KR101246857B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버, 상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과, 상기 외곽프레임에 의해 형성된 공간에 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외각프레임에 형성되는 지지프레임을 구비하는 리드 프레임, 상기 복수 개의 사각틀에 각각 설치되는 복수 개의 유전체윈도우를 포함하고, 상기 복수 개의 유전체윈도우는 제1지역 유전체윈도우와 제2지역 유전체윈도우를 포함하고, 상기 제1지역 유전체윈도우는 하부에 전자가 밀집되는 것을 방지하기 위해 상기 제2지역 유전체윈도우에 비해 두껍게 형성되어, 유전체윈도우를 지지하는 프레임에 의해 발생되는 전자밀집지역의 형성을 억제할 수 있다.

Description

플라즈마 처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 기판의 전면적에 대한 균일한 플라즈마 처리를 가능하게 하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
플라즈마는 반도체 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 여러 공정들 예를 들어, 증착, 에칭, 박리, 세정 공정 등에 다양하게 사용되고 있다. 현재 반도체 및 디스플레이 제조 분야에서 가장 많이 이용되는 플라즈마 소스 발생 방식은 RF를 이용한 것으로 발생 방식에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)와 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)로 구분된다.
용량결합형 플라즈마(CCP)는 평행한 전극 간에 전력을 인가하여, 전극의 표면에 분포된 전하에 의해 형성된 축전 전기장에 의해 플라즈마를 발생한다. 따라서 용량결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 웨이퍼나 기판이 위치하는 하부전극과 가스 주입을 위한 샤워헤드가 포함된 상부 전극을 구비한다.
유도결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF 전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 플라즈마를 발생시킨다. 따라서 유도결합형 플라즈마를 이용하는 장치는 일반적으로 코일 형태의 안테나가 플라즈마 발생공간 외부에 배치되고 석영과 같은 유전체윈도우를 통해 플라즈마 발생공간에 전기장을 유도하도록 구성된다.
유도결합형 플라즈마 처리장치는 극미세 패턴의 구현이 가능한 낮은 압력하에서 고밀도 플라즈마 발생이 가능하고, 대면적 기판의 처리가 용이하다.
따라서, 유도결합형 플라즈마 처리장치는 급속히 대면적화되고 있는 디스플레이 기판 제조 공정에서 유용하게 사용될 수 있다. 기판이 대면적화 됨에 따라 플라즈마 처리장치도 대형화되어야 하고, 이에 따라 유전체윈도우는 프레임 구조의 리드에 의해 지지된다.
그런데, 프레임에 의해 유전체윈도우 하부에는 전자가 밀집되는 전자밀집지역이 발생되는데, 이에 의해 쉬스(sheath)의 두께가 얇아지고 이로 인한 플라즈마 처리 효율이 낮아지는 문제가 발생한다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 프레임에 의해 유전체윈도우 하부에 발생하는 전자밀집지역의 형성을 억제할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는, 기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버, 상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과, 상기 외곽프레임에 의해 형성된 공간에 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외각프레임에 형성되는 지지프레임을 구비하는 리드 프레임, 상기 복수 개의 사각틀에 각각 설치되는 복수 개의 유전체윈도우를 포함하고, 상기 복수 개의 유전체윈도우는 제1지역 유전체윈도우와 제2지역 유전체윈도우를 포함하고, 상기 제1지역 유전체윈도우는 하부에 전자가 밀집되는 것을 방지하기 위해 상기 제2지역 유전체윈도우에 비해 두껍게 형성된다.
또한 상기 지지프레임은 외측으로 돌출 형성된 지지단을 구비하고, 상기 제1지역 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 하단 사이에 위치하고, 상기 제2지역 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 상단 사이에 위치할 수 있다.
또한 상기 제1지역 유전제윈도우는 제1층 유전체윈도우와 상기 제1층 유전체윈도우의 상부에 위치하는 제2층 유전체윈도우를 포함할 수 있다.
또한 상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우에 비해 투자율이 높은 재질로 형성될 수 있다.
또한 상기 제1층 유전체윈도우는 쿼츠(quartz), 엔지니어링 플라스틱 수지 및 합성수지 중 적어도 하나 이상을 이용하여 형성될 수 있다.
또한 상기 지지프레임은 외측으로 돌출 형성된 지지단을 구비하고, 상기 제2층 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 상단 사이에 위치하고, 상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우와 상기 지지단의 하단 사이에 위치할 수 있다.
또한 상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우와 상기 지지단의 하단 사이를 채우도록 형성될 수 있다.
또한 상기 제1지역 유전체윈도우는 상기 복수 개의 유전체윈도우 중 중앙부에 위치하는 유전체윈도우의 하부에 설치될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 유전체윈도우를 지지하는 프레임에 의해 전자밀집지역이 발생하는 영역에 유전체윈도우를 추가로 설치하거나 유전체윈도우를 두껍게 형성하여, 전자밀집지역의 발생을 억제할 수 있다.
또한 리드 프레임의 중앙 부분에 윈도우를 추가 설치하거나 주변 부분에 설치되는 유전체윈도우에 비해 두꺼운 유전체윈도우를 설치하여, 중앙 부분의 플라즈마 강도를 줄이고, 플라즈마를 주변부로 퍼뜨려 기판 에지부에서의 플라즈마 강도를 향상시킬 수 있다.
일반적으로 중앙부의 플라즈마 강도가 주변부에 비해 높은 특성 상, 중앙 부분의 플라즈마 강도를 줄이고, 플라즈마를 주변부로 퍼뜨려 기판 에지부에서의 플라즈마 강도를 향상시킴으로 기판 전면적에 대한 균일한 플라즈마 처리가 가능하다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임의 사시도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략적 측단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와 챔버(100) 내부에 위치하며 기판(S)이 안착되는 서셉터(110)와 챔버(100)의 상부에 위치하는 리드(200)를 구비한다.
그리고 리드(200)는 복수 개의 사각틀(214, 215)이 형성된 리드 프레임(210)과, 복수 개의 사각틀(214, 215) 각각에 설치되는 복수 개의 유전체윈도우(220), 그리고 유전체윈도우(220) 상부에 설치되는 안테나(230)를 구비한다. 안테나(230)에는 13.56Mhz의 고주파를 안테나(230)로 제공하는 RF 전원공급부(120)가 연결된다.
유전체윈도우(230)는 절연체로서, 석영판, 질화실리콘(Si3N4), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si) 등의 재료가 이용될 수도 있다.
리드 프레임(210)은 알루미늄 합금 재질로 제조될 수 있으며, 리드 프레임(210)의 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(211)과, 외곽프레임(211)에 의해 형성된 공간에 복수 개의 사각틀(214, 215)이 형성되도록 외곽프레임(211)의 내측으로 형성되는 지지프레임(212)을 구비한다. 지지프레임(212)에는 외측으로 돌출 형성된 지지단(213)이 구비되어 사각틀(214, 215) 내에 설치되는 유전체윈도우(220)의 측부를 지지할 수 있다.
지지프레임(212)이 의해 형성되는 복수 개의 사각틀(214, 215)은 적어도 하나 이상의 영역으로 구분될 수 있다. 예를 들면, 중앙부에 위치하는 제1지역 사각틀(214)과 제1지역 사각틀(214)의 주변에 위치하는 제2지역 사각틀(215)로 구분될 수 있다.
유전체윈도우(220)는 제2지역 사각틀(215)에 설치되는 제2지역 유전체윈도우(222)와 제1지역 사각틀(214)에 설치되는 제1지역 유전체윈도우(221)로 구분될 수 있다.
제2지역 유전체윈도우(222)는 지지단(213)에 의해 지지되며, 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 상단 사이에 설치될 수 있다. 즉, 제2지역 유전체윈도우(222)의 두께는 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 상단 사이의 거리와 같거나 작게 형성될 수 있다.
한편, 제1지역 유전체윈도우(221)는 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 하단 사이에 설치될 수 있다. 즉, 제1지역 유전체윈도우(221)의 두께는 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 하단 사이의 거리와 같거나 작고, 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 상단 사이의 거리보다 크게 형성될 수 있다.
따라서, 제2지역 유전체윈도우(222)의 하부에는 제2지역 유전체윈도우(222)를 지지하는 지지프레임(212)의 지지단(213) 측면에 의해 전자가 가두어지는 전자 밀집지역(240)이 형성됨에 비해, 제1지역 유전체윈도우(221)는 지지단(213)의 하단까지 유전체윈도우(221)가 형성되어 전자 밀집지역(240)이 형성되지 않는다. 또한 제1지역 유전체윈도우(221)의 두께는 제2지역 유전체윈도우(222)보다 두꺼워, 제1지역 유전체윈도우(221)의 하부에서 발생되는 플라즈마 밀도는 제2지역 유전체윈도우(222)에 비해 약해지게 된다.
이에 의해 제1지역 유전체윈도우(221) 하부에서는 플라즈마와의 커플링이 줄어들게 되고, 플라즈마가 퍼지게 되고, 제2지역 유전체윈도우(222)의 하부에서는 플라즈마와의 커플링이 향상되며, 플라즈마가 상대적으로 가두어지게 된다.
한편 제1지역 유전체윈도우(221)는 제1층 유전체윈도우(221b)와 상기 제1층 유전체윈도우(221b)의 상부에 위치하는 제2층 유전체윈도우(221a)를 구비할 수 있다.
제2층 유전체윈도우(221a)는 제2지역 유전체윈도우(222)과 유사하게, 지지프레임(212)의 상단과 지지단(213)의 상단 사이에 설치될 수 있다. 그리고 제1층 유전체윈도우(221b)는 제2층 유전체윈도우(221a) 하부, 즉 지지단(213)의 상단과 하단 사이에 설치될 수 있다. 바람직하게는 제2층 유전체윈도우(221a)는 상기 지지단(213)의 상단에 안착되고, 제1층 유전체윈도우(221b)는 제2층 유전체윈도우(221a)와 지지단(213) 사이를 채우도록 설치될 수 있다.
제1층 유전체윈도우(221b)는 제2층 유전체윈도우(221a)과 동일한 재질로 형성될 수도 있지만, 제2층 유전체윈도우(221a)에 비해 투자율이 높은 재질로 형성될 수도 있다. 예를 들면, 제1층 유전체윈도우(221b)는 쿼츠(quartz), 엔지니어링 플라스틱 수지 및 합성수지과 같은 재질로 형성될 수 있다.
제1층 유전체윈도우(221b)를 제2층 유전체윈도우(221a)에 비해 투자율이 높은 재질로 형성함으로서, 상대적으로 두꺼운 제1지역 유전체윈도우(221)의 두께로 인해 플라즈마 밀도가 필요 이상으로 약해지는 것을 보상할 수 있다.
한편 일반적인 유도 결합에 의한 플라즈마 처리장치에서, 안테나에 의해 여기되는 전기장은 중앙부에서 상대적으로 강한 특성을 보인다. 따라서 중앙부에서 생성되는 플라즈마 밀도가 주변부에 비해 높아, 플라즈마 처리의 균일성을 확보하기 어렵다.
이러한 현상을 고려할 때, 도 1에 도시된 바와 같이 제2지역 유전체윈도우(222)에 비해 두꺼운 제1지역 유전체윈도우(221)를 리드 프레임(210)의 중앙에 배치함으로서 제1지역 유전체윈도우(221) 하부의 플라즈마 밀도를 낮추고 주변 유전체윈도우(222) 하부의 플라즈마 밀도를 강화함은 플라즈마 처리의 균일성을 향상시키는 결과를 가져올 수 있다.
도 1에는 제1지역 유전체윈도우(221)가 설치되는 제1지역 사각틀(214)로 복수 개의 사각틀(214, 215) 중 중앙부에 위치하는 사각틀이 선택되었고, 제2지역 사각틀(215)로 주변부에 위치하는 사각틀이 선택되었으나, 안테나(230)의 배열과 플라즈마 발생 밀도 또는 기판(S)에 대한 플라즈마 처리상태 등을 고려해 제1지역 유전체윈도우(221)가 설치되는 제1지역 사각틀(214)은 다양하게 선택될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임(210)에 대해 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임의 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리드 프레임(210)은 외곽을 형성하는 외곽프레임(211)과, 중앙에 정방형의 제1지역 사각틀(214)을 형성하고, 제1지역 사각틀(214)의 주변으로 제1지역 사각틀(214)의 각 변에는 각 변에 인접하고 동일한 형상을 한 4개의 장방형의 제2지역 사각틀(215)을 형성하는 지지프레임(212)을 구비할 수 있다.
제1지역 사각틀(214)과 제2지역 사각틀(215)은 다수 개의 사각틀로 다시 나뉘어질 수 있다.
제1지역 사각틀(214)에는 지지프레임(212)의 상단에서 지지단(213)의 하단까지 위치하는 제1지역 유전체윈도우(221)가 설치되고, 제2지역 사각틀(215)에는 지지프레임(212)의 상단에서 지지단(213)의 상단까지 위치하며 제1지역 유전체윈도우(221)에 비해 두께가 얇은 제2지역 유전체윈도우(222)가 설치될 수 있다.
또는 필요에 따라 제1지역 사각틀(214)에 제2지역 유전체윈도우(222)를 설치하고, 제2지역 사각틀(215)에는 제1지역 유전체윈도우(221)를 설치할 수도 있다.
이하에서는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임(310)에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 제1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용하고, 제1실시예와 공통되는 부분은 설명을 생략한다.
도 3는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 리드 프레임의 사시도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 리드 프레임(310)은 정방형의 외곽프레임(311)과 복수 개의 사각틀(316)이 격자형상으로 위치되도록 형성되는 지지프레임(312)을 포함할 수 있다. 복수 개의 사각틀(316) 각각은 동일한 형상으로 형성될 수 있고, 리드 프레임(310)의 가로변과 세로변에는 각각 N개(N은 자연수)의 사각틀(316)이 형성되어, 리드 프레임(310) 내에 총 N2 개의 사각틀(316)이 형성될 수 있다. 기판(S) 또는 플라즈마 처리장치의 크기에 따라 N값은 커질 수 있다.
각 사각틀(316)에는 유전체윈도우(220)가 설치되며, 제1지역 유전체윈도우(221)는 리드 프레임(310)의 중앙부에 위치하는 (N-2)2개 또는 (N-4)2개의 제1지역 사각틀(314)에 설치될 수 있다. 즉 제1지역 사각틀(314)은 리드 프레임(310) 내에서 최외곽에 존재하는 1열 또는 2열의 사각틀(311)을 제외한 나머지로 선택될 수 있다.
리드 프레임(310) 이 더욱 대형화되어, 리드 프레임(310) 의 한 변에 9개 이상의 사각틀(316)이 형성되는 경우에는 리드 프레임(310) 내에서 최외곽에 존재하는 3열 이상의 사각틀을 제외한 나머지가 제1지역 사각틀(314)로 선택될 수도 있다.
즉, 리드 프레임(310) 내에 총 N2 개의 사각틀(316)이 형성되는 경우, 제1지역 유전체윈도우(221)가 설치되는 제1지역 사각틀(314)로는 리드 프레임(310)의 중앙부에 위치하는 (N-A)2개의 사각틀(314)이 선택될 수 있다. 이 때, N과 A는 자연수이며, A는 1보다 크고 N보다 작은 짝수이다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 동작에 대하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 플라즈마의 발생을 위하여 안테나(230)에 RF를 인가하면 챔버(100) 내부에 전기장 및 자기장이 유도된다. 그리고 챔버(100) 내부로 공정가스를 공급하면 상기 전기장과 자기장에 의하여 공정가스가 여기되어 플라즈마가 발생한다.
안테나(230)에 의해 여기되는 전기장은 중앙부에서 상대적으로 강한 특성을 보이므로 중앙부에서 생성되는 플라즈마 밀도가 주변부에 비해 높은 것이 일반적이다.
그러나 리드 프레임(210)의 중앙부에 위치하는 제1지역 유전체윈도우(221)는 제2지역 유전체윈도우(222)에 비해 그 두께가 두껍고, 리드 프레임(210)의 주변부에 위치하는 제2지역 유전체윈도우(222) 하부에는 지지프레임(212)에 의해 형성된 전자 밀집지역이 존재함으로 인해, 제1지역 유전체윈도우(221) 하부의 플라즈마 밀도가 상대적으로 낮아지게 된다.
따라서, 제1지역 유전체윈도우(221)와 제2지역 유전체윈도우(222) 하부에서의 플라즈마 밀도의 균일성이 향상되고, 그 결과 기판에 대한 플라즈마 처리 균일도가 향상되게 된다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100: 챔버 110: 서셉터
120: RF 전원공급부 200: 리드
210, 310: 리드 프레임 211, 311: 외곽 프레임
212, 312: 지지프레임 213, 313: 지지단
214, 314: 제1지역 사각틀 215, 315: 제1지역 사각틀
220: 유전체윈도우
221: 제1지역 유전체윈도우 222: 제1지역 유전체윈도우
230: 안테나 240: 전자밀집지역

Claims (8)

  1. 기판이 안착되는 서셉터를 구비하는 챔버;
    상기 서셉터 상부에 위치하며, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임과, 상기 외곽프레임에 의해 형성된 공간에 복수 개의 사각틀이 형성되도록 상기 외곽프레임에 형성되는 지지프레임을 구비하는 리드 프레임;
    상기 복수 개의 사각틀에 각각 설치되는 복수 개의 유전체윈도우를 포함하고,
    상기 복수 개의 유전체윈도우는 제1지역 유전체윈도우와 상기 제 1지역 유전체윈도우의 주변에 위치하는 제2지역 유전체윈도우를 포함하고, 상기 제1지역 유전체윈도우는 하부에 전자가 밀집되는 것을 방지하기 위해 상기 제2지역 유전체윈도우에 비해 두껍게 형성되고,
    상기 제1지역 유전체윈도우는 제1층 유전체윈도우와 상기 제1층 유전체윈도우의 상부에 위치하는 제2층 유전체윈도우를 포함하고, 상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우에 비해 투자율이 높은 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지프레임은 외측으로 돌출 형성된 지지단을 구비하고, 상기 제1지역 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 하단 사이에 위치하고, 상기 제2지역 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 상단 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1층 유전체윈도우는 쿼츠(quartz), 엔지니어링 플라스틱 수지 및 합성수지 중 적어도 하나 이상을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지프레임은 외측으로 돌출 형성된 지지단을 구비하고, 상기 제2층 유전체윈도우는 상기 지지프레임의 상단과 상기 지지단의 상단 사이에 위치하고, 상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우와 상기 지지단의 하단 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1층 유전체윈도우는 상기 제2층 유전체윈도우와 상기 지지단의 하단 사이를 채우도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105761991A (zh) * 2013-06-25 2016-07-13 致伸科技股份有限公司 发光键盘装置
KR102020622B1 (ko) * 2014-09-19 2019-09-10 주식회사 원익아이피에스 유도결합 플라즈마 처리장치
CN105931940B (zh) * 2016-06-01 2018-09-21 京东方科技集团股份有限公司 一种电感耦合等离子体装置
KR101754589B1 (ko) * 2016-11-21 2017-07-10 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110473763B (zh) * 2019-08-12 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 介质窗的装卸装置及工艺腔室

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09321029A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Sony Corp プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
KR20100129086A (ko) * 2009-05-29 2010-12-08 엘아이지에이디피 주식회사 유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나 및 이를 포함하는 유도결합형 플라즈마 발생장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5226967A (en) * 1992-05-14 1993-07-13 Lam Research Corporation Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber
US5589737A (en) * 1994-12-06 1996-12-31 Lam Research Corporation Plasma processor for large workpieces
US5824605A (en) * 1995-07-31 1998-10-20 Lam Research Corporation Gas dispersion window for plasma apparatus and method of use thereof
JP2004153240A (ja) * 2002-10-09 2004-05-27 Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd プラズマ処理装置
CN100595883C (zh) * 2007-12-18 2010-03-24 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置及其介质窗
CN101546702B (zh) * 2009-05-18 2010-08-11 友达光电股份有限公司 等离子体处理装置及其绝缘盖板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09321029A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Sony Corp プラズマ発生装置およびこれを用いたドライエッチング方法
KR20100129086A (ko) * 2009-05-29 2010-12-08 엘아이지에이디피 주식회사 유도결합형 플라즈마 발생장치의 안테나 및 이를 포함하는 유도결합형 플라즈마 발생장치

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