JPH0677178A

JPH0677178A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0677178A
Application number: JP22739892A
Authority: JP
Inventors: Junichi Sato; 淳一佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-08-26
Filing date: 1992-08-26
Publication date: 1994-03-18

Abstract

(57)【要約】【目的】配線材料層上で絶縁膜をドライエッチングし
てビアホールを形成する際に、配線材料層に由来して生
成するスパッタ再付着物層の除去を容易に行う。【構成】表面にＴｉＯＮ反射防止膜２を有するＡｌ−
１％Ｓｉ層１の上でＳｉＯ₂層間絶縁膜３をレジスト・
マスクを介してエッチングする場合、下地のＴｉＯＮ反
射防止膜２が露出する直前でエッチングを一旦停止す
る。次に、Ｏ₂プラズマ・アッシングを軽く行い、一様
に後退させたレジスト・マスク４ａを得る。これによ
り、ビアホール５の側壁面とレジスト・マスク４ａの開
口端面が不連続となる。エッチングを再開すると、Ａｌ
−１％Ｓｉ層１の露出面からスパッタ・アウトされたＡ
ｌ粒子は上下に分断された再付着物層６ａ，６ｂを形成
する。これらは、後にスピン・プロセッサ等を用いた処
理により簡単に除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にアルミニウム（Ａｌ）等からなる配線材料層
上の絶縁膜に接続孔を開口するためのエッチングにおい
て、下地の配線材料層のスパッタ再付着物の除去を容易
に行う方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられるように
半導体装置の高集積化，高密度化が進行する状況下で
は、デバイス・チップ上では配線部分の占める割合が増
大する傾向にあるが、これによるチップ面積の大型化を
防止するために配線の多層化が進展している。これに伴
い、上層側と下層側の各配線材料層間の電気的接続を図
るビアホール等を形成するために、下層側の配線材料層
を下地として絶縁膜のエッチングを行うホール加工プロ
セスが不可欠となっている。上記絶縁膜の材料として代
表的なものは酸化シリコン（ＳｉＯx ）系材料である。
ＳｉＯ_x系材料層のエッチングは、その強固なＳｉ−Ｏ
結合を切断する必要から、一般に高い入射イオン・エネ
ルギーが得られる条件下で行われる。つまり、ＳｉＯ₂
系材料層のエッチングのメカニズムは、ラジカル反応の
ような化学的過程よりはむしろ、スパッタリングのよう
な物理的過程に近い。

【０００３】ところで、このように強いイオン衝撃を伴
うエッチング・プロセスにおいては、必然的に下地選択
性の低下が問題となる。特に、多層配線構造において絶
縁膜の下地にＡｌ系材料層のようなスパッタされ易い配
線材料層が存在している場合、該配線材料層の表面がス
パッタされて膜厚が減少してしまう上に、スパッタ生成
物が接続孔の内壁面上に再付着し、種々の問題を引き起
こす。上記配線材料層がＡｌ系材料からなる場合の再付
着の様子を、図８を参照しながら説明する。図８（ａ）
は、Ａｌ系配線層１１上に反射防止膜１２を介して積層
されたＳｉＯ₂層間絶縁膜１３の上に、レジスト・マス
ク１４が所定のパターンに形成された状態を示してい
る。

【０００４】上記レジスト・マスク１４を介してＳｉＯ
₂層間絶縁膜１３および反射防止膜１２を入射イオン・
エネルギーを高めた条件でエッチングすると、図８
（ｂ）に示されるように、若干のオーバーエッチングを
行っただけでもＡｌ系配線層１１の表面がスパッタされ
てしまう。このときのスパッタ生成物は、ビアホール１
５の側壁面上に再付着して再付着物層１６を形成する。
この再付着物層１６は除去が極めて困難であり、レジス
ト・マスク１４をアッシングにより除去した後でも、図
８（ｃ）に示されるように、ビアホール１２ａの開口端
から突出した状態で残存する。この再付着物層１６は、
ウェハを上面から電子顕微鏡で観察すると王冠（クラウ
ン）のように見えることから、アルミ・クラウンとも呼
ばれている。この再付着物層１６は、一部でも剥離また
は破損するとダスト源となる他、絶縁膜１３の最上面か
ら多少なりとも突出している場合には上層に形成される
材料層のカバレッジ（被覆性）を悪化させることもあ
り、半導体装置の歩留りを著しく低下させる原因とな
る。

【０００５】そこで、上述のような下地のスパッタ除去
を防止するために、従来から幾つかの対策が試みられて
いる。代表的な方法としては、（ａ）自己バイアス電位
Ｖ_dcを低下させた条件を採用すること、（ｂ）オーバー
エッチング時に下地の配線材料層をエッチングし得る化
合物をエッチング・ガスに添加すること、（ｃ）接続孔
の断面形状をテーパー化させること、等が挙げられる。
このうち、上記（ｃ）のテーパー化については、１９９
０ＤｒｙＰｒｏｃｅｓｓＳｙｍｐｏｓｉｕｍ抄録
集，ｐ．１０５〜１０９，演題番号Ｖ−３に報告されて
いる。この場合のＳｉＯ₂層間絶縁膜のエッチングは、
ウェハを約−５０℃に冷却しながらＣＨＦ₃ガスを用い
て行う。つまり、過剰な炭素系ポリマーの堆積により実
質的なマスク幅が絶えず増大しながらエッチングが進行
するので、ビアホールの側壁面が傾斜するのである。側
壁面が傾斜することにより、この面へのイオンの入射が
可能となり、たとえ下地のＡｌ系配線層に由来するスパ
ッタ生成物が再付着しても直ちに除去できる。また、か
かる傾斜面に対してはスパッタ生成物の粒子の入射角が
小さくなるので、再付着そのものも生じにくくなると考
えられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
各対策はそれぞれ問題点を抱えている。まず、自己バイ
アス電位Ｖ_dcを低下させる方法は、入射イオン・エネル
ギーを下げることにより、下地の配線材料層のスパッタ
除去を防止しようとするものである。しかし、絶縁膜の
異方性加工には前述のようにある程度の入射イオン・エ
ネルギーを要するので、実用的なエッチング速度を維持
しながら下地の除去を防止することは、実際には容易な
ことではない。オーバーエッチング時に下地の配線材料
層をエッチングし得るガスを使用する方法では、再付着
は確かに防止できる。しかし、配線材料層も除去される
ことから、接続孔のアスペクト比が増大し、その後の接
続孔の埋め込み等が困難となる。極端な場合には、配線
材料層が除去されてしまうこともあり得る。また、接続
孔の断面形状をテーパー化させる技術では、有意なテー
パー化を達成するために過剰な炭素系ポリマーの生成が
必要であり、パーティクル・レベルを悪化させる懸念が
大きい。しかも、接続孔の底面積はマスクの開口面積よ
りも狭くなるため、該接続孔に埋め込まれた導電材料層
と下地の配線材料層との接触抵抗が増大するといった問
題も生ずる。

【０００７】そこで本発明は、配線材料層を下地として
絶縁膜のエッチングを行う際に、配線材料層に由来する
スパッタ再付着物による悪影響を排除し、かつ形成され
る接続孔の異方性形状を維持することが可能な半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、上述の目的を達成するために提案されるもの
であり、配線材料層上に積層された絶縁膜をこの配線材
料層が露出する直前までエッチング・マスクを介してエ
ッチングする工程と、前記エッチング・マスクの開口端
面を一様に後退させ、その開口寸法を形成される接続孔
の開口寸法より大とする工程と、前記絶縁膜の残余部を
エッチングする工程とを有することを特徴とする。

【０００９】本発明はまた、前記エッチング・マスクが
有機レジスト材料より構成され、このときの開口端面の
後退が酸素プラズマ処理により行われることを特徴とす
る。

【００１０】本発明はまた、配線材料層上に積層された
絶縁膜をこの配線材料層が露出する直前までエッチング
・マスクを介してエッチングする工程と、前記エッチン
グ・マスクの開口端面をテーパー状に後退させ、その最
小開口寸法を形成される接続孔の開口寸法より大とする
工程と、前記絶縁膜の残余部をエッチングする工程とを
有することを特徴とする。

【００１１】本発明はさらに、このときの開口端面の後
退がイオン・ミリングにより行われることを特徴とす
る。

【００１２】

【作用】本発明者は、通常のホール加工では下地の配線
材料層のスパッタ生成物の再付着を完全に防止すること
は原理的に困難であるため、発想を転換し、形成された
再付着物層をいかに容易に除去するかという観点に立っ
て鋭意検討を行った。この結果、再付着物層が除去し難
いのは、この層が通常、接続孔の内壁面上からエッチン
グ・マスクの開口端面上にわたって連続膜として形成さ
れているからであり、これを途中で分断すれば物理的に
除去し易くなるものと考えた。

【００１３】この考え方にもとづき、本発明では絶縁膜
のエッチングが下地の配線材料層に達する直前で一旦エ
ッチングを終了し、エッチング・マスクの開口端面を一
様に後退させる。これにより、エッチング・マスクの開
口端面と接続孔の内壁面との間に段差が生じ、双方の面
は不連続になる。このとき、エッチング・マスクの開口
端面上で段差のごく近傍の領域には、接続孔の上端部に
よるシャドウイング効果によりスパッタ生成物が飛来し
ないので、再付着物層はこの部分で分断されるわけであ
る。

【００１４】このような状態で形成された再付着物層の
除去は、従来よりも遥かに容易である。少なくともエッ
チング・マスクの開口端面上に付着した部分は、エッチ
ング・マスクが除去されれば付着の足場を失うので、容
易に脱落させることができる。また、接続孔の内壁面上
に付着した再付着物層も、内壁面に対する接触面積が小
さく付着力が低下しているので、その除去はやはり従来
よりも容易である。万一、完全に除去されずに残ったと
しても、この再付着物層が接続孔の上端から突出するこ
とはないので、上層配線等を形成するための材料層のカ
バレッジを悪化される虞れがない。

【００１５】エッチング・マスクの開口端面を一様に後
退させる方法としては、該エッチング・マスクが有機レ
ジスト材料から構成される場合、酸素プラズマ処理が有
効である。これは、酸素プラズマ処理が化学的プロセス
であって、レジスト・マスクの表面から等方的に燃焼反
応を進行させることができるからである。

【００１６】また、レジスト・マスクの開口端面の後退
は必ずしも一様に行われる必要はなく、テーパー状に行
われても良い。この場合、最小開口寸法が接続孔の開口
寸法よりも大とされていれば、レジスト・マスクの開口
端面と接続孔の内壁面とを不連続面とすることができ、
接続孔の上端部によるシャドウイング効果を利用して再
付着物層を分断することができる。また、レジスト・マ
スクの開口端面が傾斜することにより、この面に対する
スパッタ生成物粒子の入射角が小さくなるため、再付着
そのものが生じにくくなるという効果も得られる。

【００１７】上述のようにエッチング・マスクの開口端
面をテーパー状に後退させる方法としては、イオン・ミ
リングが有効である。これは、イオン・ミリングが物理
的プロセスであって、ウェハをイオンの入射方向に対し
て適当に傾斜させれば、イオンの入射確率が大きい開口
部の上端付近で後退量が大きくなるからである。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００１９】実施例１本実施例は、表面にＴｉＯＮ反射防止膜を有するＡｌ−
１％Ｓｉ層上でＳｉＯ ₂層間絶縁膜をエッチングするビ
アホール加工において、レジスト・マスクを介してＣ₃
Ｆ₈（オクタフルオロプロパン）ガスによりＴｉＯＮ反
射防止膜が露出する直前までＳｉＯ₂層間絶縁膜をエッ
チングした後、Ｏ₂プラズマ・アッシングを行ってレジ
スト・マスクを一様に後退させ、再びＣ₃Ｆ₈ガスを用
いてＳｉＯ₂層間絶縁膜の残余部とＴｉＯＮ反射防止膜
をエッチングした例である。このプロセスを、図１ない
し図６を参照しながら説明する。

【００２０】本実施例でエッチング・サンプルとして使
用したウェハは、図１に示されるように、Ａｌ−１％Ｓ
ｉ層１上にＴｉＯＮ反射防止膜２およびＳｉＯ₂層間絶
縁膜３が順次積層され、さらにその上に所定の形状にパ
ターニングされたレジスト・マスク４が形成されてなる
ものである。ここで、上記ＴｉＯＮ反射防止膜２は、た
とえば反応性スパッタリングにより約０．０４μｍの厚
さに形成されている。また、上記ＳｉＯ₂層間絶縁膜３
は、たとえばＯ₃／ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）
混合ガス系を用いた減圧ＣＶＤ法により、約０．５μｍ
の厚さに形成されている。上記レジスト・マスク４の開
口パターンの直径は約０．３５μｍである。

【００２１】上記ウェハをマグネトロンＲＩＥ装置のエ
ッチング・チャンバにセットし、一例として下記の条件
でＳｉＯ₂層間絶縁膜３をエッチングした。Ｃ₃Ｆ₈流量５０ＳＣＣＭガス圧１．５Ｐａ（≒１１ｍＴｏｒｒ）ＲＦパワー密度０．３Ｗ／ｃｍ²（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）ここで、上記Ｃ₃Ｆ₈は本願出願人が先に特開平３−２
７６６２６号公報において提案した鎖状高次フルオロカ
ーボン系化合物のひとつである。この工程では、放電解
離条件下でＣ₃Ｆ₈から大量に生成するＣＦ_x ⁺が、Ｆ
^*によるＳｉ原子の引き抜き反応をアシストし、ビアホ
ール５が途中まで高速に形成された。ただし、このエッ
チングは図２に示されるように、ＴｉＯＮ反射防止膜２
が露出する直前で終了させた。

【００２２】次に、ウェハを真空ロード・ロック機構を
介して接続されるプラズマ・アッシング装置へ移送し、
一例として下記の条件でレジスト・マスク４を若干後退
させた。Ｏ₂流量５０ＳＣＣＭガス圧６０ＰａＲＦパワー３００Ｗ（１３．５６ＭＨ
ｚ）このＯ₂プラズマ・アッシングにより、図３に示される
ように後退したレジスト・マスク４ａが得られた。この
レジスト・マスク４ａは、膜厚が減少していることも勿
論であるが、その開口端面がビアホール５の内壁面に対
して不連続となっている。

【００２３】続いてウェハを元のエッチング・チャンバ
に戻し、先と同じ条件でＳｉＯ₂層間絶縁膜３の残余部
とその下のＴｉＯＮ反射防止膜２とをエッチングした。
このとき、Ａｌ−１％Ｓｉ層１の表面が露出すると若干
のＡｌ粒子がスパッタ・アウトされる。しかし、上述の
ようにビアホール５の内壁面とレジスト・マスク４ａの
開口端面とが不連続となっているため、図４に示される
ように、前者には再付着物層６ａ、後者には再付着物層
６ｂが分断して形成された。なおこのとき、レジスト・
マスク４ａが後退した分だけＳｉＯ₂層間絶縁膜３が被
エッチング領域に露出するため、ビアホール５の開口端
がイオンにスパッタされて若干丸みを帯びた。

【００２４】次に、ウェハをスピン・プロセッサにセッ
トした。これは、回転台上に載置されたウェハに対して
ノズルから発煙硝酸やレジスト現像液等を高速で吹きつ
けることにより、ウェハ上の異物を除去できる装置であ
る。本実施例では発煙硝酸を用い、図５に示されるよう
に、再付着物層６ａ，６ｂを容易に除去することができ
た。最後にアッシングを行い、図６に示されるように、
レジスト・マスク４ａを除去した。完成されたビアホー
ル５の開口端は２段階目のエッチングの再に丸みを帯び
るが、このことは上層配線材料によりビアホール５を埋
め込む際のステップ・カバレッジを改善する効果をもた
らす。

【００２５】ところで、本発明では絶縁膜のエッチング
を一旦停止させるタイミングは下地の配線材料層が露出
する以前であれば良い。そこで、本実施例のような場
合、上述のようにＳｉＯ₂層間絶縁膜３がまだ残ってい
る段階でエッチングを停止するのではなく、ＴｉＯＮ反
射防止膜２が露出してから停止しても良いように思われ
る。しかし、ＴｉＯＮ反射防止膜２を露出させた状態で
ウェハをＯ₂プラズマに曝すと、レジスト・マスク４が
後退すると同時にＴｉの酸化物が形成されてしまい、こ
の酸化物が除去困難となる虞れが大きい。したがって、
配線材料層の表面に蒸気圧の低い酸化物を生成し得る元
素を含む反射防止膜が形成されているような場合には、
やはり絶縁膜を少し残した状態でエッチングを一旦停止
させることが望ましい。

【００２６】実施例２本実施例では、実施例１と同様のビアホール加工におい
て２段階目のエッチング条件を低エネルギー化し、再付
着物層の形成そのものをさらに抑制することを試みた。
ＳｉＯ₂層間絶縁膜３の最初のエッチング条件、レジス
ト・マスク４を後退させるためのＯ₂プラズマ・アッシ
ング条件は、いずれも実施例１で上述したとおりであ
る。本実施例では次に、ＳｉＯ₂層間絶縁膜３の残余部
とその下のＴｉＯＮ反射防止膜２のエッチングを、一例
として下記の条件で行った。Ｃ₃Ｆ₈流量５０ＳＣＣＭガス圧１．５ＰａＲＦパワー密度０．０８Ｗ／ｃｍ²（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）このように入射イオン・エネルギーを下げることによ
り、再付着物層６ａ，６ｂの生成量は実施例１よりも少
なくなり、スピン・プロセッサによるこれらの除去がさ
らに容易となった。

【００２７】実施例３本実施例では、レジスト・マスク４を後退させる手法と
して、Ｏ₂／Ａｒ混合ガスによる反応性イオン・ミリン
グを採用した。このプロセスを、図７を参照しながら説
明する。なお、図７の参照符号は図１ないし図６と一部
共通である。エッチング・サンプルとして用いたウェハ
は、前出の図１に示したものと同じである。ＳｉＯ₂層
間絶縁膜３の最初のエッチングは、マグネトロンＲＩＥ
装置を用いて実施例１と同じ条件で行い、前出の図２に
示したようにＳｉＯ₂層間絶縁膜３を少し残した状態で
一旦停止した。

【００２８】次に、ウェハをイオン・ミリング装置にセ
ットし、一例として下記の条件でレジスト・マスク４を
後退させた。Ｏ₂流量１０ＳＣＣＭＡｒ流量５０ＳＣＣＭガス圧０．１Ｐａイオン加速エネルギー３００Ｖイオン入射角１０° ここで、イオン入射角とはウェハの法線方向に対してイ
オンの入射方向がなす角度であり、実際にはイオン・ミ
リング装置内でウェハを傾斜回転させることによりこれ
を達成した。この過程では、ウェハの表面に露出してい
る領域はすべてイオンの物理的なスパッタ作用を受ける
可能性があるが、Ｏ₂による化学反応も併用しているた
め、レジスト・マスク４の後退量が相対的に大きくな
る。この結果、図７（ａ）に示されるように、開口端面
がテーパー状に後退してレジスト・マスク４ｂが形成さ
れた。このテーパー化により、ビアホール５の内壁面と
レジスト・マスク４ｂの開口端面とは不連続となった。

【００２９】次に、ウェハをマグネトロンＲＩＥ装置の
エッチング・チャンバに戻し、最初のエッチングと同じ
条件でＳｉＯ₂層間絶縁膜３の残余部とその下のＴｉＯ
Ｎ反射防止膜２をエッチングした。本実施例でも、下地
のＡｌ−１％Ｓｉ層１が露出した時点でＡｌ粒子がスパ
ッタ・アウトされるが、これらの粒子はビアホール５の
内壁面とレジスト・マスク４ｂの開口端面に不連続に堆
積し、図７（ｂ）に示されるように、それぞれ再付着物
層６ａ，６ｂを形成した。しかも、レジスト・マスク４
ｂの傾斜した開口端面上ではＡｌ粒子の入射角が小さく
なるため、再付着物層６ｂの厚さは実施例１におけるよ
りもさらに薄いものであった。これらの再付着物層６
ａ，６ｂは、実施例１と同様にスピン・プロセッサを用
いた処理を行うことにより、極めて容易に除去すること
ができた。

【００３０】実施例４本実施例では、実施例３と同様のビアホール加工におい
て２段階目のエッチング条件を低エネルギー化し、再付
着物層の形成そのものをさらに抑制することを試みた。
ＳｉＯ₂層間絶縁膜３の最初のエッチング条件、レジス
ト・マスク４を後退させるための反応性イオン・ミリン
グ条件は、いずれも実施例３で上述したとおりである。
本実施例では次に、ＳｉＯ₂層間絶縁膜３の残余部とそ
の下のＴｉＯＮ反射防止膜２のエッチングを、一例とし
て下記の条件で行った。Ｃ₃Ｆ₈流量５０ＳＣＣＭガス圧１．５ＰａＲＦパワー密度０．０８Ｗ／ｃｍ²（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）このように入射イオン・エネルギーを下げることによ
り、再付着物層６ａ，６ｂの生成量は実施例３よりも少
なくなり、スピン・プロセッサによるこれらの除去がさ
らに容易となった。

【００３１】以上、本発明を４例の実施例にもとづいて
説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定される
ものではなく、ウェハの構成、ウェハを構成する各材料
層の構成物質、エッチング条件、Ｏ₂プラズマ処理条
件、イオン・ミリング条件等が適宜変更可能であること
は言うまでもない。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、絶縁膜に接続孔を開口する際に下地の配線
材料層に由来するスパッタ再付着物層による悪影響を排
除し、かつ形成される接続孔の異方性形状を維持するこ
とができる。したがって本発明は、多層配線構造を有す
る半導体装置の信頼性および歩留りを向上させる上で、
極めて有効である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法をビアホール加
工に適用したプロセス例において、Ａｌ−１％Ｓｉ層上
にＴｉＯＮ反射防止膜、ＳｉＯ₂層間絶縁膜、レジスト
・マスクが順次形成されたエッチング前のウェハの状態
を示す概略断面図である。

【図２】図１のＳｉＯ₂層間絶縁膜のエッチングを、下
地のＴｉＯＮ反射防止膜が露出する直前で停止させた状
態を示す概略断面図である。

【図３】図２のレジスト・マスクをＯ₂プラズマ・アッ
シングにより一様に後退させた状態を示す概略断面図で
ある。

【図４】ビアホールのエッチングが進行し、Ａｌ−１％
Ｓｉ層に由来する再付着物層が分断して形成された状態
を示す概略断面図である。

【図５】図４の再付着物層が除去された状態を示す概略
断面図である。

【図６】図５のレジスト・マスクが除去された状態を示
す概略断面図である。

【図７】本発明の半導体装置の製造方法をビアホール加
工に適用した他のプロセス例の一部をその工程順にした
がって示す概略断面図であり、（ａ）はレジスト・マス
クをテーパー状に後退させた状態、（ｂ）は再付着物層
が分断して形成された状態をそれぞれ表す。

【図８】従来のビアホール加工における問題点を説明す
るための模式的な断面図であり、（ａ）はＡｌ系配線層
上にＴｉＯＮ反射防止膜、ＳｉＯ₂層間絶縁膜、レジス
ト・マスクが順次形成された状態、（ｂ）はオーバーエ
ッチングによりＡｌ系配線層の表面がスパッタされて再
付着物層が形成された状態、（ｃ）はレジスト・マスク
を除去しても再付着物層が除去されない状態をそれぞれ
表す。

【符号の説明】

１・・・Ａｌ−１％Ｓｉ層２・・・ＴｉＯＮ反射防止膜３・・・ＳｉＯ₂層間絶縁膜４・・・レジスト・マスク４ａ・・・（一様に後退した）レジスト・マスク４ｂ・・・（テーパー状に後退した）レジスト・
マスク５・・・ビアホール６ａ，６ｂ・・・再付着物層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線材料層上に積層された絶縁膜をエッ
チング・マスクを介して選択的にエッチングすることに
より接続孔を開口する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を前記配線材料層が露出する直前までエッチ
ングする工程と、前記エッチング・マスクの開口端面を一様に後退させ、
その開口寸法を前記接続孔の開口寸法より大とする工程
と、前記絶縁膜の残余部をエッチングする工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記エッチング・マスクが有機レジスト
材料より構成され、前記開口端面の後退は酸素プラズマ
処理により行われることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項３】配線材料層上に積層された絶縁膜をエッ
チング・マスクを介して選択的にエッチングすることに
より接続孔を開口する半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜を前記配線材料層が露出する直前までエッチ
ングする工程と、前記エッチング・マスクの開口端面をテーパー状に後退
させ、その最小開口寸法を前記接続孔の開口寸法より大
とする工程と、前記絶縁膜の残余部をエッチングする工程とを有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記開口端面の後退はイオン・ミリング
により行われることを特徴とする請求項３記載の半導体
装置の製造方法。