JP6873588B1 - 活性ガス生成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(基本構成)
図7はこの発明の前提技術である活性ガス生成装置の基本構成を示す説明図である。図7にXYZ直交座標系を記している。前提技術のガス発生装置200は、放電空間6に供給された原料ガス5(窒素ガス等)を活性化して得られる活性ガス7(窒素ラジカル等)を生成する活性ガス生成装置である。
このように、前提技術のガス発生装置200は、以下の特徴(1)及び特徴(2)を有している。
(1) 補助導電膜12は平面視して上記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられる。
(2) 補助導電膜12は接地電位に設定されている。
上述した前提技術であるガス発生装置200にて生成される活性ガス7は、平行平板方式の高電圧印加電極部1及び接地電位電極部2間の放電空間6において、誘電体バリア放電によって生成される。この活性ガス7は、半導体製造に必要なガスとして、後段の処理空間63に供給される。
(基本構成)
図1はこの発明の実施の形態1である活性ガス発生装置101の基本構成を示す説明図である。図1にXYZ直交座標系を記している。実施の形態1の活性ガス発生装置101は、放電空間6に供給された原料ガス5を活性化して得られる活性ガス7を生成する活性ガス生成装置である。
図2は実施の形態1の活性ガス発生装置101における第1の態様の活性ガス生成用電極群51Aの全体構成を模式的に示す説明図である。図2にXYZ直交座標系を記している。
図3は実施の形態1の活性ガス発生装置101における第2の態様の活性ガス生成用電極群51Bの全体構造を模式的に示す説明図である。図3にXYZ直交座標系を記している。
(基本構成)
図4はこの発明の実施の形態2である活性ガス発生装置102の基本構成を示す説明図である。図4にXYZ直交座標系を記している。実施の形態2の活性ガス発生装置102は、放電空間6に供給された原料ガス5を活性化して得られる活性ガス7を生成する活性ガス生成装置である。
図5は実施の形態2の活性ガス発生装置102における第1の態様の活性ガス生成用電極群52Aの全体構成を模式的に示す説明図である。図5にXYZ直交座標系を記している。
図6は実施の形態2の活性ガス発生装置102における第2の態様の活性ガス生成用電極群52Bの全体構造を模式的に示す説明図である。図6にXYZ直交座標系を記している。
また、実施の形態1及び実施の形態2の活性ガス発生装置101及び1021で用いる原料ガス5は、水素、窒素、酸素、弗素、塩素ガスのうち少なくとも一つを含むガスであることが望ましい。
2 接地電位電極部
6 放電空間
10,10A,10H,10L,20,20A,20H,20L 電極用導電膜
11,11A,11B,21,21A,21B 電極用誘電体膜
12 補助導電膜
60,60A,60B 活性ガス用補助部材
72,72A,72B 原料ガス用補助部材
Claims (3)
- 放電空間に供給された原料ガスを活性化して得られる活性ガスを生成する活性ガス生成装置であって、
第1の電極構成部と
前記第1の電極構成部の下方に設けられる第2の電極構成部とを備え、
前記第1の電極構成部は、第1の電極用誘電体膜と前記第1の電極用誘電体膜の上面上に形成される第1の金属電極とを有し、前記第2の電極構成部は、第2の電極用誘電体膜と前記第2の電極用誘電体膜の下面上に形成される第2の金属電極とを有し、前記第1及び第2の金属電極間に交流電圧が印加され、前記第1及び第2の電極用誘電体膜が対向する誘電体空間内において、前記第1及び第2の金属電極が平面視重複する領域を前記放電空間として含み、
前記第2の電極用誘電体膜は、前記活性ガスを外部に噴出するためのガス噴出孔を有し、前記放電空間から前記ガス噴出孔に至る経路が活性ガス流通経路として規定され、
前記第1の電極構成部は、
前記第1の電極用誘電体膜の上面上に前記第1の金属電極と独立して形成される補助導電膜をさらに有し、
前記補助導電膜は平面視して前記活性ガス流通経路の一部と重複するように設けられ、かつ、前記補助導電膜は接地電位に設定され、
前記活性ガス生成装置は、
前記誘電体空間内において、前記放電空間と前記ガス噴出孔との間に、前記活性ガス流通経路の一部を埋めるように設けられる活性ガス用補助部材をさらに備えることを特徴する、
活性ガス生成装置。 - 請求項1記載の活性ガス生成装置であって、
前記誘電体空間内において、前記原料ガスが前記放電空間に至る経路が原料ガス流通経路として規定され、
前記活性ガス生成装置は、
前記誘電体空間内において、前記原料ガス流通経路の一部を埋めるように設けられる原料ガス用補助部材をさらに備えることを特徴する、
活性ガス生成装置。 - 請求項1または請求項2記載の活性ガス生成装置であって、
前記原料ガスは、水素、窒素、酸素、弗素、塩素ガスのうち少なくとも一つを含むガスである、
活性ガス生成装置。
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