JP7308711B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
最初に、実施形態に係るプラズマ処理装置10の構成について説明する。図1は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成の一例を示す垂直断面図である。本実施形態に係るプラズマ処理装置10は、誘導結合プラズマを生成して、例えば、FPD用ガラス基板のような矩形の基板に対しエッチング処理やアッシング処理等の誘導結合プラズマ処理を行う誘導結合型のプラズマ処理装置として構成される。
2 誘電体壁
3 アンテナ室
4 処理室
13 高周波アンテナ
14 整合器
15 高周波電源
16 給電部材
19 給電線
20 処理ガス供給系
23 載置台
23a 本体
23b 絶縁体枠
23c 側部電極
23d 載置面
27 高周波電源
30 排気口
31 排気配管
32 自動圧力制御バルブ(APC)
33 真空ポンプ
40 排気部
41 処理空間
42 排気空間
50 バッフル板
51 凹部
52 底壁
53a~53d 側壁
60 間口
61 フィン
62 フィン
70 排気網部
100 制御部
G 基板
Claims (7)
- 基板が載置される載置台が内部に設けられ、基板に対するプラズマ処理が実施される処理室と、
前記載置台にバイアス用の高周波電力を供給する高周波電源と、
前記載置台の上面の外周を取り囲み、互いに離間して配置された複数のバッフル板と、
少なくとも一組の隣接する前記バッフル板の間に、底壁と複数の側壁とから成り、接地電位に接続された内壁部を有し、前記載置台に対する対向電極を構成する凹部と、
を有するプラズマ処理装置。 - 前記載置台は、外周の側面の全面に、前記載置台に対する対向電極を構成する側部電極が設けられている
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 - 前記バッフル板は、前記処理室内を排気する排気口に繋がる排気空間が下部に形成され、
前記凹部と前記排気空間の間に封止板をさらに有し、
前記封止板と、前記載置台の側面と、前記処理室の内部側面とが、前記凹部の側壁を構成する
請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記排気空間内の、前記排気口への排気の流れに対して前記排気口よりも上流側に導電性材料からなり、接地電位に接続された複数の板状部材をさらに有する
請求項3に記載のプラズマ処理装置。 - 前記底壁は、前記処理室の底面上に設けられている
請求項1~4の何れか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記載置台は、平面視において矩形状であり、
前記処理室は、平面視断面において矩形状であり、
複数の前記バッフル板は、前記処理室の隅部において、間口が形成されるように離間して配置され、
前記凹部は、前記載置台の辺部分の側面に形成された
請求項1~5の何れか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記バッフル板は、前記載置台に対する対向電極を構成する
請求項1~5の何れか1つに記載のプラズマ処理装置。
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