CN114628216A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114628216A
CN114628216A CN202111468822.9A CN202111468822A CN114628216A CN 114628216 A CN114628216 A CN 114628216A CN 202111468822 A CN202111468822 A CN 202111468822A CN 114628216 A CN114628216 A CN 114628216A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hole
embedded member
embedded
processing apparatus
plasma processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111468822.9A
Other languages
English (en)
Inventor
冈信介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN114628216A publication Critical patent/CN114628216A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明提供一种具有能够在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件的等离子体体处理装置。等离子体处理装置包括载置台和埋入部件，所述载置台具有：电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；和基台，其具有支承所述电介质部件的支承面，且形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，所述埋入部件配置于所述第一通孔和所述第二通孔的内部，所述埋入部件具有配置于所述第一通孔的第一埋入部件和配置于所述第二通孔的第二埋入部件，所述第二埋入部件的刚性比所述第一埋入部件的刚性低。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置。
背景技术
在现有技术中，已知有使用等离子体来对晶片等被处理体进行蚀刻处理等的等离子体处理装置(例如，参照专利文献1)。上述的等离子体处理装置在例如可构成真空空间的处理容器内具有保持兼作电极的被处理体的载置台。在载置台上形成有用于向载置在载置台上的被处理体的背面和载置台的上表面之间供给传热气体的通孔(贯通孔)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-195935号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
但是，近年来，等离子体处理装置为了进行等离子体处理，将施加于载置台的高频电力进行高电压化。在将施加于载置台的高频电力进行高电压化的情况下，有时高频电力集中于供给传热气体的通孔而产生异常放电。当在供给传热气体的通孔产生异常放电时，使由等离子体处理装置进行处理的被处理体的品质恶化，可能成为降低成品率的主要原因。
对于上述问题，在一方面上，本发明的目的在于，提供一种等离子体处理装置，其具有在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件。
用于解决问题的技术手段
为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置，其包括载置台和埋入部件，所述载置台具有：电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；和基台，其具有支承所述电介质部件的支承面，且形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，所述埋入部件配置于所述第一通孔和所述第二通孔的内部，所述埋入部件具有配置于所述第一通孔的第一埋入部件和配置于所述第二通孔的第二埋入部件，所述第二埋入部件的刚性比所述第一埋入部件的刚性低。
发明效果
根据一方面，能够提供具有在传热气体的通孔中防止异常放电的埋入部件的等离子体处理装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置的结构的一例的概略剖视图。
图2是表示第一实施方式的载置台的概略剖视图的一例。
图3是表示参考例的载置台的概略剖视图的一例。
图4是表示热膨胀时的参考例的载置台的概略剖视图的一例。
图5是表示热膨胀时的第一实施方式的载置台的概略剖视图的一例。
图6是表示第一实施方式的载置台的概略剖视图的另一例。
图7是表示第二实施方式的载置台的概略剖视图的一例。
图8是表示第二实施方式的载置台的概略剖视图的另一例。
符号说明
W 晶片(被处理体)
2 载置台
2a 基台
6 静电吸盘(电介质部件)
21 载置面
22 背面
23 支承面
24 背面
25 界面
100 等离子体处理装置
210 气体供给管
211 贯通孔(第一通孔)
212 贯通孔(第二通孔)
220 埋入部件
221 第一埋入部件
221a 小径部(第一圆柱形状部)
221b 台阶部
221c 大径部(第二圆柱形状部)
222 第二埋入部件
230 界面
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的形式进行说明。此外，在本说明书及附图中，对于实际上相同的结构，通过标注相同的符号而省略重复的说明。
[等离子体处理装置的结构]
图1是表示第一实施方式的等离子体处理装置100的结构的一例的概略剖视图。等离子体处理装置100具有气密性地构成且在电气上设为接地电位的处理容器1。该处理容器1设为圆筒状，由例如铝等构成。处理容器1区划出用于生成等离子体的处理空间。在处理容器1内设置有水平支承作为被处理体(work-piece)的半导体晶片(以下，简称为“晶片”。)W的载置台2。载置台2具有基台2a和静电吸盘(ESC：Electrostatic chuck)6。基台2a由导电性金属例如铝等构成，具有作为下部电极的功能。静电吸盘6由陶瓷例如氧化铝等构成，具有用于静电吸附晶片W的功能。载置台2被支承台4支承。支承台4被例如由石英等构成的支承部件3支承。另外，在载置台2的上方的外周设置有例如由硅形成的边缘环5。另外，在处理容器1内，以包围载置台2及支承台4的周围的方式设置有例如由石英等构成的圆筒状的内壁部件3a。
在基台2a，经由匹配器11a连接第一RF电源10a，经由匹配器11b连接第二RF电源10b。第一RF电源10a向载置台2的基台2a供给规定频率的等离子体产生用的高频电力。另外，第二RF电源10b向载置台2的基台2a供给比第一RF电源10a的频率低的规定频率的离子引入用(偏置用)的高频电力。
在载置台2的上方设置有与载置台2平行地相对且具有作为上部电极的功能的喷淋头16。喷淋头16和载置台2作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥作用。
静电吸盘6通过使电极6a插设于绝缘体6b之间而构成，在电极6a上连接有直流电源12。而且，通过从直流电源12向电极6a施加直流电压，而通过库仑力吸附晶片W。
在载置台2的内部形成有制冷剂流路2d，在制冷剂流路2d连接制冷剂入口配管2b、制冷剂出口配管2c。而且，通过使适当的制冷剂、例如冷却水等在制冷剂流路2d中循环，而将载置台2控制成规定的温度。另外，以贯通载置台2等的方式设置有用于向晶片W的背面供给氦气等冷热传递用气体(以下，均称为“传热气体”。)的气体供给管210，气体供给管210与传热气体供给部31连接。通过这些结构，将载置台2上的晶片W控制成规定的温度。此外，后面叙述气体供给管210的内部结构。
在载置台2上设置有多个例如3个销用贯通孔200(图1中仅示出一个。)，在这些销用贯通孔200的内部分别配设有升降销61。升降销61与驱动机构62连接，通过驱动机构62进行上下移动。
上述的喷淋头16设置于处理容器1的顶壁部分。喷淋头16包括主体部16a和构成电极板的上部顶板16b，经由绝缘性部件95支承于处理容器1的上部。主体部16a由导电性材料例如将表面进行了阳极氧化处理的铝构成，将其下部的上部顶板16b以可拆装的方式支承。
在主体部16a中，在内部设置有气体扩散室16c。在主体部16a中，以位于气体扩散室16c的下部的方式在底部形成有多个气体流通孔16d。在上部顶板16b上，沿厚度方向贯通有气体导入孔16e，气体导入孔16e设置为与上述的气体流通孔16d连通。
在主体部16a上形成有用于向气体扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。在气体导入口16g连接气体供给配管15a的一端。在气体供给配管15a的另一端连接供给处理气体的气体供给部15。在气体供给配管15a上，从上游侧依次设置有质量流量控制器(MFC)15b和开闭阀V2。从气体供给部15经由气体供给配管15a向气体扩散室16c供给用于等离子体蚀刻的处理气体。通过上述的结构，被供给到气体扩散室16c的处理气体经由气体流通孔16d及气体导入孔16e被喷淋状地分散供给到处理容器1内。
在上述的作为上部电极的喷淋头16上，经由低通滤波器(LPF)71电连接可变直流电源72。该可变直流电源72可通过接通/关断开关73进行供电的接通/关断。可变直流电源72的电流、电压以及接通/关断开关73的接通/关断由控制部90控制。此外，从第一RF电源10a、第二RF电源10b对载置台2施加高频(RF)而在处理空间中产生等离子体时，根据需要，通过控制部90使接通/关断开关73接通，对喷淋头16施加规定的直流电压。
以从处理容器1的侧壁延伸至比喷淋头16的高度位置靠上方的方式设置有圆筒状的接地导体1a。该圆筒状的接地导体1a在其上部具有顶壁。
在处理容器1的底部形成有排气口81。在排气口81经由排气管82连接有排气装置83。排气装置83具有真空泵，通过使该真空泵工作，将处理容器1内减压至规定的真空度。在处理容器1内的侧壁设置有晶片W的送入送出口84，在送入送出口84设置有开闭该送入送出口84的闸阀85。
在处理容器1的侧部内侧，沿着内壁面设置有沉淀物挡板86。沉淀物挡板86防止蚀刻副生成物(沉积物)附着于处理容器1。在该沉淀物挡板86的与晶片W大致相同的高度位置设置有以可控制相对于大地的电位的方式连接的导电性部件(GND模块)89，由此，防止异常放电。另外，在沉淀物挡板86的下端部设置有沿着内壁部件3a延伸的沉淀物挡板87。沉淀物挡板86、87可拆装。
上述结构的等离子体处理装置100的动作由控制部90统括地控制。在该控制部90设置有控制等离子体处理装置100的各部的CPU91、接口92、存储器93。
接口92由工序管理者为了管理等离子体处理装置100而进行命令的输入操作的键盘、视觉上显示等离子体处理装置100的工作状况的显示器等构成。
在存储器93中储存有处理方案，该处理方案中保存有用于通过CPU91的控制而实现由等离子体处理装置100执行的各种处理的控制程序(软件)及处理条件数据等。而且，根据需要，通过与来自接口92的输入操作对应的指示等从存储器93调出任意的处理方案来使CPU91执行，由此，在CPU91的控制下，由等离子体处理装置100进行希望的处理。另外，控制程序和处理条件数据等处理方案可利用储存于可由计算机读取的计算机存储介质(例如硬盘、CD、软盘、半导体存储器等)等的状态的数据、或从其他装置经由例如专用电线随时传送而在线使用。
[第一实施方式的载置台的结构]
使用图2对第一实施方式的载置台2的结构的一例进行说明。图2是表示第一实施方式的载置台2的概略剖视图的一例。载置台2具有基台2a和静电吸盘6。如上所述，基台2a由导电性的金属(例如铝)形成。静电吸盘6由具有等离子体耐性的陶瓷(例如氧化铝)形成。即，基台2a和静电吸盘6由不同的材质形成。此外，在载置台2的上方的外周设置有例如由硅形成的边缘环5。
静电吸盘6为圆板状，具有用于载置相同的圆板状的晶片W的载置面21和与该载置面21相对的背面22。基台2a具有支承静电吸盘6的支承面23和与该支承面23相对的背面24。静电吸盘6的背面22和基台2a的支承面23被接合，而形成界面25。
在载置面21上形成有气体供给管210的端部(气孔)。气体供给管210形成贯通孔211及贯通孔212，将氦气等传热气体供给到晶片W的背面。贯通孔211被设置为从静电吸盘6的背面22贯通至载置面21。即，贯通孔211的内壁由静电吸盘6形成。另一方面，贯通孔212被设置为从基台2a的背面24贯通至支承面23。即，贯通孔212的内壁由基台2a(后述的气体用套筒213的内周面)形成。
此外，贯通孔211为贯通载置晶片W的载置面21及与载置面21相对的背面22的第一通孔的一例，贯通孔212是形成于基台2a的与第一通孔连通的第二通孔的一例。另外，静电吸盘6是形成有第一通孔的电介质部件的一例。但是，形成有第一通孔的电介质部件也可以不具有静电吸盘6的功能。
贯通孔211具有小径部211a、台阶部211b、大径部211c。小径部211a为被形成为一端(上端)在载置面21开口的孔。大径部211c为被形成为一端(下端)在背面22开口的孔。小径部211a的孔径比大径部211c的孔径变小。小径部211a的另一端(下端)以与大径部211c的另一端(上端)连通的方式连接。另外，在孔径不同的小径部211a和大径部211c的连接部形成台阶部211b。
贯通孔212的孔径与大径部211c(比贯通孔211的台阶部211b靠下)的孔径相等。而且，贯通孔211及贯通孔212被形成为例如位置在常温下一致。在气体供给管210中配置有由氧化铝形成的气体用套筒213。也可以在气体供给管210的内壁设置间隔物。
在气体供给管210的内部配置有埋入部件220。埋入部件220具有配置于贯通孔211的第一埋入部件221和至少配置于贯通孔212的第二埋入部件222。
第一埋入部件221以截面看形成为凸形状。即，第一埋入部件221具有小径部221a、台阶部221b、大径部221c。小径部221a的直径比大径部221c的直径变小。另外，在直径不同的小径部221a和大径部221c的连接部形成台阶部221b。
另外，第一埋入部件221的小径部221a的直径被形成为比贯通孔211的小径部211a的孔径小。另外，第一埋入部件221的大径部221c的直径被形成为比贯通孔211的小径部211a的孔径大，且比贯通孔211的大径部211c的孔径小。由此，从静电吸盘6的背面22侧插入贯通孔211的第一埋入部件221不能在静电吸盘6的载置面21侧抽出。
第一埋入部件221由具有等离子体耐性的陶瓷等材质形成。例如，第一埋入部件221也可以由石英、碳化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钇、氧化钛、碳化钨的任一种形成。
第二埋入部件222配置于第一埋入部件221的下方。第二埋入部件222作为轴部件而形成。第二埋入部件222的轴径与第一埋入部件221的大径部221c相等。另外，第二埋入部件222的轴径被形成为比贯通孔211的大径部211c及贯通孔212的孔径小。
第二埋入部件222由刚性比第一埋入部件221低的材质(具有弹性的材质)形成。例如，由PTFE(聚四氟乙烯)等氟树脂形成。
另外，第一埋入部件221的轴向长度被形成为比静电吸盘6的厚度(贯通孔211的轴向长度)短。具体而言，第一埋入部件221的小径部221a的轴向长度被形成为与贯通孔211的小径部211a的轴向长度大致相等。第一埋入部件221的大径部221c的轴向长度被形成为比贯通孔211的大径部211c的轴向长度短。
第二埋入部件222遍及贯通孔212及贯通孔211的大径部211c地配置。即，第一埋入部件221与第二埋入部件222相接的界面230配置于贯通孔211内。换言之，在静电吸盘6的背面22与基台2a的支承面23的界面25的高度位置配置第二埋入部件222。
第一埋入部件221的直径比贯通孔211的孔径小。第二埋入部件222的直径比贯通孔212的孔径小。由此，第一埋入部件221及第二埋入部件222与气体供给管210的内壁隔开规定的间隔地配置，在贯通孔211及贯通孔212的内部设置传热气体路径。
但是，等离子体处理装置100将施加于载置台2的高频电力进行高电压化。在将施加于载置台2的高频电力进行高电压化的情况下，有时在贯通孔211附近产生异常放电。
即，在等离子体处理装置100中，当对载置台2施加高频电力时，由于静电吸盘6的静电电容，在晶片W与静电吸盘6的背面22之间产生电位差。由此，当在贯通孔211内产生的RF电位的电位差超过产生放电的极限值时，产生异常放电。
另一方面，已知通过基于帕邢定律缩短贯通孔211的内部的传热气体的带电粒子的可直线前进的距离，而防止异常放电的产生。因此，在本实施方式中，在气体供给管210的内部配置埋入部件220，防止产生异常放电。
在此，与参考例的载置台2对比，来对第一实施方式的载置台2进一步说明。
使用图3及图4对参考例的具有埋入部件320的载置台2进行说明。图3是表示参考例的载置台2的概略剖视图的一例。图4是表示热膨胀时的参考例的载置台2的概略剖视图的一例。
参考例的载置台2形成气体供给管310而代替气体供给管210(参照图2)。气体供给管310形成贯通孔311及贯通孔312。贯通孔311被设置为从静电吸盘6的背面22贯通至载置面21。贯通孔312被设置为从基台2a的背面24贯通至支承面23。贯通孔311的孔径被形成为比贯通孔312的孔径小。
另外，在气体供给管310的内部配置有埋入部件320。埋入部件320具有第一埋入部件321和第二埋入部件322。
第一埋入部件321以截面看形成为凸形状。即，第一埋入部件321具有小径部321a、台阶部321b、大径部321c。小径部321a的直径比大径部321c的直径变小。另外，在直径不同的小径部321a和大径部321c的连接部形成台阶部321b。
另外，第一埋入部件321的小径部321a的直径被形成为比贯通孔311的孔径小。另外，第一埋入部件321的大径部321c的直径被形成为比贯通孔311的孔径大，且比贯通孔312的孔径小。由此，从基台2a的背面24侧被插入气体供给管310(贯通孔311、312)的第一埋入部件321不能在静电吸盘6的载置面21侧抽出。
第一埋入部件321由具有等离子体耐性的陶瓷等材质形成。
第二埋入部件322配置于第一埋入部件321的下方。第二埋入部件322作为轴部件而形成。第二埋入部件322的轴径与第一埋入部件321的大径部321c相等。另外，第二埋入部件322的轴径被形成为比贯通孔312的孔径小。
第二埋入部件322由例如氧化铝形成。
在静电吸盘6的背面22与基台2a的支承面23的界面25配置第一埋入部件321的小径部321a。另外，第一埋入部件321与第二埋入部件322相接的界面330配置于贯通孔312内。
参考例的埋入部件320与气体供给管310的内壁隔开规定的间隔地配置。
贯通孔311中的异常放电能够通过缩小埋入部件320与贯通孔311的间隔而防止。另外，贯通孔311中的异常放电也能够通过缩短传热气体路径的直线部分而防止。由此，这是为了传热气体中的电子能够降低能量。因此，如图3所示，考虑比贯通孔311的直径大地形成贯通孔312的直径，另外，比与贯通孔311对应的部分粗地形成与埋入部件320的贯通孔312对应的部分。
但是，在该情况下，有时埋入部件320破损。例如，在进行了等离子体处理的情况下，载置台2的温度成为例如100℃～200℃的高温。静电吸盘6由陶瓷形成，基台2a由金属形成，线热膨胀系数不同。因此，当静电吸盘6及基台2a的温度成为高温时，由于静电吸盘6和基台2a的热膨胀差，如图4中示出一例，在贯通孔311和贯通孔312产生错位。在该情况下，对埋入部件320施加来自基台2a的剪断应力。其结果，埋入部件320的与贯通孔311对应的部分和静电吸盘6接触，有时埋入部件320破损。
使用图2及图5，对热膨胀时的第一实施方式的载置台2进行说明。图5是表示热膨胀时的第一实施方式的载置台2的概略剖视图的一例。
如图2及图5所示，第一实施方式的埋入部件220在具有等离子体耐性的第一埋入部件221的下方配置刚性比第一埋入部件221低的第二埋入部件222。另外，第一埋入部件221及第二埋入部件222在静电吸盘6的内部(贯通孔211内)接触。换言之，第一埋入部件221和第二埋入部件222的界面230被设置于比静电吸盘6与基台2a的界面25靠上侧(静电吸盘6的载置面21的一侧)。
通过上述的结构，如图5中示出一例，在由于热膨胀产生贯通孔211和贯通孔212的位置偏差的情况下，对埋入部件220施加来自基台2a的剪断应力。在该情况下，第一实施方式的载置台2中，刚性低的第二埋入部件222受到剪断应力，第二埋入部件222变形，由此，能够防止埋入部件220的破损。
另外，通过在气体供给管210配置埋入部件220，能够向晶片W的背面充分供给传热气体，同时防止由于施加于基台2a的高频的电力而在贯通孔211产生异常放电。
另外，在通过图1所示的排气装置83将处理容器1的内部抽真空时，配置有埋入部件220的气体供给管210的内部也向处理空间侧被抽真空。此时，当未将晶片W载置于静电吸盘6时，第一埋入部件221未固定于第二埋入部件222，因此，可能从贯通孔211向静电吸盘6上方的处理空间突出。
因此，第一实施方式的第一埋入部件221成为具有台阶部221b且台阶部221b下方的直径比台阶部221b上方的直径大的形状。由此，能够防止在对处理容器1内进行抽真空的情况或向晶片W的背面供给传热气体时，第一埋入部件221向处理空间飞散。
此外，第一埋入部件221不限于凸状，如上所述，只要是在下侧具有宽度比第一埋入部件221的上端部的宽度宽的部分的形状即可。通过上述的形状，能够使第一埋入部件221不从气体供给管210飞出。
[第一实施方式的载置台的其他结构]
使用图6，对第一实施方式的载置台2的结构的另一例进行说明。图6是表示第一实施方式的载置台2的概略剖视图的另一例。
气体供给管210形成贯通孔211及贯通孔212。贯通孔211被设置为从静电吸盘6的背面22贯通至载置面21。贯通孔211具有圆台部211d和圆柱部211e。圆台部211d是被形成为一端(上端)在载置面21开口的孔。圆柱部211e是被形成为一端(下端)在背面22开口的孔。圆台部211d从一端(上端)向另一端(下端)扩径。圆台部211d的另一端(下端)连接为与圆柱部211e的另一端(上端)连通。贯通孔312与图2所示的贯通孔312一样，省略重复的说明。
另外，在气体供给管210的内部配置有埋入部件220。埋入部件220具有第一埋入部件221和第二埋入部件222。第一埋入部件221以截面看形成为梯形(上为平坦的大致三角形)的圆台形状。第一埋入部件221被形成为从上表面向底面扩径。第一埋入部件321由具有等离子体耐性的陶瓷等材质形成。第二埋入部件222与图2所示的第二埋入部件222同样，并省略重复的说明。
此外，第一埋入部件221的形状不限于图2及图6所示的形状。第一埋入部件221只要是在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分的形状，就不限于此。
[第二实施方式的载置台的结构]
接着，使用图7及图8，对第二实施方式的载置台2的结构的一例进行说明。图7是表示第二实施方式的载置台2的概略剖视图的一例。图8是表示第二实施方式的载置台2的概略剖视图的另一例。
第二实施方式的载置台2与第一实施方式的载置台2(参照图2)同样，具有基台2a和静电吸盘6。另外，气体供给管210形成贯通孔211及贯通孔212。贯通孔211被设置为从静电吸盘6的背面22贯通至载置面21。贯通孔212被设置为从基台2a的背面24贯通至支承面23。另外，在气体供给管210的内部配置有埋入部件220。埋入部件220具有第一埋入部件221和第二埋入部件222。第一埋入部件221由具有等离子体耐性的陶瓷等的材质形成。第二埋入部件222由刚性比第一埋入部件221低的材质(具有弹性的材质)形成。另外，第一埋入部件221具备在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分的形状。由此，构成为通过传热气体的流通，不使第一埋入部件221从气体供给管210飞出。
埋入部件220从基台2a的背面24侧插入贯通孔211、212。在此，埋入部件220的外径被设计为比贯通孔211、212的内径略小，以使埋入部件220可顺畅地插入直至贯通孔211、212的深处。但是，在公差的范围内较大地形成贯通孔211、212的内径，较小地形成埋入部件220的外径的情况下，埋入部件220可能从载置台2下降。例如，在将埋入部件220插入到贯通孔211、212的状态下将载置台2安装于装置时，埋入部件220可能下降而破损。另一方面，在通过严格地管理公差而要抑制埋入部件220的下降的情况下，成本可能增加。
与之相对，第二实施方式的载置台2中，第二埋入部件222成为相对于贯通孔212在横向(径向)上产生极小的力的结构。换言之，第二埋入部件222构成为能够弹性变形地插入贯通孔212中，通过第二埋入部件222的复原力来推压贯通孔212的内周面。
例如，在图7所示的载置台2上，第二埋入部件222在下部具有切缝，以向外侧扩展的方式分支成两个。在将埋入部件220插入贯通孔211、212时，向外侧扩展的第二埋入部件222的下部与贯通孔212的内周面接触而产生摩擦力，由此能够防止埋入部件220的下降。另外，通过使第二埋入部件222的外周面和贯通孔212的内周面局部接触而缩小摩擦力，在向贯通孔211、212中插入埋入部件220时，能够将埋入部件220顺畅地插入直至贯通孔211、212的深处。此外，第二埋入部件222的下部也可以分支成三个以上。
另外，在图8所示的载置台2中，第二埋入部件222具有弯曲形状。在向贯通孔211、212中插入埋入部件220时，向外侧扩展的第二埋入部件222与贯通孔212的内周面局部地接触而产生摩擦力，由此，能够防止埋入部件220的下降。另外，通过使第二埋入部件222的外周面和贯通孔212的内周面局部地接触来缩小摩擦力，在向贯通孔211、212中插入埋入部件220时，能够将埋入部件220顺畅地插入直至贯通孔211、212的深处。
此外，也可以将图7或图8所示的第二埋入部件222应用于第一实施方式的载置台2(参照图2、6)。
以上，通过上述实施方式说明了等离子体处理装置及载置台的制造方法，但本发明的等离子体处理装置及载置台的制造方法不限定于上述实施方式，可在本发明的范围内进行各种变形及改良。上述多个实施方式所记载的事项能够在不矛盾的范围内组合。
对第一埋入部件221与第二埋入部件222的界面230设为静电吸盘6内(静电吸盘6和基台2a的界面25之上)的情况进行了说明，但不限于此。第一埋入部件221与第二埋入部件222的界面230也可以是配置于静电吸盘6与基台2a的界面25之下的结构。在该情况下，由第一埋入部件221的大径部221c承受热膨胀产生的来自基台2a的剪断应力。由此，能够防止埋入部件220的破损。
无论是电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、径向线槽天线(Radial Line Slot Antenna)、电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance Plasma，ECR)、氦波等离子体(Helicon Wave Plasma，HWP)的哪种类型，均可应用本发明的等离子体处理装置。
另外，在本说明书中，作为由等离子体处理装置进行处理的被处理体的一例，举出晶片W进行了说明。但是，被处理体不限于此，也可以应用于LCD(Liquid CrystalDisplay)、FPD(Flat Panel Display)的各种基板、CD基板、印刷基板等。

Claims (7)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于：
包括载置台和埋入部件，
所述载置台具有：
电介质部件，其具有用于载置被处理体的载置面和与所述载置面相反侧的背面，且形成有贯通所述载置面和所述背面的第一通孔；和
基台，其具有支承所述电介质部件的支承面，且形成有与所述第一通孔连通的第二通孔，
所述埋入部件配置于所述第一通孔和所述第二通孔的内部，
所述埋入部件具有配置于所述第一通孔的第一埋入部件和配置于所述第二通孔的第二埋入部件，
所述第二埋入部件的刚性比所述第一埋入部件的刚性低。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一埋入部件和所述第二埋入部件在所述第一通孔内接触。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一埋入部件在下侧具有宽度比上端部的宽度宽的部分。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一埋入部件的下端部的宽度与所述第二埋入部件的上端部的宽度相等。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一埋入部件具有第一圆柱形状部和直径比所述第一圆柱形状部大的第二圆柱形状部。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第一埋入部件具有圆台形状。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述第二埋入部件通过复原力来按压所述第二通孔的内周面。
CN202111468822.9A 2020-12-14 2021-12-03 等离子体处理装置 Pending CN114628216A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-206801 2020-12-14
JP2020206801A JP2022094023A (ja) 2020-12-14 2020-12-14 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114628216A true CN114628216A (zh) 2022-06-14

Family

ID=81899064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111468822.9A Pending CN114628216A (zh) 2020-12-14 2021-12-03 等离子体处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12027349B2 (zh)
JP (1) JP2022094023A (zh)
KR (1) KR20220085030A (zh)
CN (1) CN114628216A (zh)
TW (1) TW202228238A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7289961B1 (ja) * 2021-06-09 2023-06-12 エフ・ホフマン－ラ・ロシュ・アクチェンゲゼルシャフト がん治療のための併用療法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2054357T3 (es) * 1989-05-08 1994-08-01 Philips Nv Aparato y metodo para tratar substratos planos bajo una presion reducida.
JP2000195935A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Nec Kyushu Ltd 半導体製造装置
US8336891B2 (en) * 2008-03-11 2012-12-25 Ngk Insulators, Ltd. Electrostatic chuck
US20100177454A1 (en) * 2009-01-09 2010-07-15 Component Re-Engineering Company, Inc. Electrostatic chuck with dielectric inserts
US10770270B2 (en) 2016-06-07 2020-09-08 Applied Materials, Inc. High power electrostatic chuck with aperture-reducing plug in a gas hole
JP7130359B2 (ja) 2016-12-05 2022-09-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6994981B2 (ja) 2018-02-26 2022-01-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
JP6489277B1 (ja) 2018-03-14 2019-03-27 Toto株式会社 静電チャック
WO2021220943A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04 京セラ株式会社 通気性部材、半導体製造装置用部材、プラグおよび吸着部材
JP7382978B2 (ja) * 2021-02-04 2023-11-17 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材及びプラグ
JP2023003957A (ja) * 2021-06-25 2023-01-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び基板支持部
JP7429208B2 (ja) * 2021-08-17 2024-02-07 日本碍子株式会社 ウエハ載置台

Also Published As

Publication number Publication date
US20220189748A1 (en) 2022-06-16
US12027349B2 (en) 2024-07-02
KR20220085030A (ko) 2022-06-21
TW202228238A (zh) 2022-07-16
JP2022094023A (ja) 2022-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US12033886B2 (en) Plasma processing apparatus and method for manufacturing mounting stage
CN107887246B (zh) 载置台和等离子体处理装置
JP5496568B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TWI601234B (zh) Platen and plasma processing equipment
CN108155094B (zh) 等离子体处理装置
US11538715B2 (en) Stage and substrate processing apparatus
JP2019176030A (ja) プラズマ処理装置
US20190244791A1 (en) Raising-and-lowering mechanism, stage and plasma processing apparatus
JP7531641B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
US20210327741A1 (en) Substrate support and substrate processing apparatus
JP2021141277A (ja) 載置台及びプラズマ処理装置
CN114628216A (zh) 等离子体处理装置
CN114496700A (zh) 温度调节装置和基片处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination