KR101666933B1 - 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 밀도를 균일하게 형성할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 일단부에서 상기 급전 부재(17b)와 연결된 후 분기되고 서로 평행을 이루어 배치되고 타단부에서 병합되어 접지되는 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)로 이루어지는 복수의 배선그룹을 포함하며, 상기 제1안테나플레이트(15)는 일단부에서 상기 급전 부재(17b)와 연결되는 이너 안테나플레이트(15a)와, 타단부에서 접지되는 아우터 안테나플레이트(15b)와, 상기 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 포함한다. 이로써 대형의 플라즈마 처리 장치에 있어서 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)에 의하여 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있게 된다.

Description

유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나 {Antenna for inductively coupled plasma processing apparatus}
본 발명은 기판에 대하여 에칭 등의 처리를 실시하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나에 관한 것이다.
액정 표시 장치(LCD), OLED 등의 제조 공정에 있어서는, 기판에 소정의 처리를 실시하기 위하여, 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD 성막(成膜) 장치 등의 각종 플라즈마 처리 장치가 이용된다. 이러한 플라즈마 처리 장치로는 종래에 용량 결합 플라즈마 처리 장치가 사용되었지만, 최근 고진공도로 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 큰 이점을 갖는 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma : ICP) 처리 장치가 주목받고 있다.
유도 결합 플라즈마 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 본체 용기의 유전체창의 외측에 RF 안테나를 배치하고, 본체 용기 내에 처리 가스를 공급하는 동시에 이 RF 안테나에 RF 전력을 공급함으로써, 본체 용기 내에 유도 결합 플라즈마를 발생시키고, 이 유도 결합 플라즈마에 의해서 피처리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 것이다. 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 RF 안테나로는, 소용돌이 형상의 평면 안테나가 많이 사용되고 있다.
그런데, 최근 기판의 대형화가 진행되고, 그 때문에 유도 결합 플라즈마 처리 장치도 대형화되지 않을 수 없고, 그것에 대응하여 RF 안테나도 대형화되고 있다.
그러나, 소용돌이 형상의 RF 안테나를 그 상태에서 대형화하면, 안테나 길이가 길어지고, 안테나 임피던스가 높아져서, RF 안테나에 공급하는 RF 전원의 정합이 어려워지는 동시에, 안테나 전위가 높아지는 문제가 있다. 안테나 전위가 높아지면, RF 안테나와 플라즈마 사이의 용량 결합이 강해져서, 유도 결합 플라즈마를 효과적으로 형성할 수 없는 동시에, 전계 분포에 편차가 발생하여 플라즈마 밀도가 불균일해져, 처리가 불균일하게 되는 문제가 발생한다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 플라즈마 밀도를 균일하게 형성할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나를 제공함을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와, 상기 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와, 상기 본체 용기(10) 내에 처리 가스를 공급하는 처리가스 공급계(12)와, 상기 본체 용기(10) 내를 배기하는 배기계(13)와, 상기 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 유전체벽(14)과, 상기 본체 용기(10) 외부의 상기 유전체벽(14)에 대응하는 부분에 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 RF 안테나(40)와, 상기 RF 안테나(40)에 RF 전원을 공급하는 급전 부재(17b)를 구비하며, 상기 RF 안테나(40)에 RF 전원을 공급함으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도 결합 플라즈마를 형성하여 피처리 기판(S)에 플라즈마 처리를 실시하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 있어서, 일단부에서 상기 급전 부재(17b)와 연결된 후 분기되고 서로 평행을 이루어 배치되고 타단부에서 병합되어 접지되는 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)로 이루어지는 복수의 배선그룹을 포함하며, 상기 제1안테나플레이트(15)는 일단부에서 상기 급전 부재(17b)와 연결되는 이너 안테나플레이트(15a)와, 타단부에서 접지되는 아우터 안테나플레이트(15b)와, 상기 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 포함하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나가 제공된다.
이와 같이 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 포함하여 가변커패시터(15c)를 제어함으로써 플라즈마는 균일하게 형성할 수 있게 된다.
상기 유전체벽(14)은 직사각형의 평면형상을 가지고, 상기 배선그룹은 4개로 설치되어 상기 직사각형의 각 변의 중앙에서 상기 배선그룹이 접지되며, 상기 급전 부재(17b)는, 상기 유전체벽(14)의 중심에서 각 변의 중앙으로 4개로 분기된 후 상기 4개의 배선그룹 각각과 연결될 수 있다.
이와 같이 구성됨으로써 직사각형 피처리기판(S)을 처리하기 위한 최적의 안테나 구조를 제공할 수 있게 된다.
상기 제1안테나플레이트(15) 및 상기 제2안테나플레이트(16)는 상기 급전 부재(17b)와 90°각도를 이루는 제1절곡부, 상기 제1절곡부와 90°각도를 이루는 제2절곡부, 상기 제2절곡부와 270°각도를 이루는 제3절곡부, 상기 제3절곡부와 270°각도를 이루는 제4절곡부, 및 상기 제4절곡부와 90°각도를 이루는 제5절곡부를 포함할 수 있다.
이와 같이 구성됨으로써 직사각형 피처리기판(S)을 처리함에 있어서 균일한 플라즈마의 형성이 가능하다.
상기 유전체벽(14)은 원형의 평면형상을 가지고, 상기 배선그룹 각각과 연결될 수 있다.
이와 같이 구성됨으로써 피처리기판(S) 형상이 원형인 경우에도 균일한 플라즈마의 형성이 가능하다.
상기 복수의 배선그룹 각각은 가변커패시터와 연결된 후 접지될 수 있다.
이와 같이 가변커패시터가 설치된 후 접지됨으로써 보다 균일한 플라즈마의 형성이 가능하다.
상기 복수의 배선그룹은 각각 급전 부재(17b)와 가변커패시터와 연결된 후 연결될 수 있다.
이와 같이 가변커패시터가 설치된 후 급전 부재(17b)와 연결됨으로써 보다 균일한 플라즈마의 형성이 가능하다.
상기 복수의 배선그룹 각각은 상기 제1안테나플레이트(15)의 커패시터 조정시 상기 제2안테나플레이트(16)의 전류도 함께 제어될 수 있다.
이와 같이 제1안테나플레이트(15)의 커패시터 조정시 상기 제2안테나플레이트(16)의 전류도 함께 제어됨으로써 보다 균일한 플라즈마 형성이 가능하다.
본 발명은 제1안테나플레이트 및 제2안테나플레이트로 이루어진 복수의 배선그룹을 구비하고 각 배선그룹의 제1안테나플레이트를 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 포함하여 구성하고 가변커패시터(15c)를 제어함으로써 플라즈마는 균일하게 형성할 수 있게 된다.
제1안테나플레이트의 구성에 있어서 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 설치하고, 가변커패시터(15c)의 조정에 의하여 이너 안테나플레이트(15a) 및 아우터 안테나플레이트(15b) 인가되는 전압조정이 가능하여 대형의 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 대한 공정조건을 최적화시킬 수 있게 된다.
예를 들면, 가변커패시터(15c)의 조정에 의하여 이너 안테나플레이트(15a) 및 아우터 안테나플레이트(15b) 인가되는 전압 조정이 가능하므로, 본체 용기(10) 내의 중앙부분 및 외측부분에서의 플라즈마 밀도의 조절이 가능하여 공정의 균일도는 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 나타내는 단면도,
도 2는 도 1에 도시한 장치에 설치된 안테나의 일예를 도시하는 평면도,
도 3은 안테나의 등가회로도,
도 4는 안테나벽이 원형인 경우의 안테나의 구조의 다른 예를 도시하는 평면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
이 장치는, 예컨대 LCD, OLED의 제조에 있어서 LCD 유리 기판상에 박막 트랜지스터를 형성할 때에, 금속막, ITO막, 산화막 등을 에칭하는 등 기판처리공정을 수행하기 위해 사용된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유도 결합 플라즈마 처리 장치는, 도전성 재료, 예컨대 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성되는 사각통 형상의 기밀한 본체 용기(10)를 갖는다.
이 본체 용기(10)는 분해 가능하게 조립할 수 있고, 접지되어 있다.
본체 용기(10)는 유전체벽(14)에 의해 상하에 안테나실(3) 및 처리실(4)로 구획될 수 있다. 이때 유전체벽(14)은 처리실(4)의 천정벽을 구성하고 있다.
유전체벽(14)은 Al2O3　등의 세라믹, 석영 등으로 구성되어 있다.
유전체벽(14)의 하측 부분에는, 처리 가스 공급용의 샤워 하우징(도시하지 않음)이 삽입될 수 있다. 샤워 하우징은 +자 형상으로 설치되어 있고, 유전체벽(14)을 하측으로부터 지지하는 구조로 될 수 있다.
또한, 유전체벽(14)을 지지하는 샤워 하우징은, 복수의 서스펜더(도시하지 않음)에 의해 본체 용기(10)의 천정에 매달린 상태로 될 수 있다.
또한 샤워 하우징은, 본체 용기(10)의 천정 쪽에 설치되지 않고 본체 용기(10)의 측면 쪽에서도 설치되는 등 그 설치구조는 다양하다.
샤워 하우징은 도전성 재료, 바람직하게는 금속, 예컨대 오염물이 발생하지 않도록 그 내면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성될 수 있다. 이 샤워 하우징에는 수평으로 연장되는 가스 유로(도시하지 않음)가 형성되어 있고, 이 가스 유로에는 하측을 향해 연장되는 복수의 가스 토출 구멍(도시하지 않음)이 연통될 수 있다.
한편, 유전체벽(14)의 상면 중앙에는, 이 가스 유로(도시하지 않음)에 연통되도록 가스 공급관(12)이 설치될 수 있다. 가스 공급관(12)은, 본체 용기(10)의 천정으로부터 그 외측으로 관통되고, 처리 가스 공급원 및 밸브 시스템 등을 포함하는 처리 가스 공급계에 접속된다. 따라서, 플라즈마 처리에 있어서는, 처리 가스 공급계로부터 공급된 처리 가스가 가스 공급관(12)을 거쳐 샤워 하우징내에 공급되고, 그 하면의 가스 공급 구멍으로부터 처리실(4) 내로 토출된다.
본체 용기(10)에 있어서의 안테나실(3)의 측벽(3a)과 처리실(4)의 측벽지지 선반(5)이 설치되어 있고, 이 지지 선반(5) 위에 유전체벽(14)이 탑재된다.
안테나실(3) 내에는 유전체벽(14) 상에 유전체벽(14)이 향하도록 RF 안테나(40)가 배치되어 있다. 이 RF 안테나(40)는 절연 부재로 구성되는 스페이서(도시하지 않음)에 의해 유전체벽(14)으로부터 일정한 거리 이하의 범위로 이격되어 있다.
그리고 안테나실(3)에는, RF 안테나(40)에 대한 급전을 위하여 하나 이상의 급전 부재(17b)가 설치되어 있고, 이들 급전 부재(17b)에는 정합기(17a)를 거쳐 RF 전원(17)이 접속되어 있다.
플라즈마 처리 중, RF 전원(17)으로부터는, 유도 전계 형성용의 예컨대 주파수가 13.56㎒인 RF 전원이 RF 안테나(40)로 공급될 수 있다. 이와 같이 RF 전원이 공급된 RF 안테나(40)에 의해, 처리실(4) 내에 유도 전계가 형성되고, 이 유도 전계에 의해 샤워 하우징으로부터 공급된 처리 가스가 플라즈마화된다. 이때의 RF 전원(17)의 출력은 플라즈마를 발생시키는데 충분한 값이 되도록 적절히 설정된다.
처리실(4) 내의 하측에는, 유전체벽(14)을 사이에 두고 RF 안테나(40)와 대향하도록, 기판(S)을 탑재하기 위한 기판탑재대(20)가 설치되어 있다. 기판탑재대(20)는 도전성 재료, 예컨대 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 구성될 수 있다. 기판탑재대(20)에 탑재된 기판(S)은, 정전 척(도시하지 않음)에 의해 기판탑재대(20)에 흡착 유지될 수 있다.
처리실(4)의 측벽(4a)에는, 기판(S)을 반입출하기 위한 반입출구(도시하지 않음) 및 그것을 개폐하는 게이트 밸브(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
기판탑재대(20)는 정합기(18a)를 거쳐 RF 전원(18)이 접속될 수 있다.
이 RF 전원(18)은, 플라즈마 처리중에, 바이어스용 RF 전원, 예컨대 주파수 6㎒의 RF 전원(18)을 기판탑재대(20)에 인가할 수 있다. 이 바이어스용 RF 전원(18)에 의해, 처리실(4) 내에 생성된 플라즈마 중의 이온이 효과적으로 기판(S)으로 인입된다.
또한, 기판탑재대(20) 내에는, 기판(S)의 온도를 제어하기 위해, 세라믹 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등으로 구성되는 온도 제어 기구와, 온도 센서가 설치되어 있다(모두 도시하지 않음).
처리실(4)의 바닥부에는 배기관(31)을 거쳐 진공 펌프 등을 포함하는 배기 장치(13)가 접속되고, 이 배기 장치(13)에 의해 처리실(4)이 배기되고, 플라즈마 처리 동안 처리실(4) 내가 소정의 진공 분위기(예컨대 1.33 ㎩)로 설정되어 유지된다.
다음으로, RF 안테나(40)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.
RF 안테나(40)는 본체 용기(10) 외부의 유전체벽(14)에 대응하는 부분에 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 본체 용기 내에 유도 전계를 형성한다.
RF 안테나(40)는 일단부에서 급전 부재(17b)와 연결된 후 분기되고 서로 평행을 이루어 배치되고 타단부에서 병합되어 접지되는 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)로 이루어지는 복수의 배선그룹을 포함한다.
그리고 각 배선그룹은 일단부에서 급전 부재(17b)와 연결된 후 분기되고 서로 평행을 이루어 배치되고 타단부에서 병합되어 접지되는 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)로 이루어진다.
이때 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)는 그 배치되는 방향을 길이방향으로 하는 판형상을 가지며, 도 2에 도시된 바와 같이, 폭이 작은 제1면이 유전체벽(14)을 향하며, 제1면보다 큰 제2면은 서로 평행하게 배치됨이 바람직하다.
이와 같이 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)가 폭이 작은 제1면이 유전체벽(14)을 향하며, 제1면보다 큰 제2면은 서로 평행하게 배치되면 유전체벽(14)의 하부에 유도되는 플라즈마의 강도를 높이는 한편 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)가 서로 인접하여 평행하게 형성됨으로써 기판처리에 충분한 유도 플라즈마를 형성할 수 있게 된다.
이와 같은 구조를 가지는 RF 안테나는 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이 다양한 형태로 배치될 수 있다.
RF 안테나(40)는 유전체벽(14)의 중심부분으로부터 외측을 향하여 나선형상으로 배치될 수 있다.
제1안테나플레이트(15)는 일단부에서 급전 부재(17b)와 연결되는 이너 안테나플레이트(15a)와, 타단부에서 접지되는 아우터 안테나플레이트(15b)와, 이너 안테나플레이트(15a)와 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되는 가변커패시터(15c)를 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같이 제1안테나플레이트(15)가 이너 안테나플레이트(15a)와 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 가변커패시터(15c)를 포함하게 되면 가변커패시터(15c)의 조정을 통하여 RF 안테나(40)에 의하여 형성되는 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있게 된다.
가변커패시터(15c)는 이너 안테나플레이트(15a)와 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되어 커패시터 값을 변화시켜 균일한 플라즈마 형성에 최적화하기 위한 구성이다.
그리고 가변커패시터(15c)는 진공가변콘덴서가 사용됨이 바람직하다.
복수의 배선그룹을 포함하는 RF 안테나(40)는 직사각형, 원형 등 유전체벽(14)의 평면형상에 대응하여 3개, 4개 등 적절한 수로 배치되는 등 다양한 구조로 설치된다.
일 실시예에 따르면 유전체벽(14)은 직사각형의 평면형상을 가지고, 배선그룹은 4개로 설치되어 직사각형의 각 변의 중앙에서 배선그룹이 접지될 수 있다.
이때 급전 부재(17b)는, 유전체벽(14)의 중심에서 각 변의 중앙으로 4개로 분기된 후 4개의 배선그룹 각각과 연결된다.
그리고 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)는 급전 부재(17b)와 90°각도를 이루는 제1절곡부, 제1절곡부와 90°각도를 이루는 제2절곡부, 제2절곡부와 270°각도를 이루는 제3절곡부, 제3절곡부와 270°각도를 이루는 제4절곡부, 및 제4절곡부와 90°각도를 이루는 제5절곡부를 포함할 수 있다.
제1절곡부 및 제2절곡부는 대체로 유전체벽(14)의 중앙부분에, 제4절곡부 및 제5절곡부는 대체로 유전체벽(14)의 가장자리부분에 위치되며, 제3절곡부는 중앙부분 및 가장자리부분을 연결한다.
다른 실시예에 따르면, 유전체벽(14)은 원형의 평면형상을 가지고, 배선그룹 각각과 연결될 수 있다.
상술한 바와 같은 구성에 의하여 RF 안테나(40)는 커패시터 값을 변화시켜 균일한 플라즈마 형성에 최적화된다.
이와 같은 플라즈마 최적화에 있어서, 복수의 배선그룹 각각은 진공가변콘덴서와 같은 가변커패시터(19a)와 추가로 연결된 후 접지됨이 바람직하다.
또한 이와 같은 플라즈마 최적화에 있어서, 복수의 배선그룹은 진공가변콘덴서와 같은 가변커패시터(도시하지 않음)와 추가로 연결된 후 각각 급전 부재(17b)와 연결됨이 바람직하다.
그리고 이와 같은 플라즈마 최적화에 있어서, 복수의 배선그룹 각각은 제1안테나플레이트(15)의 커패시터 조정시 제2안테나플레이트(16)의 전류도 함께 제어됨이 바람직하다.
10... 본체 용기 14... 유전체벽
3... 안테나실 4... 처리실
40... RF 안테나 17... 고주파 전원
17b... 급전 부재 20... 처리 가스 공급계

Claims (7)

  1. 피처리 기판(S)을 수용하여 플라즈마 처리를 실시하는 본체 용기(10)와,
    상기 본체 용기(10) 내에서 피처리 기판(S)이 탑재되는 기판탑재대(20)와,
    상기 본체 용기(10) 내에 처리 가스를 공급하는 처리가스 공급계(12)와,
    상기 본체 용기(10) 내를 배기하는 배기계(13)와,
    상기 본체 용기(10)의 상부벽을 구성하는 유전체벽(14)과,
    상기 본체 용기(10) 외부의 상기 유전체벽(14)에 대응하는 부분에 설치되고, RF 전원이 공급됨으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도 전계를 형성하기 위한 RF 안테나(40)와,
    상기 RF 안테나(40)에 RF 전원을 공급하는 급전 부재(17b)를 구비하며,
    상기 RF 안테나(40)에 RF 전원을 공급함으로써 상기 본체 용기(10) 내에 유도결합 플라즈마를 형성하여 피처리 기판(S)에 플라즈마 처리를 실시하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    일단부에서 상기 급전 부재(17b)와 연결된 후 분기되고 서로 평행을 이루어 배치되고 타단부에서 병합되어 접지되는 제1안테나플레이트(15) 및 제2안테나플레이트(16)로 이루어지는 복수의 배선그룹을 포함하며,
    상기 제1안테나플레이트(15)는, 이너 안테나플레이트(15a)와, 아우터 안테나플레이트(15b)와, 상기 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b) 사이에 설치되어 상기 유전체벽(14) 상부에 위치하는 가변커패시터(15c)를 포함하며,
    상기 급전 부재(17b)는, 상기 유전체벽(14)의 중앙부에서 분기되어 상기 복수의 배선그룹과 각각 연결되고,
    상기 이너 안테나플레이트(15a)는, 일단부에서 상기 급전부재(17b)와, 타단부에서 상기 가변커패시터(15c)의 일단과 연결되며,
    상기 아우터 안테나플레이트(15b)는, 일단부에서 상기 가변커패시터(15c)의 타단과 연결되고, 상기 유전체벽(14)에서 접지되며,
    상기 가변커패시터(15c)는, 상기 이너 안테나플레이트(15a)와 상기 아우터 안테나플레이트(15b)의 사이에 배치되어 상기 이너 안테나플레이트(15a) 및 상기 아우터 안테나플레이트(15b)에 인가되는 전압이 조절되도록 하여 상기 제1안테나플레이트(15) 및 상기 제2안테나플레이트(16)에 의하여 인가되는 플라즈마 밀도를 조절하며,
    상기 제1안테나플레이트(15)와 상기 제2안테나플레이트(16)는 상기 유전체벽(14)의 중앙부에서 분기된 후 접지 전까지 서로 평행하게 배치되며,
    상기 복수의 배선그룹 각각은 상기 제1안테나플레이트(15)의 커패시터 조정시 상기 제2안테나플레이트(16)의 전류도 함께 제어되는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체벽(14)은 직사각형의 평면형상을 가지고, 상기 배선그룹은 4개로 설치되어 상기 직사각형의 각 변의 중앙에서 상기 배선그룹이 접지되며,
    상기 급전 부재(17b)는, 상기 유전체벽(14)의 중심에서 각 변의 중앙으로 4개로 분기된 후 상기 4개의 배선그룹 각각과 연결된 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1안테나플레이트(15) 및 상기 제2안테나플레이트(16)는 상기 급전 부재(17b)에 대해 반시계방향으로 90°각도를 이루는 제1절곡부, 상기 제1절곡부에 대해 반시계방향으로 90°각도를 이루는 제2절곡부, 상기 제2절곡부에 대해 반시계방향으로 270°각도를 이루는 제3절곡부, 상기 제3절곡부에 대해 반시계방향으로 90°각도를 이루는 제4절곡부, 및 상기 제4절곡부에 대해 반시계방향으로 90°각도를 이루는 제5절곡부를 포함하는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유전체벽(14)은 원형의 평면형상을 가지고, 상기 배선그룹 각각과 연결된 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 배선그룹 각각은 가변커패시터와 연결된 후 접지된 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 배선그룹은 가변커패시터와 연결된 후 각각 상기 급전 부재(17b)와 연결되는 유도 결합 플라즈마 처리 장치의 안테나.
  7. 삭제
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