CN1617309A - 平板显示器制造设备 - Google Patents

Abstract

在此公开了一种使用在其中产生的等离子体来实施预定过程的平板显示器制造设备。在这种平板显示器制造设备中，过程气体在均匀扩散的状态下被提供到室中以在该室的对称内部空间内产生均匀的等离子体。因此，所述平板显示器制造设备可适当地控制等离子体的流率，由此能对大尺度基片实施均匀处理。在该平板显示器制造设备中，其基片底座被提供有垂直和水平屏蔽部件的组合，由此在整体上被保护以不受等离子体的冲击，从而导致增加的使用年限。

Description

平板显示器制造设备

技术领域

本发明涉及一种平板显示器制造设备，其能使用在室中产生的等离子体在真空下对基片实施预定过程。

背景技术

一般而言，平板显示器制造设备被分类成使用湿化学制品的湿刻蚀设备和使用惰性气体的干刻蚀设备。

在这样的干刻蚀设备中，特定的反应性气体被引入到在两个基片底座之间产生的强电场中，从而使它被变成离子化的等离子体气体，同时被所述电场带走电子。在此，离子化的等离子体气体在自然状态下显示出高反应性。之后，通过使用在等离子体气体与未被光致抗蚀剂掩模覆盖的氧化物膜的暴露区反应时所产生的副产物，干刻蚀设备实施预定过程，如刻蚀。

通过经过被安装在干刻蚀设备的室的上部的喷头，用于在干刻蚀设备的工作中使用的反应性气体被引入到所述室中以被用在预定反应中。在反应完成之后，反应性气体通过被形成于所述室的一侧的泵吸端口而排放到外部。

图1是说明常规平板显示器制造设备的结构的断面图。如图1中所示，被提供在常规干刻蚀型设备中的喷头具有其中安装了多个扩散板4和5复杂结构，从而导致干刻蚀设备的制造成本的增加。

所述喷头进一步包括在喷头体3的开放下表面处安装的喷射板6。典型地，喷射板6是用成百到成千个喷射孔形成的，并且喷射孔的直径极小，小于1mm，从而使对喷射孔的处理复杂化。

喷头体3和喷射板6通常由铝制成，并且从外部被阳极化。在此情况下，如果阳极化铝的特定区域被等离子体损坏并且被暴露于外部，则电流被瞬时集中在喷头体和喷射板的被暴露的铝上，从而导致弧化现象(arcing phenomenon)。在此，喷头用作上基片底座。一旦弧化现象发生，阳极化铝的部分颗粒被分离并且起到污染物的作用。

具体而言，这样的弧化现象频繁地发生在喷射板6的喷射孔周围，从而导致对喷射孔的损坏并导致周期性更换喷射板6的必要性。然而，由于其高价格和困难的制造过程，对喷射板6的频繁更换不利地增加了正在生产的基片的价格。

最近，在平板显示器制造行业中，已通过平板显示器制造设备处理了大尺度的基片，其结果是喷射板6的表面面积以及平板显示器制造设备本身处于增加中。然而，具有这种增加的表面面积的喷射板经历其中心区域处的翘曲，从而使过程气体的均匀扩散复杂化。

同时，平板显示器制造设备的室具有基片入口/出口开口，其被形成为与外部连通，并且基片入口/出口开口外部的门被提供以打开或关闭它。在此情况下，与所述室的剩余壁表面相比，由基片入口/出口开口限定的室的内壁表面从基片底座后退回(recede)。这给所述室提供了基片底座周围的不对称内部空间，并且产生室内的不均匀等离子体流动，从而导致对基片的不均匀处理。

发明内容

因此，已根据以上问题做出了本发明，并且其目的是提供一种具有喷头的平板显示器制造设备，该喷头具有简化结构并且容易制造。

本发明的另一个目的是提供一种具有喷头的平板显示器制造设备，该喷头可消除刻蚀期间在喷射孔周围的弧化现象的产生。

本发明的又一个目的是提供一种具有喷头的平板显示器制造设备，该喷头可防止在其喷射板的中心区域处的翘曲。

本发明的又一个目的是提供一种具有室的平板显示器制造设备，该室限定对称的内部表面以防止由于空间的不对称而导致基片被不均匀地处理。

本发明的又一个目的是提供一种具有隔板的平板显示器制造设备，该隔板可维持等离子体的恒定流率而不管排气单元，由此使能对基片的均匀处理。

本发明的再一个目的是提供一种具有等离子体屏蔽装置的平板显示器制造设备，该装置可有效地保护基片底座不受等离子体的损坏。

依照本发明，可通过提供一种平板显示器制造设备来实现以上和其它目的，所述设备包括：真空下的室；位于所述室下部的基片底座，在基片底座上放置了基片，从而使用在所述室中产生的等离子体对基片实施预定过程；以及喷头，其中喷头包括：喷头体，位于所述室上部，该喷头体具有在其下表面处打开的空心结构；扩散板，其被水平安装在喷头体中并具有通过预定位置而形成的多个扩散孔；喷射板，其与扩散板隔开均匀的预定高度以被安装在喷头体的开放下表面处，该喷射板具有通过预定位置而形成的多个喷射孔；以及喷射板支持部件，其在其下端被连接于喷射板并在其上端被连接于喷头体的顶部壁表面以便于相对于喷头体来支持和固定喷射板。

附图说明

从结合附图进行的以下详述将较为清楚地理解本发明的以上和其它目的、特点和其它优点，在附图中：

图1是说明常规平板显示器制造设备的结构的断面图；

图2是说明依照本发明的平板显示器制造设备的结构的断面图；

图3是说明依照本发明在喷头中安装的扩散板的结构的透视图；

图4是说明被穿孔通过图3中所示的扩散板的扩散孔的结构的断面图；

图5是说明依照本发明被包括在喷头中的喷射板的结构的透视图；

图6是说明依照本发明的喷射孔塞子的结构的透视图；

图7是图6中所示的喷射孔的断面图；

图8是说明依照本发明的平板显示器制造设备的载体和处理室的结构的断面图；在所述处理室中限定了用于在等离子体产生过程中使用的虚内部空间；

图9是说明依照本发明的隔板的结构的透视图；

图10是说明依照本发明的等离子体屏蔽装置的结构的分解透视图；

图11是说明依照本发明实施例3-1的水平屏蔽部件的相应件的接合表面的形状的断面图；

图12是说明依照本发明实施例3-2的水平屏蔽部件的相应件的接合表面的形状的断面图；

图13是说明依照本发明实施例3-3的水平屏蔽部件的相应件的接合表面的形状的断面图；

图14是说明依照本发明实施例3-4的水平屏蔽部件的相应件的接合表面的形状的断面图；

图15是说明依照本发明实施例3-5的水平和垂直屏蔽部件的耦合方式的断面图；

图16是说明依照本发明实施例3-6的水平和垂直屏蔽部件的耦合方式的断面图；

图17是说明依照本发明实施例3-7的水平和垂直屏蔽部件的耦合方式的断面图；并且

图18是说明依照本发明实施例3-8的水平和垂直屏蔽部件的耦合方式的断面图。

具体实施方式

现在，将参照附图来详述本发明的优选实施例。从以下描述可较为清楚地理解本发明。

实施例1

图2是说明依照本发明的平板显示器制造设备的结构的断面图。如图2中所示，平板显示器制造设备包括喷头10，而喷头10又包括：喷头体12、扩散板16、喷射板14和喷射板支持部件18。

喷头10的喷头体12被放置在平板显示器制造设备的室的上部，并且限定具有预定体积的内部空间。喷头体12在其下表面处是开放的，并且在其上表面处被固定地附着于所述室的顶部壁表面。在喷头体12的上表面的预定位置处形成了过程气体入口通道17，用于将过程气体引入到喷头体12中。过程气体入口通道17的外端被耦合于RF流供应装置(未示出)。这种喷头体12优选地由电传导性材料制成。

如图2中所示，扩散板16被安装在喷头体12中，具体而言是喷头体12的上部，从而使其与喷头体12的顶部表面隔开预定距离。以这种配置，过程气体通过过程气体入口通道17而引入并且被主要扩散于由所述预定距离限定的空间中，然后在经过扩散板16的扩散孔16a的同时被次扩散。

参考说明扩散板16的结构的图3，优选地，被穿孔通过扩散板16的多个扩散孔16a被均匀地分布在扩散板16的整个表面上。这使能过程气体的均匀扩散。

图4是说明被形成于图3中所示的扩散板16的扩散孔16a的结构的断面图。如图4中所示，扩散孔16a被穿孔通过扩散板16的整个厚度。这样的扩散孔16a被分成窄圆柱形上部16a1和具有向下增加的直径的圆锥形下部16a2。这种配置对于实现经过扩散孔16a的过程气体的均匀扩散是有效的。就是说，经过扩散孔16a的窄圆柱形上部16a1的过程气体可在经过圆锥形下部16a2的同时宽广地展开。

再次参考图2，喷头10的喷射板14被安装成密封喷头体12的开放下表面。如从图5可看到的，喷射板14具有多个喷射孔14a，并且优选地成百到成千的喷射孔14a被提供于喷射板14中。在常规情况下，每个喷射孔都具有处于0.1mm到1mm范围内的直径。

如果喷射孔的直径过小，则使得对喷射孔的处理复杂化，并因此增加了喷射板的价格。这不可避免地增加了正由平板显示器制造设备生产的基片的价格。因此，在本实施例中，喷射板14以以下方式被设计：使喷射孔14a具有处于3mm到8mm范围内的相对大的直径，其等于常规喷射孔的直径的近似十倍，从而使能对其容易的制造。

然而，上述大直径的喷射孔14a阻止了过程气体被均匀地提供到待处理的基片(S)上。在本实施例中，为了将在喷射孔14a中限定的过程气体通路的直径减小到常规喷射孔的尺寸，喷射孔塞子15被插入于喷射孔14a中。图6是说明喷射孔塞子15的结构的透视图。如图6中所示，喷射孔塞子15具有环形保持头15a和具有比环形保持头15a的外径小的直径的圆柱体15b。如从图7可看到的，喷射孔塞子15限定其中的气体通路。喷射孔塞子15的气体通路采取圆筒的形式，并且被分成相对宽的上部15c和相对窄的下部15d。在此情况下，优选地，气体通路的下部15d具有处于0.1mm到1mm的范围内的直径，并且在其下端逐渐变圆，如图7中所示。当过程气体经过气体通路的上部和下部15c和15d时，这种变圆用来防止气体通路的下端被过程气体侵蚀。如果喷射孔塞子15的下端被过程气体侵蚀并产生作为侵蚀副产物的颗粒，当实施预定过程时，该颗粒可起到污染物的作用。

优选地，喷射孔塞子15由电绝缘性材料制成，如cerazole或陶瓷。这对于防止在常规情况下产生于喷射孔14a周围的弧化现象是有效的，并且由此不从喷射板14产生杂质并且使对喷射板14的损坏最小，由此延长了喷射板14的更换周期。而且，即使喷射孔塞子15被损坏，在更换喷射孔塞子15的过程中没有困难，这是因为喷射孔塞子15容易从喷射孔14a被去除。

再次参考图2，喷射板支持部件18被安装在喷头体12中，从而使其下端穿过喷射板14而其上端被附着于喷头体12的项部表面。就是说，多个喷射板支持部件18被安装在喷射板14的预定中心位置处，并且适合于防止喷射板14的中心区域处的翘曲。

优选地，喷射板支持部件18由电传导性材料支制成。这允许RF流供应装置(未示出)提供的RF流同时到达被用作上基片底座的喷头10的整个表面。一般而言，RF流主要流经由电传导性材料制成的喷头体12。这意味着RF流的到达时间可在喷射板14的外围区域和中心区域处彼此不同，由此阻止基片被均匀地处理。然而，在本实施例中，RF流适合于流经喷射板支持部件18，由此同时到达喷射板14的外围区域和中心区域。

此外，在本实施例中，在喷头体12的上表面和所述室的项部壁表面之间优选地插入了绝缘体部件19以使室壁与喷头体12绝缘，这是因为一旦收到RF流，则高电压流流经喷头体12。

实施例2

图8是说明依照本发明的平板显示器制造设备的室的结构的断面图，在所述处理室中限定了用于在等离子体产生过程中使用的虚内部空间。如图8中所示，平板显示器制造设备的室被形成于具有基片入口/出口开口22的其一个侧壁处。本发明的平板显示器制造设备进一步包括被提供于基片入口/出口开口22外部的门阀24和被提供于基片入口/出口开口22的内部的闸板26。

在此情况下，优选地，闸板26被放置成使其内平面与从所述室的内壁表面延伸的虚平面重合。这用来给所述室提供由图8中的线27限定的对称内部空间。室的对称内部空间是被用于产生等离子体的等离子体敏感区域。就是说，闸板26的存在允许室的内壁表面被继续于基片入口/出口开口22上。为了实现在基片底座30上放置的基片的整个表面上的均匀处理，这样的对称等离子体敏感空间是基本的。因此，当预定过程被实施于所述室中时，室的内部借助于闸板26而限定了对称空间。

优选地，闸板26被设计成以滑动方式被打开或关闭。此外，尽管被提供于基片入口/出口开口22外部和内部的门阀24和闸板26是单独可控制的，优选地，闸板26和门阀24被控制成彼此合作以同时被打开或关闭。

图9是说明依照本发明的隔板组件的结构的透视图。如图9中所示，依照本发明的平板显示器制造设备包括隔板组件，其被插入在基片底座30和所述室的内部侧向壁表面之间的空间中。

隔板组件用作排气通路，用于在处理期间或在处理完成之后向下引导未反应的气体和在室中产生的聚合物。就是说，不是直接向下流经基片底座30和所述室的内部侧向壁表面之间的空间，而是过程气体和等离子体主要由隔板组件来阻塞，然后向下流经被形成于隔板组件的预定位置处的缝隙。

在基片底座30的相应角以下的基片底座30和所述室的内部侧向壁表面之间的空间中安装了如图9中所示的排气单元46。原则上，过程气体在基片底座30的角附近缓慢流动，而在所述室内的基片底座30的边缘处快速流动。这导致被放置在基片底座30上的基片的角和边缘被不均匀地处理，从而使对基片的均匀处理复杂化。为此，优选的是隔板组件的角区域与剩余区域分离，并且与剩余区域隔开预定高度。

本实施例的隔板组件包括安装在角区域的第一隔板48和安装在剩余区域的第二隔板44，其采用了二台阶结构。

如图9中所示，第一和第二隔板48和44分别具有多个缝隙。所述多个缝隙彼此被隔开预定距离以便于允许通过未反应的气体等。就是说，不是直接流向排气单元46，而是未反应的气体等的流动被短暂暂停，然后通过缝隙被一点一点逐渐排出。

借助如以上所述而安装的隔板48和44，气体通路的宽度在除了角区域以外的边缘区域被变窄，从而导致过程气体的减小的排放速度。以这种方式，基片底座30的角和边缘区域两者处的过程气体的流率可被调节成相互一致。

此外，如图9中所示，在第一和第二隔板48和44之下的预定位置处优选地安装了驱动单元43和45，用于垂直移动第一和第二隔板48和44。就是说，第一和第二隔板48和44可使用驱动单元43和45来自动调节。因此，在实施预定过程之前，第一和第二隔板48和44被移至适当的位置，在这里基片底座30的角和边缘区域两者处的过程气体的流率可以以最有效的方式相互一致。

实施例3

图10是说明依照本发明的等离子体屏蔽装置的结构的分解透视图。平板显示器制造设备的等离子体屏蔽装置包括：由基片底座30的上表面周围的多个件组成的水平屏蔽部件40，和由基片底座30的侧向表面周围的多个件以及从所述侧向表面向下延伸的虚表面组成的垂直屏蔽部件50。水平和垂直屏蔽部件40和50被耦合成使其变得彼此紧密接触。这样的等离子体屏蔽装置由耐等离子体的材料制成，并且耐等离子体材料的优选实例包括陶瓷、vespel等。

应理解，本实施例的等离子体屏蔽装置共同适用于喷头10和基片底座30。优选地，被安装在基片底座30的外围周围的水平屏蔽部件40被放置得比基片底座高预定高度，其考虑了被放置在待由等离子体处理的基片底座30上的基片的厚度。这用来防止位于基片底座30上的基片的侧向表面和后表面被等离子体冲击。在此情况下，水平屏蔽部件40和基片底座30之间的优选隔开高度是近似2mm。

同时，水平屏蔽部件40用来防止向着基片底座30的上表面的在基片底座30和喷头10之间的空间中产生的等离子体的直接冲击。在此，由于使用了大尺度基片，难以将水平屏蔽部件40形成为具有单个单元结构。因此，如图10中所示，水平屏蔽部件40是通过耦合多个第一角件41和多个第一边缘件42而形成的。第一角件41适合于包围基片底座30的角区域，而第一边缘件42适合于包围基片底座30的四个边缘。在此情况下，优选地，相应的第一角件41具有“L”形形式，而相应的第一边缘件42具有伸长的矩形杆形式。

水平屏蔽部件40的所述多个第一角和边缘件41和42被耦合以变得彼此紧密接触。在以下描述中，第一角件41和第一边缘件42之间或第一边缘件42之间的耦合方式的优选实施例将被说明。

实施例3-1

首先，如图11中所示，第一角件41和第一边缘件42之间或第一边缘件42之间的接合表面优选地分别具有互补的斜线形横截面以相互紧密地接合。由于其特性，主要产生于喷头10和基片底座30之间的等离子体在直的方向上前进。因此，如果相应件的接合表面垂直于水平方向而延伸，则等离子体沿垂直的接合表面径直冲击基片底座30，从而增加了损坏基片底座30和与基片底座30关联的任何其它设施的可能性。为此，在本实施例中，水平屏蔽部件40的相应件的接合表面被形成为具有适合于改变从直的方向到斜方向的等离子体的前进路线的斜线形横截面，从而使能对等离子体的有效屏蔽。此外，本实施例的相应件的接合表面是容易处理的，由此减小了处理所需的时间和成本，同时使能对等离子体的有效屏蔽。

实施例3-2

可替换的是，参考图12，第一角件41和第一边缘件42之间或第一边缘件42之间的接合表面优选地分别具有互补的“V”形横截面以相互紧密地接合。在此，“V”形横截面是通过以下获得的：折叠在实施例3-1中公开的斜线形接合表面的中点以减小等离子体经过接合表面的可能性。在这种“V”形接合表面的情况下，尽管它需要增加的处理时间，但它可较为确定地屏蔽等离子体。

实施例3-3

可替换的是，参考图13，第一角件41和第一边缘件42之间或第一边缘件42之间的接合表面优选地分别具有互补的齿线形横截面以相互紧密地接合。在这样的齿线形横截面中，凸起(A)和凹陷(B)被彼此相邻地形成。在相应件如图13中所示而被相互耦合的状态下，由于相应件的接合表面被对称地形成并且被相互耦合，等离子体的前进路线被反复折射，从而从整体上消除了等离子体经过的可能性。此外，通过凸起(A)和凹陷(B)的接合，即使由被施加于其的外力导致的张力在对平板显示器制造设备内的等离子体屏蔽装置的长时间使用期间在所接合的相应件之间起作用，亦有可能从整体上防止相应件的接合表面被彼此分离。

实施例3-4

最后，参考图14，第一角件41和第一边缘件42之间或第一边缘件42之间的接合表面优选地分别具有互补的台阶线形横截面以相互紧密地接合。在这样的台阶线形横截面中，接合表面在厚度方向上被台阶化以具有单个台阶。接合表面的这种形状亦用来曲折等离子体的前进路线以便于屏蔽等离子体。

现在考虑垂直屏蔽部件50的配置和操作，它用来保护基片底座30和其它关联设施不受等离子体的侧向冲击。尽管大部分等离子体被产生于喷头10和基片底座30之间的空间中并且趋向于冲击水平屏蔽部件40，部分等离子体仍可逸出喷头10和基片底座30之间的空间并侧向冲击基片底座30。因此，垂直屏蔽部件50用来屏蔽对基片底座30的等离子体的侧向冲击，因此保护基片底座30和安装在基片底座30以下的其它关联设施不受等离子体的损坏。

类似于水平屏蔽部件40，难以将垂直屏蔽部件50形成为具有单个单元结构。因此，如图10中所示，垂直屏蔽部件50是通过在紧密接触状态下耦合多个第二角件51和多个第二壁件52而形成的。第二角件51适合于包围基片底座30的角区域，而第二壁件52适合于包围基片底座30的整个侧向表面以及从侧向表面向下延伸的虚表面。在此情况下，优选地，以与第一角件41相同的方式，第二角件51具有“L”形形式。

以与第一角件41和第一边缘件42相同的方式，第二角件51和第二壁件52优选地以这样的方式被配置：第二角件51和第二壁件52之间或第二壁件52之间的接合表面优选地分别具有互补的台阶线形横截面以相互紧密地接合。在这样的台阶形横截面中，接合表面在厚度方向上被台阶化以具有单个台阶。

可替换的是，第二角件51和第二壁件52之间或第二壁件52之间的接合表面优选地分别具有互补的斜线形横截面以相互紧密地接合。

可替换的是，第二角件51和第二壁件52之间或第二壁件52之间的接合表面优选地分别具有互补的“V”形横截面以相互紧密地接合。

可替换的是，第二角件51和第二壁件52之间或第二壁件52之间的接合表面优选地分别具有互补的齿形横截面以相互紧密地接合。在这样的齿线形横截面中，凸起(A)和凹陷(B)被彼此相邻地形成。

如以上所述的本发明的等离子体屏蔽装置是通过以下而完成的：耦合水平屏蔽部件40与垂直屏蔽部件50以变得相互紧密接触。就是说，在水平屏蔽部件40的情况下，尽管它可有效地屏蔽等离子体的垂直冲击，它仍具有缺点，因为它不能屏蔽等离子体的侧向冲击。相反，在垂直屏蔽部件50的情况下，尽管它可有效地屏蔽等离子体的侧向冲击，它仍具有缺点，因为它不能屏蔽等离子体的垂直冲击。因此，仅在水平屏蔽部件40的外周围端(C)和垂直屏蔽部件50的上端(D)被耦合以变得相互紧密接触的状态下，等离子体屏蔽装置可在所有方向上屏蔽等离子体的冲击。在此情况下，水平屏蔽部件40的外周围端(C)是面向所述室的内部侧向壁表面而不是变得与基片底座30接触的周围端，而垂直屏蔽部件50的上端(D)是与水平屏蔽部件40接触的部分。

现在将说明与垂直和水平屏蔽部件40和50的耦合方式有关的优选

实施例。

实施例3-5

首先，如图15中所示，水平屏蔽部件40被配置成使其外周围端(C)在基片底座30的周围端以外向外突出预定长度，而垂直屏蔽部件50被配置成使其上端(D)被台阶化以与水平屏蔽部件40的突出部分的侧向和下表面两者紧密地耦合。以这样的配置，水平屏蔽部件40的外周围端(C)和垂直屏蔽部件50的上端(D)可被耦合以变得相互紧密接触。当水平和垂直屏蔽部件40和50根据本实施例而被耦合于彼此时，水平屏蔽部件40的侧向方向上等离子体的冲击可被垂直屏蔽部件50的上端(D)屏蔽，而垂直屏蔽部件50的垂直方向上等离子体的冲击可被水平屏蔽部件40的外周围端(C)屏蔽，从而导致所有方向上的全等离子体屏蔽。

实施例3-6

可替换的是，如图16中所示，垂直屏蔽部件50被配置成使其上端(D)在基片底座30的台阶形区域的水平平面以上向上突出预定高度，而水平屏蔽部件40被配置成使其外周围端(C)被台阶化以与垂直屏蔽部件50的突出部分的侧向和上表面两者紧密地耦合。以这样的配置，水平屏蔽部件40的外周围端(C)和垂直屏蔽部件50的上端(D)可优选地被耦合以变得相互紧密接触。即使在此情况下，类似于以上的实施例(3-5)，水平和垂直屏蔽部件40和50可彼此补充，从而使能所有方向上的全等离子体屏蔽。

实施例3-7

可替换的是，如图17中所示，垂直屏蔽部件50被配置成使其上端(D)在基片底座30的台阶形区域的水平平面以上突出与水平屏蔽部件40的厚度相同的高度，并且突出部分的预定部分被台阶化。在此情况下，水平屏蔽部件40被配置成使其可被插入于基片底座30的台阶形区域中，并且其外周围端(D)被台阶化以与垂直屏蔽部件50的台阶形部分紧密地耦合。以这样的配置，水平屏蔽部件40的外周围端(C)和垂直屏蔽部件50的上端(D)可优选地被耦合以变得相互紧密接触。本实施例允许等离子体的前进路线被反复曲折，从而从整体上消除等离子体冲击的可能性并且导致提高的等离子体屏蔽效率。

实施例3-8

最后，如图18中所示，水平屏蔽部件40被配置成使其外周围端(C)从基片底座30的台阶形区域的周围端向外突出预定长度，并且突出部分的预定部分通过预定厚度而台阶化，而垂直屏蔽部件50被配置成使其被耦合子基片底座30的侧向表面并且其上端(D)被台阶化以与被形成于水平屏蔽部件40的外周围端(C)处的台阶形部分耦合。以这样的配置，水平屏蔽部件40的外周围端(C)和垂直屏蔽部件50的上端(D)可优选地被耦合以变得相互紧密接触。本实施例亦反复曲折等离子体的前进路线，从而提高了对等离子体的屏蔽效率。

在涉及水平和垂直屏蔽部件40和50的耦合方式的上述优选实施例中，具体而言在实施例(3-6和3-8)的情况下，被限定于水平和垂直屏蔽部件40和50的耦合表面中的等离子体的前进路线在侧向方向上延伸，而不是向着大部分等离子体所产生的喷头10和基片底座30之间的空间而延伸。与实施例(3-5和3-7)相比，这具有减小等离子体冲击的可能性的效果。这样，可以说实施例(3-6和3-8)优选于实施例(3-5和3-7)。

如从以上描述显而易见的，本发明提供了一种具有喷头的平板显示器制造设备，该喷头具有采用单个扩散板的简化结构并由此容易制造。

所述平板显示器制造设备的喷头进一步包括喷射板，其是容易制造的，并且可消除由等离子体导致的弧化现象的发生，由此解决了由于频繁更换和制造喷射板的过程中的困难而导致的任何问题。

还有，依照本发明，在喷射板的中心处安装了喷射板支持部件以防止喷射板中心处的翘曲并进行对等离子体的均匀分布。

在本发明的平板显示器制造设备中，当对被放置于安装在其处理室中的基片底座上的基片实施预定过程时，在所述室内部限定了完美的对称空间，从而使能对基片的整体表面的均匀处理。

此外，本发明的平板显示器制造设备包括台阶形隔板组件，其中与排气单元关联的隔板被放置在距离其它隔板的不同水平处。这样的台阶形隔板组件可在处理室的整个内部均衡过程气体的流率，从而使能对基片的均匀处理。

隔板的高度可被自动调节，其结果是隔板可被放置成实现处理室内部的过程气体的恒定流率。

依照本发明的平板显示器制造设备进一步包括等离子体屏蔽装置。该等离子体屏蔽装置通过组装多个件而形成，从而使能处理最近的大尺度基片。

在本发明的等离子体屏蔽装置中，所述多个件具有容易处理的接合表面，由此能减小处理等离子体屏蔽装置所需的时间和成本。

这样的等离子体屏蔽装置包括水平屏蔽部件和垂直屏蔽部件，其被紧密地耦合于彼此。因此，等离子体屏蔽装置是容易处理的，并且可屏蔽所有方向上的全部等离子体。

而且，由于等离子体屏蔽装置是使用所述多个件形成的，该等离子体屏蔽装置没有由于等离子体屏蔽装置和基片底座之间的热膨胀率的差异而导致的损坏。一般而言，基片底座由具有高热膨胀系数的铝制成，而等离子体屏蔽装置由基本上不显示出热膨胀的陶瓷制成。因此，如果在等离子体屏蔽装置被紧密地耦合于基片底座周围的状态下使用等离子体在高温和低温下反复处理等离子体屏蔽装置和基片底座，则存在由于不同的热膨胀率而导致损坏等离子体屏蔽装置的可能性。然而，这样的问题可依照本发明而完全解决，这是因为等离子体屏蔽装置的所述多个件可在某种程度上被彼此隔开。

此外，在本发明的等离子体屏蔽装置中，即使任何一个所述件被损坏，可通过简单地更换损坏件而容易地修理。

尽管已为了说明性目的而公开了本发明的优选实施例，本领域的技术人员将理解在如公开于所附权利要求中的本发明的精神和范围内，各种修改、添加和替换是可能的。

Claims (37)

1.一种平板显示器制造设备，包括：真空下的室；位于所述室下部的基片底座，在基片底座上放置了基片，从而使用在所述室中产生的等离子体对基片实施预定过程；以及喷头，其中喷头包括：

喷头体，位于所述室的上部，该喷头体具有在其下表面处打开的空心结构；

扩散板，其被水平安装在喷头体中并具有通过预定位置而形成的多个扩散孔；

喷射板，其与扩散板隔开均匀的预定高度以被安装在喷头体的开放下表面处，该喷射板具有通过预定位置而形成的多个喷射孔；以及

喷射板支持部件，其在其下端被连接于喷射板并在其上端被连接于喷头体的顶部壁表面以便于相对于喷头体来支持和固定喷射板。

2.权利要求1的设备，其中每个扩散孔都包括圆柱形上部和圆锥形下部。

3.权利要求1的设备，其中每个喷射孔都具有处于0.1mm到1mm的范围内的直径。

4.权利要求1的设备，其中每个喷射孔都具有处于3mm到8mm的范围内的直径。

5.权利要求1的设备，其中每个喷射孔都被提供有喷射孔塞子，该喷射孔塞子被插入于喷射孔中以保护喷射孔的内周围壁表面，并具有中心通孔。

6.权利要求5的设备，其中所述通孔包括上圆柱形部分和下圆柱形部分，下部具有比上部小的直径。

7.权利要求6的设备，其中通孔的较小直径处于0.1mm到1mm的范围内。

8.权利要求5的设备，其中喷射孔塞子由cerazole制成。

9.权利要求5的设备，其中喷射孔塞子由陶瓷制成。

10.权利要求1的设备，其中喷射板支持部件由高度电传导性的材料制成。

11.权利要求1的设备，进一步包括：

门阀，其被提供在被形成于所述室的一个侧壁处的基片入口/出口开口的外部以与外部连通以便于引入和放出基片，该门阀适合于打开或关闭基片入口/出口开口；以及

闸板，其被提供在所述室的基片入口/出口开口的内部并且适合于打开或关闭基片入口/出口开口。

12.权利要求11的设备，其中闸板被放置成使其内平面与从所述室的内部表面延伸的虚平面重合。

13.权利要求11的设备，其中闸板以滑动方式被打开或关闭。

14.权利要求11的设备，其中闸板被安装在基片入口/出口开口处以与门阀的打开或关闭操作合作而打开或关闭，由此将所述室的内部连接或断开于外部。

15.权利要求1的设备，进一步包括：

隔板装置，其被提供在所述室的下部，该隔板装置被插入在被限定于基片底座和所述室的侧向壁表面之间的空间中，并且适合于调节流经基片底座和所述室的侧向壁表面之间的空间的等离子体的流率。

16.权利要求15的设备，其中隔板装置包括：

第一隔板，其被附着于基片底座的相应角区域，在角区域的下面提供了排气单元；以及

第二隔板，其被附着于未被提供有排气单元的基片底座的相应边缘区域。

17.权利要求16的设备，其中第二隔板被放置在比第一隔板低的高度处。

18.权利要求16的设备，其中第一和第二隔板被提供有第一和第二驱动单元，用于分别垂直移动第一和第二隔板。

19.权利要求1的设备，进一步包括：

等离子体屏蔽装置，其被耦合于基片底座以保护基片底座不受等离子体的损坏，

其中该等离子体屏蔽装置包括：

水平屏蔽部件，其包括在基片底座的上表面的边缘周围的多个件；以及

垂直屏蔽部件，其包括在基片底座的侧向表面周围的多个件和从所述侧向表面向下延伸的虚表面，

从而使水平和垂直屏蔽部件被耦合以变得相互紧密接触。

20.权利要求19的设备，其中水平屏蔽部件由多个第一角件和多个第一边缘件的组合形成，

从而使所述多个第一角件和所述多个第一边缘件被耦合以变得相互紧密接触，由此屏蔽基片底座的整个边缘区域。

21.权利要求20的设备，其中水平屏蔽部件的第一角件和第一边缘件之间或者第一边缘件之间的接合表面分别具有互补的斜线形横截面以相互紧密地接合。

22.权利要求20的设备，其中水平屏蔽部件的第一角件和第一边缘件之间或者第一边缘件之间的接合表面分别具有互补的“V”形横截面以相互紧密地接合。

23.权利要求20的设备，其中水平屏蔽部件的第一角件和第一边缘件之间或者第一边缘件之间的接合表面分别具有互补的齿线形横截面以相互紧密地接合，在这样的齿线形横截面中，凸起和凹陷被彼此相邻地形成。

24.权利要求20的设备，其中水平屏蔽部件的第一角件和第一边缘件之间或者第一边缘件之间的接合表面分别具有互补的台阶线形横截面以相互紧密地接合，在这样的台阶线形横截面中，接合表面在厚度方向上被台阶化以具有单个台阶。

25.权利要求19的设备，其中垂直屏蔽部件由多个第二角件和多个第二壁件的组合形成，

从而使所述多个第二角件和所述多个第二壁件被耦合以变得相互紧密接触，由此屏蔽基片底座的整个侧向表面。

26.权利要求25的设备，其中垂直屏蔽部件的第二角件和第二壁件之间或者第二壁件之间的接合表面分别具有互补的台阶线形横截面以相互紧密地接合，在这样的台阶线形横截面中，接合表面在厚度方向上被台阶化以具有单个台阶。

27.权利要求25的设备，其中垂直屏蔽部件的第二角件和第二壁件之间或者第二壁件之间的接合表面分别具有互补的斜线形横截面以相互紧密地接合。

28.权利要求25的设备，其中垂直屏蔽部件的第二角件和第二壁件之间或者第二壁件之间的接合表面分别具有互补的“V”形横截面以相互紧密地接合。

29.权利要求25的设备，其中垂直屏蔽部件的第二角件和第二壁件之间或者第二壁件之间的接合表面分别具有互补的齿线形横截面以相互紧密地接合，在这样的齿线形横截面中，凸起和凹陷被彼此相邻地形成。

30.权利要求19到29的任何一个的设备，

其中基片底座具有预定边缘区域中的台阶形形式，并且

其中等离子体屏蔽装置包括：

水平屏蔽部件，其被插入于基片底座的台阶形区域中以变得与基片底座紧密接触；以及

垂直屏蔽部件，其被配置成包围基片底座的侧向表面和从所述侧向表面向下延伸的虚表面，

从而使水平屏蔽部件的外周围端被耦合以变得与垂直屏蔽部件的上端紧密接触。

31.权利要求30的设备，

其中等离子体屏蔽装置的水平屏蔽部件被配置成使其外周围端在基片底座的周围端以外向外突出预定长度，并且

其中等离子体屏蔽装置的垂直屏蔽部件被配置成使其上端被台阶化以与水平屏蔽部件的突出部分的侧向和下表面两者紧密地耦合，

从而使水平屏蔽部件的外周围端和垂直屏蔽部件的上端被耦合以变得相互紧密接触。

32.权利要求30的设备，

其中等离子体屏蔽装置的垂直屏蔽部件被配置成使其上端从基片底座的台阶形区域的水平平面向上突出预定高度，并且

其中等离子体屏蔽装置的水平屏蔽部件被配置成使其外周围端被台阶化以与垂直屏蔽部件的突出部分的侧向和上表面两者紧密地耦合，

从而使水平屏蔽部件的外周围端和垂直屏蔽部件的上端被耦合以变得相互紧密接触。

33.权利要求30的设备，

其中等离子体屏蔽装置的垂直屏蔽部件被配置成使其上端在基片底座的台阶形区域的水平平面以上突出与水平屏蔽部件的厚度相同的高度，并且突出部分的预定部分被台阶化，并且

其中等离子体屏蔽装置的水平屏蔽部件被配置成使其可被插入于基片底座的台阶形区域中，并且其外周围端被台阶化以与垂直屏蔽部件的台阶形部分紧密地耦合，

从而使水平屏蔽部件的外周围端和垂直屏蔽部件的上端被耦合以变得相互紧密接触。

34.权利要求30的设备，

其中等离子体屏蔽装置的水平屏蔽部件被配置成使其外周围端从基片底座的台阶形区域的周围端向外突出预定长度，并且突出部分的预定部分被台阶化，并且

其中等离子体屏蔽装置的垂直屏蔽部件被配置成使其被耦合于基片底座的侧向表面并且其上端被台阶化以与被形成于水平屏蔽部件的外周围端处的台阶形部分耦合，

从而使水平屏蔽部件的外周围端和垂直屏蔽部件的上端可优选地被耦合以变得相互紧密接触。

35.权利要求20或25的设备，其中第一或第二角件分别具有“L”形横截面。

36.权利要求19的设备，其中等离子体屏蔽装置由耐等离子体的材料制成。

37.权利要求19的设备，其中被提供在基片底座上的水平屏蔽部件被放置得比基片底座高预定的高度。

Images