JP6858477B1 - 活性ガス生成装置 - Google Patents
活性ガス生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6858477B1 JP6858477B1 JP2020522880A JP2020522880A JP6858477B1 JP 6858477 B1 JP6858477 B1 JP 6858477B1 JP 2020522880 A JP2020522880 A JP 2020522880A JP 2020522880 A JP2020522880 A JP 2020522880A JP 6858477 B1 JP6858477 B1 JP 6858477B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- gas
- base flange
- dielectric film
- plan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 title claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 144
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 323
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 36
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 17
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 150000002831 nitrogen free-radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32348—Dielectric barrier discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2431—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes using cylindrical electrodes, e.g. rotary drums
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
(基本構成)
図13はこの発明の前提技術である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図13にXYZ直交座標系を記している。前提技術のガス発生装置200は、放電空間6に供給された原料ガス5(窒素ガス等)を活性化して得られる活性ガス7(窒素ラジカル等)を生成する活性ガス生成装置である。
このように、前提技術のガス発生装置200は、以下の特徴(1)及び特徴(2)を有している。
(1) 補助導電膜12は平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられる。
(2) 補助導電膜12は接地電位に設定されている。
前提技術において、高電圧印加電極部1には高電圧が印加される金属電極10と接地される補助導電膜12とが互いに独立して形成されている。しかしながら、平面視してガス噴出孔25を中心とした場合、補助導電膜12は平面視して金属電極10の内側に配置されている。
(基本構成)
図1はこの発明の実施の形態1である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図1にXYZ直交座標系を記している。実施の形態1の活性ガス発生装置101は、放電空間6に供給された原料ガス5(窒素ガス等)を活性化して得られる活性ガス7(窒素ラジカル等)を生成する活性ガス生成装置である。
図2は図1で示した高電圧印加電極部1の上面構成を示す平面図であり、図3は高電圧印加電極部1の断面構造を示す断面図である。図2のA−A断面が図3となる。図2及び図3それぞれにXYZ直交座標系を記す。
図4は図1で示した接地電位電極部2の下面構成を示す平面図であり、図5は接地電位電極部2の断面構造を示す断面図である。図4のB−B断面が図5となる。図4及び図5それぞれにXYZ直交座標系を記す。
図6は図1で示したベースフランジ4の下面構成を示す平面図であり、図7はベースフランジ4の断面構造を示す断面図である。図6のC−C断面が図7となる。図6及び図7それぞれにXYZ直交座標系を記す。
図8は図1で示した電極押え部材8の上面構成を示す平面図であり、図9は電極押え部材8の断面構造を示す断面図である。図8のD−D断面が図9となる。図8及び図9それぞれにXYZ直交座標系を記す。
このような構成の活性ガス発生装置101において、金属筐体3のガス供給口30から筐体内空間33内に供給された原料ガス5は、電極用誘電体膜11のガス供給口13のみから閉鎖空間28内に供給される。
実施の形態1の活性ガス発生装置101において、電極補助部材である電極押え部材8を介して接地電位に設定される補助導電膜18は、平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられている。
(基本構成)
図10はこの発明の実施の形態2である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図10にXYZ直交座標系を記している。実施の形態2の活性ガス発生装置102は、活性ガス発生装置101同様、放電空間6に供給された原料ガス5を活性化して得られる活性ガス7を生成する活性ガス生成装置である。
図11は図1で示したベースフランジ4Bの下面構成を示す平面図であり、図12はベースフランジ4Bの断面構造を示す断面図である。図11及び図12それぞれにXYZ直交座標系を記す。
このような構成の活性ガス発生装置102において、実施の形態1の活性ガス発生装置101と同様、電極用誘電体膜21の複数のガス噴出孔23から下方に噴出された活性ガス7は、複数のガス噴出孔23に対応して設けられたベースフランジ4Bの複数のガス供給口51に供給される。
実施の形態2の活性ガス発生装置102は、実施の形態1と同様、電極押え部材8及び補助導電膜18を有するため、活性ガス7が上記活性ガス流通経路、ガス中継通路50及び複数のガス噴出孔54を経て処理空間63に至る領域の電界強度を意図的に弱め、かつ、比較的簡単な構成で金属電極10と補助導電膜18との絶縁性を安定性良く確保することができる効果を奏する。
また、上述した実施の形態の活性ガス発生装置101及び102で用いる原料ガス5は、水素、窒素、酸素、弗素、塩素ガスのうち少なくとも一つを含むガスであることが望ましい。
2 接地電位電極部
3 金属筐体
4,4B ベースフランジ
5 原料ガス
6 放電空間
7 活性ガス
8 電極押え部材
10,20 金属電極
11,21 電極用誘電体膜
13 ガス供給口
18 補助導電膜
23,43,54 ガス噴出孔
28 閉鎖空間
101,102 活性ガス発生装置
Claims (4)
- 放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、
第1の電極構成部と
前記第1の電極構成部の下方に設けられる第2の電極構成部とを備え、
前記第1の電極構成部は、第1の電極用誘電体膜と前記第1の電極用誘電体膜の上面上に形成される第1の金属電極とを有し、前記第2の電極構成部は、第2の電極用誘電体膜と前記第2の電極用誘電体膜の下面上に形成される第2の金属電極とを有し、前記第1の金属電極に交流電圧が印加され、前記第2の金属電極が接地電位に設定され、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が対向する誘電体空間内において、前記第1及び第2の金属電極が平面視して重複する領域を前記放電空間として含み、
前記第1の電極用誘電体膜は、前記原料ガスを前記放電空間に供給するためのガス供給口を中央部に有し、前記ガス供給口は平面視して前記第1の金属電極と重複することなく設けられ、
前記第2の電極用誘電体膜は、前記活性ガスを下方に噴出するための少なくとも一つのガス噴出孔を有し、
前記第1の電極構成部は、前記第1の電極用誘電体膜の上面上に前記第1の金属電極と独立して形成される補助導電膜をさらに有し、
前記放電空間は、平面視して、前記ガス供給口と重複することなく、前記ガス供給口を囲むように形成され、
前記少なくとも一つのガス噴出孔は、平面視して、前記ガス供給口及び前記放電空間と重複することなく、前記ガス供給口からの距離が前記放電空間よりも遠くなるように配置され、前記誘電体空間において前記放電空間から前記少なくとも一つのガス噴出孔に至る経路が活性ガス流通経路として規定され、
前記補助導電膜は、平面視して前記第1の金属電極と重複することなく前記第1の金属電極を囲み、かつ、平面視して前記活性ガス流通経路の一部と重複し、
前記活性ガス生成装置は、
前記補助導電膜の上面の一部に接触して設けられ、導電性を有する電極補助部材をさらに備え、
前記補助導電膜は前記電極補助部材を介して接地電位に設定される、
活性ガス生成装置。 - 請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
前記第2の電極用誘電体膜は、平面視して外周に沿って上方が突出した突出領域を有し、
前記第1の電極用誘電体膜の下面が前記第2の電極用誘電体膜の前記突出領域の上面に接触するように、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が積層され、前記第1の電極用誘電体膜の下面と前記第2の電極用誘電体膜の上面との間に外部から遮断された閉鎖空間が前記誘電体空間として形成される、
活性ガス生成装置。 - 請求項1または請求項2記載の活性ガス生成装置であって、
前記第2の電極構成部の下方に設けられ、前記第2の金属電極と接触して前記第2の電極構成部を支持し、導電性を有するベースフランジをさらに備え、
前記ベースフランジは、前記少なくとも一つのガス噴出孔から噴出される活性ガスを下方に噴出するための少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔を有し、
前記電極補助部材は、前記ベースフランジに電気的に接続される状態で、前記ベースフランジに固定され、
前記ベースフランジには接地電位が付与される、
活性ガス生成装置。 - 請求項3記載の活性ガス生成装置であって、
前記ベースフランジに設けられる前記少なくとも一つのベースフランジ用ガス噴出孔は、複数のベースフランジ用ガス噴出孔を含み、複数のベースフランジ用ガス噴出孔は平面視して放射状に分離配置される、
活性ガス生成装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2019/046328 WO2021106100A1 (ja) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 活性ガス生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6858477B1 true JP6858477B1 (ja) | 2021-04-14 |
JPWO2021106100A1 JPWO2021106100A1 (ja) | 2021-12-02 |
Family
ID=75378127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020522880A Active JP6858477B1 (ja) | 2019-11-27 | 2019-11-27 | 活性ガス生成装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11839014B2 (ja) |
EP (1) | EP3886540B1 (ja) |
JP (1) | JP6858477B1 (ja) |
KR (1) | KR102524433B1 (ja) |
CN (1) | CN113179676B (ja) |
TW (1) | TWI737396B (ja) |
WO (1) | WO2021106100A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021095120A1 (ja) | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
EP3886540B1 (en) * | 2019-11-27 | 2023-05-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generation device |
CN116670324A (zh) * | 2021-12-08 | 2023-08-29 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 活性气体生成装置 |
WO2023223454A1 (ja) * | 2022-05-18 | 2023-11-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154248A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
WO2016013131A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ラジカルガス発生システム |
JP2016085935A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒素ラジカル生成システム |
US20170241021A1 (en) * | 2014-10-29 | 2017-08-24 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Electric discharge generator and power supply device of electric discharge generator |
WO2018003002A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5647953A (en) | 1979-09-20 | 1981-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Tone arm driver |
EP0178907A3 (en) * | 1984-10-15 | 1987-06-16 | Nippon Paint Co., Ltd. | Activation apparatus and method |
JP3267810B2 (ja) * | 1993-07-20 | 2002-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 被膜形成方法 |
JP3704983B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置 |
CN1240113C (zh) * | 2002-08-20 | 2006-02-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体蚀刻方法及装置 |
JP4283520B2 (ja) * | 2002-10-07 | 2009-06-24 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ成膜装置 |
US6896773B2 (en) | 2002-11-14 | 2005-05-24 | Zond, Inc. | High deposition rate sputtering |
KR100476136B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-03-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
JP2004211161A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Mori Engineering:Kk | プラズマ発生装置 |
CN1220409C (zh) * | 2003-02-08 | 2005-09-21 | 中国科学院物理研究所 | 一种活性气体发生方法及其装置 |
JP4662453B2 (ja) | 2005-04-19 | 2011-03-30 | 株式会社イー・スクエア | 基板等の乾燥方法および乾燥装置 |
JP2009503781A (ja) * | 2005-07-26 | 2009-01-29 | ピーエスエム インコーポレイティド | インジェクションタイプのプラズマ処理装置及び方法 |
JP2007141583A (ja) | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Uinzu:Kk | 放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法 |
JP5038769B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-10-03 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
US8361276B2 (en) | 2008-02-11 | 2013-01-29 | Apjet, Inc. | Large area, atmospheric pressure plasma for downstream processing |
JP2009205896A (ja) | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
EP2297377B1 (en) | 2008-05-30 | 2017-12-27 | Colorado State University Research Foundation | Plasma-based chemical source device and method of use thereof |
EP2425459A4 (en) | 2009-04-28 | 2014-07-16 | Tufts College | MICROPLASM AGENERATOR AND METHOD THEREFOR |
CN103782663B (zh) * | 2011-09-08 | 2016-05-11 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 等离子体产生装置、cvd装置及等离子体处理粒子生成装置 |
JP5613641B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2014-10-29 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | プラズマ発生装置およびcvd装置 |
JP5848140B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US20130240144A1 (en) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Applied Materials, Inc. | Fast response fluid temperature control system |
US9881772B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Multi-radiofrequency impedance control for plasma uniformity tuning |
JP6215062B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2017-10-18 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムの製造方法 |
KR101809150B1 (ko) | 2013-08-09 | 2017-12-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP6317139B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置 |
JP6321200B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-05-09 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス噴射装置 |
JP2016013131A (ja) * | 2015-08-28 | 2016-01-28 | 麒麟麦酒株式会社 | ハーブ様、甘いアップルティー様の香りを伴ったフルーツ様の香気が付与されたビールテイスト飲料およびその製造方法 |
WO2017119074A1 (ja) * | 2016-01-06 | 2017-07-13 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ガス供給装置 |
WO2017126007A1 (ja) | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
KR20160063297A (ko) | 2016-03-02 | 2016-06-03 | 주식회사 플라즈맵 | 플라즈마 처리수 제조 장치 및 활성 가스 발생 장치 |
US20190090341A1 (en) | 2016-03-17 | 2019-03-21 | Jcu Corporation | Plasma generating device |
JP6570572B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2019-09-04 | カナヱ塗料株式会社 | 防汚塗料 |
JP6651652B2 (ja) * | 2016-12-05 | 2020-02-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
CN110088038B (zh) | 2016-12-19 | 2022-08-30 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 气体产生装置 |
CN110352474B (zh) | 2017-02-14 | 2023-03-17 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 氮化膜成膜方法 |
JP6969182B2 (ja) * | 2017-07-06 | 2021-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP3641506B1 (en) * | 2017-09-06 | 2023-12-06 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generating device |
JP6719856B2 (ja) * | 2018-01-10 | 2020-07-08 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
EP3740045B1 (en) * | 2018-01-10 | 2022-09-28 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generation apparatus |
JP6851706B2 (ja) | 2018-05-30 | 2021-03-31 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
WO2020003344A1 (ja) * | 2018-06-25 | 2020-01-02 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
CN111836916B (zh) * | 2019-02-13 | 2022-06-14 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 活性气体生成装置 |
WO2021033320A1 (ja) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
WO2021095120A1 (ja) * | 2019-11-12 | 2021-05-20 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
EP3886540B1 (en) * | 2019-11-27 | 2023-05-03 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Active gas generation device |
KR102656912B1 (ko) * | 2020-02-27 | 2024-04-16 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
KR20220104228A (ko) * | 2020-12-07 | 2022-07-26 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
JP7080575B1 (ja) * | 2020-12-24 | 2022-06-06 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
-
2019
- 2019-11-27 EP EP19954057.6A patent/EP3886540B1/en active Active
- 2019-11-27 JP JP2020522880A patent/JP6858477B1/ja active Active
- 2019-11-27 WO PCT/JP2019/046328 patent/WO2021106100A1/ja unknown
- 2019-11-27 CN CN201980080397.0A patent/CN113179676B/zh active Active
- 2019-11-27 US US17/416,531 patent/US11839014B2/en active Active
- 2019-11-27 KR KR1020217017511A patent/KR102524433B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-07-08 TW TW109123064A patent/TWI737396B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014154248A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
WO2016013131A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | ラジカルガス発生システム |
JP2016085935A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 窒素ラジカル生成システム |
US20170241021A1 (en) * | 2014-10-29 | 2017-08-24 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Electric discharge generator and power supply device of electric discharge generator |
WO2018003002A1 (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-04 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置及び成膜処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3886540B1 (en) | 2023-05-03 |
WO2021106100A1 (ja) | 2021-06-03 |
JPWO2021106100A1 (ja) | 2021-12-02 |
TWI737396B (zh) | 2021-08-21 |
EP3886540A4 (en) | 2022-07-06 |
KR20210087531A (ko) | 2021-07-12 |
EP3886540A1 (en) | 2021-09-29 |
US11839014B2 (en) | 2023-12-05 |
TW202120742A (zh) | 2021-06-01 |
CN113179676B (zh) | 2024-04-09 |
US20220046781A1 (en) | 2022-02-10 |
CN113179676A (zh) | 2021-07-27 |
KR102524433B1 (ko) | 2023-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6858477B1 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
JP6851706B2 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
JP6873588B1 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
US10971338B2 (en) | Active gas generating apparatus | |
WO2018104988A1 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
WO2022137423A1 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
KR100807287B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
JP7289608B1 (ja) | 活性ガス生成装置 | |
US20230335379A1 (en) | Plasma processing device | |
JP6879187B2 (ja) | プラズマ装置の治具 | |
KR20050120862A (ko) | 기판 식각 장치 | |
KR20080073416A (ko) | 플라즈마 식각 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6858477 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |