KR20200001493A

KR20200001493A - 플라스마 처리 장치

Info

Publication number: KR20200001493A
Application number: KR1020190072074A
Authority: KR
Inventors: 와타루 마치야마; 츠토무 사토요시
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2018-06-26
Filing date: 2019-06-18
Publication date: 2020-01-06
Also published as: JP2020004534A; KR102192597B1; CN110648890A; JP7182916B2; CN110648890B

Abstract

처리실 내에 비산되는 파티클을 저감한다.
플라스마 처리 장치는, 처리실과, 제1 부재와, 제2 부재를 구비한다. 처리실은, 플라스마를 발생시키는 처리 공간을 구획 형성하고, 플라스마에 의해 처리 공간 내에 수용된 피처리체를 처리한다. 제1 부재는, 처리 공간에 면하는 제1 면을 갖고, 처리실 내에 배치된다. 제2 부재는, 처리 공간에 면하는 제2 면이며, 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면에 교차하는 평면 또는 곡면에 포함되는 제2 면을 갖고, 제1 부재보다도 처리 공간측의 처리실 내에 배치된다. 제1 부재 및 제2 부재의 단면에 있어서, 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면과 제2 면을 포함하는 평면 또는 곡면의 교점 부근의 제1 부재와 제2 부재 사이에는 공극이 형성되어 있다.

Description

플라스마 처리 장치 {PLASMA PROCESS APPARATUS}

본 개시의 다양한 측면 및 실시 형태는 플라스마 처리 장치에 관한 것이다.

플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 공정에서는, 처리실 내에 있어서, 처리 가스의 플라스마를 사용하여 유리 기판에 에칭 처리나 성막 처리 등의 플라스마 처리가 행해진다. 이와 같은 플라스마 처리에는, 플라스마 에칭 장치나 플라스마 CVD 장치 등의 다양한 플라스마 처리 장치가 사용된다.

플라스마 처리에서는, 플라스마 중의 입자에 의해, 처리실 내의 부재의 표면에 반응 부생성물(이하, 침적물이라고 기재함)이 부착되는 경우가 있다. 처리실 내의 부재의 표면에 부착된 침적물이 두꺼워지면, 처리실 내의 부재의 표면으로부터 침적물이 박리되고, 파티클로 되어 처리실 내의 공간에 비산되는 경우가 있다. 처리실 내의 공간에 비산된 파티클이 유리 기판에 부착되면, 유리 기판의 불량의 원인의 된다.

그래서, 처리실 내의 부재의 표면으로부터 박리될 정도로 침적물이 두꺼워지기 전에, 처리실 내의 부재의 표면으로부터 침적물을 제거하기 위한 클리닝이 행해진다.

일본 특허 공개 제2017-27775호 공보

그런데, 유리 기판이나 처리실 내의 부재의 온도는 처리 레시피에 규정된 소정의 온도 프로파일에 기초하여 제어된다. 또한, 처리실 내에는 열팽창률이 상이한 2개의 부재가 근접하여 배치되는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 처리실 내의 부재의 온도가 변화되면, 열팽창 및 열수축에 의해 2개의 부재의 단부의 변위량이 상이한 경우가 있다. 그와 같은 2개의 부재에 침적물이 브릿지되어 있으면, 온도 변화에 의해, 2개의 부재의 단부에 브릿지되어 있는 침적물이 박리되기 쉽다. 그 때문에, 처리실 내의 부재의 표면에 침적물이 그만큼 두껍게 적층되어 있지 않은 경우라도, 박리된 침적물이 파티클로 되어 처리실 내에 비산되는 경우가 있다. 그 때문에, 클리닝의 주기를 짧게 하는 것이 필요해지고, 프로세스의 스루풋이 낮아져 버린다.

본 개시의 일측면은, 플라스마 처리 장치이며, 처리실과, 제1 부재와, 제2 부재를 구비한다. 처리실은, 플라스마를 발생시키는 처리 공간을 구획 형성하고, 플라스마에 의해 처리 공간 내에 수용된 피처리체를 처리한다. 제1 부재는, 처리 공간에 면하는 제1 면을 갖는다. 제2 부재는, 처리 공간에 면하는 제2 면이며, 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면에 교차하는 평면 또는 곡면에 포함되는 제2 면을 갖고, 제1 부재보다도 처리 공간측의 처리실 내에 배치된다. 제1 부재 및 제2 부재의 단면에 있어서, 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면과 제2 면을 포함하는 평면 또는 곡면의 교점 부근의 제1 부재와 제2 부재 사이에는 공극이 형성되어 있다.

본 개시의 다양한 측면 및 실시 형태에 따르면, 처리실 내에 비산되는 파티클을 저감할 수 있다.

도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 창 부재의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 3은 커버 부재가 제거된 상태에 있어서의 영역 (i) 부근의 창 부재의 일례를 도시하는 확대 평면도이다.
도 4는 영역 (i) 부근의 창 부재에 마련되어 있는 커버 부재의 일례를 도시하는 확대 평면도이다.
도 5는 창 부재의 A-A' 단면의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 6은 창 부재의 B-B' 단면의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 7은 창 부재의 C-C' 단면의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 8은 부분 커버에 형성된 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 9는 비교예에 있어서의 파티클의 발생 과정의 일례를 설명하는 확대 단면도이다.
도 10은 본 실시 형태에 있어서의 침적물의 부착 상태의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 11은 변형예 1에 있어서의 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 12는 변형예 2에 있어서의 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 13은 변형예 3에 있어서의 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 14는 변형예 4에 있어서의 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.
도 15는 변형예 5에 있어서의 공극 주변의 창 부재의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다.

이하에, 개시되는 플라스마 처리 장치의 실시 형태에 대하여, 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태에 의해, 개시되는 플라스마 처리 장치가 한정되는 것은 아니다.

[플라스마 처리 장치(1)의 구성]

도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)의 일례를 도시하는 개략 단면도이다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)는 플라스마원으로서 유도 결합형 플라스마(ICP)를 사용한다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)는, 예를 들어 FPD용의 유리 기판[이하, 기판(G)이라고 기재함] 상에 박막 트랜지스터를 형성할 때의 금속막 등의 성막 처리, 금속막 등의 에칭 처리, 레지스트막의 애싱 처리 등의 각종 플라스마 처리에 사용할 수 있다. 기판(G)은 피처리체의 일례이다. 여기서, FPD로서는, 액정 디스플레이(LCD), 일렉트로루미네센스(Electro Luminescence: EL) 디스플레이, 플라스마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.

플라스마 처리 장치(1)는, 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이, 예를 들어 내벽면이 양극 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성의 재료에 의해 구성된 각통 형상의 용기 본체(10)를 구비한다. 용기 본체(10)는 전기적으로 접지되어 있다. 용기 본체(10)의 상면에는 개구가 형성되어 있고, 이 개구는 직사각 형상의 창 부재(3)에 의해 기밀하게 막혀 있다. 창 부재(3)는 용기 본체(10)와 전기적으로 절연되어 있다. 용기 본체(10) 및 창 부재(3)에 의해 둘러싸인 공간은 처리실(100)이고, 창 부재(3)의 상방측의 공간은 안테나(5)가 배치되는 안테나실(50)이다. 처리실(100)은 플라스마를 발생시키는 처리 공간(S)을 구획 형성한다. 처리실(100)의 측벽에는, 기판(G)을 반입 및 반출하기 위한 개구(101)가 형성되어 있고, 개구(101)는 게이트 밸브(102)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.

처리실(100)의 하부측에는 창 부재(3)와 대향하도록, 기판(G)을 적재하기 위한 적재대(13)가 마련되어 있다. 적재대(13)는, 예를 들어 표면이 양극 산화 처리된 알루미늄 등의 도전성의 재료에 의해 구성되어 있다. 적재대(13)에 적재된 기판(G)은, 도시하지 않은 정전 척에 의해 흡착 유지된다. 적재대(13)는 절연체 프레임(14)에 의해 지지되고, 절연체 프레임(14)은 용기 본체(10)의 저면에 지지되어 있다.

적재대(13)에는 정합기(151)를 통해 제2 고주파 전원(152)이 접속되어 있다. 제2 고주파 전원(152)은, 예를 들어 주파수가 3.2㎒인 바이어스용의 고주파 전력을 적재대(13)에 공급한다. 이 바이어스용의 고주파 전력에 의해 생성된 셀프 바이어스에 의해, 처리 공간(S) 내에 생성된 플라스마 중의 이온이 기판(G)에 인입된다. 또한, 도 1에서는 도시가 생략되어 있지만, 적재대(13) 내에는, 히터 등의 가열 수단이나 냉매 유로 등의 냉각 수단 등의 온도 제어 기구, 온도 센서, 기판(G)의 이면에 열전달용의 가스를 공급하기 위한 가스 유로 등이 마련되어 있다.

또한, 용기 본체(10)의 저면에는 배기구(103)가 형성되어 있고, 배기구(103)에는 진공 펌프 등을 포함하는 배기 장치(12)가 접속되어 있다. 처리실(100)의 내부는 배기 장치(12)에 의해 소정의 압력까지 진공 배기된다.

여기서, 도 1에 더하여, 도 2를 더 참조한다. 도 2는 창 부재(3)의 일례를 도시하는 평면도이다. 용기 본체(10)의 측벽의 상면측에는 알루미늄 등의 금속으로 구성된 직사각 형상의 금속 프레임(11)이 마련되어 있다. 용기 본체(10)와 금속 프레임(11) 사이에는, 처리실(100)을 기밀하게 유지하기 위한 시일 부재(110)가 마련되어 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서의 창 부재(3)는, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 부분 창(30)으로 분할되어 있다. 이들 부분 창(30)이 금속 프레임(11)의 내측에 배치되고, 전체적으로 직사각 형상의 창 부재(3)가 구성된다. 각 부분 창(30)은, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금 등의 비자성체로 도전성의 금속에 의해 구성된다.

도 1 및 도 2에 더하여, 도 5를 더 참조한다. 각 부분 창(30)은 처리 가스 공급용의 샤워 헤드의 기능을 겸하고 있다. 각 부분 창(30)은, 예를 들어 도 5에 도시된 바와 같이, 창 부재 본체(303) 및 샤워 플레이트(305)를 갖는다. 창 부재 본체(303)는 상방으로부터 샤워 플레이트(305)를 지지한다. 창 부재 본체(303)와 샤워 플레이트(305) 사이에는, 처리 가스를 확산시키기 위한 확산실(301)이 형성되어 있다. 샤워 플레이트(305)에는 샤워 플레이트(305)를 두께 방향으로 관통하고, 처리실(100) 내에 처리 가스를 공급하기 위한 복수의 공급 구멍(302)이 형성되어 있다. 샤워 플레이트(305)는 금속제의 나사(201)에 의해 확산실(301)을 구성하는 오목부의 외측의 영역의 하면측에 체결되어 있다.

또한, 각 부분 창(30)의 처리 공간(S)측의 면, 즉 샤워 플레이트(305)의 하면에는 부분 창(30)의 내플라스마성을 향상시키기 위해, 세라믹스 등에 의한 용사 가공이 실시되어 있다. 세라믹스 용사가 실시됨으로써, 샤워 플레이트(305)의 하면이 거칠어지고, 플라스마 처리에 의해 처리 공간(S) 내에 발생한 침적물의 밀착성도 향상된다. 이에 의해, 샤워 플레이트(305)의 하면에 부착된 침적물이 박리되어 처리 공간(S) 내에 비산되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 침적물의 밀착성의 향상을 목적으로 하는 조면 가공으로서는, 용사 가공 이외에 블라스트 가공이나 레이저 가공이 사용되어도 된다.

도 1로 돌아가 설명을 계속한다. 각 부분 창(30)의 확산실(301)은 가스 공급관(41)을 통해 가스 공급부(42)에 접속되어 있다. 가스 공급부(42)는 가스 공급관(41)을 통해, 이미 설명한 성막 처리, 에칭 처리, 애싱 처리 등에 필요한 처리 가스를, 각 부분 창(30) 내의 확산실(301)에 공급한다. 또한, 도 1에서는, 도시의 편의상, 하나의 부분 창(30)의 확산실(301)에 가스 공급부(42)가 접속되어 있지만, 실제로는 각 부분 창(30)의 확산실(301)에, 가스 공급관(41)을 통해 가스 공급부(42)가 접속되어 있다.

또한, 각 부분 창(30)의, 예를 들어 창 부재 본체(303) 내에는, 온도 조절용의 유체를 통류시키기 위한 유로(307)가 형성되어 있다. 이 유로(307)는 도시하지 않은 유체 공급부에 접속되어 있고, 유로(307) 내에는 유체 공급부에 의해 온도 제어된 유체가 순환 공급된다. 이에 의해, 각 부분 창(30)을 개별로 소정의 온도로 되도록 제어할 수 있다.

각 부분 창(30)은 절연 부재(31)에 의해 금속 프레임(11), 그 하방측의 용기 본체(10), 및 인접하는 다른 부분 창(30)으로부터 전기적으로 절연된다. 절연 부재(31)는, 예를 들어 도 5에 도시된 바와 같이, 인접하는 부분 창(30) 사이의 간극에 끼워 맞추는 종단면 형상을 갖고, 각 부분 창(30)이 대향하는 측면에 형성된 단차부[도 5의 예에서는 창 부재 본체(303)의 측벽면으로부터 돌출된 샤워 플레이트(305)]에 의해 지지되어 있다.

창 부재(3)에 있어서의 처리 공간(S)측의 면에는, 커버 부재(20)를 구성하는 부분 커버(2)가 배치되어 있고, 부분 커버(2)의 상측에 절연 부재(31)가 배치되어 있다. 그 때문에, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 처리 공간(S)측에서 본 경우에는, 절연 부재(31)는 커버 부재(20)에 덮여 있어 보이지 않는다.

본 실시 형태에 있어서, 절연 부재(31)는, 예를 들어 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 등의 불소 수지이다. PTFE 등의 불소 수지는 알루미나 등의 세라믹스보다도 내플라스마성이 낮다. 또한, 불소 수지는 양극 산화 처리나 세라믹스 용사에 의한 내플라스마 코팅을 행하는 것이 곤란하다. 그 때문에, 절연 부재(31)는 세라믹스 등에 의해 구성된 부분 커버(2)에 의해, 처리 공간(S) 내에서 발생하는 플라스마로부터 보호되어 있다.

또한, 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이, 창 부재(3)의 상방측에는 천장판부(61)가 배치되고, 이 천장판부(61)는 금속 프레임(11) 상에 마련된 측벽부(63)에 의해 지지되어 있다. 안테나실(50)은 창 부재(3), 측벽부(63) 및 천장판부(61)에 의해 둘러싸인 공간이고, 안테나실(50)의 내부에는 부분 창(30)에 면하도록 안테나(5)가 배치되어 있다.

안테나(5)는, 예를 들어 도시하지 않은 절연 부재로 이루어지는 스페이서를 통해 부분 창(30)으로부터 이격하여 배치되어 있다. 안테나(5)는 각 부분 창(30)에 대응하는 면 내에서, 직사각 형상의 창 부재(3)의 주위 방향을 따라 주회하도록, 와권상으로 형성되어 있다. 또한, 안테나(5)의 형상은 소용돌이에 한정되는 것은 아니다. 안테나(5)는, 예를 들어 1개 또는 복수의 안테나선이 환상으로 형성된 환상 안테나여도 되고, 각도를 어긋나게 하면서 복수의 안테나선이 감아 돌려져, 전체가 와권상으로 되도록 구성된 다중 안테나여도 된다. 안테나(5)의 구조는, 창 부재(3)나 창 부재(3)를 구성하는 각 부분 창(30)에 대응하는 면 내에서, 그 주위 방향을 따라 주회하도록 안테나선이 배치되는 구성이라면, 어떤 구성이어도 된다.

안테나(5)에는 정합기(511)를 통해 제1 고주파 전원(512)이 접속되어 있다. 안테나(5)에는 제1 고주파 전원(512)으로부터 정합기(511)를 통해, 주파수가 예를 들어 13.56㎒인 고주파 전력이 공급된다. 이에 의해, 플라스마 처리 동안, 각 부분 창(30)의 표면에 와전류가 유기되고, 이 와전류에 의해 처리 공간(S) 내에 유도 전계가 형성되고, 이 유도 전계에 의해, 공급 구멍(302)으로부터 처리 공간(S) 내에 토출된 처리 가스가 플라스마화된다.

플라스마 처리 장치(1)는 제어부(8)를 구비한다. 제어부(8)는 메모리, 프로세서 및 입출력 인터페이스를 갖는다. 프로세서는 메모리에 저장된 프로그램이나 레시피를 판독하여 실행함으로써, 입출력 인터페이스를 통해 플라스마 처리 장치(1)의 각 부를 제어한다.

[커버 부재(20)의 상세한 구조]

이하, 도 2 내지 도 10을 참조하면서 커버 부재(20)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다. 부분 창(30)은, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 필요에 따라 다양한 형상으로 분할된다. 이들 부분 창(30)의 분할 형상에 따라, 금속 프레임(11)과 부분 창(30) 사이, 및 인접하는 부분 창(30)끼리의 사이에 배치되는 절연 부재(31)는 그 배치 영역의 형상이 복잡해진다. 커버 부재(20)는 이들 절연 부재(31)의 처리 공간(S)측의 모든 면을 덮을 필요가 있지만, 일체로 형성된 커버 부재(20)에 의해 이와 같은 복잡한 형상의 영역을 덮는 것은 곤란하다.

그래서, 본 실시 형태의 커버 부재(20)는 복수의 부분 커버(2)로 분할되어 있다. 각 부분 커버(2)는, 예를 들어 가늘고 긴 평판상의 형상을 갖고, 알루미나 등의 세라믹스로 구성된다. 이들 복수의 부분 커버(2)를 나열하여 절연 부재(31)의 배치 영역을 덮는 커버 부재(20)가 구성되어 있다.

또한, 복수의 부분 커버(2)를 나열한 것만으로는, 인접하는 부분 커버(2)끼리의 사이에는 간극이 형성되어 버린다. 이와 같은 간극은 플라스마 처리 시의 온도 상승에 수반하는 부분 커버(2)의 팽창에 의해 개구 폭이 커지고, 여기서 플라스마가 진입함으로써 절연 부재(31)가 손상되는 경우가 있다.

그래서, 본 실시 형태에서는, 인접하는 부분 커버(2)끼리의 사이에 형성된 간극에, 당해 간극을 처리 공간(S)으로부터 덮기 위한 간극 커버(21)가 마련되어 있다. 도 2에서는, 예를 들어 파선으로 둘러싸인 영역 (i) 내지 (iii)에 간극 커버(21)가 마련되어 있다.

도 3은 커버 부재(20)가 떼어진 상태에 있어서의 영역 (i) 부근의 창 부재(3)의 일례를 도시하는 확대 평면도이다. 도 4는 영역 (i) 부근의 창 부재(3)에 마련되어 있는 커버 부재(20)의 일례를 도시하는 확대 평면도이다. 영역 (i) 부근의 창 부재(3)에는, 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이, 부분 창(30a), 부분 창(30b), 부분 창(30c), 절연 부재(31a), 및 절연 부재(31b)가 배치되어 있다.

도 3에는 커버 부재(20)의 부분 커버(2)가 배치되는 위치가 파선으로 나타나 있다. 영역 (i) 부근의 창 부재(3)에는, 예를 들어 도 4에 도시된 바와 같이, 부분 커버(2a), 부분 커버(2b), 부분 커버(2c), 및 간극 커버(21a)가 배치되어 있다. 도 3 및 도 4에 있어서의 A-A' 단면이 도 5에 도시되어 있고, B-B' 단면이 도 6에 도시되어 있고, C-C' 단면이 도 7에 도시되어 있다. 또한, 부분 커버(2), 부분 창(30) 및 절연 부재(31)에는 배치 위치에 따른 첨자(예를 들어, 「a」 등)가 부가되어 있다. 단, 부분 커버(2), 부분 창(30) 및 절연 부재(31)를, 배치 위치에 관계없이 총칭하는 경우, 첨자를 붙이지 않고 기재하는 것으로 한다.

영역 (i)에 있어서는, 예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이, 인접하는 부분 창(30a 내지 30c)의 간극에 끼워 맞추도록, 처리 공간(S)에서 보아 T자상으로 절연 부재(31a 및 31b)가 배치되어 있다. 또한, 영역 (i)에서는, 예를 들어 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 절연 부재(31a 및 31b)가 배치되어 있는 영역을 따라, 3개의 부분 커버(2a 내지 2c)가 배치되어 있다.

또한, 예를 들어 도 4, 도 6, 및 도 7에 도시된 바와 같이, 부분 커버(2a와 2b) 사이의 간극, 및 부분 커버(2a와 2c) 사이의 간극의 영역은, 알루미나 등의 세라믹스로 구성된 간극 커버(21a)에 의해 처리 공간(S)측으로부터 덮여 있다. 간극 커버(21a)는, 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이, 다단 헤드를 갖는 금속제의 나사(202)에 의해 부분 창(30a)의 하면측에 체결되어 있다. 이에 의해, 간극 커버(21a)와 부분 창(30a) 사이에 배치되어 있는 부분 커버(2a 내지 2c)도 부분 창(30a)에 고정된다.

금속제의 나사(202)의 헤드부는, 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이 간극 커버(21)의 하면으로부터 처리 공간(S)측으로 돌출되어 있지만, 이 헤드부는 세라믹스제의 나사 커버(22)에 의해 덮여 있다. 도 2에 예시된 영역 (ii) 및 (iii)에 있어서도 마찬가지로, 인접하는 부분 커버(2) 사이의 간극이 간극 커버(21)에 의해 덮여 있다.

또한, 기판(G)에 대향하는 창 부재(3)의 하면의 영역(300)의 외측의 영역에 있어서는, 예를 들어 도 2의 영역 (iv) 및 (v)와 같이, 인접하는 부분 커버(2) 사이의 간극이 간극 커버(21)에 의해 덮여 있지 않아도 된다. 단, 도 2의 영역 (iv) 및 (v)에서는, 단면에서 보아 복수의 부분 커버(2)가 오버랩됨으로써, 복수의 부분 커버(2) 사이의 간극을 통해 처리 공간(S)으로부터 절연 부재(31)가 보이지 않게 되어 있다.

상기와 같이 구성된 플라스마 처리 장치(1)는 제어부(8)의 제어에 의해, 이하와 같이 동작한다. 즉, 게이트 밸브(102)가 개방되고, 플라스마 처리 장치(1)에 인접하는 도시하지 않은 진공 반송실로부터 도시하지 않은 반송 기구에 의해, 개구(101)를 통해 처리 공간(S) 내로 기판(G)이 반입된다. 그리고, 적재대(13) 상에 기판(G)이 적재되고, 도시하지 않은 정전 척에 의해 기판(G)이 고정된다. 그리고, 반송 기구가 처리 공간(S)으로부터 퇴피되고, 게이트 밸브(102)가 폐쇄된다. 그리고, 각 부분 창(30)의 유로(307)에 공급되는 온도 조절 유체에 의해, 각 부분 창(30)은 미리 설정된 온도로 조절된다.

이어서, 가스 공급부(42)로부터, 각 부분 창(30)의 확산실(301)을 통해 처리 공간(S) 내로 처리 가스가 공급되고, 배기 장치(12)로부터 처리 공간(S) 내의 진공 배기가 행해진다. 이에 의해, 처리 공간(S) 내의 압력이, 예를 들어 0.66 내지 26.6㎩ 정도의 압력 분위기로 조절된다. 또한, 기판(G)의 이면측에는 He 가스 등의 열전달용의 가스가 공급된다.

이어서, 제1 고주파 전원(512)으로부터 안테나(5)로 고주파 전력이 인가되고, 창 부재(3)를 통해 처리 공간(S) 내로 유도 전계가 생성된다. 처리 공간(S) 내에 생성된 유도 전계에 의해, 처리 공간(S) 내에서 처리 가스가 플라스마화되고, 고밀도의 유도 결합 플라스마가 생성된다. 그리고, 제2 고주파 전원(152)으로부터 적재대(13)로 인가된 바이어스용의 고주파 전력에 의해, 플라스마 중의 이온이 기판(G)을 향해 인입되고, 기판(G)의 플라스마 처리가 행해진다.

그리고, 미리 설정한 시간 플라스마 처리가 실행된 후, 제1 고주파 전원(512) 및 제2 고주파 전원(152)으로부터의 전력 공급이 정지되고, 가스 공급부(42)로부터의 처리 가스 공급이 정지된다. 그리고, 배기 장치(12)에 의한 처리 공간(S) 내의 진공 배기가 정지되고, 반입 시와는 반대의 순서로 기판(G)이 처리실(100) 내로부터 반출된다.

여기서, 플라스마 처리 장치(1)에 의해 플라스마 처리가 행해지면, 처리실(100) 내의 부재의 표면에는 침적물이 퇴적된다. 처리실(100) 내의 부재의 표면에 부착된 침적물이 두꺼워지면, 처리실(100) 내의 부재의 표면으로부터 침적물이 박리되고, 파티클로 되어 처리실(100) 내의 처리 공간(S)에 비산되는 경우가 있다. 처리 공간(S) 내에 비산된 파티클이 기판(G)에 부착되면, 기판(G)의 불량의 원인이 된다. 그 때문에, 처리실(100) 내의 부재의 표면으로부터 박리될 정도로 침적물이 두꺼워지기 전에, 처리실(100) 내의 부재의 표면으로부터 침적물을 제거하기 위한 클리닝이 행해진다.

그런데, 기판(G)이나 처리실(100) 처리실 내의 부재의 온도는, 처리 레시피에 규정된 소정의 온도 프로파일에 기초하여 제어된다. 또한, 처리실(100) 내에는 열팽창률이 상이한 2개의 부재가 근접하여 배치되는 경우가 있다. 이와 같은 경우, 처리실(100) 내의 부재의 온도가 변화되면, 열팽창 및 열수축에 의해 2개의 부재의 단부의 변위량이 상이한 경우가 있다. 그와 같은 2개의 부재에 침적물이 브릿지되어 있으면, 온도 변화에 의해, 2개의 부재의 단부에 브릿지되어 있는 침적물이 박리되기 쉽다. 그 때문에, 처리실(100) 내의 부재의 표면에 침적물이 그만큼 두껍게 적층되어 있지 않은 경우라도, 박리된 침적물이 파티클로 되어 처리실(100) 내에 비산되는 경우가 있다. 그 때문에, 클리닝의 주기를 짧게 하는 것이 필요해져, 프로세스의 스루풋이 낮아져 버린다.

그래서, 본 실시 형태에서는, 2개의 부재의 경계 부근에 공극이 마련된다. 이에 의해, 2개의 부재의 경계 부근의 침적물이 공극 내에 분산되고, 2개의 부재의 경계 부근에 있어서의 침적물의 농도가 옅어지고, 그 때문에, 2개의 부재의 경계 부근에 침적물이 브릿지되는 것을 억제할 수 있다. 그 때문에, 열팽창률이 상이한 2개의 부재가 근접하여 배치된 경우라도, 침적물의 박리를 억제할 수 있다. 이에 의해, 클리닝의 주기를 길게 할 수 있고, 프로세스의 스루풋을 향상시킬 수 있다.

[부분 커버(2a)의 상세]

도 8은 부분 커버(2a)에 형성된 공극(200) 주변의 창 부재(3)의 구조의 일례를 도시하는 확대 단면도이다. 샤워 플레이트(305)에 근접하여 배치되어 있는 부분 커버(2a)에 있어서, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a)의 경계 부근에는, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같이 공극(200)이 형성되어 있다. 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)은 처리 공간(S)에 면하고 있다. 또한, 부분 커버(2a)는 처리실(100) 내에 있어서 샤워 플레이트(305)보다도 처리 공간(S)측에 배치된 부재이고, 부분 커버(2a)의 하면(24)이 처리 공간(S)에 면하고 있다.

부분 커버(2a)의 측면(23)은 플라스마가 생성되는 처리 공간(S)에 면하고, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)을 포함하는 평면 또는 곡면에 교차하는 평면 또는 곡면에 포함된다. 도 8의 예에서는, 샤워 플레이트(305)를 포함하는 창 부재(3)는 제1 부재에 상당하고, 부분 커버(2a)는 제2 부재 및 제1 커버 부재에 상당한다. 또한, 도 8의 예에서는, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)은 제1 면에 상당하고, 부분 커버(2a)의 측면(23)은 제2 면에 상당한다.

도 8에 예시된 단면에 있어서, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)을 포함하는 평면 또는 곡면과, 부분 커버(2a)의 측면(23)을 포함하는 평면 또는 곡면은 교점(3052)에 있어서 교차한다. 공극(200)은, 예를 들어 도 8에 도시된 바와 같이, 샤워 플레이트(305) 및 부분 커버(2a)의 단면에 있어서, 교점(3052) 부근의 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a) 사이에, 하면(3051)을 따라 형성되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 공극(200)의 폭 W는, 예를 들어 0.5㎜, 공극(200)의 깊이 D는, 예를 들어 2㎜이다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 부분 커버(2a)의 두께는, 예를 들어 3㎜이다.

샤워 플레이트(305)는, 예를 들어 알루미늄 또는 알루미늄을 포함하는 합금 등에 의해 구성되어 있고, 부분 커버(2a)는, 예를 들어 알루미나 등의 세라믹스에 의해 구성되어 있다. 그 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a)는 열팽창률이 상이하다.

플라스마 처리가 행해지면, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051), 부분 커버(2a)의 측면(23), 부분 커버(2a)의 하면(24)에는 침적물이 퇴적된다. 여기서, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경계 부근에 공극(200)이 형성되어 있지 않은 경우, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)에 부착된 침적물(70)과, 부분 커버(2a)의 측면(23)에 부착된 침적물(70)이 브릿지된다. 그리고, 처리실(100) 내의 부재의 온도가 변화되면, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경계 부근에 있어서, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a)가 상이한 변위량으로 열팽창 또는 열수축한다. 이에 의해, 예를 들어 도 9의 비교예에 도시된 바와 같이, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경계에 브릿지되어 있던 침적물(70)이 박리되어 파티클(71)로 되고 처리 공간(S) 내에 비산된다.

이에 비해, 본 실시 형태의 창 부재(3)에서는, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경계 부근에는 공극(200)이 형성되어 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경계 부근의 침적물이 공극(200) 내에 분산되고, 공극(200) 내에 있어서의 침적물의 농도가 옅어진다. 그 때문에, 공극(200) 내의 면에 부착되는 침적물(70)의 두께는, 예를 들어 도 10에 도시된 바와 같이, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051) 및 부분 커버(2a)의 측면(23)에 부착되는 침적물(70)의 두께보다도 얇아진다. 그 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a) 사이에 침적물(70)이 브릿지되기 어려워진다. 또한, 공극(200) 내의 면에 부착되는 침적물(70)이 적기 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a) 사이에 침적물(70)이 브릿지되었다고 해도, 브릿지한 침적물(70)의 온도 변화에 의한 박리가 일어나기 어려워진다.

또한, 본 실시 형태에서는, 부분 커버(2a)에 있어서, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)을 따르는 방향으로 공극(200)이 형성되어 있다. 그 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a) 사이에 브릿지된 침적물(70)이 온도 변화에 의해 박리되었다고 해도, 공극(200) 내에 머무르기 때문에, 침적물(70)이 파티클(71)로 되어 처리 공간(S) 내에 비산되는 것을 방지할 수 있다.

또한, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051), 부분 커버(2a)의 측면(23), 및 부분 커버(2a)의 하면(24)에는, 예를 들어 도 10에 도시된 바와 같이 침적물(70)이 부착되고, 플라스마 처리가 반복되면, 침적물(70)이 두꺼워져, 침적물(70)이 박리되기 쉬워진다. 그 때문에, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051), 부분 커버(2a)의 측면(23), 및 부분 커버(2a)의 하면(24)에는 침적물(70)의 밀착성을 높이기 위해 표면을 거칠게 하는 조면 가공이 실시되는 것이 바람직하다. 조면 가공으로서는, 예를 들어 용사 가공, 블라스트 가공 또는 레이저 가공 등을 들 수 있다.

여기서, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051) 및 부분 커버(2a)의 하면(24)에 부착된 침적물은 처리 공간(S)에 생성된 플라스마에 의해 다소 에칭된다. 그러나, 부분 커버(2a)의 측면(23)에 부착된 침적물은 샤워 플레이트(305)의 하면(3051) 및 부분 커버(2a)의 하면(24)에 부착된 침적물보다도 플라스마에 의해 에칭되기 어렵다. 그 때문에, 부분 커버(2a)의 측면(23)에 부착된 침적물의 성장 속도는, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051) 및 부분 커버(2a)의 하면(24)에 부착된 침적물의 성장 속도보다도 빠르다. 따라서, 부분 커버(2a)의 측면(23)에 있어서의 침적물의 밀착성을 높이는 것이, 파티클을 억제한다는 관점, 및 클리닝 주기를 길게 한다는 관점에서는 중요하다.

또한, 예를 들어 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 부분 커버(2b)와 간극 커버(21a)의 경계 부근, 및 부분 커버(2c)와 간극 커버(21a)의 경계 부근에도 각각 공극(200)이 형성되어 있다. 간극 커버(21a)는 제2 커버 부재에 상당한다.

부분 커버(2b), 부분 커버(2c) 및 간극 커버(21a)는, 모두 예를 들어 알루미나 등의 세라믹스에 의해 구성되어 있기 때문에, 부분 커버(2b), 부분 커버(2c) 및 간극 커버(21a)의 열팽창률은 동등하다. 그러나, 부분 커버(2b), 부분 커버(2c) 및 간극 커버(21a)는 각각 형상 및 크기가 상이하고, 고정되어 있는 위치도 상이하다. 그 때문에, 온도 변화에 의해, 경계 부근에 있어서, 부분 커버(2b)와 간극 커버(21a)에서 변위량이 상이한 경우가 있다. 온도 변화에 의한 변위량이 상이하면, 경계 부근에 있어서 부분 커버(2b)와 간극 커버(21a) 사이에 브릿지되어 있는 침적물이 박리되기 쉽다. 부분 커버(2c)와 간극 커버(21a)의 관계에 대해서도 마찬가지이다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 열팽창률이 동등한 부재라도, 부재가 겹쳐져 있는 개소에는 경계 부근에 공극(200)이 마련된다. 이에 의해, 파티클의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 부분 커버(2b), 부분 커버(2c), 및 간극 커버(21a)의 하면 및 측면은 침적물의 밀착성을 높이기 위해, 예를 들어 용사 가공, 블라스트 가공 또는 레이저 가공 등의 조면 가공이 실시되는 것이 바람직하다.

또한, 예를 들어 도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2c)의 경계 부근, 및 부분 커버(2c)와 간극 커버(21a)의 경계 부근에 더하여, 간극 커버(21a)와 나사 커버(22)의 경계 부근에도 공극(200)이 형성되어 있다. 도 7의 예에 있어서도, 간극 커버(21a)와 나사 커버(22)의 경계에 브릿지된 침적물이 파티클로 되어 비산되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 간극 커버(21a) 및 간극 커버(21)의 하면 및 측면은 침적물의 밀착성을 높이기 위해, 예를 들어 용사 가공, 블라스트 가공 또는 레이저 가공 등의 조면 가공이 실시되는 것이 바람직하다.

이상, 플라스마 처리 장치(1)의 일 실시 형태에 대하여 설명했다. 본 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)는, 처리실(100)과, 제1 부재의 일례인 창 부재(3)에 포함되는 샤워 플레이트(305)와, 제2 부재의 일례인 부분 커버(2)를 구비한다. 처리실(100)은 플라스마를 발생시키는 처리 공간(S)을 구획 형성하고, 플라스마에 의해 처리실(100) 내에 수용된 기판(G)을 처리한다. 샤워 플레이트(305)는 처리 공간(S)에 면하는 하면(3051)을 갖는다. 부분 커버(2)는 처리 공간(S)에 면하는 측면(23)이며, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)을 포함하는 평면 또는 곡면에 교차하는 평면 또는 곡면에 포함되는 측면(23)을 갖고, 샤워 플레이트(305)보다도 처리 공간(S)측의 처리실(100)에 배치된다. 샤워 플레이트(305) 및 부분 커버(2)의 단면에 있어서, 하면(3051)을 포함하는 평면 또는 곡면과 측면(23)을 포함하는 평면 또는 곡면의 교점(3052) 부근의 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2) 사이에는 공극(200)이 형성되어 있다. 이에 의해, 처리실(100) 내에 비산되는 파티클을 저감할 수 있다.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2)는, 열팽창률이 상이한 재료에 의해 구성되어 있다. 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2) 사이에는 공극(200)이 형성되어 있기 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2) 사이에 침적물이 브릿지되기 어렵다. 그 때문에, 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2)가 열팽창률이 상이한 재료에 의해 구성되어 있고, 온도 변화에 의해, 경계 부근에 있어서, 제1 부재의 변위량과 제2 부재의 변위량이 상이한 경우라도, 침적물이 박리되기 어렵다.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)과 부분 커버(2)의 측면(23)은 블라스트 가공, 용사 가공 또는 레이저 가공 등의 조면 가공이 실시되어 있다. 이에 의해, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051) 및 부분 커버(2)의 측면(23)에 부착된 침적물의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 침적물의 박리를 억제할 수 있다.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서, 플라스마 처리 장치(1)는 부분 커버(2)보다도 처리 공간(S)측에 배치되고, 인접하는 부분 커버(2)의 경계를 덮는 제2 커버 부재의 일례인 간극 커버(21)를 갖는다. 부분 커버(2)와 간극 커버(21) 사이에는 간극 커버(21)를 둘러싸도록 공극이 형성되어 있다. 이에 의해, 부분 커버(2)와 간극 커버(21) 사이에 침적물이 브릿지되는 것을 억제할 수 있고, 처리실(100) 내에 비산되는 파티클을 저감할 수 있다.

[기타]

또한, 본원에 개시된 기술은 상기한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지의 범위 내에서 수많은 변형이 가능하다.

예를 들어, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)에 배치되는 부분 커버(2a)의 측면(23)은, 예를 들어 도 11의 변형예 1에 도시된 바와 같이, 부분 창(30)의 주요한 면인 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)에 대하여 경사져 있어도 된다. 이에 의해, 부분 커버(2a)의 측면(23)에 부착된 침적물이 처리 공간(S) 내에 생성된 플라스마에 의해 에칭되기 쉬워져, 측면(23)에 부착된 침적물의 성장을 억제할 수 있다. 또한, 부분 커버(2a)의 측면(23)이 경사져 있음으로써, 부분 커버(2a)의 측면(23) 및 하면(24)에 대하여 동일한 방향으로부터 블라스트 가공, 용사 가공 또는 레이저 가공 등의 조면 가공을 실시할 수 있다. 이에 의해, 조면 가공을 행할 때의 작업 시간을 단축할 수 있다. 또한, 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)에 대한 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경사 각도 θ는, 가공의 작업 시간 단축의 관점에서는, 예를 들어 30°부터 60°의 범위 내의 각도인 것이 바람직하다. 또한, 부분 커버(2a)의 측면(23)의 경사 각도 θ는, 예를 들어 45°인 것이 보다 바람직하다.

간극 커버(21)의 측면에 있어서도, 부분 커버(2)의 하면에 대하여 경사 각도 θ에서 경사져 있는 것이 바람직하다. 또한, 나사 커버(22)의 측면에 있어서도, 간극 커버(21)의 하면에 대하여 경사 각도 θ에서 경사져 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 간극 커버(21) 및 나사 커버(22)에 있어서의 조면 가공을 행할 때의 작업 시간을 단축할 수 있다.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 공극(200)은 샤워 플레이트(305) 및 부분 커버(2)의 단면에 있어서, 직사각 형상이지만, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12의 변형예 2에 도시된 바와 같이, 공극(200)은 개구부의 폭 W1보다도 안측의 폭 W2가 넓은 형상의 공극(200a)이어도 된다. 혹은, 예를 들어 도 13의 변형예 3에 도시된 바와 같이, 공극(200)은 폭 W1의 개구부로부터 안측으로 진행됨에 따라 폭 W2까지 서서히 넓어지는 형상의 공극(200b)이어도 된다. 부분 커버(2a)의 하면과 간극 커버(21)의 측면의 경계 부근, 간극 커버(21)의 하면과 나사 커버(22)의 측면의 경계 부근의 공극(200)에 대해서도 마찬가지이다.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 공극(200)은 부분 커버(2a)에 형성되었지만, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어 도 14의 변형예 4에 도시된 바와 같이, 공극(200)은 샤워 플레이트(305)의 하면(3051)에 마련된 단차부(3054)에 의해 형성된 공극(200c)이어도 된다. 혹은, 예를 들어 도 15의 변형예 5에 도시된 바와 같이, 공극(200)은 샤워 플레이트(305)와 부분 커버(2a) 사이에 폭 W의 스페이서(90)를 개재시킴으로써 형성된 공극(200d)이어도 된다. 부분 커버(2a)의 하면과 간극 커버(21)의 측면의 경계 부근, 간극 커버(21)의 하면과 나사 커버(22)의 측면의 경계 부근의 공극(200)에 대해서도 마찬가지이다.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 창 부재(3)가 도전성의 금속에 의해 구성되었지만, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않고, 창 부재(3)는 유전체에 의해 구성되어 있어도 된다.

또한, 상기한 실시 형태에 있어서의 플라스마 처리 장치(1)는 피처리체의 일례로서 FPD용의 유리 기판 등의 기판(G)에 플라스마를 사용한 처리를 행하지만, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판에 플라스마를 사용한 처리를 행하는 장치에 대해서도 개시된 기술을 적용하는 것이 가능하다.

또한, 상기한 실시 형태에서는, 플라스마원으로서 유도 결합 플라스마를 예로 들어 설명했지만, 개시된 기술은 이것에 한정되지 않고, 진공 환경 하에서 피처리체에 대하여 플라스마를 사용하여 처리를 행하는 장치라면, 유도 결합 플라스마 이외의 플라스마원이 사용되어도 된다. 유도 결합 플라스마 이외의 플라스마원으로서는, 예를 들어 용량 결합형 플라스마(CCP), 마이크로파 여기 표면파 플라스마(SWP), 전자 사이클로트론 공명 플라스마(ECP) 및 헬리콘파 여기 플라스마(HWP) 등을 들 수 있다.

또한, 금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시 형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기한 실시 형태는, 첨부한 특허 청구 범위 및 그 취지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.

G : 기판
S : 처리 공간
1 : 플라스마 처리 장치
10 : 용기 본체
11 : 금속 프레임
110 : 시일 부재
12 : 배기 장치
13 : 적재대
14 : 절연체 프레임
151 : 정합기
152 : 제2 고주파 전원
100 : 처리실
101 : 개구
102 : 게이트 밸브
103 : 배기구
2 : 부분 커버
20 : 커버 부재
200 : 공극
201 : 나사
202 : 나사
21 : 간극 커버
22 : 나사 커버
23 : 측면
24 : 하면
3 : 창 부재
30 : 부분 창
31 : 절연 부재
300 : 영역
301 : 확산실
302 : 공급 구멍
303 : 창 부재 본체
305 : 샤워 플레이트
3051 : 하면
3052 : 교점
3054 : 단차부
307 : 유로
41 : 가스 공급관
42 : 가스 공급부
5 : 안테나
50 : 안테나실
511 : 정합기
512 : 제1 고주파 전원
61 : 천장판부
63 : 측벽부
70 : 침적물
71 : 파티클
8 : 제어부
90 : 스페이서

Claims

플라스마를 발생시키는 처리 공간을 구획 형성하고, 상기 플라스마에 의해 상기 처리 공간 내에 수용된 피처리체를 처리하는 처리실과,
상기 처리 공간에 면하는 제1 면을 갖는 제1 부재와,
상기 처리 공간에 면하는 제2 면이며, 상기 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면에 교차하는 평면 또는 곡면에 포함되는 제2 면을 갖고, 상기 제1 부재보다도 상기 처리 공간측의 상기 처리실 내에 배치된 제2 부재를 구비하고,
상기 제1 부재 및 상기 제2 부재의 단면에 있어서, 상기 제1 면을 포함하는 평면 또는 곡면과 상기 제2 면을 포함하는 평면 또는 곡면의 교점 부근의 상기 제1 부재와 상기 제2 부재 사이에는 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 제2 부재의 단면에 있어서, 상기 제2 면은 상기 제1 면에 대하여 경사져 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 부재와 상기 제2 부재는, 열팽창률이 상이한 재료에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 부재의 상기 제1 면과 상기 제2 부재의 상기 제2 면은 조면 가공이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 조면 가공은 블라스트 가공, 용사 가공, 또는 레이저 가공인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리 공간 내에 상기 플라스마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 안테나를 구비하고,
상기 제1 부재는 상기 안테나와 상기 처리 공간 사이에 배치된 창 부재이고,
상기 창 부재는 복수의 부분 창이 조합되어 구성되고,
상기 제2 부재는, 인접하는 상기 부분 창의 경계를 덮는 제1 커버 부재인 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제6항에 있어서, 상기 제1 커버 부재보다도 상기 처리 공간측에 배치되고, 인접하는 상기 제1 커버 부재의 경계를 덮는 제2 커버 부재를 갖고,
상기 제1 커버 부재와 상기 제2 커버 부재 사이에는, 상기 제2 커버 부재를 둘러싸도록 공극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제7항에 있어서, 상기 제2 커버 부재의 단면에 있어서, 상기 제2 커버 부재의 측면은, 상기 창 부재의 주요한 면에 대하여 경사져 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제6항에 있어서, 각각의 상기 부분 창은 도전성의 부재에 의해 구성되어 있고,
인접하는 상기 부분 창의 경계에는, 절연성의 부재에 의해 구성된 절연 부재가 배치되어 있고,
상기 제1 커버 부재는, 상기 처리 공간에 대하여 상기 절연 부재를 덮는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.
제6항에 있어서, 각각의 상기 부분 창은 유전체에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라스마 처리 장치.