CN110965049A - 电极支架和电极支架的工作方法 - Google Patents

电极支架和电极支架的工作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一电极支架和电极支架的工作方法，应用于一镀膜设备，该镀膜设备供至少一待镀膜工件镀膜，其中该镀膜设备包括一反应腔体和一脉冲电源，其中该脉冲电源用于在该反应腔体内提供一脉冲电场，其中所述电极支架包括多层布置的支架构件，其中每一层的所述支撑构件被分别保持在预设的间距，其中至少一层的所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阴极。

Description

电极支架和电极支架的工作方法
技术领域
本发明涉及到表面处理领域，尤其涉及到镀膜设备的电极支架。
背景技术
等离子体辅助沉积、注入及表面改性，是材料表面镀膜和改性的重要手段，由于低气压放电过程是处于非平衡状态的，因此需要在高温条件下才能形成的薄膜也可以在低温条件下沉积产生，并且薄膜的性能在这种条件下能够得到提高，沉积出具有非平衡态化学成分和各种非晶体形态的薄膜。
薄膜制备的方式有多种，以化学气相沉积方式和物理气相沉积方式为主。化学气相沉积是利用化学反应的原理，从气相物质中析出固相物质沉积于工作表面形成镀膜膜层的沉积工艺(李金桂，肖定全，现代表面工程设计手册，北京：国防工业出版社，2000)。物理气相沉积是指在真空条件下，至少有一种沉积元素被雾化(原子化)的情况下，进行的气相沉积工艺(李金桂，肖定全，现代表面工程设计手册，北京：国防工业出版社，2000)。
不论采用何种工艺进行膜层制备，样品表面的沉积厚度的均匀性是镀膜效果评估的重要指标之一。在目前的大多数制备环境下，样品需要被保持在反应腔室中，然后处于电场中，反应气体在电场环境下被激活然后沉积到样品表面。
在目前常见的一种镀膜设备中，通常采用的方式是设置两块较大的电极板，分别作为正负极，两电极板间放电形成电场，以使得反应气体可以在电场激发牵引作用下沉降到样品表面。当待镀件样品的数量较多时，为了节约空间，这些样品可能在高度方向被堆叠，而两个电极板将被对应布置在高度方向，这样的设置方式使得部分样品靠近于该电极板，部分样品远离电极板，显然，这并不有利于样品表面膜层的均匀性。如果当待镀件样品的数量较多时，样品将被水平布置，这相应要求该电极板的面积尺寸扩大，使得整个反应腔室的面积尺寸扩大，显然不利于提高镀膜设备的空间利用率。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一电极支架和电极支架的工作方法，其中所述电极支架能够均匀地承载待镀膜工件并且能够作为电极使用。
本发明的另一目的在于提供一电极支架和电极支架的工作方法，其中所述电极支架能够为作为阴极使用并且所述电极支架和外部电源的布线较为简单。
本发明的另一目的在于提供一电极支架和电极支架的工作方法，其中所述电极支架的至少部分能够作为阳极使用并且至少部分能够作为阴极使用。
本发明的另一目的在于提供一电极支架和电极支架的工作方法，其中所述电极支架包括多层支架构件，其中所述多层支架构件的极性能够根据需要被方便地改变。
本发明的另一目的在于提供一电极支架和电极支架的工作方法，其中所述电极支架还可以用于供气。
根据本发明的一方面，本发明提供了一电极支架，应用于一镀膜设备，该镀膜设备供至少一待镀膜工件镀膜，其中该镀膜设备包括一反应腔体和一脉冲电源，其中该脉冲电源用于在该反应腔体内提供一脉冲电场，其中所述电极支架包括：
多层布置的支架构件，其中每一层的所述支架构件被分别保持在预设的间距，其中至少一层的所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阴极。
根据本发明的至少一实施例，至少一层的所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阳极。
根据本发明的至少一实施例，作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件位于作为该脉冲电源的阳极的所述支架构件的下方，其中该镀膜工件被放置在作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件。
根据本发明的至少一实施例，作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件和作为该脉冲电源的阳极的所述支架构件被交替地布置。
根据本发明的至少一实施例，至少一层的所述支架构件包括一支撑顶板和一支撑底板，并且所述支撑顶板和所述支撑底板之间预留有空间，并且所述支撑底板形成至少一布气口，该镀膜设备包括一气体供给部，其中至少一所述支架构件作为该气体供给部的至少部分。
根据本发明的至少一实施例，位于作为该气体供给部的所述支架构件下方的另一层所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阴极。
根据本发明的至少一实施例，作为该气体供给部的所述支架构件被可导通地连接于该镀膜设备的一射频电源。
根据本发明的至少一实施例，至少一层所述支架构件包括一第一部分支架构件和一第二部分支架构件，其中所述第一部分支架构件位于所述第二部分支架构件上方并且被设置于所述第二部分支架构件，所述第一部分支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为阴极。
根据本发明的至少一实施例，所述第二部分支架构件具有至少一气体传输通道和至少一布气口，其中所述布气口连通于所述气体传输通道，并且所述布气口被设置为朝向下一层的所述支架构件的所述第一部分支架构件。
根据本发明的至少一实施例，所述第二部分支架构件被绝缘地设置于所述第一部分支架构件。
根据本发明的至少一实施例，所述电极支架进一步包括至少一立柱，其中每一层所述支架构件分别间隔地被支撑于所述立柱。
根据本发明的至少一实施例，至少一所述支架构件被可导通地连接于所述立柱，并且通过所述立柱被可导通地连接于该反应腔体外的该脉冲电源和/或该射频电源。
根据本发明的至少一实施例，被支撑于所述立柱的相邻的所述支架构件之间的距离相同。
根据本发明的至少一实施例，所述电极支架进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被分别设置于所述立柱的底端以隔绝所述电极支架和所述反应腔体。
根据本发明的至少一实施例，所述支架构件和所述立柱皆由不锈钢制成。
根据本发明的至少一实施例，相邻的所述支架构件的距离范围为10mm～200mm。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一电极支架的工作方法，其包括如下步骤：
所述电极支架的至少一层支架构件导通一脉冲电源以在至少一待镀膜工件周围放电形成一脉冲电场，其中所述支架构件作为该脉冲电场的阴极。
根据本发明的至少一实施例，在上述方法中，通过支撑于所述支架构件的至少一立柱导通所述支架构件和位于一反应腔体外的所述脉冲电源，其中所述电极支架位于所述反应腔体。
根据本发明的至少一实施例，所述工作方法进一步包括如下步骤：
所述电极支架的至少一层所述支架构件导通所述脉冲电源以作为所述脉冲电源的阳极，以在作为所述脉冲电源的阳极和作为所述脉冲电源的阴极之间形成所述脉冲电场。
根据本发明的至少一实施例，所述工作方法进一步包括如下步骤：
藉由至少一层所述支架构件释放气体；和
电离气体以使得在所述脉冲电源的阴极的作用下加速朝向所述待镀膜工运动。
附图说明
图1是根据本发明的一较佳实施例的一电极支架的示意图。
图2是根据本发明的一较佳实施例的一镀膜设备的示意图。
图3A是根据本发明的上述较佳实施例的所述电极支架的另一种实施方式的示意图。
图3B是根据本发明的上述较佳实施例的所述电极支架的另一种实施方式的示意图。
图4是根据本发明的上述较佳实施例的所述电极支架的另一种实施方式的示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是，在本发明的揭露中，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
本发明提供了一电极支架10和镀膜设备1，其中所述镀膜设备1可以用于制备各种类型的膜层，比如说DLC膜。所述镀膜设备1通过利用等离子体增强化学沉积(PECVD)技术向一待镀膜工件表面化学沉积形成膜层。具体地说，所述待镀膜工件被放置在所述镀膜设备1的一反应腔体20中进行等离子增强化学气相沉积而在所述待镀膜工件的表面形成所述膜层。
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺相对于现有的其他沉积工艺具有很多优点：(1)干式沉膜不需要使用有机溶剂；(2)等离子体对基体表面的刻蚀作用，使所沉积上的薄膜与基体粘结性好；(3)可以对不规则基体表面均匀沉积镀膜，气相渗透性极强；(4)涂层可设计性好，相比于液相法微米级控制精度，化学气相法可在纳米级尺度进行涂层厚度的控制；(5)涂层结构设计容易，化学气相法使用等离子体激活，对不同材料的复合涂层不需要设计特定的引发剂进行引发，通过输入能量的调控即可将多种原材料复合在一起；(6)致密性好，化学气相沉积法在等离子体引发过程中往往会对多个活性位点进行激活，类似于溶液反应中一个分子上有多个官能团，分子链之间通过多个官能团形成交联结构；(7)作为一种镀膜处理技术手段，其普适性极好，镀膜的对象、镀膜使用的原材料选择的范围都很广。
本发明提供的所述电极支架10，能够作为一射频电源或者是一脉冲电源的一电极使用，在支撑所述待镀膜工件的同时，能够在所述待镀膜工件周围提供射频电场或者脉冲电场，以有利于提供整个所述反应腔体20的空间利用率。
具体地说，参考附图1至附图3A所示，所述电极支架10包括多层支架构件11，其中多层的所述支架构件11被保持于所述镀膜设备1的一反应腔体20的一反应腔200。
所述待镀膜工件能够被放置在所述电极支架10的所述多层支架构件11中的一层或者是多层。
所述电极支架10包括至少一连接件12，其中所述连接件12被设置在所述支架构件11的周围，用于支撑每一所述支架构件11于预设的高度。相邻的所述支架构件11之间保持预设的距离，以供反应物进入到相邻的所述支架构件11之间，从而沉积在被支撑于所述支架构件11的所述待镀膜工件的表面。
在本实施例中，所述支架构件11的形状是矩形的。本领域技术人员应当理解的是，所述支架构件11的形状可以但是并不限制于三角形、圆形或者是其他形状的。优选地，所述支架构件11的形状的所述反应腔体20的内壁形成的横截面的形状是相似的，一方面有利于对于所述反应腔的空间的利用，另一方面有利于所述支架构件11的周沿到所述反应腔体20的内壁的距离相等，以有利于气体扩散的均匀性。
在本实施例中，所述连接件12的数目为四，分别位于所述支架构件11的四个角。以支撑所述支架构件11。进一步地，所述连接件12可以被实施为一立柱，所述立柱能够被立于所述反应腔体20。
进一步地，所述电极支架10被设置有至少一绝缘件13，其中所述绝缘件13是由绝缘材料制成的，比如说聚四氟乙烯制成的。所述绝缘件13被设置于所述连接件12的底端。当整个所述电极支架10被容纳于所述反应腔体20，所述绝缘件13可以被支撑于所述反应腔体20，从而使得所述电极支架10和所述反应腔体20无法导通。
值得注意的是，在本实施例中，所述电极支架10被支撑于所述反应腔体20，位于所述电极支架10的所述连接件12的底端的所述绝缘件13被支撑于所述反应腔体20。
在本发明的另一些实施例中，所述绝缘件13可以被设置在其他所述电极支架10和所述反应腔体20的连接位置。比如所述电极支架10通过悬挂的方式被保持于所述反应腔体20的所述反应腔，那么所述绝缘件13可以被设置于所述连接件12的顶端。本领域技术人员可以理解的是，所述绝缘件13的设置位置基于所述电极支架10和所述反应腔体20的安装位置的变化可以变化。
进一步地，在本实施例中，整个所述电极支架10可以被可导通地连接于所述脉冲电源以作为所述脉冲电源的阴极。
具体地说，所述镀膜设备1包括所述反应腔体20和一放电装置30，其中所述放电装置30用于为所述反应腔体20的所述反应腔提供脉冲电场和射频电场。所述放电装置30包括所述脉冲电源31和所述射频电源32，所述脉冲电源31用于提供所述脉冲电场，所述射频电源32用于提供所述射频电场。
所述射频电源32可以通过无电极的方式向所述反应腔体20提供所述射频电场。所述脉冲电源31可以被可导通地连接于整个所述电极支架10，以将所述电极支架10作为所述脉冲电源31的阴极。可以理解的是，所述反应腔体20的至少部分可以是由导电材料制作的，以使得所述反应腔体20的至少部分可以作为阳极，比如说被可导通地连接于所述脉冲电源31的阳极或者是接地以使得所述反应腔体20的内壁和所述电极支架10之间存在电势差。或者是所述射频电源32被可导通地连接于所述反应腔体20以使得所述反应腔体20作为阳极以和被导通于所述脉冲电源31的作为阴极的所述电极支架10之产生电势差。
当所述待镀膜工件被放置在所述电极支架10的任意一层时，所述待镀膜工件能够被较为快速地镀膜。
具体地说，所述射频电源32和/或所述脉冲电源31能够对于原料进行放电以使得整个所述反应腔处于等离子环境，反应气体处于高能量状态。所述脉冲电源31在放电过程中产生强电场，强电场位于所述待镀膜工件附近，以使得处于等离子环境中的活性离子受到强电场的作用加速沉积在基体表面。
当当所述工件表面需要镀DLC膜时，反应气体在强电场作用下沉积在所述待镀膜工件表面以形成非晶态碳网络结构。当所述脉冲电源31不放电时，利用沉积于所述待镀膜工件的膜层进行非晶态碳网络结构自由驰豫，在热力学作用下碳结构向稳定相---弯曲石墨烯片层结构转变，并埋置于非晶碳网络中，形成透明类石墨烯结构。
更详细地说，连接于所述脉冲电源31的作为阴极的所述电极支架10的所述支架构件11被设置于所述待镀膜工件的下方。当在所述脉冲电场作用下电离生成所述等离子体后，在所述脉冲电场作用下所述等离子体中的正离子在所述脉冲电场的作用下朝向所述待镀膜工件运动以沉积在所述待镀膜工件的表面。所述等离子体包括自有电子和正离子两者的导电的气态介质。
值得一提的是，由于作为阴极的所述电极支架10被设置在所述待镀膜工件的周围，使得所述等离子体中的正离子能够被加速朝向所述待镀膜工件的表面沉积，一方面提高了所述待镀膜工件的镀膜速度，另一方面在这个过程中正离子轰击所述待镀膜工件的表面，从而有利于所述待镀膜工件表面的膜层的强度。
值得注意的是，注入所述反应腔体20的气体可以是反应气体，基于膜层要求的不同，可以选择不同的反应气体，比如说当膜层是DLC膜层时，所述反应气体可以是CxHy，其中x为1-10的整数，y为1-20的整数。反应气体可以是单一气体，也可以是混合气体。可选地，反应气体可以是常压下为气态的甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、乙炔、丙烯或者是丙炔，也可以是经过减压或者是加热蒸发形成的蒸气。也就是说，常温下为液态的原料也可以通过所述气体供给部以气态的方式向所述反应腔提供。
气体可以是等离子体源气体，可以是但是并不限制于惰性气体、氮气、氟碳化合物，其中惰性气体举例但是并不限制于氦气或者是氩气，氟碳化合物可以是但是并不限制于四氟化碳。等离子体源气体可以是单一气体，也可以是两种或者是两种以上的气体的混合物。
气体可以是辅助气体，辅助气体可以和反应气体配合形成膜层，以赋予膜层一些预期的特性，比如说膜层的强度，膜层的柔韧性等。辅助气体可以是非碳氢气体，比如说氮气、氢气、氟碳气体等。辅助气体可以和反应气体同时向所述反应腔体10被供给，也可以根据需求按照先后的次序被通入。辅助气体的加入能够调节膜层中各元素的比例，碳氢键、碳氮键和氮氢键的比例，从而改变膜层的性质。
进一步地，在本实施例中，所述支架构件11和所述连接件12都被可导通地连接于所述放电装置30的所述脉冲电源31。也就是说，所述支架构件11和所述连接件12都是由导电材料制成的。
值得注意的是，由于所述支架构件11和所述连接件12都可以导电，因此所述支架构件11可以被可导通地连接于所述连接件12，或者所述支架构件11和所述连接件12被可导通地一体成型。藉由所述连接件12，多个所述支架构件11可以导通位于所述反应腔体20外的所述脉冲电源31。
换句话说，所述电极支架10和位于所述反应腔体20外的所述脉冲电源31不需要通过复杂的布线，就可以实现导通。
值得一提的是，当所述电极支架10的所述支架构件11的极性需要被改变时，直接改变所述支架构件11对应的所述连接件12和所述放电装置30的连接即可，十分的方便。
当然可以理解的是，多个所述连接件12中的一个所述连接件12是由导电材料制成的，就可以实现多个所述支架构件11和所述连接件12之间的导通。
更进一步地，所述连接件12可以是中空的，或者是实心的。当所述连接件12是中空的，导线可以通过所述连接件12内以不被暴露在外。
更进一步地，所述连接件12和所述支架构件11被相互可拆卸地安装，当所述待镀膜工件发生改变时，所述支架构件11可能需要更换，从而有利于所述电极支架10的所述支架构件11的类型的更换或者是后期的维护。
在本发明的另一些实施例中，每一所述支架构件11可以是由导电材料制成的，所述连接件12可以是由绝缘材料制成的，每一所述支架构件11可以被独立地连接于所述放电装置30。
值得注意的是，所述支架构件11具有多个布气口110，其中所述布气口110被均匀地布置，气体通过所述支架构件11的所述布气口110以有利于气体在所述电极支架10的均匀分布。
可选地，在本实施例中，所述布气口110的形状被设置为喇叭形状的，并且是倒喇叭形状的。
所述布气口110的直径范围大约为2mm到3mm，所述支架构件11的长宽尺寸范围可以是500mm*500mm到600mm*600mm，相邻所述支架构件11之间的间距可以是10mm～200mm。
进一步地，所述镀膜设备1进一步包括一抽气装置40、一进料装置50以及一控制装置60，其中所述抽气装置40和所述进料装置50被分别可连通地连接于所述反应腔体20，所述抽气装置40、所述进料装置50和所述放电装置30被分别可控制地连接于所述控制装置60。所述控制装置60用于控制所述反应腔体20内的进料流速、比例、压力、放电大小和放电频率等参数，以使得整个镀膜过程可控。
举例说明，所述进料装置50能够以50～500sccm的流量朝向所述反应腔体20输入Ar/N2/H2/CH4，以10～200sccm的流量朝向所述反应腔体20输入C2H2/O2，并且所述抽气装置40能够控制镀膜前的所述反应腔体20的真空度小于2×10-3Pa。在镀膜开始后，所述反应腔体20的镀膜真空度能够被保持在0.1～20Pa。
在镀膜过程中所述放电装置30产生的电压可以被保持在-300～-3500V，占空比：5～100％，频率：20～360KHz。镀膜时间大约在0.1个小时和5个小时之间。最后获得镀膜厚度不超过50nm。当然，随着镀膜时间的延长，镀膜的厚度可以变得更厚。
值得一提的是，通过所述镀膜设备1，可以获得透明的膜层。
更详细地说，在本发明的一些实施例中，利用所述镀膜设备1，可以获得无机膜层，比如说类金刚石膜层。举例说明，CxHy流量为50-1000sccm、惰性气体流量10～200sccm、H2的气体流量0～100sccm、真空反应腔100压力为0.01Pa～100Pa、射频功率10～800W，偏压电源电压-100V～-5000V、占空比10％～80％、镀膜时间5-300min。
不同气体之间的流量比决定了获得DLC膜层的原子比，影响了膜层质量，所述放电装置30的所述电源的大小决定了电离过程的温升、离化率和沉积速率等相关参数，镀膜时间过短将使得膜层较薄，硬度表现较差，镀膜时间过长将使得膜层较厚，影响到透明性。
参考附图3A所示，是根据本发明的上述较佳实施例的所述电极支架10的另一种实施方式被阐明。
所述电极支架10包括多层所述支架构件11，并且所述电极支架10的至少部分所述支架构件11被可导通地连接于所述脉冲电源31以作为阴极，所述电极支架10的至少部分所述支架构件11被可导通地连接于所述射频电源32以作为阳极。所述待镀膜工件可以被放置在作为阴极的所述支架构件11。
具体地说，所述电极支架10被分别导通于所述射频电源32和所述脉冲电源31，以作为阳极和阴极，并且阴极和阳极可以被交替地设置。
举例说明，当所述电极支架10是六层时，第一层、第三层和第五层的所述支架构件11可以作为阳极，第二层、第四层和第六层的所述支架构件11可以作为阴极时，所述待镀膜工件可以被放置在第二层、第四层和第六层的所述支架构件11。
第一层的所述支架构件11到第二层的所述支架构件11的距离、第三层的所述支架构件11到第四层的所述支架构件11的距离以及第五层的所述支架构件11到所述第六层的所述支架构件11的距离可以是相同的，以有利于为处于不同层的所述支架构件11营造类似的环境，以有利于处于不同位置的所述待镀膜工件的镀膜的均匀性。
进一步地，作为阳极的第一层、第三层和第五层的所述支架构件11被分别导通于所述射频电源32，作为阴极的第二层、第四层和第六层的所述支架构件11被分别导通于所述脉冲电源31。
可选地，相邻的连接于不同的电源的所述支架构件11可以通过一绝缘构件13′与所述连接件12相互绝缘，也就是说，所述连接件12的至少部分可以是由绝缘材料制成的，以使得相邻的所述支架构件11可以相互绝缘。每一所述支架构件11可以独立地被导通地连接于所述脉冲电源31或者所述射频电源32，比如说参考附图3B中所示。所述连接件12可以包括至少二导电部分和至少一绝缘部分，其中所述绝缘部分隔绝所述导电部分，所述导电部分被可导通地连接于至少一层所述支架构件11。
在本实施例中，作为阳极的多层所述支架构件11被可导通地连接于一个所述连接件12，作为阴极的多层所述支架构件11被可导通地连接于另一个所述连接件12。为了以示区别，可以成为所述连接件12A和所述连接件12B，其中作为阳极的多层所述支架构件11被可导通地连接于所述连接件12A，并且所述连接件12B和作为阳极的多层所述支架构件11相互绝缘。作为阴极的多层所述支架构件11被可导通地连接于所述连接件12B，并且所述连接件12A和作为阴极的多层所述支架构件11相互绝缘。
通过这样的方式，所述电极支架10和所述放电装置30的连接将十分的简单，不需要对于每一所述支架构件11进行复杂的布线，同时可以避免所述支架构件11和所述放电装置30之间的复杂的连接线对于镀膜环境造成不利的影响。
值得注意的是，根据本发明的另一些实施例，当多层所述支架构件11中的至少一层被连接于所述放电装置30的所述脉冲电源31以作为所述脉冲电源31的阴极时，多层的所述支架构件11的其他层所述支架构件11可以被接地或者被连接于所述脉冲电源31以作为所述脉冲电源31的阳极。
值得一提的是，所述电极支架10的所述支架构件11的极性可以根据需求被更换，比如说第二层的所述支架构件11可以作为阴极使用。当用户想要更换所述支架构件11的极性为阳极时，可以通过改变第二层的所述支架构件11和所述放电装置30的连接来实现。所述电极支架10的所述支架构件11和外界的连接也可以非常方便地被改变。
由于所述电极支架10的多个所述支架构件11能够通过统一的一个所述连接件11和外界导通，因此可以方便地改变所述电极支架10的所述支架构件11和外界的连接。比如说将所述连接件11自所述脉冲电源31改为连接于所述射频电源32。
进一步地，所述镀膜设备1包括一气体供给部70，其中所述气体供给部70被可连通地连接于所述进料装置50，其中所述气体供给部70位于所述反应腔。
在本实施例中，所述气体供给部70被设置于作为阳极的所述支架构件11。具体地说，所述支架构件11形成一气体通道1100并且所述支架构件11形成有多个布气口110，其中所述布气口110被分别连通于所述气体通道1100以使得所述气体通道1100内的气体可以被运输至所述布气口110。
当作为阳极的所述支架构件11被导通于所述射频电源32，位于所述气体通道1100内的气体的至少部分能够被电离以产生等离子体，然后自所述布气口110位置离开所述气体通道1100。在施加于作为阴极的所述支架构件11的所述脉冲电源31的作用下，等离子体中的正离子朝向作为阴极的所述支架构件11加速运动，从而有利于缩短镀膜时间，并且有利于镀膜强度。然后位于作为阴极的所述支架构件11的所述待镀膜工件被镀膜。
可选地，所述布气口110被均匀地布置在作为阳极的所述支架构件11并且朝向下一层的所述支架构件11。
对于整个所述电极支架10而言，所述布气口110能够深入到所述电极支架10的内部，从而有利于减轻气体不均匀的情况，以有利于镀膜的均匀性。
值得注意的是，所述气体供给部70也可以被设置于所述连接件12。当所述连接件12是一中空的立柱，所述气体通道1100能够形成于所述连接件12的内部并且被连通于形成于所述连接件12表面的所述布气口110，从而在所述支架构件11周围布气。通过所述连接件12和所述支架构件11的所述布气口110的布置，能够使得气体均匀地分布在所述待镀膜工件周围，以有利于后续镀膜的均匀性。
参考附图4所示，是根据本发明的上述较佳实施例的所述电极支架10的另一种实施方式。
所述电极支架10包括多层所述支架构件11，并且所述支架构件11包括一第一部分支架构件111和一第二部分支架构件112，其中所述第一部分支架构件111和所述第二部分支架构件112相互绝缘，并且所述第一部分支架构件111被支撑于所述第二部分支架构件112。
所述待镀膜工件可以被放置于所述支架构件11的所述第一部分支架构件111。
所述第一部分支架构件111被可导通地连接于所述脉冲电源31以作为阴极，所述第二部分支架构件112被作为所述气体供给部70用于布气。
所述布气口110形成于所述第二部分支架构件112并且朝向下一层的所述支架构件11。当所述待镀膜工件被放置在所述支架构件11的第一部分支架构件111，位于所述待镀膜工件上方的是另一层所述支架构件11的所述第二部分支架构件112。
所述第二部分支架构件112能够形成所述气体通道1100，并且所述气体通道1100被连通于所述布气口110。当气体自所述布气口110离开所述第二部分支架构件112，在所述射频电场和/或所述脉冲电场的作用下，气体中的至少部分能够被电离以形成等离子体，然后等离子体中的正离子能够朝向位于下方的所述第一部分支架构件111加速运动，从而沉积在被支撑于所述支架构件11的所述第一部分支架构件111的所述待镀膜工件的表面。
进一步地，所述第二部分支架构件112可以被可导通地连接于所述射频电源32，从而气体能够在所述第二部分支架构件112位置被电离，然后在作为阴极的所述第一部分支架构件111的作用下加速朝向所述待镀膜工件运动。
通过这样的方式，除了第一层的所述支架构件11，每一层的所述支架构件11可以被放置有所述待镀膜工件，以有利于所述电极支架10的增加空间利用率。
进一步地，每一所述支架构件11的所述第一部分支架构件111可以被可导通地连接于一个所述连接件12，从而和外界方便地导通，每一所述支架构件11的所述第二部分支架构件112可以被可导通地连接于另一所述连接件12，从而和外界方便地导通。同时，每一所述支架构件11的所述第一部分支架构件111和所述第二部分支架构件112之间相互绝缘。
根据本发明的另一方面，本发明提供所述电极支架10的一工作方法，其包括如下步骤：
所述电极支架10的至少一层所述支架构件11导通所述脉冲电源31以在至少一所述待镀膜工件周围放电形成所述脉冲电场，其中所述支架构件11作为所述脉冲电场的阴极。
根据本发明的至少一实施例，在上述方法中，通过支撑于所述支架构件11的至少一所述立柱导通所述支架构件11和位于所述反应腔体20外的所述脉冲电源31，其中所述电极支架10位于所述反应腔体20。
根据本发明的至少一实施例，所述电极支架10的工作方法进一步包括如下步骤：
所述电极支架10的至少一层所述支架构件11导通所述脉冲电源31以作为所述脉冲电源31的阳极，以在作为所述脉冲电源31的阳极和作为所述脉冲电源31的阴极之间形成所述脉冲电场。
根据本发明的至少一实施例，所述电极支架10的工作方法进一步包括如下步骤：
所述电极支架10的至少一层所述支架构件11导通所述射频电源32以作为所述射频电源32的阳极，以在作为所述射频电源32的阳极和作为所述脉冲电源31的阴极之间形成所述射频电场和所述脉冲电场。
根据本发明的至少一实施例，所述电极支架10的工作方法进一步包括如下步骤：
藉由至少一层所述支架构件11释放气体；和
电离气体以使得在所述脉冲电源31的阴极的作用下加速朝向所述待镀膜工运动。
本领域的技术人员应理解，上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明，在没有背离所述原理下，本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (20)

1.一电极支架，应用于一镀膜设备，该镀膜设备供至少一待镀膜工件镀膜，其中该镀膜设备包括一反应腔体和一脉冲电源，其中该脉冲电源用于在该反应腔体内提供一脉冲电场，其特征在于，包括：
多层布置的支架构件，其中每一层的所述支架构件被分别保持在预设的间距，其中至少一层的所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阴极。
2.根据权利要求1所述的电极支架，其中至少一层的所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阳极。
3.根据权利要求2所述的电极支架，其中作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件位于作为该脉冲电源的阳极的所述支架构件的下方，其中该镀膜工件被放置在作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件。
4.根据权利要求2所述的电极支架，其中作为该脉冲电源的阴极的所述支架构件和作为该脉冲电源的阳极的所述支架构件被交替地布置。
5.根据权利要求1所述的电极支架，其中至少一层的所述支架构件包括一支撑顶板和一支撑底板，并且所述支撑顶板和所述支撑底板之间预留有空间，并且所述支撑底板形成至少一布气口，该镀膜设备包括一气体供给部，其中至少一所述支架构件作为该气体供给部的至少部分。
6.根据权利要求5所述的电极支架，其中位于作为该气体供给部的所述支架构件下方的另一层所述支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为该脉冲电源的阴极。
7.根据权利要求5所述的电极支架，其中作为该气体供给部的所述支架构件被可导通地连接于该镀膜设备的一射频电源。
8.根据权利要求1所述的电极支架，其中至少一层所述支架构件包括一第一部分支架构件和一第二部分支架构件，其中所述第一部分支架构件位于所述第二部分支架构件上方并且被设置于所述第二部分支架构件，所述第一部分支架构件被可导通地连接于该脉冲电源以作为阴极。
9.根据权利要求8所述的电极支架，其中所述第二部分支架构件具有至少一气体传输通道和至少一布气口，其中所述布气口连通于所述气体传输通道，并且所述布气口被设置为朝向下一层的所述支架构件的所述第一部分支架构件。
10.根据权利要求9所述的电极支架，其中所述第二部分支架构件被绝缘地设置于所述第一部分支架构件。
11.根据权利要求1至10任一所述的电极支架，进一步包括至少一立柱，其中每一层所述支架构件分别间隔地被支撑于所述立柱。
12.根据权利要求11所述的电极支架，其中至少一所述支架构件被可导通地连接于所述立柱，并且通过所述立柱被可导通地连接于该反应腔体外的该脉冲电源。
13.根据权利要求11所述的电极支架，其中被支撑于所述立柱的相邻的所述支架构件之间的距离相同。
14.根据权利要求11所述的电极支架，进一步包括至少一绝缘件，其中所述绝缘件被分别设置于所述立柱的底端以隔绝所述电极支架和所述反应腔体。
15.根据权利要求11所述的电极支架，其中所述支架构件和所述立柱皆由不锈钢制成。
16.根据权利要求1至10任一所述的电极支架，其中相邻的所述支架构件的距离范围为10mm～200mm。
17.一电极支架的工作方法，其特征在于，包括如下步骤：
所述电极支架的至少一层支架构件导通一脉冲电源以在至少一待镀膜工件周围放电形成一脉冲电场，其中所述支架构件作为该脉冲电场的阴极。
18.根据权利要求17所述的工作方法，其中在上述方法中，通过支撑于所述支架构件的至少一立柱导通所述支架构件和位于一反应腔体外的所述脉冲电源，其中所述电极支架位于所述反应腔体。
19.根据权利要求17所述的工作方法，进一步包括如下步骤：
所述电极支架的至少一层所述支架构件导通所述脉冲电源以作为所述脉冲电源的阳极，以在作为所述脉冲电源的阳极和作为所述脉冲电源的阴极之间形成所述脉冲电场。
20.根据权利要求17所述的工作方法，进一步包括如下步骤：
藉由至少一层所述支架构件释放气体；和
电离气体以使得在所述脉冲电源的阴极的作用下加速朝向所述待镀膜工件运动。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021109424A1 (zh) * 2019-12-04 2021-06-10 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 电极支架、支撑结构、支架、镀膜设备及应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101845620A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 亚洲太阳科技有限公司 脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置
CN206948696U (zh) * 2017-07-04 2018-01-30 上海稷以科技有限公司 平板电极结构和等离子体沉积设备
CN108149217A (zh) * 2017-12-21 2018-06-12 中国科学院兰州化学物理研究所 一种提高类富勒烯薄膜结合力和摩擦学性能的方法
CN110224627A (zh) * 2019-05-24 2019-09-10 核工业西南物理研究院 一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101845620A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 亚洲太阳科技有限公司 脉冲加热多匣式化学气相沉积p-i-n镀膜装置
CN206948696U (zh) * 2017-07-04 2018-01-30 上海稷以科技有限公司 平板电极结构和等离子体沉积设备
CN108149217A (zh) * 2017-12-21 2018-06-12 中国科学院兰州化学物理研究所 一种提高类富勒烯薄膜结合力和摩擦学性能的方法
CN110224627A (zh) * 2019-05-24 2019-09-10 核工业西南物理研究院 一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021109424A1 (zh) * 2019-12-04 2021-06-10 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 电极支架、支撑结构、支架、镀膜设备及应用

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