CN108781500A - 等离子体生成装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供等离子体生成装置，其能够避免由相对于被成膜部件的等离子体的热量导致的损伤，并且能够高效地成膜。本发明的等离子体生成装置的特征在于，使分别具有多个将主面间贯通的贯通孔(26、28)的一对板状导体部(12、14)经由规定的空隙(13)进行对置，使气体从该一对板状导体部(12、14)的一侧流入至上述贯通孔，通过对上述一对板状导体部(12、14)之间施加高频电压而在上述空隙产生等离子体放电，使产生的等离子体流出至上述一对板状导体部(12、14)的另一侧。

Description

等离子体生成装置
技术领域
本发明涉及用于生成等离子体来进行规定的等离子体处理的等离子体生成装置。
背景技术
在太阳能板、车载用灯的制造中，等离子体处理法由于工序控制比较容易这一优点而被用于清洁工序、成膜工序、蚀刻工序等。作为进行这种等离子体处理法的等离子体处理装置，已知有一种等离子体化学气相沉积(CVD)装置，其利用中频、高频、微波功率等将原料气体等离子体化而在基板上形成有薄膜。
例如，为了在塑料材料的产品的表面形成保护膜，以1微米以上的厚度形成硬涂膜，从而能够确保保护膜的硬度、耐刮擦性，因此需要提高成膜率。作为提高成膜效率的一个方法，已知有一种利用了空心阴极放电的等离子体CVD装置(例如，参照专利文献1、2)。
专利文献1：日本特开2015-098617号公报
专利文献2：日本特开2011-204955号公报
然而，即使是利用了空心阴极放电的等离子体CVD装置，在空心阴极电极与阳极电极之间的空间夹着被成膜基板的类型的装置(例如，专利文献1的装置)中，也存在聚合膜容易沉积在空心阴极电极、出现颗粒产生等而无法稳定地成膜等问题，另外，也存在等离子体从电极间进一步扩展至其外侧而使得等离子体密度降低、气体分布变差、导致膜厚不一致这一问题。并且，在空心阴极电极本身容易成为高温、被成膜基板为热塑性树脂材料时，也存在基板产生变形的情况，导致生产性降低。
另外，即使是使用一对平板平行电极的等离子体成膜装置(例如，专利文献2的装置)，也由硅材料形成电极的一方，在将该电极本身作为成膜的原料的方法中，当在被成膜部件以比较厚的膜厚进行成膜时，需要频繁地更换电极本身，现实中无法在生产线进行组装。
发明内容
因此，本发明鉴于上述的课题，目的为提供一种能够以较高的等离子体密度生成等离子体、并能够在形成了膜的情况下提高成膜率的等离子体生成装置。
为了解决上述的技术课题，本发明的等离子体生成装置的特征在于，使分别具有多个将主面间贯通的贯通孔的一对板状导体部隔着规定的空隙进行对置，使气体从该一对板状导体部的一侧流入至上述贯通孔，通过对上述一对板状导体部之间施加高频电压而在上述空隙产生等离子体放电，使产生的等离子体流出至上述一对板状导体部的另一侧。
根据本发明的等离子体生成装置，形成为如下等离子体产生部与等离子体处理部分离的构造：在上述一对板状导体部之间的空隙产生等离子体，利用相对于将一对板状导体部分别贯通的多个贯通孔的气流，使产生的等离子体流出至上述一对板状导体部的另一侧。因此，能够抑制由相对于被成膜部件的等离子体、热量导致的损伤，能够处于比较低的处理温度。另外，根据本发明的等离子体生成装置，能够产生高密度的等离子体，从而能够提高生产性。
附图说明
图1是将本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置部分剖切地进行表示的主要部分立体图。
图2是本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的简要剖视图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的构造的示意图，是预备阶段的图。
图4是表示本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的构造的示意图，是等离子体生成阶段的图。
图5是表示本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的构造的示意图，是等离子体流出阶段的图。
图6是使用有本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的等离子体成膜装置的一个例子的示意图。
图7是使用有本发明的实施方式所涉及的等离子体生成装置的等离子体成膜装置的另一个例子的示意图。
图8是对本发明的实施例进行说明的图。
图9是对本发明的实施例进行说明的图。
图10是对本发明的实施例进行说明的图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，以下的说明是本发明的几个具体例子，本发明并不限定于该方式。另外，本发明也不限定于各图示出的各构成要素的配置、尺寸等。
本实施方式是进行等离子体成膜处理的等离子体生成装置10的例子，如图1以及图2所示，在该等离子体生成装置10具有如下构造：在支承板18上形成有壳体侧部20，在该壳体侧部20保持有一对平行平板状的板状导体部12、14。在一对平行平板状的板状导体部12、14的一侧亦即背面侧具有凹部24，凹部24设置在形成于支承板18的表面侧的突出设置部25，以面对该凹部24的方式设置有以水平方向为长边方向的等离子体生成气体导入管16。等离子体生成气体导入管16的中央部连接于气体供给管22，气体供给管22导入从装置外部延长的等离子体生成气体，经由这些等离子体生成气体导入管16、气体供给管22而导入有氩等用于生成等离子体的气体。
一对板状导体部12、14由平板状的铝等金属板或者其他导体板构成，也可以在表面具有介电膜，为了避免电弧放电等，一对板状导体部12、14的等离子体气体的导出侧亦即表面12s能够构成为通过氧化铝热喷涂或是硬质阳极氧化处理来覆盖介电膜。也可以在一对板状导体部12、14的各个两主面实施氧化铝热喷涂或是硬质阳极氧化处理。一对板状导体部12、14分别将整周保持或者贴紧于壳体侧部20，一对板状导体部12、14之间的空隙部13形成为由壳体侧部20和一对板状导体部12、14围成的、在板状导体部12、14的面内方向上等间隔的空间。一对板状导体部12、14的间隔能够依据导入的气体、供给的电力的频率、甚至电极的尺寸等改变，但例如形成为3mm～12mm、优选为3mm～9mm、更优选为3～6mm左右的间隔。
在平行平板状的一对板状导体部12、14设置有多个贯通孔26、28，多个贯通孔26、28分别将两主面之间贯通。位于气体流出侧的板状导体部12以在主面内排列为矩阵状的方式按规定间隔设置多个贯通孔26，位于气体流入侧的板状导体部14以在主面内排列为矩阵状的方式按规定间隔设置多个贯通孔28。板状导体部12的贯通孔26与板状导体部14的贯通孔28分别为圆筒形状的孔，并配置为同轴状，即贯通孔26的中心与贯通孔28的中心对齐配置于图1的X方向。板状导体部12的贯通孔26与气体流入侧的板状导体部14的贯通孔28相比直径较小，因此，在气体沿X方向流动的情况下，与板状导体部14的贯通孔28相比，在通过流出侧的板状导体部12的贯通孔26时被加速，从而更快地流出至板状导体部12的表面12s侧。这样，在一对板状导体部12、14形成有多个贯通孔26、28而形成空心电极构造，经由该多个贯通孔26、28而生成的等离子体气体以高密度进行流动。
在本实施方式中，设置于一对板状导体部12、14的多个贯通孔26、28形成为将板状导体部12、14的主面间贯通的分别为圆筒形状的贯通孔，但例如，也可以是矩形形状的孔，也能够形成为将流出侧的直径缩小那样的渐细形状。另外，在本实施方式中，多个贯通孔26、28排列为矩阵状，但也可以是将多个圆描绘为同心圆状的排列，进一步，多个贯通孔26、28的位置也可以不规则。在本实施方式中，对形成于板状导体部12的贯通孔26分别具有相互相同的直径、形成于板状导体部14的贯通孔28也分别具有相互相同的直径进行说明，但例如，也能够使直径的大小在中心部和周边部阶段性地进行改变。另外，通过使多个贯通孔26、28的朝向相对于X轴倾斜、将排列为同心圆状的贯通孔的方向倾斜地对齐，也能够形成等离子体气体的漩涡。
在一对板状导体部12、14设置有流路30、32，流路30、32作为冷却部，进行用于使冷却水、冷却气体等制冷剂通过并回流。接近板状导体部12的一方的表面而形成的流路30例如以被牵引为曲折状而通过较多的贯通孔26的附近来剥夺热量的方式发挥作用。接近板状导体部14的一方的表面而形成的流路32也同样地，例如呈曲折状布绕而通过较多的贯通孔28的附近。通过流路30、32的制冷剂从装置外部进行供给，并被配备于装置外部的未图示的换热装置再度冷却而返回至流路30、32。流路30、32之间也可以独立，或者也可以连续。在本实施方式中，在铝材的表面将槽形成为曲折状，并以用铝板等从表面盖住该槽的方式形成，但也能够以从侧部侧开孔的方式形成。另外，在本实施方式中，各板状导体部12、14分别形成一条流路30、32，但也可以分别形成多条流路。
如后述那样，一对板状导体部12、14被施加高频电压，通过使制冷剂在形成于一对板状导体部12、14的流路30、32流动，能够抑制一对板状导体部12、14的温度上升。另外，来自上述的等离子体生成气体导入管16的等离子体生成用的气体从一对板状导体部12、14的流入侧被导入。如上所述，在支承板18形成有形成为大致矩形状的凹部24，该凹部24在板状导体部14的背面侧遍布全部贯通孔28的范围。在由这种凹部24和板状导体部14的背面形成的空间，形成有以水平方向为长边方向的等离子体生成气体导入管16，等离子体生成气体从沿着等离子体生成气体导入管16的长边方向散布的多个气体孔34被导入至由凹部24和板状导体部14的背面形成的空间。等离子体生成气体导入管16是一根管状部件，在其长边方向的中央部与气体供给管22呈T字状连结，由此，从气体供给管22供给的气体通过等离子体生成气体导入管16而被导入至凹部24内。对于等离子体生成气体而言，根据利用等离子体进行处理的方法来进行选择，例如是氩、氩与氧的混合气体、单独为氧或单独为氮等，此外，也可以是氦、二氧化碳、一氧化二氮、氢、空气以及它们的混合气体。
壳体侧部20是从支承板18突出设置于装置表面侧的部件，对板状导体部12的整个端部进行保持。壳体侧部20在其表面部安装板状导体部12的背面侧，板状导体部12的背面侧与该表面端部紧密接触并盖住壳体侧部20。壳体侧部20形成为：使由设置于突出设置部25的内侧的凹部24与板状导体部14的背面形成的空间、以及一对板状导体部12、14之间的空间分别在气体的等离子体生成气体导入管16与贯通孔26、28以外的地方气密。壳体侧部20例如由玻璃、陶瓷等绝缘材料形成。如图2所示，在壳体侧部20配备有向流出侧的板状导体部12供给制冷剂的流路管36，流路管36连通于流路30，流路30将壳体侧部20沿X轴方向贯通并从板状导体部12的背面侧形成于该板状导体部12的内部。流路管36的另一方将支承板18贯通并与装置外部连通。特别是在将支承板18贯通时，将配设于支承板18的绝缘材料的壳体侧部20贯通，因此，支承板18与流路管36维持电绝缘。在板状导体部14且在壳体侧部20的内侧安装有流路管38，流路管38将支承板18贯通并与装置外部连通。这些流路管36、38例如使冷却水等制冷剂通过，从而能够抑制一对板状导体部12、14的温度上升。
这些流路管36、38形成供给制冷剂的管，但分别由导体构成，也作为平行平板型的板状导体部12、14的各自的电极取出部发挥作用。在平行平板型的板状导体部12、14之间夹设空隙部13，但该空隙部13作为电容的介电部作为发挥作用。如图2所示，高频电源(RF)42的一方的端部与接地件44连接，支承板18也接地，背面侧的板状导体部14也经由之间未隔有绝缘物地将支承板18贯通的流路管38而接地。高频电源42的另一方的端部经由匹配器(MB)40连接于流路管36，匹配器(MB)40用于操作电容等而得到与等离子体的匹配性。流路管36如上述那样与支承板18绝缘地将支承板18贯通，并与表面侧的板状导体部12导通。因此，在使高频电源42运转的情况下，板状导体部12的电位例如将以13.56MHz等规定的频率正负振荡。
在支承板18的侧部安装有使成膜用的气体流入的端口50、52，分别经由使质量流量计具有流量控制的功能的质量流量控制器(MFC)46、48来供给成膜气体。在本实施方式中，作为一个例子，成膜用的气体的导入部形成为支承板18的侧部，但若是在接近实施等离子体处理的产品的位置供给成膜气体的机构，则也可以是其他构造。当在使用有等离子体的清洗等中使用该等离子体生成装置时，成膜用的气体的流入被质量流量控制器46、48止住。成膜用的气体例如选择甲烷、乙炔、丁二烯、四异丙醇钛(TTIP)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、六甲基二硅氮烷(HMDS)、四甲基硅烷(TMS)等进行供给。
支承板18本身例如安装于等离子体成膜装置的腔室56，经由端口50、52导入的成膜用的气体被导入至后述那样的等离子体成膜装置的腔室内。在将等离子体生成装置10安装至成膜装置的腔室的情况下，腔室内通过未图示的真空排气例如形成为10～300Pa左右的比较低的低真空。在这种状态下通过通电来产生等离子体，利用产生的等离子体，能够推进成膜、清洗等等离子体处理。
这里，对以高密度生成等离子体、且稳定地生成等离子体的等离子体生成装置10的主要部分的各尺寸的一个例子进行说明。首先，针对被凹部24和板状导体部14的背面夹着的容积V1的空间，得到的实验结果是其厚度为3mm～20mm、优选为5mm～12mm的情况下更能有效地提高效率，若将板状导体部14的板厚设为t1、将贯通孔28的直径设为d1、将贯通孔的数量设为A，则d1小于等于2t1，所有贯通孔28的容积的总和亦即At1π(d1)2/4优选为空间V1/120cm3～V1/80cm3范围的数值，更优选为空间V1/110cm3～V1/90cm3范围的数值。接下来，针对板状导体部12与板状导体部14之间的空隙部13的容积V2，得到的实验结果是其厚度为2mm～12mm、优选形成为3mm～6mm的厚度的情况下更能有效地提高效率，若将板状导体部12的板厚设为t2、将贯通孔26的直径设为d2、将贯通孔26的数量设为A，则d2小于等于2t2，所有贯通孔26的容积的总和亦即At2π(d2)2/4优选为空间V2/120cm3～V2/80cm3范围的数值，更优选为空间V2/110cm3～V2/90cm3范围的数值。此外，贯通孔26与贯通孔28在同轴上排列配置，各自的数量A形成为相同数量。
图3～图5是用于对本实施方式的等离子体生成装置10的动作进行说明的示意图。图3示出预备阶段，其电路结构中，一对平行平板型的板状导体部12、14以成为对置电极的方式构成，高频电源42的一端接地，另一端经由开关60连接于板状导体部12。平行平板型的板状导体部14也与高频电源42的一端相同地接地。等离子体生成气体供给装置58经由未图示的流量控制部连接于等离子体生成气体导入管16。在该预备阶段，该等离子体生成装置10使真空泵等工作而形成为例如10～300Pa左右的低真空状态，在平行平板型的板状导体部12的表面侧配备有非处理部件62。
在该阶段，如图4所示，闭合开关60将平行平板型的板状导体部12、14之间的空隙部13形成为高频放电状态，同时将如氧和氩的混合气体那样的等离子体生成气体从等离子体生成气体供给装置58经由等离子体生成气体导入管16而导入至平行平板型的板状导体部12、14之间的空隙部13。其结果是，在板状导体部12、14之间的空隙部13生成等离子体。
在进行在板状导体部12、14之间的空隙部13生成等离子体的同时，从等离子体生成气体供给装置58持续供给气体，其结果是，生成的等离子体被从板状导体部12、14之间的空隙部13送至板状导体部12的表面侧。因为背面侧的板状导体部14的贯通孔28的直径较大、表面侧的板状导体部12的贯通孔26的直径较小，所以如图5所示，等离子体气体从表面侧的板状导体部12的表面以比较快的流速流出。由于该流出的等离子体气体中成膜用的气体在非处理部件62的附近流动，所以能够进行极高效的成膜。在配设有该等离子体生成装置10的腔室内，如上述那样，与现有的溅射相比处于较高的压力下，在这种压力下，高能粒子由于与氩的碰撞而处于失去其动能的趋势，形成于非处理部件62的表面的膜成为损伤较少的膜。另外，也能够加速其生长速度。
此外，等离子体生成装置10使成膜用的气体流动，从而能够进行规定的成膜处理，但也能够进行其他等离子体气体的应用。例如，也能够用于蚀刻、清洁，还能够用于表面的氧化、氮化等表面改质等。
如上所述，在一对板状导体部12、14的内部形成有作为冷却部发挥作用的流路管36、38，例如通过使冷却水等制冷剂通过流路管36、38，能够抑制一对板状导体部12、14的温度上升。因此，根据本实施方式的等离子体生成装置10，在进行所需要的成膜时，抑制在板状导体部12、14侧形成膜，能够提高非处理部件62侧的膜的形成速度，从而能够以比较短的时间形成较厚膜厚的膜。
图6是使用有本实施方式的等离子体生成装置的等离子体成膜装置的一个例子的示意图。该等离子体成膜装置80构成为：将上述那样的等离子体生成装置90、92配设在腔室82，还将成膜用的溅射装置94配设在相同腔室82。在水平剖面为大致八边形的四个方向的侧壁，排列配设有等离子体生成装置90、等离子体生成装置92、溅射装置94，剩余的侧壁形成为处理用部件的导入口。
等离子体生成装置90和等离子体生成装置92如上所述具有如下构造：在一对平行平板型的板状导体部112、114之间的空隙部、一对平行平板型的板状导体部116、118之间的空隙部产生等离子体，并在图中虚线所示的支承台84上的非处理材86进行等离子体处理。来自高频电源124的高频电力经由匹配器126并分别经由选择开关120、122而选择性地供给至等离子体生成装置90、92。溅射装置94具有如下构造：氩气供给至周围，来自供给有直流电压的靶96的靶物质被覆于相对的非处理材86。
该构造的等离子体成膜装置80具有从腔室82的中央部沿三个方向延伸的臂部100，该臂部100以轴部101为中心进行转动。在沿三个方向延伸的臂部100的前端分别设置有挡板102，由这些臂部100和挡板102构成挡板机构。利用该挡板机构，能够根据臂部100的伸缩，使这些等离子体生成装置90、92以及溅射装置94之间通断，使等离子体生成装置90、92以及溅射装置94选择性地与腔室82内连续。
此外，在等离子体成膜装置80的腔室82安装有所需要的排气单元88，从而能够将腔室82内形成为低真空。
特别是在树脂材的表面形成比较厚的金属膜的情况下，等离子体成膜装置80能够生产率良好地运转。即，在利用镀覆而在树脂材上形成金属薄膜时，在等离子体生成装置90、92以及溅射装置94之间以逆时针的方式对支承台84上的例如由树脂材料构成的非处理材86进行处理。首先，将等离子体生成装置90用作等离子体清洗装置，使非处理材86与该等离子体生成装置90对置，从而利用等离子体进行清洗、改质。接下来，将臂部100沿逆时针方向转90度，基于所需的聚合作用对非处理材86形成较薄的金属催化剂层、或赋予官能团。进一步，在溅射装置94中，进行溅射从而在非处理材86上形成镍等种子层。由实验可得到：也能够不使用等离子体生成装置90、92地进行溅射，但若在溅射之前使用等离子体生成装置90、92进行基于等离子体的清洗或改质、形成薄金属催化剂层或赋予官能团，则后续工序中形成的膜的贴紧力变得极高。
此外，等离子体成膜装置80形成为组装有溅射装置94的装置，但也能够组装单个或是多个等离子体CVD装置，也能够代替溅射装置94而组装蒸镀装置等。另外，等离子体生成装置也对蚀刻处理有用。
图7是使用有本实施方式的等离子体生成装置的等离子体成膜装置128的另一个例子的示意图。该等离子体成膜装置128构成为：具有三个腔室136、138、140，将上述那样的等离子体生成装置130、132配设在各个腔室136、138，还将成膜用的溅射装置134进一步配设在邻近的腔室140。在最初的腔室136中，在支承臂142的前端部安装的被处理材144与等离子体生成装置130对置，并进行等离子体清洗。接着，被处理材144与支承臂142共同移动，在下一个腔室138中，等离子体生成装置132进行等离子体处理，基于所需要的聚合作用对被处理材144形成薄金属催化剂层、或赋予官能团。在第三个腔室140中，进行溅射，例如在被处理材144上形成镍等种子层。
即使这样将腔室独立地构成，根据使用有本实施方式的等离子体生成装置的等离子体成膜装置128，也能够进行基于等离子体的清洗或改质、形成薄金属催化剂层或赋予官能团，能够极度提高后续工序中形成的膜的贴紧力。另外，也能够为如下组合：将等离子体生成装置130、132配设在相同的腔室内，将溅射装置作为其他腔室。
另外，在上述的实施方式中，将供给至一对平行平板型的板状导体部的电力的电源作为高频电源进行了说明，但也可以代替高频电源而为交流电源、脉冲直流电源等。
[实施例1：基材表面改质后的状态确认]
使用本实施方式所涉及的等离子体生成装置进行ABS基材的表面改质，利用XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy：X射线光电子能谱)以及SEM(Scanning ElectronMicroscope：扫描电子显微镜)对改质后基材表面进行评价。
＜等离子体处理工序＞
在装置腔室内设置ABS基材，在将该腔室内减压至规定压力后，供给氧气，并对由板状导体部构成的对置电极赋予规定的高频电压。通过将产生的等离子体照射至ABS基材表面来进行基材表面的改质。将等离子体处理条件汇总至表1。此外，表1中的T-S间距离(mm)表示电极-基材间的距离。
[表1]
＜基于XPS的确认＞
使用XPS对实施了表1的处理1-处理5中示出的各处理的ABS基材以及未处理的ABS基材表面进行分析，根据光电子峰位的能量移动(量)来观察基材表面的化学结合状态。图8是表示由XPS分析得到的每次处理的基材表面的化学结合状态的图，纵轴表示光电子强度，横轴表示结合能量。根据图8也可明确，在实施了处理1-处理5中示出的各处理的ABS基材表面，观察到289eV附近的羧基特有的光电子峰，因此，确认利用本实施方式所涉及的等离子体生成装置完成了ABS基材表面的改质。
＜基于SEM的确认＞
与XPS测量相同地，利用SEM对实施了表1的处理1-处理5中示出的各处理的ABS基材以及未处理的ABS基材表面进行了观察。图9是通过SEM观察得到的ABS基材表面的显微镜观察图像。根据实施了处理1-处理5的ABS基材表面的观察结果，确认ABS基材表面被以纳米级进行蚀刻。
[实施例2：基材表面改质后的贴紧性提高确认]
使用本实施方式所涉及的等离子体生成装置对ABS基材以及PC/ABS基材的表面改质，在形成铜镀覆膜后，实施剥离强度试验。
＜等离子体处理工序＞
在装置腔室内设置ABS基材或者PC/ABS基材，在将该腔室内减压至规定压力后，供给恒定量氧气，并对由板状导体部构成的对置电极赋予规定的高频电压。通过将产生的等离子体照射至ABS基材或者PC/ABS基材表面来进行基材表面的改质。将等离子体处理条件汇总至表2。此外，表2中的T-S间距离(mm)表示电极-基材间的距离。
[表2]
＜种子层成膜工序＞
将上述表面改质后的基材设置在溅射装置腔室内，在将腔室内减压至规定的压力后，供给恒定量氩气，并向铜靶赋予直流电压，从而向基材表面形成厚度约400nm的铜种子层。
＜电镀工序＞
将上述铜种子层形成后的基材安至镀覆用夹具，并与铜阳极共同浸渍于装饰用硫酸铜镀覆浴。将阳极作为铜阳极、将阴极作为被镀覆基材，并赋予直流电压，从而形成厚度约32μm的铜镀覆膜。
＜贴紧性的确认＞
通过上述三个工序，在向ABS基材以及PC/ABS基材形成铜镀覆膜后，使用拉伸试验机(株式会社岛津制作所：AGS-H500N)实施了90°剥离强度试验。如表2的右侧的剥离强度试验结果所示，确认ABS基材、PC/ABS基材这两基材均高度贴紧。
[实施例3：耐摩损性确认]
使用本实施方式所涉及的等离子体生成装置，对在SUS304基材上实施了着色(光学干涉膜厚度；约300nm)的基材的表面改质，在SiOx膜形成后，实施耐摩损性试验。
＜等离子体处理工序＞
在装置腔室内设置上述基材，在将该腔室内减压至规定压力后，供给恒定量六甲基二硅烷(HMDS)、氧气，并对由板状导体部构成的对置电极赋予规定的高频电压。利用CVD以3nm/sec的成膜速度对透明的SiOx进行成膜。将等离子体处理条件汇总至表3。此外，表3中的T-S间距离(mm)表示电极-基材间的距离。
[表3]
＜耐摩损性的确认＞
如表3所示，通过上述处理工序，相对于SiOx膜厚分别形成为3μm、6μm、9μm的基材表面以1kgf的压力按压沙橡皮(株式会社SEED制：E-512)，并将进行了150次的往复运动的结果在图10中示出。如图10所示，在膜厚为3μm的基材表面中，光学干涉膜相对于基材表面面积剥离了约一半左右，但在将膜厚增厚为6μm、9μm的程度下，光学干涉膜的剥离变少，确认划痕特性被改善。
工业上的可利用性
如上述那样，根据本发明的等离子体生成装置，形成为等离子体产生部与等离子体处理部分离的构造。因此，对于避免由相对于被成膜部件的等离子体的热量导致的损伤的用途而言特别有用，由于能够产生高密度的等离子体，所以适于提高生产性。
附图标记说明：
10…等离子体生成装置；12…板状导体部；12s…表面；13…空隙部；14…板状导体部；16…等离子体生成气体导入管；18…支承板；20…壳体侧部；22…气体供给管；24…凹部；25…突出设置部；26、28…贯通孔；30、32…流路；34…气体孔；36、38…流路管；40…匹配器；42…高频电源；44…接地件；46、48…质量流量控制器；50、52…端口；56…腔室；58…等离子体生成气体供给装置；60…开关；62…非处理部件；80…等离子体成膜装置；82…腔室；84…支承台；86…非处理材；88…排气单元；90、92…等离子体生成装置；94…溅射装置；96…靶；100…臂部；101…轴部；102…挡板；112、114、116、118…板状导体部；120、122…选择开关；124…高频电源；126…匹配器；128…等离子体成膜装置；130、132…等离子体生成装置；134…溅射装置；136、138、140…腔室；142…支承臂；144…被处理材。

Claims (13)

1.一种等离子体生成装置，其特征在于，
使分别具有多个将主面间贯通的贯通孔的一对板状导体部隔着规定的空隙进行对置，使气体从该一对板状导体部的一侧流入至所述贯通孔，通过对所述一对板状导体部之间施加高频电压而在所述空隙产生等离子体放电，使产生的等离子体流出至所述一对板状导体部的另一侧。
2.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述一对板状导体部的大致平板状的主面彼此等间隔且平行地相向配置。
3.根据权利要求2所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述一对板状导体部之间的空隙形成为分离3～12mm左右。
4.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
形成于所述一对板状导体部的多个贯通孔以所述一对板状导体部的中的一方的贯通孔与另一方的贯通孔成为同轴的方式进行排列。
5.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述贯通孔分别形成为圆筒形状，所述一对板状导体部的气体流入侧的贯通孔与所述一对板状导体部的气体流出侧的贯通孔相比直径更大。
6.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述一对板状导体部具有用于将该板状导体部冷却的冷却部。
7.根据权利要求6所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述冷却部由形成于所述一对板状导体部内的、使从装置外部供给的制冷剂回流的流路构成。
8.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
在所述一对板状导体部的气体流出侧的面，形成覆盖其表面的介电膜。
9.根据权利要求1所述的等离子体生成装置，其特征在于，
所述介电膜通过氧化铝热喷涂或是硬质阳极氧化处理而形成。
10.一种等离子体成膜装置，其特征在于，具有：
一对板状导体部，分别具有多个将主面间贯通的贯通孔，并隔着规定的空隙进行对置；
气体流入部，其使气体从所述一对板状导体部的一侧流入至所述贯通孔；
高频产生部，其对所述一对板状导体部之间施加高频电压；以及
原料气体供给部，其向流出至所述一对板状导体部的另一侧的等离子体供给原料气体。
11.一种等离子体成膜装置，其特征在于，
将权利要求1所述的等离子体生成装置配设在腔室，进而将成膜用的溅射装置配设在相同腔室。
12.一种等离子体成膜装置，其特征在于，
至少设置两个腔室，将权利要求1所述的等离子体生成装置配设在一个腔室，进而将成膜用的溅射装置配设在其他腔室。
13.一种等离子体成膜装置，其特征在于，
将权利要求1所述的多个等离子体生成装置以面对腔室的方式进行配设，进而将成膜用的溅射装置以面对相同腔室的方式进行配设，利用使这些等离子体生成装置以及溅射装置之间通断的挡板机构，使多个所述等离子体生成装置以及所述溅射装置选择性地与所述腔室连续。
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