JP7406775B1 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1において、本発明のプラズマ処理装置10は、被処理材である基板12の表面に対してプラズマ処理を行うものである。プラズマ処理装置10は、プラズマを発生させるプラズマ発生器14、基板12がセットされるホルダ16を備え、これらがチャンバ18内に収められている。チャンバ18には真空ポンプ20が接続されており、プラズマ処理を行う場合は、真空ポンプ20を作動させ、ヂャンバ18内が所定の真空度に維持される。なお、本例では、被処理材が基板12である例で説明を行うが、被処理材は基板12以外であってもよい。また、被処理材の形状は板状に限定されず、凹凸や段差、湾曲を含む立体的な形状であってもよい。
プラズマ発生器14は、前述した配管26の他、電極板30、電磁石32、を備え、これらがベース34に取り付けられて一体化されている。プラズマ発生器14は、ベース34がステー36を介してチャンバ18内に設けられたスライドレール38にスライド自在に支持されており、サーボアクチュエータ40から駆動力の供給を受けて、ホルダ16へ向かう方向、及び、ホルダ16から遠ざかる方向へとスライド移動する。これにより、プラズマ発生器14(電極板30)とホルダ16(基板12)との間の距離が変化する。このように、スライドレール38とサーボアクチュエータ40とによりプラズマ発生器14(電極板30)をスライド自在に支持する機構は、電極板30を移動させることによりホルダ16との距離を調整する、本発明の調整機構として機能する。
図2に示すように、電極板30は、表面をホルダ16へ向けた第1電極板30aと、第1電極板30aの裏面側に第1電極板30aとは平行に配置された第2電極板30bとの2枚で一対となっている。このように、電極板30の板面を基板12へ向けることにより、広い範囲に対してプラズマ処理を行うことが可能となる。なお、第1電極板30aと第2電極板30bは隙間を空けて配置され、本例ではこの隙間にプラズマ生成用のガスを供給している。また、本例では、電極板30(第1、第2電極板30a、30b)を円板状に形成し、電極板30の中心部(円の中心部)からプラズマ生成用のガスを供給している。
図3に示すように、電極板30の裏面側かつ電極板30の近傍には電磁石32が設けられている。本例では、貫通孔42の孔数に対応する数の電磁石32を用意し、各貫通孔42の背後に1つずつ電磁石32を配置している。各電磁石32には、それぞれ可変コンバータ52が接続されている。各可変コンバータ52は、電源54から電力の供給を受けて作動し、各電磁石32が発生する磁力の大きさを個別に制御する。このように、電極板30の近傍で磁力を発生させることにより、電極板30の近傍の電子密度を向上させることができ、これに伴ってプラズマの密度も向上させることができる。
図8に示すように、ホルダ16は、バイアス電源70を介して接地(アース)されている。また、電極板30には、切り替え回路72(切り替え機構)を介して、高周波電源74が接続されている。さらに、電極板30は、切り替え回路72を介して、接地されている。高周波電源74は、高周波で電圧を供給する(パワーアウトプットする)ものであり、例えば、RF(Radio Frequency)電源(高周波電源)、MF(Medium Frequency)電源(高周波電源)、プラズマとの整合性を得るためのMB(マッチングボックス)などから構成される。
以下、図12、図13を用い、本発明の効果の確認結果について説明を行う。効果の確認は、本発明のプラズマ処理装置10(図1-図3参照)を用い、電磁石32に電圧を印加して磁力を発生させた場合(磁石有りの場合)と、電磁石32に電圧を印加せずに磁力を発生させなかった場合(磁石無しの場合)と、でプラズマ密度の違いを調べることにより行った。
12 基板(被処理材)
14 プラズマ発生器
16 ホルダ
18 チャンバ
20 真空ポンプ
22、24 MFC
26 配管
30 電極板
30a 第1電極板
30b 第2電極板
32 電磁石
34 ベース
36 ステー
38 スライドレール
40 サーボアクチュエータ
42 貫通孔
52 可変コンバータ
54 電源
60、62、64、66 永久磁石
70 バイアス電源
72 切り替え回路(切り替え機構)
74 高周波電源
80、82、84 領域(プラズマ発生領域)
Claims (6)
- 被処理材を保持するホルダと、
表面を前記ホルダへ向けて配置された第1電極板と、前記第1電極板の裏面側に前記第1電極板とは平行に配置された第2電極板と、からなる2枚で一対の電極板と、
前記第1、第2電極板の両方を貫通する複数の貫通孔と、
前記電極板の一方に対して高周波で電圧を印加することにより前記電極板の近傍にプラズマを発生させる高周波電源と、
前記電極板を挟んで前記被処理材と対向する位置に設けられ、前記電極板の近傍の電子密度を高めることにより、前記プラズマの密度を高める磁石と、
を備える、とともに、
前記第1電極板を接地して前記第2電極板に前記高周波電源から電圧を印加する第1状態と、前記第2電極板及び前記ホルダを接地して前記第1電極板に前記高周波電源から電圧を印加する第2状態と、を切り替える切り替え機構を備え、
前記第1状態においては、前記電極板の近傍にプラズマ発生用の気体を供給することによって、前記第2電極板の近傍にホローカソード放電によるプラズマを発生させ、
前記第2状態においては、前記第1電極板から前記ホルダへ向かうグロー放電によるプラズマを発生させる、プラズマ処理装置。 - 前記磁石を、前記貫通孔に対応して複数設けた、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁石は、供給する電力により磁力が変化する電磁石である、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁石により、前記プラズマの密度が低い領域の磁力を他の領域よりも高くする、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電極板を移動させることにより、前記ホルダとの距離を調整する調整機構を備えた、請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2状態においては、前記グロー放電によるプラズマに加えて、前記電極板の近傍に前記気体を供給することによって、前記第2電極板の近傍にホローカソード放電によるプラズマを発生させる、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
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