JPH1041276A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH1041276A JPH1041276A JP19224796A JP19224796A JPH1041276A JP H1041276 A JPH1041276 A JP H1041276A JP 19224796 A JP19224796 A JP 19224796A JP 19224796 A JP19224796 A JP 19224796A JP H1041276 A JPH1041276 A JP H1041276A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 堆積物を除去するために、薬液を使用する
と、配線材もエッチングされてしまい、いわゆる配線の
くわれや細りが生じ、また局所的に配線材が過剰にエッ
チングされ、歩留の低下や信頼性の低下をもたらす。 【解決手段】 スルーホール１４を開口すると、スルー
ホール１４の側壁に堆積物１３が形成される。スルーホ
ール開口後のウェハをイオンの入射方向に対して７０°
〜８５°の角度を持たせた状態で下部電極上に保持した
後、軸を中心に回転を与え、不活性ガスをチャンバ中に
導入してイオンスパッタエッチングを実施する。これに
より、（ｄ）に示すように基板等にダメージを与えずに
堆積物１３を効率的に除去することができる。次に、Ｐ
Ｒ１２をアッシングすることにより、（ｅ）に示すよう
に、堆積物１３の付着の無いスルーホール１４が層間絶
縁膜１１に開口された半導体装置が得られる。
と、配線材もエッチングされてしまい、いわゆる配線の
くわれや細りが生じ、また局所的に配線材が過剰にエッ
チングされ、歩留の低下や信頼性の低下をもたらす。 【解決手段】 スルーホール１４を開口すると、スルー
ホール１４の側壁に堆積物１３が形成される。スルーホ
ール開口後のウェハをイオンの入射方向に対して７０°
〜８５°の角度を持たせた状態で下部電極上に保持した
後、軸を中心に回転を与え、不活性ガスをチャンバ中に
導入してイオンスパッタエッチングを実施する。これに
より、（ｄ）に示すように基板等にダメージを与えずに
堆積物１３を効率的に除去することができる。次に、Ｐ
Ｒ１２をアッシングすることにより、（ｅ）に示すよう
に、堆積物１３の付着の無いスルーホール１４が層間絶
縁膜１１に開口された半導体装置が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特にドライエッチングを行った後に、被エッ
チング物に付着した堆積物（いわゆるデポ物）を除去し
て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関す
る。
法に係り、特にドライエッチングを行った後に、被エッ
チング物に付着した堆積物（いわゆるデポ物）を除去し
て半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、多層配線構造を有する半導体装置
において、上層と下層の配線間を接続するためにスルー
ホールを層間絶縁膜に開口した後、スルーホール内に露
出している下層配線の表面に形成されたアルミ酸化物を
除去するクリーニング方法として、１９９０年初頭まで
は、特開平４−１２９２１７号公報、特開昭６２−３５
６４５号公報等の従来技術に示されたような、ＲＦエッ
チング方法が一般的に採用されていた。
において、上層と下層の配線間を接続するためにスルー
ホールを層間絶縁膜に開口した後、スルーホール内に露
出している下層配線の表面に形成されたアルミ酸化物を
除去するクリーニング方法として、１９９０年初頭まで
は、特開平４−１２９２１７号公報、特開昭６２−３５
６４５号公報等の従来技術に示されたような、ＲＦエッ
チング方法が一般的に採用されていた。
【０００３】しかし、この方法では、上記の公開公報あ
るいは公知文献（Ａｋｉｒａ ＩＳＯＢＥ ｅｔ．ａ
ｌ．，”Ｖｉａ Ｈｏｌｅ Ｆａｉｌｕｒｅ Ｓｔｕｄ
ｙ”，ＮＥＣ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＆ ＤＥＶＥＬＯＰ
ＭＥＮＴ，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．１，ｐ．７７−８３，
Ｊａｎｕａｒｙ １９９３）に記載されているように、
スルーホール側壁も上記のクリーニングの際にエッチン
グされて、スルーホール内の下層アルミ配線上に再付着
物が堆積してしまい、歩留や信頼性の点で問題となって
いる。
るいは公知文献（Ａｋｉｒａ ＩＳＯＢＥ ｅｔ．ａ
ｌ．，”Ｖｉａ Ｈｏｌｅ Ｆａｉｌｕｒｅ Ｓｔｕｄ
ｙ”，ＮＥＣ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＆ ＤＥＶＥＬＯＰ
ＭＥＮＴ，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．１，ｐ．７７−８３，
Ｊａｎｕａｒｙ １９９３）に記載されているように、
スルーホール側壁も上記のクリーニングの際にエッチン
グされて、スルーホール内の下層アルミ配線上に再付着
物が堆積してしまい、歩留や信頼性の点で問題となって
いる。
【０００４】半導体装置の微細化が進む中で、スルーホ
ールの信頼性が大きな問題となり、従来のスパッタエッ
チング方法のみによる上下配線間の接続方法では、ステ
ップカバレッジの確保も限界にきていたため、０．８μ
ｍ以降のプロセスではスルーホール接続方法としてタン
グステン等の化学気相成長（ＣＶＤ）法による埋め込み
とスパッタによる配線材形成方法が主流になってきてい
る。
ールの信頼性が大きな問題となり、従来のスパッタエッ
チング方法のみによる上下配線間の接続方法では、ステ
ップカバレッジの確保も限界にきていたため、０．８μ
ｍ以降のプロセスではスルーホール接続方法としてタン
グステン等の化学気相成長（ＣＶＤ）法による埋め込み
とスパッタによる配線材形成方法が主流になってきてい
る。
【０００５】ところが、エッチング形状に角度を持たせ
ることでクリーニング効果をあげるようにした従来方法
（特開昭６２−３５６４５号公報）では、半導体装置の
微細化に伴い上層配線の形成方法がスパッタ法から上記
の埋め込みとスパッタによる配線材形成方法へと移行し
ており、タングステン等の配線材の埋め込みを行う場合
は、垂直に近いスルーホール形成が要求されるため、咋
今の半導体装置には適用できない。
ることでクリーニング効果をあげるようにした従来方法
（特開昭６２−３５６４５号公報）では、半導体装置の
微細化に伴い上層配線の形成方法がスパッタ法から上記
の埋め込みとスパッタによる配線材形成方法へと移行し
ており、タングステン等の配線材の埋め込みを行う場合
は、垂直に近いスルーホール形成が要求されるため、咋
今の半導体装置には適用できない。
【０００６】そこで、こうしたスルーホールの形成方法
の変遷に伴い、スルーホールエッチング後の後処理方法
についても改良が行われ、従来のＲＦエッチング方法に
加えて、スルーホールのドライエッチング時に形成され
た堆積物を積極的に除去する目的で、アルカリ系あるい
はアミン系の薬液を使用してスルーホール側壁に付着し
た堆積物を除去する手法が採用されるようになってき
た。
の変遷に伴い、スルーホールエッチング後の後処理方法
についても改良が行われ、従来のＲＦエッチング方法に
加えて、スルーホールのドライエッチング時に形成され
た堆積物を積極的に除去する目的で、アルカリ系あるい
はアミン系の薬液を使用してスルーホール側壁に付着し
た堆積物を除去する手法が採用されるようになってき
た。
【０００７】一方、配線材のエッチングにおいても、配
線材への銅の混入、積層配線化が進み、エッチング条件
の高バイアス化によりドライエッチング時の側壁への堆
積物が従来よりも厚くなり、従来のレジスト除去方法で
は十分に除去できないという問題が生じた。このため、
配線材のエッチング後の堆積物の除去にも、アルカリ系
あるいはアミン系の薬液を使用する手法が採用され出し
た。
線材への銅の混入、積層配線化が進み、エッチング条件
の高バイアス化によりドライエッチング時の側壁への堆
積物が従来よりも厚くなり、従来のレジスト除去方法で
は十分に除去できないという問題が生じた。このため、
配線材のエッチング後の堆積物の除去にも、アルカリ系
あるいはアミン系の薬液を使用する手法が採用され出し
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の半導体装
置の製造方法では、スルーホールやアルミドライエッチ
ング時に形成される堆積膜は、膜中にアルミニウム成分
を多分に含んでいるため、除去するためにはアルミニウ
ムに対してエッチング力のある薬液を使用する。例え
ば、図４（ａ）に示すように、基板８上に絶縁膜９、配
線材１０及び層間絶縁膜１１が順次に積層され、かつ、
層間絶縁膜１１にスルーホールが開口された半導体装置
のスルーホール側壁に付着した堆積物１３を除去するた
めに、アルミニウムに対してエッチング力のある薬液を
使用すると、堆積物１３が除去されるが、アルミニウム
からなる配線材１０もエッチングされてしまい、図４
（ｂ）に示すように、配線材１０の表面が損傷してしま
う。
置の製造方法では、スルーホールやアルミドライエッチ
ング時に形成される堆積膜は、膜中にアルミニウム成分
を多分に含んでいるため、除去するためにはアルミニウ
ムに対してエッチング力のある薬液を使用する。例え
ば、図４（ａ）に示すように、基板８上に絶縁膜９、配
線材１０及び層間絶縁膜１１が順次に積層され、かつ、
層間絶縁膜１１にスルーホールが開口された半導体装置
のスルーホール側壁に付着した堆積物１３を除去するた
めに、アルミニウムに対してエッチング力のある薬液を
使用すると、堆積物１３が除去されるが、アルミニウム
からなる配線材１０もエッチングされてしまい、図４
（ｂ）に示すように、配線材１０の表面が損傷してしま
う。
【０００９】また、図４（ｃ）に示すように、配線材１
０をエッチングした後に配線材１０の側壁に堆積物１３
が付着している場合も、堆積物１３を除去するために、
アルミニウムに対してエッチング力のある薬液を使用す
ると、堆積物１３が除去されるが、アルミニウムからな
る配線材１０もエッチングされてしまい、図４（ｄ）に
示すように、配線材１０が細くなってしまう。このよう
な配線材１０の表面の損傷（いわゆる配線のくわれ）、
配線材１０の細りは、設計ルールが０．３５μｍ以下に
微細化が進むと無視できなくなる。
０をエッチングした後に配線材１０の側壁に堆積物１３
が付着している場合も、堆積物１３を除去するために、
アルミニウムに対してエッチング力のある薬液を使用す
ると、堆積物１３が除去されるが、アルミニウムからな
る配線材１０もエッチングされてしまい、図４（ｄ）に
示すように、配線材１０が細くなってしまう。このよう
な配線材１０の表面の損傷（いわゆる配線のくわれ）、
配線材１０の細りは、設計ルールが０．３５μｍ以下に
微細化が進むと無視できなくなる。
【００１０】また、従来は電池効果により、グランドラ
イン等の電流パスができる部分で過剰にエッチングされ
てしまうため、堆積物の除去に薬液を使用すると局所的
に配線材が過剰にエッチングされ、歩留の低下や信頼性
の低下をもたらす。
イン等の電流パスができる部分で過剰にエッチングされ
てしまうため、堆積物の除去に薬液を使用すると局所的
に配線材が過剰にエッチングされ、歩留の低下や信頼性
の低下をもたらす。
【００１１】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
スルーホールや配線材をエッチングしたときに生じる堆
積物を、配線材を損傷させることなく除去し、もって、
製品歩留の向上及び信頼性向上を実現し得る半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
スルーホールや配線材をエッチングしたときに生じる堆
積物を、配線材を損傷させることなく除去し、もって、
製品歩留の向上及び信頼性向上を実現し得る半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するため、基板上方のドライエッチングされた被エッ
チング物に形成された堆積物を除去する工程を含む半導
体装置の製造方法において、堆積物除去工程として、不
活性ガスをイオン化し、そのイオンビームを被エッチン
グ物に対して斜めに入射してエッチングするイオンスパ
ッタエッチングを用いることを特徴とする。本発明で
は、イオンスパッタエッチングをスパッタ率の高い角度
で行って堆積物をエッチングすることができる。
成するため、基板上方のドライエッチングされた被エッ
チング物に形成された堆積物を除去する工程を含む半導
体装置の製造方法において、堆積物除去工程として、不
活性ガスをイオン化し、そのイオンビームを被エッチン
グ物に対して斜めに入射してエッチングするイオンスパ
ッタエッチングを用いることを特徴とする。本発明で
は、イオンスパッタエッチングをスパッタ率の高い角度
で行って堆積物をエッチングすることができる。
【００１３】また、本発明は上記の目的を達成するた
め、基板及び被エッチング物を、イオンスパッタエッチ
ング時に回転状態とすることを特徴とする。これによ
り、イオンスパッタエッチング時にイオンビームの入射
角を予め定めた角度を保持して、堆積物のエッチングが
できる。
め、基板及び被エッチング物を、イオンスパッタエッチ
ング時に回転状態とすることを特徴とする。これによ
り、イオンスパッタエッチング時にイオンビームの入射
角を予め定めた角度を保持して、堆積物のエッチングが
できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は本発明になる半導体装置
の製造方法の一実施の形態で用いる製造装置の模式図を
示す。この製造装置は、互いにほぼ対向して設けられた
上部電極１と下部電極２を内蔵しガス導入部５を有する
チャンバ３と、チャンバ３内を真空とするための真空排
気系４と、上部電極１及び下部電極２に高周波電源を印
加する高周波電源部６とから構成されている。また、こ
の半導体装置の製造方法を実施する装置は、下部電極２
に電極板を傾けることができる機構を有している。
て図面と共に説明する。図１は本発明になる半導体装置
の製造方法の一実施の形態で用いる製造装置の模式図を
示す。この製造装置は、互いにほぼ対向して設けられた
上部電極１と下部電極２を内蔵しガス導入部５を有する
チャンバ３と、チャンバ３内を真空とするための真空排
気系４と、上部電極１及び下部電極２に高周波電源を印
加する高周波電源部６とから構成されている。また、こ
の半導体装置の製造方法を実施する装置は、下部電極２
に電極板を傾けることができる機構を有している。
【００１５】次に、ドライエッチング装置にて本実施の
形態を実施した場合の動作について説明する。まず、ド
ライエッチングを行う場合は、上部電極１と下部電極２
をそれぞれ平行に保持し、下部電極２上に置かれたウェ
ハ７に対して異方性加工を行う。ドライエッチング終了
後に、図１に示すように下部電極２を水平軸に対して５
°〜２０°傾け、かつ、垂直軸を中心に矢印方向に回転
を与えた状態で、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスをガ
ス導入部５を介してチャンバ３中に導入する。
形態を実施した場合の動作について説明する。まず、ド
ライエッチングを行う場合は、上部電極１と下部電極２
をそれぞれ平行に保持し、下部電極２上に置かれたウェ
ハ７に対して異方性加工を行う。ドライエッチング終了
後に、図１に示すように下部電極２を水平軸に対して５
°〜２０°傾け、かつ、垂直軸を中心に矢印方向に回転
を与えた状態で、アルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスをガ
ス導入部５を介してチャンバ３中に導入する。
【００１６】これにより、アルゴンガスがイオン化さ
れ、下部電極２上に置かれたウェハ７に対してイオンビ
ームが斜めに衝突して、エッチングされた側壁に形成さ
れた堆積物が除去される。このように、この実施の形態
では、ウェハ７の被エッチング物の側壁に付着した堆積
物をイオンスパッタエッチング方法により除去する。
れ、下部電極２上に置かれたウェハ７に対してイオンビ
ームが斜めに衝突して、エッチングされた側壁に形成さ
れた堆積物が除去される。このように、この実施の形態
では、ウェハ７の被エッチング物の側壁に付着した堆積
物をイオンスパッタエッチング方法により除去する。
【００１７】なお、上記したように、ドライエッチング
装置中で連続して実施していなくても、ドライエッチン
グとイオンスパッタエッチングとをそれぞれ専用の装置
により実施してもよい。また、装置形式については、平
行平板型の装置を設けなくとも、カウフマン型イオン源
等のイオンビーム装置であってもよい。
装置中で連続して実施していなくても、ドライエッチン
グとイオンスパッタエッチングとをそれぞれ専用の装置
により実施してもよい。また、装置形式については、平
行平板型の装置を設けなくとも、カウフマン型イオン源
等のイオンビーム装置であってもよい。
【００１８】次に、本発明の実施の形態の動作について
図２を参照して詳細に説明する。図２は本発明をスルー
ホールのエッチングに適用した場合の装置断面図であ
る。まず、基板８上に絶縁膜９及び配線材１０が形成さ
れた装置の配線材１０上に、図２（ａ）に示すように、
例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）による層間絶縁膜１
１を化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成した後、リソ
グラフィー法を用いてスルーホール開口部にＰＲ（フォ
トレジスト）１２のパターン形成を行う。
図２を参照して詳細に説明する。図２は本発明をスルー
ホールのエッチングに適用した場合の装置断面図であ
る。まず、基板８上に絶縁膜９及び配線材１０が形成さ
れた装置の配線材１０上に、図２（ａ）に示すように、
例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ2）による層間絶縁膜１
１を化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成した後、リソ
グラフィー法を用いてスルーホール開口部にＰＲ（フォ
トレジスト）１２のパターン形成を行う。
【００１９】続いて、図１に示したドライエッチング装
置を用いて上部電極１と下部電極２をそれぞれ平行に保
持し、下部電極２上に置かれた図２（ａ）の構造のウェ
ハ７に対して、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ酸系の
ガスを使用して層間絶縁膜１１のエッチングを行い、図
２（ｂ）に示すように、スルーホール１４を開口する。
このとき、スルーホール１４の側壁に堆積物１３が形成
される。
置を用いて上部電極１と下部電極２をそれぞれ平行に保
持し、下部電極２上に置かれた図２（ａ）の構造のウェ
ハ７に対して、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6等のフッ酸系の
ガスを使用して層間絶縁膜１１のエッチングを行い、図
２（ｂ）に示すように、スルーホール１４を開口する。
このとき、スルーホール１４の側壁に堆積物１３が形成
される。
【００２０】次に、図１に示すように下部電極２を水平
軸に対して５°〜２０°傾けることで、上記のスルーホ
ール開口後のウェハ７をイオンの入射方向に対して７０
°〜８５°の角度を持たせた状態で下部電極２上に保持
した後、軸を中心に回転を与え、不活性ガスを図１のガ
ス導入部５を介してチャンバ３中に導入して図２（ｃ）
に示すようにイオンスパッタエッチングを実施する。
軸に対して５°〜２０°傾けることで、上記のスルーホ
ール開口後のウェハ７をイオンの入射方向に対して７０
°〜８５°の角度を持たせた状態で下部電極２上に保持
した後、軸を中心に回転を与え、不活性ガスを図１のガ
ス導入部５を介してチャンバ３中に導入して図２（ｃ）
に示すようにイオンスパッタエッチングを実施する。
【００２１】スパッタエッチングの条件としては、平板
型の装置の場合は不活性ガスとしてＡｒガスを使用し、
１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒの圧力下で電力密度５０〜１０
０Ｗ／ｃｍ2程度で実施すると、図２（ｄ）に示すよう
に基板等にダメージを与えずに堆積物１３を効率的に除
去することができる。
型の装置の場合は不活性ガスとしてＡｒガスを使用し、
１０-1〜１０-2Ｔｏｒｒの圧力下で電力密度５０〜１０
０Ｗ／ｃｍ2程度で実施すると、図２（ｄ）に示すよう
に基板等にダメージを与えずに堆積物１３を効率的に除
去することができる。
【００２２】なお、イオン入射角度を７０°〜８５°に
設定することについては、この入射角度範囲により高い
スパッタ率が得られることが知られており（特開平４−
１２９２１７号公報の図３）、また入射角度を７０°よ
りも浅くすると、高アスペクトのスルーホールではイオ
ンの入射がスルーホールの底部まで達せず、堆積物の除
去力が落ちるからである。
設定することについては、この入射角度範囲により高い
スパッタ率が得られることが知られており（特開平４−
１２９２１７号公報の図３）、また入射角度を７０°よ
りも浅くすると、高アスペクトのスルーホールではイオ
ンの入射がスルーホールの底部まで達せず、堆積物の除
去力が落ちるからである。
【００２３】このように、イオンスパッタエッチングを
行って堆積物１３を除去した後、ＰＲ１２をアッシング
することにより、図２（ｅ）に示すように、堆積物１３
の付着の無いスルーホール１４が層間絶縁膜１１に開口
された半導体装置が得られる。また、この実施の形態で
は、堆積物１３の除去に薬液を用いないため、電池効果
が発生せず、よって局所的に過剰にエッチングが進む現
象を防止することができる。
行って堆積物１３を除去した後、ＰＲ１２をアッシング
することにより、図２（ｅ）に示すように、堆積物１３
の付着の無いスルーホール１４が層間絶縁膜１１に開口
された半導体装置が得られる。また、この実施の形態で
は、堆積物１３の除去に薬液を用いないため、電池効果
が発生せず、よって局所的に過剰にエッチングが進む現
象を防止することができる。
【００２４】次に、本発明の第２の実施の形態について
図３と共に説明する。この実施の形態は本発明を半導体
装置の配線のエッチングに適用した例である。図３中、
図２と同一部分には同一符号を付してある。まず、図３
（ａ）に示すように、スパッタ法により、絶縁膜９上に
アルミニウムを主成分とする配線材１０を形成した後、
リソグラフィ法により配線材１０上にＰＲ１２のパター
ニングを行う。
図３と共に説明する。この実施の形態は本発明を半導体
装置の配線のエッチングに適用した例である。図３中、
図２と同一部分には同一符号を付してある。まず、図３
（ａ）に示すように、スパッタ法により、絶縁膜９上に
アルミニウムを主成分とする配線材１０を形成した後、
リソグラフィ法により配線材１０上にＰＲ１２のパター
ニングを行う。
【００２５】続いて、図１に示したドライエッチング装
置を用いてＣｌ2＋ＢＣｌ3のガス雰囲気中で電力密度１
０〜５０Ｗ／ｃｍ2程度の条件下でＰＲ１２をマスクと
して配線材１０をエッチングすると、図３（ｂ）に示す
ように、エッチングされた配線材１０及びＰＲ１２の側
壁にラビットイヤーと呼ばれる堆積物１３が形成され
る。
置を用いてＣｌ2＋ＢＣｌ3のガス雰囲気中で電力密度１
０〜５０Ｗ／ｃｍ2程度の条件下でＰＲ１２をマスクと
して配線材１０をエッチングすると、図３（ｂ）に示す
ように、エッチングされた配線材１０及びＰＲ１２の側
壁にラビットイヤーと呼ばれる堆積物１３が形成され
る。
【００２６】次に、図１に示すように下部電極２を水平
軸に対して５°〜２０°傾けることで、上記の配線材エ
ッチング後の図３（ｂ）に示す構造のウェハ７をイオン
の入射方向に対して７０°〜８５°の角度を持たせた状
態で下部電極２上に保持した後、軸を中心に回転を与
え、不活性ガスを図１のガス導入部５を介してチャンバ
３中に導入して図３（ｃ）に示すようにイオンスパッタ
エッチングを実施する。
軸に対して５°〜２０°傾けることで、上記の配線材エ
ッチング後の図３（ｂ）に示す構造のウェハ７をイオン
の入射方向に対して７０°〜８５°の角度を持たせた状
態で下部電極２上に保持した後、軸を中心に回転を与
え、不活性ガスを図１のガス導入部５を介してチャンバ
３中に導入して図３（ｃ）に示すようにイオンスパッタ
エッチングを実施する。
【００２７】スパッタエッチングの条件は、第１の実施
の形態と同様である。このイオンスパッタエッチングに
より、図３（ｄ）に示すように基板等にダメージを与え
ずに堆積物１３を効率的に除去することができる。最後
にＰＲ１２をアッシングすることにより、図３（ｅ）に
示すように、堆積物１３の付着が無く、かつ、配線の細
りが殆ど無い配線が得られる。
の形態と同様である。このイオンスパッタエッチングに
より、図３（ｄ）に示すように基板等にダメージを与え
ずに堆積物１３を効率的に除去することができる。最後
にＰＲ１２をアッシングすることにより、図３（ｅ）に
示すように、堆積物１３の付着が無く、かつ、配線の細
りが殆ど無い配線が得られる。
【００２８】なお、本発明は以上の実施の形態に限定さ
れるものではなく、角度を持たせてイオンスパッタエッ
チングを行った後に、堆積物除去のため垂直にイオンを
入射する方法も考えられる。
れるものではなく、角度を持たせてイオンスパッタエッ
チングを行った後に、堆積物除去のため垂直にイオンを
入射する方法も考えられる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオンスパッタエッチングをスパッタ率の高い角度で行
って堆積物をエッチングすることで、堆積物を効率的に
除去できるため、アルミニウム等の配線材などを殆ど傷
めることなく、それに付着した堆積物を除去することが
できる。特に、基板等を回転状態としてイオンスパッタ
エッチングを行うことにより、より効率的に堆積物を除
去することができ、これにより製品歩留の向上及び信頼
性向上を実現できる。
イオンスパッタエッチングをスパッタ率の高い角度で行
って堆積物をエッチングすることで、堆積物を効率的に
除去できるため、アルミニウム等の配線材などを殆ど傷
めることなく、それに付着した堆積物を除去することが
できる。特に、基板等を回転状態としてイオンスパッタ
エッチングを行うことにより、より効率的に堆積物を除
去することができ、これにより製品歩留の向上及び信頼
性向上を実現できる。
【００３０】また、本発明によれば、堆積物の除去に薬
液を使用しないから、電池効果が発生せず、よって局所
的に過剰にエッチングが進むことが無いため、局所的な
配線材のやられが発生せず、従来に比し信頼性を向上す
ることができる。
液を使用しないから、電池効果が発生せず、よって局所
的に過剰にエッチングが進むことが無いため、局所的な
配線材のやられが発生せず、従来に比し信頼性を向上す
ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態に用いる製造装置の構成
図である。
図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の各工程説明用装置
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の各工程説明用装置
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の問題点を説明する半導体装置の断面図で
ある。
ある。
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ チャンバ ４ 真空排気系 ５ ガス導入部 ６ 高周波電源部 ７ ウェハ ８ 基板 ９ 絶縁膜 １０ 配線材 １１ 層間絶縁膜 １２ ＰＲ １３ 堆積物（デポ物） １４ スルーホール
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上方のドライエッチングされた被エ
ッチング物に形成された堆積物を除去する工程を含む半
導体装置の製造方法において、 前記堆積物除去工程として、不活性ガスをイオン化し、
そのイオンビームを前記被エッチング物に対して斜めに
入射してエッチングするイオンスパッタエッチングを用
いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記基板及び被エッチング物を、前記イ
オンスパッタエッチング時に回転状態とすることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板の表面に対する前記イオンビー
ムの入射角度を７０°〜８５°の範囲内の角度としたこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記被エッチング物に形成された堆積物
は、スルーホールの内部側壁又は配線材の外側の側壁に
付着した堆積物であることを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19224796A JP3190830B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19224796A JP3190830B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041276A true JPH1041276A (ja) | 1998-02-13 |
| JP3190830B2 JP3190830B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=16288122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19224796A Expired - Fee Related JP3190830B2 (ja) | 1996-07-22 | 1996-07-22 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3190830B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032768A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Shibaura Mechatronics Corp | 載置台およびプラズマアッシング処理装置 |
| CN104282521A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| US9431269B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
| US9633846B2 (en) | 2013-04-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication |
| US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
| US10224221B2 (en) | 2013-04-05 | 2019-03-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
-
1996
- 1996-07-22 JP JP19224796A patent/JP3190830B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032768A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Shibaura Mechatronics Corp | 載置台およびプラズマアッシング処理装置 |
| US9793126B2 (en) | 2010-08-04 | 2017-10-17 | Lam Research Corporation | Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor |
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| US10224221B2 (en) | 2013-04-05 | 2019-03-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| US11171021B2 (en) | 2013-04-05 | 2021-11-09 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| CN104282521A (zh) * | 2013-07-08 | 2015-01-14 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| JP2015019064A (ja) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | イオンビームエッチングシステム |
| CN107293468A (zh) * | 2013-07-08 | 2017-10-24 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| CN107293468B (zh) * | 2013-07-08 | 2020-02-11 | 朗姆研究公司 | 离子束蚀刻系统 |
| US9431269B2 (en) | 2013-07-11 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
| US10134605B2 (en) | 2013-07-11 | 2018-11-20 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3190830B2 (ja) | 2001-07-23 |
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