JP2023031603A - 基板固定装置 - Google Patents

基板固定装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023031603A
JP2023031603A JP2021137197A JP2021137197A JP2023031603A JP 2023031603 A JP2023031603 A JP 2023031603A JP 2021137197 A JP2021137197 A JP 2021137197A JP 2021137197 A JP2021137197 A JP 2021137197A JP 2023031603 A JP2023031603 A JP 2023031603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fixing device
substrate fixing
base
hole
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021137197A
Other languages
English (en)
Inventor
浩樹 小黒
Hiroki Oguro
裕輔 木下
Yusuke Kinoshita
祐一 中村
Yuichi Nakamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2021137197A priority Critical patent/JP2023031603A/ja
Priority to US17/453,521 priority patent/US11961754B2/en
Priority to CN202111313161.2A priority patent/CN115719725A/zh
Priority to TW110141633A priority patent/TW202310148A/zh
Priority to KR1020210152844A priority patent/KR20230030489A/ko
Publication of JP2023031603A publication Critical patent/JP2023031603A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28026Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28158Making the insulator
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Connection Of Plates (AREA)

Abstract

【課題】静電吸着部材が薄い場合であっても、放電を抑制することができる基板固定装置を提供する。【解決手段】基板固定装置は、貫通孔が形成されたベースプレートと、前記貫通孔の内側に挿通された電極ピンと、前記電極ピンが接続された吸着電極を含む静電吸着部材と、を有し、前記ベースプレートは、前記静電吸着部材に対向する第1面を備えた金属部材を有し、前記第1面に、前記貫通孔に連通し、前記第1面に垂直な方向からの平面視で前記貫通孔を包含する凹部が形成されている。【選択図】図1

Description

本開示は、基板固定装置に関する。
ウェハ等の基板の固定に用いられる基板固定装置として、吸着電極を内蔵する静電吸着部材に、電極ピン用の開口部と、開口部のベースプレート側の端部近傍の凹部とが形成された基板固定装置が知られている。凹部が形成されていることで、電極ピンの吸着電極との接続部とベースプレートとの距離が大きくなり、接続部とベースプレートとの間の放電が抑制される。
特開2015-225952号公報 特開2007-258615号公報
静電吸着部材が薄い場合、十分な深さの凹部を形成することができず、放電を抑制しにくくなるおそれがある。
本開示は、静電吸着部材が薄い場合であっても、放電を抑制することができる基板固定装置を提供することを目的とする。
本開示の一形態によれば、貫通孔が形成されたベースプレートと、前記貫通孔の内側に挿通された電極ピンと、前記電極ピンが接続された吸着電極を含む静電吸着部材と、を有し、前記ベースプレートは、前記静電吸着部材に対向する第1面を備えた金属部材を有し、前記第1面に、前記貫通孔に連通し、前記第1面に垂直な方向からの平面視で前記貫通孔を包含する凹部が形成されている基板固定装置が提供される。
本開示によれば、静電吸着部材が薄い場合であっても、放電を抑制することができる。
第1実施形態に係る基板固定装置を示す断面図である。 第1実施形態に係る基板固定装置の製造方法を示す断面図(その1)である。 第1実施形態に係る基板固定装置の製造方法を示す断面図(その2)である。 第1実施形態に係る基板固定装置の製造方法を示す断面図(その3)である。 参考例に係る基板固定装置を示す断面図である。 第2実施形態に係る基板固定装置を示す断面図である。 第2実施形態に係る基板固定装置の製造方法を示す断面図(その1)である。 第2実施形態に係る基板固定装置の製造方法を示す断面図(その2)である。
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
(第1実施形態)
まず、第1実施形態について説明する。第1実施形態は基板固定装置に関する。
[基板固定装置の構成]
図1は、第1実施形態に係る基板固定装置を示す断面図である。図1に示すように、第1実施形態に係る基板固定装置1は、主要な構成要素として、ベースプレート100と、静電吸着部材200と、電極ピン300と、絶縁スリーブ400と、接着層500とを有する。
ベースプレート100は、板状の金属部材110と、絶縁膜120とを有する。
金属部材110の厚さは、例えば20mm~50mm程度である。金属部材110は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、チタン又はチタン合金から形成される。金属部材110に、金属部材110を厚さ方向に貫通する貫通孔111が形成されている。貫通孔111の形状は、例えば略円形状である。貫通孔111の直径は5mm~6mm程度である。貫通孔111の内側に電極ピン300が挿通される。金属部材110は第1面110Aを有する。第1面110Aの上に静電吸着部材200が設けられる。金属部材110の第1面110Aに、第1面110Aに垂直な方向からの平面視で貫通孔111を包含する座ぐりのような凹部112が形成されている。凹部112は貫通孔111に連通する。凹部112の形状は、例えば略円形状である。凹部112の直径D1は8mm~12mm程度である。凹部112の深さD2は1.5mm~2.5mm程度である。貫通孔111の中心軸と凹部112の中心軸とは、略一致している。
金属部材110は、プラズマを制御するための電極等として利用することもできる。金属部材110に所定の高周波電力を給電することで、発生したプラズマ状態にあるイオン等を静電吸着部材200上に吸着されたウェハ等の基板に衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行うことができる。
絶縁膜120は、第1面110Aと、凹部112の側壁面及び底面とに形成されている。絶縁膜120は、例えば酸化アルミニウム膜である。絶縁膜120の厚さは0.2mm~0.4mm程度である。絶縁膜120は、例えば金属部材110がアルミニウム又はアルミニウム合金から形成されている場合、金属部材110のアルマイト処理又は金属部材110への酸化アルミニウムの溶射により形成することができる。
静電吸着部材200は、板状のセラミック部材210と、吸着電極220とを有する。吸着電極220はセラミック部材210に内蔵されている。セラミック部材210は、金属部材110の第1面110Aに対向する第2面210Aを有する。セラミック部材210の第2面210Aに、吸着電極220に達する開口部211が形成されている。第1面110Aに垂直な方向からの平面視で、開口部211は貫通孔111の内側にあり、吸着電極220は貫通孔111と重なる。静電吸着部材200が更にヒータを有していてもよい。
電極ピン300は略円柱状の形状を有し、貫通孔111の内側に挿通され、開口部211内で接合材310により吸着電極220に接合されている。電極ピン300の吸着電極220に接する部分の直径D3は1.3mm~1.7mm程度である。接合材310は、例えばはんだ材又はろう材である。つまり、電極ピン300は吸着電極220に、例えばはんだ付け又はろう付けされている。電極ピン300から吸着電極220に印加される電圧の大きさは、例えば3000V~6000V程度である。
絶縁スリーブ400は、筒状の基部401と、フランジ部402とを備える。基部401は、貫通孔111の内側に配置され、基部401の内側を電極ピン300が挿通する。基部401は電極ピン300の側面を覆う。基部401の厚さは、電極ピン300の外面と貫通孔111の内壁面との間の距離と同程度である。フランジ部402は、基部401の静電吸着部材200側の端部から径方向の外側に突出した部分である。フランジ部402は、凹部112の底面と静電吸着部材200の第2面210Aとの間に位置し、凹部112の底と静電吸着部材200とに挟まれている。絶縁スリーブ400の材料は、ポリイミド等の有機絶縁体又はアルミナ等の無機絶縁体である。絶縁スリーブ400は第1筒状絶縁部品の一例である。基部401は第1基部の一例である。
接着層500は、静電吸着部材200と絶縁膜120及び絶縁スリーブ400とを接着し、絶縁膜120及び金属部材110と絶縁スリーブ400とを接着し、絶縁スリーブ400と電極ピン300とを接着する。絶縁スリーブ400の基部401が接着層500により金属部材110に接着されている。接着層500の材料は、例えばシリコーン樹脂等の絶縁性の樹脂である。接着層500にアルミナ又は窒化アルミニウム等のフィラーが含有されていてもよい。
[基板固定装置の製造方法]
次に、基板固定装置1の製造方法について説明する。図2~図4は、第1実施形態に係る基板固定装置1の製造方法を示す断面図である。
まず、図2(a)に示すように、セラミック部材210と、吸着電極220とを有し、セラミック部材210に開口部211が形成された静電吸着部材200を準備する。
次に、図2(b)に示すように、電極ピン300をはんだ付け又はろう付けにより、開口部211内で吸着電極220に接合する。
また、図3(a)に示すように、貫通孔111及び凹部112が形成された金属部材110と、絶縁膜120とを有するベースプレート100を準備する。絶縁膜120は、例えば金属部材110がアルミニウム又はアルミニウム合金から形成されている場合、金属部材110のアルマイト処理又は金属部材110への酸化アルミニウムの溶射により形成することができる。
次に、図3(b)に示すように、流動性を備えた接着剤510を、塗布等により絶縁膜120の表面と、金属部材110の表面とに設ける。
次に、図4(a)に示すように、フランジ部402が凹部112の底に引っ掛かるようにして、絶縁スリーブ400を金属部材110の第1面110Aの側から凹部112及び貫通孔111内に挿入する。この結果、凹部112内に設けられていた接着剤510の一部が第1面110Aの上方に移動する。また、貫通孔111の内壁面上の接着剤510に基部401が接触する。
次に、図4(b)に示すように、電極ピン300を金属部材110の第1面110Aの側から絶縁スリーブ400の内側に挿入しながら、セラミック部材210の第2面210Aを接着剤510に接触させる。そして、静電吸着部材200をベースプレート100に向けて押し付けて貼り合わせる。この結果、ベースプレート100と静電吸着部材200との間の接着剤510が、セラミック部材210、絶縁スリーブ400及び電極ピン300の周囲の隙間に広がる。次に、接着剤510のキュア(硬化処理)を行うことで、接着剤510から接着層500が形成される。
このようにして、第1実施形態に係る基板固定装置1を製造することができる。
ここで、参考例と比較しながら第1実施形態の効果について説明する。図5は、参考例に係る基板固定装置を示す断面図である。
参考例に係る基板固定装置9は、主として、ベースプレートの構成の点で第1実施形態と相違する。図5に示すように、ベースプレート100に代えてベースプレート900が設けられている。ベースプレート900は、金属部材110と同様の材料からなる金属部材910から構成される。金属部材910に、貫通孔111と同様の貫通孔911が形成されているが、凹部は形成されていない。また、絶縁膜120が形成されていない。更に、絶縁スリーブ400に代えて円筒状の絶縁スリーブ930が設けられている。他の構成は第1実施形態と同様である。
第1実施形態を参考例と比較すると、ベースプレート100の金属部材110に凹部が形成されているため、接合材310とベースプレート100との間の最短距離L1が、接合材310とベースプレート900との間の最短距離L2よりも大きい。ここで、最短距離L1及びL2は、放電を阻害しやすいセラミック部材210を含まない経路における距離である。例えば、最短距離L2が2mm程度であるのに対し、最短距離L1は5mm~6mm程度である。このため、第1実施形態によれば、金属部材110の形状の観点から、放電を生じにくくすることができる。
また、第1実施形態では、ベースプレート100が絶縁膜120を有する。このため、第1実施形態によれば、絶縁性の観点からも、放電を生じにくくすることができる。
従って、第1実施形態によれば、静電吸着部材200の厚さに拘わらず、放電を抑制することができる。また、放電の抑制により、基板固定装置1の寿命を長期化することができる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は、主として絶縁スリーブの構成の点で第1実施形態と相違する。
[基板固定装置の構成]
図6は、第2実施形態に係る基板固定装置を示す断面図である。図6に示すように、第2実施形態に係る基板固定装置1は、第1実施形態における絶縁スリーブ400に代えて、絶縁スリーブ600及び700を有する。
絶縁スリーブ600は、筒状の基部601と、フランジ部602とを備える。基部601は、貫通孔111の内側に配置され、基部601の内側を電極ピン300が挿通する。基部601は電極ピン300の側面を覆う。基部601の厚さは、電極ピン300の外面と貫通孔111の内壁面との間の距離の半分程度である。フランジ部602は、基部601の静電吸着部材200側の端部から径方向の外側に突出した部分である。フランジ部602は、フランジ部402と同様に、凹部112の底面と静電吸着部材200の第2面210Aとの間に位置し、凹部112の底と静電吸着部材200とに挟まれている。絶縁スリーブ600の材料は、ポリイミド等の有機絶縁体又はアルミナ等の無機絶縁体である。絶縁スリーブ600は第1筒状絶縁部品の一例である。基部601は第1基部の一例である。
絶縁スリーブ700は、筒状の基部701と、内側突出部702とを備える。基部701は、貫通孔111の内側で基部601の外側に配置されている。つまり、基部701は、貫通孔111の径方向で、基部601と金属部材110との間に設けられている。基部601と基部701とが互いに接触している。基部701はフランジ部602にも接触している。基部701の厚さは、電極ピン300の外面と貫通孔111の内壁面との間の距離の半分程度である。内側突出部702は、基部701の静電吸着部材200側と反対側の端部から径方向の内側に突出した部分である。内側突出部702が絶縁スリーブ600の基部601の静電吸着部材200側と反対側の端部に接触している。絶縁スリーブ700の材料は、ポリイミド等の有機絶縁体又はアルミナ等の無機絶縁体である。絶縁スリーブ700は第2筒状絶縁部品の一例である。基部701は第2基部の一例である。
他の構成は第1実施形態と同様である。
[基板固定装置の製造方法]
次に、基板固定装置2の製造方法について説明する。図7~図8は、第2実施形態に係る基板固定装置2の製造方法を示す断面図である。
まず、第1実施形態と同様に、静電吸着部材200を準備し、電極ピン300をはんだ付け又はろう付けにより、開口部211内で吸着電極220に接合する(図2(b)参照)。
また、第1実施形態と同様に、ベースプレート100を準備する(図3(a)参照)。次に、図7(a)に示すように、流動性を備えた接着剤520を、塗布等により絶縁膜120の表面に設ける。
次に、図7(b)に示すように、フランジ部602が凹部112の底に引っ掛かるようにして、絶縁スリーブ600を金属部材110の第1面110Aの側から凹部112及び貫通孔111内に挿入する。この結果、凹部112内に設けられていた接着剤520の一部が第1面110Aの上方に移動する。また、貫通孔111の内壁面と基部601との間には隙間が存在する。
次に、図8(a)に示すように、電極ピン300を金属部材110の第1面110Aの側から絶縁スリーブ600の内側に挿入しながら、セラミック部材210の第2面210Aを接着剤520に接触させる。そして、静電吸着部材200をベースプレート100に向けて押し付けて貼り合わせる。この結果、ベースプレート100と静電吸着部材200との間の接着剤520が、セラミック部材210、絶縁スリーブ600及び電極ピン300の周囲の隙間に広がる。次に、接着剤520のキュア(硬化処理)を行うことで、接着剤520から接着層521が形成される。
次に、図8(b)に示すように、基部701の内側突出部702が設けられていない側の端部がフランジ部602に接するようにして、絶縁スリーブ700を金属部材110の第1面110Aとは反対側から貫通孔111内に挿入する。内側突出部702が基部601に接触してもよい。このとき、絶縁スリーブ700の外側面に流動性を備えた接着剤を設けておく。挿入の後、絶縁スリーブ700に設けておいた接着剤のキュア(硬化処理)を行うことで、接着層521を含む接着層500が形成される。
第2実施形態によっても第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第2実施形態では、ベースプレート100と静電吸着部材200とを互いに貼り合わせた後に、絶縁スリーブ700を配置することができる。
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
1、2:基板固定装置
100:ベースプレート
110:金属部材
111:貫通孔
112:凹部
120:絶縁膜
200:静電吸着部材
300:電極ピン
400、600、700:絶縁スリーブ
500:接着層

Claims (9)

  1. 貫通孔が形成されたベースプレートと、
    前記貫通孔の内側に挿通された電極ピンと、
    前記電極ピンが接続された吸着電極を含む静電吸着部材と、
    を有し、
    前記ベースプレートは、前記静電吸着部材に対向する第1面を備えた金属部材を有し、
    前記第1面に、前記貫通孔に連通し、前記第1面に垂直な方向からの平面視で前記貫通孔を包含する凹部が形成されていることを特徴とする基板固定装置。
  2. 前記凹部の直径は8mm~12mmであり、
    前記凹部の深さは1.5mm~2.5mmであることを特徴とする請求項1に記載の基板固定装置。
  3. 前記ベースプレートは、前記凹部の側壁面及び底面を覆う絶縁膜を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板固定装置。
  4. 前記絶縁膜の厚さは0.2mm~0.4mmであることを特徴とする請求項3に記載の基板固定装置。
  5. 前記貫通孔内に配置された第1筒状絶縁部品を有し、
    前記第1筒状絶縁部品は、
    前記電極ピンが挿通する筒状の第1基部と、
    前記第1基部から径方向で外側に突出し、前記凹部の底と前記静電吸着部材とに挟まれたフランジ部と、
    を有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板固定装置。
  6. 前記第1基部は、前記電極ピンに接着されていることを特徴とする請求項5に記載の基板固定装置。
  7. 前記第1基部は、前記金属部材にも接着されていることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の基板固定装置。
  8. 前記第1基部と前記金属部材との間に配置された第2基部を含む第2筒状絶縁部品を有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の基板固定装置。
  9. 前記第2基部は、前記金属部材に接着されていることを特徴とする請求項8に記載の基板固定装置。
JP2021137197A 2021-08-25 2021-08-25 基板固定装置 Pending JP2023031603A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021137197A JP2023031603A (ja) 2021-08-25 2021-08-25 基板固定装置
US17/453,521 US11961754B2 (en) 2021-08-25 2021-11-04 Substrate fixing device
CN202111313161.2A CN115719725A (zh) 2021-08-25 2021-11-08 基板固定装置
TW110141633A TW202310148A (zh) 2021-08-25 2021-11-09 基板固定裝置
KR1020210152844A KR20230030489A (ko) 2021-08-25 2021-11-09 기판 고정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021137197A JP2023031603A (ja) 2021-08-25 2021-08-25 基板固定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023031603A true JP2023031603A (ja) 2023-03-09

Family

ID=85253699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021137197A Pending JP2023031603A (ja) 2021-08-25 2021-08-25 基板固定装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11961754B2 (ja)
JP (1) JP2023031603A (ja)
KR (1) KR20230030489A (ja)
CN (1) CN115719725A (ja)
TW (1) TW202310148A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023189954A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 京セラ株式会社 試料保持具

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3238925B2 (ja) 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
US6151203A (en) 1998-12-14 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Connectors for an electrostatic chuck and combination thereof
JP2003224180A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP2006344613A (ja) 2003-06-24 2006-12-21 Shin-Etsu Engineering Co Ltd 基板貼り合わせ装置
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
JP2007258615A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
WO2009013941A1 (ja) * 2007-07-23 2009-01-29 Creative Technology Corporation 基板吸着装置及びその製造方法
JP5507198B2 (ja) 2009-10-26 2014-05-28 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6006972B2 (ja) * 2012-04-26 2016-10-12 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6308871B2 (ja) 2014-05-28 2018-04-11 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023189954A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 京セラ株式会社 試料保持具

Also Published As

Publication number Publication date
US20230060253A1 (en) 2023-03-02
CN115719725A (zh) 2023-02-28
KR20230030489A (ko) 2023-03-06
US11961754B2 (en) 2024-04-16
TW202310148A (zh) 2023-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9660557B2 (en) Electrostatic chuck and method for manufacturing the electrostatic chuck
JP4767788B2 (ja) 静電チャック装置
WO2018216797A1 (ja) ウエハ用サセプタ
JP5816454B2 (ja) 基板温調固定装置
JP6308871B2 (ja) 静電チャック及び半導体・液晶製造装置
JP4909704B2 (ja) 静電チャック装置
JP6110159B2 (ja) 複合部材及びその製造方法
US20170290099A1 (en) Metal wiring bonding structure and production method therefor
JP2023031603A (ja) 基板固定装置
TWI820147B (zh) 靜電夾盤及其製造方法
JP4218899B2 (ja) 静電チャックを備える基板ホルダ及びその製造方法
JP6317183B2 (ja) 半導体製造装置用部品
JP6758175B2 (ja) 静電チャック
KR100779859B1 (ko) 파워 인덕터 및 그의 조립 방법
JP2018125515A (ja) 電子装置
JP2011096695A (ja) 半導体装置
WO2021186860A1 (ja) アクチュエータ、流体制御装置、および、アクチュエータの製造方法
KR20190083746A (ko) 정전척용 dc 포트 및 이를 구비한 정전척
JP6420937B1 (ja) ウエハ用サセプタ
JP7139165B2 (ja) 保持装置
KR20150060845A (ko) 모듈
WO2021084897A1 (ja) 伝熱部材付基板及び伝熱部材付基板の製造方法
JP5369570B2 (ja) 圧電振動デバイスの封止部材の製造方法
JP7260309B2 (ja) 半導体発光装置
US20220256701A1 (en) Metal member equipped circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240319