KR20230030489A - 기판 고정 장치 - Google Patents

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KR20230030489A
KR20230030489A KR1020210152844A KR20210152844A KR20230030489A KR 20230030489 A KR20230030489 A KR 20230030489A KR 1020210152844 A KR1020210152844 A KR 1020210152844A KR 20210152844 A KR20210152844 A KR 20210152844A KR 20230030489 A KR20230030489 A KR 20230030489A
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substrate fixing
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히로키 오구로
유스케 기노시타
유이치 나카무라
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 개시 내용은 정전 흡착 부재가 얇은 경우에도 방전을 억제할 수 있는 기판 고정 장치를 제공한다.
본 개시 내용의 기판 고정 장치는, 관통 구멍이 형성된 베이스 플레이트와, 상기 관통 구멍의 내측에 삽입 관통하는 전극 핀과, 상기 전극 핀이 접속되는 흡착 전극을 구비한 정전 흡착 부재를 포함하며, 상기 베이스 플레이트는 상기 정전 흡착 부재에 대향하는 제1면을 구비한 금속 부재를 포함하며, 상기 관통 구멍에 연통되며 상기 제1면에 수직한 방향에서 평면시로 보았을 때에 상기 관통 구멍을 포함하는 오목부가 상기 제1면에 형성되어 있다.

Description

기판 고정 장치{SUBSTRATE FIXING DEVICE}
본 개시 내용은 기판 고정 장치에 관한 것이다.
웨이퍼 등과 같은 기판의 고정에 사용되는 기판 고정 장치로서, 흡착 전극을 내장하는 정전 흡착 부재에, 전극 핀용 개구부와, 개구부의 베이스 플레이트쪽 단부 근방의 오목부가 형성된 기판 고정 장치가 알려져 있다. 오목부가 형성됨으로써, 전극 핀에 있어 흡착 전극과의 접속부와 베이스 플레이트 간 거리가 커지므로, 접속부와 베이스 플레이트 간 방전이 억제된다.
일본국 공개특허공보 특개2015-225952호 일본국 공개특허공보 특개2007-258615호
정전 흡착 부재가 얇은 경우에는, 충분한 깊이의 오목부를 형성할 수 없어서 방전을 억제하기 어려울 우려가 있다.
본 개시 내용은 정전 흡착 부재가 얇은 경우에도 방전을 억제할 수 있는 기판 고정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시 내용의 일 형태에 의하면, 관통 구멍이 형성된 베이스 플레이트와, 상기 관통 구멍의 내측에 삽입 관통하는 전극 핀과, 상기 전극 핀이 접속되는 흡착 전극을 구비한 정전 흡착 부재를 포함하며, 상기 베이스 플레이트는 상기 정전 흡착 부재에 대향하는 제1면을 구비한 금속 부재를 포함하며, 상기 관통 구멍에 연통되며 상기 제1면에 수직한 방향에서 평면시로 보았을 때에 상기 관통 구멍을 포함하는 오목부가 상기 제1면에 형성되어 있는 기판 고정 장치가 제공된다.
본 개시 내용에 의하면, 정전 흡착 부재가 얇은 경우에도 방전을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2a와 도 2b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도(1)이다.
도 3a와 도 3b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도(2)이다.
도 4a와 도 4b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도(3)이다.
도 5는 참고예에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6은 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
도 7a와 도 7b는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도(1)이다.
도 8a와 도 8b는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도(2)이다.
이하에서, 첨부 도면을 참조하여 본 개시 내용의 실시형태에 대해 구체적으로 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙임으로써 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
(제1 실시형태)
먼저, 제1 실시형태에 대해 설명한다. 제1 실시형태는 기판 고정 장치에 관한 것이다.
[기판 고정 장치의 구성]
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)는 주요한 구성 요소로서 베이스 플레이트(100), 정전 흡착 부재(200), 전극 핀(300), 절연 슬리브(400), 접착층(500)을 구비한다.
베이스 플레이트(100)는 판상의 금속 부재(110)와 절연막(120)을 구비한다.
금속 부재(110)의 두께는, 예를 들어, 20mm~50mm 정도이다. 금속 부재(110)는, 예를 들어, 알루미늄, 알루미늄 합금, 티탄, 티탄 합금 등으로 형성될 수 있다. 금속 부재(110)에는, 금속 부재(110)를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(111)이 형성되어 있다. 관통 구멍(111)의 형상은, 예를 들어, 대략 원 형상이다. 관통 구멍(111)의 직경은 5mm~6mm 정도이다. 관통 구멍(111)의 내측으로 전극 핀(300)이 삽입 관통한다. 금속 부재(110)는 제1면(110A)을 갖는다. 제1면(110A) 상에 정전 흡착 부재(200)가 구비된다. 금속 부재(110)의 제1면(110A)에, 제1면(110A)에 수직한 방향에서 평면시(平面視)로 보았을 때에 관통 구멍(111)을 포함하는 머리부 홈과 같은 오목부(112)가 형성되어 있다. 오목부(112)는 관통 구멍(111)에 연통된다. 오목부(112)의 형상은, 예를 들어, 대략 원 형상이다. 오목부(112)의 직경(D1)은 8mm~12mm 정도이다. 오목부(112)의 깊이(D2)는 1.5mm~2.5mm 정도이다. 관통 구멍(111)의 중심축과 오목부(112)의 중심축은 대략 일치한다.
금속 부재(110)는, 플라즈마를 제어하기 위한 전극 등으로서 이용할 수도 있다. 금속 부재(110)에 소정의 고주파 전력을 공급함으로써, 발생된 플라즈마 상태에 있는 이온 등을 정전 흡착 부재(200) 상에 흡착된 웨이퍼 등의 기판에 충돌시키기 위한 에너지를 제어하여 에칭 처리를 효과적으로 실시할 수가 있다.
절연막(120)은, 제1면(110A)과, 오목부(112)의 측벽면 및 바닥면에 형성되어 있다. 절연막(120)은, 예를 들어, 산화알루미늄 막이다. 절연막(120)의 두께는 0.2mm~0.4mm 정도이다. 절연막(120)은, 예를 들어, 금속 부재(110)가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 경우, 금속 부재(110)를 알마이트 처리하거나 또는 산화알루미늄을 금속 부재(110)에 용사(溶射)함으로써 형성할 수 있다.
정전 흡착 부재(200)는, 판 형상의 세라믹 부재(210)와, 흡착 전극(220)을 구비한다. 흡착 전극(220)은 세라믹 부재(210)에 내장되어 있다. 세라믹 부재(210)는 금속 부재(110)의 제1면(110A)에 대향하는 제2면(210A)을 갖는다. 세라믹 부재(210)의 제2면(210A)에는, 흡착 전극(220)까지 이어지는 개구부(211)가 형성되어 있다. 제1면(110A)에 수직한 방향에서 평면시로 보았을 때에, 개구부(211)는 관통 구멍(111)의 내측에 있으며, 흡착 전극(220)은 관통 구멍(111)과 겹쳐져 있다. 정전 흡착 부재(200)는 또한 히터를 구비할 수도 있다.
전극 핀(300)은, 대략 원기둥 형상을 가지며, 관통 구멍(111) 내측으로 삽입 관통되어 개구부(211) 안에서 접합재(310)에 의해 흡착 전극(220)에 접합되어 있다. 전극 핀(300)에 있어 흡착 전극(220)에 접하는 부분의 직경 D3는 1.3mm~1.7mm 정도이다. 접합재(310)는, 예를 들어, 납땜재 또는 브레이징(brazing)재이다. 즉, 전극 핀(300)은 흡착 전극(220)에 대해, 예를 들어 납땜 또는 브레이징되어 있다. 전극 핀(300)으로부터 흡착 전극(220)에 인가되는 전압의 크기는, 예를 들어, 3000V~6000V 정도이다.
절연 슬리브(400)는 통 형상의 베이스부(401)와 플랜지부(402)를 구비한다. 베이스부(401)는 관통 구멍(111)의 내측에 배치되며, 전극 핀(300)이 베이스부(401)의 내측을 삽입 관통한다. 베이스부(401)는 전극 핀(300)의 측면을 덮는다. 베이스부(401)의 두께는 전극 핀(300)의 외면과 관통 구멍(111)의 내벽면 사이의 거리와 같은 정도이다. 플랜지부(402)는 베이스부(401)의 정전 흡착 부재(200)쪽 단부로부터 직경 방향 외측으로 돌출한 부분이다. 플랜지부(102)는, 오목부(112)의 바닥면과 정전 흡착 부재(200)의 제2면(210A) 사이에 위치하며, 오목부(112)의 바닥과 정전 흡착 부재(200) 사이에 끼워져 있다. 절연 슬리브(400)의 재료는 폴리이미드 등과 같은 유기 절연체 또는 알루미나 등과 같은 무기 절연체이다. 절연 슬리브(400)는 제1 통형상 절연 부품의 일 예이다. 베이스부(401)는 제1 베이스부의 일 예이다.
접착층(500)은, 정전 흡착 부재(200)와 절연막(120) 및 절연 슬리브(400)를 접착하고 절연막(120) 및 금속 부재(110)와 절연 슬리브(400)를 접착하며, 절연 슬리브(400)와 전극 핀(300)을 접착한다. 절연 슬리브(400)의 베이스부(401)가 접착층(500)에 의해 금속 부재(110)에 접착되어 있다. 접착층(500)의 재료는, 예를 들어, 실리콘 수지 등과 같은 절연성 수지이다. 접착층(500)에 알루미나 또는 질화알루미늄 등으로 된 필러가 함유될 수도 있다.
[기판 고정 장치의 제조방법]
이어서, 기판 고정 장치(1)의 제조방법에 대해 설명한다. 도 2a 내지 도 4b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
먼저, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 세라믹 부재(210)와 흡착 전극(220)을 구비하며, 세라믹 부재(210)에 개구부(211)가 형성된 정전 흡착 부재(200)를 준비한다.
이어서, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 납땜 또는 브레이징에 의해, 전극 핀(300)을 개구부(211) 내에서 흡착 전극(220)에 접합한다.
또한, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(111) 및 오목부(112)에 형성된 금속 부재(110)와, 절연막(120)을 구비한 베이스 플레이트(100)를 준비한다. 절연막(120)은, 예를 들어, 금속 부재(110)가 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성되어 있는 경우에, 금속 부재(110)를 알마이트 처리하거나 또는 산화 알루미늄을 금속 부재(110)에 용사(溶射)함으로써 형성할 수 있다.
이어서, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 유동성을 갖는 접착제(510)를 도포 등에 의해 절연막(120)의 표면과 금속 부재(110)의 표면에 구비시킨다.
이어서, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 플랜지부(402)가 오목부(112)의 바닥에 걸리도록 하여, 절연 슬리브(400)를 금속 부재(110)의 제1면(110A) 쪽에서부터 오목부(112) 및 관통 구멍(111) 안으로 삽입한다. 그 결과, 오목부(112) 내에 구비된 접착제(510)의 일부가 제1면(110A)의 상방으로 이동한다. 또한, 베이스부(401)가 관통 구멍(111)의 내벽면 상의 접착제(510)에 접촉한다.
이어서, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 금속 부재(110)의 제1면(110A) 쪽에서부터 전극 핀(300)을 절연 슬리브(400)의 내측으로 삽입하면서 세라믹 부재(210)의 제2면(210A)을 접착제(510)에 접촉시킨다. 그리고, 정전 흡착 부재(200)를 베이스 플레이트(100) 쪽으로 가압하여 붙여맞춘다. 그 결과, 베이스 플레이트(100)와 정전 흡착 부재(200) 사이의 접착제(510)가 세라믹 부재(210), 절연 슬리브(400), 전극 핀(300) 주위의 틈새로 퍼져간다. 이어서, 접착제(510)를 경화 처리함으로써, 접착제(510)로부터 접착층(500)이 형성된다.
이와 같이 하여 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)를 제조할 수 있다.
여기에서, 참고예와 비교하여 제1 실시형태의 효과에 대해 설명한다. 도 5는 참고예에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다.
참고예에 따른 기판 고정 장치(9)는 주로 베이스 플레이트 구성의 면에서 제1 실시형태와 다르다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(100) 대신에 베이스 플레이트(900)가 구비되어 있다. 베이스 플레이트(900)는 금속 부재(110)와 마찬가지의 재료로 이루어지는 금속 부재(910)에 의해 구성된다. 금속 부재(910)에, 관통 구멍(111)과 마찬가지의 관통 구멍(911)이 형성되어 있으나, 오목부는 형성되어 있지 않다. 또한, 절연막(120)도 형성되어 있지 않다. 또한, 절연 슬리브(400) 대신에 원통 형상의 절연 슬리브(930)가 구비되어 있다. 다른 구성은 제1 실시형태와 마찬가지이다.
제1 실시형태를 참고예와 비교하면, 베이스 플레이트(100)의 금속 부재(110)에 오목부가 형성되어 있으므로, 접합재(310)와 베이스 플레이트(100) 간 최단 거리 L1이 접합재(310)와 베이스 플레이트(900) 간 최단 거리 L2보다 크다. 여기에서, 최단 거리 L1과 L2는 방전을 저해하기 쉬운 세라믹 부재(210)를 포함하지 않는 경로에서의 거리이다. 예를 들어, 최단 거리 L2가 2mm 정도임에 비해 최단 거리 L1은 5mm~6mm 정도이다. 그러므로, 제1 실시형태에 의하면, 금속 부재(110) 형상의 관점에서 방전이 잘 일어나지 않도록 할 수 있다.
또한, 제1 실시형태에서는 베이스 플레이트(100)가 절연막(120)을 구비한다. 그러므로, 제1 실시형태에 의하면, 절연성의 관점에서도 방전이 잘 일어나지 않도록 할 수 있다.
따라서, 제1 실시형태에 의하면, 정전 흡착 부재(200)의 두께에 관계 없이 방전을 억제할 수가 있다. 또한, 방전 억제에 의해 기판 고정 장치(1)의 수명을 장기화할 수 있다.
(제2 실시형태)
이어서, 제2 실시형태에 대해 설명한다. 제2 실시형태는 주로 절연 슬리브 구성의 면에서 제1 실시형태와 다르다.
[기판 고정 장치의 구성]
도 6은 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 나타내는 단면도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)는 제1 실시형태에서의 절연 슬리브(400) 대신에 절연 슬리브(600,700)를 구비한다.
절연 슬리브(600)는 통 형상의 베이스부(601)와 플랜지부(602)를 구비한다. 베이스부(601)는 관통 구멍(111) 내측에 배치되며 베이스부(601)의 내측을 전극 핀(300)이 삽입 관통한다. 베이스부(601)는 전극 핀(300)의 측면을 덮는다. 베이스부(601)의 두께는 전극 핀(300)의 외면과 관통 구멍(111)의 내벽면 사이의 거리의 절반 정도이다. 플랜지부(602)는 베이스부(601)의 정전 흡착 부재(200)쪽 단부로부터 직경 방향 외측으로 돌출한 부분이다. 플랜지부(602)는 플랜지부(402)와 마찬가지로, 오목부(112)의 바닥면과 정전 흡착 부재(200)의 제2면(210A) 사이에 위치하며, 오목부(112)의 바닥과 정전 흡착 부재(200) 사이에 끼워져 있다. 절연 슬리브(600)의 재료는 폴리이미드 등과 같은 유기 절연체 또는 알루미나 등과 같은 무기 절연체이다. 절연 슬리브(600)는 제1 통 형상 절연 부품의 일 예이다. 베이스부(601)는 제1 베이스부의 일 예이다.
절연 슬리브(700)는 통 형상의 베이스부(701)와 내측 돌출부(702)를 구비한다. 베이스부(701)는 관통 구멍(111) 내측에서 베이스부(601)의 외측에 배치되어 있다. 즉, 베이스부(701)는 관통 구멍(111)의 직경 방향에서 베이스부(601)와 금속 부재(110) 사이에 구비되어 있다. 베이스부(601)와 베이스부(701)는 서로 접촉하고 있다. 베이스부(701)는 플랜지부(602)에도 접촉하고 있다. 베이스부(701)의 두께는 전극 핀(300)의 외면과 관통 구멍(111)의 내벽면 사이의 거리의 절반 정도이다. 내측 돌출부(702)는 베이스부(701)에 있어 정전 흡착 부재(200)쪽과는 반대쪽의 단부로부터 직경 방향 내측으로 돌출한 부분이다. 내측 돌출부(702)는 절연 슬리브(600)의 베이스부(601)에 있어 정전 흡착 부재(200)쪽과는 반대쪽의 단부에 접촉하고 있다. 절연 슬리브(700)의 재료는 폴리이미드 등과 같은 유기 절연체 또는 알루미나 등과 같은 무기 절연체이다. 절연 슬리브(700)는 제2 통 형상 절연 부품의 일 예이다. 베이스부(701)는 제2 베이스부의 일 예이다.
다른 구성은 제1 실시형태와 마찬가지이다.
[기판 고정 장치의 제조방법]
이어서, 기판 고정 장치(2)의 제조방법에 대해 설명한다. 도 7a 내지 도 8b는 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치(2)의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
먼저, 제1 실시형태와 마찬가지로, 정전 흡착 부재(200)를 준비하고, 납땜 또는 브레이징에 의해 전극 핀(300)을 개구부(211) 안에서 흡착 전극(220)에 접합시킨다(도 2b 참조).
또한, 제1 실시형태와 마찬가지로, 베이스 플레이트(100)를 준비한다(도 3a 참조). 이어서, 도 7a에 나타내는 바와 같이, 유동성을 갖는 접착제(520)를 도포 등에 의해 절연막(120)의 표면에 구비시킨다.
이어서, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 플랜지부(602)가 오목부(112)의 바닥에 걸리도록 하여, 절연 슬리브(600)를 금속 부재(110)의 제1면(110A) 쪽에서부터 오목부(112) 및 관통 구멍(111) 안으로 삽입한다. 그 결과, 오목부(112) 내에 구비되어 있던 접착제(520)의 일부가 제1면(110A)의 상방으로 이동한다. 또한, 관통 구멍(111)의 내벽면과 베이스부(601) 사이에는 틈새가 존재한다.
이어서, 도 8a에 나타내는 바와 같이, 전극 핀(300)을 금속 부재(110)의 제1면(110A) 쪽에서부터 절연 슬리브(600) 안쪽으로 삽입하면서 세라믹 부재(210)의 제2면(210A)을 접착제(520)에 접촉시킨다. 그리고, 정전 흡착 부재(200)를 베이스 플레이트(100) 쪽으로 가압하여 붙여맞춘다. 그 결과, 베이스 플레이트(100)과 정전 흡착 부재(200) 사이의 접착제(520)가 세라믹 부재(210), 절연 슬리브(600), 전극 핀(300) 주위의 틈새로 퍼져간다. 이어서, 접착제(520)를 경화 처리함으로써 접착제(520)로부터 접착층(521)이 형성된다.
이어서, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 베이스부(701)에 있어 내측 돌출부(702)가 구비되어 있지 않은 쪽의 단부가 플랜지부(602)에 접하도록 하여 절연 슬리브(700)를 금속 부재(110)의 제1면(110A)과는 반대쪽으로부터 관통 구멍(111) 안으로 삽입한다. 내측 돌출부(702)가 베이스부(601)에 접촉할 수도 있다. 이 때 절연 슬리브(700)의 외측면에 유동성을 갖는 접착제를 구비시켜 둔다. 삽입 후에 절연 슬리브(700)에 구비시켜 둔 접착제를 경화 처리함으로써, 접착층(521)을 포함하는 접착층(500)이 형성된다.
제2 실시형태에 의해서도 제1 실시형태와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제2 실시형태에서는, 베이스 플레이트(100)와 정전 흡착 부재(200)를 붙여맞춘 후에 절연 슬리브(700)를 배치할 수 있다.
이상에서 바람직한 실시형태 등에 대해 상세히 설명하였으나, 전술한 실시형태 등에 제한되지는 않으며, 청구범위에 기재된 범위를 일탈하지 않으면서 전술한 실시형태 등에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
한편, 본원은 일본 특허청에 2021년 8월 25일에 출원된 기초 출원 2021-137197호의 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.
1,2 기판 고정 장치
100 베이스 플레이트
110 금속 부재
111 관통 구멍
112 오목부
120 절연막
200 정전 흡착 부재
300 전극 핀
400,600,700 절연 슬리브
500 접착층

Claims (18)

  1. 관통 구멍이 형성된 베이스 플레이트와,
    상기 관통 구멍의 내측에 삽입 관통하는 전극 핀과,
    상기 전극 핀이 접속되는 흡착 전극을 구비한 정전 흡착 부재를 포함하며,
    상기 베이스 플레이트는 상기 정전 흡착 부재에 대향하는 제1면을 구비한 금속 부재를 포함하며,
    상기 관통 구멍에 연통되며 상기 제1면에 수직한 방향에서 평면시로 보았을 때에 상기 관통 구멍을 포함하는 오목부가 상기 제1면에 형성되어 있는 기판 고정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 오목부의 직경이 8mm~12mm이며,
    상기 오목부의 깊이가 1.5mm~2.5mm인 기판 고정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트가 상기 오목부의 측벽면 및 바닥면을 덮는 절연막을 포함하는 것인 기판 고정 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 절연막의 두께가 0.2mm~0.4mm인 기판 고정 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 관통 구멍 내에 배치된 제1 통형상 절연 부품을 포함하며,
    상기 제1 통형상 절연 부품은,
    상기 전극 핀이 삽입 관통하는 통 형상의 제1 베이스부와,
    상기 제1 베이스부로부터 직경 방향 외측으로 돌출하며 상기 오목부의 바닥면과 상기 정전 흡착 부재의 사이에 끼워진 플랜지부를 포함하는 것인 기판 고정 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 관통 구멍 내에 배치된 제1 통형상 절연 부품을 포함하며,
    상기 제1 통형상 절연 부품은,
    상기 전극 핀이 삽입 관통하는 통 형상의 제1 베이스부와,
    상기 제1 베이스부로부터 직경 방향 외측으로 돌출하며 상기 오목부의 바닥면과 상기 정전 흡착 부재의 사이에 끼워진 플랜지부를 포함하는 것인 기판 고정 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 관통 구멍 내에 배치된 제1 통형상 절연 부품을 포함하며,
    상기 제1 통형상 절연 부품은,
    상기 전극 핀이 삽입 관통하는 통 형상의 제1 베이스부와,
    상기 제1 베이스부로부터 직경 방향 외측으로 돌출하며 상기 오목부의 바닥면과 상기 정전 흡착 부재의 사이에 끼워진 플랜지부를 포함하는 것인 기판 고정 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 전극 핀에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 전극 핀에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 전극 핀에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
  17. 제5항에 있어서,
    상기 제1 베이스부와 상기 금속 부재 사이에 배치된 제2 베이스부를 구비한 제2 통형상 절연 부품을 포함하는 기판 고정 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제2 베이스부가 상기 금속 부재에 접착되어 있는 기판 고정 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023189954A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 京セラ株式会社 試料保持具

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258615A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2015225952A (ja) 2014-05-28 2015-12-14 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3238925B2 (ja) 1990-11-17 2001-12-17 株式会社東芝 静電チャック
US6151203A (en) 1998-12-14 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Connectors for an electrostatic chuck and combination thereof
JP2003224180A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Kyocera Corp ウエハ支持部材
JP2006344613A (ja) 2003-06-24 2006-12-21 Shin-Etsu Engineering Co Ltd 基板貼り合わせ装置
US8038796B2 (en) 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
JP5094863B2 (ja) * 2007-07-23 2012-12-12 株式会社クリエイティブ テクノロジー 基板吸着装置及びその製造方法
JP5507198B2 (ja) 2009-10-26 2014-05-28 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6006972B2 (ja) * 2012-04-26 2016-10-12 新光電気工業株式会社 静電チャック

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258615A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 静電チャック
JP2015225952A (ja) 2014-05-28 2015-12-14 新光電気工業株式会社 静電チャック及び半導体・液晶製造装置

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