TW201840247A

TW201840247A - 電漿處理裝置

Info

Publication number: TW201840247A
Application number: TW107109356A
Authority: TW
Inventors: 酒井敏彦; 藤原将喜; 中田誓治
Original assignee: 日商日新電機股份有限公司
Priority date: 2017-03-21
Filing date: 2018-03-20
Publication date: 2018-11-01
Also published as: JP2018156880A; TWI770144B; JP6870408B2; WO2018173892A1

Abstract

本發明於具有呈直線狀的多根天線的電漿處理裝置中，抑制天線間所產生的電漿而提高電漿的均勻性。本發明的電漿處理裝置100藉由在配置於真空容器2內的多根天線3中流動高頻電流而於真空容器2內生成電漿P，並使用該電漿P對基板W進行處理，且多根天線3分別呈直線狀且並列配置，於彼此相鄰的天線3之間，沿著天線3而配置有抑制該些天線間的電漿生成的介電構件14。

Description

電漿處理裝置

本發明是有關於一種電漿處理裝置，其藉由在配置於真空容器內的天線中流動高頻電流而於所述真空容器內生成電漿，並使用該電漿對基板進行處理。

先前以來，已提出有如下電漿處理裝置，其於天線中流動高頻電流，利用藉此所生成的感應電場而產生感應耦合型的電漿（Inductively Coupled Plasma，簡稱ICP），並使用該感應耦合型的電漿對基板實施處理。

關於此種電漿處理裝置，如專利文獻1所示，想到為了應對大型基板等而於真空容器內配置有呈直線狀的多根天線。

然而，具有多根天線的情況下，由天線間所產生的電位差導致於該些天線間產生電漿。尤其對於直線狀天線而言，彼此相鄰的天線的相向部分變大，產生電漿的區域變大。由該天線間所產生的電漿導致各天線的阻抗（impedance）變化，而有電漿的密度分佈等電漿的均勻性變差，甚至基板處理的均勻性變差這一問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開平2016-41837號公報

[發明所欲解決之課題] 因此，本發明是為了解決所述問題點而成，其主要課題在於：於具有呈直線狀的多根天線的電漿處理裝置中，抑制由彼此相鄰的天線間的電位差所致的電漿生成。 [用以解決課題之手段]

即，本發明的電漿處理裝置藉由在配置於真空容器內的多根天線中流動高頻電流而於所述真空容器內生成電漿，並使用該電漿對基板進行處理，且所述電漿處理裝置的特徵在於：所述多根天線分別呈直線狀並且並列配置，於彼此相鄰的所述天線之間，沿著所述天線而配置有抑制該些天線間的電漿生成的介電構件。

若為此種電漿處理裝置，則因將呈直線狀的多根天線並列配置，故可較佳地應對需處理的基板的大型化。於該構成中，因於彼此相鄰的天線間沿著天線而設有介電構件，故可抑制由彼此相鄰的天線間的電位差所致的電漿生成。結果可提高電漿的均勻性，從而可提高基板處理的均勻性。

較理想為所述各天線具有被供給高頻的供電端部、及經接地的接地端部，且所述多根天線是以彼此相鄰的天線中一根所述天線的所述供電端部與另一所述天線的所述接地端部相鄰的方式配置。若為該構成，則一根天線的長度方向的電漿密度分佈與另一天線的長度方向的電漿密度分佈重合，而使該些兩根天線的長度方向的電漿密度分佈變得均勻。

此處，被供給於彼此相鄰的兩根天線的高頻產生相位差，故於該些兩根天線間產生電位差而形成電場。結果容易產生電漿。於該天線構成中，藉由在兩根天線間配置介電構件，可使介電構件的電漿產生抑制效果更顯著。

於所述多根天線為貫穿所述真空容器的相對向的一對側壁並受到支持的構成的情形時，所述介電構件較理想為呈自所述一對側壁中的一者橫跨至另一者而設置的平板狀。若為該構成，則可於彼此相鄰的天線間整體抑制電漿生成，並且使介電構件的構成簡單。

另外，於所述多根天線為貫穿所述真空容器的相對向的一對側壁並受到支持的構成的情形時，因形成於所述一對側壁與天線之間的電場而生成電漿。若如此，則天線的兩端部的電漿密度增大，電漿密度變得不均勻。因此，較理想為於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，所述介電構件的長邊方向兩端部的高度尺寸大於其長邊方向中央部的高度尺寸。若為該構成，則可較佳地抑制於一對側壁與天線之間產生的電場，由該電場所致的電漿產生得到抑制，或所產生的電漿難以維持。結果，可降低真空容器內的天線兩端部的電漿密度，可降低電漿密度的不均勻。另外，由所述電場所致的電漿產生得到抑制，故一對側壁所受的熱負荷降低，而使一對側壁變得穩定。

藉由天線所生成的電漿的密度有於天線的長邊方向中央部變大的傾向。因此，關於對基板的處理，中央部的處理量亦較端部而變大，導致基板處理的不均勻。為了較佳地解決該問題，較理想為於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，所述介電構件的長邊方向中央部的高度尺寸大於其長邊方向兩端部的高度尺寸。若為該構成，則可抑制天線的長邊方向中央部的電漿生成，可提高天線的長邊方向的電漿的均勻性，從而提高基板處理的均勻性。

另外，於將多根天線並列配置的情形時，藉由天線所生成的電漿的密度有於其並列方向的中央部變大的傾向。因此，關於對基板的處理，中央部的處理量亦較端部而變大，導致基板處理的不均勻。為了較佳地解決該問題，於所述介電構件為設於所述多根天線各自之間的構成的情形時，較理想為於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，配置於所述並列方向中央的天線間的介電構件的高度尺寸大於配置於所述並列方向外側的天線間的介電構件的高度尺寸。若為該構成，則可抑制多根天線的並列方向中央部的電漿生成，可提高該並列方向的電漿的均勻性，從而提高基板處理的均勻性。

於天線呈直線狀的情形時，其長邊方向的尺寸越大，由自重所致的撓曲量越變大。由此，可能產生天線的下端位於較介電構件的下端更靠下側的部分，另外，天線的中央部與基板的距離接近。結果，有於天線的長邊方向上電容耦合成分或電漿密度變得不均勻，基板處理變得不均勻之虞。為了較佳地解決該問題，所述介電構件較理想為具有支持所述天線的支持部。

於多根天線中的最外側天線與和該最外側天線鄰接的側壁之間形成電場。因該電場而生成電漿，電漿密度變得不均勻。為了較佳地解決該問題，較理想為於所述多根天線中的最外側天線與和該最外側天線鄰接的側壁之間，設有抑制該些部分之間的電漿生成的第二介電構件。

於所述多根天線與沿著所述多根天線的並列方向且與所述基板為相反側的側壁之間，亦形成電場。亦因該電場而生成電漿，電漿密度變得不均勻。為了較佳地解決該問題，較理想為於所述多根天線與沿著所述多根天線的並列方向且與所述基板為相反側的側壁之間，設有抑制該些部分之間的電漿生成的第三介電構件。於該構成中，為了使所述天線之間的介電構件的支持構造及第三支持構造共同化並且減少零件數，所述天線之間的介電構件較理想為連接於所述第三介電構件，或與所述第三介電構件一體形成。 [發明的效果]

根據如此般構成的本發明，因於彼此相鄰的天線間設置介電構件，故可抑制由彼此相鄰的天線間的電位差所致的電漿生成。

以下，參照圖式對本發明的電漿處理裝置的一實施形態進行說明。

＜裝置構成＞本實施形態的電漿處理裝置100使用感應耦合型的電漿P對基板W實施處理。此處，基板W例如為液晶顯示器或有機電致發光（Electroluminesence，EL）顯示器等平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用的基板、可撓性顯示器用的可撓性基板等。另外，對基板W實施的處理例如為利用電漿化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法的膜形成、蝕刻（etching）、灰化（ashing）、濺鍍（sputtering）等。

此外，該電漿處理裝置100於藉由電漿CVD法進行膜形成的情形時亦被稱為電漿CVD裝置，於進行蝕刻的情形時亦被稱為電漿蝕刻裝置，於進行灰化的情形時亦被稱為電漿灰化裝置，於進行濺鍍的情形時亦被稱為電漿濺鍍裝置。

具體而言，如圖1～圖3所示，電漿處理裝置100具備：真空容器2，經真空排氣且供導入氣體7；直線狀的天線3，配置於真空容器2內；以及高頻電源4，對天線3施加用以於真空容器2內生成感應耦合型的電漿P的高頻。再者，藉由自高頻電源4對天線3施加高頻而於天線3中流動高頻電流IR，於真空容器2內產生感應電場而生成感應耦合型的電漿P。

真空容器2例如為金屬製的容器，其內部藉由真空排氣裝置6而真空排氣。於本示例中，真空容器2電性接地。

於真空容器2內，例如經由流量調整器（省略圖示）及配置於沿著天線3的方向上的多個氣體導入口21而導入氣體7。氣體7只要設為與對基板W實施的處理內容相應的氣體即可。例如於藉由電漿CVD法對基板W進行膜形成的情形時，氣體7為原料氣體或利用稀釋氣體（例如H₂ ）將原料氣體稀釋而成的氣體。若進一步列舉具體例，則於原料氣體為SiH₄ 的情形時可於基板W上形成Si膜，於原料氣體為SiH₄ ＋NH₃ 的情形時可於基板W上形成SiN膜，於原料氣體為SiH₄ ＋O₂ 的情形時可於基板W上形成SiO₂ 膜，於原料氣體為SiF₄ ＋N₂ 的情形時可於基板W上形成SiN:F膜（氟化矽氮化膜）。

另外，於真空容器2內設有保持基板W的基板固持器8。亦可如本示例般自偏壓電源9對基板固持器8施加偏壓電壓。偏壓電壓例如為負直流電壓、負偏壓電壓等，但不限於此。可藉由此種偏壓電壓而控制例如電漿P中的正離子入射至基板W時的能量（energy），從而進行形成於基板W的表面的膜的結晶度的控制等。亦可於基板固持器8內設置對基板W進行加熱的加熱器81。

天線3是於真空容器2內的基板W的上方，以沿著基板W的表面的方式（例如與基板W的表面實質上平行地）配置。於本實施形態中，將多條直線狀的天線3以沿著基板W的方式（例如與基板W的表面實質上平行地）並列配置。若如此般設定，則可於更廣範圍內產生均勻性良好的電漿P，因此可應對更大型的基板W的處理。圖2及圖3中示出天線3為四根的示例，但不限於此。

如圖1及圖3所示，天線3的兩端部附近分別貫穿真空容器2的相對向的一對側壁2a、2b。於使天線3的兩端部向真空容器2外貫穿的部分，分別設有絕緣構件11。天線3的兩端部貫穿該各絕緣構件11，其貫穿部例如藉由襯墊12而真空密封。經由該絕緣構件11，天線3以相對於真空容器2的相對向的側壁2a、側壁2b而電性絕緣的狀態受到支持。各絕緣構件11與真空容器2之間亦例如藉由襯墊13而真空密封。再者，絕緣構件11的材質例如為氧化鋁等陶瓷、石英、或聚苯硫醚（PPS）、聚醚醚酮（PEEK）等工程塑膠（engineering plastic）等。

另外，各天線3之材質例如為銅、鋁、該些金屬的合金、不鏽鋼等，但不限於此。再者，亦可將天線3設為中空並於其中流動冷卻水等冷媒而將天線3冷卻。

進而，天線3中位於真空容器2內的部分是藉由直管狀的絕緣罩10而覆蓋。該絕緣罩10的兩端部是藉由絕緣構件11而支持。再者，絕緣罩10的兩端部與絕緣構件11間亦可不密封。其原因在於：即便氣體7進入絕緣罩10內的空間，亦因該空間小而電子的遷移距離短，故通常空間中不產生電漿P。再者，絕緣罩10的材質例如為石英、氧化鋁、氟樹脂、氮化矽、碳化矽、矽等。

藉由設置絕緣罩10，可抑制電漿P中的帶電粒子入射至構成天線3的金屬管31，故可抑制由帶電粒子（主要為電子）入射至金屬管31所致的電漿電位的上升，並且可抑制金屬管31被帶電粒子（主要為離子）濺鍍而對電漿P及基板W產生金屬污染（metal contamination）。

如圖3所示，各天線3於天線方向（長邊方向X）上具有被供給高頻的供電端部3a、及經接地的接地端部3b。具體而言，各天線3的長邊方向X的兩端部中，自一個側壁2a或2b伸出至外部的部分成為供電端部3a，自另一側壁2a或2b伸出至外部的部分成為接地端部3b。

此處，自高頻電源4經由整合器41對各天線3的供電端部3a施加高頻。高頻的頻率例如為通常的13.56 MHz，但不限於此。

而且，如圖3所示，以彼此相鄰的兩根天線3中一根天線3的供電端部3a與另一天線3的接地端部3b相鄰的方式構成。即，於將排列天線3的方向設為並列方向Y的情形時，於多根天線3中，於天線3的並列方向Y上以成為接地端部3b、供電端部3a、接地端部3b、供電端部3a的方式交替連接。

具體而言，於位於多根天線3的長邊方向X的一端側的多個（具體而言為兩個）供電端部3a，經由一個第一整合器41（41a）而連接有一個第一高頻電源4（4a）。另外，於位於多根天線3的長邊方向X的另一端側的多個（具體而言為兩個）的供電端部3a，經由一個第二整合器41（41b）而連接有一個第二高頻電源4（4b）。

此處，以對彼此相鄰的兩根天線3各自施加的高頻的相位差成為0°的方式構成。即，對於第一高頻電源4（4a）及第二高頻電源4（4b），藉由相位控制器40以該些高頻電源的相位差成為0°的方式控制。

此時，彼此相鄰的兩根天線3的供電端部3a於長邊方向X上彼此位於相反側，故該些天線3中流通的高頻電流成為反向。於如此般相鄰的兩根天線3中流動的高頻電流的實效相位差成為180°的情形時，彼此相鄰的兩根天線3的周圍所產生的高頻磁場成為反向，於該些天線3之間相互彼此增強。結果，多根天線3的周圍所產生的感應電場的強度變大，氣體7的分解效率提昇，可穩定地生成高密度的感應耦合電漿P。於該情形時，雖然相鄰的兩根天線3間的電位差變大，但可藉由介電構件14而抑制由所述天線3間的放電所致的電漿，從而可提高均勻性。

而且，本實施形態中，尤其如圖2及圖3所示，於多根天線3中彼此相鄰的兩根天線3之間，設有抑制該些天線間的電漿生成的介電構件14。本實施形態的介電構件14是設於多根天線3各自之間。

該介電構件14呈沿著天線3而設置的平板狀。具體而言，介電構件14是沿著天線3而與該天線3平行地配置，例如自一個側壁2a橫跨至另一側壁2b而設置。該介電構件14的長邊方向X的一端部藉由未圖示的支持部而支持於一個側壁2a，長邊方向X的另一端部藉由未圖示的支持部而支持於另一側壁2b。

本實施形態中，於天線3的外周設有絕緣罩10，故介電構件14是遠離絕緣罩10而設置。而且，介電構件14是設於彼此相鄰的天線3（絕緣罩10）的中間位置。即，介電構件14的一個側面及和該側面相向的天線3（絕緣罩10）的距離、與介電構件14的另一側面及和該側面相向的天線3（絕緣罩10）的距離相同。

進而，介電構件14於側視時呈矩形狀，其高度尺寸為可抑制天線3間的電漿生成的尺寸，例如為天線3或絕緣罩10的外徑以上。如圖2等所示，介電構件14的剖面形狀例如呈於與天線3的並列方向Y正交的方向（上下方向）上長的矩形狀，但不限於此。本實施形態中，介電構件14的上端位於較絕緣罩10的上端更靠上方，介電構件14的下端位於較絕緣罩10的下端更靠下方。

再者，介電構件14是整體由介電物質構成。介電構件14的材質為氧化鋁、碳化矽、氮化矽等陶瓷、石英玻璃、無鹼玻璃、其他無機材料或矽等。

＜本實施形態的效果＞根據如此般構成的本實施形態的電漿處理裝置100，因將呈直線狀的多根天線3並列配置，故可較佳地應對需處理的基板W的大型化。於該構成中，因於彼此相鄰的天線3間沿著天線3而設置介電構件14，故可抑制由彼此相鄰的天線3間的電位差所致的電漿生成。結果，可提高電漿P的均勻性，從而可提高基板處理的均勻性。

另外，多根天線3中，以彼此相鄰的兩根天線3中一根天線3的供電端部3a與另一天線3的接地端部3b相鄰的方式連接，故一根天線3的長度方向的電漿密度分佈與另一天線3的長度方向的電漿密度分佈重合，而使該些兩根天線3的長度方向的電漿密度分佈變得均勻。此處，雖於彼此相鄰的兩根天線3間產生電位差故而形成電場而容易產生電漿，但由於在該些天線間配置有介電構件14，故可使介電構件14的電漿產生抑制效果更顯著。

＜其他變形實施形態＞再者，本發明不限於所述實施形態。

例如，所述實施形態的介電構件14於側視時呈矩形狀，但不限於此，亦可具有以下的形狀。例如，如圖4所示，介電構件14亦可設為其長邊方向X的兩端部的高度尺寸大於中央部的高度尺寸的構成。關於介電構件14的高度尺寸，除了如圖4所示般隨著朝向外側而階段性地增大的構成以外，亦可為隨著朝向外側而連續地增大的構成。根據該構成，介電構件14的長邊方向X的兩端部成為抑制側壁2a、側壁2b與天線3之間的電漿產生的抑制部，可降低由該電漿產生所致的電漿密度的不均勻。另外，由於電漿P的產生得到抑制，故一對側壁2a、2b所受的熱負荷降低，而使一對側壁2a、2b變穩定。進而，容易提昇高頻電力的利用效率及電漿生成效率。

另一方面，如圖5所示，介電構件14亦可設為其長邊方向X的中央部的高度尺寸大於兩端部的高度尺寸的構成。於該情形時，關於介電構件14的高度尺寸，除了如圖5所示般隨著朝向中央而連續地增大的構成以外，亦可為隨著朝向中央而階段性地增大的構成。若為該構成，則即便於因氣體的面內分佈等而於天線3的長邊方向X的中央部促進電漿生成的情形時，亦可抑制天線3的長邊方向X的中央部的電漿生成，可提高天線3的長邊方向上的電漿P的均勻性，從而提高基板處理的均勻性。

另外，所述實施形態中，分別配置於多根天線3間的介電構件14呈相同形狀，但亦可為互不相同的形狀。例如亦可設為以下構成：如圖6所示，設於多根天線3之間的多個介電構件14中，配置於並列方向Y的中央的天線3間的介電構件14的高度尺寸大於配置於並列方向Y的外側的天線3間的介電構件14的高度尺寸。圖6中，示出隨著自外側朝向內側而介電構件14的高度尺寸逐片增大的構成。再者，亦可為隨著自外側朝向內側而介電構件14的高度尺寸以多片為單位增大。若為該構成，則可抑制多根天線3的並列方向Y的中央部的電漿生成，可提高該並列方向Y的電漿P的均勻性，從而提高基板處理的均勻性。

進而，為了較佳地控制多根天線3中最外側的天線3x與和該最外側的天線3x鄰接的側壁2c、側壁2d之間的電漿生成，亦可如圖7所示，於最外側的天線3x與側壁2c、側壁2d之間，設置抑制該些部分之間的電漿生成的第二介電構件15。該第二介電構件15可想到設為與所述實施形態的介電構件14相同的構成，但不限於此，可設為各種構成。若為該構成，則可抑制最外側的天線3x與側壁2c、側壁2d之間的電漿生成。結果，可提高電漿P的均勻性，從而可提高基板處理的均勻性。另外，由於電漿P的產生得到抑制，故側壁2c、側壁2d所受的熱負荷降低，而使側壁2c、側壁2d變得穩定。進而，容易提昇高頻電力的利用效率及電漿生成效率。

此外，為了較佳地抑制多根天線3與沿著多根天線3的並列方向Y且與基板W為相反側的側壁（上側壁）2e之間的電漿生成，亦可如圖8所示，於多根天線3與上側壁2e之間設置抑制該些部分之間的電漿生成的第三介電構件16。該第三介電構件16呈平板狀，其材質例如與介電構件14相同。而且，圖8中示出將多個介電構件14以立起的狀態連接於第三介電構件16或與第三介電構件16一體形成的情形。若為該構成，則可抑制最外側的天線3與上側壁2e之間的電漿生成。結果，可提高電漿P的均勻性，從而可提高基板處理的均勻性。另外，由於電漿P的產生得到抑制，故上側壁2e所受的熱負荷降低，而使上側壁2e變得穩定。進而，容易提昇高頻電力的利用效率及電漿生成效率。

除了沿著天線3的長邊方向X配置一片介電構件14（或第二介電構件15、第三介電構件16）的構成以外，亦可設為沿著天線3的長邊方向X而配置多個介電構件14（或第二介電構件15、第三介電構件16）的構成。

所述實施形態中，例示了於各天線3間設有一片介電構件14的構成，亦可於各天線3間以例如彼此平行的方式配置多個介電構件14。於該情形時，多個介電構件14的間隔是設為該些介電構件之間不生成電漿P的程度。另外，設於各天線3間的多個介電構件14無需為相同形狀，亦可為互不相同的形狀。

所述介電構件14上，亦可如圖9（a）及圖9（b）以及圖10（a）及圖10（b）所示般設有支持所述天線3的支持部17。再者，於在天線3的外周設有絕緣罩10的構成的情形時，支持部17支持絕緣罩10。以下，對具有絕緣罩10的構成進行說明。

具體而言，如圖9（a）及圖9（b）所示，支持部17於天線3的中央部以一點（圖9（a））或多個點（圖9（b））支持絕緣罩10。支持部17以支持多個絕緣罩10的方式構成，且沿著多根天線3的並列方向Y而設置。支持部17可由對多個介電構件14而言共同的一個構件所構成，亦可分多個而構成。再者，圖9（a）及圖9（b）中示出架設支持部17直至第二介電構件15的構成，但不限於此。支持部17的剖面形狀例如呈矩形狀，亦可為圓形，或亦可設為其他各種形狀。再者，就防止支持部17自身的自重所致的撓曲的觀點而言，支持部17的剖面形狀較理想為於重力方向上長的矩形狀。支持部17的材質例如與介電構件14相同。

另外，如圖10（a）所示，於介電構件14的下端與絕緣罩10的下端為相同高度的情形時，支持部17成為連接於介電構件14的下端的構成，支持部17的上端與絕緣罩10的下端接觸。如圖10（b）所示，於介電構件14的下端位於較絕緣罩10的下端更靠下方的情形時，支持部17成為例如以貫穿介電構件14的方式連接於該介電構件14的構成，支持部17的上端與絕緣罩10的下端接觸。

藉由如此般於介電構件14上設置支持部17，可於天線3的長邊方向X上維持天線3（絕緣罩10）與介電構件14的位置關係，可於天線3的長邊方向X上降低電容耦合成分或電漿密度的不均勻。結果，可實現更均勻的基板處理。

而且，所述實施形態中，天線3呈直線狀，亦可為彎曲或屈曲的形狀。

所述實施形態中為於天線3的外周設有絕緣罩10的構成，但亦可為不具有絕緣罩10的構成。於該情形時，介電構件14的構成亦與所述實施形態相同。

此外，本發明不限於所述實施形態，當然可於不偏離其主旨的範圍內進行各種變形。

2‧‧‧真空容器

2a、2b、2c、2d‧‧‧側壁

2e‧‧‧側壁（上側壁）

3、3x‧‧‧天線

3a‧‧‧供電端部

3b‧‧‧接地端部

4‧‧‧高頻電源

4a‧‧‧第一高頻電源

4b‧‧‧第二高頻電源

6‧‧‧真空排氣裝置

7‧‧‧氣體

8‧‧‧基板固持器

9‧‧‧偏壓電源

10‧‧‧絕緣罩

11‧‧‧絕緣構件

12、13‧‧‧襯墊

14‧‧‧介電構件（第一介電構件）

15‧‧‧第二介電構件

16‧‧‧第三介電構件

17‧‧‧支持部

21‧‧‧氣體導入口

40‧‧‧相位控制器

41‧‧‧整合器

41a‧‧‧第一整合器

41b‧‧‧第二整合器

81‧‧‧加熱器

100‧‧‧電漿處理裝置

IR‧‧‧高頻電流

P‧‧‧電漿

W‧‧‧基板

X‧‧‧長邊方向

Y‧‧‧並列方向

圖1為示意性地表示本實施形態的電漿處理裝置的構成的沿天線長邊方向的縱剖面圖。圖2為示意性地表示本實施形態的電漿處理裝置的構成的與天線長邊方向正交的縱剖面圖。圖3為示意性地表示本實施形態的電漿處理裝置的構成的沿天線並列方向的橫剖面圖。圖4為表示介電構件的變形例的示意圖。圖5為表示介電構件的變形例的示意圖。圖6為表示介電構件的變形例的示意圖。圖7為示意性地表示變形實施形態的電漿處理裝置的構成的與天線長邊方向正交的縱剖面圖。圖8為示意性地表示變形實施形態的電漿處理裝置的構成的與天線長邊方向正交的縱剖面圖。圖9（a）及圖9（b）為表示變形實施形態的介電構件及支持部的示意圖。圖10（a）及圖10（b）為表示變形實施形態的介電構件及支持部的示意圖。

Claims

一種電漿處理裝置，藉由在配置於真空容器內的多根天線中流動高頻電流而於所述真空容器內生成電漿，並使用所述電漿對基板進行處理，且所述多根天線分別呈直線狀且並列配置，於彼此相鄰的所述天線之間，沿著所述天線而配置有抑制所述天線間的電漿生成的介電構件。
如申請專利範圍第1項所述的電漿處理裝置，其中所述各天線具有被供給高頻的供電端部、及經接地的接地端部，所述多根天線是以彼此相鄰的所述天線中一根所述天線的所述供電端部與另一所述天線的所述接地端部相鄰的方式配置。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的電漿處理裝置，其中所述多根天線貫穿所述真空容器的相對向的一對側壁並受到支持，所述介電構件呈自所述一對側壁中的一者跨越至另一者而設置的平板狀。
如申請專利範圍第3項所述的電漿處理裝置，其中於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，所述介電構件的長邊方向兩端部的高度尺寸大於其長邊方向中央部的高度尺寸。
如申請專利範圍第3項所述的電漿處理裝置，其中於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，所述介電構件的長邊方向中央部的高度尺寸大於其長邊方向兩端部的高度尺寸。
如申請專利範圍第3項所述的電漿處理裝置，其中所述介電構件是設於所述多根天線各自之間，於將所述介電構件的與所述天線的並列方向正交的尺寸設為高度尺寸時，配置於所述並列方向中央的天線間的介電構件的高度尺寸大於配置於所述並列方向外側的天線間的介電構件的高度尺寸。
如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的電漿處理裝置，其中所述介電構件具有支持所述天線的支持部。
如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述的電漿處理裝置，其中於所述多根天線中最外側的天線與和所述最外側的天線鄰接的側壁之間，設有抑制所述部分之間的電漿生成的第二介電構件。
如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述的電漿處理裝置，其中於所述多根天線與沿著所述多根天線的並列方向且與所述基板為相反側的側壁之間，設有抑制所述部分之間的電漿生成的第三介電構件，所述天線之間的介電構件連接於所述第三介電構件，或與所述第三介電構件一體形成。