TW201933949A - 直流電壓施加方法及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題係提供可調整電漿之狀態的方法。在一實施形態之方法中，在腔室之內部空間中產生氣體之電漿。在產生電漿當中，使從直流電源對電極施加之負極性直流電壓的絕對值增加。電極構成腔室之一部分或設於內部空間中。在增加負極性直流電壓之絕對值當中，界定第1電壓值。第1電壓值係在增加負極性直流電壓之絕對值當中的時間點且電流開始流至電極之該時間點的該電極之電壓值。在產生電壓當中，將以直流電源對電極施加之直流電壓的電壓值設定為具有第1電壓值與指定值之和的值之第2電壓值。

Description

直流電壓施加方法及電漿處理裝置
本揭示之實施形態係有關於直流電壓施加方法及電漿處理裝置。
在電子裝置之製造中，使用電漿處理裝置對基板進行電漿處理。電漿處理裝置一般包含腔室、支撐台、及射頻電源。支撐台設於腔室之內部空間中。支撐台具有下部電極。於下部電極電性連接有射頻電源。電漿處理在基板載置於支撐台上之狀態下執行。在電漿處理，將氣體供至腔室之內部空間，以射頻波激發氣體，而在內部空間中產生電漿。在電漿處理進行當中，將聚焦環配置成包圍基板。聚焦環使電漿處理之面內均一性提高。
電漿處理使聚焦環之厚度減少。為了聚焦環之厚度即使從初期之厚度減少， 仍確保電漿處理之面內均一性，而提出了對聚焦環施加電壓之技術。此種技術記載於例如專利文獻1。在記載於專利文獻1之技術中，從射頻電源將射頻波供至下部電極及聚焦環。當藉射頻波之供給而對聚焦環施加電壓時，可調整內部空間中之電漿的狀態。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開公報2005-203489號
[發明欲解決之問題]
為調整電漿之狀態，而考慮對電漿處理裝置之電極施加負極性直流電壓。然而，根據對電極施加之電壓的值，有無法使電漿之狀態變化，結果，無法調整電漿之狀態的情形。
[解決問題之手段]
在第1態樣中，提供對電漿處理裝置之電極施加直流電壓的方法。此方法包含下列步驟：(i)在腔室之內部空間中產生氣體之電漿；(ii)在產生電漿當中，使從直流電源對構成腔室之一部分或設於內部空間中之電極施加的負極性直流電壓之絕對值增加；(iii)界定第1電壓值，第1電壓值係在使負極性直流電壓之絕對值增加的步驟執行中之時間點且電流開始流至電極之該時間點的該電極之電壓值；(iv)在產生電漿當中，將以直流電源對電極施加之直流電壓的電壓值設定為具有第1電壓值與指定值之和的值之第2電壓值。
在第2態樣中，提供電漿處理裝置。電漿處理裝置包含腔室、射頻電源、直流電源、第1測定器、第2測定器、及控制部。射頻電源構造成產生用以使供至腔室之內部空間的氣體激發之射頻波。直流電源電性連接於電極。此電極構成腔室之一部分或設於內部空間中。第1測定器構造成測定電極之電流。第2測定器構造成測定電極之電壓。控制部構造成控制以直流電源對電極施加之負極性直流電壓。控制部(i)在內部空間中產生電漿當中，將直流電源控制成增加對電極施加之負極性直流電壓的絕對值，(ii)在直流電壓之絕對值增加當中，從以第1測定器取得之測定值界定電流開始流至電極之時間點，使用第2測定器，界定該時間點之電極的第1電壓值，(iii)在產生電漿當中，將直流電源控制成將對電極施加之直流電壓的電壓值設定為具有第1電壓值與指定值之和的值之第2電壓值。
根據第1態樣及第2態樣，在產生電漿當中對電極施加具有第2電壓值之直流電壓。第2電壓值係第1電壓值與指定值之和。第1電壓值係在增加直流電壓之絕對值當中電流開始流至電極之時間點的該電極之電壓值。因而，當對電極施加第2電壓值時，對應指定值之電流便確實地流至該電極。結果，可調整內部空間中之電漿的狀態。
在一實施形態中，電極係配置成在內部空間中包圍基板之聚焦環。
在一實施形態中，上述電漿處理裝置係電容耦合型電漿處理裝置。電漿處理裝置包含支撐台。支撐台構造成在內部空間中支撐基板。支撐台具有下部電極。腔室含有上部電極。上部電極設於支撐台之上方。在此實施形態中，被施加直流電壓之上述電極係上部電極。
[發明之功效]
如以上所說明，可對電漿處理裝置之電極施加具有調整電漿之狀態所需的電壓值之直流電壓。
[用以實施發明之形態]
以下，參照圖式，就各種實施形態詳細地說明。此外，在各圖式中，對同一或相當之部分附上同一符號。
圖1係顯示一實施形態之直流電壓施加方法的流程圖。在圖1所示之方法MT中，為調整在電漿處理裝置之腔室的內部空間中產生之電漿的狀態，而對該電漿處理裝置之電極施加直流電壓。
圖2係概略地顯示一實施形態之電漿處理裝置的圖。方法MT可使用圖2所示之電漿處理裝置1來執行。電漿處理裝置1係電容耦合型電漿處理裝置。
電漿處理裝置1包含腔室10。腔室10於其內部提供內部空間10s。在一實施形態中，腔室10含有腔室本體12。腔室本體12呈大約圓筒形狀。於腔室本體12之內部提供內部空間10s。腔室本體12由例如鋁構成。腔室本體12電性接地。於腔室本體12之內壁面、即劃分出內部空間10s之壁面形成有具耐電漿性之膜。此膜可為以陽極氧化處理形成之膜或由氧化釔形成之膜這樣的陶瓷製膜。
於腔室本體12之側壁形成有通路12p。基板W於在內部空間10s與腔室10的外部之間被搬送時，通過通路12p。為開閉此通路12p，閘閥12g沿著腔室本體12之側壁而設。
於內部空間10s中設有支撐台16。支撐台16構造成支撐載置於其上之基板W。 支撐台16以支撐部15支撐。支撐部15從腔室本體12之底部延伸至上方。支撐部15呈大約圓筒形狀。支撐部15由石英這樣的絕緣材料形成。
在一實施形態中，支撐台16具有下部電極18及靜電吸盤20。支撐台16亦可更具有電極板21。電極板21由鋁這樣的導電性材料形成，呈大約圓盤形狀。下部電極18設於電極板21上。下部電極18由鋁這樣的導電性材料形成，呈大約圓盤形狀。下部電極18電性連接於電極板21。
於下部電極18內形成有流路18f。流路18f係熱交換媒體用流路。熱交換媒體可使用液狀冷媒、或藉其氣化將下部電極18冷卻之冷媒(例如氟氯烷)。於流路18f連接有熱交換媒體之循環裝置(例如冷卻單元)。此循環裝置設於腔室10之外部。從循環裝置經由配管23a將熱交換媒體供至流路18f。供至流路18f之熱交換媒體經由配管23b返回至循環裝置。
靜電吸盤20設於下部電極18上。基板W於在內部空間10s中處理時，載置於靜電吸盤20上，以該靜電吸盤20保持。靜電吸盤20具有本體及電極。靜電吸盤20之本體由絕緣體形成。靜電吸盤20之電極係膜狀電極，設於靜電吸盤20之本體內。於靜電吸盤20之電極電性連接有直流電源。當從直流電源對靜電吸盤20之電極施加電壓時，便在靜電吸盤20與載置於該靜電吸盤20上的基板W之間產生靜電引力。藉所產生之靜電引力，基板W被吸引至靜電吸盤20，以該靜電吸盤20保持。
在一實施形態中，電漿處理裝置1更包含氣體供給管路25。氣體供給管路25將來自氣體供給機構之傳熱氣體、例如He氣體供至靜電吸盤20之上面與基板W的背面(下面)之間。
在一實施形態中，電漿處理裝置1更包含筒狀部28及絕緣部29。筒狀部28從腔室本體12之底部延伸至上方。筒狀部28沿著支撐部15之外周延伸。筒狀部28由導電性材料形成，呈大約圓筒形狀。筒狀部28電性接地。絕緣部29設於筒狀部28上。絕緣部29由具絕緣性之材料形成。絕緣部29由例如石英這樣的陶瓷形成。絕緣部29呈大約圓筒形狀。絕緣部29沿著電極板21之外周、下部電極18之外周、及靜電吸盤20之外周延伸。
於靜電吸盤20之外周區域上配置聚焦環FR。聚焦環FR呈大約環狀板形狀。聚焦環FR具導電性。聚焦環FR由例如矽形成。聚焦環FR配置成包圍基板W之邊緣。此聚焦環FR係電漿處理裝置1之電極E的一例，設於內部空間10s中。如後述，於聚焦環FR電性連接有直流電源70A。
電漿處理裝置1更包含上部電極30。上部電極30設於支撐台16之上方。上部電極30與構件32一同封閉腔室本體12之上部開口。構件32具絕緣性。上部電極30藉由此構件32支撐於腔室本體12之上部。上部電極30係電漿處理裝置1之電極E的另一例，構成腔室10之一部分。如後述，於上部電極30電性連接有直流電源70B。
上部電極30含有頂板34及支撐體36。頂板34之下面劃分出內部空間10s。於頂板34形成有複數之氣體噴吐孔34a。複數之氣體噴吐孔34a分別將頂板34於板厚方向(鉛直方向)貫穿。此頂板34並未限定，由例如矽形成。或者，頂板34可具有於鋁製母材之表面設有耐電漿性膜的構造。此膜可為以陽極氧化處理形成之膜或由氧化釔形成之膜這樣的陶瓷製膜。
支撐體36將頂板34支撐成裝卸自如。支撐體36由例如鋁這樣的導電性材料形成。於支撐體36之內部設有氣體擴散室36a。複數之氣體孔36b從氣體擴散室36a延伸至下方。複數之氣體孔36b分別與複數之氣體噴吐孔34a連通。於支撐體36形成有氣體導入埠36c。氣體導入埠36c連接於氣體擴散室36a。於氣體導入埠36c連接有氣體供給管38。
於氣體供給管38藉由閥群41、流量控制器群42、及閥群43連接有氣體源群40。氣體源群40包含複數之氣體源。閥群41及閥群43分別包含複數之閥(例如開關閥)。流量控制器群42包含複數之流量控制器。流量控制器群42之複數的流量控制器分別係質量流量控制器或壓力控制式流量控制器。氣體源群40之複數的氣體源分別藉由閥群41之對應的閥、流量控制器群42之對應的流量控制器、及閥群43之對應的閥，連接於氣體供給管38。電漿處理裝置1可將來自氣體源群40之複數的氣體源中所選擇之一個以上的氣體源之氣體以個別調整之流量供至內部空間10s。
於筒狀部28與腔室本體12的側壁之間設有閥板48。閥板48可藉於例如鋁製母材被覆氧化釔等陶瓷而構成。於此閥板48形成有多個貫穿孔。在閥板48之下方，排氣管52連接於腔室本體12之底部。於此排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有自動壓力控制閥這樣的壓力控制器、及渦輪分子泵等真空泵，而可將內部空間10s中之壓力減壓。
電漿處理裝置1更包含第1射頻電源61。第1射頻電源61係產生電漿產生用第1射頻波之電源。第1射頻波具有27~100MHz之範圍內的頻率、例如60MHz之頻率。第1射頻電源61藉由第1匹配器63及電極板21連接於下部電極18。第1匹配器63具有用以使第1射頻電源61之輸出阻抗與負載側(下部電極18側)之阻抗匹配的匹配電路。此外，第1射頻電源61亦可不電性連接於下部電極18，而藉由第1匹配器63連接於上部電極30。
電漿處理裝置1更包含第2射頻電源62。第2射頻電源62係產生用以將離子引入至基板W之偏壓用第2射頻波的電源。第2射頻波之頻率低於第1射頻波之頻率。第2射頻波之頻率係400kHz~13.56MHz之範圍內的頻率，例如400kHz。第2射頻電源62藉由第2匹配器64及電極板21連接於下部電極18。第2匹配器64具有用以使第2射頻電源62之輸出阻抗與負載側(下部電極18側)之阻抗匹配的匹配電路。
在此電漿處理裝置1中，將氣體供至內部空間10s。再者，藉供給第1射頻波及/或第2射頻波，而在內部空間10s中激發氣體。結果，在內部空間10s中產生電漿。藉來自產生之電漿的離子及/或自由基，處理基板W。
電漿處理裝置1更包含直流電源70A。直流電源70A電性連接於聚焦環FR。直流電源70A為調整在內部空間10s中產生之電漿的狀態，而產生對聚焦環FR施加之負極性直流電壓。圖3係圖2所示之電漿處理裝置的支撐台與聚焦環之部分放大截面圖。如圖3所示，在一實施形態中，聚焦環FR藉由導體22電性連接於下部電極18。導體22貫穿靜電吸盤20。直流電源70A藉由電極板21、下部電極18、及導體22電性連接於聚焦環FR。此外，直流電源70A亦可不藉由電極板21、下部電極18及導體22，而藉由其他之電性路徑電性連接於聚焦環FR。
電漿處理裝置1更包含測定器71A及測定器72A。測定器71A係一實施形態之第1測定器，構造成測定聚焦環FR之電流。測定器72A係一實施形態之第2測定器，構造成測定聚焦環FR之電壓。在一實施形態中，測定器71A及測定器72A裝設於直流電源70A內。此外，測定器71A及測定器72A亦可不裝設於直流電源70A內。
電漿處理裝置1更包含直流電源70B。直流電源70B電性連接於上部電極30。直流電源70B為調整在內部空間10s中產生之電漿的狀態，而產生對上部電極30施加之負極性直流電壓。電漿處理裝置1更包含測定器71B及測定器72B。測定器71B係一實施形態之第1測定器，構造成測定上部電極30之電流。測定器72B係一實施形態之第2測定器，構造成測定上部電極30之電壓。在一實施形態中，測定器71B及測定器72B裝設於直流電源70B內。此外，測定器71B及測定器72B亦可不裝設於直流電源70B內。
電漿處理裝置1更可包含控制部MC。控制部MC係具有處理器、記錄裝置、輸入裝置、顯示裝置等之電腦，控制電漿處理裝置1之各部。具體而言，控制部MC執行記錄於記錄裝置之控制程式，依據記錄於該記錄裝置之配方資料，控制電漿處理裝置1之各部。藉控制部MC之控制，電漿處理裝置1可根據配方資料執行所指定之程序。又，藉控制部MC之控制，電漿處理裝置1可執行方法MT。在方法MT之執行中，控制部MC控制直流電源70A及直流電源70B中至少一者。
以下，以使用電漿處理裝置1來執行之情形為例，說明方法MT之細節。又，就方法MT之控制部MC的控制作說明。在以下之說明中，有將聚焦環FR及上部電極30各自或一起作為電極E來參照之情形。又，有將直流電源70A及直流電源70B各自或一起作為直流電源70來參照之情形。再者，有將測定器71A及測定器71B各自或一起作為測定器71來參照之情形，有將測定器72A及測定器72B各自或一起作為測定器72來參照之情形。
又，在以下之說明中，將圖1與圖4一併參照。圖4係有關於圖1所示之方法的隨時間變化圖。在圖4之隨時間變化圖中，橫軸顯示時間。在圖4之隨時間變化圖中，縱軸之射頻波開係表示為產生電漿而供給第1射頻波及/或第2射頻波。在圖4之隨時間變化圖中，縱軸之射頻波關係表示未供給第1射頻波及第2射頻波，而未產生電漿。在圖4之隨時間變化圖中，縱軸之直流電壓的絕對值顯示電漿處理裝置之電極E的直流電壓之絕對值。又，在圖4之隨時間變化圖，縱軸之電流顯示電漿處理裝置之電極E的電流之值。
在方法MT，在步驟ST1，開始電漿之產生。具體而言，在氣體供至內部空間10s之狀態下，為產生該氣體之電漿，而開始第1射頻波及/或第2射頻波之供給。 在圖4之隨時間變化圖中，在時間點t0，開始步驟ST1之電漿的產生。即，在時間點t0，開始第1射頻波及/或第2射頻波之供給。在步驟ST1，以控制部MC控制第1射頻電源61及第2射頻電源62。以步驟ST1之執行而開始的電漿之產生在對基板W之電漿處理結束為止之期間持續。以步驟ST1之執行而開始的電漿之產生至少持續至步驟ST4結束為止。
接下來之步驟ST2在步驟ST1開始之電漿產生當中執行。在步驟ST2，使從直流電源70對電漿處理裝置1之電極E施加的負極性直流電壓之絕對值增加。步驟ST2之負極性直流電壓的絕對值之增加速度預先設定。在圖4之隨時間變化圖中，從時間點t0開始對電極E施加負極性直流電壓，該負極性直流電壓之絕對值隨著時間經過增加而逐漸變大。
在步驟ST2，對聚焦環FR施加負極性直流電壓時，使從直流電源70A對聚焦環FR施加之負極性直流電壓的絕對值增加。為增加對聚焦環FR施加之負極性直流電壓之絕對值，而以控制部MC控制直流電源70A。在步驟ST2，對上部電極30施加負極性直流電壓時，使從直流電源70B對上部電極30施加之負極性直流電壓的絕對值增加。為增加對上部電極30之負極性直流電壓的絕對值，而以控制部MC控制直流電源70B。
在步驟ST3，界定第1電壓值(在圖4之隨時間變化圖中為V1)。第1電壓值以控制部MC界定。第1電壓值係在步驟ST2執行中、即增加對電極E施加之負極性直流電壓的絕對值當中，電流開始流至電極E之時間點的該電極E之電壓值。在圖4之隨時間變化圖中，此時間點顯示為時間點t1。此時間點從以測定器71取得之測定值、即電極E之電流的測定值，以控制部MC界定為預定值以上之電流開始流至電極E的時間點。此預定值設定為例如0.001[A]。第1電壓值係使用測定器72，以控制部MC界定為所界定之時間點的電極E之電壓。此外，此時間點之界定只要可界定電流開始流至電極E之時間點，可以任意之方法求出。舉例而言，此時間點亦可界定為電極E之電流的微分值為極大值之時間點。
在步驟ST3，對聚焦環FR施加負極性直流電壓時，從以測定器71A取得之測定值、即聚焦環FR之電流的測定值，以控制部MC界定預定值以上之電流開始流至聚焦環FR之時間點。再者，藉使用測定器72A，以控制部MC將所界定之時間點的聚焦環FR之電壓界定為第1電壓值。
在步驟ST3，對上部電極30施加負極性直流電壓時，從以測定器71B取得之測定值、即上部電極30之電流的測定值，以控制部MC界定預定值以上之電流開始流至上部電極30之時間點。再者，藉使用測定器72B，以控制部MC將所界定之時間點的上部電極30之電壓界定為第1電壓值。
在接下來之步驟ST4，將從直流電源70對電極E施加之直流電壓的電壓值設定為第2電壓值(在圖4之隨時間變化圖中為V2)。在步驟ST4，以控制部MC將直流電源70控制成將對電極E施加之直流電壓的電壓值設定為第2電壓值。第2電壓值係第1電壓值(在圖4之隨時間變化圖中為V1)與指定值(在圖4之隨時間變化圖中為Vs)之和。指定值可被賦予作為配方資料之一部分，抑或，亦可由操作員輸入。
在步驟ST4，如圖4所示，將從直流電源70對電極E施加之負極性直流電壓的電壓值變更成隨著時間經過，逐漸接近第2電壓值。抑或，在步驟ST4，亦可將從直流電源70對電極E施加之負極性直流電壓的電壓值於電流開始流至電極E之時間點後不久或求出第2電壓值之時間點後不久設定為第2電壓值。
在步驟ST4，對聚焦環FR施加負極性直流電壓時，以控制部MC將直流電源70A控制成將對聚焦環FR施加之直流電壓的電壓值設定為第2電壓值。控制部MC令對聚焦環FR施加之直流電壓的第2電壓值為聚焦環FR之上述第1電壓值與聚焦環FR用指定值的和來求出。
在步驟ST4，對上部電極30施加負極性直流電壓時，以控制部MC將直流電源70B控制成將對上部電極30施加之直流電壓的電壓值設定為第2電壓值。控制部MC令對上部電極30施加之直流電壓的第2電壓值為上部電極30之上述第1電壓值與上部電極30用指定值的和來求出。
以下，參照圖5。圖5係顯示圖2所示之電漿處理裝置的聚焦環之負極性直流電壓的絕對值與該聚焦環之電流的關係之曲線圖。圖5所示之曲線圖藉在電漿處理裝置1之內部空間10s中產生電漿的期間中，一面使從直流電源70A對聚焦環FR施加之負極性直流電壓的絕對值增加，一面測定聚焦環FR之電流而取得。在圖5所示之曲線圖中，橫軸顯示從直流電源70A對聚焦環FR施加之負極性直流電壓的絕對值，縱軸顯示聚焦環FR之電流。
如圖5所示，即使從直流電源70A對聚焦環FR施加具有小於某基準值(在圖5中為600[V])之絕對值的負極性直流電壓，電流亦未流至聚焦環FR。因而，即使從直流電源70A對聚焦環FR施加具有小於某基準值之絕對值的負極性直流電壓，亦無法調整電漿之狀態。另一方面，如上述，第2電壓值係第1電壓值與指定值之和。第1電壓值係在增加直流電壓之絕對值當中電流開始流至電極E之時間點的該電極E之電壓值。因而，當對電極E施加第2電壓值時，對應指定值之電流便確實地流至該電極E。結果，可確實地調整內部空間10s中之電漿的狀態。
以上，就各種實施形態作了說明，但不限上述實施形態，可構成各種變形態樣。舉例而言，電漿處理裝置1不需包含直流電源70A及直流電源70B兩者，只要包含直流電源70A及直流電源70B中至少一者即可。
又，方法MT只要可對構成腔室之一部分或設於內部空間中之電極從直流電源施加負極性直流電壓，可使用任意之電漿處理裝置來執行。此種電漿處理裝置例示感應耦合型電漿處理裝置、在電漿產生使用微波這樣的表面波之電漿處理裝置等。
1‧‧‧電漿處理裝置
10‧‧‧腔室
10s‧‧‧內部空間
12‧‧‧腔室本體
12p‧‧‧通路
12g‧‧‧閘閥
15‧‧‧支撐部
16‧‧‧支撐台
18‧‧‧下部電極
18f‧‧‧流路
20‧‧‧靜電吸盤
21‧‧‧電極板
22‧‧‧導體
23a‧‧‧配管
23b‧‧‧配管
25‧‧‧氣體供給管路
28‧‧‧筒狀部
29‧‧‧絕緣部
30‧‧‧上部電極
32‧‧‧構件
34‧‧‧頂板
34a‧‧‧氣體噴吐孔
36‧‧‧支撐體
36a‧‧‧氣體擴散室
36b‧‧‧氣體孔
36c‧‧‧氣體導入埠
38‧‧‧氣體供給管
40‧‧‧氣體源群
41‧‧‧閥群
42‧‧‧流量控制器群
43‧‧‧閥群
48‧‧‧閥板
50‧‧‧排氣裝置
52‧‧‧排氣管
61‧‧‧第1射頻電源
62‧‧‧第2射頻電源
63‧‧‧第1匹配器
64‧‧‧第2匹配器
70‧‧‧直流電源
70A‧‧‧直流電源
70B‧‧‧直流電源
71‧‧‧測定器
71A‧‧‧測定器
71B‧‧‧測定器
72‧‧‧測定器
72A‧‧‧測定器
72B‧‧‧測定器
E‧‧‧電極
FR‧‧‧聚焦環
MC‧‧‧控制部
MT‧‧‧方法
ST1~ ST4‧‧‧步驟
t0‧‧‧時間點
t1‧‧‧時間點
V1‧‧‧第1電壓值
V2‧‧‧第2電壓值
Vs‧‧‧指定值
W‧‧‧基板
【圖1】係顯示一實施形態之直流電壓施加方法的流程圖。
【圖2】係概略地顯示一實施形態之電漿處理裝置的圖。
【圖3】係圖2所示之電漿處理裝置的支撐台與聚焦環之部分放大截面圖。
【圖4】係與圖1所示之方法相關的隨時間變化圖。
【圖5】係顯示圖2所示之電漿處理裝置的聚焦環之負極性直流電壓的絕對值與該聚焦環之電流的關係之曲線圖。

Claims (6)

  1. 一種直流電壓施加方法，對電漿處理裝置之電極施加直流電壓，包含下列步驟： 在腔室之內部空間中產生氣體之電漿； 於該電漿之產生中，使由直流電源對於構成該腔室之一部分或設於該內部空間中之該電極施加的負極性直流電壓之絕對值增加； 界定第1電壓值，該第1電壓值係在使負極性直流電壓之絕對值增加的該步驟執行中之時間點亦即電流開始流至該電極之該時間點的該電極之電壓值； 於該電漿之產生中，將以該直流電源對該電極施加之該直流電壓的電壓值，設定為具有該第1電壓值與指定值之和的值之第2電壓值。
  2. 如申請專利範圍第1項之直流電壓施加方法，其中， 該電極係配置成在該內部空間中包圍基板之聚焦環。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之直流電壓施加方法，其中， 該電漿處理裝置係電容耦合型電漿處理裝置，並包含： 支撐台，在該內部空間中支撐基板，並具有下部電極； 該腔室，包含設於該支撐台之上方的上部電極； 被施加該直流電壓之該電極係該上部電極。
  4. 一種電漿處理裝置，包含： 腔室； 射頻電源，其產生用以使供至腔室之內部空間的氣體激發之射頻波； 直流電源，其電性連接於構成該腔室之一部分或設於該內部空間中之電極； 第1測定器，用以測定該電極之電流； 第2測定器，用以測定該電極之電壓；及 控制部，用以控制以該直流電源對該電極施加之負極性直流電壓； 該控制部： 在該內部空間中產生電漿當中，將該直流電源控制成使對該電極施加之負極性直流電壓的絕對值增加， 在增加該直流電壓之該絕對值當中，由以該第1測定器取得之測定值來界定電流開始流至該電極之時間點，使用該第2測定器來界定該時間點之該電極的第1電壓值， 於該電漿之產生中，控制該直流電源俾將對該電極施加之該直流電壓的電壓值設定為具有該第1電壓值與指定值之和的值之第2電壓值。
  5. 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，其中， 該電極係配置成在該內部空間中包圍基板之聚焦環。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項之電漿處理裝置，該電漿處理裝置係電容耦合型電漿處理裝置，並包含： 支撐台，其在該內部空間中支撐基板，並具有下部電極； 該腔室，其含有設於該支撐台之上方的上部電極； 被施加該直流電壓之該電極係該上部電極。
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