JP6625728B2 - プラズマ生成装置 - Google Patents
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Description
これらアーム部100とシャッター102によってシャッター機構が構成される。このシャッター機構により、アーム部100の伸縮に応じて、これらプラズマ生成装置90、92及びスパッタリング装置94の間が断続し、プラズマ生成装置90、92及びスパッタリング装置94を選択的にチャンバー82内と連続させることが可能である。
本実施形態に係るプラズマ生成装置を用いてABS基材の表面改質を行い、改質後基材表面をXPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)及びSEM(Scanning Electron Microscope)により評価した。
装置チャンバー内にABS基材を設置し、当該チャンバー内を所定圧力まで減圧後、酸素ガスを供給し、板状導体部からなる対向電極に所定の高周波電圧を付与した。発生したプラズマをABS基材表面に照射することにより基材表面の改質を行なった。プラズマ処理条件を表1にまとめた。なお、表1におけるT−S間距離(mm)は、電極−基材間の距離を表している。
表1の処理1−処理5で示す各処理を施したABS基材及び未処理のABS基材表面をXPSを用いて分析し、光電子ピーク位置のエネルギーシフト(量)から基材表面における化学結合状態を観察した。図8は、XPS分析により得られた処理毎の基材表面における化学結合状態を示すグラフであり、縦軸は光電子強度、横軸は結合エネルギーを表している。図8からも明らかなように、処理1−処理5で示す各処理を施したABS基材表面において、289eV付近のカルボキシル基特有の光電子ピークが観察されたことから、本実施形態に係るプラズマ生成装置によりABS基材表面の改質が成されたことが確認された。
XPS測定と同様に、表1の処理1−処理5で示す各処理を施したABS基材及び未処理のABS基材表面をSEMにより観察した。図9は、SEM観察により得られたABS基材表面の顕微鏡観察像である。処理1−処理5を施したABS基材表面の観察結果から、ナノオーダーでABS基材表面がエッチングされていることが確認された。
本実施形態に係るプラズマ生成装置を用いてABS基材及びPC/ABS基材の表面を改質し、銅めっき被膜を形成後、ピール強度試験を実施した。
装置チャンバー内にABS基材又はPC/ABS基材を設置し、当該チャンバー内を所定圧力まで減圧後、酸素ガスを一定量供給し、板状導体部からなる対向電極に所定の高周波電圧を付与した。発生したプラズマをABS基材又はPC/ABS基材表面に照射することにより基材表面の改質を行なった。プラズマ処理条件を表2にまとめた。なお、表2におけるT−S間距離(mm)は、電極−基材間の距離を表している。
上記表面改質後の基材をスパッタ装置チャンバー内に設置し、チャンバー内を所定の圧力まで減圧後、アルゴンガスを一定量供給し、銅ターゲットへ直流電圧を付与することで、基材表面へ厚さ約400nmの銅シード層を形成させた。
上記銅シード層形成後の基材をめっき用治具に装着し、銅アノードと共に装飾用硫酸銅めっき浴に浸漬させた。陽極を銅アノード、陰極を被めっき基材とし、直流電圧を付与することで、厚さ約32μmの銅めっき被膜を形成させた。
上記3工程により、ABS基材及びPC/ABS基材へ銅めっき被膜を形成後、引張試験機(株式会社島津製作所:AGS−H500N)を用いて90°ピール強度試験を実施した。表2の右側のピール強度試験結果に示されているように、ABS基材、PC/ABS基材の両基材共に高密着であることが確認された。
本実施形態に係るプラズマ生成装置を用い、SUS304基材上にカラーリング(光学干渉膜厚さ;約300nm)が施された基材の表面を改質し、SiOx膜を形成後、耐摩耗性試験を実施した。
装置チャンバー内に上記基材を設置し、当該チャンバー内を所定圧力まで減圧後、ヘキサメチルジシラン(HMDS)、酸素ガスを一定量供給し、板状導体部からなる対向電極に所定の高周波電圧を付与した。CVDにより成膜速度3nm/secで透明なSiOxを成膜した。プラズマ処理条件を表3にまとめた。なお、表3におけるT−S間距離(mm)は、電極−基材間の距離を表している。
表3に示されているように、上記処理工程によりSiOx膜厚がそれぞれ3μm、6μm、9μm形成された基材表面に対して砂消しゴム(株式会社シード製:E−512)を1kgfの圧力で押し当てて、150回の往復運動を行った結果を図10に示した。図10に示されるように、膜厚が3μmのものでは、光学干渉膜が基材表面面積に対して約半分程度剥離したが、膜厚を6μm、9μmと厚くする程、光学干渉膜の剥離は少なくなり、スクラッチ特性が改善されることが確認された。
12 板状導体部
12s 表面
13 空隙部
14 板状導体部
16 プラズマ生成ガス導入管
18 支持板
20 筐体側部
22 ガス供給管
24 凹部
25 突設部
26、28 貫通孔
30、32 流路
34 ガス孔
36、38 流路管
40 マッチングボックス
42 高周波電源
44 接地
46,48 マスフローコントローラー
50、52 ポート
56 チャンバー
58 プラズマ生成ガス供給装置
60 スイッチ
62 非処理部材
80 プラズマ成膜装置
82 チャンバー
84 支持台
86 非処理材
88 排気ユニット
90、92 プラズマ生成装置
94 スパッタリング装置
96 ターゲット
100 アーム部
101 軸部
102 シャッター
112、114、116,118 板状導体部
120、122 選択スイッチ
124 高周波電源
126 マッチングボックス
128 プラズマ成膜装置
130、132 プラズマ生成装置
134 スパッタリング装置
136、138、140 チャンバー
142 支持アーム
144 被処理材
Claims (13)
- 主面間を貫通する貫通孔をそれぞれ複数有する一対の板状導体部を所定の空隙を介して対向させてホロ―電極構造を形成し、該一対の板状導体部の一方の側よりガスを前記貫通孔に流入させ、前記一対の板状導体部の間に高周波電圧を与えることで前記空隙にプラズマ放電を生じさせ、生じたプラズマを前記一対の板状導体部の他方の側に流出させるものであって、前記プラズマ放電は8〜300Paの真空下で行われることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記一対の板状導体部は、略平板状の主面同士が等間隔に平行に向き合って配置されることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項2記載のプラズマ生成装置であって、前記一対の板状導体部の間の空隙は3〜12mm程度離間して形成されることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記一対の板状導体部に形成される複数の貫通孔は、前記一対の板状導体部の一方と他方で、それぞれの貫通孔が同軸となるように配列されることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記貫通孔はそれぞれ円筒形状とされ、前記一対の板状導体部のガス流入側の貫通孔は、前記一対の板状導体部のガス流出側の貫通孔よりも経大とされることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記一対の板状導体部は、当該板状導体部を冷却するための冷却部を有することを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項6記載のプラズマ生成装置であって、前記冷却部は、前記一対の板状導体部内に形成される、装置外部から供給される冷媒を還流させる流路からなることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記一対の板状導体部のガス流出側の面には、その表面を覆う誘電体膜を形成してなることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置であって、前記誘電体膜はアルミナ溶射若しくは硬質陽極酸化処理により形成されることを特徴とするプラズマ生成装置。
- 主面間を貫通する貫通孔をそれぞれ複数有し、所定の空隙を介して対向させてホロ―電極構造を形成する一対の板状導体部と、
前記一対の板状導体部の一方の側よりガスを前記貫通孔に流入させるガス流入部と、
前記一対の板状導体部の間に高周波電圧を与える高周波発生部と、及び
前記一対の板状導体部の他方の側に流出させたプラズマに原料ガスを供給する原料ガス供給部とを有するものであって、前記高周波電圧の付与によるプラズマ放電は8〜300Paの真空下で行われることを特徴とするプラズマ成膜装置。 - 請求項1記載のプラズマ生成装置をチャンバーに配設し、さらに成膜用のスパッタリング装置を同一チャンバーに配設することを特徴とするプラズマ成膜装置。
- 少なくとも2つのチャンバーを設け、請求項1記載のプラズマ生成装置を1つのチャンバーに配設し、さらに成膜用のスパッタリング装置を他のチャンバーに配設することを特徴とするプラズマ成膜装置。
- 請求項1記載のプラズマ生成装置を複数個チャンバーに臨むように配設し、さらに成膜用のスパッタリング装置を同一チャンバーに臨むように配設して、これらプラズマ生成装置及びスパッタリング装置の間を断続させるシャッター機構により、複数の前記プラズマ生成装置及び前記スパッタリング装置を選択的に前記チャンバーと連続させることを特徴とするプラズマ成膜装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016053259 | 2016-03-17 | ||
JP2016053259 | 2016-03-17 | ||
PCT/JP2017/010843 WO2017159838A1 (ja) | 2016-03-17 | 2017-03-17 | プラズマ生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017159838A1 JPWO2017159838A1 (ja) | 2019-03-07 |
JP6625728B2 true JP6625728B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=59851975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018506036A Expired - Fee Related JP6625728B2 (ja) | 2016-03-17 | 2017-03-17 | プラズマ生成装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190090341A1 (ja) |
JP (1) | JP6625728B2 (ja) |
KR (1) | KR20180122350A (ja) |
CN (1) | CN108781500A (ja) |
DE (1) | DE112017001370T5 (ja) |
MX (1) | MX2018010985A (ja) |
WO (1) | WO2017159838A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019229873A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 活性ガス生成装置 |
MX2022003625A (es) * | 2019-09-25 | 2022-04-20 | Shibaura Machine Co Ltd | Valvula de ajuste de velocidad de flujo, unidad de bomba y dispositivo de tratamiento de superficie. |
EP3879946B1 (en) | 2019-11-12 | 2023-02-15 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Activated gas generation device |
KR102524433B1 (ko) | 2019-11-27 | 2023-04-24 | 도시바 미쓰비시덴키 산교시스템 가부시키가이샤 | 활성 가스 생성 장치 |
JP2022029738A (ja) | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 芝浦機械株式会社 | 表面処理装置および表面処理方法 |
DE112021006849T5 (de) | 2021-01-19 | 2023-11-16 | Shibaura Machine Co., Ltd. | Oberflächenbehandlungseinrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung |
CN117940604A (zh) * | 2021-09-15 | 2024-04-26 | 芝浦机械株式会社 | 表面处理装置以及表面处理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3670208B2 (ja) * | 2000-11-08 | 2005-07-13 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置,プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム,検査方法 |
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-
2017
- 2017-03-17 JP JP2018506036A patent/JP6625728B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-17 MX MX2018010985A patent/MX2018010985A/es unknown
- 2017-03-17 KR KR1020187026287A patent/KR20180122350A/ko unknown
- 2017-03-17 DE DE112017001370.4T patent/DE112017001370T5/de not_active Withdrawn
- 2017-03-17 WO PCT/JP2017/010843 patent/WO2017159838A1/ja active Application Filing
- 2017-03-17 US US16/083,093 patent/US20190090341A1/en not_active Abandoned
- 2017-03-17 CN CN201780017588.3A patent/CN108781500A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112017001370T5 (de) | 2018-11-29 |
CN108781500A (zh) | 2018-11-09 |
JPWO2017159838A1 (ja) | 2019-03-07 |
WO2017159838A1 (ja) | 2017-09-21 |
KR20180122350A (ko) | 2018-11-12 |
MX2018010985A (es) | 2019-05-06 |
US20190090341A1 (en) | 2019-03-21 |
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