JP4357849B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4357849B2 JP4357849B2 JP2003040117A JP2003040117A JP4357849B2 JP 4357849 B2 JP4357849 B2 JP 4357849B2 JP 2003040117 A JP2003040117 A JP 2003040117A JP 2003040117 A JP2003040117 A JP 2003040117A JP 4357849 B2 JP4357849 B2 JP 4357849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- vacuum chamber
- plasma processing
- processing apparatus
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置のエッチング処理等に利用されるプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、例えば半導体装置の製造分野における半導体装置の微細な回路パターンの形成等に、プラズマエッチング装置等のプラズマ処理装置が多用されている。
【0003】
図9は、このようなプラズマ処理装置の一例として、従来のプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示すもので、同図において、符号1は、材質が例えばアルミニウム等からなり、内部を気密に閉塞可能に構成され、プラズマ処理室を構成する真空チャンバを示している。
【0004】
上記真空チャンバ1は、円筒状とされており、接地電位に接続されている。また、真空チャンバ1の内部には、被処理基板としての半導体ウエハWを、被処理面を上側に向けて略水平に支持する下部電極を兼ねた支持台(サセプタ)2が設けられている。
【0005】
この支持台2は、例えばアルミニウム等の材質で構成されており、セラミックなどの絶縁板3を介して真空チャンバ1内に支持されている。また支持台2の上方の外周には導電性材料または絶縁性材料で形成されたフォーカスリング4が設けられている。
【0006】
また、支持台2の半導体ウエハWの載置面には、半導体ウエハWを静電吸着するための静電チャック5が設けられている。この静電チャック5は、絶縁体5bの間に電極5aを配置して構成されており、電極5aには直流電源6が接続されている。そして電極5aに直流電源6から電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハWが吸着されるようになっている。
【0007】
さらに、支持台2には、冷媒を循環するための冷媒流路(図示せず)と、冷媒からの冷熱を効率よく半導体ウエハWに伝達するために半導体ウエハWの裏面にHeガスを供給するガス導入機構(図示せず)とが設けられ、半導体ウエハWを所望の温度に温度制御できるようになっている。
【0008】
また、支持台2のほぼ中央には、高周波電力を供給するための給電線7が接続されており、この給電線7にはマッチングボックス8及び高周波電源9が接続されている。高周波電源9からは、支持台2に、周波数が例えば13.56〜150MHzの範囲の高周波電力が供給されるようになっている。
【0009】
さらに、支持台2の周囲には、支持台2を囲むように環状に形成された板材からなる排気リング10が設けられている。この排気リング10には、排気を行うための複数の開口10aが形成されており、これらの開口10aによって、支持台2の周囲から均一に排気が行われ、真空チャンバ1内に均一なガス流が形成されるようになっている。
【0010】
一方、支持台2の上方の真空チャンバ1の天壁部分には、上部電極を兼ねたシャワーヘッド11が、支持台2と平行に対向する如く設けられており、このシャワーヘッド11は接地されている。したがって、これらの支持台2およびシャワーヘッド11は、一対の電極として機能するようになっている。
【0011】
上記シャワーヘッド11は、その下面に多数のガス吐出孔12が設けられており、且つその上部にガス導入部13を有している。そして、その内部にはガス拡散用空隙14が形成されている。ガス導入部13にはガス供給配管15が接続されており、このガス供給配管15の他端には、エッチング用の処理ガスを供給する処理ガス供給系16が接続されている。
【0012】
処理ガス供給系16から供給される処理ガスは、ガス供給配管15、ガス導入部13を介してシャワーヘッド11のガス拡散用空隙14に至り、ガス吐出孔12から吐出され、半導体ウエハWに形成された膜のエッチングに供されるようになっている。
【0013】
また、真空チャンバ1の下部には、排気ポート17が形成されており、この排気ポート17には排気系18が接続されている。そして排気系18に設けられた真空ポンプを作動させることにより真空チャンバ1内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。
【0014】
一方、真空チャンバ1の外側周囲には、真空チャンバ1と同心状に、環状の磁場形成機構(リング磁石)19が配置されており、支持台2とシャワーヘッド11との間の処理空間に磁場を形成するようになっている。この磁場形成機構19は、回転機構20によって、その全体が、真空チャンバ1の回りを所定の回転速度で回転可能とされている。
【0015】
上記構成のプラズマエッチング装置では、上部電極を兼ねたシャワーヘッド11と下部電極を兼ねた支持台2との間に高周波電源9によって高周波電力を印加し、これらの間に形成された処理空間内に処理ガスのプラズマを生起して、このプラズマによって半導体ウエハWのエッチングを行う。
【0016】
しかしながら、支持台2の周囲に設けられた排気リング10には、排気系18によって排気を行うための複数の開口10aが設けられている。このため、例えば高周波電源9から支持台2に供給する高周波電力を増大させてプラズマの密度が高くなった場合などに、処理空間内に形成されていたプラズマが排気リング10の開口10aを通って、排気リング10の下方の排気側へ漏れる所謂プラズマリークが発生することがある。
【0017】
また、上記のようなプラズマリークは定常的に生じるものではなく、プラズマリークが起きたり起きなかったりするので、プラズマが不安定になり、安定したエッチング処理を行うことが困難になるという問題があった。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】
上述したとおり、従来のプラズマ処理装置では、上部電極と下部電極との間に印加する高周波電力を増大させた場合などに、排気リングの開口等を通じて排気側にプラズマがリークするプラズマリークが発生することがあり、プラズマが不安定になって、安定したプラズマ処理を行うことが困難になるという問題があった。
【0019】
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、不所望なプラズマリークが発生することを抑制することができ、安定したプラズマで安定したプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
すなわち、請求項1記載の発明は、被処理基板を収容しプラズマ処理するための真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極と対向するように前記真空チャンバ内に設けられた上部電極と、前記真空チャンバ内を排気するための排気手段とを具備し、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加して、カソードとして作用する前記下部電極とアノードとして作用する前記上部電極との間に形成された処理空間内にプラズマを生起するプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記処理空間内に形成された前記プラズマの容積が増大した際に侵入するためのプラズマ拡散用空隙であってアノード面の面積を増大させるプラズマ拡散用空隙を設けたことを特徴とする。
【0021】
請求項2の発明は、請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記上部電極及び前記真空チャンバが接地電位とされ、前記下部電極に前記高周波電源が接続されていることを特徴とする。
【0022】
請求項3の発明は、請求項2記載のプラズマ処理装置において、排気を行うための開口を有し、前記下部電極の周囲を囲むように環状に形成され、接地電位とされた排気リングを具備し、この排気リングによって、前記プラズマ拡散用空隙が形成されていることを特徴とする。
【0023】
請求項4の発明は、請求項3記載のプラズマ処理装置において、前記排気リングの前記下部電極の周囲に配置された部分が、下側に向けて凸となる凸形状とされ、この凸形状部分が前記プラズマ拡散用空隙とされていることを特徴とする。
【0024】
請求項5の発明は、請求項2〜4いずれか一項記載のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバの内壁に、当該内壁を所定形状に凹陥した凹陥部が設けられ、この凹陥部が前記プラズマ拡散用空隙とされていることを特徴とする。
【0025】
請求項6の発明は、請求項5記載のプラズマ処理装置において、前記凹陥部が溝状に形成され、複数設けられていることを特徴とする。
【0026】
請求項7の発明は、請求項5記載のプラズマ処理装置において、前記凹陥部がディンプル状に形成され、複数設けられていることを特徴とする。
【0027】
請求項8の発明は、請求項1〜7いずれか一項記載のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバの外側に、当該真空チャンバ内に磁場を形成するための磁場形成機構が設けられたことを特徴とする。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を、実施の形態について図面を参照して説明する。
【0029】
図1は、本発明をプラズマエッチング装置に適用した一実施形態の概略構成を示すもので、図9に示したプラズマエッチング装置と同一部分には、同一符号を付してある。
【0030】
同図に示すように、本実施形態では、下部電極を兼ね、半導体ウエハWが載置される載置台2の周囲を囲むように設けられた排気リング30が、下方に向けて突出し、断面形状が略U字状となるように形成されており、実質的に載置台2の周囲に断面形状が略U字状の溝状空隙31が形成されるように構成されている。そして、排気リング30のU字状の部分の側壁部分及び底部の双方に、排気を行うための開口30aが形成されている。
【0031】
また、上記排気リング30は、真空チャンバ1と電気的に導通されており、真空チャンバ1は接地電位とされていることから、排気リング30も接地電位とされている。
【0032】
したがって、カソードである載置台2に対して、シャワーヘッド11と真空チャンバ1の内壁部分と排気リング30とがアノードとして作用するようになっており、かつ、排気リング30の処理空間側に向く面の表面積が、前述した図9に示した装置の場合に比べて大きくなっている。このため、本実施形態では、アノード面の全体の面積が前述した図9に示した装置の場合に比べて大きくなっている。
【0033】
上記構成のプラズマエッチング装置におけるエッチング手順について説明すると、まず、真空チャンバ1に設けられた図示しないゲートバルブを開放し、このゲートバルブに隣接して配置されたロードロック室(図示せず)を介して、搬送機構(図示せず)により半導体ウエハWを真空チャンバ1内に搬入し、支持台2上に載置する。そして、直流電源6から静電チャック5の電極5aに所定の電圧を印加し、半導体ウエハWをクーロン力により吸着する。
【0034】
この後、搬送機構を真空チャンバ1外へ退避させた後、ゲートバルブを閉じ、排気系18の真空ポンプにより排気ポート17を通じて真空チャンバ1内を排気する。
【0035】
真空チャンバ1内が所定の真空度になった後、真空チャンバ1内には、処理ガス供給系16から、所定のプラズマエッチング用の処理ガスが、所定流量で導入され、真空チャンバ1内が所定の圧力、例えば1.33〜133Paに保持される。
【0036】
そして、この状態で高周波電源9から、支持台2に、所定周波数、例えば13.56〜150MHzの範囲の周波数の高周波電力を供給する。
【0037】
この場合に、下部電極である支持台2に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド11と下部電極である支持台2との間の処理空間には高周波電界が形成されるとともに、磁場形成機構19による磁場が形成され、シャワーヘッド11のガス吐出孔12からこの処理空間に吐出された処理ガスは励起状態となって、図中に示すようにプラズマPが発生する。そして、このプラズマPによって半導体ウエハWのエッチングが行われる。
【0038】
また、上記の図1に示される状態から、さらに高周波電源9から印加する高周波電力を増大(パワーを増大)させると、プラズマPの容積が増大する。このため、従来においては、プラズマPの容積に対するアノード面積が不足することにより、プラズマPが他のアノード面を求めて、排気リング30の開口30aを通過する、いわゆるプラズマリークが発生する可能性が高かったが、本実施形態においては、図2に示すように、排気リング30によって形成された溝状空隙31内に侵入するようにプラズマPの容積が拡大し、これによって、プラズマリークが発生することを抑制することができる。すなわち、プラズマPが溝状空隙31に廻り込み、アノード面積が増大することで、排気リング30上にシース(電荷領域)が厚く形成され、プラズマPや漏れ電子を遮断して、プラズマリークを抑制することができる。
【0039】
なお、上記のように、高周波電力を増大させた場合にプラズマPが排気リング30によって形成された溝状空隙31内に侵入するようにその容積が拡大可能とするためには、溝状空隙31の開口面積と深さとの比を、適宜選択する必要がある。また、排気リング30に設けられた排気のための開口30aの開口面積についても、プラズマPのリークを防止するためには狭く設定する必要があるが、排気に必要なコンダクタンスとする必要もあるため、かかる開口面積も、適宜選択する必要がある。上記溝状空隙31の開口面積と深さとの比、及び、開口30aの開口面積の設定値については、実際の実験等によってプラズマPの挙動を観察して設定する必要がある。
【0040】
以上のようにして、プラズマPにより半導体ウエハWに所定のエッチング処理が実行されると、高周波電源9からの高周波電力の供給を停止し、エッチング処理を停止して、上述した手順とは逆の手順で、半導体ウエハWを真空チャンバ1外に搬出する。
【0041】
以上説明したとおり、本実施形態においては、排気リング30によって形成された溝状空隙31が、高周波電源9から印加する高周波電力を増大させた場合などに、プラズマPの容積が拡大して侵入するためのプラズマ拡散用空隙として作用する。したがって、高周波電力を増大させた場合などにおいても、プラズマリークの発生を抑制することができ、安定したプラズマによって安定したエッチング処理を行うことができる。
【0042】
次に、図3を参照して他の実施形態について説明する。同図に示すように、この実施形態では、円筒状に形成された真空チャンバ1の内壁部分に、この内壁の全周に渡る環状の溝を形成するように、凹陥部1aが形成されている。この凹陥部1aは複数形成されており、これらの凹陥部1aが、前述した溝状空隙31と同様に、高周波電源9から印加する高周波電力を増大させた場合などに、プラズマPの容積が拡大して侵入するためのプラズマ拡散用空隙として作用するように構成されている。
【0043】
このように、真空チャンバ1の内壁部分に凹陥部1aを形成することにより、プラズマ拡散用空隙として作用させることができる。
【0044】
また、本実施形態では、排気リング30によって形成された溝状空隙31に加えて、上記した凹陥部1aが設けられているので、前述した実施形態よりさらにプラズマ拡散用空隙の体積を増やすことができ、また、アノード面の面積を増やすことができ、これによって、プラズマリークが発生する可能性をより一層抑制することができる。
【0045】
上記の実施形態では、凹陥部1aを、真空チャンバ1の内壁の全周に渡って形成された溝状のものとしたが、凹陥部の形状はかかる形状に限定されるものではなく、どのような形状のものでも良い。例えば、図4に示すように、円形のディンプル状の凹陥部1bを多数配列したものとしても良い。
【0046】
また、前述した実施形態における排気リング30の形状も、各種の変形が可能であり、例えば、図5〜8に示すような形状とすることができる。
【0047】
すなわち、図5に示す例では、排気リング300は、断面形状が略L字状とされ、その底面および側面のそれぞれに開口300aが形成された構成とされている。このように断面形状が略L字状の排気リング300とすることによっても、実質的に溝状のプラズマ拡散用空隙を形成することができる。
【0048】
また、図6に示す例では、厚板状の排気リング310とし、この排気リング310を貫通する複数の開口310aを形成することによって、この開口310a内をプラズマ拡散用空隙とすることができる。
【0049】
また、図7に示す例は、図6と同様に、厚板状の排気リング320とし、排気リング320を貫通する平面視溝形状の開口320aを複数形成して、開口幅を絞りつつ、十分に深い貫通孔のプラズマ拡散用空隙を形成している。この形態によれば、プラズマ中の電子を貫通孔(開口320a)の内壁面に積極的に衝突させることができ、貫通孔にプラズマを閉じ込めるように、プラズマリークを効果的に防止することができる。
【0050】
また、図8に示す例は、2枚の排気リング330,340を上下に離間させて配置し、上側の排気リング330を通過したプラズマを、2枚の排気リング330,340間で補足するようにしている。つまり、2枚の排気リング330,340に挟まれる空間が、プラズマ拡散用空隙として機能する。なお、上側の排気リング330の開口330aの開口面積と、下側の排気リング340の開口340aの開口面積を互いに相違させることによって、排気コンダクタンスと排気リング330,340を通過するプラズマリーク量を制御することができる。
【0051】
なお、上記の各実施形態では、本発明をエッチング装置に適用した場合について説明したが、本発明はかかる例に限定されるものではなく、例えば成膜装置などのあらゆるプラズマ処理装置に適用することができる。
【0052】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、不所望なプラズマリークが発生することを抑制することができ、安定したプラズマで安定したプラズマ処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示す図。
【図2】図1のプラズマエッチング装置におけるプラズマの変化の様子を示す図。
【図3】本発明の他の実施形態のプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示す図。
【図4】凹陥部の他の例を拡大して示す図。
【図5】排気リングの他の例の要部構成を模式的に示す図。
【図6】排気リングの他の例の要部構成を模式的に示す図。
【図7】排気リングの他の例の要部構成を模式的に示す図。
【図8】排気リングの他の例の要部構成を模式的に示す図。
【図9】従来のプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示す図。
【符号の説明】
W……半導体ウエハ、P……プラズマ、1……真空チャンバ、2……載置台(下部電極)、9……高周波電源、11……シャワーヘッド(上部電極)、12……ガス吐出孔、19……磁場形成機構、30……排気リング、31……溝状空隙。
Claims (8)
- 被処理基板を収容しプラズマ処理するための真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記下部電極と対向するように前記真空チャンバ内に設けられた上部電極と、
前記真空チャンバ内を排気するための排気手段とを具備し、
前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加して、カソードとして作用する前記下部電極とアノードとして作用する前記上部電極との間に形成された処理空間内にプラズマを生起するプラズマ処理装置であって、
前記真空チャンバ内に、前記処理空間内に形成された前記プラズマの容積が増大した際に侵入するためのプラズマ拡散用空隙であってアノード面の面積を増大させるプラズマ拡散用空隙を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、前記上部電極及び前記真空チャンバが接地電位とされ、前記下部電極に前記高周波電源が接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項2記載のプラズマ処理装置において、排気を行うための開口を有し、前記下部電極の周囲を囲むように環状に形成され、接地電位とされた排気リングを具備し、この排気リングによって、前記プラズマ拡散用空隙が形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項3記載のプラズマ処理装置において、前記排気リングの前記下部電極の周囲に配置された部分が、下側に向けて凸となる凸形状とされ、この凸形状部分が前記プラズマ拡散用空隙とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項2〜4いずれか一項記載のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバの内壁に、当該内壁を所定形状に凹陥した凹陥部が設けられ、この凹陥部が前記プラズマ拡散用空隙とされていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項5記載のプラズマ処理装置において、前記凹陥部が溝状に形成され、複数設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項5記載のプラズマ処理装置において、前記凹陥部がディンプル状に形成され、複数設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
- 請求項1〜7いずれか一項記載のプラズマ処理装置において、前記真空チャンバの外側に、当該真空チャンバ内に磁場を形成するための磁場形成機構が設けられたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003040117A JP4357849B2 (ja) | 2002-03-06 | 2003-02-18 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002-61060 | 2002-03-06 | ||
JP2002061060 | 2002-03-06 | ||
JP2003040117A JP4357849B2 (ja) | 2002-03-06 | 2003-02-18 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003332305A JP2003332305A (ja) | 2003-11-21 |
JP4357849B2 true JP4357849B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=29713811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003040117A Expired - Fee Related JP4357849B2 (ja) | 2002-03-06 | 2003-02-18 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4357849B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210036818A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5350043B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
CN112447474B (zh) * | 2019-09-04 | 2022-11-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种具有可移动环的等离子体处理器 |
-
2003
- 2003-02-18 JP JP2003040117A patent/JP4357849B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210036818A (ko) * | 2019-09-26 | 2021-04-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
KR102485714B1 (ko) | 2019-09-26 | 2023-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003332305A (ja) | 2003-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101677239B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
JP4141234B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP3210207B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US6974523B2 (en) | Hollow anode plasma reactor and method | |
JP4255747B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5444044B2 (ja) | プラズマ処理装置及びシャワーヘッド | |
JP5759718B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20040129218A1 (en) | Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same | |
US20100012274A1 (en) | Focus ring, substrate mounting table and plasma processing apparatus having same | |
JP2001077088A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US9011635B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
WO2002073676A1 (en) | Plasma treatment device | |
KR20070013118A (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
US20060037702A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2016506592A (ja) | 均一なプラズマ密度を有する容量結合プラズマ装置 | |
KR101898079B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP4286576B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20180122620A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2006186323A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2021141277A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
KR20140116811A (ko) | 플라즈마 에칭 방법 및 플라즈마 에칭 장치 | |
JP4357849B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20120001304A1 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
KR102404571B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2006060073A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080501 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090804 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090805 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4357849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120814 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150814 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |