 실리콘층, 실리콘 산화층, 또는 배선 재료의 알루미늄 합금층 등이 있다.
전술한 바와 같이, 본 실시형태의 정전 척(1)에서는, 정전 척(1)에 RF 전력을 인가할 때에 내부에서의 방전의 발생이 방지된다. 이 때문에, 재치대(40)의 정전 전극(42)에 전압을 안정되게 인가할 수 있기 때문에, 다수의 반도체 웨이퍼(5)를 연속해서 높은 신뢰성으로 흡착시킬 수 있다.
도 26에서는, 본 실시형태의 정전 척(1)을 드라이 에칭 장치에 적용했지만 플라스마 CVD 장치 또는 스퍼터 장치 등의 반도체 디바이스 및 액정 디스플레이의 제조 프로세스에서 사용되는 각종 반도체·액정 제조 장치에 적용할 수 있다.
1, 1a, 2, 2a : 정전 척 3 : 드라이 에칭 장치
5 : 반도체 웨이퍼 6, 7 : 커넥터
10 : 베이스 플레이트 12 : 관통 구멍
12a : 제 1 단차부 12b : 제 2 단차부
14, P : 돌출부 16 : 단차부
18, 19 : 접착층 20 : 제 1 통 형상 절연 부품
22 : 제 1 통 형상부 24 : 제 2 통 형상부
30, 31 : 제 2 통 형상 절연 부품 31a : 하측 통 형상부
31b : 중간 통 형상부 31c : 상측 통 형상부
40 : 재치대 42 : 정전 전극
46 : 솔더층 50 : 제 1 통 형상 도전 부품
50a : 지름이 큰 부분 50b : 지름이 작은 부분
51 : 도전 부품 52 : 끼움 구멍
53a : 통 형상 부재 53 : 홀더
60 : 제 2 통 형상 도전 부품 70 : 제 3 통 형상 도전 부품
80 : 챔버 82 : 석영링
84 : 고주파 전원 90 : 하부 전극
92 : 상부 전극 94 : 가스 도입관
96 : 배기관 98 : APC 밸브
E : 접속 전극 T : 급전 단자
C : 오목부 D : 리세스부
VC : 비어 도체

Claims (6)

  1. 관통 구멍을 구비한 베이스 플레이트와,
    상기 관통 구멍의 상단으로부터 돌출하는 돌출부를 구비하며, 상기 관통 구멍에 삽입된 통(筒) 형상 절연 부품과,
    상기 베이스 플레이트의 위에 배치된 재치대(載置臺)와,
    상기 재치대의 하면(下面)에 형성되며, 상기 통 형상 절연 부품의 돌출부가 감입(嵌入)된 리세스부와,
    상기 재치대의 리세스부에 형성된 오목부와,
    상기 재치대의 오목부에 형성된 전극과,
    상기 통 형상 절연 부품의 내부에 배치되며, 상기 전극에 접속된 급전 단자와,
    상기 통 형상 절연 부품의 내측에 배치되며, 지름이 작은 부분과, 상기 지름이 작은 부분의 상측에 배치된 지름이 큰 부분과, 끼움 구멍을 구비하고, 상기 끼움 구멍에 상기 급전 단자가 끼워져서 고정된 제 1 통 형상 도전 부품과,
    상기 통 형상 절연 부품에 접속되어서 배치되며, 상면(上面)이 상기 제 1 통 형상 도전 부품의 지름이 큰 부분의 하면에 접하는 제 2 통 형상 도전 부품과,
    상기 제 1 통 형상 도전 부품의 지름이 작은 부분에 접속되어서 배치되며, 외면(外面)이 상기 제 2 통 형상 도전 부품에 접하는 제 3 통 형상 도전 부품
    을 갖는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 급전 단자의 기단(基端)이 상기 제 1 통 형상 도전 부품에 고정되며, 상기 급전 단자의 선단(先端)이 솔더층 또는 땜납재에 의하여 상기 재치대의 전극에 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 재치대의 오목부는, 상기 베이스 플레이트의 관통 구멍의 중심으로부터 어긋나게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 재치대는, 세라믹스로 형성되는 것을 특징으로 하는 정전 척.
  5. 삭제
  6. 챔버와,
    상기 챔버에 부착된 정전 척을 구비하고,
    상기 정전 척은,
    관통 구멍을 구비한 베이스 플레이트와,
    상기 관통 구멍의 상단으로부터 돌출하는 돌출부를 구비하며, 상기 관통 구멍에 삽입된 통 형상 절연 부품과,
    상기 베이스 플레이트의 위에 배치된 재치대와,
    상기 재치대의 하면에 형성되며, 상기 통 형상 절연 부품의 돌출부가 감입된 리세스부와,
    상기 재치대의 리세스부에 형성된 오목부와,
    상기 재치대의 오목부에 형성된 전극과,
    상기 통 형상 절연 부품의 내부에 배치되며, 상기 전극에 접속된 급전 단자와,
    상기 통 형상 절연 부품의 내측에 배치되며, 지름이 작은 부분과, 상기 지름이 작은 부분의 상측에 배치된 지름이 큰 부분과, 끼움 구멍을 구비하고, 상기 끼움 구멍에 상기 급전 단자가 끼워져서 고정된 제 1 통 형상 도전 부품과,
    상기 통 형상 절연 부품에 접속되어서 배치되며, 상면이 상기 제 1 통 형상 도전 부품의 지름이 큰 부분의 하면에 접하는 제 2 통 형상 도전 부품과,
    상기 제 1 통 형상 도전 부품의 지름이 작은 부분에 접속되어서 배치되며, 외면이 상기 제 2 통 형상 도전 부품에 접하는 제 3 통 형상 도전 부품
    을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
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