TW202119461A - 電漿處理裝置 - Google Patents
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Abstract
[課題]抑制電漿變得不穩定。
[解決手段]處理室，係在內部設置有載置基板之載置台，且實施對基板的電漿處理。高頻電源，係將偏壓用之高頻電力供給至載置台。複數個擋板，係包圍載置台之上面的外周，且相互分離配置。凹部，係在至少一組鄰接的擋板之間具有由底壁與複數個側壁所形成的內壁部，且構成相對於載置台之對向電極。
Description
本揭示，係關於電漿處理裝置。
在專利文獻1，係揭示有一種電漿處理裝置，其在載置基板之載置台的周圍，以分隔成進行電漿處理之處理區域與連結於排氣系統之排氣空間的方式，設置有分隔構件。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-216260號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示，係提供一種抑制電漿變得不穩定的技術。
[用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣的電漿處理裝置，係具有：處理室；高頻電源；複數個擋板；及凹部。處理室，係在內部設置有載置基板之載置台，且實施對基板的電漿處理。高頻電源，係將偏壓用之高頻電力供給至載置台。複數個擋板，係包圍載置台之上面的外周，且相互分離配置。凹部，係在至少一組鄰接的擋板之間具有由底壁與複數個側壁所形成的內壁部，且構成相對於載置台之對向電極。
[發明之效果]
根據本揭示，可抑制電漿變得不穩定。
以下，參閱圖面，詳細地說明關於本申請案所揭示之電漿處理裝置的實施形態。另外，並非藉由本實施形態來限定所揭示的電漿處理裝置。
然而，在平板顯示器(FPD)之製造工程中，係存在有對玻璃基板等的基板進行電漿蝕刻或成膜處理等的電漿處理之工程。在電漿處理中，係使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等的各種電漿處理裝置。
電漿處理裝置，係在執行由電漿所進行的基板處理之際，為了離子引入，從而對成為載置台的下部電極供給偏壓用之高頻電力。另一方面，電漿處理裝置，係為了提高電漿之處理能力，雖要求高壓力･高功率的電漿，但有電漿隨之變得不穩定的傾向。因此，期待抑制電漿變得不穩定的情形。
[電漿處理裝置之構成]
首先，說明關於實施形態之電漿處理裝置10的構成。圖1，係表示實施形態之電漿處理裝置的概略構成之一例的垂直剖面圖。本實施形態之電漿處理裝置10，係被構成為「生成感應耦合電漿，且例如對如FPD用玻璃基板般的矩形基板進行蝕刻處理或灰化處理等的感應耦合電漿處理」之感應耦合型的電漿處理裝置。
電漿處理裝置10，係具有：角筒形狀之氣密的本體容器1，由導電性材料例如內壁面經陽極氧化處理的鋁所構成。本體容器1，係被組裝成可分解，且藉由接地線1a而接地。本體容器1，係藉由介電質壁2，被上下分隔成天線室3及處理室4。介電質壁2，係構成處理室4的頂壁。介電質壁2，係由Al2
O3
等的陶瓷、石英等所構成。
在處理容器1之天線室3的側壁3a與處理室4的側壁4a之間，係設置有突出於內側的支撐棚架5。在支撐棚架5之上，係載置有介電質壁2。
在介電質壁2之下側部分，係嵌入有處理氣體供給用之淋浴頭框體11。淋浴頭框體11，係被設成為十字狀，且形成為從下方支撐介電質壁2的構成例如樑構造。另外，支撐上述介電質壁2之淋浴頭框體11，係成為藉由複數根吊桿(未圖示)而被懸吊於本體容器1之頂棚的狀態。支撐棚架5及淋浴頭框體11，係亦可被介電體構件所被覆。
淋浴頭框體11，係由「導電性材料，較理想為金屬例如以不產生污染物的方式而內面或外面經陽極氧化處理」的鋁所構成。在淋浴頭框體11，係形成有水平延伸的氣體流路12。在氣體流路12，係連通有朝向下方延伸的複數個氣體吐出孔12a。另一方面，在介電質壁2之上面中央，係以連通於氣體流路12的方式，設置有氣體供給管20a。氣體供給管20a，係從本體容器1之頂棚往外側貫穿，並被連接於包含處理氣體供給源及閥系統等的處理氣體供給系統20。在電漿處理中，從處理氣體供給系統20所供給之處理氣體，係經由氣體供給管20a被供給至淋浴頭框體11內的氣體流路12，並從形成於淋浴頭框體11之下面的氣體吐出孔12a被吐出至處理室4內。
在天線室3內，係配設有高頻(RF)天線13。高頻天線13，係被構成為將由銅或鋁等之良導電性之金屬所構成的天線線13a配置成環狀或螺旋狀等的以往所使用之任意形狀。高頻天線13，係亦可為具有複數個天線部的多重天線。
在天線線13a之端子22，係連接有往天線室3之上方延伸的供電構件16。在供電構件16之上端，係藉由供電線19連接有高頻電源15。又，在供電線19，係設置有匹配器14。而且，高頻天線13，係藉由以絕緣構件所構成的間隔件17而與介電質壁2分離。電漿處理之際，例如頻率為13.56MHz之高頻電力從高頻電源15被供給至高頻天線13。藉此，在處理室4內，係形成感應電場，藉由感應電場，使從淋浴頭框體11所供給之處理氣體電漿化而生成感應耦合電漿。
在處理室4內之底壁4b上，係以隔著介電質壁2且與高頻天線13對向的方式，設置有載置台23，該載置台23，係具有用以載置矩形狀之基板G的載置面23d。載置台23，係經由絕緣體構件24被固定。絕緣體構件24，係呈框狀。載置台23，係具有：本體23a，由導電性材料例如表面經陽極氧化處理的鋁所構成。本體23a，係被形成為與基板G相同程度或稍微大於基板G的矩形狀。載置台23，係以包圍本體23a之側面的整面及下面之外周的方式，設置有絕緣體框23b，而且，以包圍絕緣體框23b之側面的整面的方式，設置有由導電性材料所構成的側部電極23c。側部電極23c，係藉由絕緣體框23b而與本體23a絕緣。側部電極23c，係藉由未圖示之接地構件被連接於接地電位。另外，亦可使側部電極23c與後述之擋板50電性連接，且使側部電極23c經由擋板50接地。載置於載置台23之基板G，係藉由靜電卡盤(未圖示)吸附保持。
用以搬入搬出基板G之升降銷(未圖示)經由本體容器1的底壁4b、絕緣體構件24插通於載置台23中。升降銷，係藉由被設置於本體容器1外之升降機構(未圖示)進行升降驅動且進行基板G的搬入搬出。另外，載置台23，係亦可設成為能藉由升降機構進行升降的構造。
在載置台23之本體23a，係藉由供電線25，經由匹配器26連接有偏壓用之高頻電源27。在電漿處理期間，高頻電源27，係為了形成高頻偏壓，從而將偏壓用高頻電力供給至本體23a。載置台23，係本體23a作為下部電極而發揮功能。偏壓用高頻電力之頻率，係例如6MHz。處理室4內所生成之電漿中的離子，係藉由高頻偏壓有效地被引入至基板G。
又，為了控制基板G之溫度，在載置台23內，係設置有由陶瓷加熱器等的加熱手段或冷媒流路等所構成的溫度控制機構與溫度感測器(皆未圖示)。
而且，由於載置台23，係在載置面23d存在有微小的凹凸，因此，在載置了基板G之際，在基板G的背面與載置面23d之間形成有微小間隙(未圖示)以作為冷卻空間而發揮功能。另外，載置面23d，係亦可由微小的無數個凸部所構成。在冷卻空間，係連接有用於以預定壓力供給作為熱傳達用氣體之He氣體的He氣體流路28。如此一來，藉由將熱傳達用氣體供給至基板G之背面側的方式，可在真空下，使基板G之溫度控制性良好。
在處理室4之底壁4b的底部中央，係形成有開口部4c。供電線25、He氣體流路28及溫度控制機構之配管或配線，係通過開口部4c被導出至本體容器1外。
在處理室4之四個側壁4a中之一個，係設置有用以搬入搬出基板G的搬入搬出口29a及對其進行開關的閘閥29。
在處理室4之底壁4b，係排氣口30被設置於載置台23的側部。排氣口30，係以成為比載置台23的載置面23d低之位置的方式，設置於底壁4b。在排氣口30，係設置有排氣部40。排氣部40，係具有：排氣配管31，被連接於排氣口30；自動壓力控制閥(APC)32，藉由調整排氣配管31之開合度的方式，控制處理室4內的壓力；及真空泵33，用以經由排氣配管31對處理室4內進行排氣。而且，藉由真空泵33對處理室4內進行排氣，在電漿處理期間，調整自動壓力控制閥(APC)32之開合度，使處理室4內設定、維持為預定的真空氛圍。
圖2A，係表示實施形態之處理室內的構成之一例的立體圖。圖2B，係表示實施形態之處理室內的構成之一例的水平剖面圖。在圖2A，係顯示有表示處理室4內的載置台23附近之構成的立體圖。在圖2B，係表示從上方觀看處理室4內之載置台23附近的剖面圖。在處理室4內，係載置台23被配置於中央。為了載置矩形狀之基板G，載置台23的載置面23d，係被形成為矩形狀。排氣口30，係在處理室4之載置台23的周圍形成有複數個。在本實施形態中，係排氣口30被分別設置於矩形狀之載置台23的各邊之兩端附近的總計8部位。另外，排氣口30之數量或位置，係因應裝置的大小適當地進行設定。
在處理室4的內壁(側壁4a的內側部分)與載置台23之間，係板狀之擋板50被設置於與載置台23的各邊之排氣口30對應的部分。在本實施形態中，係以分別覆蓋排氣口30的方式，在載置台23之各邊的側面側設置有8片擋板50。擋板50，係包圍載置台23之上面的外周，且相互分離設置。各邊的排氣口30之間的部分，係未被擋板50覆蓋，形成有比擋板50及載置台23低的凹部51。
如圖1所示般，處理室4，係藉由擋板50，被分隔成對基板G進行電漿處理的處理空間41與連結於排氣口30的排氣空間42。處理空間41，係處理室4中之比擋板50更上方的區域，且為形成用以對基板G進行電漿處理之感應耦合電漿的區域。排氣空間42，係處理室4中之比擋板50更下方的區域，且為用以引導來自處理空間41之處理氣體並對其進行排氣的區域。
擋板50，係由金屬等的導電性材料所構成，且被形成為不具有開口部之矩形的板材。各擋板50，係以使上面成為比載置台23的載置面23d低之位置的方式，被配置於載置台23的各側面。各擋板50，係藉由接地線50a被連接於接地電位。另外，亦可使擋板50與側壁4a電性連接，且經由本體容器1接地。
如圖2A所示般，於角隅部鄰接之擋板50彼此，係以在其間形成有將被供給於處理空間41的氣體引導至排氣空間42之開口60的方式而分離配置。在本實施形態中，係開口60存在於處理室4的四個角。被擋板50覆蓋之排氣空間42的凹部51側藉由密封板80而密封。排氣空間42之四個角側，係未被密封，排氣可流向排氣口30。排氣不從凹部51側流向排氣口30而是從開口60側流向排氣口30。圖3，係表示實施形態之處理室的排氣之流動的圖。導入處理空間41之處理氣體，係從開口60到達排氣空間42，並從排氣口30經由排氣配管31被排氣至排氣部40。
凹部51，係具有由底壁53與複數個側壁53a ~53d所構成的內壁部。底壁52，係由處理室4之底面(底壁4b)所構成。側壁53a，係由側部電極23c所構成。側壁53b、53d，係由密封板80所構成。側壁53c，係由處理室4之側壁4a所構成。處理室4之底壁4b、側壁4a、側部電極23c及密封板80，係皆被連接於接地電位。因此，凹部51之內壁部，係成為接地電位。另外，底壁52，係亦可由與處理室4之底面不同的構件所構成，且在該情況下，亦可使其與底面接觸，又，亦可使其浮接而配置。
在排氣空間42，係配置有複數個翼片61。在圖2A及圖2B中，係在被擋板50覆蓋之部分並列配置有複數個翼片61。翼片61，係由金屬等的導電性材料所構成，且被形成為矩形之板狀構件。各翼片61，係以排氣口30之上部以外的部分與處理室4之底面(底壁4b)連接，且被配置為板狀構件之板面成為與載置台23的側面並行。亦即，各翼片61，係在排氣空間42中，被配置為形成排氣往排氣口30之流動。各翼片61之間隔，係設成10~200mm為較佳。各翼片61，係藉由未圖示之接地構件被連接於接地電位。另外，亦可使各翼片61之至少一部分與擋板50電性連接，且經由擋板50接地。處理室4之處理空間41的氣體，係從各開口60流向排氣空間42，並通過翼片61b之間而從排氣口30進行排氣。
返回到圖1。在排氣口30，係分別設置有排氣網部70。排氣網部70，係具有與排氣口30對應之尺寸的開口，並可安裝於排氣口30。在排氣網部70之開口，係設置有排氣網。排氣網，係藉由形成有多數個狹縫之構件或網孔構件、多數個沖孔的構件所形成，且氣體可通過。另外，排氣網部70，係亦可重疊設置有複數個排氣網。
實施形態之電漿處理裝置10，係具有由微處理器(電腦)所構成的控制部100、使用者介面101及記憶部102。控制部100，係將指令發送至電漿處理裝置10之各構成部例如閥、高頻電源、真空泵等，對該些進行控制。又，使用者介面部101，係具有鍵盤或顯示器等，該鍵盤，係供操作員為了管理電漿處理裝置10而進行指令輸入等的輸入操作，該顯示器，係使電漿處理裝置10之運轉狀況可視化顯示。使用者介面101，係被連接於控制部100。記憶部102，係儲存有用於藉由控制部100之控制來實現在電漿處理裝置10所執行之各種處理的控制程式，或用於因應處理條件來使電漿處理裝置10之各構成部執行處理的程式亦即處理配方。記憶部102，係被連接於控制部100。處理配方，係被記憶於記憶部102之中的記憶媒體。記憶媒體，係亦可為內建於電腦之硬碟或半導體記憶體，或亦可為CDROM、DVD、快閃記憶體等的可攜式者。又，亦可從其他裝置例如經由專用回線適當地傳送配方。而且，因應所需，依據來自使用者介面101之指示等，從記憶部102呼叫任意的處理配方並在控制部100執行，藉此，在控制部100之控制下，進行電漿處理裝置10中之所期望的處理。
其次，說明關於使用如以上般所構成之電漿處理裝置10來對基板G施予電漿處理例如電漿蝕刻或電漿灰化時的處理動作。
首先，電漿處理裝置10，係將閘閥29設成為開啟的狀態。基板G，係藉由搬送機構(未圖示)，從搬入搬出口29a被搬入至處理室4內，並載置於載置台23的載置面23d。電漿處理裝置10，係藉由靜電卡盤(未圖示)，將基板G固定於載置台23上。其次，電漿處理裝置10，係將處理氣體從處理氣體供給系統20經由淋浴頭框體11之氣體吐出孔12a供給至處理室4內。又，電漿處理裝置10，係藉由自動壓力控制閥(APC)32控制壓力的同時，藉由真空泵33從排氣口30經由排氣配管31對處理室4內進行真空排氣，藉此，將處理室內維持於例如0.66~26.6Pa左右的壓力氛圍。
又，此時，為了迴避基板G之溫度上升或溫度變化，電漿處理裝置10，係經由He氣體流路28對基板G之背面側的冷卻空間供給作為熱傳達用氣體之He氣體。
其次，電漿處理裝置10，係從高頻電源15例如將13.56MHz之高頻電力供給至高頻天線13，藉此，經由介電質壁2，在處理室4內形成均勻的感應電場。藉由像這樣所形成之感應電場，處理氣體便在處理室4內電漿化，生成高密度的感應耦合電漿。藉由該電漿，對基板G進行電漿處理，例如對基板G之預定膜進行電漿蝕刻或電漿灰化。此時同時，電漿處理裝置10，係從高頻電源27例如將頻率為6MHz之高頻電力供給至載置台23而形成高頻偏壓，使處理室4內所生成的電漿中之離子有效地被引入至基板G。
處理氣體，係當在處理室4內之處理空間41電漿化而被供應於電漿處理後，未電漿化之剩餘部分與反應生成物等一起被真空泵33吸引，藉此，從開口60到達排氣空間42，並從排氣口30經由排氣配管31進行排氣。
在此，隨著基板G越大型化，電漿處理裝置10，係越需要對載置台23供給高功率的高頻電力。但是，當電漿處理裝置10對載置台23供給高功率的高頻電力時，則產生電弧或成為電性不穩定。例如，當基板G之尺寸成為第8世代之尺寸(2160mm×2460mm)以上的尺寸時，電漿處理裝置10，係需要對載置台23供給更高功率的高頻電力。但是，即便在伴隨著基板G之大型化而使載置台23大型化的情況下，電漿處理裝置10，係亦無法與基板G之尺寸成比例地增大裝置整體的尺寸。例如，所製造之電漿處理裝置10雖係藉由卡車被運送至客戶的工廠，但卡車可運送之尺寸有所限制。在電漿處理裝置10大於卡車可運送之尺寸的情況下，必需構成為可將電漿處理裝置10分割成能運送的尺寸，特別是，在橫方向之分割中，係構成變得複雜。因此，為了減輕進行運送而分割電漿處理裝置10所費之工夫或在客戶的工廠組裝電漿處理裝置10所費之工夫，電漿處理裝置10，係至少在橫方向上，設成卡車可運送之尺寸為較佳。又，電漿處理裝置10，係當淋浴頭框體11與載置台23之間的空間之高度變寬時，則所生成之電漿的密度降低且處理效率降低。因此，即便在伴隨著基板G之大型化而使載置台23大型化的情況下，電漿處理裝置10，係亦維持處理室4的高度。藉此，電漿處理裝置10，係隨著使載置台23大型化而能處理之基板G的尺寸越大，則作為對向電極而發揮功能之處理室4的內壁(側壁4a之內側部分)的面積相對於載置基板G之載置台23的面積之比率越降低。該結果，電漿處理裝置10，係隨著能處理之基板G的尺寸越大，則對於對向電極之返回電流密度越增加且容易產生電弧等，從而成為電性不穩定。
因此，實施形態之電漿處理裝置10，係以包圍載置台23的上面之外周的方式，相互分離地設置複數個擋板50，並在擋板50之間形成凹部51。而且，電漿處理裝置10，係將凹部51之內壁部設成為接地電位。凹部51之內壁部，係作為相對於形成有高頻偏壓的載置台23之對向電極而發揮功能。藉此，電漿處理裝置10，係由於與凹部51的內壁部(底壁52、側壁53a~53d)相應之對向電極的面積擴大，因此，即便在伴隨著基板G之大型化而使載置台23大型化的情況下，亦可確保電性之穩定性，並可抑制不穩定的放電。
又，電漿處理裝置10，係不僅在凹部51之內壁部，甚至在載置台23的外周之側面的整面設置側部電極23c，並將側部電極23c設成為接地電位。側部電極23c，係作為相對於形成有高頻偏壓的載置台23之對向電極而發揮功能。藉此，電漿處理裝置10，係由於與側部電極23c相應之對向電極的面積擴大，因此，即便在伴隨著基板G之大型化而使載置台23大型化的情況下，亦可確保電性之穩定性，並可抑制不穩定的放電。
而且，電漿處理裝置10，係將擋板50設成為接地電位。擋板50，係作為相對於形成有高頻偏壓的載置台23之對向電極而發揮功能。藉此，電漿處理裝置10，係由於與擋板50相應之對向電極的面積擴大，因此，即便在伴隨著基板G之大型化而使載置台23大型化的情況下，亦可確保電性之穩定性，並可抑制不穩定的放電。
又，電漿處理裝置10，係在排氣往排氣口30之流動的上游側並列地配置複數個翼片61。藉此，在經電漿化的氣體流向排氣口30之際，氣體與翼片61接觸而失活。藉此，可抑制經電漿化的氣體流向排氣口30而在排氣部40之內部產生不穩定的放電。另外，只要氣體可通過，則不一定限於並列，亦可為其他配置。又，在將翼片61設成為接地電位的情況下，由於翼片61作為相對於載置台23之對向電極而發揮功能，因此，可抑制不穩定的放電。又，以在與鄰接的擋板50之間形成有開口60的方式，在載置台23之周圍分離地配置複數個擋板50。翼片61，係被配置於藉由擋板50所覆蓋的部分。
另外，在圖2A及圖2B之例子中，雖係以將翼片61僅配置於被擋板50覆蓋之部分的情形為例進行了說明，但翼片61之配置並不限定於此。在有助於對向電極之擴大的情況下，翼片61，係只要被配置於處理室4之內面，則亦可設置於任何位置。另外，為了抑制附著之沈積物等的副生成物掉落至載置台23的載置面23d，翼片61，係配置於比載置台23之載置面23d低的位置為較佳。
圖4，係表示其他實施形態之翼片的配置之一例的圖。在圖4的情況下，在凹部51亦並列地設置有複數個翼片62。翼片62，係由金屬等的導電性材料所構成，且被形成為矩形之板狀構件。各翼片62，係藉由未圖示之接地構件被連接於接地電位。另外，亦可使各翼片62與處理室4的底壁4b電性連接，且使各翼片62接地。由於翼片62，係未被擋板50覆蓋，因此，被曝露於電漿中。在該情況下，由於翼片62作為相對於載置台23之對向電極而直接發揮功能，因此，可提高對向電極之擴大的效果。
如以上般，本實施形態之電漿處理裝置10，係具有：處理室4；高頻電源27；複數個擋板50；及凹部51。處理室4，係在內部設置有載置基板G之載置台23，且實施對基板G的電漿處理。高頻電源27，係將偏壓用之高頻電力供給至載置台23。複數個擋板50，係包圍載置台23之上面的外周，且相互分離配置。凹部51，係在至少一組鄰接的擋板50之間具有由底壁52與複數個側壁53a~53d所形成的內壁部，且構成相對於載置台23之對向電極。藉此，由於電漿處理裝置10，係可擴大相對於載置台23之對向電極的面積，因此，可抑制電漿變得不穩定。
又，載置台23，係在外周之側面的整面設置有構成相對於載置台23之對向電極的側部電極23c。藉此，由於電漿處理裝置10，係可擴大相對於載置台23之對向電極的面積，因此，可抑制電漿變得不穩定。
又，擋板50，係在下部形成有與對處理室4內進行排氣之排氣口30連結的排氣空間42。電漿處理裝置10，係在凹部51與排氣空間42之間具有密封板80。密封板80、載置台23之側面及處理室4之內部側面，係構成凹部51的側壁。藉此，電漿處理裝置10，係可將凹部51形成得較寬，並可擴大內壁部的面積。
又，電漿處理裝置10，係在排氣空間42內之相對於排氣往排氣口30之流動而比排氣口30更上游側，更具有由導電性材料所構成且被連接於接地電位的複數個板狀構件(翼片61)。藉此，由於電漿處理裝置10，係可藉由翼片61使流向排氣口30之經電漿化的氣體失活，因此，可抑制不穩定的放電。
以上，雖說明了關於實施形態，但此次所揭示之實施形態，係所有的要點均為例示，不應被認為限制性之內容。實際上，上述實施形態，係可藉由多種形態來實現。又，上述實施形態，係亦可在不脫離申請專利範圍及其意旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。
例如，在上述實施形態中，雖係表示了關於「在處理室之上部，經由介電質窗(介電質壁2)設置有高頻天線」來作為感應耦合型之電漿處理裝置10的情形，但亦可應用於並非經由介電質窗而是經由金屬窗設置有高頻天線的情形。在該情況下，處理氣體之供給，係亦可不從樑構造等的十字狀之淋浴頭框體進行供給，而是在金屬窗設置氣體噴淋部來進行供給。
再者，在上述實施形態中，雖係表示了關於在處理室之四角形成開口60的例子，但是並不限於此。
再者，上述實施形態，雖係說明了進行電漿蝕刻或電漿灰化之裝置，但亦可應用於CVD成膜等的其他電漿處理裝置10。而且，在上述實施形態中，雖係表示了使用FPD用之矩形基板來作為基板的例子，但亦可應用於處理其他矩形基板的情形，或者不限於矩形，亦可應用於例如半導體晶圓等的圓形之基板。
1:本體容器
2:介電質壁
3:天線室
4:處理室
13:高頻天線
14:匹配器
15:高頻電源
16:供電構件
19:供電線
20:處理氣體供給系統
23:載置台
23a:本體
23b:絕緣體框
23c:側部電極
23d:載置面
27:高頻電源
30:排氣口
31:排氣配管
32:自動壓力控制閥(APC)
33:真空泵
40:排氣部
41:處理空間
42:排氣空間
50:擋板
51:凹部
52:底壁
53a~53d:側壁
60:開口
61:翼片
62:翼片
70:排氣網部
100:控制部
G:基板
[圖1]圖1，係表示實施形態之電漿處理裝置的概略構成之一例的垂直剖面圖。
[圖2A]圖2A，係表示實施形態之處理室內的構成之一例的立體圖。
[圖2B]圖2B，係表示實施形態之處理室內的構成之一例的水平剖面圖。
[圖3]圖3，係表示實施形態之處理室的排氣之流動的圖。
[圖4]圖4，係表示其他實施形態之翼片的配置之一例的圖。
23:載置台
23b:絕緣體框
23c:側部電極
23d:載置面
30:排氣口
50:擋板
51:凹部
52:底壁
53a:側壁
53b:側壁
53c:側壁
53d:側壁
60:開口
61:翼片
80:密封板
Claims (8)
- 一種電漿處理裝置，其特徵係，具有： 處理室，在內部設置有載置基板之載置台，且實施對基板的電漿處理； 高頻電源，將偏壓用之高頻電力供給至前述載置台； 複數個擋板，包圍前述載置台之上面的外周，且相互分離配置；及 凹部，在至少一組鄰接的前述擋板之間具有由底壁與複數個側壁所形成的內壁部，且構成相對於前述載置台之對向電極。
- 如請求項1之電漿處理裝置，其中， 前述載置台，係在外周之側面的整面設置有構成相對於前述載置台之對向電極的側部電極。
- 如請求項1或2之電漿處理裝置，其中， 前述擋板，係在下部形成有與對前述處理室內進行排氣之排氣口連結的排氣空間， 在前述凹部與前述排氣空間之間更具有密封板， 前述密封板、前述載置台之側面及前述處理室之內部側面，係構成前述凹部的側壁。
- 如請求項3之電漿處理裝置，其中， 在前述排氣空間內之相對於排氣往前述排氣口之流動而比前述排氣口更上游側，更具有由導電性材料所構成且被連接於接地電位的複數個板狀構件。
- 如請求項1~4中任一項之電漿處理裝置，其中， 前述底壁，係被設置於前述處理室的底面上。
- 如請求項1~5中任一項之電漿處理裝置，其中， 前述載置台，係於俯視下為矩形狀， 前述處理室，係於俯視剖面下為矩形狀， 複數個前述擋板，係以在前述處理室之角隅部形成有開口的方式而分離配置， 前述凹部，係被形成於前述載置台之邊部分的側面。
- 如請求項1~5中任一項之電漿處理裝置，其中， 前述擋板，係構成相對於前述載置台之對向電極。
- 如請求項1~7中任一項之電漿處理裝置，其中， 前述對向電極，係被連接於接地電位的接地電極。
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