WO2021106100A1 - 活性ガス生成装置 - Google Patents

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WO2021106100A1
WO2021106100A1 PCT/JP2019/046328 JP2019046328W WO2021106100A1 WO 2021106100 A1 WO2021106100 A1 WO 2021106100A1 JP 2019046328 W JP2019046328 W JP 2019046328W WO 2021106100 A1 WO2021106100 A1 WO 2021106100A1
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electrode
gas
base flange
dielectric film
active gas
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French (fr)
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謙資 渡辺
廉 有田
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東芝三菱電機産業システム株式会社
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32348Dielectric barrier discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
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    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
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    • H05H1/2406Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
    • H05H1/2431Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes using cylindrical electrodes, e.g. rotary drums

Definitions

  • the present invention relates to an active gas generator that generates an active gas by a parallel plate type dielectric barrier discharge and supplies the active gas to the processing space in the subsequent stage.
  • Patent Document 1 As an active gas generator that generates an active gas by a parallel plate type dielectric barrier discharge, for example, there is a nitrogen radical generation system disclosed in Patent Document 1.
  • the nitrogen radical generation system which is an active gas generator, uses a dielectric barrier discharge to generate a nitrogen radical, which is an active gas, from a nitrogen gas, which is a raw material gas, and ejects the active gas into a processing chamber.
  • the voltage applied to generate the dielectric barrier discharge in the discharge space between the first electrode and the second electrode causes dielectric breakdown even in the processing chamber of the processing chamber, which is the device after the active gas generator.
  • An abnormal discharge which is a discharge that causes metal contamination, is generated in the processing chamber by creating a region having an electric field strength to be generated.
  • the processing chamber Since the processing chamber is in a reduced pressure environment compared to the space inside the active gas generator, the ions generated by the abnormal discharge are accelerated by the electric field and collide with the wafer, which is the object to be processed in the processing chamber, causing damage to the wafer. There was a problem of giving.
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an active gas generator capable of intentionally weakening the electric field strength in the region where the active gas reaches the processing space in the subsequent stage.
  • the active gas generating device in the present invention is an active gas generating device that generates an active gas obtained by activating the raw material gas supplied to the discharge space, and is a first electrode component and the first electrode component.
  • a second electrode component provided below the above, and the first electrode component is formed on the upper surface of the first electrode dielectric film and the first electrode dielectric film. It has one metal electrode, and the second electrode component comprises a second electrode dielectric film and a second metal electrode formed on the lower surface of the second electrode dielectric film.
  • the second metal electrode is set to a ground potential, and the first and second electrode dielectric films face each other.
  • the discharge space includes a region where the first and second metal electrodes overlap in a plan view, and the dielectric film for the first electrode is a gas supply port for supplying the raw material gas to the discharge space.
  • the gas supply port is provided in a central portion so as not to overlap with the first metal electrode in a plan view, and the second electrode dielectric film ejects the active gas downward.
  • the first electrode component has an auxiliary conductive film formed on the upper surface of the first electrode dielectric film independently of the first metal electrode.
  • the discharge space is formed so as to surround the gas supply port without overlapping with the gas supply port in a plan view, and the at least one gas ejection hole is formed in a plan view.
  • the path leading to the active gas is defined as an active gas flow path
  • the auxiliary conductive film surrounds the first metal electrode without overlapping with the first metal electrode in a plan view, and the active gas is viewed in a plan view.
  • the active gas generator is provided in contact with a part of the upper surface of the auxiliary conductive film, further includes an electrode auxiliary member having conductivity, and the auxiliary conductive film is the electrode. The ground potential is set via the auxiliary member.
  • the auxiliary conductive film set to the ground potential via the electrode auxiliary member is provided so as to overlap a part of the active gas flow path in a plan view.
  • the active gas generator in the present invention can relax the electric field strength in the active gas flow path by the auxiliary conductive film set to the ground potential.
  • the auxiliary conductive film is formed so as to surround the first metal electrode without overlapping with the first metal electrode in a plan view.
  • the auxiliary conductive film can be set to the ground potential via the electrode auxiliary member without straddling the upper part of the first metal electrode, the auxiliary conductive film set to the ground potential and the AC voltage are applied.
  • the insulation can be separated from the first metal electrode relatively easily.
  • the electric field strength in the region where the active gas reaches the processing space is intentionally weakened, and the first metal electrode and the auxiliary conductive film have a relatively simple configuration. It has the effect of ensuring good insulation stability.
  • FIG. 1 It is explanatory drawing which shows the basic structure of the active gas generator which is Embodiment 1 of this invention. It is a top view which shows the top surface structure of the high voltage application electrode part shown in FIG. It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure of the high voltage application electrode part shown in FIG. It is a top view which shows the lower surface structure of the ground potential electrode part shown in FIG. It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure of the ground potential electrode part shown in FIG. It is a top view which shows the lower surface structure of the base flange shown in FIG. It is sectional drawing which shows the cross-sectional structure of the base flange shown in FIG. It is a top view which shows the top surface structure of the electrode holding member shown in FIG.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram showing a basic configuration of an active gas generator which is a prerequisite technique of the present invention.
  • FIG. 13 shows the XYZ Cartesian coordinate system.
  • the gas generator 200 of the prerequisite technology is an active gas generating device that generates an active gas 7 (nitrogen radical or the like) obtained by activating the raw material gas 5 (nitrogen gas or the like) supplied to the discharge space 6.
  • the gas generator 200 includes a metal housing 31, a gas supply port 32, an active gas generation electrode group 201, and an orifice portion 40 as main components.
  • the metal housing 31 is a housing for the metal gas generator 200 set to the ground potential, and the gas supply port 32 is attached to the upper portion, and the raw material gas 5 is sent from the gas supply port 32 to the metal housing 31. It is supplied to the space 33 inside the housing.
  • the active gas generation electrode group 201 is arranged in the housing internal space 33 of the metal housing 31 in the gas generator 200. Specifically, the active gas generation electrode group 201 is arranged on the bottom surface of the metal housing 31. An orifice portion 40 is incorporated in a part of the bottom surface of the metal housing 31.
  • the active gas generation electrode group 201 is composed of a combination of the high voltage application electrode portion 1 which is the first electrode constituent portion and the ground potential electrode portion 2 which is the second electrode constituent portion, and is composed of the ground potential electrode portion 2. Is provided below the high voltage application electrode portion 1.
  • the high voltage application electrode portion 1 includes an electrode dielectric film 11 which is a first electrode dielectric film, and a metal electrode 10 which is a first metal electrode formed on the upper surface of the electrode dielectric film 11. Is the main component.
  • the high voltage application electrode portion 1 is formed on the upper surface of the electrode dielectric film 11 independently of the metal electrode 10, and further has a conductive metal auxiliary conductive film 12.
  • the auxiliary conductive film 12 is provided between at least one gas ejection hole 25 and the metal metal electrode 10 in a plan view.
  • the metal auxiliary conductive film 12 may overlap with at least one gas ejection hole 25 in a plan view.
  • the metal electrode 10 and the auxiliary conductive film 12 are provided on the upper surface of the electrode dielectric film 11 by using, for example, a sputtering method or a printing firing method.
  • the ground potential electrode portion 2 is mainly composed of an electrode dielectric film 21 which is a second electrode dielectric film and a metal electrode 20 which is a second metal electrode formed on the lower surface of the electrode dielectric film 21. It has as a component.
  • the metal electrode 20 is provided on the lower surface of the electrode dielectric film 21 by using a sputtering method, a printing firing method, or the like.
  • the electrode dielectric film 11 of the high voltage application electrode portion 1 and the electrode dielectric film 21 of the ground potential electrode portion 2 are installed so as to be provided with a predetermined constant interval by a spacer or the like (not shown). ..
  • an AC voltage is applied between the metal electrode 10 and the metal electrode 20 from the high frequency power supply 9. Specifically, an AC voltage is applied to the metal electrode 10 from the high-frequency power source 9, and the metal electrode 20 and the auxiliary conductive film 12 are set to the ground potential via the metal housing 31 to which the ground potential is applied.
  • a discharge space 6 is provided including a region where the metal electrodes 10 and 20 overlap in a plan view.
  • the shape of the upper surface of the electrode dielectric film 11 and the lower surface of the electrode dielectric film 21 may be flush with each other, or may be provided with a predetermined shape.
  • a concavo-convex shape that becomes an obstacle may be provided so that creepage discharge does not occur between the metal electrode 10 and the auxiliary conductive film 12.
  • the electrode dielectric film 21 has at least one gas ejection hole 25 for finally ejecting the active gas 7 into the external processing space 63.
  • the orifice portion 40 is provided below the dielectric film 21 for electrodes, and has at least one through hole 49 corresponding to at least one gas ejection hole 25.
  • the orifice portion 40 uses one of ceramic, glass, and sapphire as a constituent material.
  • an AC voltage is applied between the metal electrodes 10 and 20 from the high frequency power source 9 to generate a dielectric barrier discharge in the discharge space 6 of the active gas generation electrode group 201. ..
  • the raw material gas 5 is supplied from the gas supply port 32 into the housing internal space 33 of the metal housing 31, and the raw material gas 5 is circulated from the outer peripheral portion of the active gas generation electrode group 201 to the inside.
  • the active gas 7 is generated by activating the raw material gas 5 in the discharge space 6, and the generated active gas 7 is at least one from the discharge space 6 in the dielectric space. It flows through an active gas flow path, which is a path leading to one gas ejection hole 25.
  • the active gas 7 flowing through the active gas flow path is finally supplied to the subsequent processing space 63 along the gas flow 15 via at least one gas ejection hole 25 and the through hole 49 of the orifice portion 40.
  • the auxiliary conductive film 12 is provided so as to overlap a part of the active gas distribution path in a plan view.
  • the gas generator 200 of the prerequisite technology has the following features (1) and (2).
  • the auxiliary conductive film 12 is provided so as to overlap a part of the active gas flow path in a plan view.
  • the auxiliary conductive film 12 is set to the ground potential.
  • the gas generator 200 of the present embodiment has the above-mentioned features (1) and (2), and is provided with the auxiliary conductive film 12 which is an auxiliary conductive film set to the ground potential. The strength can be relaxed.
  • the gas generator 200 of the present embodiment intentionally weakens the electric field strength of the active gas flow path and the processing space 63 provided below the orifice portion 40 without changing the structure of the orifice portion 40. It has the effect of being able to do it.
  • the metal electrode 10 to which the high voltage is applied and the auxiliary conductive film 12 to be grounded are formed independently of each other in the high voltage application electrode portion 1.
  • the auxiliary conductive film 12 is arranged inside the metal electrode 10 in a plan view.
  • the auxiliary conductive film 12 and the bottom surface or the side surface of the metal housing 31 are electrically connected by using a conductive connecting member. There is a way to do it.
  • the connecting member needs to be provided in the space 33 inside the housing, the connecting member needs to straddle the metal electrode 10. At this time, the connecting member and the metal electrode 10 are connected to each other. As a matter of course, it is necessary to ensure reliable insulation between them.
  • the periphery of the conductive connecting member it is not preferable to cover the periphery of the conductive connecting member with an insulating member made of various materials. This is because when the insulating member covering the connecting member evaporates, the evaporated insulating member flows directly to the discharge space 6 and the processing space 63.
  • the second setting method for setting the ground potential is a method of electrically connecting to the auxiliary conductive film 12 from the upper surface of the metal housing 31 by using a connecting member having conductivity.
  • the connecting member is pressed by the elastic member using an elastic member such as a spring when the lid of the metal housing 31 is closed (Aspect A), or the metal housing 31.
  • a mode (aspect B) in which a through hole is provided in the lid and an existing introduction terminal serving as a connecting member is used for connection is conceivable.
  • the connecting member and its peripheral structure an elastic member is used, a hole is provided on the upper surface of the metal housing 31, and the connecting member is dedicated. There is a problem that it is unavoidable to complicate the operation (such as using an introduction terminal).
  • the problems of the above-mentioned prerequisite technology are solved, the electric field strength in the region where the active gas reaches the processing space in the subsequent stage is intentionally weakened, and the electric field strength is relatively weakened. It is an object of the present invention to obtain an active gas generator capable of stably ensuring the insulating property between the first metal electrode and the auxiliary conductive film with a simple configuration.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing a basic configuration of an active gas generator according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 shows an XYZ Cartesian coordinate system.
  • the active gas generator 101 of the first embodiment is an active gas generating device that generates an active gas 7 (nitrogen radical or the like) obtained by activating the raw material gas 5 (nitrogen gas or the like) supplied to the discharge space 6. ..
  • the active gas generator 101 includes a metal housing 3, a base flange 4, a high voltage application electrode portion 1 (including an auxiliary conductive film 18), a ground potential electrode portion 2, and an electrode holding member 8 as main components. ..
  • the metal housing 3 is a metal housing set to a ground potential and having an opening at the bottom.
  • the metal housing 3 is fixed to the base flange 4 with the metal base flange 4 as the bottom surface. Therefore, the opening of the metal housing 3 is shielded by the base flange 4, and the space 33 inside the housing is formed by the metal housing 3 and the base flange 4.
  • a gas supply port 30 is attached near the upper end of the metal housing 3, and the raw material gas 5 is supplied to the housing internal space 33 from the gas supply port 30.
  • a laminated structure of the high voltage application electrode portion 1 and the ground potential electrode portion 2 is arranged in the housing internal space 33 of the active gas generator 101. Specifically, the ground potential electrode portion 2 is arranged on the upper surface of the base flange 4 in such a manner that the metal electrode 20 comes into contact with the upper surface of the base flange 4.
  • the conductive base flange 4 contacts the metal electrode 20 to support the ground potential electrode portion 2.
  • the combination of the high voltage application electrode portion 1 which is the first electrode constituent portion and the ground potential electrode portion 2 which is the second electrode constituent portion constitutes an electrode pair having a discharge space 6 inside, and the ground potential electrode portion 2 is provided below the high voltage application electrode portion 1.
  • the high voltage application electrode portion 1 includes an electrode dielectric film 11 which is a first electrode dielectric film, and a metal electrode 10 which is a first metal electrode formed on the upper surface of the electrode dielectric film 11. Is the main component.
  • the high voltage application electrode portion 1 is formed on the upper surface of the electrode dielectric film 11 independently of the metal electrode 10, and further has an auxiliary conductive film 18 made of metal and having conductivity.
  • the metal electrode 10 and the auxiliary conductive film 18 are provided on the upper surface of the electrode dielectric film 11 by using, for example, a sputtering method or a printing firing method.
  • the ground potential electrode portion 2 is mainly composed of an electrode dielectric film 21 which is a second electrode dielectric film and a metal electrode 20 which is a second metal electrode formed on the lower surface of the electrode dielectric film 21. It has as a component.
  • the metal electrode 20 is provided on the lower surface of the electrode dielectric film 21 by using a sputtering method, a printing firing method, or the like.
  • an AC voltage is applied between the metal electrode 10 and the metal electrode 20 from the high frequency power supply 9. Specifically, an AC voltage is applied to the metal electrode 10 from the high frequency power supply 9, and the metal electrode 20 is set to the ground potential via the base flange 4.
  • a discharge space 6 is provided in a closed space 28 which is a dielectric space in which the electrode dielectric film 11 and the electrode dielectric film 21 face each other, including a region where the metal electrodes 10 and 20 overlap in a plan view.
  • the shape of the upper surface of the electrode dielectric film 11 and the lower surface of the electrode dielectric film 21 may be flush with each other, or may be provided with a predetermined shape.
  • a concavo-convex shape that becomes an obstacle may be provided so that creepage discharge does not occur between the metal electrode 10 and the auxiliary conductive film 18.
  • the electrode dielectric film 21 has a plurality of gas ejection holes 23 (at least one gas ejection hole) for ejecting the active gas 7 into the lower (post-stage) processing space 63 through the gas ejection hole 43 of the base flange 4. )have.
  • a part of the base flange 4 exists below the electrode dielectric film 21 without passing through the metal electrode 20, and a plurality of gas ejection holes 43 (at least one base flange gas) corresponding to the plurality of gas ejection holes 23. It has a ejection hole).
  • FIG. 2 is a plan view showing the upper surface configuration of the high voltage application electrode portion 1 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the high voltage application electrode portion 1.
  • the AA cross section of FIG. 2 is shown in FIG.
  • the XYZ Cartesian coordinate system is shown in each of FIGS. 2 and 3.
  • the electrode dielectric film 11 of the high voltage application electrode portion 1 has a circular shape in a plan view, and is used to supply the raw material gas 5 of the housing internal space 33 to the discharge space 6.
  • the gas supply port 13 is provided in the central portion. The gas supply port 13 is formed so as to penetrate the dielectric film 11 for electrodes.
  • the metal electrode 10 is formed in an annular shape so as to surround the gas supply port 13 without overlapping the gas supply port 13 in a plan view.
  • the auxiliary conductive film 18 is formed in an annular shape so as to surround the metal electrode 10 along the outer circumference of the electrode dielectric film 11 without overlapping with the metal electrode 10 in a plan view.
  • FIG. 4 is a plan view showing the lower surface configuration of the ground potential electrode portion 2 shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the ground potential electrode portion 2.
  • the BB cross section of FIG. 4 is shown in FIG.
  • the XYZ Cartesian coordinate system is shown in FIGS. 4 and 5, respectively.
  • the metal electrode 20 of the ground potential electrode portion 2 is formed in a circular shape in a plan view in the central region of the lower surface of the electrode dielectric film 21.
  • the metal electrode 20 is formed so as to include all the metal electrodes 10 in a plan view
  • the discharge space 6 in which the metal electrode 20 and the metal electrode 10 overlap in a plan view is substantially formed of the metal electrode 10. Specified by region.
  • the electrode dielectric film 21 of the ground potential electrode portion 2 has a circular shape in a plan view, and a plurality of gas ejection holes 23 (at least one gas) for ejecting the active gas 7 generated in the discharge space 6 downward. It has a ejection hole). Each of the plurality of gas ejection holes 23 is formed so as to penetrate the electrode dielectric film 21.
  • the plurality of gas ejection holes 23 are discretely provided along the circumferential direction so as to surround the metal electrode 20 without overlapping with the metal electrode 20 in a plan view.
  • the electrode dielectric film 21 integrally has a protruding region 21t that protrudes upward along the outer circumference in a plan view.
  • the electrode dielectric films 11 and 21 are laminated so that the lower surface of the electrode dielectric film 11 contacts the upper surface of the protruding region 21t of the electrode dielectric film 21.
  • the electrodes dielectric films 11 and 21 are laminated by contacting the surfaces of the lower surface of the electrode dielectric film 11 and the upper surface of the protruding region 21t.
  • a closed space 28 completely isolated from the outside is formed. can do. That is, the space inside the housing 33 and the closed space 28 are connected only via the gas supply port 13 for supplying the discharge space 6.
  • the gap length of the discharge space 6 can be defined by the protruding height from the upper surface of the electrode dielectric film 21 in the protruding region 21t.
  • the protruding region 21t may be formed of a separate component from the electrode dielectric film 21.
  • This closed space 28 serves as a dielectric space in which the electrode dielectric films 11 and 21 face each other.
  • a discharge space 6 is provided in the closed space 28, and the discharge space 6 is a space in the closed space 28 including a region in which the metal electrodes 10 and 20 overlap in a plan view.
  • the metal electrode 10 does not overlap with the gas supply port 13 in a plan view
  • the discharge space 6 does not overlap with the gas supply port 13 in a plan view
  • the gas follows the plan shape of the metal electrode 10. It will be formed so as to surround the supply port 13.
  • the plurality of gas ejection holes 23 are arranged so that the distance from the gas supply port 13 is longer than that of the discharge space 6 without overlapping the gas supply port 13 and the discharge space 6 (metal electrode 10) in a plan view.
  • the path from the discharge space 6 to each of the plurality of gas ejection holes 23 in the closed space 28 is defined as an active gas flow path through which the active gas 7 flows.
  • the auxiliary conductive film 18 when the gas supply port 13 is set as the center position, the auxiliary conductive film 18 is located outside the discharge space 6 in a plan view and inside a plurality of gas ejection holes 23 in a plan view. Become. Therefore, the auxiliary conductive film 18 overlaps a part of the active gas flow path in a plan view. As shown in FIG. 1, it is desirable that a part of the auxiliary conductive film 18 overlaps with a plurality of gas ejection holes 23 in a plan view. This is because the electric field strength at the end of the active gas flow path can be reliably reduced.
  • the plurality of gas ejection holes 23 can have an orifice function.
  • the "orifice function” means a function of lowering the pressure in the region after passage from the pressure in the region before passage with respect to the region before and after the passage of the gas passage portion (gas ejection hole 23). ing.
  • FIG. 6 is a plan view showing the lower surface configuration of the base flange 4 shown in FIG. 1
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the base flange 4.
  • the CC cross section of FIG. 6 is shown in FIG.
  • the XYZ Cartesian coordinate system is shown in each of FIGS. 6 and 7.
  • the base flange 4 has a circular shape in a plan view, and the base flange 4 has a plurality of gas ejection holes 43 (at least one gas ejection hole for the base flange). ing. Each of the plurality of gas ejection holes 43 penetrates the base flange 4. Further, a ground potential is applied to the base flange 4 made of metal and having conductivity.
  • the plurality of gas ejection holes 43 are discretely provided along the circumferential direction so as to surround the gas supply port 13 in a plan view.
  • the plurality of gas ejection holes 43 of the base flange 4 correspond to the plurality of gas ejection holes 23, and are formed at positions corresponding to the plurality of gas ejection holes 23 in a plan view on the upper surface. That is, a plurality of gas ejection holes 43 are provided directly below the plurality of gas ejection holes 23. Therefore, among the plurality of gas ejection holes 23 and the plurality of gas ejection holes 43, the gas ejection holes 43 are provided directly below the gas ejection holes 23 which are in a corresponding relationship with each other.
  • the plurality of gas ejection holes 43 are formed so as to be inclined in the direction of the center position (the position where the gas supply port 13 is provided) from the upper surface to the lower surface of the base flange 4.
  • the forming position on the lower surface is inside in a plan view as compared with the forming position on the upper surface.
  • the plurality of gas ejection holes 43 can have an orifice function.
  • the "orifice function” means a function of lowering the pressure in the region after passage from the pressure in the region before passage with respect to the regions before and after the passage of the plurality of gas ejection holes 43 which are gas passage portions. ..
  • the plurality of gas ejection holes 23 closer to the discharge space 6 have an orifice function as compared with the plurality of gas ejection holes 43. It is desirable to let it.
  • FIG. 8 is a plan view showing the upper surface configuration of the electrode pressing member 8 shown in FIG. 1, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the electrode pressing member 8.
  • the DD cross section of FIG. 8 is shown in FIG.
  • the XYZ Cartesian coordinate system is shown in FIGS. 8 and 9, respectively.
  • the electrode pressing member 8 which is a metal electrode auxiliary member is a member for pressing the auxiliary conductive film 18 from above, exhibits an annular shape in a plan view, and is an upper surface of the auxiliary conductive film 18. It is provided in such a manner that it comes into contact with a part of.
  • the electrode pressing member 8 includes an integrated standing portion 8a and pressing portion 8b.
  • the erection portion 8a is erected on the upper surface of the base flange 4 along the outer circumferences of the electrode dielectric films 11 and 21 at a slight distance from the side surfaces of the electrode dielectric films 11 and 21.
  • the pressing portion 8b is formed so as to extend in the horizontal direction (X direction) from the upper portion of the standing portion 8a toward the auxiliary conductive film 18.
  • the pressing portion 8b of the electrode pressing member 8 is formed inward with a predetermined width along the outer circumference of the electrode dielectric film 11, and the predetermined width is the auxiliary conductive film 18.
  • the value is set so that it contacts a part of the upper surface and does not overlap with the metal electrode 10 in a plan view.
  • the pressing portion 8b of the electrode pressing member 8 is provided further away from the metal electrode 10 than the insulating distance ⁇ D1. Therefore, the electrode pressing member 8, the auxiliary conductive film 18, and the metal electrode 10 are electrically independent.
  • the erection portion 8a comes into contact with the upper surface of the base flange 4 to electrically connect with the base flange 4, and the erection portion 8a is It is fixed on the upper surface of the base flange 4.
  • the auxiliary conductive film 18 can be set to the ground potential relatively easily through the base flange 4 and the electrode pressing member 8.
  • the electrode pressing member 8 Since the electrode pressing member 8 is provided on the opposite side of the metal electrode 10 with reference to the auxiliary conductive film 18, the electrode pressing member 8 does not straddle the upper part of the metal electrode 10.
  • the auxiliary conductive film 18 sufficiently secures the insulation distance ⁇ D1 from the metal electrode 10 and the electrode pressing member 8 is formed further away from the insulating distance ⁇ D1, the auxiliary conductive film 18 and the electrode pressing member 8 are formed. It is not necessary to cover the member 8 and the like with an insulating member.
  • the raw material gas 5 is activated in the discharge space 6 included in the closed space 28 which is a dielectric space, so that the active gas 7 can be obtained.
  • the active gas 7 obtained from the discharge space 6 flows along the gas flow 15 along the active gas flow path in the closed space 28, and then is ejected from the plurality of gas ejection holes 23 toward the lower base flange 4. To.
  • the active gas 7 ejected downward from the plurality of gas ejection holes 23 is supplied to the plurality of gas ejection holes 43 of the base flange 4 provided corresponding to the plurality of gas ejection holes 23. Further, the active gas 7 is supplied from the plurality of gas ejection holes 43 to the lower processing space 63 along the gas flow 15. In this way, the processing space 63 is provided after the active gas generator 101.
  • a gap is shown between the plurality of gas ejection holes 23 and the plurality of gas ejection holes 43 in FIG. 1, in reality, a plurality of gas ejection holes 23 and a plurality of gas ejection holes 23 are used by using an O-ring or the like.
  • the gas ejection hole 43 is sealed so that the active gas 7 flows only between the corresponding gas ejection holes 23 and 43.
  • the flow path of the active gas 7 between the ground potential electrode portion 2 and the base flange 4 is also sealed by using an O-ring or the like to apply a high voltage to the metal electrode 10 and the metal electrode set to the ground potential. Ensure pressure between the space to which 20 is exposed (the space inside the housing 33 (including the space formed between the side surface of the end of the metal electrode 20 and the standing portion 8a of the electrode pressing member 8)) and the discharge space 6. It becomes possible to separate into.
  • the auxiliary conductive film 18 set to the ground potential via the electrode pressing member 8 which is an electrode auxiliary member overlaps a part of the active gas distribution path in a plan view. It is provided to do so.
  • the active gas generator 101 can relax the electric field strength in the active gas flow path by the auxiliary conductive film 18 set to the ground potential.
  • the auxiliary conductive film 18 is formed so as to surround the metal electrode 10 without overlapping with the metal electrode 10 (first metal electrode) in a plan view.
  • the auxiliary conductive film 18 can be set to the ground potential via the electrode pressing member 8 without straddling the upper part of the metal electrode 10, the ground potential is set as an auxiliary.
  • the conductive film 18 and the metal electrode 10 to which an AC voltage is applied can be separated from each other by insulation relatively easily.
  • the electric field strength in the region where the active gas 7 reaches the processing space 63 through the active gas flow path and the plurality of gas ejection holes 43 is intentionally weakened, and With a relatively simple configuration, the effect of ensuring stable insulation between the metal electrode 10 and the auxiliary conductive film 18 can be obtained.
  • the electric field strength of the processing space 63 provided below (rear stage) of the plurality of gas ejection holes 23 can be intentionally weakened.
  • a closed space 28 sealed from the outside is formed as a dielectric space between the high voltage application electrode portion 1 and the ground potential electrode portion 2. Therefore, by setting the diameter of the gas supply port 13 of the electrode dielectric film 11 to be sufficiently narrow to have an orifice function, the space inside the housing becomes the closed space 28 including the discharge space 6 and the space outside the closed space 28. A desired pressure difference can be provided between 33 and 33.
  • the "orifice function" means a function of lowering the pressure in the region after passage from the pressure in the region before passage with respect to the region before and after the passage of the gas supply port 13 which is the gas passage portion.
  • the pressure in the housing interior space 33 which is the space where the upper surface of the metal electrode 10 is mainly exposed, is sufficiently increased, the pressure in the closed space 28 including the discharge space 6 can be set relatively low. Therefore, by sufficiently increasing the pressure in the housing internal space 33, it is possible to effectively suppress the dielectric breakdown of the gas in the housing internal space 33.
  • the metal housing 3 can be formed small and the active gas generator 101 can be miniaturized.
  • the active gas generator 101 the auxiliary conductive film 18 is pressed from above by the electrode pressing member 8 fixed to the base flange 4. Therefore, the active gas generator 101 can stably fix the high voltage application electrode portion 1 and the ground potential electrode portion 2 on the base flange 4 by the electrode pressing member 8.
  • the auxiliary conductive film 18 is formed on the outer peripheral region side of the metal electrode 10, the auxiliary conductive film 18 is compared by the electrode pressing member 8 provided on the outer peripheral region side of the electrode dielectric film 11. It can be easily pressed.
  • a means for fixing the pressing portion 8b of the electrode pressing member 8 and a part of the upper surface of the auxiliary conductive film 18 in contact with each other for example, screwing using bolts, nuts, or the like can be considered.
  • the auxiliary conductive film 18 can be set to the ground potential via the base flange 4 and the electrode pressing member 8. Therefore, the auxiliary conductive film 18 can be set to the ground potential without providing a connecting member above the metal electrode 10. Therefore, the insulating property between the auxiliary conductive film 18 and the metal electrode 10 can be ensured with a relatively simple configuration.
  • the metal electrode 20, which is the second metal electrode can be set to the ground potential relatively easily via the base flange 4. Further, since the base flange 4 is made of metal and has conductivity, the electric field does not leak to the lower processing space 63.
  • the active gas 7 can be ejected from the plurality of gas ejection holes 43 (at least one gas ejection hole for the base flange) into the lower (post-stage) processing space 63, the presence of the base flange 4 is the presence of the active gas 7. It does not interfere with the ejection function.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing a basic configuration of an active gas generator according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 shows the XYZ Cartesian coordinate system.
  • the active gas generator 102 of the second embodiment is an active gas generator that activates the raw material gas 5 supplied to the discharge space 6 to generate the active gas 7.
  • the active gas generator 102 of the second embodiment has the same structure as the active gas generator 101 of the first embodiment except that the base flange 4 is replaced with the base flange 4B.
  • the same components of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.
  • the active gas generator 102 includes a metal housing 3, a base flange 4B, a high voltage application electrode portion 1 (including an auxiliary conductive film 18), a ground potential electrode portion 2, and an electrode holding member 8 as main components. ..
  • FIG. 11 is a plan view showing the lower surface configuration of the base flange 4B shown in FIG. 1
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing the cross-sectional structure of the base flange 4B.
  • the XYZ Cartesian coordinate system is shown in FIGS. 11 and 12, respectively.
  • the base flange 4B has a circular shape in a plan view, has a plurality of gas supply ports 51 on the upper surface, and has a plurality of gas ejection holes 54 (plurality) on the lower surface. Has a gas ejection hole for the base flange). Further, a ground potential is applied to the base flange 4B.
  • the upper surface of the base flange 4B is discretely arranged along the circumferential direction so as to surround the gas supply port 13 in the same manner as the plurality of gas ejection holes 43 of the first embodiment (see FIG. 6) in a plan view.
  • a gas supply port 51 is provided.
  • the plurality of gas supply ports 51 of the base flange 4B correspond to the plurality of gas ejection holes 23, and are formed at positions corresponding to the plurality of gas ejection holes 23 in a plan view on the upper surface. That is, a plurality of gas supply ports 51 are provided directly below the plurality of gas ejection holes 23. Therefore, among the plurality of gas ejection holes 23 and the plurality of gas supply ports 51, the gas supply port 51 is provided directly below the gas ejection holes 23 which are in a corresponding relationship with each other.
  • each of the plurality of gas supply ports 51 is connected to an intermediate region 52 provided inside the base flange 4B, and a plurality of gas ejection holes 54 are connected to the intermediate region 52, respectively.
  • the combination structure of the plurality of gas supply ports 51 and the intermediate region 52 is the gas relay passage 50.
  • the intermediate region 52 extends in the horizontal direction (X direction) and is provided inside the base flange 4B. Therefore, the active gas 7 supplied to the plurality of gas supply ports 51 is finally ejected downward from the plurality of gas ejection holes 54 via the intermediate region 52.
  • the plurality of gas ejection holes 54 are arranged on the lower surface of the base flange 4B in a so-called shower plate shape which is radially separated and arranged in a plan view.
  • the plurality of gas ejection holes 54 can be provided with an orifice function. Since the lower the pressure of the active gas, the longer the life of the active gas, it is desirable that the plurality of gas ejection holes 23 closer to the discharge space 6 have an orifice function as compared with the plurality of gas ejection holes 54.
  • the plurality of active gases 7 ejected downward from the plurality of gas ejection holes 23 of the electrode dielectric film 21 are plural. It is supplied to a plurality of gas supply ports 51 of the base flange 4B provided corresponding to the gas ejection holes 23 of the above.
  • the active gas 7 is supplied from the plurality of gas supply ports 51 to the processing space 63 below from the plurality of gas ejection holes 54 via the intermediate region 52. In this way, the processing space 63 is provided after the active gas generator 102.
  • the active gas 7 is the active gas flow path, the gas relay passage 50, and the plurality of gases.
  • the active gas generator 102 In the active gas generator 102, the auxiliary conductive film 18 is pressed from above by the electrode pressing member 8 fixed to the base flange 4B. Therefore, the active gas generator 102 can stably fix the high voltage application electrode portion 1 and the ground potential electrode portion 2 on the base flange 4B by the electrode pressing member 8.
  • the auxiliary conductive film 18 is set to the ground potential via the base flange 4B and the electrode pressing member 8, so that the metal electrode has a relatively simple configuration.
  • the auxiliary conductive film 18 can be set to the ground potential while ensuring the insulation property with 10.
  • the metal electrode 20, which is the second metal electrode can be set to the ground potential relatively easily via the base flange 4B. Further, since the base flange 4 is made of metal and has conductivity, the electric field does not leak to the lower processing space 63.
  • the base flange 4B can eject the active gas 7 from the plurality of gas ejection holes 54 (the plurality of gas ejection holes for the base flange) into the lower processing space 63 via the gas relay passage 50. , The presence of the base flange 4B does not interfere with the ejection function of the active gas 7.
  • the plurality of gas ejection holes 54 of the base flange 4B are radially separated and arranged in a plan view, that is, arranged in a shower plate shape, the wafer and the like in the processing space 63 to which the active gas 7 is ejected, etc.
  • the active gas 7 can be uniformly ejected over the entire surface of the object to be treated.
  • the raw material gas 5 used in the active gas generators 101 and 102 of the above-described embodiment is preferably a gas containing at least one of hydrogen, nitrogen, oxygen, fluorine, and chlorine gas.
  • nitrogen or oxygen is used as the raw material gas 5
  • an insulating film of a nitride film or an oxide film can be formed.
  • fluorine or chlorine gas is used as the raw material gas 5
  • the activated fluorine gas or chlorine gas can be used as the etching gas or the cleaning gas.
  • hydrogen or nitrogen is used as the raw material gas 5
  • the surface of a predetermined object such as a substrate can be hydrogenated or nitrided by the activated hydrogen gas or nitriding gas to perform surface modification treatment.
  • planar shapes of the electrode dielectric film 11, the metal electrode 20, the electrode dielectric film 21, and the base flanges 4 and 4B are circular, but other planar shapes such as a rectangular shape. May be formed with.
  • the planar shape of the electrode pressing member 8 and the auxiliary conductive film 18 is an annular shape, but it may be formed in another planar shape such as a rectangular shape having an internal space.

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Abstract

本発明は、活性ガスが後段の処理空間に至るまでの領域における電界強度を意図的に弱めることができる活性ガス生成装置を提供することを目的とする。そして、本発明は、高電圧印加電極部(1)と接地電位電極部(2)との組合せにより内部に放電空間(6)を有する電極対が構成される。高電圧印加電極部(1)は、電極用誘電体膜(11)と、電極用誘電体膜(11)の上面上に形成される金属電極(10)とを主要構成部として有している。補助導電膜(18)は、平面視して金属電極(10)と重複することなく、金属電極(10)を囲むように円環状に形成される。金属製の電極押え部材(8)は、平面視して円環状を呈し、補助導電膜(18)の上面の一部に接触する態様で設けられ、金属製のベースフランジ(4)に固定される。ベースフランジ(4)には接地電位が付与される。

Description

活性ガス生成装置
 本発明は、平行平板方式の誘電体バリア放電で活性ガスを生成し、後段の処理空間に活性ガスを供給する活性ガス生成装置に関する。
 平行平板方式の誘電体バリア放電で活性ガスを生成する活性ガス生成装置として、例えば特許文献1に開示された窒素ラジカル生成システムが存在する。
 特許文献1で開示された従来の活性ガス生成装置では、装置後段に処理空間を有する処理チャンバーが設けられている。
 活性ガス生成装置である窒素ラジカル生成システムは、誘電体バリア放電を利用して、原料ガスである窒素ガスから活性ガスである窒素ラジカルを生成し、活性ガスを処理チャンバーに噴出している。
特許第6239483号公報
 特許文献1で開示された従来の活性ガス生成装置では、互いに対向する第一電極と第二電極とに印加された電圧が、後段の処理空間に異常放電を起こすことが想定される。
 すなわち、第一電極,第二電極間の放電空間にて誘電体バリア放電を発生させるために印加する電圧は、活性ガス生成装置の後段の装置である処理チャンバーの処理室内においても絶縁破壊を生じさせる電界強度をもつ領域を生み、上記処理室内でメタルコンタミネーションの発生原因となる放電である異常放電を発生させてしまう。
 上記処理室は活性ガス生成装置内の空間に比べて減圧環境下であるため、異常放電で発生したイオンが電界によって加速され、処理室内の処理対象物であるウェハに衝突し、ウェハにダメージを与えてしまう問題点があった。
 また、活性ガス生成装置内においても、活性ガスが処理室に至るまでの領域における電界強度が高い場合、放電空間以外の領域で意図しない放電現象が生じる可能性があり、装置の内部表面が破損する等の問題点があった。
 本発明では、上記のような問題点を解決し、活性ガスが後段の処理空間に至るまでの領域における電界強度を意図的に弱めることができる活性ガス生成装置を提供することを目的とする。
 この発明における活性ガス生成装置は、放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、第1の電極構成部と前記第1の電極構成部の下方に設けられる第2の電極構成部とを備え、前記第1の電極構成部は、第1の電極用誘電体膜と前記第1の電極用誘電体膜の上面上に形成される第1の金属電極とを有し、前記第2の電極構成部は、第2の電極用誘電体膜と前記第2の電極用誘電体膜の下面上に形成される第2の金属電極とを有し、前記第1の金属電極に交流電圧が印加され、前記第2の金属電極が接地電位に設定され、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が対向する誘電体空間内において、前記第1及び第2の金属電極が平面視して重複する領域を前記放電空間として含み、前記第1の電極用誘電体膜は、前記原料ガスを前記放電空間に供給するためのガス供給口を中央部に有し、前記ガス供給口は平面視して前記第1の金属電極と重複することなく設けられ、前記第2の電極用誘電体膜は、前記活性ガスを下方に噴出するための少なくとも一つのガス噴出孔を有し、前記第1の電極構成部は、前記第1の電極用誘電体膜の上面上に前記第1の金属電極と独立して形成される補助導電膜をさらに有し、前記放電空間は、平面視して、前記ガス供給口と重複することなく、前記ガス供給口を囲むように形成され、前記少なくとも一つのガス噴出孔は、平面視して、前記ガス供給口及び前記放電空間と重複することなく、前記ガス供給口からの距離が前記放電空間よりも遠くなるように配置され、前記誘電体空間において前記放電空間から前記少なくとも一つのガス噴出孔に至る経路が活性ガス流通経路として規定され、前記補助導電膜は、平面視して前記第1の金属電極と重複することなく前記第1の金属電極を囲み、かつ、平面視して前記活性ガス流通経路の一部と重複し、前記活性ガス生成装置は、前記補助導電膜の上面の一部に接触して設けられ、導電性を有する電極補助部材をさらに備え、前記補助導電膜は前記電極補助部材を介して接地電位に設定される。
 この発明における活性ガス生成装置において、電極補助部材を介して接地電位に設定される補助導電膜は、平面視して活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられている。
 このため、この発明における活性ガス生成装置は、接地電位に設定された補助導電膜によって、上記活性ガス流通経路における電界強度を緩和することができる。
 さらに、本願発明の活性ガス生成装置において、補助導電膜は、平面視して前記第1の金属電極と重複することなく第1の金属電極を囲んで形成される。
 したがって、第1の金属電極の上方を跨ぐことなく、電極補助部材を介して補助導電膜を接地電位に設定することができるため、接地電位に設定される補助導電膜と交流電圧が印加される第1の金属電極とを比較的容易に絶縁分離することができる。
 その結果、この発明における活性ガス生成装置は、活性ガスが処理空間に至るまでの領域における電界強度を意図的に弱め、かつ、比較的簡単な構成で第1の金属電極と補助導電膜との絶縁性を安定性良く確保することができる効果を奏する。
 この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
この発明の実施の形態1である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。 図1で示した高電圧印加電極部の上面構成を示す平面図である。 図1で示した高電圧印加電極部の断面構造を示す断面図である。 図1で示した接地電位電極部の下面構成を示す平面図である。 図1で示した接地電位電極部の断面構造を示す断面図である。 図1で示したベースフランジの下面構成を示す平面図である。 図1で示したベースフランジの断面構造を示す断面図である。 図1で示した電極押え部材の上面構成を示す平面図である。 図1で示した電極押え部材の断面構造を示す断面図である。 この発明の実施の形態2である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。 図10で示したベースフランジの下面構成を示す平面図である。 図10で示したベースフランジの断面構造を示す断面図である。 この発明の前提技術である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。
 <前提技術>
 (基本構成)
 図13はこの発明の前提技術である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図13にXYZ直交座標系を記している。前提技術のガス発生装置200は、放電空間6に供給された原料ガス5(窒素ガス等)を活性化して得られる活性ガス7(窒素ラジカル等)を生成する活性ガス生成装置である。
 ガス発生装置200は、金属筐体31、ガス供給口32、活性ガス生成用電極群201及びオリフィス部40を主要構成部として含んでいる。
 金属筐体31は、接地電位に設定された金属製のガス発生装置200用の筐体であり、上部にガス供給口32が取り付けられ、ガス供給口32から原料ガス5が金属筐体31の筐体内空間33に供給される。
 ガス発生装置200における金属筐体31の筐体内空間33に活性ガス生成用電極群201が配置される。具体的には、金属筐体31の底面上に活性ガス生成用電極群201が配置される。そして、金属筐体31の底面の一部にオリフィス部40が組み込まれている。
 活性ガス生成用電極群201は、第1の電極構成部である高電圧印加電極部1と、第2の電極構成部である接地電位電極部2との組合せにより構成され、接地電位電極部2は高電圧印加電極部1の下方に設けられる。
 高電圧印加電極部1は、第1の電極用誘電体膜である電極用誘電体膜11と、電極用誘電体膜11の上面上に形成される第1の金属電極である金属電極10とを主要構成部として有している。高電圧印加電極部1は、電極用誘電体膜11の上面上に金属電極10と独立して形成され、導電性を有する金属製の補助導電膜12をさらに有している。
 補助導電膜12は、平面視して少なくとも一つのガス噴出孔25と金属製の金属電極10との間に設けられる。なお、金属製の補助導電膜12は、平面視して少なくとも一つのガス噴出孔25と重複しても良い。
 なお、金属電極10及び補助導電膜12は、例えばスパッタリング法や印刷焼成法を利用して電極用誘電体膜11の上面上に設けられる。
 接地電位電極部2は、第2の電極用誘電体膜である電極用誘電体膜21と電極用誘電体膜21の下面上に形成される第2の金属電極である金属電極20とを主要構成部として有している。
 なお、金属電極20は、スパッタリング法や印刷焼成法等を利用して、電極用誘電体膜21の下面上に設けられる。
 高電圧印加電極部1の電極用誘電体膜11と接地電位電極部2の電極用誘電体膜21とは図示しないスペーサー等により、予め定められた一定の間隔が設けられるように設置されている。
 そして、金属電極10と金属電極20との間に高周波電源9から交流電圧が印加される。具体的には、金属電極10には高周波電源9から交流電圧が印加され、金属電極20及び補助導電膜12は、接地電位が付与される金属筐体31を介して接地電位に設定される。
 電極用誘電体膜11と電極用誘電体膜21とが対向する誘電体空間内において、金属電極10及び20が平面視重複する領域を含んで放電空間6が設けられる。
 なお、電極用誘電体膜11の上面、電極用誘電体膜21の下面の形状は面一でもよく、所定の形状を設けても良い。例えば、電極用誘電体膜11の上面において、金属電極10と補助導電膜12との間で沿面放電が発生しないように、障害となる凹凸形状を設けるようにしても良い。
 電極用誘電体膜21は、活性ガス7を最終的に外部の処理空間63に噴出するための少なくとも一つのガス噴出孔25を有している。
 オリフィス部40は、電極用誘電体膜21の下方に設けられ、少なくとも一つのガス噴出孔25に対応する少なくとも一つの貫通孔49を有している。なお、オリフィス部40は構成材料をセラミック、ガラス及びサファイアのうちの一つとしている。
 このような構成のガス発生装置200において、金属電極10及び20間に、高周波電源9から交流電圧を印加して活性ガス生成用電極群201の放電空間6に誘電体バリア放電を発生させている。同時にガス供給口32から金属筐体31の筐体内空間33内に原料ガス5を供給し、活性ガス生成用電極群201の外周部から内部に原料ガス5を流通させる。
 すると、ガス発生装置200において、放電空間6内の原料ガス5が活性化されることにより活性ガス7が生成され、生成された活性ガス7は、上記誘電体空間内における放電空間6から少なくとも一つのガス噴出孔25に至る経路である活性ガス流通経路を流れる。
 上記活性ガス流通経路を流れる活性ガス7は、少なくとも一つのガス噴出孔25及びオリフィス部40の貫通孔49を経由して、ガスの流れ15に沿って最終的に後段の処理空間63に供給される。
 前提技術のガス発生装置200において、上述したように、補助導電膜12は平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられている。
 (前提技術の効果)
 このように、前提技術のガス発生装置200は、以下の特徴(1)及び特徴(2)を有している。
 (1) 補助導電膜12は平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられる。
 (2) 補助導電膜12は接地電位に設定されている。
 本実施の形態のガス発生装置200は、上記特徴(1)及び特徴(2)を有することにより、接地電位に設定された補助導電膜である補助導電膜12によって、上記活性ガス流通経路における電界強度を緩和することができる。
 その結果、本実施の形態のガス発生装置200は、オリフィス部40の構造を変更することなく、上記活性ガス流通経路及びオリフィス部40の下方に設けられる処理空間63の電界強度を意図的に弱めることができるという効果を奏する。
 (前提技術の問題点)
 前提技術において、高電圧印加電極部1には高電圧が印加される金属電極10と接地される補助導電膜12とが互いに独立して形成されている。しかしながら、平面視してガス噴出孔25を中心とした場合、補助導電膜12は平面視して金属電極10の内側に配置されている。
 補助導電膜12を接地電位に設定するための第1の設定方法としては、補助導電膜12と、金属筐体31の底面あるいは側面とを、導電性を有する接続部材を用いて電気的に接続する方法が考えられる。
 第1の設定方法の場合、上記接続部材を筐体内空間33内に設ける必要があるため、上記接続部材は金属電極10を跨ぐ必要があるが、この際、上記接続部材と金属電極10との間では当然のことながら確実な絶縁を取る必要がある。
 しかしながら、導電性を有する接続部材の周囲を様々な材料の絶縁部材で被覆することは好ましくない。なぜなら、接続部材を被覆する絶縁部材が蒸発した場合、蒸発した絶縁部材がそのまま放電空間6及び処理空間63へと流れることになるからである。
 したがって、上記接続部材,金属電極10間において確実な絶縁性を確保するためには、筐体内空間33において金属電極10から相当距離を離した上空で上記接続部材をまたがせる必要があり、その分、筐体内空間33を広くする必要が生じるため、ガス発生装置200の拡大を招く要因となる。
 接地電位に設定するための第2の設定方法としては、金属筐体31の上面から、導電性を有する接続部材を用いて、補助導電膜12との電気的に接続を図る方法である。第2の接地方法を採用した場合、金属筐体31の蓋を閉じた際にバネ等の弾性部材を用いて、弾性部材によって接続部材を押し付ける態様(態様A)、あるいは、金属筐体31の蓋に貫通穴を設けて接続部材となる既存の導入端子を用いて接続する態様(態様B)が考えられる。
 しかしながら、第2の設定方法として、態様A及び態様Bのいずれを採用しても、接続部材及びその周辺構造(弾性部材を用いる、金属筐体31の上面に穴を設ける、接続部材として専用の導入端子を用いる等)の複雑化は避けられないという問題点があった。
 以下で述べる実施の形態1及び実施の形態2では、上述した前提技術の問題点を解消し、活性ガスが後段の処理空間に至るまでの領域における電界強度を意図的に弱め、かつ、比較的簡単な構成で第1の金属電極と補助導電膜との絶縁性を安定性良く確保することができる活性ガス生成装置を得ることを目的としている。
 <実施の形態1>
 (基本構成)
 図1はこの発明の実施の形態1である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図1にXYZ直交座標系を記している。実施の形態1の活性ガス発生装置101は、放電空間6に供給された原料ガス5(窒素ガス等)を活性化して得られる活性ガス7(窒素ラジカル等)を生成する活性ガス生成装置である。
 活性ガス発生装置101は、金属筐体3、ベースフランジ4、高電圧印加電極部1(補助導電膜18を含む)、接地電位電極部2、及び電極押え部材8を主要構成部として含んでいる。
 金属筐体3は、接地電位に設定され、下方に開口部を有する金属製の筐体である。金属筐体3は金属製のベースフランジ4を底面とする態様でベースフランジ4に固定される。したがって、金属筐体3の開口部がベースフランジ4によって遮蔽され、金属筐体3及びベースフランジ4によって筐体内空間33が形成される。
 金属筐体3の上方端部近傍にガス供給口30が取り付けられ、ガス供給口30から原料ガス5が筐体内空間33に供給される。
 活性ガス発生装置101における筐体内空間33に高電圧印加電極部1及び接地電位電極部2の積層構造が配置される。具体的には、ベースフランジ4の上面に金属電極20が接触する態様で、ベースフランジ4の上面上に接地電位電極部2が配置される。
 すなわち、導電性を有するベースフランジ4は、金属電極20を接触して接地電位電極部2を支持している。
 第1の電極構成部である高電圧印加電極部1と、第2の電極構成部である接地電位電極部2との組合せにより内部に放電空間6を有する電極対が構成され、接地電位電極部2は高電圧印加電極部1の下方に設けられる。
 高電圧印加電極部1は、第1の電極用誘電体膜である電極用誘電体膜11と、電極用誘電体膜11の上面上に形成される第1の金属電極である金属電極10とを主要構成部として有している。高電圧印加電極部1は、電極用誘電体膜11の上面上に金属電極10と独立して形成され、金属製で導電性を有する補助導電膜18をさらに有している。
 なお、金属電極10及び補助導電膜18は、例えばスパッタリング法や印刷焼成法を利用して電極用誘電体膜11の上面上に設けられる。
 接地電位電極部2は、第2の電極用誘電体膜である電極用誘電体膜21と電極用誘電体膜21の下面上に形成される第2の金属電極である金属電極20とを主要構成部として有している。
 なお、金属電極20は、スパッタリング法や印刷焼成法等を利用して、電極用誘電体膜21の下面上に設けられる。
 そして、金属電極10と金属電極20との間に高周波電源9から交流電圧が印加される。具体的には、金属電極10には高周波電源9から交流電圧が印加され、金属電極20はベースフランジ4を介して接地電位に設定される。
 電極用誘電体膜11と電極用誘電体膜21とが対向する誘電体空間となる閉鎖空間28内において、金属電極10及び20が平面視重複する領域を含んで放電空間6が設けられる。
 なお、電極用誘電体膜11の上面、電極用誘電体膜21の下面の形状は面一でもよく、所定の形状を設けても良い。例えば、電極用誘電体膜11の上面において、金属電極10と補助導電膜18との間で沿面放電が発生しないように、障害となる凹凸形状を設けるようにしても良い。
 電極用誘電体膜21は、活性ガス7をベースフランジ4のガス噴出孔43を介して下方(後段)の処理空間63に噴出するための、複数のガス噴出孔23(少なくとも一つのガス噴出孔)を有している。
 ベースフランジ4の一部は、金属電極20を介することなく電極用誘電体膜21の下方に存在し、複数のガス噴出孔23に対応する複数のガス噴出孔43(少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔)を有している。
 (高電圧印加電極部1)
 図2は図1で示した高電圧印加電極部1の上面構成を示す平面図であり、図3は高電圧印加電極部1の断面構造を示す断面図である。図2のA-A断面が図3となる。図2及び図3それぞれにXYZ直交座標系を記す。
 図1~図3に示すように、高電圧印加電極部1の電極用誘電体膜11は平面視して円状を呈し、筐体内空間33の原料ガス5を放電空間6に供給するためのガス供給口13を中央部に有している。ガス供給口13は電極用誘電体膜11を貫通して形成される。
 金属電極10は、平面視してガス供給口13と重複することなく、ガス供給口13を囲むように円環状に形成される。
 補助導電膜18は、平面視して金属電極10と重複することなく、電極用誘電体膜11の外周に沿って、金属電極10を囲むように円環状に形成される。
 (接地電位電極部2)
 図4は図1で示した接地電位電極部2の下面構成を示す平面図であり、図5は接地電位電極部2の断面構造を示す断面図である。図4のB-B断面が図5となる。図4及び図5それぞれにXYZ直交座標系を記す。
 図1、図4及び図5に示すように、接地電位電極部2の金属電極20は電極用誘電体膜21の下面の中央領域において、平面視して円状に形成される。
 金属電極20は平面視して金属電極10を全て含むように形成されているため、金属電極20と金属電極10とが平面視して重複する放電空間6は、実質的に金属電極10の形成領域によって規定される。
 接地電位電極部2の電極用誘電体膜21は平面視して円状を呈し、放電空間6で生成された活性ガス7を下方に噴出するための複数のガス噴出孔23(少なくとも一つのガス噴出孔)を有している。複数のガス噴出孔23は各々が電極用誘電体膜21を貫通して形成される。
 図4に示すように、複数のガス噴出孔23は、平面視して、金属電極20と重複することなく、金属電極20を囲むように円周方向に沿って離散的に設けられる。
 電極用誘電体膜21は、平面視して外周に沿って上方が突出した突出領域21tを一体的に有している。
 したがって、図1及び図5に示すように、電極用誘電体膜11の下面が電極用誘電体膜21の突出領域21tの上面に接触するように、電極用誘電体膜11及び21が積層される。すなわち、電極用誘電体膜11の下面と突出領域21tの上面との面同士が接触することにより電極用誘電体膜11及び21が積層される。
 その結果、電極用誘電体膜11の下面と電極用誘電体膜21の上面との間に、ガス供給口13及び複数のガス噴出孔23を除き、外部(筐体内空間33,処理空間63等)から遮断された閉鎖空間28が形成される。
 この際、突出領域21tの上面と電極用誘電体膜11の下面とを、例えば、図示していないがOリング等を用いてシールすることにより、外部との完全遮断された閉鎖空間28を形成することができる。すなわち、筐体内空間33と閉鎖空間28とは放電空間6を供給するためのガス供給口13のみを介して繋がっている。
 したがって、筐体内空間33で異常放電が発生しても、閉鎖空間28内に存在する放電空間6が悪影響を受けることはない。
 なお、突出領域21tの電極用誘電体膜21の上面からの突出高さによって放電空間6のギャップ長を規定することができる。
 また、電極用誘電体膜21に突出領域21tを一体的に形成する代わりに、突出領域21tを電極用誘電体膜21とは別部品で構成しても良い。
 この閉鎖空間28が電極用誘電体膜11及び21が対向する誘電体空間となる。閉鎖空間28内に放電空間6が設けられ、放電空間6は、金属電極10及び20内が平面視重複する領域を含んだ、閉鎖空間28内の空間となる。
 金属電極10はガス供給口13と平面視して重複していないため、放電空間6は、平面視して、ガス供給口13と重複することなく、金属電極10の平面形状に沿って、ガス供給口13を囲むように形成されることになる。
 複数のガス噴出孔23は、平面視して、ガス供給口13及び放電空間6(金属電極10)と重複することなく、ガス供給口13からの距離が放電空間6よりも遠くなるように配置され、閉鎖空間28において放電空間6から複数のガス噴出孔23それぞれに至る経路は活性ガス7が流通する活性ガス流通経路として規定される。
 したがって、補助導電膜18は、ガス供給口13を中心位置とした場合、平面視して、放電空間6より外側で、かつ、平面視して複数のガス噴出孔23より内側に位置することになる。このため、補助導電膜18は、平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複することになる。なお、図1に示すように、補助導電膜18の一部は、平面視して複数のガス噴出孔23と重複することが望ましい。なぜなら、上記活性ガス流通経路の終端部分の電界強度を確実に低下させることができるからである。
 また、複数のガス噴出孔23の孔径を十分小さく設定することにより、複数のガス噴出孔23にオリフィス機能を持たせることができる。なお、本明細書において、「オリフィス機能」とは、ガス通過部(ガス噴出孔23)の通過前後の領域に関し、通過後の領域の圧力を通過前の領域の圧力より低下させる機能を意味している。
 (ベースフランジ4)
 図6は図1で示したベースフランジ4の下面構成を示す平面図であり、図7はベースフランジ4の断面構造を示す断面図である。図6のC-C断面が図7となる。図6及び図7それぞれにXYZ直交座標系を記す。
 図1、図6及び図7に示すように、ベースフランジ4は平面視して円状を呈し、ベースフランジ4は複数のガス噴出孔43(少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔)を有している。複数のガス噴出孔43はそれぞれベースフランジ4を貫通している。また、金属製で導電性を有するベースフランジ4に接地電位が付与される。
 図6に示すように、複数のガス噴出孔43は、平面視して、ガス供給口13を囲むように円周方向に沿って離散的に設けられる。
 ベースフランジ4の複数のガス噴出孔43は複数のガス噴出孔23に対応し、上面において平面視して複数のガス噴出孔23に合致する位置に形成される。すなわち、複数のガス噴出孔23の直下に複数のガス噴出孔43が設けられる。したがって、複数のガス噴出孔23及び複数のガス噴出孔43のうち、互いに対応関係にあるガス噴出孔23の直下にガス噴出孔43が設けられる。
 複数のガス噴出孔43は、ベースフランジ4の上面から下面にかけて中心位置(ガス供給口13が設けられる位置)の方向に傾きをもたせて形成される。
 したがって、ベースフランジ4の複数のガス噴出孔43に関し、下面における形成位置は、上面における形成位置と比較して、平面視して内側となる。
 複数のガス噴出孔43の孔径を十分小さく設定することにより、複数のガス噴出孔43にオリフィス機能を持たせることができる。この場合、「オリフィス機能」とは、ガス通過部である複数のガス噴出孔43の通過前後の領域に関し、通過後の領域の圧力を通過前の領域の圧力より低下させる機能を意味している。
 ただし、放電空間6で生成される活性ガスは圧力が低い方が長寿命となるため、複数のガス噴出孔43と比較して、放電空間6により近い複数のガス噴出孔23にオリフィス機能を持たせる方が望ましい。
 (電極押え部材8)
 図8は図1で示した電極押え部材8の上面構成を示す平面図であり、図9は電極押え部材8の断面構造を示す断面図である。図8のD-D断面が図9となる。図8及び図9それぞれにXYZ直交座標系を記す。
 図1に示すように、金属製の電極補助部材である電極押え部材8は、補助導電膜18を上方から押さえるための部材であり、平面視して円環状を呈し、補助導電膜18の上面の一部に接触する態様で設けられる。
 図1及び図9に示すように、電極押え部材8は一体化された立設部位8aと押圧部位8bとからなる。立設部位8aは電極用誘電体膜11及び21の外周に沿って、電極用誘電体膜11及び21の側面から少し距離を隔てて、ベースフランジ4の上面上に立設している。押圧部位8bは立設部位8aの上部から補助導電膜18に向けて水平方向(X方向)に伸びて形成されている。
 図8に示すように、電極押え部材8の押圧部位8bは、電極用誘電体膜11の外周に沿って所定の幅で内側に向けて形成され、上記所定の幅は、補助導電膜18の上面の一部に接触し、かつ、平面視して金属電極10と重複しない値に設定される。実施の形態1では、電極押え部材8の押圧部位8bは金属電極10から絶縁距離ΔD1よりさらに離れて設けられる。したがって、電極押え部材8及び補助導電膜18と金属電極10とは電気的に独立している。
 図1に示すように、導電性を有する電極押え部材8は、立設部位8aがベースフランジ4の上面に接触してベースフランジ4との電気的に接続を図り、かつ、立設部位8aはベースフランジ4の上面上に固定される。
 前述したように、ベースフランジ4には接地電位が付与されているため、ベースフランジ4及び電極押え部材8を介することにより、比較的簡単に補助導電膜18を接地電位に設定することができる。
 電極押え部材8は、補助導電膜18を基準として金属電極10の反対側に設けられているため、電極押え部材8が金属電極10の上方を跨ぐことはない。
 さらに、補助導電膜18は、金属電極10からの絶縁距離ΔD1を十分に確保しており、電極押え部材8は絶縁距離ΔD1よりもさらに離れて形成されているため、補助導電膜18及び電極押え部材8等を絶縁性部材で被覆する必要はない。
 (動作)
 このような構成の活性ガス発生装置101において、金属筐体3のガス供給口30から筐体内空間33内に供給された原料ガス5は、電極用誘電体膜11のガス供給口13のみから閉鎖空間28内に供給される。
 そして、原料ガス5は、誘電体空間である閉鎖空間28に含まれる放電空間6で活性化されることにより、活性ガス7が得られる。放電空間6より得られた活性ガス7はガスの流れ15に沿って閉鎖空間28内の上記活性ガス流通経路を流れた後、複数のガス噴出孔23から下方のベースフランジ4に向けて噴出される。
 そして、複数のガス噴出孔23から下方に噴出された活性ガス7は、複数のガス噴出孔23に対応して設けられたベースフランジ4の複数のガス噴出孔43に供給される。さらに、活性ガス7は、ガスの流れ15に沿って複数のガス噴出孔43から下方の処理空間63へと供給される。このように、処理空間63は活性ガス発生装置101の後段に設けられている。
 なお、図1では、複数のガス噴出孔23と、複数のガス噴出孔43との間に隙間が示されているが、実際は、Oリング等を用いて、複数のガス噴出孔23と複数のガス噴出孔43とは対応するガス噴出孔23,43間のみで活性ガス7が流通するようにシールされる。
 したがって、放電空間6で生成された活性ガス7のみが、ベースフランジ4のガス噴出孔43から下方の処理空間63に供給される。
 このように、接地電位電極部2とベースフランジ4との活性ガス7の流通経路もOリング等を用いてシールすることによって、高電圧を印加する金属電極10及び接地電位に設定される金属電極20が晒される空間(筐体内空間33(金属電極20の端部側面と電極押え部材8の立設部位8aとの間に形成される空間を含む))と、放電空間6との圧力を確実に切り分けることが可能となる。
 (効果)
 実施の形態1の活性ガス発生装置101において、電極補助部材である電極押え部材8を介して接地電位に設定される補助導電膜18は、平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられている。
 このため、活性ガス発生装置101は、接地電位に設定された補助導電膜18によって、上記活性ガス流通経路における電界強度を緩和することができる。
 さらに、実施の形態1の活性ガス発生装置101において、補助導電膜18は、平面視して金属電極10(第1の金属電極)と重複することなく金属電極10を囲んで形成されている。
 したがって、図1に示すように、金属電極10の上方を跨がせることなく、電極押え部材8を介して補助導電膜18を接地電位に設定することができるため、接地電位が設定される補助導電膜18と交流電圧が印加される金属電極10とを比較的容易に絶縁分離することができる。
 その結果、実施の形態1の活性ガス発生装置101は、活性ガス7が上記活性ガス流通経路及び複数のガス噴出孔43を経て処理空間63に至る領域の電界強度を意図的に弱め、かつ、比較的簡単な構成で金属電極10と補助導電膜18との絶縁性を安定性良く確保することができる効果を奏する。
 加えて、ベースフランジ4が絶縁体で構成されている場合でも、複数のガス噴出孔23の下方(後段)に設けられる処理空間63の電界強度を意図的に弱めることができる。
 さらに、高電圧印加電極部1,接地電位電極部2間に外部からシールされた閉鎖空間28が誘電体空間として形成されている。このため、電極用誘電体膜11のガス供給口13の口径を十分狭く設定してオリフィス機能を持たせることにより、放電空間6を含む閉鎖空間28と閉鎖空間28外の空間となる筐体内空間33との間に所望の圧力差を設けることができる。この場合、「オリフィス機能」とは、ガス通過部であるガス供給口13の通過前後の領域に関し、通過後の領域の圧力を通過前の領域の圧力より低下させる機能を意味している。
 その結果、主として金属電極10の上面が晒される空間となる筐体内空間33の圧力を十分高くしても、放電空間6を含む閉鎖空間28の圧力を比較的低く設定することができる。このため、筐体内空間33の圧力を十分高くすることにより、筐体内空間33におけるガスの絶縁破壊を効果的に抑制することができる。
 したがって、絶縁破壊の抑制効果を保ちつつ、筐体内空間33を比較的狭く形成することにより、金属筐体3を小さく形成して活性ガス発生装置101の小型化を図ることができる。
 活性ガス発生装置101において、ベースフランジ4に固定される電極押え部材8によって補助導電膜18を上方から押さえている。このため、活性ガス発生装置101は、電極押え部材8によって、ベースフランジ4上に高電圧印加電極部1及び接地電位電極部2を安定性良く固定することができる。
 具体的には、補助導電膜18が金属電極10の外周領域側に形成されているため、電極用誘電体膜11の外周領域側に設けられた電極押え部材8によって、補助導電膜18を比較的容易に押圧することができる。なお、電極押え部材8の押圧部位8bと補助導電膜18の上面の一部とが接触した状態で固定する手段として、例えば、ボルト,ナット等を用いたネジ留めが考えられる。ベースフランジ4に固定された電極押え部材8の押圧部位8bと補助導電膜18の上面の一部とをネジ留めすることにより、電極押え部材8によって補助導電膜18を上方から押さえることができる。
 さらに、ベースフランジ4には接地電位が付与されているため、ベースフランジ4及び電極押え部材8を介して補助導電膜18を接地電位に設定することができる。このため、金属電極10の上方に接続部材を設けることなく、補助導電膜18を接地電位に設定することができる。したがって、補助導電膜18と金属電極10との間の絶縁性を比較的簡単な構成で確保することできる。
 加えて、ベースフランジ4を介して比較的容易に第2の金属電極である金属電極20を接地電位に設定することができる。また、ベースフランジ4が金属製であり導電性を有するため、下方の処理空間63に電界が漏れることはない。
 さらに、複数のガス噴出孔43(少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔)から活性ガス7を下方(後段)の処理空間63に噴出することができるため、ベースフランジ4の存在が活性ガス7の噴出機能に支障を来すことはない。
 <実施の形態2>
 (基本構成)
 図10はこの発明の実施の形態2である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図10にXYZ直交座標系を記している。実施の形態2の活性ガス発生装置102は、活性ガス発生装置101同様、放電空間6に供給された原料ガス5を活性化して得られる活性ガス7を生成する活性ガス生成装置である。
 実施の形態2の活性ガス発生装置102は、ベースフランジ4がベースフランジ4Bに置き換わった点を除き、実施の形態1の活性ガス発生装置101と同様な構造を呈している。以下、実施の形態1の同一構成要素には、同一符号を付して説明を適宜省略する。
 活性ガス発生装置102は、金属筐体3、ベースフランジ4B、高電圧印加電極部1(補助導電膜18を含む)、接地電位電極部2、及び電極押え部材8を主要構成部として含んでいる。
 (ベースフランジ4B)
 図11は図1で示したベースフランジ4Bの下面構成を示す平面図であり、図12はベースフランジ4Bの断面構造を示す断面図である。図11及び図12それぞれにXYZ直交座標系を記す。
 図1、図11及び図12に示すように、ベースフランジ4Bは平面視して円状を呈し、上面に複数のガス供給口51を有し、下面に複数の複数のガス噴出孔54(複数のベースフランジ用ガス噴出孔)を有している。また、ベースフランジ4Bに接地電位が付与される。
 ベースフランジ4Bの上面は、平面視して、実施の形態1の複数のガス噴出孔43と同様(図6参照)、ガス供給口13を囲むように円周方向に沿って離散的に複数のガス供給口51が設けられる。
 ベースフランジ4Bの複数のガス供給口51は複数のガス噴出孔23に対応し、上面において平面視して複数のガス噴出孔23に合致する位置に形成される。すなわち、複数のガス噴出孔23の直下に複数のガス供給口51が設けられる。したがって、複数のガス噴出孔23及び複数のガス供給口51のうち、互いに対応関係にあるガス噴出孔23の直下にガス供給口51が設けられる。
 図10及び図12に示すように、複数のガス供給口51はそれぞれ、ベースフランジ4Bの内部に設けられる中間領域52に繋がり、この中間領域52に複数のガス噴出孔54がそれぞれ繋がっている。複数のガス供給口51と中間領域52との組合せ構造がガス中継通路50となる。
 中間領域52は、水平方向(X方向)に延在してベースフランジ4Bの内部に設けられる。したがって、複数のガス供給口51に供給された活性ガス7は、中間領域52経由して、最終的に複数のガス噴出孔54から下方に噴出される。
 複数のガス噴出孔54は、図11に示すように、ベースフランジ4Bの下面に、平面視して放射状に分離配置された、いわゆるシャワープレート状に配置されている。
 複数のガス噴出孔54の孔径を十分小さく設定することにより、複数のガス噴出孔54にオリフィス機能を持たせることができる。なお、活性ガスは圧力が低い方が長寿命となるため、複数のガス噴出孔54と比較して、放電空間6により近い複数のガス噴出孔23にオリフィス機能を持たせるほうが望ましい。
 (動作)
 このような構成の活性ガス発生装置102において、実施の形態1の活性ガス発生装置101と同様、電極用誘電体膜21の複数のガス噴出孔23から下方に噴出された活性ガス7は、複数のガス噴出孔23に対応して設けられたベースフランジ4Bの複数のガス供給口51に供給される。
 さらに、活性ガス7は、複数のガス供給口51から、中間領域52を経由して、複数のガス噴出孔54から下方の処理空間63へと供給される。このように、処理空間63は活性ガス発生装置102の後段に設けられている。
 (効果)
 実施の形態2の活性ガス発生装置102は、実施の形態1と同様、電極押え部材8及び補助導電膜18を有するため、活性ガス7が上記活性ガス流通経路、ガス中継通路50及び複数のガス噴出孔54を経て処理空間63に至る領域の電界強度を意図的に弱め、かつ、比較的簡単な構成で金属電極10と補助導電膜18との絶縁性を安定性良く確保することができる効果を奏する。
 活性ガス発生装置102において、ベースフランジ4Bに固定される電極押え部材8によって補助導電膜18を上方から押さえている。このため、活性ガス発生装置102は、電極押え部材8によって、ベースフランジ4B上に高電圧印加電極部1及び接地電位電極部2を安定性良く固定することができる。
 加えて、ベースフランジ4Bには接地電位が付与されているため、ベースフランジ4B及び電極押え部材8を介して補助導電膜18を接地電位に設定することにより、比較的簡単な構成で、金属電極10との絶縁性を確保した状態で補助導電膜18を接地電位に設定することができる。
 さらに、ベースフランジ4Bを介して比較的容易に第2の金属電極である金属電極20を接地電位に設定することができる。また、ベースフランジ4が金属製であり導電性を有するため、下方の処理空間63に電界が漏れることはない。
 加えて、ベースフランジ4Bは、ガス中継通路50を経由して、複数のガス噴出孔54(複数のベースフランジ用ガス噴出孔)から活性ガス7を下方の処理空間63に噴出することができるため、ベースフランジ4Bの存在が活性ガス7の噴出機能に支障を来すことはない。
 さらに、ベースフランジ4Bの複数のガス噴出孔54は、平面視して放射状に分離配置、すなわち、シャワープレート状に配置されているため、活性ガス7の噴出対象となる処理空間63内のウェハ等の被処理物に対し、全面に均一な活性ガス7を噴出することができる。
 <その他>
 また、上述した実施の形態の活性ガス発生装置101及び102で用いる原料ガス5は、水素、窒素、酸素、弗素、塩素ガスのうち少なくとも一つを含むガスであることが望ましい。
 上述したガスを原料ガスとすることにより、窒化膜・酸化膜などの成膜処理、エッチングガスや洗浄ガスの生成、表面改質処理が可能となる。
 以下、この点を詳述する。窒素や酸素を原料ガス5とすれば窒化膜や酸化膜の絶縁膜を成膜することができる。弗素や塩素ガスを原料ガス5とすれば、活性化した弗化ガスや塩素ガスをエッチングガスや洗浄ガスとして利用することができる。水素や窒素を原料ガス5とすれば、活性化した水素ガスや窒化ガスによって基板等の所定対象物の表面を水素化、窒化して表面改質処理が行える。
 なお、上述した実施の形態では、電極用誘電体膜11、金属電極20、電極用誘電体膜21、ベースフランジ4,4Bの平面形状を円状としたが、矩形状等の他の平面形状で形成しても良い。
 また、上述した実施の形態では、電極押え部材8、補助導電膜18の平面形状を円環状としたが、内部の空間を有する矩形状等、他の平面形状で形成しても良い。
 この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
 1 高電圧印加電極部
 2 接地電位電極部
 3 金属筐体
 4,4B ベースフランジ
 5 原料ガス
 6 放電空間
 7 活性ガス
 8 電極押え部材
 10,20 金属電極
 11,21 電極用誘電体膜
 13 ガス供給口
 18 補助導電膜
 23,43,54 ガス噴出孔
 28 閉鎖空間
 101,102 活性ガス発生装置

Claims (4)

  1.  放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、
     第1の電極構成部と
     前記第1の電極構成部の下方に設けられる第2の電極構成部とを備え、
     前記第1の電極構成部は、第1の電極用誘電体膜と前記第1の電極用誘電体膜の上面上に形成される第1の金属電極とを有し、前記第2の電極構成部は、第2の電極用誘電体膜と前記第2の電極用誘電体膜の下面上に形成される第2の金属電極とを有し、前記第1の金属電極に交流電圧が印加され、前記第2の金属電極が接地電位に設定され、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が対向する誘電体空間内において、前記第1及び第2の金属電極が平面視して重複する領域を前記放電空間として含み、
     前記第1の電極用誘電体膜は、前記原料ガスを前記放電空間に供給するためのガス供給口を中央部に有し、前記ガス供給口は平面視して前記第1の金属電極と重複することなく設けられ、
     前記第2の電極用誘電体膜は、前記活性ガスを下方に噴出するための少なくとも一つのガス噴出孔を有し、
     前記第1の電極構成部は、前記第1の電極用誘電体膜の上面上に前記第1の金属電極と独立して形成される補助導電膜をさらに有し、
     前記放電空間は、平面視して、前記ガス供給口と重複することなく、前記ガス供給口を囲むように形成され、
     前記少なくとも一つのガス噴出孔は、平面視して、前記ガス供給口及び前記放電空間と重複することなく、前記ガス供給口からの距離が前記放電空間よりも遠くなるように配置され、前記誘電体空間において前記放電空間から前記少なくとも一つのガス噴出孔に至る経路が活性ガス流通経路として規定され、
     前記補助導電膜は、平面視して前記第1の金属電極と重複することなく前記第1の金属電極を囲み、かつ、平面視して前記活性ガス流通経路の一部と重複し、
     前記活性ガス生成装置は、
     前記補助導電膜の上面の一部に接触して設けられ、導電性を有する電極補助部材をさらに備え、
     前記補助導電膜は前記電極補助部材を介して接地電位に設定される、
    活性ガス生成装置。
  2.  請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
     前記第2の電極用誘電体膜は、平面視して外周に沿って上方が突出した突出領域を有し、
     前記第1の電極用誘電体膜の下面が前記第2の電極用誘電体膜の前記突出領域の上面に接触するように、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が積層され、前記第1の電極用誘電体膜の下面と前記第2の電極用誘電体膜の上面との間に外部から遮断された閉鎖空間が前記誘電体空間として形成される、
    活性ガス生成装置。
  3.  請求項1または請求項2記載の活性ガス生成装置であって、
     前記第2の電極構成部の下方に設けられ、前記第2の金属電極と接触して前記第2の電極構成部を支持し、導電性を有するベースフランジをさらに備え、
     前記ベースフランジは、前記少なくとも一つのガス噴出孔から噴出される活性ガスを下方に噴出するための少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔を有し、
     前記電極補助部材は、前記ベースフランジに電気的に接続される状態で、前記ベースフランジに固定され、
     前記ベースフランジには接地電位が付与される、
    活性ガス生成装置。
  4.  請求項3記載の活性ガス生成装置であって、
     前記ベースフランジに設けられる前記少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔は、複数のベースフランジ用ガス噴出孔を含み、複数のベースフランジ用ガス噴出孔は平面視して放射状に分離配置される、
    活性ガス生成装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023105682A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
JP7297399B1 (ja) * 2022-05-18 2023-06-26 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
JP7493905B1 (ja) 2023-05-01 2024-06-03 株式会社Tmeic 活性ガス生成装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102545951B1 (ko) 2019-11-12 2023-06-22 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
EP3886540B1 (en) * 2019-11-27 2023-05-03 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014154248A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
WO2016013131A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 東芝三菱電機産業システム株式会社 ラジカルガス発生システム
JP2016085935A (ja) * 2014-10-29 2016-05-19 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒素ラジカル生成システム
WO2018003002A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置及び成膜処理装置

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5647953A (en) 1979-09-20 1981-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tone arm driver
CA1276908C (en) * 1984-10-15 1990-11-27 Shoji Ikeda Excitation apparatus with discharge between opposing electrodes separated by dielectric member
JP3267810B2 (ja) * 1993-07-20 2002-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 被膜形成方法
JP3704983B2 (ja) * 1998-12-25 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表面処理装置
CN1240113C (zh) * 2002-08-20 2006-02-01 东京毅力科创株式会社 等离子体蚀刻方法及装置
JP4283520B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-24 積水化学工業株式会社 プラズマ成膜装置
US6896773B2 (en) 2002-11-14 2005-05-24 Zond, Inc. High deposition rate sputtering
KR100476136B1 (ko) * 2002-12-02 2005-03-10 주식회사 셈테크놀러지 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
JP2004211161A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Mori Engineering:Kk プラズマ発生装置
CN1220409C (zh) * 2003-02-08 2005-09-21 中国科学院物理研究所 一种活性气体发生方法及其装置
JP4662453B2 (ja) 2005-04-19 2011-03-30 株式会社イー・スクエア 基板等の乾燥方法および乾燥装置
CN101228288B (zh) * 2005-07-26 2011-12-28 Psm有限公司 注射型等离子体处理设备和方法
JP2007141583A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Uinzu:Kk 放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法
JP5038769B2 (ja) * 2007-04-27 2012-10-03 株式会社アルバック プラズマ処理装置
US8361276B2 (en) 2008-02-11 2013-01-29 Apjet, Inc. Large area, atmospheric pressure plasma for downstream processing
JP2009205896A (ja) 2008-02-27 2009-09-10 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
WO2009146432A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Colorado State University Research Foundation Plasma-based chemical source device and method of use thereof
US9006972B2 (en) 2009-04-28 2015-04-14 Trustees Of Tufts College Microplasma generator and methods therefor
KR101544329B1 (ko) * 2011-09-08 2015-08-12 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 플라즈마 발생 장치, cvd 장치 및 플라즈마 처리 입자 생성 장치
JP5613641B2 (ja) * 2011-09-12 2014-10-29 東芝三菱電機産業システム株式会社 プラズマ発生装置およびcvd装置
JP5848140B2 (ja) * 2012-01-20 2016-01-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20130240144A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Applied Materials, Inc. Fast response fluid temperature control system
US9881772B2 (en) 2012-03-28 2018-01-30 Lam Research Corporation Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning
JP6215062B2 (ja) * 2013-01-16 2017-10-18 日東電工株式会社 透明導電フィルムの製造方法
WO2015019765A1 (ja) 2013-08-09 2015-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6317139B2 (ja) * 2014-03-04 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置
CN107079575B (zh) * 2014-10-29 2020-08-04 东芝三菱电机产业系统株式会社 放电发生装置
JP6321200B2 (ja) * 2014-10-29 2018-05-09 東芝三菱電機産業システム株式会社 ガス噴射装置
JP2016013131A (ja) 2015-08-28 2016-01-28 麒麟麦酒株式会社 ハーブ様、甘いアップルティー様の香りを伴ったフルーツ様の香気が付与されたビールテイスト飲料およびその製造方法
EP3401949B1 (en) * 2016-01-06 2021-03-24 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Gas supply device
KR102121136B1 (ko) 2016-01-18 2020-06-09 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치 및 성막 처리 장치
KR20160063297A (ko) 2016-03-02 2016-06-03 주식회사 플라즈맵 플라즈마 처리수 제조 장치 및 활성 가스 발생 장치
MX2018010985A (es) 2016-03-17 2019-05-06 Jcu Corp Dispositivo generador de plasma.
JP6570572B2 (ja) 2016-06-22 2019-09-04 カナヱ塗料株式会社 防汚塗料
US10840065B2 (en) * 2016-12-05 2020-11-17 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation apparatus including a metal housing, first and second auxiliary members, and a housing contact
CN110088038B (zh) 2016-12-19 2022-08-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 气体产生装置
WO2018150452A1 (ja) 2017-02-14 2018-08-23 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒化膜成膜方法
JP6969182B2 (ja) * 2017-07-06 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN111052873B (zh) * 2017-09-06 2022-10-28 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置
JP6719856B2 (ja) * 2018-01-10 2020-07-08 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置及び成膜処理装置
CN111527796B (zh) * 2018-01-10 2022-08-19 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置
US11532458B2 (en) * 2018-05-30 2022-12-20 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation apparatus
US11309167B2 (en) * 2018-06-25 2022-04-19 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation apparatus and deposition processing apparatus
DE112019000174B4 (de) * 2019-02-13 2024-02-01 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Aktivgas-Erzeugungsvorrichtung
WO2021033320A1 (ja) * 2019-08-22 2021-02-25 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
KR102545951B1 (ko) * 2019-11-12 2023-06-22 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
EP3886540B1 (en) * 2019-11-27 2023-05-03 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Active gas generation device
KR102656912B1 (ko) * 2020-02-27 2024-04-16 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 활성 가스 생성 장치
JP7114212B1 (ja) * 2020-12-07 2022-08-08 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
CN114982382A (zh) * 2020-12-24 2022-08-30 东芝三菱电机产业系统株式会社 活性气体生成装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014154248A (ja) * 2013-02-05 2014-08-25 Mitsubishi Electric Corp プラズマ処理装置
WO2016013131A1 (ja) * 2014-07-25 2016-01-28 東芝三菱電機産業システム株式会社 ラジカルガス発生システム
JP2016085935A (ja) * 2014-10-29 2016-05-19 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒素ラジカル生成システム
JP6239483B2 (ja) 2014-10-29 2017-11-29 東芝三菱電機産業システム株式会社 窒素ラジカル生成システム
WO2018003002A1 (ja) * 2016-06-28 2018-01-04 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置及び成膜処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3886540A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023105682A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
JP7297399B1 (ja) * 2022-05-18 2023-06-26 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
WO2023223454A1 (ja) * 2022-05-18 2023-11-23 東芝三菱電機産業システム株式会社 活性ガス生成装置
JP7493905B1 (ja) 2023-05-01 2024-06-03 株式会社Tmeic 活性ガス生成装置

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