JPH0423322A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0423322A JPH0423322A JP12382990A JP12382990A JPH0423322A JP H0423322 A JPH0423322 A JP H0423322A JP 12382990 A JP12382990 A JP 12382990A JP 12382990 A JP12382990 A JP 12382990A JP H0423322 A JPH0423322 A JP H0423322A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
特に微細なコンタクト開口窓を形成するのに有効な半導
体装置の製造方法に関し、 処理時間が短く、なおかつオーバーエツチングの心配も
なく、微細なパターンを平坦な断面形状に形成できるパ
ターン形成技術の提供を目的とし、導電層乃至導電基板
（１）表面に形成された絶縁Ｍ（４）に選択的に設けら
れた開口窓（３）を通して、該導電層乃至導電基板（１
）表面をエツチング処理する工程を有する半導体装置の
製造方法であって、 該開口窓（３）を通して露出した該導電層乃至導電基板
（１）表面を、不活性ガスと窒素（Ｎ。
体装置の製造方法に関し、 処理時間が短く、なおかつオーバーエツチングの心配も
なく、微細なパターンを平坦な断面形状に形成できるパ
ターン形成技術の提供を目的とし、導電層乃至導電基板
（１）表面に形成された絶縁Ｍ（４）に選択的に設けら
れた開口窓（３）を通して、該導電層乃至導電基板（１
）表面をエツチング処理する工程を有する半導体装置の
製造方法であって、 該開口窓（３）を通して露出した該導電層乃至導電基板
（１）表面を、不活性ガスと窒素（Ｎ。
）とからなるエンチャントを用いてＲＦエツチングを行
う工程と、 次いで、不活性ガスのみからなるＲＦエツチングを行う
工程と、 次いで、該開口窓（３）底面で該導電層乃至導電基板（
１）と電気的接触が得られるように、該開口窓（３）内
に配線層（６）を形成する工程とを有して構成する。
う工程と、 次いで、不活性ガスのみからなるＲＦエツチングを行う
工程と、 次いで、該開口窓（３）底面で該導電層乃至導電基板（
１）と電気的接触が得られるように、該開口窓（３）内
に配線層（６）を形成する工程とを有して構成する。
本発明は、特に微細なコンタクト開口窓を形成するのに
有効な半導体装置の製造方法に関する。
有効な半導体装置の製造方法に関する。
近年は、ＩＣ−？”ＬＳＩといった所謂半導体装置の微
細化が著しく進展している。これに伴って、多層配線化
により高集積化することが多用され、コンタクト窓がた
とえ微細であっても配線層をカバレッジ性良好に形成で
きる技術が要求されてきている。このためには、レジス
トを選択的にエツチングして形成すべきパターンの断面
は、たとえ微細であっても平坦で奇麗な形状にすること
が必要である。同時に一方では、生産性向上の必要から
パターニングに要する時間をできるだけ短くしなければ
ならないという問題もあって、これらを同時に解決でき
るバターニング方法の提供が求められていた。
細化が著しく進展している。これに伴って、多層配線化
により高集積化することが多用され、コンタクト窓がた
とえ微細であっても配線層をカバレッジ性良好に形成で
きる技術が要求されてきている。このためには、レジス
トを選択的にエツチングして形成すべきパターンの断面
は、たとえ微細であっても平坦で奇麗な形状にすること
が必要である。同時に一方では、生産性向上の必要から
パターニングに要する時間をできるだけ短くしなければ
ならないという問題もあって、これらを同時に解決でき
るバターニング方法の提供が求められていた。
従来より微細なコンタクトを形成する際には、例えば次
のような技術が用いられている。すなわち、光学露光法
、そして電子ビーム露光法などが提供されているが、レ
ジストマスクを用いる光学露光法では、マスクとなるレ
ジストパターンを液加エバターンと同程度に微細にしな
ければならなくなる。ところが、十分微細なレジストバ
ターニングを行おうとすると、光の回折現象の影響が出
てパターンぼけが生じ平坦で奇麗な断面形状にはパター
ニングできない。一方、電子ビーム露光法では非常に波
長の短い電子線を用いて微細化するために、微細化は十
分可能ではある。しかし、マスクを用いずにパターンを
一つ一つ順番に描画する必要があるので、パターニング
に非常に時間がかかる。また層間絶縁膜の開孔部形成を
、−貫してアルゴン（Ａｒ ）を用いるＲＦエツチング
により行ってもよいが、処理に非常に時間がかかるため
、生産性が小さく製品製造に実地に応用することはでき
ない。
のような技術が用いられている。すなわち、光学露光法
、そして電子ビーム露光法などが提供されているが、レ
ジストマスクを用いる光学露光法では、マスクとなるレ
ジストパターンを液加エバターンと同程度に微細にしな
ければならなくなる。ところが、十分微細なレジストバ
ターニングを行おうとすると、光の回折現象の影響が出
てパターンぼけが生じ平坦で奇麗な断面形状にはパター
ニングできない。一方、電子ビーム露光法では非常に波
長の短い電子線を用いて微細化するために、微細化は十
分可能ではある。しかし、マスクを用いずにパターンを
一つ一つ順番に描画する必要があるので、パターニング
に非常に時間がかかる。また層間絶縁膜の開孔部形成を
、−貫してアルゴン（Ａｒ ）を用いるＲＦエツチング
により行ってもよいが、処理に非常に時間がかかるため
、生産性が小さく製品製造に実地に応用することはでき
ない。
以上いづれの方法によっても、処理時間が長くなるとい
う欠点か、微細なパターンを奇麗に形成することが困難
であるという欠点かいづれかを負うことになる。そこで
、従来より処理時間が短く。
う欠点か、微細なパターンを奇麗に形成することが困難
であるという欠点かいづれかを負うことになる。そこで
、従来より処理時間が短く。
かつ微細で奇麗に形成できるパターン形成方法の提供が
待ち望まれていた。
待ち望まれていた。
本発明が解決しようとしているのは、上記した従来のバ
ターニング方法が各々抱えている欠点を同時に解決する
ことである。
ターニング方法が各々抱えている欠点を同時に解決する
ことである。
すなわち、本発明は、処理時間が短く、なおかつオーバ
ーエツチングの心配もなく、微細なパターンを平坦な断
面形状に形成できるパターン形成技術の提供を目的とす
る。
ーエツチングの心配もなく、微細なパターンを平坦な断
面形状に形成できるパターン形成技術の提供を目的とす
る。
本発明では、上記した課題を解決するために以下の構成
を手段とするものである。
を手段とするものである。
すなわち、本発明では、
導電層乃至導電基板（１）表面に形成された絶縁膜（４
）に選択的に設けられた開口窓（３）を通して、該導電
層乃至導電基板（１）表面をエツチング処理する工程を
有する半導体装置の製造方法であって、 該開口窓（３）を通して露出した該導電層乃至導電基板
（１）表面を、不活性ガスと窒素（Ｎ２）とからなるエ
ンチャントを用いてＲＦエツチングを行う工程と、 次いで、不活性ガスのみからなるＲＦエツチングを行う
工程と、 次いで、該開口窓（３）底面で該導電層乃至導電基板（
１）と電気的接触が得られるように、該開口窓（３）内
に配線層（６）を形成する工程とを手段として有する。
）に選択的に設けられた開口窓（３）を通して、該導電
層乃至導電基板（１）表面をエツチング処理する工程を
有する半導体装置の製造方法であって、 該開口窓（３）を通して露出した該導電層乃至導電基板
（１）表面を、不活性ガスと窒素（Ｎ２）とからなるエ
ンチャントを用いてＲＦエツチングを行う工程と、 次いで、不活性ガスのみからなるＲＦエツチングを行う
工程と、 次いで、該開口窓（３）底面で該導電層乃至導電基板（
１）と電気的接触が得られるように、該開口窓（３）内
に配線層（６）を形成する工程とを手段として有する。
〔作用〕
本発明は、レジストパターンをマスクとして、先ず開口
窓をエツチング開口し、続いてレジストマスクを除去し
た後、例えばアルゴンのような不活性ガスと窒素（Ｎ２
）ガスを混合したエッチャントによりＲＦエツチングを
行う。この際に、開口窓側壁にはエツチングされてでき
た物質が再付着し、この再付着と同時に、開口窓側壁の
再付着物を窒素（Ｎ２）により窒化し、絶縁物化する。
窓をエツチング開口し、続いてレジストマスクを除去し
た後、例えばアルゴンのような不活性ガスと窒素（Ｎ２
）ガスを混合したエッチャントによりＲＦエツチングを
行う。この際に、開口窓側壁にはエツチングされてでき
た物質が再付着し、この再付着と同時に、開口窓側壁の
再付着物を窒素（Ｎ２）により窒化し、絶縁物化する。
これに次いで、例えばアルゴンのような不活性ガスのみ
によって開口窓底部の窒化物を除去するので、レジスト
パターンで形成されたパターン幅よりも微細な開口窓を
形成することができる。
によって開口窓底部の窒化物を除去するので、レジスト
パターンで形成されたパターン幅よりも微細な開口窓を
形成することができる。
本発明において、不活性ガスと窒素（Ｎ２）ガスとの混
合ガスを用いてＲＦエツチングを行うと開口窓の側壁に
付着物が生じる。この付着物は、ＰＳＧ内部のシリコン
もしくはＰＳＧの下層物質がスパッタエツチングされて
できたものが、窒素（Ｎ２）プラズマによって窒化物と
なったものである。こうして、マスクパターンよりも微
細な開口窓が形成される。しかし、窒化工程により開口
窓底部も窒化されてしまい、下層配線とのコンタクトが
とれないので再び、不活性ガスによるＲＦエツチングを
行い、上層配線と下層配線とを繋ぐ。
合ガスを用いてＲＦエツチングを行うと開口窓の側壁に
付着物が生じる。この付着物は、ＰＳＧ内部のシリコン
もしくはＰＳＧの下層物質がスパッタエツチングされて
できたものが、窒素（Ｎ２）プラズマによって窒化物と
なったものである。こうして、マスクパターンよりも微
細な開口窓が形成される。しかし、窒化工程により開口
窓底部も窒化されてしまい、下層配線とのコンタクトが
とれないので再び、不活性ガスによるＲＦエツチングを
行い、上層配線と下層配線とを繋ぐ。
これら工程の中で、ＲＦエツチングを行う際に不活性ガ
ス以外のガスを用いた場合、例えばハロゲン系のガスを
用いると開口窓の形状が悪化してしまう問題がある。ま
た、堆積性ガスを用いた場合には再現性が難しく、ゴミ
の発生を伴うという問題がある。よって、アルゴン（Ａ
ｒ ）などの不活性ガスが望ましい。また、不活性ガス
によるＲＦエツチングでは、開口窓側壁に付く付着物が
スパッタ作用でのみ形成されてしまうため、スパッタ条
件（ＲＦパワー、圧力）を調節することによって、その
付着物の厚さが制御可能である。
ス以外のガスを用いた場合、例えばハロゲン系のガスを
用いると開口窓の形状が悪化してしまう問題がある。ま
た、堆積性ガスを用いた場合には再現性が難しく、ゴミ
の発生を伴うという問題がある。よって、アルゴン（Ａ
ｒ ）などの不活性ガスが望ましい。また、不活性ガス
によるＲＦエツチングでは、開口窓側壁に付く付着物が
スパッタ作用でのみ形成されてしまうため、スパッタ条
件（ＲＦパワー、圧力）を調節することによって、その
付着物の厚さが制御可能である。
以下では、本発明を一実施例に則して説明を進める。以
下で参照する第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施
例の構成図であり、このうち第１図（ｄ）が示す半導体
装置のコンタクト部分は、シリコン基板１の表面にＰＳ
Ｇ膜４が形成され、このＰＳＧ膜４には選択的に開口窓
３が形成され、この開口窓３側面には絶縁付着物５が形
成され、さらにこの開口窓３内からＰＳＧ膜４膜面表面
在するようにＡ１配線層６が形成されてなるものである
。
下で参照する第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施
例の構成図であり、このうち第１図（ｄ）が示す半導体
装置のコンタクト部分は、シリコン基板１の表面にＰＳ
Ｇ膜４が形成され、このＰＳＧ膜４には選択的に開口窓
３が形成され、この開口窓３側面には絶縁付着物５が形
成され、さらにこの開口窓３内からＰＳＧ膜４膜面表面
在するようにＡ１配線層６が形成されてなるものである
。
第１図（ａ）参照
用意したシリコン基板工の表面に、ＣＶＤ （化学気相
成長）法によって−様なＰＳＧ （リン硅酸ガラス；
Ｐｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を
１．５μｍ被着する。このＰＳＧ膜４の表面にさらに重
ねてフォトレジストを形成し、マスクパターンを用い通
常のフォトリソグラフ−イー工程によってバターニング
する。このパターニングされたマスクを用いて電子線で
エツチングし、直径０．５μｍの開口窓３を開孔する。
成長）法によって−様なＰＳＧ （リン硅酸ガラス；
Ｐｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を
１．５μｍ被着する。このＰＳＧ膜４の表面にさらに重
ねてフォトレジストを形成し、マスクパターンを用い通
常のフォトリソグラフ−イー工程によってバターニング
する。このパターニングされたマスクを用いて電子線で
エツチングし、直径０．５μｍの開口窓３を開孔する。
この開口窓３開孔のエツチング方法は、他のドライエツ
チング、例えばＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エツチ
ング）だけでなく、ウェットエツチングであっても構わ
ない。しかし、ドライエツチングであれば装置構成次第
ではそのまま真空゛を破ることなく次の工程に移ること
ができるので、自然酸化膜がシリコン基板１面に形成さ
れることはない。
チング、例えばＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エツチ
ング）だけでなく、ウェットエツチングであっても構わ
ない。しかし、ドライエツチングであれば装置構成次第
ではそのまま真空゛を破ることなく次の工程に移ること
ができるので、自然酸化膜がシリコン基板１面に形成さ
れることはない。
第１図（ｂ）参照
このシリコン基板１をＲＦエツチング装置に移し、アル
ゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ２）ガスの混合ガスによる
ＲＦエツチングを行う。このときのエツチング条件は、
ＲＦパワー７８０Ｗ アルゴン（Ａｒ ）流量６０ｓ
ｃｃｍ、窒素（Ｎ２）流量５５ｅｃｓ。
ゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ２）ガスの混合ガスによる
ＲＦエツチングを行う。このときのエツチング条件は、
ＲＦパワー７８０Ｗ アルゴン（Ａｒ ）流量６０ｓ
ｃｃｍ、窒素（Ｎ２）流量５５ｅｃｓ。
圧力２ ｍＴｏｒｒである。ここでエツチングガスにア
ルゴン（Ａｒ ）を選んだが、理由はエツチング選択比
が取りやすいという点からである。すなわち、シリコン
基板１の表面に重ねて絶縁膜を形成する場合、ガスにア
ルゴン（Ａｒ ）を選ぶと、絶縁膜のエツチングレート
に比べて特に下地のシリコンのエツチングレートが低い
ために、オーバーエッチングなくこの境界でエツチング
を停止しやすくなるという長所がある。例えばシリコン
基板１をアルゴン（Ａｒ）でエツチングする際のレート
が３００人／ｍｉｎであるのに対して、二酸化シリコン
（ＳｉＯｚ）のそれは３５０人ノｌｌ１ｉｎであり、他
のハロゲンを利用するよりも格段にエツチング選択比が
取りやすい。また二酸化シリコン（ＳｉＯ□）に限らず
、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ
Ｇｌａｓｓ）やＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ
５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ） 、酸化アルミニウ
ム（Ａｆｔ Ｏｘ ）等を用いた場合にも、アルゴン（
Ａｒ ）を用いればエツチング選択比は同様に良好であ
る。また以上の工程順によれば、まず適当なエツチング
方法で容易に開口窓３を開孔形成しておいて、この後開
口窓３内をアルゴン（Ａｒ）を用いてＲＦエツチングし
ているが、開口窓３開孔から一貫してアルゴン（Ａｒ）
エツチングを行う方法もよい。ただしこの場合には、エ
ツチング終了までに非常に時間がかかる。
ルゴン（Ａｒ ）を選んだが、理由はエツチング選択比
が取りやすいという点からである。すなわち、シリコン
基板１の表面に重ねて絶縁膜を形成する場合、ガスにア
ルゴン（Ａｒ ）を選ぶと、絶縁膜のエツチングレート
に比べて特に下地のシリコンのエツチングレートが低い
ために、オーバーエッチングなくこの境界でエツチング
を停止しやすくなるという長所がある。例えばシリコン
基板１をアルゴン（Ａｒ）でエツチングする際のレート
が３００人／ｍｉｎであるのに対して、二酸化シリコン
（ＳｉＯｚ）のそれは３５０人ノｌｌ１ｉｎであり、他
のハロゲンを利用するよりも格段にエツチング選択比が
取りやすい。また二酸化シリコン（ＳｉＯ□）に限らず
、Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ
Ｇｌａｓｓ）やＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ Ｐｈｏｓｐｈｏ
５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ） 、酸化アルミニウ
ム（Ａｆｔ Ｏｘ ）等を用いた場合にも、アルゴン（
Ａｒ ）を用いればエツチング選択比は同様に良好であ
る。また以上の工程順によれば、まず適当なエツチング
方法で容易に開口窓３を開孔形成しておいて、この後開
口窓３内をアルゴン（Ａｒ）を用いてＲＦエツチングし
ているが、開口窓３開孔から一貫してアルゴン（Ａｒ）
エツチングを行う方法もよい。ただしこの場合には、エ
ツチング終了までに非常に時間がかかる。
こうしてエツチングした後には、開口窓３側壁には付着
物５が形成される。また、この付着物５を絶縁物に代え
るための開口窓３内表面の窒化をもエツチング工程と同
時に行う。これにより開口窓３底部の穴径が減少し、０
．６７μｍとなった。
物５が形成される。また、この付着物５を絶縁物に代え
るための開口窓３内表面の窒化をもエツチング工程と同
時に行う。これにより開口窓３底部の穴径が減少し、０
．６７μｍとなった。
第１図（ｃ）参照
次いで、アルゴン（Ａｒ）イオンだけによるＲＦエツチ
ングを行う。この時に開口窓３側壁に付着した窒化付着
物５も削られるが、開口窓３底部に付着した窒化付着物
５がエツチングされ飛散しやはり側壁に再付着するので
、側壁には依然として窒化付着物５が付いた状態になる
。こうして当初の開口窓３径（０，９μｍ）より微細な
開口窓３径（０，６７μｍ）が形成される。またここで
形成された開口窓３は、テーパーの付いた形状になる。
ングを行う。この時に開口窓３側壁に付着した窒化付着
物５も削られるが、開口窓３底部に付着した窒化付着物
５がエツチングされ飛散しやはり側壁に再付着するので
、側壁には依然として窒化付着物５が付いた状態になる
。こうして当初の開口窓３径（０，９μｍ）より微細な
開口窓３径（０，６７μｍ）が形成される。またここで
形成された開口窓３は、テーパーの付いた形状になる。
第１図（ｄ）参照
この後、開口窓３底面に露出したシリコン基板１表面と
電気的にコンタクトを得るように、この開口窓３内から
ＰＳＧ膜４膜面表面在するように、アルミニウム（Ａり
配線層６をスパッタリング形成する。この際に、開口窓
３は開口端で奥よりも間口が広く形成されているので、
たとえ配線層形成をスパッタリングによって行っても、
シャドウィング効果が緩和されて配線層のカバレッジは
改善される。
電気的にコンタクトを得るように、この開口窓３内から
ＰＳＧ膜４膜面表面在するように、アルミニウム（Ａり
配線層６をスパッタリング形成する。この際に、開口窓
３は開口端で奥よりも間口が広く形成されているので、
たとえ配線層形成をスパッタリングによって行っても、
シャドウィング効果が緩和されて配線層のカバレッジは
改善される。
以上が本発明の一実施例の説明であるが、他にも条件を
変更して実験した結果を次に表にまとめて示す。
変更して実験した結果を次に表にまとめて示す。
なお、本発明は以上説明してきた一実施例に限定される
ことなく、他にも変形は可能である。例えば紹介した一
実施例では、エツチングを行ったのはシリコン基板１表
面にＰＳＧ膜４を被着したものであった。しかし、これ
に代えて例えばＣＶＤ（化学気相成長）法で形成したシ
リコン層の表面に形成された絶縁層にコンタクト開孔を
形成する場合であっても同様の効果が得られることは明
らかである。また、アルミニウム配線層やガリウム砒素
（ＧａＡｓ）に代表される化合物半導体基板の表面に形
成された絶縁層の場合であっても何ら差し支えない。さ
らには、この絶縁層として、例えばアルミニウム酸化膜
（Ａｆｔ Ｏ＋ ） 、 Ｂ Ｐ ５Ｏ（Ｂｏｒｏ Ｐ
ｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ） 、
Ｂ Ｓ Ｇ （Ｂ。
ことなく、他にも変形は可能である。例えば紹介した一
実施例では、エツチングを行ったのはシリコン基板１表
面にＰＳＧ膜４を被着したものであった。しかし、これ
に代えて例えばＣＶＤ（化学気相成長）法で形成したシ
リコン層の表面に形成された絶縁層にコンタクト開孔を
形成する場合であっても同様の効果が得られることは明
らかである。また、アルミニウム配線層やガリウム砒素
（ＧａＡｓ）に代表される化合物半導体基板の表面に形
成された絶縁層の場合であっても何ら差し支えない。さ
らには、この絶縁層として、例えばアルミニウム酸化膜
（Ａｆｔ Ｏ＋ ） 、 Ｂ Ｐ ５Ｏ（Ｂｏｒｏ Ｐ
ｈｏｓｐｈｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ） 、
Ｂ Ｓ Ｇ （Ｂ。
ｒｏ ５ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ ） 、シリコン
窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）等地のよく知られた絶縁膜を用い
ても、効果は同様である。
窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）等地のよく知られた絶縁膜を用い
ても、効果は同様である。
本発明の効果は、処理時間が短く、なおかつオーバーエ
ツチングの心配もなく、微細なパターンを平坦な断面形
状に形成できるという点にある。
ツチングの心配もなく、微細なパターンを平坦な断面形
状に形成できるという点にある。
第１図は、本発明の一実施例に則した工程説明図である
。 第１図中、 １・・・ 半導体基板（導電層） ３・・・ 開口窓 ４・・・ ＰＳＧ膜（絶縁層） ５・・・ 付着物（窒化付着物） ６・・・ ＡＩ！、配線層（配線層）
。 第１図中、 １・・・ 半導体基板（導電層） ３・・・ 開口窓 ４・・・ ＰＳＧ膜（絶縁層） ５・・・ 付着物（窒化付着物） ６・・・ ＡＩ！、配線層（配線層）
Claims (2)
- （１）導電層乃至導電基板（１）表面に形成された絶縁
膜（４）に選択的に設けられた開口窓（３）を通して、
該導電層乃至導電基板（１）表面をエッチング処理する
工程を有する半導体装置の製造方法であって、 該開口窓（３）を通して露出した該導電層乃至導電基板
（１）表面を、不活性ガスと窒素（Ｎ＿２）とからなる
エッチャントを用いてＲＦエッチングを行う工程と、 次いで、該導電層乃至導電基板（１）表面に、不活性ガ
スのみからなるＲＦエッチングを行う工程と、 次いで、該開口窓（３）底面で該導電層乃至導電基板（
１）と電気的接触が得られるように、該開口窓（３）内
に配線層（６）を形成する工程とを有する半導体装置の
製造方法。 - （２）前記不活性ガスとしては、いづれの工程で用いる
ものも、アルゴン（Ａｒ）とすることを特徴とする請求
項（１）記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12382990A JPH0423322A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12382990A JPH0423322A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423322A true JPH0423322A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14870399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12382990A Pending JPH0423322A (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0423322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186145A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-07-15 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のコンタクトホール形成方法 |
| WO2000039845A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-06 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method for forming contact hole |
| JP2011034669A (ja) * | 2008-05-12 | 2011-02-17 | Headway Technologies Inc | 垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP12382990A patent/JPH0423322A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186145A (ja) * | 1995-12-29 | 1997-07-15 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体素子のコンタクトホール形成方法 |
| US5940730A (en) * | 1995-12-29 | 1999-08-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a contact hole of a semiconductor device |
| WO2000039845A1 (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-06 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method for forming contact hole |
| KR100372996B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2003-02-25 | 아사히 가세이 마이크로시스템 가부시끼가이샤 | 컨택트 홀의 형성 방법 |
| US6531067B1 (en) | 1998-12-28 | 2003-03-11 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Method for forming contact hole |
| JP2011034669A (ja) * | 2008-05-12 | 2011-02-17 | Headway Technologies Inc | 垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法 |
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