KR101246859B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리공간을 구비하며, 상면이 개구된 챔버, 상기 챔버의 상면을 덮는 유전체윈도우, 상기 유전체윈도우를 지지하는 윈도우프레임, 상기 유전체윈도우의 상부에 위치하며, 상기 플라즈마 처리공간에 유도결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 안테나, 상기 안테나의 하부에 설치되어 상기 플라즈마 처리공간에 용량결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 CCP 프레임 및 상기 플라즈마 처리공간에 설치되어 피처리대상인 기판이 안착되는 서셉터를 포함하여, 유도결합형 플라즈마와 용량결합형 플라즈마를 동시에 구현하여, 유도결합 플라즈마의 초기방전에 기여하고, 프레임에 의한 플라즈마 감쇄를 방지하며, 공정속도를 향상할 수 있다.

Description

플라즈마 처리장치{Plasma Processing Apparatus}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 유도결합형 플라즈마와 용량결합형 플라즈마를 발생시키는 플라즈마처리장치에 관한 것이다.
플라즈마는 반도체 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 여러 공정들 예를 들어, 증착, 에칭, 박리, 세정 공정 등에 다양하게 사용되고 있다. 현재 반도체 및 디스플레이 제조 분야에서 가장 많이 이용되는 플라즈마 소스 발생 방식은 RF를 이용한 것으로 발생 방식에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)와 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)로 구분된다.
용량결합형 플라즈마(CCP)는 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 따라서 용량결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 웨이퍼나 기판이 위치하는 하부전극과 가스 주입을 위한 샤워헤드가 포함된 상부 전극을 구비한다.
유도결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF 전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 플라즈마를 발생시킨다. 따라서 유도결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 코일 형태의 안테나가 플라즈마 발생공간 외부에 배치되고 석영과 같은 유전체윈도우를 통해 플라즈마 발생공간에 전기장을 유도하도록 구성된다.
유도결합형 플라즈마는 용량결합형 플라즈마에 비해 저압영역에서도 효과적으로 플라즈마가 발생되고, 높은 밀도의 플라즈마를 얻을 수 있는 장점이 있어 사용영역이 확대되는 추세이다.
디스플레이 제조분야에 있어, 대형화면에 대한 소비자의 요구 및 생산효율 측면에서 기판의 대형화는 필수적이다. 대형 기판의 처리를 위해서는 대면적의 유전체윈도우가 필요하나, 유전체윈도우의 기계적 강성과 유전체윈도우의 두께가 플라즈마에 미치는 영향 등으로 인해 격자모양의 프레임에 복수 개의 유전체윈도우를 설치하는 것이 일반적 추세이다.
그러나 격자모양 프레임의 경우 종방향 프레임과 횡방향 프레임이 교차하는 지점의 하부에서는 플라즈마 밀도가 낮아지는 현상이 관찰되는데, 이로 인해 플라즈마 균일성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 대형 기판의 처리가 가능한 플라즈마 처리장치 내에 균일한 플라즈마를 발생할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위함이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마 처리공간을 구비하며, 상면이 개구된 챔버, 상기 챔버의 상면을 덮는 유전체윈도우, 상기 유전체윈도우를 지지하는 윈도우프레임, 상기 유전체윈도우의 상부에 위치하며, 상기 플라즈마 처리공간에 유도결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 안테나, 상기 안테나의 하부에 설치되어 상기 플라즈마 처리공간에 용량결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 CCP 프레임 및 상기 플라즈마 처리공간에 설치되어 피처리대상인 기판이 안착되는 서셉터를 포함한다.
또한 상기 CCP 프레임은 상기 윈도우프레임에 의해 구획된 영역 내에 설치되며, 상기 CCP 프레임과 상기 윈도우프레임은 상기 유전체윈도우의 측부를 지지할 수 있다.
또한 상기 윈도우프레임은 외곽을 형성하는 외곽프레임과, 상기 외곽프레임과 상기 CCP 프레임을 연결하는 브릿지프레임을 포함할 수 있다.
또한 상기 CCP 프레임과 상기 윈도우프레임 사이에는 유전막이 구비될 수 있다.
또한 상기 유전막은 탄성력이 있는 유전재료로 구성되어, 상기 플라즈마 처리공간의 기밀을 유지할 수 있다.
또한 상기 CCP 프레임은 내부공간에 상기 유전체윈도우 중 N2 개를 지지하도록 형성되고, 상기 윈도우프레임은 상기 CCP 프레임의 둘레를 따라 위치하는 (N+2)2-N2개의 나머지 상기 유전체윈도우를 지지할 수 있다.
또한 상기 안테나에 전원을 인가하는 제1전원 공급부와, 상기 CCP 프레임에 전원을 인가하는 제2전원 공급부가 더 구비될 수 있다.
또한 상기 제1전원 공급부와 상기 제2전원 공급부 사이에는 상기 각 전원 공급부의 인가 전력을 제어하는 제어모듈이 구비될 수 있다.
또한 상기 제1전원 공급부와 상기 제2전원 공급부 사이에는 상기 각 전원 공급부의 인가 주파수를 제어하는 제어모듈이 구비될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 유도결합형 플라즈마와 용량결합형 플라즈마를 동시에 구현하여, 유도결합 플라즈마의 초기방전에 기여하고, 프레임에 의한 플라즈마 감쇄를 방지하며, 공정속도를 향상할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 윈도우프레임, CCP 프레임 및 안테나를 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 개략적 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 플라즈마 처리공간(10)을 구비하며 상면이 개구된 챔버(110)와, 챔버(110)의 개구된 상면을 덮는 유전체윈도우(120)와, 유전체윈도우(120)를 지지하는 윈도우프레임(130)과, 유전체윈도우(120)의 상면에 위치하여 플라즈마 처리공간(10)에 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)를 발생시키는 안테나(150)와, 윈도우프레임(130)에 설치되어 플라즈마 처리공간(10)에 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)를 발생시키는 CCP 프레임(140) 및 플라즈마 처리공간(10) 내에 설치되어 피처리대상이 안착되는 서셉터(160)를 포함한다.
챔버(110)의 상부에는 플라즈마 처리공간(10)으로 공정가스를 공급하는 소스부(미도시)가 구비될 수 있고, 챔버(110)의 하부에는 챔버(110) 내부의 기체를 흡입하여 챔버(110) 외부로 배출하는 배기부(미도시)가 구비될 수 있다.
챔버(110)의 상부에 위치하는 윈도우프레임(130)은 챔버(110) 내측벽 또는 개구된 챔버(110) 상면의 단부를 따라 설치될 수 있다. 윈도우프레임(130)의 중앙측에는 CCP 프레임(140)이 설치될 수 있으며, 윈도우프레임(130)과 CCP 프레임(140)은 각각 또는 함께 복수 개의 유전체윈도우(120)의 측부를 지지할 수 있다. 윈도우프레임(130)과 CCP 프레임(140)에 대한 더욱 자세한 설명은 후술한다.
윈도우프레임(130) 및 CCP 프레임(140)에 설치되는 유전체윈도우(120)는 절연체로서, 일반적으로 석영판이 사용되나 질화실리콘(Si3N4), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si) 등의 재료가 이용될 수도 있다. 유전체윈도우(120)는 윈도우프레임(130) 및 CCP 프레임(140)에 설치되어 개구된 챔버(110)의 상면을 덮도록 구비된다. 유전체윈도우(120)와 각 프레임(130, 140)의 접촉면에는 실링부재(미도시)가 구비되어 플라즈마 처리공간(10)의 기밀을 유지하도록 할 수 있다.
챔버(110) 내부에 위치하는 서셉터(160)는 피처리체인 기판(S)이 안정적으로 안착되도록 상면이 편평하게 형성될 수 있다. 서셉터(160)에 다수 개의 웨이퍼가 안착되는 경우, 웨이퍼 각각이 안착될 수 있는 안착홈이 상면에 형성될 수도 있다.
서셉터(160) 내부 또는 하부에는 기판(S)을 가열하기 위한 히터(미도시)가 구비될 수 있다. 또한 서셉터(160) 일측에는 서셉터(160)에 전원을 인가하는 서셉터용 전원 공급부(161)가 연결될 수 있다. 서셉터(160)와 서셉터용 전원 공급부(161) 사이에는 매칭 박스(미도시)가 구비되어 서셉터용 전원 공급부(161)의 전력 전송을 최적할 수 있다.
서셉터(160)의 하부에는 서셉터(160)를 승강 및/또는 회전할 수 있는 서셉터샤프트(162)가 설치될 수 있다. 서셉터샤프트(162)의 일단은 챔버(110) 하부를 관통하여 챔버(110) 외부에 위치하는 구동장치(미도시)에 연결될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)의 윈도우프레임(130) 및 CCP 프레임(140)에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 윈도우프레임, CCP 프레임 및 안테나를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, CCP 프레임(140)은 윈도우프레임(130)의 중앙부에 윈도우프레임(130)과 동일평면 상에 설치될 수 있다. CCP 프레임(140)은 내부에 하나의 유전체윈도우(120)가 위치되도록 형성될 수도 있고, 또는 격자형으로 형성되어 격자형으로 구획된 각 공간에 복수 개의 유전체윈도우(120)가 위치될 수도 있다.
CCP 프레임(140)의 주변으로 또 다른 복수 개의 유전체윈도우(120)를 지지하는 윈도우프레임(130)이 위치될 수 있다. 윈도우프레임(130)은 프레임의 외곽을 형성하는 외곽프레임(131)과, 외곽프레임(131)의 내측면과 CCP 프레임(140)의 외측면 사이에 설치되는 다수 개의 브릿지프레임(132)으로 구성될 수 있다. 따라서 윈도우프레임(130)의 브릿지프레임(132)과 외곽프레임(131), 그리고 CCP 프레임(140)의 외측에 의해 형성되는 복수 개의 공간에 각각 상기 복수 개의 유전체윈도우(120)가 위치될 수 있다.
예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, CCP 프레임(140)은 N2 개의 격자공간(142)을 정방형으로 형성하도록 구비되고, 윈도우프레임(130)은 윈도우프레임(130)의 외곽프레임(131)과 CCP 프레임(140)의 각 변을 연결되는 복수 개의 브릿지프레임(132)으로 구획되는 복수 개의 격자공간(143)을 구비한다. 즉 CCP 프레임(140)은 N2 개의 격자공간(142)을 구비하고, 윈도우프레임(130)은 CCP 프레임(140)의 둘레를 따라 (N+2)2-N2 개의 격자공간(143)을 구비하여, CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130)이 함께 (N+2)2 개의 격자공간(142, 143)을 정방형으로 구비하도록 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, CCP 프레임(140)과 브릿지프레임(132)이 연결되는 부분에는, 브릿지프레임(132)이 CCP 프레임(140)을 지지할 수 있도록 브릿지프레임(132)의 단부에는 돌출 형성된 지지단(133)이 형성되고, CCP 프레임(140)의 외측에는 지지단(133)에 대응하는 지지홈(144)이 형성될 수 있다. 그리고 지지단(133)과 지지홈(144) 사이에는 유전막(170)이 구비되어, CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130)이 상호 전기적으로 연결되지 않도록 할 수 있다.
상기 유전막(170)은 유전체의 역할을 수행하는 동시에, CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130) 사이에서 플라즈마 처리공간(10)의 기밀을 유지하는 실링부재의 역할을 수행할 수 있다. 이 경우 유전막(170)은 탄성력이 있는 유전재료, 예를 들면 고무재질이 이용될 수 있다. 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 별도의 실링부재(171)를 추가로 구비할 수 있다.
CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130)은 유전체윈도우(120)를 지지하기 위해 유전체윈도우(120)가 위치하는 부분에 돌출 형성된 지지턱(134)을 구비할 수 있다. 지지턱(134)의 상측에는 탄성 재료로 형성된 사각링 형상의 패킹(미도시)이 구비되어, 각 프레임(130, 140)과 유전체윈도우(120)를 밀착시키고 플라즈마 처리공간(10)의 기밀을 유지할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130) 및 유전체윈도우(120)의 상부에는 안테나(150)가 구비될 수 있다. 안테나(150)의 형상은 도 2에 도시된 형상에 한정되지 않고, CCP 프레임(140)과 윈도우프레임(130)의 구조 및 플라즈마 밀도 및 분포에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
안테나(150)의 일측에는 안테나(150)에 RF 전력을 인가하는 제1전원 공급부(151)가 연결되고, CCP 프레임(140)의 일측에는 CCP 프레임(140)에 RF 전력을 인가하는 제2전원 공급부(141)가 연결될 수 있다.
제1전원 공급부(151)에 의해 안테나(150)에 인가된 RF 전력은 챔버(110) 내 플라즈마 처리공간(10)에서 전기장이 유도되도록 하여, 유도결합형 플라즈마가 발생되도록 하고, 제2전원 공급부(141)에 의해 CCP 프레임(140)에 인가된 RF 전력은 CCP 프레임(140) 하부에서 용량결합형 플라즈마가 발생되도록 한다.
도시되진 않았지만, 제1전원 공급부(151)와 안테나(150) 사이, 그리고 제2전원 공급부(141)와 CCP 프레임(140) 사이에는 각각 매칭박스(미도시)가 구비되어 각 전원 공급부(141, 151)의 전력 전송을 최적할 수 있다.
또한 제1전원 공급부(151)와 제2전원 공급부(141) 사이에는 제어모듈(180)이 구비될 수 있다. 제어모듈(180)은 제1전원 공급부(151)와 제2전원 공급부(141)의 인가 전력 및/또는 인가 주파수를 각각 제어하도록 구비되어, 제1전원 공급부(151)에 의해 발생되는 유도결합형 플라즈마와 제2전원 공급부(141)에 의해 발생되는 용량결합형 플라즈마의 발생비율을 조정하거나, 플라즈마의 특성을 조정할 수 있다.
상기와 같은 구성에 의해 본 발명에 따른 윈도우프레임(130)은 종래 프레임구조물과 달리 유전체윈도우(120)를 지지하기 위해 종방향프레임과 횡방향프레임이 교차하는 구조를 갖지 않고, 대신에 CCP 프레임(140)을 구비하여 CCP 프레임(140) 하부에서 용량결합형 플라즈마가 발생되도록 한다.
따라서, 종래 프레임구조물에서 종방향프레임과 횡방향프레임이 교차하는 부분의 하부에서 유도결합형 플라즈마가 감쇄하는 현상을 용량결합형 플라즈마를 통해 보상할 수 있고, 동시에 용량결합형 플라즈마를 통해 유도결합형 플라즈마의 초기방전을 용이하게 하고, 용량결합형 플라즈마에 비해 상대적으로 느린 공정속도를 갖는 유도결합형 플라즈마의 단점을 보완할 수 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100: 플라즈마 처리장치 110: 챔버
120: 유전체윈도우 130: 윈도우프레임
140: CCP 프레임 150: 안테나
170: 유전막

Claims (9)

  1. 플라즈마 처리공간을 구비하며, 상면이 개구된 챔버;
    상기 챔버의 상면을 덮는 유전체윈도우;
    상기 유전체윈도우를 지지하는 윈도우프레임;
    상기 유전체윈도우의 상부에 위치하며, 상기 플라즈마 처리공간에 유도결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 안테나;
    상기 안테나의 하부에 설치되어 상기 플라즈마 처리공간에 용량결합형 플라즈마의 생성을 유도하는 CCP 프레임; 및
    상기 플라즈마 처리공간에 설치되어 피처리대상인 기판이 안착되는 서셉터를 포함하고,
    상기 윈도우프레임은 외곽을 형성하는 외곽프레임과, 상기 외곽프레임과 상기 CCP 프레임을 연결하는 브릿지프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 CCP 프레임은 상기 윈도우프레임에 의해 구획된 영역 내에 설치되며, 상기 CCP 프레임과 상기 윈도우프레임은 상기 유전체윈도우의 측부를 지지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 CCP 프레임과 상기 윈도우프레임 사이에는 유전막이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 유전막은 탄성력이 있는 유전재료로 형성되어, 상기 플라즈마 처리공간의 기밀을 유지하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 안테나에 전원을 인가하는 제1전원 공급부와, 상기 CCP 프레임에 전원을 인가하는 제2전원 공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1전원 공급부와 상기 제2전원 공급부 사이에는 상기 각 전원 공급부의 인가 전력을 제어하는 제어모듈이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1전원 공급부와 상기 제2전원 공급부 사이에는 상기 각 전원 공급부의 인가 주파수를 제어하는 제어모듈이 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102189337B1 (ko) * 2019-07-17 2020-12-09 주식회사 유진테크 플라즈마 처리 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102020622B1 (ko) * 2014-09-19 2019-09-10 주식회사 원익아이피에스 유도결합 플라즈마 처리장치
JP7182916B2 (ja) * 2018-06-26 2022-12-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
GB2601106B (en) * 2020-09-24 2024-02-07 Plasma Quest Ltd High density plasma source

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070014698A (ko) * 2005-07-29 2007-02-01 주식회사 아이피에스 다중 안테나가 구비된 플라즈마 처리장치
KR20090125406A (ko) * 2008-06-02 2009-12-07 다이나믹솔라디자인 주식회사 혼합형 플라즈마 반응기

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5589737A (en) * 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
US6155199A (en) * 1998-03-31 2000-12-05 Lam Research Corporation Parallel-antenna transformer-coupled plasma generation system
TW460610B (en) * 1999-03-03 2001-10-21 Anelva Corp A plasma processing system
JP2006216903A (ja) * 2005-02-07 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
TW200845197A (en) * 2007-03-28 2008-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma etching apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070014698A (ko) * 2005-07-29 2007-02-01 주식회사 아이피에스 다중 안테나가 구비된 플라즈마 처리장치
KR20090125406A (ko) * 2008-06-02 2009-12-07 다이나믹솔라디자인 주식회사 혼합형 플라즈마 반응기

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102189337B1 (ko) * 2019-07-17 2020-12-09 주식회사 유진테크 플라즈마 처리 장치
WO2021010782A1 (ko) * 2019-07-17 2021-01-21 주식회사 유진테크 플라즈마 처리 장치

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